JP7049820B2 - 半導体レーザ装置及びその製造方法並びにガス分析装置 - Google Patents
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Description
この構成であれば、光導波路から射出されたレーザ光が温度センサ素子部に当たらない配置にすることができ、温度センサ素子部にレーザ光が当たることによる温度影響を受けにくくすることができる。
量子カスケードレーザ素子は、他の半導体レーザ素子よりも電力消費が多く、温度上昇しやすいことから、その温度変動を検出するためには、温度センサ部を可及的に量子カスケードレーザ素子に近づけることが望ましい。本発明では、半導体レーザ素子部に対する温度センサ素子部の位置を精度良く設定することができ、このような量子カスケードレーザ素子に対して有効に適用することができる。
また、他の半導体レーザ素子は、チップサイズが小さいため、温度センサ素子部を作り込むことが難しいのに対して、量子カスケードレーザ素子は、他の半導体レーザ素子に対してサイズが大きく(例えば3mm程度)、温度センサ素子部を作り込むことが他の半導体レーザ素子に比べて容易である。
このようなものであれば、半導体レーザ素子部及び温度センサ素子部を同時に作り込むことができる。また、同一の製造プロセスで層形成しているので、その後のエッチング処理により、温度センサ素子部を半導体レーザ素子部に対して任意の位置に任意の個数形成することができる。また、面積を変更した温度センサ素子部を複数配置することにより、抵抗値の異なる複数の温度センサ素子部を形成することができる。このように互いに異なる抵抗値を有する複数の温度センサ素子部を設けることにより、精度良く温度補正を行うことが可能となる。
このように半導体レーザ素子部に対して温度センサ素子部を分離することによって、温度センサ素子部の面積を小さくすることができる。その結果、温度センサ素子部の抵抗値を大きくすることができ、正確な温度測定が可能となる。
次に半導体レーザ装置100の製造方法について図8を参照して説明する。なお、図8では、半導体レーザ素子部3の層構成を例示している。
本実施形態の半導体レーザ装置100によれば、半導体基板2上に設けられる温度センサ素子部4の層構成を半導体レーザ素子部3の層構成の全部又は一部と同じにしているので、周囲から受ける熱影響の差を小さくすることができ、半導体レーザ素子部3の温度と温度センサ素子部4により得られる検出温度との差を小さくする。その結果、発振波長の温度依存性を精度良く補正することができる。また、半導体基板2上に設けられる温度センサ素子部4の層構成を半導体レーザ素子部3の層構成の全部又は一部と同じにしているので、半導体基板2上に半導体レーザ素子部3及び温度センサ素子部4を同時に作り込むことができる。半導体基板2上に半導体レーザ素子部3及び温度センサ素子部4を作り込むことによって、半導体レーザ素子部3に対する温度センサ素子部4の位置を精度良く設定することができ、半導体基板2に対する温度センサ素子部4の接合のバラつきも低減することができる。
なお、本発明は前記各実施形態に限られるものではない。
11・・・測定セル
12・・・光検出器
13・・・分析部
100・・・半導体レーザ装置
2・・・半導体基板
3・・・半導体レーザ素子部
3A・・・光導波路
3B・・・回折格子
32・・・コア層
323・・・活性層
33・・・上部クラッド層
4・・・温度センサ素子部
41~44・・・半導体層
46・・・上部電極(第1電極)
47・・・下部電極(第2電極)
Claims (8)
- 光導波路を有する半導体レーザ素子部と、
前記光導波路の層構成と同じ層構成を有する温度センサ素子部と、
前記半導体レーザ素子部及び前記温度センサ素子部が一方の面である上面に設けられる半導体基板と、
前記半導体レーザ素子部及び前記温度センサ素子部を温調する温調部と、
前記半導体レーザ素子部及び前記温度センサ素子部を覆う保護膜と、
前記半導体基板の他方の面である下面に設けられ、前記半導体レーザ素子部の下方に位置するレーザ発振用下部電極と、
前記半導体基板の前記下面に設けられ、前記温度センサ素子部の下方に位置する温度検出用下部電極と、
前記半導体基板及び前記温調部を収容するとともに、前記半導体レーザ素子部の光出射部に対向する部位に光学窓部材が設けられた気密容器とを備え、
前記光導波路は、クラッド層とコア層とから構成され、
前記コア層は、電流が注入されることにより光を発する活性層を有しており、
前記活性層は、複数の井戸層を有する多重量子井戸構造からなり、
前記半導体レーザ素子は、複数の井戸層を有する多重量子井戸構造からなり、その量子井戸中に形成されるサブバンド間の光遷移により光を発生させる量子カスケードレーザである半導体レーザ装置。 - 前記温度センサ素子部は、前記半導体レーザ素子部に対して前記光導波路の光導波方向に直交する側方に設けられている、請求項1記載の半導体レーザ装置。
- 前記温度センサ素子部は、前記半導体レーザ素子部に対して前記光導波路の光導波方向の一方の端部側に設けられている、請求項1記載の半導体レーザ装置。
- 複数の前記温度センサ素子部を備える、請求項1乃至3の何れか一項に記載の半導体レーザ装置。
- 前記半導体レーザ素子部がパルス発振されるものであり、
前記半導体レーザ素子部がパルスオフとなっている期間に前記温度センサ素子部により温度測定を行うものである、請求項1乃至4の半導体レーザ装置。 - ガスに含まれる測定対象成分を分析するガス分析装置であって、
前記ガスが導入される測定セルと、
前記測定セルにレーザ光を照射する請求項1乃至5の何れか一項に記載の半導体レーザ装置と、
前記測定セルを通過したレーザ光を検出する光検出器と、
前記光検出器の検出信号を用いて前記測定対象成分を分析する分析部とを有する、ガス分析装置。 - 請求項1乃至5の何れか一項に記載の半導体レーザ装置の製造方法であって、
前記半導体レーザ素子部及び前記温度センサ素子部を同一の製造プロセスにより層形成する、半導体レーザ装置の製造方法。 - 前記半導体レーザ素子部及び前記温度センサ素子部は、前記同一の製造プロセスにより層形成された後に、エッチングにより分離される、請求項7記載の半導体レーザ装置の製造方法。
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