JPH09312441A - 光送信器 - Google Patents
光送信器Info
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- JPH09312441A JPH09312441A JP8125952A JP12595296A JPH09312441A JP H09312441 A JPH09312441 A JP H09312441A JP 8125952 A JP8125952 A JP 8125952A JP 12595296 A JP12595296 A JP 12595296A JP H09312441 A JPH09312441 A JP H09312441A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 部品数の少ない簡単な構成でかつ小型，低価
格でかつ周囲温度変化に対して光出力の変動及び消光比
の変動が少ない光送信器を実現する。 【解決手段】 半導体レーザ２の直近に配置した温度検
出器３によって検出した温度によって，レーザ駆動回路
４の出力電流振幅と，バイアス部７のバイアス電流を調
整する。温度が高い程半導体レーザのしきい値電流は大
きくなり，スロープ効率は低下するので，温度が高くな
るほど，出力電流振幅とバイアス電流を大きくする。こ
れにより半導体レーザ２とレーザ駆動回路４が別々に実
装されている場合でも，光出力変動と消光比変動を抑制
することができる。
格でかつ周囲温度変化に対して光出力の変動及び消光比
の変動が少ない光送信器を実現する。 【解決手段】 半導体レーザ２の直近に配置した温度検
出器３によって検出した温度によって，レーザ駆動回路
４の出力電流振幅と，バイアス部７のバイアス電流を調
整する。温度が高い程半導体レーザのしきい値電流は大
きくなり，スロープ効率は低下するので，温度が高くな
るほど，出力電流振幅とバイアス電流を大きくする。こ
れにより半導体レーザ２とレーザ駆動回路４が別々に実
装されている場合でも，光出力変動と消光比変動を抑制
することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，光通信システムに
おける光送信器に関する。
おける光送信器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来，半導体レーザを光源とする光送信
器は，温度変化によって半導体レーザの電流対光出力特
性に図５に示すような特性変化があるために，主に，自
動温度制御（ＡＴＣ）と自動出力制御（ＡＰＣ）の二種
類の制御を行って光出力の温度補償を行っていた。また
その他に，駆動ＩＣ内部に温度リファレンスを設けて駆
動電流を調整することによって光出力の温度補償を行う
方法もあった。
器は，温度変化によって半導体レーザの電流対光出力特
性に図５に示すような特性変化があるために，主に，自
動温度制御（ＡＴＣ）と自動出力制御（ＡＰＣ）の二種
類の制御を行って光出力の温度補償を行っていた。また
その他に，駆動ＩＣ内部に温度リファレンスを設けて駆
動電流を調整することによって光出力の温度補償を行う
方法もあった。
【０００３】ＡＴＣはサーミスタとペルチェ素子を用い
て温度一定になるように制御することによって特性変化
を防ぐ方法である。
て温度一定になるように制御することによって特性変化
を防ぐ方法である。
【０００４】一方，温度制御を行わない場合，半導体レ
ーザは，図６に示すように温度上昇に伴ってしきい値電
流は上昇し，スロープ効率，即ち，単位注入電流あたり
の光出力増加分（Ｗ／Ａ）は低下する。従って，温度変
化による光出力振幅の変化を補償するためには半導体レ
ーザに与える駆動電流振幅，バイアス電流の両方を温度
上昇と共に増加させる必要がある。
ーザは，図６に示すように温度上昇に伴ってしきい値電
流は上昇し，スロープ効率，即ち，単位注入電流あたり
の光出力増加分（Ｗ／Ａ）は低下する。従って，温度変
化による光出力振幅の変化を補償するためには半導体レ
ーザに与える駆動電流振幅，バイアス電流の両方を温度
上昇と共に増加させる必要がある。
【０００５】ＡＰＣは，光出力をフォトダイオード等の
光検出器によってモニタし，出力が一定となるように半
導体レーザのバイアス電流や駆動電流を制御する方法で
ある。例えば，ＡＰＣによる出力制御回路付き半導体レ
ーザとして，特公昭６０−９１８４号公報に示された
「過バイアス電流検出回路」の従来例として記載されて
いるものを図７に示す。図７を参照すると，前記公報の
従来例として記載されているＡＰＣ回路付き半導体レー
ザダイオードでは，レーザ光発生器５１で発生した光出
力の一部を光検出器５２で受光検出し，この検出パワー
が一定となるようにＡＰＣ回路５３でレーザ光発生器５
１のバイアス電流を制御している。また，サーミスタ５
４を温度監視のために設け，サーミスタ５４からの温度
情報をバイアス電流監視回路５４を通してＡＰＣ回路５
３に与え，その温度における適正バイアス電流をＡＰＣ
回路５３で選択制御を行っているものである。
光検出器によってモニタし，出力が一定となるように半
導体レーザのバイアス電流や駆動電流を制御する方法で
ある。例えば，ＡＰＣによる出力制御回路付き半導体レ
ーザとして，特公昭６０−９１８４号公報に示された
「過バイアス電流検出回路」の従来例として記載されて
いるものを図７に示す。図７を参照すると，前記公報の
従来例として記載されているＡＰＣ回路付き半導体レー
ザダイオードでは，レーザ光発生器５１で発生した光出
力の一部を光検出器５２で受光検出し，この検出パワー
が一定となるようにＡＰＣ回路５３でレーザ光発生器５
１のバイアス電流を制御している。また，サーミスタ５
４を温度監視のために設け，サーミスタ５４からの温度
情報をバイアス電流監視回路５４を通してＡＰＣ回路５
３に与え，その温度における適正バイアス電流をＡＰＣ
回路５３で選択制御を行っているものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，従来の
ＡＴＣ回路では，ペルチェ素子による静電容量の増加，
ペルチェ素子の信頼性，パッケージサイズが大きくな
る，複雑な制御回路が必要等の問題があった。
ＡＴＣ回路では，ペルチェ素子による静電容量の増加，
ペルチェ素子の信頼性，パッケージサイズが大きくな
る，複雑な制御回路が必要等の問題があった。
【０００７】また，従来のＡＰＣ回路では，光出力をモ
ニタするフォトダイオード（ＰＤ）等の光検出器，バイ
アス電流監視回路等を必要とし，部品数の増加，それに
伴う信頼性の低下，パッケージサイズが大きくなる，さ
らに非常に複雑な制御回路が必要であり，低価格化が困
難である等という問題だけでなく，バイアス電流だけを
制御するので消光比の変動を抑制することができないの
で消光比の変化による受信側での受信感度が大きく変化
し，受信器のダイナミックレンジを大きくとらねばなら
ないという問題があった。さらに，駆動ＩＣ内部に温度
リファレンスを設けて駆動電流を調整する方法では，制
御に用いる温度はＩＣの温度でありレーザの温度ではな
いので，レーザモジュールとＩＣが別々に実装されてい
る場合やＩＣの発熱が大きい場合は温度誤差が大きいと
いう問題があった。
ニタするフォトダイオード（ＰＤ）等の光検出器，バイ
アス電流監視回路等を必要とし，部品数の増加，それに
伴う信頼性の低下，パッケージサイズが大きくなる，さ
らに非常に複雑な制御回路が必要であり，低価格化が困
難である等という問題だけでなく，バイアス電流だけを
制御するので消光比の変動を抑制することができないの
で消光比の変化による受信側での受信感度が大きく変化
し，受信器のダイナミックレンジを大きくとらねばなら
ないという問題があった。さらに，駆動ＩＣ内部に温度
リファレンスを設けて駆動電流を調整する方法では，制
御に用いる温度はＩＣの温度でありレーザの温度ではな
いので，レーザモジュールとＩＣが別々に実装されてい
る場合やＩＣの発熱が大きい場合は温度誤差が大きいと
いう問題があった。
【０００８】そこで，本発明の技術的課題は，このよう
な従来の欠点を除去し，部品数の少ない簡単な構成でか
つ小型，低価格でかつレーザと駆動回路が別々に実装さ
れている場合でも周囲温度変化に対して光出力の変動及
び消光比の変動が少ない光送信器を提供することにあ
る。
な従来の欠点を除去し，部品数の少ない簡単な構成でか
つ小型，低価格でかつレーザと駆動回路が別々に実装さ
れている場合でも周囲温度変化に対して光出力の変動及
び消光比の変動が少ない光送信器を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記技術的課題を解決す
るために，本発明の光送信器では，半導体レーザと，入
力信号に応じて前記半導体レーザへ駆動電流を供給する
電源供給部と，前記半導体レーザへバイアス電流を供給
するバイアス部からなるレーザ駆動回路と，前記半導体
レーザの直近に配置した温度検出器とを備えた光送信器
において，前記駆動回路の出力振幅及びバイアス電流の
うちの少くとも一方を前記温度検出器の出力によって制
御することを特徴としている。
るために，本発明の光送信器では，半導体レーザと，入
力信号に応じて前記半導体レーザへ駆動電流を供給する
電源供給部と，前記半導体レーザへバイアス電流を供給
するバイアス部からなるレーザ駆動回路と，前記半導体
レーザの直近に配置した温度検出器とを備えた光送信器
において，前記駆動回路の出力振幅及びバイアス電流の
うちの少くとも一方を前記温度検出器の出力によって制
御することを特徴としている。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に，本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１１】図１は本発明の第１の実施の形態による光
送信器を示すブロック図である。図１を参照すると，光
送信器１は，半導体レーザ（ＬＤ）２と，温度検出器３
と，これらに夫々接続されたレーザ駆動回路４とを備え
ている。
送信器を示すブロック図である。図１を参照すると，光
送信器１は，半導体レーザ（ＬＤ）２と，温度検出器３
と，これらに夫々接続されたレーザ駆動回路４とを備え
ている。
【００１２】半導体レーザ２は波長１．３μｍのファブ
リペロ型，注入電流対光出力特性は，先に説明した図５
に示すような関係を示すものを用いた。また，この半導
体レーザ２は，しきい値電流とスロープ効率の温度特性
が図３に示している。使用した半導体レーザ２の２０℃
におけるしきい値は５ｍＡ，フロープ効率は０．３Ｗ／
Ａであり，８０℃ではしきい値１０ｍＡ，スロープ効率
０．２５Ｗ／Ａである。
リペロ型，注入電流対光出力特性は，先に説明した図５
に示すような関係を示すものを用いた。また，この半導
体レーザ２は，しきい値電流とスロープ効率の温度特性
が図３に示している。使用した半導体レーザ２の２０℃
におけるしきい値は５ｍＡ，フロープ効率は０．３Ｗ／
Ａであり，８０℃ではしきい値１０ｍＡ，スロープ効率
０．２５Ｗ／Ａである。
【００１３】また，温度検出器３は図２に示すような温
度特性のサーミスタを備えている。
度特性のサーミスタを備えている。
【００１４】レーザ駆動回路４は，駆動トランジスタ６
と駆動電流調整部５とからなる電源供給部を供え，入力
信号に応じて，レーザ駆動回路４の出力電流振幅をＶcs
によって変化させることができる構成である。また，レ
ーザ駆動回路４は，バイアス（Ｂｉａｓ）部７とを備え
ている。バイアス供給部７は，定電流源から構成されそ
の電流値は外部から制御可能な構成となっている。
と駆動電流調整部５とからなる電源供給部を供え，入力
信号に応じて，レーザ駆動回路４の出力電流振幅をＶcs
によって変化させることができる構成である。また，レ
ーザ駆動回路４は，バイアス（Ｂｉａｓ）部７とを備え
ている。バイアス供給部７は，定電流源から構成されそ
の電流値は外部から制御可能な構成となっている。
【００１５】温度検出器３のサーミスタの抵抗値は，２
０℃で２．６ｋΩであり，８０℃では０．３７ｋΩであ
るので，サーミスタに一定電流を供給しその電圧をモニ
タすることによって温度を検出することができる。
０℃で２．６ｋΩであり，８０℃では０．３７ｋΩであ
るので，サーミスタに一定電流を供給しその電圧をモニ
タすることによって温度を検出することができる。
【００１６】例えば，サーミスタに１ｍＡの電流を供給
した場合２０℃で２．６Ｖ，８０℃で０．３７Ｖの電圧
となる。この電圧によって駆動電流調整部５の出力電流
振幅と，バイアス部７のバイアス電流を調整し，２０℃
のとき駆動電流３０ｍＡp-p，バイアス電流６ｍＡ，８
０℃のとき駆動電流振幅３６ｍＡp-p ，バイアス電流１
１ｍＡとすると平均光出力は，２０℃で４．８ｍＷ，８
０℃で４．７５ｍＷとすることができる。
した場合２０℃で２．６Ｖ，８０℃で０．３７Ｖの電圧
となる。この電圧によって駆動電流調整部５の出力電流
振幅と，バイアス部７のバイアス電流を調整し，２０℃
のとき駆動電流３０ｍＡp-p，バイアス電流６ｍＡ，８
０℃のとき駆動電流振幅３６ｍＡp-p ，バイアス電流１
１ｍＡとすると平均光出力は，２０℃で４．８ｍＷ，８
０℃で４．７５ｍＷとすることができる。
【００１７】また，消光比は２０℃で１４．９ｄＢ，８
０℃で１５．６ｄＢとすることができる。駆動電流振幅
３０ｍＡp-p ，バイアス電流１１ｍＡと固定した場合，
平均光出力は２０℃で６．０ｍＷ，８０℃で４．０ｍＷ
と２．０ｍＷの出力変動がある。消光比は２０℃で８．
５ｄＢ，８０℃で１４．９ｄＢの変動がある。
０℃で１５．６ｄＢとすることができる。駆動電流振幅
３０ｍＡp-p ，バイアス電流１１ｍＡと固定した場合，
平均光出力は２０℃で６．０ｍＷ，８０℃で４．０ｍＷ
と２．０ｍＷの出力変動がある。消光比は２０℃で８．
５ｄＢ，８０℃で１４．９ｄＢの変動がある。
【００１８】本発明の第１の実施の形態による光送信器
１では，出力変動を０．１ｍＷ以下，消光比変動を０．
７ｄＢに抑制することができた。
１では，出力変動を０．１ｍＷ以下，消光比変動を０．
７ｄＢに抑制することができた。
【００１９】これに対して，比較の為に，従来のＡＰＣ
制御により，バイアス電流のみを制御し平均光出力を
４．８ｍＷとした場合，２０℃での消光比は１５．６ｄ
Ｂ，８０℃ではバイアス６．６ｄＢとなり９ｄＢの消光
比の変動があった。
制御により，バイアス電流のみを制御し平均光出力を
４．８ｍＷとした場合，２０℃での消光比は１５．６ｄ
Ｂ，８０℃ではバイアス６．６ｄＢとなり９ｄＢの消光
比の変動があった。
【００２０】また，本発明の第１の実施の形態による光
送信器では，前述した従来のＡＰＣ制御やＡＴＣ制御と
比較して，光検出器やペルチェ素子を必要としないこと
やフィードバック制御を行わなくて良いので，回路規模
を１／２以下の規模で実現することができる。
送信器では，前述した従来のＡＰＣ制御やＡＴＣ制御と
比較して，光検出器やペルチェ素子を必要としないこと
やフィードバック制御を行わなくて良いので，回路規模
を１／２以下の規模で実現することができる。
【００２１】さらに，本発明の第１の実施の形態による
光送信器では，温度誤差は，駆動回路と半導体レーザと
が，別々のパッケージに実装されている場合でもレーザ
直近に温度検出用サーミスタを配置するので１℃以下と
することができる。
光送信器では，温度誤差は，駆動回路と半導体レーザと
が，別々のパッケージに実装されている場合でもレーザ
直近に温度検出用サーミスタを配置するので１℃以下と
することができる。
【００２２】このように本発明の第１の実施の形態よる
光送信器は，半導体レーザ直近に温度によってその抵抗
値が変化する温度検出器を配置することによって半導体
レーザの温度を観測し，その観測した温度出力によって
バイアス電流，駆動回路の出力電流振幅を制御すること
ができる。第１の実施の形態によって用いたサーミスタ
は，温度上昇にしたがって抵抗値が小さくなるので，一
定電流を温度検出器に供給し温度検出器両端の電圧を観
測することによって温度を観測することができる。その
観測した温度に従って駆動回路の変調部の電流振幅もし
くはバイアス電流を調整することによって周囲温度変化
に対して光出力及び消光比の変動を少なくすることがで
きる。
光送信器は，半導体レーザ直近に温度によってその抵抗
値が変化する温度検出器を配置することによって半導体
レーザの温度を観測し，その観測した温度出力によって
バイアス電流，駆動回路の出力電流振幅を制御すること
ができる。第１の実施の形態によって用いたサーミスタ
は，温度上昇にしたがって抵抗値が小さくなるので，一
定電流を温度検出器に供給し温度検出器両端の電圧を観
測することによって温度を観測することができる。その
観測した温度に従って駆動回路の変調部の電流振幅もし
くはバイアス電流を調整することによって周囲温度変化
に対して光出力及び消光比の変動を少なくすることがで
きる。
【００２３】図３は本発明の第２の実施の形態による光
送信器を示す図である。図３を参照すると，第２の実施
の形態による光送信器は，前述した第１の実施の形態に
よる半導体レーザ２を一対の半導体レーザ１３，１４を
並設したアレイ半導体レーザ１２とし，その未使用チャ
ネルの半導体レーザ１４を温度検出器として兼用してい
るので，第１の実施の形態のように温度検出器はなく，
また，半導体レーザ１４に電流源１５が接続されている
他は，第１の実施の形態と同様の構成を備えている。
送信器を示す図である。図３を参照すると，第２の実施
の形態による光送信器は，前述した第１の実施の形態に
よる半導体レーザ２を一対の半導体レーザ１３，１４を
並設したアレイ半導体レーザ１２とし，その未使用チャ
ネルの半導体レーザ１４を温度検出器として兼用してい
るので，第１の実施の形態のように温度検出器はなく，
また，半導体レーザ１４に電流源１５が接続されている
他は，第１の実施の形態と同様の構成を備えている。
【００２４】一般に，半導体レーザの抵抗値は温度が上
昇すると小さくなる。第２の実施の形態によるアレイ半
導体レーザ１２の抵抗値は，２０℃で２５Ωであり，８
０℃で２０Ωであるので，一定の電流を電流源１５によ
り未使用チャネルレーザ１４に供給し，素子の両端の電
圧ＶLDをモニタすることによって温度を検出することが
できるようになっている。
昇すると小さくなる。第２の実施の形態によるアレイ半
導体レーザ１２の抵抗値は，２０℃で２５Ωであり，８
０℃で２０Ωであるので，一定の電流を電流源１５によ
り未使用チャネルレーザ１４に供給し，素子の両端の電
圧ＶLDをモニタすることによって温度を検出することが
できるようになっている。
【００２５】例えば，電流源１５より供給する電流を１
１ｍＡとした場合，２０℃では素子の両端の電圧ＶLD１
０は２７５ｍＶであり，８０℃では２２０ｍＶとなる。
この電圧ＶLDを用いて駆動電流調整部１２の電流振幅と
バイアス部７のバイアス電流を調整し，２０℃のとき駆
動電流３０ｍＡp-p ，バイアス電流６ｍＡとし，８０℃
のとき駆動電流３６ｍＡp-p ，バイアス電流１１ｍＡと
すれば，平均光出力は，２０℃で４．８ｍＷであり，８
０℃で４．７５ｍＷとすることができる。
１ｍＡとした場合，２０℃では素子の両端の電圧ＶLD１
０は２７５ｍＶであり，８０℃では２２０ｍＶとなる。
この電圧ＶLDを用いて駆動電流調整部１２の電流振幅と
バイアス部７のバイアス電流を調整し，２０℃のとき駆
動電流３０ｍＡp-p ，バイアス電流６ｍＡとし，８０℃
のとき駆動電流３６ｍＡp-p ，バイアス電流１１ｍＡと
すれば，平均光出力は，２０℃で４．８ｍＷであり，８
０℃で４．７５ｍＷとすることができる。
【００２６】また，消光比は２０℃で１４．９ｄＢであ
り，８０℃で１５．６ｄＢとすることができ，出力変動
を０．１ｍＷ以下，消光比変動を０．７ｄＢに抑制する
ことができる。温度誤差は，レーザ駆動部４とアレイ半
導体レーザ１２が別々のパッケージに実装されている場
合でも，半導体レーザ１３そのものの温度を検出するの
で，ほぼ０とすることができる。
り，８０℃で１５．６ｄＢとすることができ，出力変動
を０．１ｍＷ以下，消光比変動を０．７ｄＢに抑制する
ことができる。温度誤差は，レーザ駆動部４とアレイ半
導体レーザ１２が別々のパッケージに実装されている場
合でも，半導体レーザ１３そのものの温度を検出するの
で，ほぼ０とすることができる。
【００２７】図４は図３のアレイ半導体レーザ１２の具
体的な構造を示す斜視図である。図４を参照すると，ア
レイ半導体レーザ１２は，ｎ型半導体基板１８の一面上
にｎ−クラッド層２２，その上に活性層２１，さらにそ
の上に，ｐ−クラッド層，その上面にｐ側電極を形成し
た積層部を両側からブロック層２０によって挟み込ん
で，ｎ型半導体基板１８の他面上にｎ側電極を形成して
なる。また，このアレイ半導体レーザの他側面には，同
様にブロック層２０に囲まれたｎ−クラッド層２８，活
性層２７，ｐ−クラッド層２６，温度検出ダイオード電
極２５からなる積層部が形成されて，温度検出ダイオー
ドを構成している。
体的な構造を示す斜視図である。図４を参照すると，ア
レイ半導体レーザ１２は，ｎ型半導体基板１８の一面上
にｎ−クラッド層２２，その上に活性層２１，さらにそ
の上に，ｐ−クラッド層，その上面にｐ側電極を形成し
た積層部を両側からブロック層２０によって挟み込ん
で，ｎ型半導体基板１８の他面上にｎ側電極を形成して
なる。また，このアレイ半導体レーザの他側面には，同
様にブロック層２０に囲まれたｎ−クラッド層２８，活
性層２７，ｐ−クラッド層２６，温度検出ダイオード電
極２５からなる積層部が形成されて，温度検出ダイオー
ドを構成している。
【００２８】このような構成のアレイ半導体レーザ１２
では，レーザに用いるｐ−クラッド層２６，活性層２
７，ｎ−クラッド層２８をダイオードに用いるために，
チップ内のレーザ発光部分とは別の場所にレーザ発光部
と同時に製作することが可能である。この半導体レーザ
１３に集積した半導体レーザ（ダイオード）１４からな
る温度検出ダイオード集積半導体レーザを用いることに
よって温度誤差がほぼ０の温度を検出することが可能と
なるために，出力変動及び消光比変動が少なく，回路規
模の小さい光送信器を実現することができる。
では，レーザに用いるｐ−クラッド層２６，活性層２
７，ｎ−クラッド層２８をダイオードに用いるために，
チップ内のレーザ発光部分とは別の場所にレーザ発光部
と同時に製作することが可能である。この半導体レーザ
１３に集積した半導体レーザ（ダイオード）１４からな
る温度検出ダイオード集積半導体レーザを用いることに
よって温度誤差がほぼ０の温度を検出することが可能と
なるために，出力変動及び消光比変動が少なく，回路規
模の小さい光送信器を実現することができる。
【００２９】また，第２の実施の形態においては，光源
としてアレイ半導体レーザ１２の半導体レーザ１３を用
いており，アレイ半導体レーザ１２の未使用チャネルの
レーザを温度検出用に用いている。半導体レーザ１３，
１４は，温度上昇にしたがって抵抗値が小さくなるの
で，一定電流を温度検出器に供給し温度検出器両端の電
圧を観測することによって温度を観測することができ
る。特に，半導体レーザ１４を温度検出器として兼用し
た場合，そのバイアス電流を一定とし，半導体レーザ１
４の両端の電圧を測定することによって温度を観測する
ことができる。その観測した温度に従って，レーザ駆動
回路４の変調部の電流振幅もしくはバイアス電流を調整
することによって周囲温度変化に対して光出力及び消光
比の変動を少なくすることができる。
としてアレイ半導体レーザ１２の半導体レーザ１３を用
いており，アレイ半導体レーザ１２の未使用チャネルの
レーザを温度検出用に用いている。半導体レーザ１３，
１４は，温度上昇にしたがって抵抗値が小さくなるの
で，一定電流を温度検出器に供給し温度検出器両端の電
圧を観測することによって温度を観測することができ
る。特に，半導体レーザ１４を温度検出器として兼用し
た場合，そのバイアス電流を一定とし，半導体レーザ１
４の両端の電圧を測定することによって温度を観測する
ことができる。その観測した温度に従って，レーザ駆動
回路４の変調部の電流振幅もしくはバイアス電流を調整
することによって周囲温度変化に対して光出力及び消光
比の変動を少なくすることができる。
【００３０】以上，第１及び第２の実施の形態を用いて
本発明を説明したが，本発明にはこの実施の形態以外に
も，多数の変形例がある。例えば，半導体レーザ２の波
長は１．３μｍに限らず任意の波長のレーザとすること
もできるし，レーザはファブリペロ型に限らず，ＤＦＢ
レーザやＤＢＲレーザとすることもできるし，アレイと
した場合のチャネル数は何チャネルでも良い。また，駆
動回路のトランジスタはバイポーラ型に限らずＦＥＴで
もよいし，駆動回路は差動構成に限らずシングルエンド
構成でもよいが，これらの変形例は，本発明に含まれる
ことは明らかである。
本発明を説明したが，本発明にはこの実施の形態以外に
も，多数の変形例がある。例えば，半導体レーザ２の波
長は１．３μｍに限らず任意の波長のレーザとすること
もできるし，レーザはファブリペロ型に限らず，ＤＦＢ
レーザやＤＢＲレーザとすることもできるし，アレイと
した場合のチャネル数は何チャネルでも良い。また，駆
動回路のトランジスタはバイポーラ型に限らずＦＥＴで
もよいし，駆動回路は差動構成に限らずシングルエンド
構成でもよいが，これらの変形例は，本発明に含まれる
ことは明らかである。
【００３１】
【発明の効果】以上の説明のように本発明では，半導体
レーザ直近に配置した温度検出器によってレーザ駆動回
路の出力振幅とバイアス電流を制御することによって，
半導体レーザとレーザ駆動回路が別々に実装されている
場合でも周囲温度変化に対して光出力及び消光比の変動
が少ない光送信器を提供することがことができる。
レーザ直近に配置した温度検出器によってレーザ駆動回
路の出力振幅とバイアス電流を制御することによって，
半導体レーザとレーザ駆動回路が別々に実装されている
場合でも周囲温度変化に対して光出力及び消光比の変動
が少ない光送信器を提供することがことができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態による光送信器を示
すブロック図である。
すブロック図である。
【図２】サーミスタの温度特性を説明するための図であ
る。
る。
【図３】本発明の第２の実施の形態を光送信器を示すブ
ロック図である。
ロック図である。
【図４】図３のアレイ半導体レーザの具体的な構造を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図５】半導体レーザの電流対光出力特性を説明するた
めの図である。
めの図である。
【図６】半導体レーザの温度特性を説明するための図で
ある。
ある。
【図７】従来のＡＰＣ回路を示すブロック図である。
１，１１ 光送信器 ２ 半導体レーザ ３ 温度検出器 ４ レーザ駆動回路 ５ 駆動電流調整部 ６ 駆動トランジスタ ７ バイアス部 １２ アレイ半導体レーザ １５ 温度検出用定電流源 １４ 半導体レーザ １８ ｎ型半導体基板 １９ ｐ−クラッド層 ２０ ブロック層 ２１ 活性層 ２２ ｎ−クラッド層 ２３ ｎ側電極 ２４ ｐ側電極 ２５ 温度検出ダイオード電極 ２６ ｐ−クラッド層 ２７ 活性層 ２８ ｎ−クラッド層 ５１ レーザ光発生器 ５２ 光検出器 ５３ ＡＰＣ回路 ５４ バイアス電流監視回路 ５５ サーミスタ
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｂ 10/26
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体レーザと，入力信号に応じて前記
半導体レーザへ駆動電流を供給する電源供給部と，前記
半導体レーザへバイアス電流を供給するバイアス部から
なるレーザ駆動回路と，前記半導体レーザの直近に配置
した温度検出器とを備えた光送信器において，前記駆動
回路の出力振幅及びバイアス電流のうちの少くとも一方
を前記温度検出器の出力によって制御することを特徴と
する光送信器。 - 【請求項２】 請求項１記載の光送信器において，前記
温度検出器がサーミスタであることを特徴とする光送信
器。 - 【請求項３】 請求項１記載の光送信器において，前記
半導体レーザがアレイ半導体レーザであることを特徴と
する光送信器。 - 【請求項４】 請求項１記載の光送信器において，前記
温度検出器は，夫々に一定電圧を与えられた半導体レー
ザに集積されたダイオードから構成されていることを特
徴とする光送信器。 - 【請求項５】 請求項１記載の光送信器において，前記
温度検出器は，夫々に一定電流を与えられた半導体レー
ザに集積されたダイオードとから構成されていることを
特徴とする光送信器。 - 【請求項６】 請求項４又は５記載の光送信器におい
て，前記集積されたダイオードは，アレイ半導体レーザ
の未使用チャンネルの半導体レーザからなることを特徴
とする光送信器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8125952A JPH09312441A (ja) | 1996-05-21 | 1996-05-21 | 光送信器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8125952A JPH09312441A (ja) | 1996-05-21 | 1996-05-21 | 光送信器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09312441A true JPH09312441A (ja) | 1997-12-02 |
Family
ID=14923041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8125952A Pending JPH09312441A (ja) | 1996-05-21 | 1996-05-21 | 光送信器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09312441A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006054272A (ja) * | 2004-08-11 | 2006-02-23 | Opnext Japan Inc | 半導体光素子、レーザモジュール、及び光送受信器 |
| US7715728B2 (en) | 2006-06-05 | 2010-05-11 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Optical transmitter, optical communication system and method for adjusting optical transmitter |
| JP2019110164A (ja) * | 2017-12-15 | 2019-07-04 | 株式会社堀場製作所 | 半導体レーザ装置及びその製造方法並びにガス分析装置 |
-
1996
- 1996-05-21 JP JP8125952A patent/JPH09312441A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006054272A (ja) * | 2004-08-11 | 2006-02-23 | Opnext Japan Inc | 半導体光素子、レーザモジュール、及び光送受信器 |
| JP4625661B2 (ja) * | 2004-08-11 | 2011-02-02 | 日本オプネクスト株式会社 | 半導体光素子、レーザモジュール、及び光送受信器 |
| US7715728B2 (en) | 2006-06-05 | 2010-05-11 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Optical transmitter, optical communication system and method for adjusting optical transmitter |
| JP2019110164A (ja) * | 2017-12-15 | 2019-07-04 | 株式会社堀場製作所 | 半導体レーザ装置及びその製造方法並びにガス分析装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000329 |