JP7043587B2 - 荷電粒子の複数のビームを用いたサンプル検査の方法 - Google Patents
荷電粒子の複数のビームを用いたサンプル検査の方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7043587B2 JP7043587B2 JP2020508399A JP2020508399A JP7043587B2 JP 7043587 B2 JP7043587 B2 JP 7043587B2 JP 2020508399 A JP2020508399 A JP 2020508399A JP 2020508399 A JP2020508399 A JP 2020508399A JP 7043587 B2 JP7043587 B2 JP 7043587B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- distance
- sample
- probe
- charged particles
- probe spots
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 80
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 35
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title description 26
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 288
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 32
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims description 15
- 238000005136 cathodoluminescence Methods 0.000 claims description 6
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 claims description 5
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 101150071882 US17 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000001404 mediated effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
- G01N23/203—Measuring back scattering
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/2206—Combination of two or more measurements, at least one measurement being that of secondary emission, e.g. combination of secondary electron [SE] measurement and back-scattered electron [BSE] measurement
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
- G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
- G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
- G01N23/2252—Measuring emitted X-rays, e.g. electron probe microanalysis [EPMA]
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
- G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
- G01N23/2254—Measuring cathodoluminescence
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/227—Measuring photoelectric effect, e.g. photoelectron emission microscopy [PEEM]
- G01N23/2276—Measuring photoelectric effect, e.g. photoelectron emission microscopy [PEEM] using the Auger effect, e.g. Auger electron spectroscopy [AES]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/261—Details
- H01J37/265—Controlling the tube; circuit arrangements adapted to a particular application not otherwise provided, e.g. bright-field-dark-field illumination
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/30—Accessories, mechanical or electrical features
- G01N2223/309—Accessories, mechanical or electrical features support of sample holder
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/30—Accessories, mechanical or electrical features
- G01N2223/33—Accessories, mechanical or electrical features scanning, i.e. relative motion for measurement of successive object-parts
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/30—Accessories, mechanical or electrical features
- G01N2223/33—Accessories, mechanical or electrical features scanning, i.e. relative motion for measurement of successive object-parts
- G01N2223/3307—Accessories, mechanical or electrical features scanning, i.e. relative motion for measurement of successive object-parts source and detector fixed; object moves
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/60—Specific applications or type of materials
- G01N2223/611—Specific applications or type of materials patterned objects; electronic devices
- G01N2223/6116—Specific applications or type of materials patterned objects; electronic devices semiconductor wafer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24592—Inspection and quality control of devices
Description
[0001] 本願は、2017年9月7日出願の、米国出願第62/555,542号の優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
ソースは、荷電粒子を放出するように構成され、
ステージは、その上のサンプルを支持するように構成され、及び、サンプルを第1の方向に第1の距離だけ移動させるように構成され、
光学システムは、
荷電粒子を用いてサンプル上にプローブスポットを形成するように構成され、
ステージがサンプルを第1の方向に第1の距離だけ移動する間に、プローブスポットを、(i)第1の方向に第1の距離だけ及び(ii)第2の方向に第2の距離だけ、移動させるように構成され、
ステージがサンプルを第1の方向に第1の距離だけ移動させた後、プローブスポットを、第1の方向とは反対の方向に、第1の距離からプローブスポットのうちの1つの幅を差し引いた距離にほぼ等しい第3の距離だけ、移動させるように構成される、装置。
Mはプローブスポットの数であり、
Nは第1の方向のプローブスポットのピッチであり、
Nは整数であり、プローブスポットのうちの1つの幅の単位で測定され、
光学システムは、プローブスポットが、第1の方向とは反対の方向にピッチだけ移動された後、プローブスポットを第1の方向とは反対の方向に第4の距離だけ移動させるように更に構成され、
第4の距離は、プローブスポットのうちの1つの幅の[(M-1)N+1]倍にほぼ等しい、条項1から5のいずれか一項に記載の装置。
サンプルが第1の方向に第1の距離だけ移動されている間に、サンプル上のプローブスポットを、(i)第1の方向に第1の距離だけ、及び(ii)第2の方向に第2の距離だけ、同時に移動させることであって、プローブスポットは、荷電粒子の1つ以上のビームによってサンプル上に形成される、移動させること、及び、
サンプルが第1の方向に第1の距離だけ移動された後、プローブスポットを、第1の方向とは反対の方向に第3の距離だけ移動させることであって、第3の距離は、第1の距離からプローブスポットのうちの1つの幅を差し引いた距離にほぼ等しい、移動させること、
を含む、方法。
Mはプローブスポットの数であり、
Nは第1の方向のプローブスポットのピッチであり、
Nは整数であり、プローブスポットのうちの1つの幅の単位で測定され、
方法は、プローブスポットが、第1の方向とは反対の方向にピッチだけ移動された旨を決定した後、プローブスポットを第1の方向とは反対の方向に第4の距離だけ移動させることを更に含み、
第4の距離は、プローブスポットのうちの1つの幅の[(M-1)N+1]倍にほぼ等しい、条項8から12のいずれか一項に記載の方法。
Claims (13)
- ソース、ステージ、及び光学システムを備える装置であって、
前記ソースは、荷電粒子を放出するように構成され、
前記ステージは、その上のサンプルを支持するように構成され、及び、前記サンプルを第1の方向に第1の距離だけ移動させるように構成され、
前記光学システムは、
前記荷電粒子を用いて前記サンプル上にプローブスポットを形成するように構成され、
前記ステージが前記サンプルを前記第1の方向に前記第1の距離だけ移動する間に、前記プローブスポットを、(i)前記第1の方向に前記第1の距離だけ及び(ii)第2の方向に第2の距離だけ、移動させるように構成され、
前記ステージが前記サンプルを前記第1の方向に前記第1の距離だけ移動させた後、前記プローブスポットを、前記第1の方向とは反対の方向に、前記プローブスポットのうちの1つの幅Wにほぼ等しい第3の距離だけ、移動させるように構成され、
前記プローブスポットの数をMとした場合、前記第1の距離はMWに等しく、
前記プローブスポットは、前記第1の方向に間隔を空けて配置され、
前記光学システムは、前記プローブスポットを前記第1の方向とは反対の方向に第4の距離だけ移動させるように更に構成され、
前記第1の方向の前記プローブスポットのピッチをNとした場合、前記第4の距離は、前記プローブスポットのうちの1つの前記幅の[(M-1)N+1]倍にほぼ等しく、
Nは、整数であり、前記プローブスポットのうちの1つの前記幅の単位で測定される、装置。 - 前記荷電粒子は、電子を含む、請求項1に記載の装置。
- 前記プローブスポットにおける前記荷電粒子及び前記サンプルのインタラクションを表す信号を記録するように構成された検出器を更に備える、請求項1に記載の装置。
- 前記信号は、二次電子、後方散乱電子、オージェ電子、X線、又はカソードルミネッセンスのうちのいずれかを含む、請求項3に記載の装置。
- 前記光学システムは、前記プローブスポットを前記第2の方向とは反対の方向に前記第2の距離だけ移動させるように構成される、請求項4に記載の装置。
- 前記光学システムは、レンズ、非点収差補正装置、及び偏向器のうちの1つ以上を含む、請求項1に記載の装置。
- サンプルを第1の方向に第1の距離だけ移動させることと、
前記サンプルが前記第1の方向に前記第1の距離だけ移動されている間に、前記サンプル上のプローブスポットを、(i)前記第1の方向に前記第1の距離だけ、及び(ii)第2の方向に第2の距離だけ、同時に移動させることであって、前記プローブスポットは、荷電粒子の1つ以上のビームによって前記サンプル上に形成されることと、
前記サンプルが前記第1の方向に前記第1の距離だけ移動された後、前記プローブスポットを、前記第1の方向とは反対の方向に第3の距離だけ移動させることであって、前記第3の距離は、前記プローブスポットのうちの1つの幅Wにほぼ等しいことと、を含む方法であって、
前記プローブスポットの数をMとした場合、前記第1の距離はMWに等しく、
前記プローブスポットは、前記第1の方向に間隔を空けて配置され、
前記方法は、前記プローブスポットを前記第1の方向とは反対の方向に第4の距離だけ移動させることを更に含み、
前記第1の方向の前記プローブスポットのピッチをNとした場合、前記第4の距離は、前記プローブスポットのうちの1つの前記幅の[(M-1)N+1]倍にほぼ等しく、
Nは、整数であり、前記プローブスポットのうちの1つの前記幅の単位で測定される、方法。 - 前記荷電粒子は、電子を含む、請求項7に記載の方法。
- 前記プローブスポットにおける前記荷電粒子及び前記サンプルのインタラクションを表す信号を記録することを更に含む、請求項7に記載の方法。
- 前記信号は、二次電子、後方散乱電子、オージェ電子、X線、又はカソードルミネッセンスのうちのいずれかを含む、請求項9に記載の方法。
- 前記プローブスポットを、前記第2の方向とは反対の方向に前記第2の距離だけ移動させることを更に含む、請求項7に記載の方法。
- 前記プローブスポットを、前記第2の方向とは反対の方向に前記第2の距離だけ移動させることを更に含む、請求項7に記載の方法。
- コンピュータによって実行されるとき、前記コンピュータに前記請求項7に記載の方法を実行させる命令を有する非一時的コンピュータ可読媒体を備える、コンピュータプログラム製品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022041012A JP7422173B2 (ja) | 2017-09-07 | 2022-03-16 | 荷電粒子の複数のビームを用いたサンプル検査の方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201762555542P | 2017-09-07 | 2017-09-07 | |
US62/555,542 | 2017-09-07 | ||
PCT/EP2018/073161 WO2019048293A1 (en) | 2017-09-07 | 2018-08-28 | METHODS OF INSPECTING SAMPLES WITH MULTIPLE BEAMS OF CHARGED PARTICLES |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022041012A Division JP7422173B2 (ja) | 2017-09-07 | 2022-03-16 | 荷電粒子の複数のビームを用いたサンプル検査の方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020533730A JP2020533730A (ja) | 2020-11-19 |
JP7043587B2 true JP7043587B2 (ja) | 2022-03-29 |
Family
ID=63442625
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020508399A Active JP7043587B2 (ja) | 2017-09-07 | 2018-08-28 | 荷電粒子の複数のビームを用いたサンプル検査の方法 |
JP2022041012A Active JP7422173B2 (ja) | 2017-09-07 | 2022-03-16 | 荷電粒子の複数のビームを用いたサンプル検査の方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022041012A Active JP7422173B2 (ja) | 2017-09-07 | 2022-03-16 | 荷電粒子の複数のビームを用いたサンプル検査の方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11815473B2 (ja) |
JP (2) | JP7043587B2 (ja) |
KR (2) | KR20230032003A (ja) |
CN (1) | CN111066118B (ja) |
IL (1) | IL272645A (ja) |
TW (3) | TWI810649B (ja) |
WO (1) | WO2019048293A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL2024606B1 (en) * | 2020-01-06 | 2021-09-07 | Delmic Ip B V | Method and apparatus for inspecting a sample by means of multiple charged particle beamlets |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000215834A (ja) | 1998-11-17 | 2000-08-04 | Hitachi Ltd | 荷電粒子線を用いた検査装置および検査方法 |
JP2011243587A (ja) | 2011-08-23 | 2011-12-01 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子線検査装置、記憶媒体及び電子線検査方法 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5134526A (en) * | 1989-12-28 | 1992-07-28 | Olympus Optical Co., Ltd. | Focus detecting optical system including eccentrically disposed aperture stops |
US6714625B1 (en) * | 1992-04-08 | 2004-03-30 | Elm Technology Corporation | Lithography device for semiconductor circuit pattern generation |
US20010035954A1 (en) * | 2000-03-10 | 2001-11-01 | Rahn John Richard | Method and apparatus for measuring particle size distributions using light scattering |
EP1150327B1 (en) | 2000-04-27 | 2018-02-14 | ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Multi beam charged particle device |
US6541770B1 (en) * | 2000-08-15 | 2003-04-01 | Applied Materials, Inc. | Charged particle system error diagnosis |
EP1271606A1 (en) * | 2000-11-02 | 2003-01-02 | Ebara Corporation | Electron beam apparatus and device production method using the apparatus |
JP2004335193A (ja) | 2003-05-02 | 2004-11-25 | Ebara Corp | 電子線を用いた試料評価方法及び電子線装置 |
EP2579273B8 (en) | 2003-09-05 | 2019-05-22 | Carl Zeiss Microscopy GmbH | Particle-optical systems and arrangements and particle-optical components for such systems and arrangements |
JP4843413B2 (ja) | 2006-08-28 | 2011-12-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子線検査装置及び電子線検査方法 |
US8063363B2 (en) | 2008-03-31 | 2011-11-22 | Hermes-Microvision, Inc. | Method and apparatus for charged particle beam inspection |
US8294095B2 (en) | 2010-12-14 | 2012-10-23 | Hermes Microvision, Inc. | Apparatus of plural charged particle beams with multi-axis magnetic lens |
US8362425B2 (en) * | 2011-03-23 | 2013-01-29 | Kla-Tencor Corporation | Multiple-beam system for high-speed electron-beam inspection |
US9263233B2 (en) * | 2013-09-29 | 2016-02-16 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Charged particle multi-beam inspection system and method of operating the same |
EP2879155B1 (en) * | 2013-12-02 | 2018-04-25 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Multi-beam system for high throughput EBI |
US9466462B2 (en) | 2014-01-13 | 2016-10-11 | Applied Materials Israel Ltd. | Inspection of regions of interest using an electron beam system |
US9390888B2 (en) * | 2014-05-23 | 2016-07-12 | Industrial Technology Research Institute | Apparatus and method of applying small-angle electron scattering to characterize nanostructures on opaque substrate |
US9767986B2 (en) * | 2014-08-29 | 2017-09-19 | Kla-Tencor Corporation | Scanning electron microscope and methods of inspecting and reviewing samples |
NL2013411B1 (en) * | 2014-09-04 | 2016-09-27 | Univ Delft Tech | Multi electron beam inspection apparatus. |
US9691588B2 (en) | 2015-03-10 | 2017-06-27 | Hermes Microvision, Inc. | Apparatus of plural charged-particle beams |
US10236156B2 (en) | 2015-03-25 | 2019-03-19 | Hermes Microvision Inc. | Apparatus of plural charged-particle beams |
US9607805B2 (en) | 2015-05-12 | 2017-03-28 | Hermes Microvision Inc. | Apparatus of plural charged-particle beams |
US9922799B2 (en) * | 2015-07-21 | 2018-03-20 | Hermes Microvision, Inc. | Apparatus of plural charged-particle beams |
JP6703092B2 (ja) | 2015-07-22 | 2020-06-03 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 複数荷電粒子ビームの装置 |
CN108738343B (zh) | 2015-11-30 | 2022-02-01 | Asml荷兰有限公司 | 多个带电粒子束的设备 |
US10062541B2 (en) | 2016-01-27 | 2018-08-28 | Hermes Microvision Inc. | Apparatus of plural charged-particle beams |
JP6781582B2 (ja) * | 2016-07-25 | 2020-11-04 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 電子ビーム検査装置及び電子ビーム検査方法 |
WO2018122176A1 (en) | 2016-12-30 | 2018-07-05 | Asml Netherlands B.V. | An apparatus using multiple charged particle beams |
-
2018
- 2018-08-28 KR KR1020237006796A patent/KR20230032003A/ko not_active Application Discontinuation
- 2018-08-28 JP JP2020508399A patent/JP7043587B2/ja active Active
- 2018-08-28 KR KR1020207006603A patent/KR102505631B1/ko active IP Right Grant
- 2018-08-28 WO PCT/EP2018/073161 patent/WO2019048293A1/en active Application Filing
- 2018-08-28 CN CN201880058003.7A patent/CN111066118B/zh active Active
- 2018-09-04 TW TW110133628A patent/TWI810649B/zh active
- 2018-09-04 TW TW109100072A patent/TWI742503B/zh active
- 2018-09-04 TW TW107130927A patent/TWI684199B/zh active
-
2020
- 2020-02-12 IL IL272645A patent/IL272645A/en unknown
- 2020-03-06 US US16/812,109 patent/US11815473B2/en active Active
-
2022
- 2022-03-16 JP JP2022041012A patent/JP7422173B2/ja active Active
-
2023
- 2023-10-10 US US18/484,161 patent/US20240044820A1/en active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000215834A (ja) | 1998-11-17 | 2000-08-04 | Hitachi Ltd | 荷電粒子線を用いた検査装置および検査方法 |
JP2011243587A (ja) | 2011-08-23 | 2011-12-01 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子線検査装置、記憶媒体及び電子線検査方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102505631B1 (ko) | 2023-03-06 |
TW202223966A (zh) | 2022-06-16 |
KR20230032003A (ko) | 2023-03-07 |
JP7422173B2 (ja) | 2024-01-25 |
TWI810649B (zh) | 2023-08-01 |
KR20200032750A (ko) | 2020-03-26 |
CN111066118A (zh) | 2020-04-24 |
IL272645A (en) | 2020-03-31 |
CN111066118B (zh) | 2023-04-11 |
TWI742503B (zh) | 2021-10-11 |
TW202030765A (zh) | 2020-08-16 |
US11815473B2 (en) | 2023-11-14 |
JP2022082599A (ja) | 2022-06-02 |
JP2020533730A (ja) | 2020-11-19 |
TW201921410A (zh) | 2019-06-01 |
US20240044820A1 (en) | 2024-02-08 |
US20200271598A1 (en) | 2020-08-27 |
WO2019048293A1 (en) | 2019-03-14 |
TWI684199B (zh) | 2020-02-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20240044820A1 (en) | Methods of inspecting samples with a beam of charged particles | |
US20220122803A1 (en) | Image contrast enhancement in sample inspection | |
JP7053805B2 (ja) | 複数の荷電粒子ビームを用いてサンプルを検査する方法 | |
CN111164729B (zh) | 带电粒子束检查的样品检查选配方案的动态确定的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200317 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210212 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210507 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210816 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211109 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220221 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220316 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7043587 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |