CN111066118A - 利用多个带电粒子束检查样本的方法 - Google Patents

利用多个带电粒子束检查样本的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111066118A
CN111066118A CN201880058003.7A CN201880058003A CN111066118A CN 111066118 A CN111066118 A CN 111066118A CN 201880058003 A CN201880058003 A CN 201880058003A CN 111066118 A CN111066118 A CN 111066118A
Authority
CN
China
Prior art keywords
distance
sample
probe
probe points
points
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201880058003.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111066118B (zh
Inventor
曾国峰
董仲华
王義向
陈仲玮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of CN111066118A publication Critical patent/CN111066118A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111066118B publication Critical patent/CN111066118B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
    • G01N23/203—Measuring back scattering
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
    • G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/2206—Combination of two or more measurements, at least one measurement being that of secondary emission, e.g. combination of secondary electron [SE] measurement and back-scattered electron [BSE] measurement
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
    • G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
    • G01N23/2252—Measuring emitted X-rays, e.g. electron probe microanalysis [EPMA]
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
    • G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
    • G01N23/2254—Measuring cathodoluminescence
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/227—Measuring photoelectric effect, e.g. photoelectron emission microscopy [PEEM]
    • G01N23/2276—Measuring photoelectric effect, e.g. photoelectron emission microscopy [PEEM] using the Auger effect, e.g. Auger electron spectroscopy [AES]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/261—Details
    • H01J37/265—Controlling the tube; circuit arrangements adapted to a particular application not otherwise provided, e.g. bright-field-dark-field illumination
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/30—Accessories, mechanical or electrical features
    • G01N2223/309—Accessories, mechanical or electrical features support of sample holder
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/30—Accessories, mechanical or electrical features
    • G01N2223/33—Accessories, mechanical or electrical features scanning, i.e. relative motion for measurement of successive object-parts
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/30—Accessories, mechanical or electrical features
    • G01N2223/33—Accessories, mechanical or electrical features scanning, i.e. relative motion for measurement of successive object-parts
    • G01N2223/3307—Accessories, mechanical or electrical features scanning, i.e. relative motion for measurement of successive object-parts source and detector fixed; object moves
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/60—Specific applications or type of materials
    • G01N2223/611—Specific applications or type of materials patterned objects; electronic devices
    • G01N2223/6116—Specific applications or type of materials patterned objects; electronic devices semiconductor wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
    • H01J2237/24592—Inspection and quality control of devices

Abstract

本文公开了一种设备，包括：被配置为发射带电粒子的源、光学系统和台架；其中台架被配置为在其上支撑样本并且被配置为将样本在第一方向上移动第一距离；其中光学系统被配置为利用带电粒子在样本上形成探测点；其中光学系统被配置为在台架将样本在第一方向上移动第一距离时，将探测点同时在第一方向上移动第一距离并且在第二方向上移动第二距离；其中光学系统被配置为在台架将样本在第一方向上移动第一距离之后，将探测点在第一方向的相反方向上移动第一距离减去探测点之一的宽度。

Description

利用多个带电粒子束检查样本的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年9月7日提交的美国申请62/555,542的优先权，并且其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及用于检查(例如，观察、测量和成像)在诸如集成电路(IC)的制造的器件制造过程中使用的诸如晶片和掩模的样本的方法。
背景技术
器件制造过程可以包括将期望的图案施加到衬底上。备选地称为掩模或掩模版的图案化装置可以被用于生成期望的图案。该图案可以被转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或多个管芯的一部分)上。图案的转印通常经由成像到衬底上提供的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。单个衬底可以包含相邻目标部分被连续图案化的网络。光刻设备可以用于该转印。一个类型的光刻设备被称为步进器，其中通过一次将整个图案曝光到目标部分上来照射每个目标部分。另一类型的光刻设备被称为扫描仪，其中通过在给定方向上通过辐射束扫描图案、同时平行于或反平行于该方向扫描衬底来照射每个目标部分。通过将图案压印到衬底上，也可以将图案从图案化装置转印到衬底上。
为了监视器件制造过程的一个或多个步骤(例如，曝光、抗蚀剂处理、蚀刻、显影、烘烤等)，可以检查样本(诸如通过器件制造过程或其中使用的图案化装置被图案化的衬底)，其中可以测量样本的一个或多个参数。一个或多个参数可以包括例如边缘位置误差(EPE)，边缘位置误差是衬底或图案化装置上的图案边缘与预期设计的图案的对应边缘之间的距离。检查还会发现图案缺陷(例如，连接失败或分离失败)和不请自来的颗粒。
检查器件制造过程中使用的衬底和图案化装置可以帮助提高产量。从检查中获得的信息可以用于标识缺陷或调整器件制造过程。
发明内容
本文公开了一种设备，包括：源、光学系统和台架；其中源被配置为发射带电粒子；其中台架被配置为在其上支撑样本并且被配置为将样本在第一方向上移动第一距离；其中光学系统被配置为利用带电粒子在样本上形成探测点；其中光学系统被配置为在台架将样本在第一方向上移动第一距离时，将探测点同时在第一方向上移动第一距离并且在第二方向上移动第二距离；其中光学系统被配置为在台架将样本在第一方向上移动第一距离之后，将探测点在第一方向的相反方向上移动第一距离减去探测点之一的宽度。
根据一些实施例，带电粒子包括电子。
根据一些实施例，设备被配置为记录表示带电粒子和样本在探测点处的相互作用的信号。
根据一些实施例，信号包括次级电子、反向散射电子、俄歇电子、X射线和阴极发光中的至少一个。
根据一些实施例，光学系统被配置为将探测点在第二方向的相反方向上移动第二距离。
根据一些实施例，光学系统被配置为将探测点在第一方向的相反方向上移动宽度的[(M-1)N+1]倍；其中M是在第一方向上间隔开的探测点的数目；其中N是探测点在第一方向上以宽度为单位的节距。
根据一些实施例，光学系统包括透镜、消象散器和偏转器中的一个或多个。
本文公开了一种方法，包括：将样本在第一方向上移动第一距离；在样本在第一方向上移动第一距离时，将通过一个或多个带电粒子束形成在样本上的探测点同时在第一方向上移动第一距离并且在第二方向上移动第二距离；在样本在第一方向上移动第一距离之后，将探测点在第一方向的相反方向上移动第一距离减去探测点之一的宽度。
根据一些实施例，带电粒子包括电子。
根据一些实施例，方法还包括记录表示带电粒子和样本在探测点处的相互作用的信号。
根据一些实施例，信号包括次级电子、反向散射电子、俄歇电子、X射线和阴极发光中的至少一个。
根据一些实施例，方法还包括将探测点在第二方向的相反方向上移动第二距离。
根据一些实施例，方法进一步包括：在确定样本上的区域已被一个或多个带电粒子束检查之后，将探测点在第一方向的相反方向上移动宽度的[(M-1)N+1]倍；其中M是在第一方向上间隔开的探测点的数目；其中N是探测点在第一方向上以宽度为单位的节距。
根据一些实施例，方法还包括将探测点在第二方向的相反方向上移动第二距离。
本文公开了一种计算机程序产品，包括其上记录有指令的非暂时性计算机可读介质，指令在由计算机执行时实现上述方法中的任一个。
附图说明
图1示意性地示出了根据本公开的实施例的被配置为执行带电粒子束检查的设备。
图2A示意性地示出了被配置为使用多个带电粒子束来执行带电粒子束检查的设备，其中多个射束中的带电粒子来自单个源(“多束”设备)。
图2B示意性地示出了一个备选多束设备。
图2C示意性地示出了一个备选多束设备。
图3A和图3B示意性地示出了根据本公开的一些实施例的使用多个带电粒子束来检查样本。
图3C示意性地示出了在时间段T1、T2和T3之一期间图3A和图3B中的探测点之一相对于样本的移动。
图3D示意性地示出了在时间段T1、T2和T3期间图3A和图3B中的探测点之一相对于绝对参考系的移动。
图4A示意性地示出了根据本公开的一些实施例的使用多个带电粒子束来检查样本。
图4B示意性地示出了根据本公开的一些实施例的探测点和样本相对于绝对参考系的移动。
图5示意性地示出了使用一个或多个带电粒子束在样本上形成的多个探测点来检查样本的方法的流程图。
具体实施方式
存在用于检查样本(例如，衬底和图案化装置)的各种技术。一种检查技术是光学检查，在光学检查中，将光束引导到衬底或图案化装置，并且记录表示光束和样本的相互作用(例如，散射、反射、衍射)的信号。另一种检查技术是带电粒子束检查，在带电粒子束检查中，将带电粒子(例如，电子)束引导到样本，并且记录表示带电粒子与样本之间的相互作用(例如，次级发射或反向散射发射)的信号。
如本文所使用，除非另有明确说明，否则术语“或”涵盖除了不可行之外的所有可能的组合。例如，如果声明数据库可以包括A或B，则除非另有明确说明或不可行，否则数据库可以包括A、或B、或A和B。作为第二示例，如果声明数据库可以包括A、B或C，则除非另有说明或不可行，否则数据库可以包括A、或B、或C、或A和B、或A和C、或B和C、或A和B和C。
图1示意性地示出了根据本公开的实施例的可以执行带电粒子束检查的设备100。参考图1，设备100可以包括被配置为生成并控制带电粒子束的部件，诸如可以在自由空间中产生带电粒子的源10、射束提取电极11、聚束透镜12、射束消隐偏转器13、孔14、扫描偏转器15和物镜16。设备100可以包括被配置为检测表示带电粒子束与样本的相互作用的信号的部件。这样的部件可以包括E×B带电粒子改道装置17和信号检测器21。设备100还可以包括被配置为处理信号或控制其他部件的部件(诸如处理器)。
在检查过程的示例中，带电粒子束18被引导到位于台架30上的样本9(例如，晶片或掩模)。表示射束18与样本9的相互作用的信号20由E×B带电粒子改道装置17引导至信号检测器21。处理器可以使得台架30移动或使得射束18进行扫描。
带电粒子束检查可以具有比光学检查更高的分辨率，因为在带电粒子束检查中使用的带电粒子的波长比在光学检查中使用的光的波长短。随着衬底和图案化装置上的图案的尺寸随着器件制造工艺的发展变得越来越小，带电粒子束检查变得越来越广泛。由于其中使用的带电粒子之间的相互作用(例如，库仑效应)，带电粒子束检查的产量相对较低。多于一个的带电粒子束可以用于增加产量。
在一个示例中，多个带电粒子束可以同时扫描样本上的多个区域。多个射束的扫描可以是同步的或独立的。多个区域之间可能重叠、可能被平铺来覆盖连续面积、或者可能彼此隔离。由射束和样本的相互作用生成的信号可以被多个检测器收集。检测器的数目可以小于、等于或大于射束的数目。多个射束可以被单独地控制或统一地控制。
多个带电粒子束可以在样本的表面上形成多个探测点。探测点可以分别或同时扫描表面上的多个区域。射束的带电粒子可以从探测点的位置生成信号。信号的一个示例是次级电子。次级电子的能量通常小于50eV。当射束的带电粒子是电子时，信号的另一示例是反向散射电子。反向散射电子的能量可能接近射束的电子的着陆能量。来自探测点位置的信号可以被多个检测器分别或同时收集。
多个射束可以分别来自多个源或来自单个源。如果射束来自多个源，则多个列可以扫描和聚焦射束到表面上，并且可以通过列中的检测器分别检测由射束生成的信号。使用来自多个源的射束的设备可以被称为多列设备。列可以是独立的，也可以共享多轴磁性或电磁复合物镜(参见美国专利号8,294,095，其公开内容通过引用整体结合于此)。由多列设备生成的探测点可以间隔大到30mm至50mm的距离。
如果射束来自单个源，则源转换单元可以用于形成单个源的多个虚拟或真实图像。图像中的每一个和单个源可以被视为射束(由于所有子束都来自同一源，因此也称为“子束”)的发射器。源转换单元可以具有带有多个开口的导电层，开口可以将来自单个源的带电粒子划分为多个子束。源转换单元可以具有可以影响子束以形成单个源的多个虚拟或真实图像的光学元件。图像中的每一个可以被视为发射子束之一的源。子束可以以微米的距离间隔开。可以具有投影系统和偏转扫描单元的单个列可以用于扫描和聚焦子束到样本的多个区域上。由子束生成的信号可以由单个列内部的检测器的多个检测元件分别检测。使用来自单个源的射束的设备可以被称为多束设备。
至少存在两种方法来形成单个源的图像。在第一方法中，每个光学元件具有聚焦一个子束并由此形成一个真实图像的静电微透镜(例如，参见美国专利号7,244,949，其公开内容通过引用整体结合于此)。在第二方法中，每个光学元件具有偏转一个子束从而形成一个虚拟图像的静电微偏转器(例如，参见美国专利号6,943,349和美国专利申请号15/065,342，其公开内容通过引用整体结合于此)。由于真实图像可能具有更高的电流密度，第二方法中的带电粒子之间的相互作用(例如，库仑效应)可能比第一方法中的弱。
图2A示意性地示出了可以使用多个带电粒子束来执行带电粒子束检查的设备400，其中多个射束中的带电粒子来自单个源(多束设备)。设备400具有可以在自由空间中产生带电粒子的源401。在一个示例中，带电粒子是电子，并且源401是电子枪。设备400具有光学系统419，光学系统419可以利用带电粒子在样本407的表面上生成多个探测点并扫描样本407的表面上的探测点。光学系统419可以具有聚光透镜404以及相对于聚光透镜404位于上游或下游的主孔405。如本文所使用的表述“部件A相对于部件B位于上游”是指在设备的正常操作中，带电粒子束在到达部件B之前将到达部件A。如本文所使用的表述“部件B相对于部件A位于下游”是指在设备的正常操作中，带电粒子束在到达部件A之后将到达部件B。光学系统419具有被配置为形成源401的多个虚拟图像(例如，虚拟图像402和403)的源转换单元410。虚拟图像和源401各自可以被视为子束(例如，子束431、432和433)的发射器。源转换单元410可以具有导电层412和光学元件411，导电层412具有多个开口，多个开口可以将来自源401的带电粒子划分为多个子束，光学元件411可以影响子束以形成源401的虚拟图像。光学元件411可以是被配置为偏转子束的微偏转器。子束的电流可能受到导电层412中的开口尺寸或聚光透镜404的聚焦功率的影响。光学系统419包括被配置为聚焦多个子束并且从而在样本407的表面上形成多个探测点的物镜406。源转换单元410还可以具有微补偿器，微补偿器被配置为减少或消除探测点的像差(例如，场曲和像散)。
图2B示意性地示出了一个备选的多束设备。聚光透镜404将来自源401的带电粒子准直。源转换单元410的光学元件411可以包括微补偿器413。微补偿器413可以与微偏转器分离或者可以与微偏转器集成。如果分离，则微补偿器413可以定位在微偏转器的上游。微补偿器413被配置为对聚光透镜404或物镜406的离轴像差(例如，场曲、像散或畸变)进行补偿。离轴像差可能对由离轴(即，不沿着设备的初级光轴)子束形成的探测点的尺寸或位置产生负面影响。通过子束的偏转可能不能完全消除物镜406的离轴像差。微补偿器413可以对物镜406的残余离轴像差(即，通过子束的偏转不能消除的离轴像差的部分)或探测点的尺寸的不均匀性进行补偿。微补偿器413中的每一个与导电层412中的开口之一对准。微补偿器413可以各自具有四个或更多个极点。子束的电流可能受到导电层412中的开口的尺寸和/或聚光透镜404的位置的影响。
图2C示意性地示出了一个备选的多束设备。源转换单元410的光学元件411可以包括预弯曲微偏转器414。在该示例中，预弯曲微偏转器414是被配置为在子束通过导电层412中的开口之前将子束弯曲的微偏转器。
使用来自单个源的多个带电粒子束的设备的附加描述可以在美国专利申请公开2016/0268096、2016/0284505和2017/0025243、美国专利9607805、美国专利申请15/365,145、15/213,781、15/216,258和62/440,493以及PCT申请PCT/US17/15223中找到，其公开内容通过引用整体并入本文。
当利用带电粒子束检查样本(例如，衬底或图案化装置)的特定区域时，由射束生成的探测点或样本可以移动，使得探测点在特定区域内。通过弯曲射束，可以使得探测点在样本上相对较快地移动。在图1中的设备100的示例中，可以通过向扫描偏转器15施加电信号来将射束18弯曲。样本的移动相对较慢，因为其移动是机械的(例如，通过可移动台架)。探测点移动的精度和准确度可以高于样本移动的精度和准确度，这是因为施加到偏转器的电信号比样本的机械移动更容易控制。由于样本的惯性以及被配置为移动样本的任何机械机构，并且由于样本的机械移动的迟滞，改变样本的移动也比改变探测点的移动更困难。至少由于这些原因，当要改变探测点和样本的相对位置时，移动探测点比移动样本更优选。当必须移动样本时，例如由于探测点的移动范围有限，与以各种速度移动样本相比，以恒定速度(恒定大小和恒定方向)移动样本是优选的。
图3A和图3B示意性地图示了根据本公开的示例性实施例的使用多个带电粒子束来检查样本。在图3A和图3B所示的该示例中，四个射束在样本上生成四个探测点310A至310D。图3A示出了四个探测点310A至310D相对于样本的移动。图3B示出了四个探测点310A至310D和样本相对于绝对参考系的移动。四个探测点310A至310D可以但不是必须布置在一行中。在该示出的示例中，四个探测点的直径为W。然而，在一些实施例中，探测点的直径不必一定相同。在该示例中示出的待检查区域300的形状为矩形，但是不必一定是矩形。为了便于说明，在绝对参考系中定义了两个方向x和y。x和y方向相互垂直。如图3B所示，在时间段T1期间，样本相对于绝对参考系在y方向上移动长度K，但是相对于绝对参考系在x方向上没有移动；并且四个探测点310A至310D相对于绝对参考系在y方向上移动长度K，并且相对于绝对参考系在x方向上移动长度L。对应地，如图3A所示，在时间段T1期间，四个探测点310A至310D相对于样本在y方向上移动零，并且相对于样本在x方向上移动长度L。这样，在时间段T1期间，四个探测点310A至310D在y方向上以与样本相同的速度移动。
在所公开的实施例中，在时间段T1期间，探测点310A至310D的移动方向不必相同。探测点310A至310D在时间段T1期间移动的长度不必相同。探测点310A至310D相对于彼此可以移动或者可以不移动。
在图3A和图3B所示的示例中，在时间段T1期间，通过四个探测点310A至310D来检查四个子区域300A。在时间段T1结束时，四个探测点310A至310D相对于绝对参考系几乎立即在-x方向上移动长度L，并且相对于绝对参考系几乎立即在-y方向上移动宽度W(即，四个探测点310A至310D之一的宽度)。该移动足够快，使得在该移动期间样本的移动可以忽略。备选地，该移动所需的时间被包括在时间段T1中。因此，相对于样本，四个探测点310A至310D移动到子区域300B的端部，子区域300B可以邻接子区域300A。
在时间段T2和T3期间，四个探测点310A至310D和样本以与在时间段T1期间相同的方式移动。这样，通过四个探测点310A至310D分别检查四个子区域300B和四个子区域300C。
在时间段T2结束时，四个探测点310A至310D以与在时间段T1结束时相同的方式移动到子区域300C的端部。子区域300C可以邻接子区域300B。
在图3A和图3B所示的示例中，四个探测点310A至310D在x方向上的节距S等于3W。因此，在时间段T3结束时，经检查的子区域300A至300C的组合在x方向上没有间隙。在时间段T3结束时，四个探测点310A至310D相对于绝对参考系几乎立即在-x方向上移动长度L，并且相对于绝对参考系几乎立即在-y方向上移动10W。该移动足够快，使得在该移动期间样本的移动可以忽略。因此，相对于样本，四个探测点310A至310D移动到子区域300D的端部，子区域300D中的一个可以邻接子区域300C中的一个。在该移动之后，如在时间段T1开始时，四个探测点310A至310D相对于绝对参考系位于相同的位置。在附加时间段(例如，时间段T4)期间，可以由四个探测点310A至310D检查附加的子区域(例如，300D)。
从时间段T1至T3的开始到结束，样本相对于绝对参考系在y方向上移动3K；四个探测点310A至310D相对于绝对参考系在y方向上移动零；四个探测点310A至310D相对于样本在-y方向上移动12W。因此，3K等于12W，即K等于4W。样本在时间段T1至T3期间的速度可以保持恒定。
概括地，当探测点的数目为M，并且探测点在x方向上的节距为S＝NW时，其中N为等于或大于2的整数，则所检查的子区域的组合在x方向上没有间隙所需的时间段数目为N，并且在每个时间段期间样本行进的距离K等于MW。在图3A和图3B的示例中，N＝3、M＝4并且K＝4W。
图3C示意性地示出了在时间段T1、T2或T3之一期间探测点310A至310D中的一个相对于样本的移动。相对于样本，探测点在此时间段期间仅在x方向上移动距离L，但在y方向上不移动。图3D示意性地示出了在该时间段期间探测点相对于绝对参考系的移动。相对于绝对参考系，在该时间段期间，探测点在x方向上移动距离L并且在y方向上移动距离K。相对于绝对参考系，探测点的移动方向和样本的移动方向具有角度θ＝arctan(L/K)。
图4A示意性地示出了根据本公开的示例性实施例的使用多个带电粒子束来检查样本。在所示的示例中，多个射束在样本上生成多个探测点。探测点和样本相对于绝对参考系的移动在图4A中示出。探测点可以但不必一定布置在一个或多个行中。在该示例中示出的待检查的区域510、520和530的形状是矩形，但是不一定是矩形。为了方便起见，在绝对参考系中定义了两个方向x和y。x和y方向相互垂直。区域510、520和530沿x方向相对于彼此偏移。此外，区域510、520和530中的每一个在y方向上延伸。
在时间段T10期间，根据图3A至图3D的实施例，区域510被探测点检查。样本在时间段T10期间移动到y方向。在时间段T10期间，探测点在y方向上以与样本相同的速度移动。在时间段T10结束时，类似于图3B中的时间段T3的结束，探测点相对于绝对参考系几乎立即在-y方向上移动，使得探测点相对于绝对参考系位于与在时间段T10开始时相同的位置。然后样本移动，使得探测点位于区域520的子区域的端部处，其中至少一个子区域在y方向上处于区域520的边缘处。
在时间段T20期间，以与时间段T10期间相同的方式检查区域520，其中样本和探测点在y方向上以相同的速度移动。在时间段T20结束时，类似于图3B中的时间段T3结束，探测点相对于绝对参考系几乎立即在-y方向上移动，使得探测点相对于绝对参考系位于与在时间段T20开始时相同的位置处。然后，样本移动，使得探测点位于区域530的子区域的端部，其中至少一个子区域在y方向上位于区域530的边缘处。
在时间段T30期间，以与时间段T10期间相同的方式检查区域530，其中样本和探测点在y方向上以相同的速度移动。
在检查图4A所示的区域510、520和530期间，样本在一个方向(即y方向)上移动。在相同的移动方向上连续移动样本可以减少迟滞对样本机械移动的影响。
图4B示意性地示出了根据本公开的一些实施例的探测点和样本相对于绝对参考系的移动。
在时间段T10期间，根据图3A至图3D的实施例，区域510由探测点检查。样本在时间段T10期间移动到y方向。在时间段T10期间，探测点和样本在y方向上以相同的速度移动。在时间段T10结束时，类似于图3B中的时间段T3结束，探测点相对于绝对参考系几乎立即在-y方向上移动，使得探测点相对于绝对参考系位于与时间段T10开始时相同的位置处。然后样本移动，使得探测点位于区域520的子区域的端部处，其中至少一个子区域在-y方向上位于区域520的末端处。
在时间段T20期间，根据图3A至图3D的实施例，区域520由探测点检查。在时间段T20期间，样本移动到-y方向。在时间段T20期间，探测点和样本在-y方向上以相同的速度移动。在时间段T20结束时，类似于图3B中的时间段T3结束，探测点相对于绝对参考系几乎立即在y方向上移动，使得探测点相对于绝对参考系位于与时间段T20开始时相同的位置处。然后样本移动，使得探测点位于区域530的子区域的端部处，其中至少一个子区域在-y方向上位于区域530的边缘处。
在时间段T30期间，以与时间段T10期间相同的方式检查区域530，其中样本和探测点在y方向上以相同的速度移动。
在图4B所示的区域510、520和530的检查期间，样本往返(即，-y方向和y方向)移动。图4B中所示的样本的移动距离比图4A中所示的样本的移动距离短。
图5是使用由一个或多个带电粒子束在样本上形成的多个探测点来检查样本的方法的流程图。在步骤610中，样本在第一方向(例如，y方向)上移动第一距离(例如，距离K)(在子步骤611中)；并且在移动样本的同一时间段期间，探测点在第一方向上移动第一距离(在子步骤612中)并且在第二方向(例如，x方向)上移动第二距离(例如，距离L)(在子步骤613中)。当探测点在样本的表面上移动时，可以记录表示带电粒子和样本在探测点处的相互作用(例如，次级发射或反向散射发射)的信号。在步骤620中，在台架将样本在第一方向上移动第一距离之后，探测点在第一方向的相反方向(例如，-y方向)上移动第三距离(在子步骤621中)，其中第三距离等于第一距离减去探测点之一的宽度(例如，宽度W)；并且可选地，探测点在第二方向的相反方向(例如，-x方向)上移动第二距离(在可选的子步骤622中)。流程然后返回到步骤610，使得可以开始下一迭代。
在可选步骤630中，一旦确定样本上的区域已被一个或多个带电粒子束检查，则流程进入可选步骤640。在可选步骤640中，探测点在第一方向的相反方向(例如，-y方向)上移动第四距离(在可选子步骤641中)，其中第四距离等于探测点之一的宽度(例如，宽度W)乘以[(M-1)N+1]；并且可选地，探测点在第二方向的相反方向(例如，-x方向)上移动第二距离(在可选的子步骤642中)。在此，M是在第一方向上间隔的探测点的数目；N是探测点在第一方向上以探测点之一的宽度(例如，宽度W)为单位的节距。流程然后返回到步骤610，使得可以开始下一迭代。
可以使用以下条款来进一步描述实施例：
1.一种设备，包括：
源，被配置为发射带电粒子；
台架，被配置为在其上支撑样本并且将样本在第一方向上移动第一距离；以及
光学系统，被配置为：
利用带电粒子在样本上形成探测点，
在台架将样本在第一方向上移动第一距离时，将探测点(i)在第一方向上移动第一距离并且(ii)在第二方向上移动第二距离，并且
在台架将样本在第一方向上移动第一距离之后，将探测点在第一方向的相反方向上移动第三距离，第三距离实质上等于第一距离减去探测点之一的宽度。
2.根据条款1所述的设备，其中带电粒子包括电子。
3.根据条款1和2中的任一项所述的设备，还包括检测器，检测器被配置为记录表示带电粒子和样本在探测点处的相互作用的信号。
4.根据条款3所述的设备，其中信号包括次级电子、反向散射电子、俄歇电子、X射线和阴极发光中的至少一个。
5.根据条款1至4中的任一项所述的设备，其中光学系统被配置为将探测点在第二方向的相反方向上移动第二距离。
6.根据条款1至5中的任一项所述的设备，其中：
探测点在第一方向上间隔开，并且M为探测点的数目；
N是探测点在第一方向上的节距，N是整数并且以探测点之一的宽度为单位来测量；并且
光学系统还被配置为：
在探测点在第一方向的相反方向上移动节距之后，将探测点在第一方向的相反方向上移动第四距离，第四距离实质上等于[(M-1)N+1]乘以探测点之一的宽度。
7.根据条款1至6中的任一项所述的设备，其中光学系统包括透镜、消象散器和偏转器中的一个或多个。
8.一种方法，包括：
将样本在第一方向上移动第一距离；
在样本在第一方向上移动第一距离时，将样本上的探测点同时(i)在第一方向上移动第一距离并且(ii)在第二方向上移动第二距离，探测点由一个或多个带电粒子束形成在样本上；以及
在样本在第一方向上移动第一距离之后，将探测点在第一方向的相反方向上移动第三距离，第三距离实质上等于第一距离减去探测点之一的宽度。
9.根据条款8所述的方法，其中带电粒子包括电子。
10.根据条款8和9中的任一项所述的方法，还包括记录表示带电粒子与样本在探测点处的相互作用的信号。
11.根据条款10所述的方法，其中信号包括次级电子、反向散射电子、俄歇电子、X射线和阴极发光中的至少一个。
12.根据条款8至11中的任一项所述的方法，还包括将探测点在第二方向的相反方向上移动第二距离。
13.根据条款8至12中的任一项所述的方法，其中：
探测点在第一方向上间隔开，并且M为探测点的数目；
N是探测点在第一方向上的节距，N是整数并且以探测点之一的宽度为单位来测量；并且
该方法还包括：
在确定探测点在第一方向的相反方向上移动节距之后，将探测点在第一方向的相反方向上移动第四距离，第四距离实质上等于[(M-1)N+1]乘以探测点之一的宽度。
14.根据条款13所述的方法，还包括将探测点在第二方向的相反方向上移动第二距离。
15.一种计算机程序产品，包括具有指令的非暂时性计算机可读介质，指令在由计算机执行时使得计算机执行根据条款8至14中的任一项所述的方法。
尽管以上公开针对多束设备(即，可以使用多个带电粒子束来执行带电粒子束检查的设备，其中多个射束中的带电粒子来自单个源)，但是实施例可以适用于多列设备(即，可以使用多个带电粒子束来执行带电粒子束检查的设备，其中多个带电粒子束从多个源产生)。在美国专利8,294,095中可以找到多列设备的附加描述，该专利的公开内容通过引用结合于此。
尽管本文公开的概念可以用于检查诸如硅晶片的样本或诸如玻璃上的铬的图案化装置，但是应当理解，所公开的概念可以用于任何类型的样本，例如，硅晶片以外的样本的检查。
上面的描述旨在是例示性的，而不是限制性的。因此，对于本领域的技术人员将显而易见的是，可以在不脱离列在下面的权利要求的范围的前提下按照描述进行修改。

Claims (15)

1.一种设备，包括：
源，被配置为发射带电粒子；
台架，被配置为在其上支撑样本并且将所述样本在第一方向上移动第一距离；以及
光学系统，被配置为：
利用所述带电粒子在所述样本上形成探测点，
在所述台架将所述样本在所述第一方向上移动所述第一距离时，将所述探测点(i)在所述第一方向上移动所述第一距离并且(ii)在第二方向上移动第二距离，并且
在所述台架将所述样本在所述第一方向上移动所述第一距离之后，将所述探测点在所述第一方向的相反方向上移动第三距离，所述第三距离实质上等于所述第一距离减去所述探测点中的一个探测点的宽度。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述带电粒子包括电子。
3.根据权利要求1所述的设备，进一步包括检测器，所述检测器被配置为记录表示所述带电粒子和所述样本在所述探测点处的相互作用的信号。
4.根据权利要求3所述的设备，其中所述信号包括次级电子、反向散射电子、俄歇电子、X射线或阴极发光中的任一个。
5.根据权利要求4所述的设备，其中所述光学系统被配置为将所述探测点在所述第二方向的相反方向上移动所述第二距离。
6.根据权利要求1所述的设备，其中：
所述探测点在所述第一方向上间隔开，并且M为所述探测点的数目；
N是所述探测点在所述第一方向上的节距，N是整数并且以所述探测点中的一个探测点的所述宽度为单位来被测量；并且
所述光学系统进一步被配置为：
在所述探测点在所述第一方向的相反方向上移动所述节距之后，将所述探测点在所述第一方向的相反方向上移动第四距离，所述第四距离实质上等于[(M-1)N+1]乘以所述探测点中的一个探测点的所述宽度。
7.根据权利要求1所述的设备，其中所述光学系统包括透镜、消象散器和偏转器中的一个或多个。
8.一种方法，包括：
将样本在第一方向上移动第一距离；
在所述样本在所述第一方向上移动所述第一距离时，将所述样本上的探测点同时(i)在所述第一方向上移动所述第一距离并且(ii)在第二方向上移动第二距离，所述探测点由一个或多个带电粒子束形成在所述样本上；以及
在所述样本在所述第一方向上移动所述第一距离之后，将所述探测点在所述第一方向的相反方向上移动第三距离，所述第三距离实质上等于所述第一距离减去所述探测点中的一个探测点的宽度。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述带电粒子包括电子。
10.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：记录表示所述带电粒子与所述样本在所述探测点处的相互作用的信号。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述信号包括次级电子、反向散射电子、俄歇电子、X射线或阴极发光中的任一个。
12.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：将所述探测点在所述第二方向的相反方向上移动所述第二距离。
13.根据权利要求8所述的方法，其中：
所述探测点在所述第一方向上间隔开，并且M为所述探测点的数目；
N是所述探测点在所述第一方向上的节距，N是整数并且以所述探测点中的一个探测点的所述宽度为单位来被测量；并且
所述方法进一步包括：
在确定所述探测点在所述第一方向的相反方向上移动所述节距之后，将所述探测点在所述第一方向的相反方向上移动第四距离，所述第四距离实质上等于[(M-1)N+1]乘以所述探测点中的一个探测点的所述宽度。
14.根据权利要求13所述的方法，进一步包括：将所述探测点在所述第二方向的相反方向上移动所述第二距离。
15.一种计算机程序产品，包括具有指令的非暂时性计算机可读介质，所述指令在由计算机执行时使得所述计算机执行根据权利要求8所述的方法。
CN201880058003.7A 2017-09-07 2018-08-28 利用多个带电粒子束检查样本的方法 Active CN111066118B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201762555542P 2017-09-07 2017-09-07
US62/555,542 2017-09-07
PCT/EP2018/073161 WO2019048293A1 (en) 2017-09-07 2018-08-28 METHODS OF INSPECTING SAMPLES WITH MULTIPLE BEAMS OF CHARGED PARTICLES

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111066118A true CN111066118A (zh) 2020-04-24
CN111066118B CN111066118B (zh) 2023-04-11

Family

ID=63442625

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880058003.7A Active CN111066118B (zh) 2017-09-07 2018-08-28 利用多个带电粒子束检查样本的方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US11815473B2 (zh)
JP (2) JP7043587B2 (zh)
KR (2) KR20230032003A (zh)
CN (1) CN111066118B (zh)
IL (1) IL272645A (zh)
TW (3) TWI810649B (zh)
WO (1) WO2019048293A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2024606B1 (en) * 2020-01-06 2021-09-07 Delmic Ip B V Method and apparatus for inspecting a sample by means of multiple charged particle beamlets

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5134526A (en) * 1989-12-28 1992-07-28 Olympus Optical Co., Ltd. Focus detecting optical system including eccentrically disposed aperture stops
US20010035954A1 (en) * 2000-03-10 2001-11-01 Rahn John Richard Method and apparatus for measuring particle size distributions using light scattering
US20030223535A1 (en) * 1992-04-08 2003-12-04 Leedy Glenn Joseph Lithography device for semiconductor circuit pattern generator
US20120241606A1 (en) * 2011-03-23 2012-09-27 Liqun Han Multiple-beam system for high-speed electron-beam inspection
US20150090879A1 (en) * 2013-09-29 2015-04-02 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Charged particle multi-beam inspection system and method of operating the same
US9035249B1 (en) * 2013-12-02 2015-05-19 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Multi-beam system for high throughput EBI
US20170025241A1 (en) * 2015-07-21 2017-01-26 Hermes Microvision, Inc. Apparatus of Plural Charged-Particle Beams
CN106575594A (zh) * 2014-08-29 2017-04-19 科磊股份有限公司 扫描式电子显微镜及检验及复检样本的方法
CN107112183A (zh) * 2014-09-04 2017-08-29 代尔夫特工业大学 多电子束检查装置
US20180024082A1 (en) * 2016-07-25 2018-01-25 Nuflare Technology, Inc. Electron beam inspection apparatus and electron beam inspection method

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3601382B2 (ja) * 1998-11-17 2004-12-15 株式会社日立製作所 荷電粒子線を用いた検査装置および検査方法
EP1150327B1 (en) 2000-04-27 2018-02-14 ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Multi beam charged particle device
US6541770B1 (en) * 2000-08-15 2003-04-01 Applied Materials, Inc. Charged particle system error diagnosis
EP1271606A1 (en) * 2000-11-02 2003-01-02 Ebara Corporation Electron beam apparatus and device production method using the apparatus
JP2004335193A (ja) 2003-05-02 2004-11-25 Ebara Corp 電子線を用いた試料評価方法及び電子線装置
EP2579273B8 (en) 2003-09-05 2019-05-22 Carl Zeiss Microscopy GmbH Particle-optical systems and arrangements and particle-optical components for such systems and arrangements
JP4843413B2 (ja) 2006-08-28 2011-12-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子線検査装置及び電子線検査方法
US8063363B2 (en) 2008-03-31 2011-11-22 Hermes-Microvision, Inc. Method and apparatus for charged particle beam inspection
US8294095B2 (en) 2010-12-14 2012-10-23 Hermes Microvision, Inc. Apparatus of plural charged particle beams with multi-axis magnetic lens
JP2011243587A (ja) * 2011-08-23 2011-12-01 Hitachi High-Technologies Corp 電子線検査装置、記憶媒体及び電子線検査方法
US9466462B2 (en) 2014-01-13 2016-10-11 Applied Materials Israel Ltd. Inspection of regions of interest using an electron beam system
US9390888B2 (en) * 2014-05-23 2016-07-12 Industrial Technology Research Institute Apparatus and method of applying small-angle electron scattering to characterize nanostructures on opaque substrate
US9691588B2 (en) 2015-03-10 2017-06-27 Hermes Microvision, Inc. Apparatus of plural charged-particle beams
US10236156B2 (en) 2015-03-25 2019-03-19 Hermes Microvision Inc. Apparatus of plural charged-particle beams
US9607805B2 (en) 2015-05-12 2017-03-28 Hermes Microvision Inc. Apparatus of plural charged-particle beams
JP6703092B2 (ja) 2015-07-22 2020-06-03 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 複数荷電粒子ビームの装置
CN108738343B (zh) 2015-11-30 2022-02-01 Asml荷兰有限公司 多个带电粒子束的设备
US10062541B2 (en) 2016-01-27 2018-08-28 Hermes Microvision Inc. Apparatus of plural charged-particle beams
WO2018122176A1 (en) 2016-12-30 2018-07-05 Asml Netherlands B.V. An apparatus using multiple charged particle beams

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5134526A (en) * 1989-12-28 1992-07-28 Olympus Optical Co., Ltd. Focus detecting optical system including eccentrically disposed aperture stops
US20030223535A1 (en) * 1992-04-08 2003-12-04 Leedy Glenn Joseph Lithography device for semiconductor circuit pattern generator
US20010035954A1 (en) * 2000-03-10 2001-11-01 Rahn John Richard Method and apparatus for measuring particle size distributions using light scattering
US20120241606A1 (en) * 2011-03-23 2012-09-27 Liqun Han Multiple-beam system for high-speed electron-beam inspection
US20150090879A1 (en) * 2013-09-29 2015-04-02 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Charged particle multi-beam inspection system and method of operating the same
US9035249B1 (en) * 2013-12-02 2015-05-19 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Multi-beam system for high throughput EBI
CN106575594A (zh) * 2014-08-29 2017-04-19 科磊股份有限公司 扫描式电子显微镜及检验及复检样本的方法
CN107112183A (zh) * 2014-09-04 2017-08-29 代尔夫特工业大学 多电子束检查装置
US20170025241A1 (en) * 2015-07-21 2017-01-26 Hermes Microvision, Inc. Apparatus of Plural Charged-Particle Beams
US20180024082A1 (en) * 2016-07-25 2018-01-25 Nuflare Technology, Inc. Electron beam inspection apparatus and electron beam inspection method

Also Published As

Publication number Publication date
KR102505631B1 (ko) 2023-03-06
TW202223966A (zh) 2022-06-16
KR20230032003A (ko) 2023-03-07
JP7422173B2 (ja) 2024-01-25
TWI810649B (zh) 2023-08-01
KR20200032750A (ko) 2020-03-26
IL272645A (en) 2020-03-31
CN111066118B (zh) 2023-04-11
TWI742503B (zh) 2021-10-11
TW202030765A (zh) 2020-08-16
US11815473B2 (en) 2023-11-14
JP2022082599A (ja) 2022-06-02
JP2020533730A (ja) 2020-11-19
TW201921410A (zh) 2019-06-01
US20240044820A1 (en) 2024-02-08
US20200271598A1 (en) 2020-08-27
WO2019048293A1 (en) 2019-03-14
TWI684199B (zh) 2020-02-01
JP7043587B2 (ja) 2022-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20240044820A1 (en) Methods of inspecting samples with a beam of charged particles
US20220122803A1 (en) Image contrast enhancement in sample inspection
CN111527581B (zh) 利用多个带电粒子束检查样品的方法
CN111164729B (zh) 带电粒子束检查的样品检查选配方案的动态确定的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant