JP7037894B2 - 複数のステーションにおけるウエハの反りの制御 - Google Patents
複数のステーションにおけるウエハの反りの制御 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7037894B2 JP7037894B2 JP2017137687A JP2017137687A JP7037894B2 JP 7037894 B2 JP7037894 B2 JP 7037894B2 JP 2017137687 A JP2017137687 A JP 2017137687A JP 2017137687 A JP2017137687 A JP 2017137687A JP 7037894 B2 JP7037894 B2 JP 7037894B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coupled
- inductor
- low frequency
- high frequency
- power distributor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
- H01J37/32183—Matching circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32366—Localised processing
- H01J37/32385—Treating the edge of the workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32577—Electrical connecting means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
- H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]
Description
本開示は、以下の適用例としても実現可能である。
<適用例1>
チャンバに関係付けられた複数のプラズマ処理ステーションに電力を配送するための電力分配器であって、
低周波数インピーダンス整合回路網に結合され、低周波数RF信号を提供するように構成された低周波数回路と、
高周波数インピーダンス整合回路網に結合され、高周波数RF信号を提供するように構成された高周波数回路であって、前記低周波数回路に結合された高周波数回路と、
前記高周波数回路に及び複数のプラズマ処理ステーションに結合された出力回路であって、前記プラズマ処理ステーションに提供するための複数の結合RF信号を生成するために、前記低周波数RF信号と前記高周波数RF信号とを組み合わせるように構成された出力回路と、
前記プラズマ処理ステーションのうちの1つへの電流の量を増加させるために、前記プラズマ処理ステーションのうちの前記1つに並列に結合された分流インダクタと、
を備える電力分配器。
<適用例2>
適用例1に記載の電力分配器であって、
前記分流インダクタは、2つの端を有し、前記2つの端のうちの一方は、接地接続に結合され、前記2つの端のうちの他方は、前記プラズマ処理ステーションのうちの前記1つに結合される、電力分配器。
<適用例3>
適用例2に記載の電力分配器であって、
前記分流インダクタは、前記低周波数回路の入力と、前記低周波数回路の出力を前記プラズマ処理ステーションのうちの前記1つに結合する同軸ケーブルの一端と、の間に結合される、電力分配器。
<適用例4>
適用例1に記載の電力分配器であって、
前記分流インダクタは、前記低周波数回路と前記プラズマ処理ステーションのうちの前記1つとの間の地点に結合される、電力分配器。
<適用例5>
適用例1に記載の電力分配器であって、
前記分流インダクタは、前記低周波数回路の入力と前記低周波数回路の直流(DC)ブロックコンデンサとの間の地点に結合される、電力分配器。
<適用例6>
適用例1に記載の電力分配器であって、
前記分流インダクタは、前記低周波数回路の直流(DC)ブロックコンデンサと前記低周波数回路のインダクタとの間の地点に結合される、電力分配器。
<適用例7>
適用例1に記載の電力分配器であって、
前記分流インダクタは、一端において接地接続に、及び反対の端において高周波数ブロック回路に結合され、
前記分流インダクタは、第1のコンデンサに並列に結合され、
前記高周波数ブロック回路は、第2のコンデンサに並列なインダクタを含み、
前記分流インダクタは、スイッチを通じて前記低周波数回路の平衡化インダクタに結合される、電力分配器。
<適用例8>
適用例7に記載の電力分配器であって、
前記第1のコンデンサは、一端において前記接地接続に、及び反対の端において前記高周波数ブロック回路に結合される、電力分配器。
<適用例9>
適用例1に記載の電力分配器であって、
前記分流インダクタは、可変インダクタ又は固定インダクタである、電力分配器。
<適用例10>
複数のプラズマ処理ステーションに電力を配送するためのシステムであって、
第1の周波数を有する第1のRF信号を生成するように構成された第1の無線周波数(RF)発生器と、
第2の周波数を有する第2のRF信号を生成するように構成された第2のRF発生器と、
前記第1のRF信号を受信するために前記第1のRF発生器に結合された第1の整合回路網であって、前記第1のRF発生器からの前記第1のRF信号の受信を受けて第1の修正RF信号を出力するように構成された第1の整合回路網と、
前記第2のRF信号を受信するために前記第2のRF発生器に結合された第2の整合回路網であって、前記第2のRF発生器からの前記第2のRF信号の受信を受けて第2の修正RF信号を出力するように構成された第2の整合回路網と、
前記第1の整合回路網の出力及び前記第2の整合回路網の出力に結合された電力分配器であって、複数のプラズマ処理ステーションに結合RF信号を提供するために、前記第1の修正RF信号と前記第2の修正RF信号とを組み合わせるように構成され、前記プラズマ処理ステーションに結合された複数の出力を有し、
前記第1の整合回路網に結合され、低周波数RF信号を提供するように構成された低周波数回路と、
前記第2の整合回路網に及び前記低周波数回路に結合され、高周波数RF信号を提供するように構成された高周波数回路と、
前記高周波数回路に及び前記複数のプラズマ処理ステーションに結合された出力回路であって、前記プラズマ処理ステーションに提供するための前記結合RF信号を生成するために、前記低周波数RF信号と前記高周波数RF信号とを組み合わせるように構成された出力回路と、
を含む電力分配器と、
前記プラズマ処理ステーションのうちの1つへの電流の量を増加させるために、前記プラズマ処理ステーションのうちの前記1つに並列に結合された分流インダクタと、
を備えるシステム。
<適用例11>
適用例10に記載のシステムであって、
前記分流インダクタは、2つの端を有し、前記2つの端のうちの一方は、接地接続に結合され、前記2つの端のうちの他方は、前記プラズマ処理ステーションのうちの前記1つに結合される、システム。
<適用例12>
適用例11に記載のシステムであって、
前記分流インダクタは、前記低周波数回路の入力と、前記低周波数回路の出力を前記プラズマ処理ステーションのうちの前記1つに結合する同軸ケーブルの一端と、の間に結合される、システム。
<適用例13>
適用例10に記載のシステムであって、
前記分流インダクタは、前記低周波数回路と前記プラズマ処理ステーションのうちの前記1つとの間の地点に結合される、システム。
<適用例14>
適用例10に記載のシステムであって、
前記分流インダクタは、前記低周波数回路の入力と前記低周波数回路の直流(DC)ブロックコンデンサとの間の地点に結合される、システム。
<適用例15>
適用例10に記載のシステムであって、
前記分流インダクタは、前記低周波数回路の直流(DC)ブロックコンデンサと前記低周波数回路のインダクタとの間の地点に結合される、システム。
<適用例16>
適用例10に記載のシステムであって、
前記分流インダクタは、一端において接地接続に、及び反対の端において高周波数ブロック回路に結合され、
前記分流インダクタは、第1のコンデンサに並列に結合され、
前記高周波数ブロック回路は、第2のコンデンサに並列なインダクタを含み、
前記分流インダクタは、スイッチを通じて前記低周波数回路の平衡化インダクタに結合される、システム。
<適用例17>
適用例16に記載のシステムであって、
前記第1のコンデンサは、一端において前記接地接続に、及び反対の端において前記高周波数ブロック回路に結合される、システム。
<適用例18>
適用例10に記載のシステムであって、
前記分流インダクタは、可変インダクタ又は固定インダクタである、システム。
<適用例19>
ウエハの反りを低減するための方法であって、
低周波数インピーダンス整合回路網に結合された低周波数回路によって、低周波数RF信号を提供し、
高周波数インピーダンス整合回路網に結合された高周波数回路によって、高周波数RF信号を提供し、
複数のプラズマ処理ステーションに提供するための複数の結合RF信号を生成するために、前記低周波数RF信号と前記高周波数RF信号とを組み合わせ、
前記低周波数回路の分流インダクタによってウエハの反りを低減し、前記ウエハの反りは、前記プラズマ処理ステーションのうちの1つへの電流の量を増加させるために、前記プラズマ処理ステーションのうちの前記1つに並列に前記分流インダクタが結合されるときに低減される、
ことを備える方法。
<適用例20>
適用例19に記載の方法であって、
前記分流インダクタは、2つの端を有し、前記2つの端のうちの一方は、接地接続に結合され、前記2つの端のうちの他方は、前記プラズマ処理ステーションのうちの前記1つに結合される、方法。
<適用例21>
適用例19に記載の方法であって、
前記分流インダクタは、可変インダクタ又は固定インダクタである、方法。
Claims (40)
- 複数のプラズマ処理ステーションに電力を配送するための電力分配器であって、
低周波数インピーダンス整合回路網に結合されるように構成され、複数の低周波数無線周波数(RF)信号を提供するように構成された低周波数回路であって、複数の高周波数ブロック回路を含み、前記複数の高周波数ブロック回路は、それぞれ、コンデンサに並列に結合されたインダクタを含む低周波数回路と、
高周波数インピーダンス整合回路網に結合されるように構成され、複数の高周波数RF信号を提供するように構成された高周波数回路であって、前記低周波数回路に結合された高周波数回路と、
前記高周波数回路に結合された出力回路であって、前記複数のプラズマ処理ステーションに結合されるように構成され、前記複数のプラズマ処理ステーションに複数の結合RF信号を提供するために、前記複数の低周波数RF信号と前記複数の高周波数RF信号とを組み合わせるように構成された出力回路と、
複数の分流インダクタであって、それぞれ、一端において接地接続に、及び反対の端において前記複数の高周波数ブロック回路のうちの対応する1つに結合されて、前記複数のプラズマ処理ステーションのうちの対応する1つへの電流の量を制御し、それぞれ、複数のコンデンサのうちの対応する1つに並列に結合される複数の分流インダクタと、
を備える電力分配器。 - 請求項1に記載の電力分配器であって、
前記複数の分流インダクタのうちの1つは、前記低周波数回路の入力と、前記出力回路の出力を前記複数のプラズマ処理ステーションのうちの前記対応する1つに結合する同軸ケーブルの一端と、の間に結合される、電力分配器。 - 複数のプラズマ処理ステーションに電力を配送するための電力分配器であって、
低周波数インピーダンス整合回路網に結合されるように構成され、複数の低周波数無線周波数(RF)信号を提供するように構成された低周波数回路であって、複数の直流(DC)ブロックコンデンサを含む低周波数回路と、
高周波数インピーダンス整合回路網に結合されるように構成され、複数の高周波数RF信号を提供するように構成された高周波数回路であって、前記低周波数回路に結合された高周波数回路と、
前記高周波数回路に結合された出力回路であって、前記複数のプラズマ処理ステーションに結合されるように構成され、前記複数のプラズマ処理ステーションに複数の結合RF信号を提供するために、前記複数の低周波数RF信号と前記複数の高周波数RF信号とを組み合わせるように構成された出力回路と、
複数の分流インダクタであって、それぞれ、前記低周波数回路の入力と前記低周波数回路の前記複数のDCブロックコンデンサのうちの対応する1つとの間の地点に結合される複数の分流インダクタと、
を備える電力分配器。 - 複数のプラズマ処理ステーションに電力を配送するための電力分配器であって、
低周波数インピーダンス整合回路網に結合されるように構成され、複数の低周波数無線周波数(RF)信号を提供するように構成された低周波数回路であって、複数の直流(DC)ブロックコンデンサ及び複数のインダクタを含む低周波数回路と、
高周波数インピーダンス整合回路網に結合されるように構成され、複数の高周波数RF信号を提供するように構成された高周波数回路であって、前記低周波数回路に結合される高周波数回路と、
前記高周波数回路に結合された出力回路であって、前記複数のプラズマ処理ステーションに結合されるように構成され、前記複数のプラズマ処理ステーションに複数の結合RF信号を提供するために、前記複数の低周波数RF信号と前記複数の高周波数RF信号とを組み合わせるように構成された出力回路と、
複数の分流インダクタであって、それぞれ、前記低周波数回路の前記複数のDCブロックコンデンサのうちの対応する1つと前記低周波数回路の前記複数のインダクタのうちの対応する1つとの間の地点に結合されて、前記複数のプラズマ処理ステーションのうちの対応する1つへの電流の量を制御する複数の分流インダクタと、
を備える電力分配器。 - 請求項1に記載の電力分配器であって、
前記複数の分流インダクタのうちの1つは、前記複数の高周波数ブロック回路のうちの1つ及びスイッチを通じて前記出力回路の平衡化インダクタに結合される、電力分配器。 - 請求項5に記載の電力分配器であって、
前記複数のコンデンサのうちの前記対応する1つは、一端において前記接地接続に、及び反対の端において前記複数の高周波数ブロック回路のうちの前記対応する1つに結合される、電力分配器。 - 請求項1に記載の電力分配器であって、
前記複数の分流インダクタは、それぞれ、可変インダクタ又は固定インダクタである、電力分配器。 - 複数のプラズマ処理ステーションに電力を配送するためのシステムであって、
第1の周波数を有する第1のRF信号を生成するように構成された第1の無線周波数(RF)発生器と、
第2の周波数を有する第2のRF信号を生成するように構成された第2のRF発生器と、
前記第1のRF信号を受信するために前記第1のRF発生器に結合された第1の整合回路網であって、前記第1のRF発生器からの前記第1のRF信号の受信を受けて第1の修正RF信号を出力するように構成された第1の整合回路網と、
前記第2のRF信号を受信するために前記第2のRF発生器に結合された第2の整合回路網であって、前記第2のRF発生器からの前記第2のRF信号の受信を受けて第2の修正RF信号を出力するように構成された第2の整合回路網と、
前記第1の整合回路網の出力及び前記第2の整合回路網の出力に結合された電力分配器であって、前記複数のプラズマ処理ステーションに複数の結合RF信号を提供するために、前記第1の修正RF信号と前記第2の修正RF信号とを組み合わせるように構成され、前記複数のプラズマ処理ステーションに結合された複数の出力を有し、
前記第1の整合回路網に結合され、複数の低周波数RF信号を提供するために前記第1の修正RF信号を受信するように構成された低周波数回路であって、複数の高周波数ブロック回路を含み、前記複数の高周波数ブロック回路は、それぞれ、コンデンサに並列に結合されたインダクタを含む低周波数回路と、
前記第2の整合回路網に及び前記低周波数回路に結合され、複数の高周波数RF信号を提供するために前記第2の修正RF信号を受信するように構成された高周波数回路と、
前記高周波数回路に及び前記複数のプラズマ処理ステーションに結合された出力回路であって、前記複数のプラズマ処理ステーションに前記複数の結合RF信号を提供するために、前記複数の低周波数RF信号と前記複数の高周波数RF信号とを組み合わせるように構成された出力回路と、
複数の分流インダクタであって、それぞれ、一端において接地接続に、及び反対の端において前記複数の高周波数ブロック回路のうちの対応する1つに結合されて、前記複数のプラズマ処理ステーションのうちの対応する1つへの電流の量を制御し、それぞれ、複数のコンデンサのうちの対応する1つに並列に結合される複数の分流インダクタと、
を含む電力分配器と、
を備えるシステム。 - 請求項8に記載のシステムであって、
前記複数の分流インダクタのうちの1つは、前記低周波数回路の入力と、前記出力回路の出力を前記複数のプラズマ処理ステーションのうちの前記対応する1つに結合する同軸ケーブルの一端と、の間に結合される、システム。 - 請求項8に記載のシステムであって、
前記複数の分流インダクタのうちの1つは、前記複数の高周波数ブロック回路のうちの1つ及びスイッチを通じて前記出力回路の平衡化インダクタに結合される、システム。 - 請求項10に記載のシステムであって、
前記複数のコンデンサのうちの前記対応する1つは、一端において前記接地接続に、及び反対の端において前記複数の高周波数ブロック回路のうちの前記対応する1つに結合される、システム。 - 請求項8に記載のシステムであって、
前記複数の分流インダクタは、それぞれ、可変インダクタ又は固定インダクタである、システム。 - 請求項3に記載の電力分配器であって、
前記複数の分流インダクタは、それぞれ、可変インダクタ又は固定インダクタである、電力分配器。 - 請求項3に記載の電力分配器であって、
前記複数の分流インダクタのうちの1つは、前記低周波数回路の入力と、前記出力回路の出力を前記複数のプラズマ処理ステーションのうちの前記対応する1つに結合する同軸ケーブルの一端と、の間に結合される、電力分配器。 - 請求項4に記載の電力分配器であって、
前記複数の分流インダクタのうちの1つは、前記低周波数回路の入力と、前記出力回路の出力を前記複数のプラズマ処理ステーションのうちの前記対応する1つに結合する同軸ケーブルの一端と、の間に結合される、電力分配器。 - 請求項4に記載の電力分配器であって、
前記複数の分流インダクタは、それぞれ、可変インダクタ又は固定インダクタである、電力分配器。 - 複数の無線周波数(RF)信号を分配する電力分配器であって、
低周波数修正RF信号を受信して複数の低周波数RF信号を出力するように構成された複数の低周波数経路と、
高周波数修正RF信号を受信して複数の高周波数RF信号を出力するように構成された複数の高周波数経路であって、それぞれ、前記複数の低周波数経路のうちの対応する1つに結合される複数の高周波数経路と、
複数のプラズマ処理ステーションに複数の結合信号を出力するために、前記複数の低周波数RF信号と前記複数の高周波数RF信号とを組み合わせるように構成された複数の出力経路であって、それぞれ、前記複数の低周波数経路のうちの前記対応する1つ及び前記複数の高周波数経路のうちの対応する1つに結合される複数の出力経路と、
前記複数のプラズマ処理ステーションに提供される複数の電流の量を制御するように構成された複数の分流インダクタであって、それぞれ、前記低周波数経路のうちの前記対応する1つに結合される複数の分流インダクタと、
を備える電力分配器。 - 請求項17に記載の電力分配器であって、
前記複数の低周波数経路は、それぞれ、第1のインダクタと、高周波数ブロック回路の第2のインダクタとを含み、
前記第1のインダクタは、地点において前記第2のインダクタに結合され、
前記複数の分流インダクタは、それぞれ、前記複数の低周波数経路のうちの対応する1つの前記地点に、及び接地接続に結合される、電力分配器。 - 請求項18に記載の電力分配器であって、
前記地点は、コンデンサに結合され、前記複数の分流インダクタは、それぞれ、前記複数の低周波数経路のうちの対応する1つの前記コンデンサに並列に結合される、電力分配器。 - 請求項17に記載の電力分配器であって、
前記複数の低周波数経路は、それぞれ、コンデンサ、第1のインダクタ、第2のインダクタ、及び地点を含み、前記地点は、前記コンデンサと前記第1のインダクタとの間にあり、前記コンデンサは、前記第1のインダクタに結合され、前記第1のインダクタは、前記第2のインダクタに結合され、前記地点は、可変コンデンサに、及び前記複数の分流インダクタのうちの対応する1つに結合される、電力分配器。 - 請求項17に記載の電力分配器であって、更に、
入力であって、前記複数の低周波数経路は、前記低周波数修正RF信号を受信するために前記入力に結合され、前記複数の低周波数経路は、それぞれ、コンデンサ、第1のインダクタ、及び第2のインダクタを含み、前記コンデンサは、前記第1のインダクタに結合され、前記第1のインダクタは、前記第2のインダクタに結合される入力と、
複数の地点であって、それぞれ、前記入力と前記複数の低周波数経路のうちの前記対応する1つの前記コンデンサとの間にあり、前記複数の分流インダクタは、それぞれ、前記複数の地点のうちの対応する1つに結合される複数の地点と、
を備える電力分配器。 - 請求項17に記載の電力分配器であって、
前記複数の低周波数経路は、それぞれ、コンデンサ、第1のインダクタ、及び第2のインダクタを含み、前記コンデンサは、前記第1のインダクタに結合され、前記第1のインダクタは、前記第2のインダクタに結合される、電力分配器。 - 請求項22に記載の電力分配器であって、
前記複数の高周波数経路は、それぞれ、コンデンサを含む、電力分配器。 - 請求項23に記載の電力分配器であって、
前記複数の高周波数経路のそれぞれの前記コンデンサは、前記複数の低周波数経路のうちの前記対応する1つの前記第2のインダクタに結合される、電力分配器。 - 請求項17に記載の電力分配器であって、
前記低周波数修正RF信号は、低周波数整合回路網から受信され、前記高周波数修正RF信号は、高周波数整合回路網から受信される、電力分配器。 - 請求項17に記載の電力分配器であって、
前記複数の出力経路は、インダクタ又はダミー負荷に結合されるように構成されたスイッチを含む、電力分配器。 - 複数の無線周波数(RF)信号を分配する電力分配器であって、
低周波数修正RF信号を受信して複数の低周波数RF信号を出力するように構成された複数の低周波数経路と、
高周波数修正RF信号を受信して複数の高周波数RF信号を出力するように構成された複数の高周波数経路であって、それぞれ、前記複数の低周波数経路のうちの対応する1つに結合される複数の高周波数経路と、
複数のプラズマ処理ステーションに複数の結合信号を出力するために、前記複数の低周波数RF信号と前記複数の高周波数RF信号とを組み合わせるように構成された複数の出力経路であって、それぞれ、前記複数の低周波数経路のうちの前記対応する1つに、及び前記複数の高周波数経路のうちの対応する1つに結合される複数の出力経路と、
前記複数のプラズマ処理ステーションに提供される複数の電流の量を制御するように構成された複数の分流インダクタであって、それぞれ、前記複数の出力経路のうちの対応する1つに結合される複数の分流インダクタと、
を備える電力分配器。 - 請求項27に記載の電力分配器であって、
前記複数の出力経路は、それぞれ、スイッチ、インダクタ、及び前記インダクタと前記スイッチとの間の地点を含み、前記複数の分流インダクタは、それぞれ、前記複数の出力経路のうちの対応する1つの前記地点に結合される、電力分配器。 - 請求項27に記載の電力分配器であって、
前記複数の出力経路は、それぞれ、スイッチ、インダクタ、及び前記複数のプラズマ処理ステーションに結合されるように構成された複数の出力を含み、前記複数の分流インダクタは、それぞれ、前記複数の出力経路のうちの前記対応する1つの前記インダクタと前記複数の出力のうちの対応する1つとの間の地点に結合される、電力分配器。 - 請求項27に記載の電力分配器であって、
前記複数の低周波数経路は、それぞれ、コンデンサ、第1のインダクタ、及び第2のインダクタを含み、前記コンデンサは、前記第1のインダクタに結合され、前記第1のインダクタは、前記第2のインダクタに結合される、電力分配器。 - 請求項30に記載の電力分配器であって、
前記複数の高周波数経路は、それぞれ、コンデンサを含む、電力分配器。 - 請求項31に記載の電力分配器であって、
前記複数の高周波数経路のそれぞれの前記コンデンサは、前記複数の低周波数経路のうちの前記対応する1つの前記第2のインダクタに結合される、電力分配器。 - 請求項27に記載の電力分配器であって、
前記低周波数修正RF信号は、低周波数整合回路網から受信され、前記高周波数修正RF信号は、高周波数整合回路網から受信される、電力分配器。 - 請求項27に記載の電力分配器であって、
前記複数の出力経路は、インダクタ又はダミー負荷に結合されるように構成されたスイッチを含む、電力分配器。 - 複数の無線周波数(RF)信号を分配する電力分配器であって、
低周波数修正RF信号を受信して複数の低周波数RF信号を出力するように構成された複数の低周波数経路と、
高周波数修正RF信号を受信して複数の高周波数RF信号を出力するように構成された複数の高周波数経路であって、それぞれ、前記複数の低周波数経路のうちの対応する1つに結合される複数の高周波数経路と、
複数のプラズマ処理ステーションに複数の結合信号を出力するために、前記複数の低周波数RF信号と前記複数の高周波数RF信号とを組み合わせるように構成された複数の出力経路であって、それぞれ、前記複数の低周波数経路のうちの前記対応する1つに、及び前記複数の高周波数経路のうちの対応する1つに結合され、複数の出力を有する複数の出力経路と、
複数の分流インダクタであって、それぞれ、前記複数の低周波数経路の入力と前記複数の出力経路の前記複数の出力うちの対応する1つとの間に結合されて、前記複数のプラズマ処理ステーションのうちの対応する1つに提供される電流の量を制御する複数の分流インダクタと、
を備える電力分配器。 - 請求項35に記載の電力分配器であって、
前記複数の低周波数経路は、それぞれ、第1のインダクタと、高周波数ブロック回路の第2のインダクタとを含み、
前記第1のインダクタは、地点において前記高周波数ブロック回路の前記第2のインダクタに結合され、
前記複数の分流インダクタは、それぞれ、前記複数の低周波数経路のうちの対応する1つの前記地点に、及び接地接続に結合される、電力分配器。 - 請求項35に記載の電力分配器であって、
前記複数の低周波数経路は、それぞれ、コンデンサ、第1のインダクタ、第2のインダクタ、及び地点を含み、前記地点は、前記コンデンサと前記第1のインダクタとの間にあり、前記コンデンサは、前記第1のインダクタに結合され、前記第1のインダクタは、前記第2のインダクタに結合され、前記地点は、可変コンデンサに、及び前記複数の分流インダクタのうちの対応する1つに結合される、電力分配器。 - 請求項35に記載の電力分配器であって、さらに、
入力であって、前記複数の低周波数経路は、前記低周波数修正RF信号を受信するために前記入力に結合され、前記複数の低周波数経路は、それぞれ、コンデンサ、第1のインダクタ、及び第2のインダクタを含み、前記コンデンサは、前記第1のインダクタに結合され、前記第1のインダクタは、前記第2のインダクタに結合される入力と、
複数の地点であって、それぞれ、前記入力と前記複数の低周波数経路のうちの前記対応する1つの前記コンデンサとの間にあり、前記複数の分流インダクタは、それぞれ、前記複数の地点の対応する1つに結合される複数の地点と、
を備える電力分配器。 - 請求項35に記載の電力分配器であって、
前記複数の出力経路は、それぞれ、スイッチ、インダクタ、及び前記インダクタと前記スイッチとの間の地点を含み、前記複数の分流インダクタは、それぞれ、前記複数の出力経路のうちの対応する1つの前記地点に結合される、電力分配器。 - 請求項35に記載の電力分配器であって、
前記複数の出力経路は、それぞれ、スイッチ及びインダクタを含み、前記複数の分流インダクタは、それぞれ、前記複数の出力経路のうちの前記対応する1つの前記インダクタと前記複数の出力経路の前記複数の出力のうちの前記対応する1つとの間の地点に結合される、電力分配器。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201662366515P | 2016-07-25 | 2016-07-25 | |
US62/366,515 | 2016-07-25 | ||
US15/640,053 US10553465B2 (en) | 2016-07-25 | 2017-06-30 | Control of water bow in multiple stations |
US15/640,053 | 2017-06-30 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018022685A JP2018022685A (ja) | 2018-02-08 |
JP2018022685A5 JP2018022685A5 (ja) | 2020-09-10 |
JP7037894B2 true JP7037894B2 (ja) | 2022-03-17 |
Family
ID=60990113
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017137687A Active JP7037894B2 (ja) | 2016-07-25 | 2017-07-14 | 複数のステーションにおけるウエハの反りの制御 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US10553465B2 (ja) |
JP (1) | JP7037894B2 (ja) |
KR (2) | KR102149573B1 (ja) |
CN (2) | CN107658200B (ja) |
TW (1) | TWI760349B (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10553465B2 (en) * | 2016-07-25 | 2020-02-04 | Lam Research Corporation | Control of water bow in multiple stations |
US10896806B2 (en) * | 2016-11-03 | 2021-01-19 | En2Core Technology, Inc. | Inductive coil structure and inductively coupled plasma generation system |
JP7286666B2 (ja) * | 2018-02-23 | 2023-06-05 | ラム リサーチ コーポレーション | 高電力回路からの切り離しを伴わない静電容量測定 |
KR20230048459A (ko) * | 2018-06-22 | 2023-04-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 제어 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
JP7175239B2 (ja) * | 2018-06-22 | 2022-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 制御方法、プラズマ処理装置、プログラム及び記憶媒体 |
US10304663B1 (en) * | 2018-07-19 | 2019-05-28 | Lam Research Corporation | RF generator for generating a modulated frequency or an inter-modulated frequency |
US10991550B2 (en) | 2018-09-04 | 2021-04-27 | Lam Research Corporation | Modular recipe controlled calibration (MRCC) apparatus used to balance plasma in multiple station system |
WO2020092005A1 (en) * | 2018-10-30 | 2020-05-07 | Lam Research Corporation | Substrate state detection for plasma processing tools |
KR20210089254A (ko) * | 2018-12-05 | 2021-07-15 | 램 리써치 코포레이션 | 기판 내에 격리 피처들 및 치밀 피처들 에칭 |
US11437262B2 (en) * | 2018-12-12 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc | Wafer de-chucking detection and arcing prevention |
US11515123B2 (en) | 2018-12-21 | 2022-11-29 | Advanced Energy Industries, Inc. | Apparatus and system for modulated plasma systems |
US11804362B2 (en) * | 2018-12-21 | 2023-10-31 | Advanced Energy Industries, Inc. | Frequency tuning for modulated plasma systems |
KR20200078729A (ko) | 2018-12-21 | 2020-07-02 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 챔버로부터 수신되는 신호를 필터링하기 위한 전자 회로 |
US10720305B2 (en) | 2018-12-21 | 2020-07-21 | Advanced Energy Industries, Inc. | Plasma delivery system for modulated plasma systems |
WO2020214477A1 (en) * | 2019-04-15 | 2020-10-22 | Lam Research Corporation | Early warning systems and methods for determining capacitor failures |
KR20200126177A (ko) * | 2019-04-29 | 2020-11-06 | 삼성전자주식회사 | Rf 파워 모니터링 장치, 및 그 장치를 포함하는 pe 시스템 |
TWI737996B (zh) * | 2019-05-16 | 2021-09-01 | 華景電通股份有限公司 | 晶圓載具監控系統及其監控方法 |
WO2021021955A1 (en) | 2019-07-29 | 2021-02-04 | Advanced Energy Industries, Inc. | Multiplexed power generator output with channel offsets for pulsed driving of multiple loads |
JP7233348B2 (ja) * | 2019-09-13 | 2023-03-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US11631583B2 (en) | 2019-10-25 | 2023-04-18 | Applied Materials, Inc. | RF power source operation in plasma enhanced processes |
WO2021118862A2 (en) * | 2019-12-13 | 2021-06-17 | Lam Research Corporation | Multi-state pulsing for achieving a balance between bow control and mask selectivity |
WO2024072496A1 (en) * | 2022-09-28 | 2024-04-04 | Applied Materials, Inc. | Broadband supply circuitry for a plasma processing system |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007515761A (ja) | 2003-12-18 | 2007-06-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 二重周波数rf整合 |
US20120306367A1 (en) | 2010-02-23 | 2012-12-06 | Jae Hyun Kim | Impedance matching apparatus |
JP2014505362A (ja) | 2010-12-22 | 2014-02-27 | ノべラス・システムズ・インコーポレーテッド | 半導体基板の可変密度プラズマ処理 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000075660A (ko) | 1997-02-24 | 2000-12-26 | 로버트 엠. 포터 | 직렬전원의 병렬 출력 고주파 발생기 |
TW434636B (en) | 1998-07-13 | 2001-05-16 | Applied Komatsu Technology Inc | RF matching network with distributed outputs |
WO2001005020A1 (en) | 1999-07-13 | 2001-01-18 | Tokyo Electron Limited | Radio frequency power source for generating an inductively coupled plasma |
US7137354B2 (en) * | 2000-08-11 | 2006-11-21 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation apparatus including a plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage |
US6887339B1 (en) * | 2000-09-20 | 2005-05-03 | Applied Science And Technology, Inc. | RF power supply with integrated matching network |
US6583572B2 (en) * | 2001-03-30 | 2003-06-24 | Lam Research Corporation | Inductive plasma processor including current sensor for plasma excitation coil |
US7042311B1 (en) * | 2003-10-10 | 2006-05-09 | Novellus Systems, Inc. | RF delivery configuration in a plasma processing system |
US7276135B2 (en) * | 2004-05-28 | 2007-10-02 | Lam Research Corporation | Vacuum plasma processor including control in response to DC bias voltage |
US7169256B2 (en) * | 2004-05-28 | 2007-01-30 | Lam Research Corporation | Plasma processor with electrode responsive to multiple RF frequencies |
US7777567B2 (en) | 2007-01-25 | 2010-08-17 | Mks Instruments, Inc. | RF power amplifier stability network |
US8129283B2 (en) * | 2007-02-13 | 2012-03-06 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing method and plasma processing apparatus |
CN101287327B (zh) * | 2007-04-13 | 2011-07-20 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 射频功率源系统及使用该射频功率源系统的等离子体反应腔室 |
GB0823565D0 (en) * | 2008-12-24 | 2009-01-28 | Oxford Instr Plasma Technology | Signal generating system |
US9305750B2 (en) * | 2009-06-12 | 2016-04-05 | Lam Research Corporation | Adjusting current ratios in inductively coupled plasma processing systems |
KR100934402B1 (ko) | 2009-09-07 | 2009-12-31 | 아리온테크 주식회사 | 알에프 스플리트 모니터링 시스템 |
US9997357B2 (en) * | 2010-04-15 | 2018-06-12 | Lam Research Corporation | Capped ALD films for doping fin-shaped channel regions of 3-D IC transistors |
US20120000888A1 (en) * | 2010-06-30 | 2012-01-05 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for radio frequency (rf) plasma processing |
JP5781349B2 (ja) * | 2011-03-30 | 2015-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US9502216B2 (en) * | 2013-01-31 | 2016-11-22 | Lam Research Corporation | Using modeling to determine wafer bias associated with a plasma system |
US9779196B2 (en) * | 2013-01-31 | 2017-10-03 | Lam Research Corporation | Segmenting a model within a plasma system |
US10125422B2 (en) | 2013-03-27 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | High impedance RF filter for heater with impedance tuning device |
US9797042B2 (en) * | 2014-05-15 | 2017-10-24 | Lam Research Corporation | Single ALD cycle thickness control in multi-station substrate deposition systems |
US9263350B2 (en) * | 2014-06-03 | 2016-02-16 | Lam Research Corporation | Multi-station plasma reactor with RF balancing |
US10187032B2 (en) * | 2016-06-17 | 2019-01-22 | Lam Research Corporation | Combiner and distributor for adjusting impedances or power across multiple plasma processing stations |
US10553465B2 (en) * | 2016-07-25 | 2020-02-04 | Lam Research Corporation | Control of water bow in multiple stations |
-
2017
- 2017-06-30 US US15/640,053 patent/US10553465B2/en active Active
- 2017-07-13 KR KR1020170088772A patent/KR102149573B1/ko active IP Right Grant
- 2017-07-14 JP JP2017137687A patent/JP7037894B2/ja active Active
- 2017-07-24 TW TW106124681A patent/TWI760349B/zh active
- 2017-07-25 CN CN201710609934.9A patent/CN107658200B/zh active Active
- 2017-07-25 CN CN202010186094.1A patent/CN111508810B/zh active Active
-
2019
- 2019-12-16 US US16/715,926 patent/US11183406B2/en active Active
-
2020
- 2020-08-24 KR KR1020200106486A patent/KR102188339B1/ko active IP Right Grant
-
2021
- 2021-10-29 US US17/515,261 patent/US11823928B2/en active Active
-
2023
- 2023-10-25 US US18/494,710 patent/US20240055285A1/en active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007515761A (ja) | 2003-12-18 | 2007-06-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 二重周波数rf整合 |
US20120306367A1 (en) | 2010-02-23 | 2012-12-06 | Jae Hyun Kim | Impedance matching apparatus |
JP2014505362A (ja) | 2010-12-22 | 2014-02-27 | ノべラス・システムズ・インコーポレーテッド | 半導体基板の可変密度プラズマ処理 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111508810A (zh) | 2020-08-07 |
JP2018022685A (ja) | 2018-02-08 |
US11183406B2 (en) | 2021-11-23 |
US10553465B2 (en) | 2020-02-04 |
US11823928B2 (en) | 2023-11-21 |
KR102188339B1 (ko) | 2020-12-09 |
US20180025930A1 (en) | 2018-01-25 |
CN107658200B (zh) | 2020-04-14 |
CN111508810B (zh) | 2023-08-08 |
US20220051919A1 (en) | 2022-02-17 |
CN107658200A (zh) | 2018-02-02 |
TWI760349B (zh) | 2022-04-11 |
US20200118856A1 (en) | 2020-04-16 |
KR20180011712A (ko) | 2018-02-02 |
KR102149573B1 (ko) | 2020-08-31 |
US20240055285A1 (en) | 2024-02-15 |
KR20200104269A (ko) | 2020-09-03 |
TW201816832A (zh) | 2018-05-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7037894B2 (ja) | 複数のステーションにおけるウエハの反りの制御 | |
KR102241517B1 (ko) | 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들에 걸쳐 임피던스들 또는 전력을 조정하기 위한 결합기 및 분배기 | |
CN110301029B (zh) | 在等离子体反应器中提供寄生成分的分流消除系统和方法 | |
TW202415147A (zh) | 用以調整多電漿處理站範圍之阻抗或功率的結合及分配器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180201 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200708 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200803 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210623 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210803 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211027 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220208 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220307 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7037894 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |