JP7036635B2 - 磁気記憶素子、垂直磁化膜の形成方法、および、磁気記憶素子の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、CoZnMnを主成分とする垂直磁化膜を備えることを可能とした磁気記憶素子、垂直磁化膜の形成方法、および、磁気記憶素子の製造方法を提供することを目的とする。
図1を参照して磁気記憶素子の構成を説明する。
図1が示すように、磁気記憶素子10は、100nm以下の厚さを有するCoZnMn層11と、CoZnMn層11の下地層である白金層(Pt層)12とを備えている。CoZnMn層11の主成分はCoZnMnであり、CoZnMnの組成は、化学式CoxZnyMnzを用いて表すことができる。この場合、x、y、および、zの合計は例えば1であり、xは0.2以上0.4以下であり、yは0.4以上0.7以下であり、zは0.05以上0.2以下である。CoZnMn層11は、厚さが100nm以下であり、かつ、CoZnMn層の下地層がPt層12であることによって、垂直磁化膜として機能することが可能である。
図2を参照してスパッタ装置の構成を説明する。以下に説明するスパッタ装置では、磁気記憶素子の製造方法における一部が実施される。
図3を参照して、磁気記憶素子10の製造方法を説明する。磁気記憶素子10の製造方法は、垂直磁化膜の形成方法を含んでいる。
図4から図7を参照して試験例を説明する。なお、図4、図6、および、図7の各々では、磁気記憶素子が有するCoZnMn層の表面に垂直な磁場、言い換えれば垂直方向の磁場が印加されたときの磁化曲線が実線で示されている。また、図4、図6、および、図7の各々では、CoZnMn層の表面に平行な磁場、言い換えれば水平方向の磁場が印加されたときの磁化曲線が一点鎖線で示されている。
熱酸化膜(SiO2膜)によって構成される被成膜面を備えるシリコン基板を準備した。そして、被成膜面上に10nmの厚さを有するPt層を形成し、Pt層上にCoZnMn層を形成した。次いで、CoZnMn層上にアニール中のCoZnMn層の変質を抑制するためのキャップ層として3nmの厚さを有するPt層を形成した。基板、Pt層、CoZnMn層、および、Pt層から構成される多層体を加熱した。これにより、試験例1の磁気記憶素子を得た。CoZnMn層の厚さは、試験例1‐1において20nmに設定し、試験例1‐2において60nmに設定し、試験例1‐3において100nmに設定した。
・ターゲット Co4Zn5Mnターゲット
・電力 200W
・スパッタガス アルゴン(Ar)ガス
・成膜空間の圧力 0.07Pa
・加熱温度 300℃
・加熱時間 10分
試験例2‐1では、試験例1‐1と同じ方法によって、磁気記憶素子を得た。試験例2‐2では、下地層を形成しない以外は、試験例2‐1と同じ方法によって、磁気記憶素子を得た。試験例2‐3では、下地層を形成する材料をクロム(Cr)に変更した以外は、試験例2‐1と同じ方法によって、磁気記憶素子を得た。試験例2‐4では、下地層を形成する材料をタンタル(Ta)に変更した以外は、試験例2‐1と同じ方法によって、磁気記憶素子を得た。
試験例3‐1では、試験例1‐1と同じ方法によって、磁気記憶素子を得た。試験例3‐2では、成膜空間の圧力を0.1Paに変更する以外は、試験例3‐1と同じ方法によって、磁気記憶素子を得た。試験例3‐3では、成膜空間の圧力を0.4Paに変更する以外は、試験例3‐1と同じ方法によって、磁気記憶素子を得た。試験例3‐4では、成膜空間の圧力を1.0Paに変更する以外は、試験例3‐1と同じ方法によって、磁気記憶素子を得た。
(1)垂直磁化膜として機能するCoZnMn層11を備えた磁気記憶素子10を得ることができる。
Claims (4)
- 50nm以上70nm以下の厚さを有し、2.8kOe以上3.1kOe以下の保持力、および、0.75以上0.9以下の飽和磁束密度(Ms)に対する残留磁束密度(Mr)の比(Mr/Ms)を有するCoZnMn層と、
前記CoZnMn層の下地層である白金層と、を備える
磁気記憶素子。 - Co4Zn5Mnを主成分とするターゲットをスパッタして、下地層である白金層によって構成された被成膜面を含む成膜対象の被成膜面に、50nm以上70nm以下の厚さを有する非晶質なCoZnMn膜を150℃以下の温度で形成することと、
前記CoZnMn膜を250℃以上350℃以下の温度で加熱して結晶化させることと、を含む
垂直磁化膜の形成方法。 - 前記CoZnMn膜を形成することは、
前記成膜対象が配置される空間の圧力が、0.07Pa以上1.0Pa以下であることを含む
請求項2に記載の垂直磁化膜の形成方法。 - 白金を主成分とする白金ターゲットをスパッタして成膜対象の被成膜面に下地層である白金層を形成することと、
前記白金層によって構成される被成膜面に垂直磁化膜を形成することと、を含み、
前記垂直磁化膜を形成することは、請求項2または3に記載された垂直磁化膜の形成方法を含む
磁気記憶素子の製造方法。
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WO2016072162A1 (ja) | 2014-11-06 | 2016-05-12 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 磁気素子、スキルミオンメモリ、スキルミオンメモリ搭載固体電子デバイス、データ記録装置、データ処理装置及び通信装置 |
WO2016084683A1 (ja) | 2014-11-27 | 2016-06-02 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 磁気素子、スキルミオンメモリ、スキルミオンメモリ搭載固体電子デバイス、データ記録装置、データ処理装置及び通信装置 |
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