JP7029096B1 - 電力供給回路及びそれを備えた軸受装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】電力供給回路を小型化するとともに、コストを低減する。【解決手段】ラジアル磁気軸受用コイルＡ,Ｃ（1541,1543）を、互いに直列に接続し、第１の上アームスイッチング素子（21a）及び第１の下アームスイッチング素子（21b）の中点と、ラジアル磁気軸受用コイルＡ,Ｃ（1541,1543）の接続点（C1）とを接続し、第１の上アームスイッチング素子（21a）及び第１の下アームスイッチング素子（21b）のそれぞれに、還流ダイオード（22a,22b）を並列に設け、制御部（23）に、ラジアル磁気軸受用コイルＡ（1541）には、接続点（C1）に流入する向きに電流が流れ、ラジアル磁気軸受用コイルＣ（1543）には、接続点（C1）から流出する向きに電流が流れるように、第１の上アームスイッチング素子（21a）及び第１の下アームスイッチング素子（21b）をオンオフさせる。【選択図】図３

Description

本開示は、第１及び第２のアクチュエータコイルが電磁力によって対象物を非接触で支持するように、直流電圧源から前記第１及び第２のアクチュエータコイルにそれぞれ電流を流す電力供給回路及びそれを備えた軸受装置に関する。
特許文献１には、複数のアクチュエータコイルが電磁力によって対象物を非接触で支持するように、直流電圧源から前記複数のアクチュエータコイルにそれぞれ電流を流す電力供給回路を備えた軸受装置が開示されている。この軸受装置では、電力供給回路が、Ｈブリッジ回路をアクチュエータコイル毎に備えている。Ｈブリッジ回路は、２つのレグを備え、各レグは、互いに直列に接続された上アームスイッチング素子、及び下アームスイッチング素子を有するものである。
特開２００３－１３９１３６号公報
前記特許文献１では、電力供給回路に、Ｈブリッジ回路をアクチュエータコイル毎に設けるので、スイッチング素子の数が多くなり、電力供給回路が大型化するとともに、コストが高騰する。
本開示の目的は、電力供給回路を小型化するとともに、コストを低減することにある。
本開示の第１の態様は、第１及び第２のアクチュエータコイル（161a,1541～1544）が電磁力によって対象物（131）を非接触で支持するように、直流電圧源（2）から前記第１及び第２のアクチュエータコイル（161a,1541～1544）にそれぞれ電流を流す電力供給回路であって、互いに直列に接続された第１の上アームスイッチング素子（21a）、及び第１の下アームスイッチング素子（21b）を有し、前記直流電圧源（2）に接続された第１のレグ（211）と、前記第１の上アームスイッチング素子（21a）及び前記第１の下アームスイッチング素子（21b）をオンオフして、前記第１及び第２のアクチュエータコイル（161a,1541～1544）に流す電流を制御する制御部（23）とを備え、前記第１及び第２のアクチュエータコイル（161a,1541～1544）は、互いに直列に接続されたものであり、前記第１の上アームスイッチング素子（21a）及び前記第１の下アームスイッチング素子（21b）の中点と、前記第１及び第２のアクチュエータコイル（161a,1541～1544）の接続点（C1,C2）が接続され、前記第１の上アームスイッチング素子（21a）及び前記第１の下アームスイッチング素子（21b）のそれぞれには、還流ダイオード（22a,22b）が並列に備えられ、前記制御部（23）は、前記第１のアクチュエータコイル（161a,1541,1542）には、前記接続点（C1,C2）に流入する向きに電流が流れ、前記第２のアクチュエータコイル（161a,1543,1544）には、前記接続点（C1,C2）から流出する向きに電流が流れるように制御することを特徴とする。
第１の態様では、第１及び第２のアクチュエータコイル（161a,1541～1544）の両方の電流の制御に、共通の第１のレグ（211）を用いるので、アクチュエータコイル（161a,1541～1544）毎にＨブリッジ回路を設ける必要がない。したがって、第１及び第２のアクチュエータコイル（161a,1541～1544）の電流の制御に用いる電力供給回路（20a,20b,162）のスイッチング素子を削減することにより、電力供給回路（20a,20b,162）を小型化するとともに、コストを削減できる。
本開示の第２の態様は、第１の態様において、第２の下アーム側還流ダイオード（22d）、及び前記第２の下アーム側還流ダイオード（22d）にカソード側から直列に接続された第２の上アームスイッチング素子（21c）を有し、前記直流電圧源（2）に接続された第２のレグ（212）と、第３の上アーム側還流ダイオード（22e）、及び前記第３の上アーム側還流ダイオード（22e）にアノード側から直列に接続された第３の下アームスイッチング素子（21f）を有し、前記直流電圧源（2）に接続された第３のレグ（213）とを備え、前記第１の上アームスイッチング素子（21a）及び前記第１の下アームスイッチング素子（21b）の中点と、前記第２の上アームスイッチング素子（21c）及び前記第２の下アーム側還流ダイオード（22d）の中点との間には、前記第１のアクチュエータコイル（161a,1541,1542）が接続され、前記第１の上アームスイッチング素子（21a）及び前記第１の下アームスイッチング素子（21b）の中点と、前記第３の上アーム側還流ダイオード（22e）及び前記第３の下アームスイッチング素子（21f）の中点との間には、前記第２のアクチュエータコイル（161a,1543,1544）が接続されることを特徴とする。
第２の態様では、第１の上アームスイッチング素子（21a）をオフした状態で、第１の下アームスイッチング素子（21b）と第２の上アームスイッチング素子（21c）とのオンオフを制御することにより、第１のアクチュエータコイル（161a,1541,1542）に流れる電流の量を制御できる。
また、第１の下アームスイッチング素子（21b）をオフした状態で、第１の上アームスイッチング素子（21a）と第３の下アームスイッチング素子（21f）とのオンオフを制御することにより、第２のアクチュエータコイル（161a,1543,1544）に流れる電流の量を制御できる。
本開示の第３の態様は、第２の態様において、前記第１～第３のレグ（211～213）は、同一パッケージ内に収められていることを特徴とする。
第３の態様では、前記第１～第３のレグ（211～213）を１つのパッケージに収めるので、２つ以上のパッケージに収める場合に比べ、電力供給回路（20a,20b,162）を小型化できる。
また、例えば３つのレグを同一パッケージに収めたＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）モジュールは三相交流用に一般に安価に市販されているので、このような市販のＩＧＢＴのレグを前記第１～第３のレグ（211～213）として用いることにより、電力供給回路（20a,20b,162）のコストを削減しやすい。
第４の態様は、第２又は第３の態様において、前記制御部（23）による制御は、第１の指令値（CV1）と、振幅をＡとし、かつ最小値をＭとする三角波形である第１の搬送波（CW1）の値とを比較し、前記第１の下アームスイッチング素子（21b）を、前記第１の指令値（CV1）が前記第１の搬送波（CW1）の値以上である場合にはオン、前記第１の指令値（CV1）が前記第１の搬送波（CW1）の値未満である場合にはオフし、前記第１の指令値（CV1）と、振幅をＡとし、最大値をＭとし、かつ前記第１の搬送波（CW1）との合計値を常に２Ｍとする第２の搬送波（CW2）の値とを比較し、前記第２の上アームスイッチング素子（21c）を、前記第１の指令値（CV1）が前記第２の搬送波（CW2）の値以上である場合にはオン、前記第１の指令値（CV1）が前記第２の搬送波（CW2）の値未満である場合にはオフし、第２の指令値（CV2）と、振幅をＡとし、かつ最小値をＭとする三角波形である第３の搬送波（CW3）の値とを比較し、前記第１の上アームスイッチング素子（21a）を、前記第２の指令値（CV2）が前記第３の搬送波（CW3）の値以上である場合にはオン、前記第２の指令値（CV2）が前記第３の搬送波（CW3）の値未満である場合にはオフし、前記第２の指令値（CV2）と、振幅をＡとし、最大値をＭとし、かつ前記第３の搬送波（CW3）との合計値を常に２Ｍとする第４の搬送波（CW4）の値との比較を行い、前記第３の下アームスイッチング素子（21f）を、前記第２の指令値（CV2）が前記第４の搬送波（CW4）の値以上である場合にはオン、前記第２の指令値（CV2）が前記第４の搬送波（CW4）の値未満である場合にはオフする制御であることを特徴とする。
第４の態様では、制御部（23）は、第１及び第２の指令値（CV1,CV2）に基づいて、第１及び第２の上アームスイッチング素子（21a,21c）と、第１及び第３の下アームスイッチング素子（21b,21f）のオンオフを制御できる。
第５の態様は、第４の態様において、前記第１及び第２の指令値（CV1,CV2）の合計は、２Ｍ＋Ａ未満であり、前記第３の搬送波（CW3）は、前記第１の搬送波（CW1）の位相を１８０度ずらしたものであることを特徴とする。
第５の態様では、第１及び第２の指令値（CV1,CV2）の合計を、２Ｍ＋Ａ未満とし、かつ第３の搬送波（CW3）を、前記第１の搬送波（CW1）の位相を１８０度ずらしたものとしたので、第１の上アームスイッチング素子（21a）と第１の下アームスイッチング素子（21b）が同時にオンすることがない。したがって、第１の上アームスイッチング素子（21a）と第１の下アームスイッチング素子（21b）が同時にオンすることに起因する直流電圧源（2）のプラス側とマイナス側との短絡を防止できる。
第６の態様は、第１～第５の態様のいずれか１つの電力供給回路と、前記第１及び第２のアクチュエータコイル（161a,1541～1544）とを備えた軸受装置であって、前記対象物（131）は、回転駆動するモータ（13）の駆動軸であり、前記第１及び第２のアクチュエータコイル（161a,1541～1544）は、前記制御部（23）による前記制御中に両アクチュエータコイル（161a,1541～1544）の電磁力を互いに反対の方向に作用させることが可能なように配置されていることを特徴とする。
第６の態様では、第１の上アームスイッチング素子（21a）と第１の下アームスイッチング素子（21b）の両方をオンすると直流電圧源（2）のプラス側とマイナス側とが短絡されるので、第１及び第２のアクチュエータコイル（161a,1541～1544）の両方の電流を同時に増加させることはできない。本態様では、第１及び第２のアクチュエータコイル（161a,1541～1544）が互いに反対の方向に電磁力を作用させるように配置されているので、第１及び第２のアクチュエータコイル（161a,1541～1544）の両方の電流を同時に増加させなくても、第１及び第２のアクチュエータコイル（161a,1541～1544）の電磁力により、対象物（131）を互いに反対の２方向に移動させることができる。
図１は、本開示の実施形態１に係るラジアル磁気軸受装置及びスラスト磁気軸受装置を備えたターボ圧縮機の構成を示す概略図である。 図２は、ラジアル磁気軸受本体の概略断面図である。。 図３は、第１及び第２の電力供給回路の構成を示す回路図である。 図４（ａ）は、第１の上アームスイッチング素子、第１の下アームスイッチング素子、第２の上アームスイッチング素子、及び第３の下アームスイッチング素子だけをオンしたときの第１の電力供給回路の回路図である。図４（ｂ）は、第１の上アームスイッチング素子、第２の上アームスイッチング素子、及び第３の下アームスイッチング素子だけをオンしたときの図４（ａ）相当図である。図４（ｃ）は、第１の上アームスイッチング素子、及び第３の下アームスイッチング素子だけをオンしたときの図４（ａ）相当図である。図４（ｄ）は、第１の下アームスイッチング素子、第２の上アームスイッチング素子、及び第３の下アームスイッチング素子だけをオンしたときの図４（ａ）相当図である。図４（ｅ）は、第２の上アームスイッチング素子、及び第３の下アームスイッチング素子だけをオンしたときの図４（ａ）相当図である。図４（ｆ）は、第３の下アームスイッチング素子だけをオンしたときの図４（ａ）相当図である。図４（ｇ）は、第１の下アームスイッチング素子、及び第２の上アームスイッチング素子だけをオンしたときの図４（ａ）相当図である。図４（ｈ）は、第２の上アームスイッチング素子だけをオンしたときの図４（ａ）相当図である。図４（ｉ）は、全てのスイッチング素子をオフしたときの図４（ａ）相当図である。 図５（ａ）は、第１の指令値、第１及び第２の搬送波、第１の下アームスイッチング素子及び第２の上アームスイッチング素子のオンオフ状態、及びラジアル磁気軸受用コイルＡ，Ｂに印可される電圧を示すタイミングチャートである。図５（ｂ）は、第２の指令値、第３及び第４の搬送波、第１の上アームスイッチング素子及び第３の下アームスイッチング素子のオンオフ状態、及びラジアル磁気軸受用コイルＣ，Ｄに印可される電圧を示すタイミングチャートである。
以下、本開示の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態は、本質的に好ましい例示であって、本発明、その適用物、あるいはその用途の範囲を制限することを意図するものではない。
図１は、ターボ圧縮機（1）を示す。このターボ圧縮機（1）は、冷凍サイクルを行う冷媒回路（図示せず）に設けられて冷媒を圧縮するものである。ターボ圧縮機（1）は、ケーシング（11）と、インペラ（12）と、モータ（13）と、１対のタッチダウン軸受（14）と、１対の本開示の実施形態１に係るラジアル磁気軸受装置（15）及びスラスト磁気軸受装置（16）と、電力変換装置（図示せず）とを備えている。
ケーシング（11）は、略円筒状に形成され、円筒軸線が水平向きとなるように配置されている。ケーシング（11）内の空間は、インペラ（12）を収容するためのインペラ室（S1）と、モータ（13）を収容するための電動機室（S2）とに壁部（111）によって軸方向に区画されている。インペラ室（S1）には、吸入管（17）と、吐出管（18）とが接続される。
インペラ（12）は、複数の羽根によって外形が略円錐形状となるように形成されている。インペラ（12）は、インペラ室（S1）に収容されている。
モータ（13）は、永久磁石同期モータ、ベアリングレスモータ等である。モータ（13）は、対象物としての駆動軸（131）と、固定子（132）と、回転子（133）とを有している。駆動軸（131）の一端は、インペラ（12）の幅広側の面の中心に固定されている。駆動軸（131）の他端には、円盤部（131a）が張出形成されている。回転子（133）は、駆動軸（131）に固定され、固定子（132）は、ケーシング（11）に固定されている。回転子（133）及び固定子（132）は、電動機室（S2）に収容されている。モータ（13）は、図示しない電力変換装置の電力供給によって回転駆動する。
１対のタッチダウン軸受（14）のうち、一方のタッチダウン軸受（14）は、駆動軸（131）のインペラ（12）近傍に設けられ、他方のタッチダウン軸受（14）は、駆動軸（131）の円盤部（131a）近傍に設けられている。これらのタッチダウン軸受（14）は、モータ（13）が非通電であるとき（すなわち、駆動軸（131）が浮上していないとき）に駆動軸（131）を支持するように構成されている。
各ラジアル磁気軸受装置（15）は、ラジアル磁気軸受本体（150）と、第１及び第２の電力供給回路（20a,20b）とを有している。ラジアル磁気軸受本体（150）は、モータ（13）の固定子（132）及び回転子（133）の軸方向両側で、ケーシング（11）の内周壁に固定されている。
図２は、ラジアル磁気軸受本体（150）の構成例を示す横断面図である。同図に示すように、ラジアル磁気軸受本体（150）は、ヘテロポーラ型に構成されている。ラジアル磁気軸受本体（150）は、バックヨーク部（152）及び８つのティース部（153）を有する固定子（151）と、８つのティース部（153）に巻回された８つのコイル（1541a,1541b,1542a,1542b,1543a,1543b,1544a,1544b）とを有する。８つのコイル（1541a,1541b,1542a,1542b,1543a,1543b,1544a,1544b）は、周方向に隣り合う１対のティース部（153）に巻回された１対のコイル（1541a,1541b,1542a,1542b,1543a,1543b,1544a,1544b）毎に互いに接続されて第１及び第２のアクチュエータコイルとしてのラジアル磁気軸受用コイルＡ～Ｄ（1541～1544）を構成する。ラジアル磁気軸受用コイルＡ～Ｄ（1541～1544）は、図２における反時計回り方向に周方向に順に並んでいる。ラジアル磁気軸受用コイルＡ～Ｄ（1541～1544）の巻回方向、及びラジアル磁気軸受用コイルＡ～Ｄ（1541～1544）に流れる電流の向きは、図２に示した矢印の方向に磁束が発生するように設定されている。ラジアル磁気軸受用コイルＡ～Ｄ（1541～1544）は、それぞれ、そのラジアル磁気軸受用コイルＡ～Ｄ（1541～1544）に電流を流したときに生じる電磁力によって駆動軸（131）のラジアル荷重を非接触で支持する。ラジアル磁気軸受用コイルＡ（1541）及びラジアル磁気軸受用コイルＣ（1543）は、後述する第１の電力供給回路（20a）の制御部（23）による制御中にラジアル磁気軸受用コイルＡ，Ｃ（1541,1543）の電磁力を互いに反対の方向に作用させることが可能なように互いに対向させて配置されている。ラジアル磁気軸受用コイルＢ（1542）及びラジアル磁気軸受用コイルＤ（1544）は、後述する第２の電力供給回路（20b）の制御部（23）による制御中にラジアル磁気軸受用コイルＢ，Ｄ（1542,1544）の電磁力を互いに反対の方向に作用させることが可能なように互いに対向させて配置されている。
第１の電力供給回路（20a）は、ラジアル磁気軸受用コイルＡ，Ｃ（1541,1543）が電磁力によって駆動軸（131）を非接触で支持するように、直流電圧源（2）からラジアル磁気軸受用コイルＡ，Ｃ（1541,1543）にそれぞれ電流を流す。
第２の電力供給回路（20b）は、ラジアル磁気軸受用コイルＢ，Ｄ（1542,1544）が電磁力によって駆動軸（131）を非接触で支持するように、直流電圧源（2）からラジアル磁気軸受用コイルＢ，Ｄ（1542,1544）にそれぞれ電流を流す。
具体的には、第１及び第２の電力供給回路（20a,20b）は、それぞれ、図３に示すように、第１～第３のレグ（211,212,213）と、制御部（23）とを備えている。
第１のレグ（211）は、第１の上アームスイッチング素子（21a）、第１の下アームスイッチング素子（21b）、第１の上アーム側還流ダイオード（22a）、及び第１の下アーム側還流ダイオード（22b）を有している。第１の上アームスイッチング素子（21a）、及び第１の下アームスイッチング素子（21b）は、互いに直列に接続されている。第１の上アームスイッチング素子（21a）、及び第１の下アームスイッチング素子（21b）には、第１の上アーム側還流ダイオード（22a）及び第１の下アーム側還流ダイオード（22b）がそれぞれ並列に接続され（備えられ）ている。第１の上アーム側還流ダイオード（22a）のカソードは、直流電圧源（2）のプラス側に接続され、第１の上アーム側還流ダイオード（22a）のアノードは、第１の下アームスイッチング素子（21b）に接続されている。第１の下アーム側還流ダイオード（22b）のアノードは、直流電圧源（2）のマイナス側に接続され、第１の下アーム側還流ダイオード（22b）のカソードは、第１の上アームスイッチング素子（21a）に接続されている。このように、第１のレグ（211）は、直流電圧源（2）に接続されている。
第２のレグ（212）は、第２の上アームスイッチング素子（21c）、第２の下アームスイッチング素子（21d）、第２の上アーム側還流ダイオード（22c）、及び第２の下アーム側還流ダイオード（22d）を有している。第２の上アームスイッチング素子（21c）、及び第２の下アームスイッチング素子（21d）は、互いに直列に接続されている。第２の上アームスイッチング素子（21c）、及び第２の下アームスイッチング素子（21d）には、第２の上アーム側還流ダイオード（22c）及び第２の下アーム側還流ダイオード（22d）がそれぞれ並列に接続されている。第２の上アーム側還流ダイオード（22c）のカソードは、直流電圧源（2）のプラス側に接続され、第２の上アーム側還流ダイオード（22c）のアノードは、第２の下アームスイッチング素子（21d）に接続されている。第２の下アーム側還流ダイオード（22d）のアノードは、直流電圧源（2）のマイナス側に接続され、第２の下アーム側還流ダイオード（22d）のカソードは、第２の上アームスイッチング素子（21c）に接続されている。つまり、第２の上アームスイッチング素子（21c）は、第２の下アーム側還流ダイオード（22d）に、当該第２の下アーム側還流ダイオード（22d）のカソード側から直列に接続されている。このように、第２のレグ（212）は、直流電圧源（2）に接続されている。
第３のレグ（213）は、第３の上アームスイッチング素子（21e）、第３の下アームスイッチング素子（21f）、第３の上アーム側還流ダイオード（22e）、及び第３の下アーム側還流ダイオード（22f）を有している。第３の上アームスイッチング素子（21e）、及び第３の下アームスイッチング素子（21f）は、互いに直列に接続されている。第３の上アームスイッチング素子（21e）、及び第３の下アームスイッチング素子（21f）には、第３の上アーム側還流ダイオード（22e）及び第３の下アーム側還流ダイオード（22f）がそれぞれ並列に接続されている。第３の上アーム側還流ダイオード（22e）のカソードは、直流電圧源（2）のプラス側に接続され、第３の上アーム側還流ダイオード（22e）のアノードは、第３の下アームスイッチング素子（21f）に接続されている。つまり、第３の下アームスイッチング素子（21f）は、第３の上アーム側還流ダイオード（22e）に、当該第３の上アーム側還流ダイオード（22e）のアノード側から直列に接続されている。第３の下アーム側還流ダイオード（22f）のアノードは、直流電圧源（2）のマイナス側に接続され、第３の下アーム側還流ダイオード（22f）のカソードは、第３の上アームスイッチング素子（21e）に接続されている。このように、第３のレグ（213）は、直流電圧源（2）に接続されている。
上述のように構成された第１～第３のレグ（211～213）は、同一パッケージ内に収められている。第１～第３のレグ（211～213）として、３相交流用のＩＧＢＴモジュールのパッケージ内に収められた３つのレグが用いられる。
第１の電力供給回路（20a）では、第１の上アームスイッチング素子（21a）及び第１の下アームスイッチング素子（21b）の中点と、第２の上アームスイッチング素子（21c）及び第２の下アーム側還流ダイオード（22d）の中点との間には、ラジアル磁気軸受用コイルＡ（1541）が接続されている。第１の電力供給回路（20a）では、第１の上アームスイッチング素子（21a）及び第１の下アームスイッチング素子（21b）の中点と、第３の上アーム側還流ダイオード（22e）及び第３の下アームスイッチング素子（21f）の中点との間には、前記ラジアル磁気軸受用コイルＣ（1543）が接続されている。つまり、第１の上アームスイッチング素子（21a）及び前記第１の下アームスイッチング素子（21b）の中点と、ラジアル磁気軸受用コイルＡ，Ｃ（1541,1543）の接続点（C1）とが接続されている。
第２の電力供給回路（20b）では、第１の上アームスイッチング素子（21a）及び第１の下アームスイッチング素子（21b）の中点と、第２の上アームスイッチング素子（21c）及び第２の下アーム側還流ダイオード（22d）の中点との間には、ラジアル磁気軸受用コイルＢ（1542）が接続されている。第２の電力供給回路（20b）では、第１の上アームスイッチング素子（21a）及び第１の下アームスイッチング素子（21b）の中点と、第３の上アーム側還流ダイオード（22e）及び第３の下アームスイッチング素子（21f）の中点との間には、前記ラジアル磁気軸受用コイルＤ（1544）が接続されている。つまり、第１の上アームスイッチング素子（21a）及び前記第１の下アームスイッチング素子（21b）の中点と、ラジアル磁気軸受用コイルＢ，Ｄ（1542,1544）の接続点（C2）とが接続されている。
図３中において、ラジアル磁気軸受用コイルＡ～Ｄ（1541～1544）に流れる電流の向きを矢印Ｚで示す。制御部（23）は、ラジアル磁気軸受用コイルＡ，Ｂ（1541,1542）には、前記接続点（C1,C2）に流入する向きに電流が流れ、ラジアル磁気軸受用コイルＣ，Ｄ（1543,1544）には、前記接続点（C1,C2）から流出する向きに電流が流れるように制御する。
詳しくは、第１の電力供給回路（20a）の制御部（23）は、図４（ｂ）～図４（ｉ）に示す８つの電流制御動作を実行する。第２の電力供給回路（20b）の制御部（23）も同様の８つの電流制御動作を実行する。第１及び第２の電力供給回路（20a,20b）の制御部（23）は、モータ（13）の駆動軸（131）の位置が所望の位置となるように、固定子（132）と回転子（133）との間のギャップを検出可能なギャップセンサ（図示せず）の検出値に応じて、前記８つの電流制御動作のうちのいずれか１つを選択して実行する。
なお、図４（ａ）に示すように、第１の上アームスイッチング素子（21a）と第１の下アームスイッチング素子（21b）を同時にオンすると、直流電圧源（2）のプラス側とマイナス側とが短絡されるので、制御部（23）は、第１の上アームスイッチング素子（21a）と第１の下アームスイッチング素子（21b）を同時にオンしない。
また、図４（ｂ）～図４（ｉ）に示す電流制御動作において、制御部（23）は、第２の下アームスイッチング素子（21d）と第３の上アームスイッチング素子（21e）を常にオフにする。
ラジアル磁気軸受用コイルＡ（1541）に流れる電流を維持し、ラジアル磁気軸受用コイルＣ（1543）に流れる電流を増加させる場合には、図４（ｂ）に示すように、制御部（23）は、第１の上アームスイッチング素子（21a）、第２の上アームスイッチング素子（21c）、及び第３の下アームスイッチング素子（21f）をオンし、第１の下アームスイッチング素子（21b）をオフする。これにより、電流を流せる向きが、図４（ｂ）中矢印Ｘ及び矢印Ｙで示す向きとなるので、ラジアル磁気軸受用コイルＡ（1541）に流れる電流が維持されるとともに、ラジアル磁気軸受用コイルＣ（1543）に流れる電流が増加する。
ラジアル磁気軸受用コイルＡ（1541）に流れる電流を減らし、ラジアル磁気軸受用コイルＣ（1543）に流れる電流を増加させる場合には、図４（ｃ）に示すように、第１の上アームスイッチング素子（21a）、及び第３の下アームスイッチング素子（21f）をオンするとともに、第１の下アームスイッチング素子（21b）及び第２の上アームスイッチング素子（21c）をオフする。これにより、電流を流せる向きが、図４（ｃ）中矢印Ｘ及び矢印Ｙで示す向きとなるので、ラジアル磁気軸受用コイルＡ（1541）に流れる電流が減少するとともに、ラジアル磁気軸受用コイルＣ（1543）に流れる電流が増加する。
ラジアル磁気軸受用コイルＡ（1541）に流れる電流を増やし、ラジアル磁気軸受用コイルＣ（1543）に流れる電流を維持する場合には、図４（ｄ）に示すように、第１の下アームスイッチング素子（21b）、第２の上アームスイッチング素子（21c）、及び第３の下アームスイッチング素子（21f）をオンするとともに、第１の上アームスイッチング素子（21a）をオフする。これにより、電流を流せる向きが、図４（ｄ）中矢印Ｘ及び矢印Ｙで示す向きとなるので、ラジアル磁気軸受用コイルＡ（1541）に流れる電流が増加するとともに、ラジアル磁気軸受用コイルＣ（1543）に流れる電流が維持される。
ラジアル磁気軸受用コイルＡ（1541）に流れる電流を維持し、ラジアル磁気軸受用コイルＣ（1543）に流れる電流を維持する場合には、図４（ｅ）に示すように、第２の上アームスイッチング素子（21c）、及び第３の下アームスイッチング素子（21f）をオンするとともに、第１の上アームスイッチング素子（21a）及び第１の下アームスイッチング素子（21b）をオフする。これにより、電流を流せる向きが、図４（ｅ）中矢印Ｘ及び矢印Ｙで示す向きとなるので、ラジアル磁気軸受用コイルＡ（1541）に流れる電流が維持されるともに、ラジアル磁気軸受用コイルＣ（1543）に流れる電流が維持される。
ラジアル磁気軸受用コイルＡ（1541）に流れる電流を減らし、ラジアル磁気軸受用コイルＣ（1543）に流れる電流を維持する場合には、図４（ｆ）に示すように、第３の下アームスイッチング素子（21f）をオンするとともに、第１の上アームスイッチング素子（21a）、第１の下アームスイッチング素子（21b）、及び第２の上アームスイッチング素子（21c）をオフする。これにより、電流を流せる向きが、図４（ｆ）中矢印Ｘ及び矢印Ｙで示す向きとなるので、ラジアル磁気軸受用コイルＡ（1541）に流れる電流が減少するとともに、ラジアル磁気軸受用コイルＣ（1543）に流れる電流が維持される。
ラジアル磁気軸受用コイルＡ（1541）に流れる電流を増やし、ラジアル磁気軸受用コイルＣ（1543）に流れる電流を減らす場合には、図４（ｇ）に示すように、第１の下アームスイッチング素子（21b）、及び第２の上アームスイッチング素子（21c）をオンするとともに、第１の上アームスイッチング素子（21a）及び第３の下アームスイッチング素子（21f）をオフする。これにより、電流を流せる向きが、図４（ｇ）中矢印Ｘ及び矢印Ｙで示す向きとなるので、ラジアル磁気軸受用コイルＡ（1541）に流れる電流が増加するとともに、ラジアル磁気軸受用コイルＣ（1543）に流れる電流が減少する。
ラジアル磁気軸受用コイルＡ（1541）に流れる電流を維持し、ラジアル磁気軸受用コイルＣ（1543）に流れる電流を減らす場合には、図４（ｈ）に示すように、第２の上アームスイッチング素子（21c）をオンするとともに、第１の上アームスイッチング素子（21a）、第１の下アームスイッチング素子（21b）、及び第３の下アームスイッチング素子（21f）をオフする。これにより、電流を流せる向きが、図４（ｈ）中矢印Ｘ及び矢印Ｙで示す向きとなるので、ラジアル磁気軸受用コイルＡ（1541）に流れる電流が維持されるとともに、ラジアル磁気軸受用コイルＣ（1543）に流れる電流が減少する。
ラジアル磁気軸受用コイルＡ（1541）に流れる電流を減らし、ラジアル磁気軸受用コイルＣ（1543）に流れる電流を減らす場合には、図４（ｉ）に示すように、第１の上アームスイッチング素子（21a）、第１の下アームスイッチング素子（21b）、第２の上アームスイッチング素子（21c）、及び第３の下アームスイッチング素子（21f）をオフする。つまり、全てのスイッチング素子（21a～21f）をオフする。これにより、電流を流せる向きが、図４（ｉ）中矢印Ｘ及び矢印Ｙで示す向きとなるので、ラジアル磁気軸受用コイルＡ（1541）に流れる電流が減少するとともに、ラジアル磁気軸受用コイルＣ（1543）に流れる電流が減少する。
このように、第１の電力供給回路（20a）の制御部（23）は、第２の下アームスイッチング素子（21d）及び第３の上アームスイッチング素子（21e）をオフした状態で、第１の下アームスイッチング素子（21b）と第２の上アームスイッチング素子（21c）とのオンオフを制御することにより、ラジアル磁気軸受用コイルＡ（1541）に流れる電流の量を制御できる。
また、第１の電力供給回路（20a）の制御部（23）は、第２の下アームスイッチング素子（21d）及び第３の上アームスイッチング素子（21e）をオフした状態で、第１の上アームスイッチング素子（21a）と第３の下アームスイッチング素子（21f）とのオンオフを制御することにより、ラジアル磁気軸受用コイルＣ（1543）に流れる電流の量を制御できる。
具体的には、第１及び第２の電力供給回路（20a,20b）の制御部（23）は、図５（ａ）に示すように、第１の指令値（CV1）と、第１の搬送波（CW1）の値とを比較し、第１の下アームスイッチング素子（21b）を、第１の指令値（CV1）が第１の搬送波（CW1）の値以上である場合にはオン、第１の指令値（CV1）が第１の搬送波（CW1）の値未満である場合にはオフする制御を行う。第１の搬送波（CW1）は、振幅をＡとし、かつ最小値をＭとする三角波形である。
また、制御部（23）は、第１の指令値（CV1）と、第２の搬送波（CW2）の値とを比較し、第２の上アームスイッチング素子（21c）を、第１の指令値（CV1）が第２の搬送波（CW2）の値以上である場合にはオン、第１の指令値（CV1）が第２の搬送波（CW2）の値未満である場合にはオフする制御を行う。第２の搬送波（CW2）は、振幅をＡとし、最大値をＭとし、かつ第１の搬送波（CW1）との合計値を常に２Ｍとする三角波形である。
また、制御部（23）は、図５（ｂ）に示すように、第２の指令値（CV2）と、第３の搬送波（CW3）の値とを比較し、第１の上アームスイッチング素子（21a）を、第２の指令値（CV2）が第３の搬送波（CW3）の値以上である場合にはオン、第２の指令値（CV2）が第３の搬送波（CW3）の値未満である場合にはオフする制御を行う。第３の搬送波（CW3）は、振幅をＡとし、かつ最小値をＭとする三角波形である。第３の搬送波（CW3）は、第１の搬送波（CW1）の位相を１８０度ずらしたものである。
また、制御部（23）は、第２の指令値（CV2）と、第４の搬送波（CW4）の値との比較を行い、第３の下アームスイッチング素子（21f）を、第２の指令値（CV2）が第４の搬送波（CW4）の値以上である場合にはオン、第２の指令値（CV2）が第４の搬送波（CW4）の値未満である場合にはオフする制御を行う。第４の搬送波（CW4）は、振幅をＡとし、最大値をＭとし、かつ第３の搬送波（CW3）との合計値を常に２Ｍとする三角波形である。
第１及び第２の指令値（CV1,CV2）は、当該第１及び第２の指令値（CV1,CV2）の合計が２Ｍ＋Ａ未満となるように、固定子（132）と回転子（133）との間のギャップを検出するギャップセンサ（図示せず）の検出値に応じて、４０μｓ毎のキャリア比較値更新タイミングに設定される。
第１～第４の搬送波（CW1～CW4）の周期は、８０μｓである。
このように、制御部（23）は、第１及び第２の指令値（CV1,CV2）に基づいて、第１及び第２の上アームスイッチング素子（21a,21c）と、第１及び第３の下アームスイッチング素子（21b,21f）のオンオフを制御できる。
また、第１及び第２の指令値（CV1,CV2）の合計を、２Ｍ＋Ａ未満とし、かつ第３の搬送波（CW3）を、第１の搬送波（CW1）の位相を１８０度ずらしたものとしたので、第１の上アームスイッチング素子（21a）と第１の下アームスイッチング素子（21b）が同時にオンすることがない。したがって、第１の上アームスイッチング素子（21a）と第１の下アームスイッチング素子（21b）が同時にオンすることに起因する直流電圧源（2）のプラス側とマイナス側との短絡を防止できる。また、ラジアル磁気軸受用コイルＡ，Ｃ（1541,1543）に流れる電流を連続的に増加させることができるので、応答性を良くできる。
スラスト磁気軸受装置（16）は、１対のスラスト磁気軸受用電磁石（161）と、第３の電力供給回路（162）とを備えている。両スラスト磁気軸受用電磁石（161）は、円盤部（131a）の軸方向両側に配設されている。各スラスト磁気軸受用電磁石（161）は、アクチュエータコイルとしてのスラスト磁気軸受用コイル（161a）を有している。スラスト磁気軸受用コイル（161a）は、当該スラスト磁気軸受用コイル（161a）に電流を流したときに生じる電磁力によって駆動軸（131）の円盤部（131a）を非接触で支持する。両スラスト磁気軸受用コイル（161a）は、第３の電力供給回路（162）の制御部（23）による制御中に当該両スラスト磁気軸受用コイル（161a）の電磁力を互いに反対の方向に作用させることが可能なように対向配置されている。第３の電力供給回路（162）は、第１及び第２の電力供給回路（20a,20b）と同様の構成を有している。第３の電力供給回路（162）は、円盤部（131a）とスラスト磁気軸受用電磁石（161）との間のギャップを検出可能なギャップセンサ（図示せず）の検出値に基づいて、両スラスト磁気軸受用コイル（161a）に流す電流を制御することにより、駆動軸（131）の円盤部（131a）の軸方向の位置を制御する。
したがって、本実施形態によると、ラジアル磁気軸受用コイルＡ，Ｃ（1541,1543）の電流の制御に、第１の電力供給回路（20a）の共通の第１のレグ（211）を用いるので、ラジアル磁気軸受用コイルＡ，Ｃ（1541,1543）毎にＨブリッジ回路を設ける必要がない。したがって、ラジアル磁気軸受用コイルＡ，Ｃ（1541,1543）の電流の制御に用いる第１の電力供給回路（20a）のスイッチング素子を削減することにより、第１の電力供給回路（20a）を小型化するとともに、コストを削減できる。
同様に、ラジアル磁気軸受用コイルＢ，Ｄ（1542,1544）の電流の制御に、第２の電力供給回路（20b）の共通の第１のレグ（211）を用いるので、ラジアル磁気軸受用コイルＢ，Ｄ（1542,1544）毎にＨブリッジ回路を設ける必要がない。したがって、ラジアル磁気軸受用コイルＢ，Ｄ（1542,1544）の電流の制御に用いる第２の電力供給回路（20b）のスイッチング素子を削減することにより、第２の電力供給回路（20b）を小型化するとともに、コストを削減できる。
同様に、１対のスラスト磁気軸受用コイル（161a）の電流の制御に、第３の電力供給回路（162）の共通の第１のレグ（211）を用いるので、スラスト磁気軸受用コイル（161a）毎にＨブリッジ回路を設ける必要がない。したがって、スラスト磁気軸受用コイル（161a）の電流の制御に用いる第３の電力供給回路（162）のスイッチング素子を削減することにより、第３の電力供給回路（162）を小型化するとともに、コストを削減できる。
また、第１～第３の電力供給回路（20a,20b,162）のそれぞれにおいて、第１～第３のレグ（211～213）を１つのパッケージに収めるので、２つ以上のパッケージに収める場合に比べ、第１～第３の電力供給回路（20a,20b,162）を小型化できる。
また、第１～第３の電力供給回路（20a,20b,162）に設けられるレグ（211～213）の数は３つであり、３つのレグを同一パッケージに収めたＩＧＢＴモジュールは三相交流用に一般に安価に市販されているので、このような市販のＩＧＢＴのレグを第１～第３のレグ（211～213）として用いることにより、第１～第３の電力供給回路（20a,20b,162）のコストを削減しやすい。
また、第１の電力供給回路（20a）において、第１の上アームスイッチング素子（21a）と第１の下アームスイッチング素子（21b）を同時にオンすると直流電圧源（2）のプラス側とマイナス側とが短絡されるので、ラジアル磁気軸受用コイルＡ，Ｃ（1541,1543）の両方の電流を同時に増加させることはできない。しかし、本実施形態では、ラジアル磁気軸受用コイルＡ，Ｃ（1541,1543）が互いに反対の方向に電磁力を作用させるように配置されているので、ラジアル磁気軸受用コイルＡ，Ｃ（1541,1543）の両方の電流を同時に増加させなくても、ラジアル磁気軸受用コイルＡ，Ｃ（1541,1543）の電磁力により、駆動軸（131）を互いに反対の２方向（図２中y軸に沿う２方向）に移動させることができる。
同様に、第２の電力供給回路（20b）においても、第１の上アームスイッチング素子（21a）と第１の下アームスイッチング素子（21b）の両方をオンすると直流電圧源（2）のプラス側とマイナス側とが短絡されるので、ラジアル磁気軸受用コイルＢ，Ｄ（1542,1544）の両方の電流を同時に増加させることはできない。しかし、本実施形態では、ラジアル磁気軸受用コイルＢ，Ｄ（1542,1544）が互いに反対の方向に電磁力を作用させるように配置されているので、ラジアル磁気軸受用コイルＢ，Ｄ（1542,1544）の両方の電流を同時に増加させなくても、ラジアル磁気軸受用コイルＢ，Ｄ（1542,1544）の電磁力により、駆動軸（131）を互いに反対の２方向（図２中x軸に沿う２方向）に移動させることができる。
同様に、第３の電力供給回路（162）においても、第１の上アームスイッチング素子（21a）と第１の下アームスイッチング素子（21b）の両方をオンすると直流電圧源（2）のプラス側とマイナス側とが短絡されるので、両スラスト磁気軸受用コイル（161a）の電流を同時に増加させることはできない。しかし、本実施形態では、両スラスト磁気軸受用コイル（161a）が互いに反対の方向に電磁力を作用させるように配置されているので、両スラスト磁気軸受用コイル（161a）の両方の電流を同時に増加させなくても、両スラスト磁気軸受用コイル（161a）の電磁力により、駆動軸（131）を、両スラスト磁気軸受用コイル（161a）対向方向に沿う２方向に移動させることができる。
なお、本実施形態では、第１～第３の電力供給回路（20a,20b,162）が、それぞれ、共通の軸に沿う互いに反対の２方向に電磁力を作用させるように配置された１対のコイル（1541～1544、161a）に電力を供給したが、異なる軸に沿う方向に電磁力を作用させるように配置された１対のコイルに電力を供給するようにしてもよい。
また、第１～第３の電力供給回路（20a,20b,162）において、第２の下アームスイッチング素子（21d）及び第３の上アームスイッチング素子（21e）は、制御部（23）によって常にオフされるので、設けなくてもよい。
また、本実施形態では、第１～第３の電力供給回路（20a,20b,162）において、第１～第３の上アームスイッチング素子（21a,21c,21e）及び第１～第３の下アームスイッチング素子（21b,21d,21f）をＩＧＢＴで構成したが、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）で構成してもよい。
また、第１～第３の電力供給回路（20a,20b,162）において、第１～第３の上アーム側還流ダイオード（22a,22c,22e）、及び第１～第３の下アーム側還流ダイオード（22b,22d,22f）は、ＩＧＢＴの内蔵ダイオードや、ＭＯＳＦＥＴの寄生ダイオードによって構成してもよい。
また、本実施形態では、モータ（13）の駆動軸（131）を支持するラジアル磁気軸受用コイルＡ～Ｄ（1541～1544）に本発明を適用したが、本発明は、モータ（13）の駆動軸（131）以外の対象物を電磁力によって非接触で支持するアクチュエータコイルにも適用できる。
以上説明したように、本開示は、第１及び第２のアクチュエータコイルが電磁力によって対象物を非接触で支持するように、直流電圧源から前記第１及び第２のアクチュエータコイルにそれぞれ電流を流す電力供給回路及びそれを備えた軸受装置について有用である。
２ 直流電圧源
１３ モータ
１５ ラジアル磁気軸受装置
１６ スラスト磁気軸受装置
２０ａ 第１の電力供給回路
２０ｂ 第２の電力供給回路
２１ａ 第１の上アームスイッチング素子
２１ｂ 第１の下アームスイッチング素子
２１ｃ 第２の上アームスイッチング素子
２１ｆ 第３の下アームスイッチング素子
２２ａ 第１の上アーム側還流ダイオード
２２ｂ 第１の下アーム側還流ダイオード
２２ｄ 第２の下アーム側還流ダイオード
２２ｅ 第３の上アーム側還流ダイオード
２３ 制御部
１３１ 駆動軸（対象物）
１６１ａ スラスト磁気軸受用コイル（第１及び第２のアクチュエータコイル）
１６２ 第３の電力供給回路
２１１ 第１のレグ
２１２ 第２のレグ
２１３ 第３のレグ
１５４１ ラジアル磁気軸受用コイルＡ（第１のアクチュエータコイル）
１５４２ ラジアル磁気軸受用コイルＢ（第１のアクチュエータコイル）
１５４３ ラジアル磁気軸受用コイルＣ（第２のアクチュエータコイル）
１５４４ ラジアル磁気軸受用コイルＤ（第２のアクチュエータコイル）
Ｃ１、Ｃ２ 接続点
ＣＶ１ 第１の指令値
ＣＶ２ 第２の指令値
ＣＷ１ 第１の搬送波
ＣＷ２ 第２の搬送波
ＣＷ３ 第３の搬送波
ＣＷ４ 第４の搬送波

Claims (6)

  1. 第１及び第２のアクチュエータコイル（161a,1541～1544）が電磁力によって対象物（131）を非接触で支持するように、直流電圧源（2）から前記第１及び第２のアクチュエータコイル（161a,1541～1544）にそれぞれ電流を流す電力供給回路であって、
    互いに直列に接続された第１の上アームスイッチング素子（21a）、及び第１の下アームスイッチング素子（21b）を有し、前記直流電圧源（2）に接続された第１のレグ（211）と、
    前記第１の上アームスイッチング素子（21a）及び前記第１の下アームスイッチング素子（21b）をオンオフして、前記第１及び第２のアクチュエータコイル（161a,1541～1544）に流す電流を制御する制御部（23）とを備え、
    前記第１及び第２のアクチュエータコイル（161a,1541～1544）は、互いに直列に接続されたものであり、
    前記第１の上アームスイッチング素子（21a）及び前記第１の下アームスイッチング素子（21b）の中点と、前記第１及び第２のアクチュエータコイル（161a,1541～1544）の接続点（C1,C2）が接続され、
    前記第１の上アームスイッチング素子（21a）及び前記第１の下アームスイッチング素子（21b）のそれぞれには、還流ダイオード（22a,22b）が並列に備えられ、
    前記制御部（23）は、前記第１のアクチュエータコイル（161a,1541,1542）には、前記接続点（C1,C2）に流入する向きに電流が流れ、前記第２のアクチュエータコイル（161a,1543,1544）には、前記接続点（C1,C2）から流出する向きに電流が流れるように制御することを特徴とする電力供給回路。
  2. 請求項１に記載の電力供給回路において、
    第２の下アーム側還流ダイオード（22d）、及び前記第２の下アーム側還流ダイオード（22d）にカソード側から直列に接続された第２の上アームスイッチング素子（21c）を有し、前記直流電圧源（2）に接続された第２のレグ（212）と、
    第３の上アーム側還流ダイオード（22e）、及び前記第３の上アーム側還流ダイオード（22e）にアノード側から直列に接続された第３の下アームスイッチング素子（21f）を有し、前記直流電圧源（2）に接続された第３のレグ（213）とを備え、
    前記第１の上アームスイッチング素子（21a）及び前記第１の下アームスイッチング素子（21b）の中点と、前記第２の上アームスイッチング素子（21c）及び前記第２の下アーム側還流ダイオード（22d）の中点との間には、前記第１のアクチュエータコイル（161a,1541,1542）が接続され、
    前記第１の上アームスイッチング素子（21a）及び前記第１の下アームスイッチング素子（21b）の中点と、前記第３の上アーム側還流ダイオード（22e）及び前記第３の下アームスイッチング素子（21f）の中点との間には、前記第２のアクチュエータコイル（161a,1543,1544）が接続されることを特徴とする電力供給回路。
  3. 請求項２に記載の電力供給回路において、
    前記第１～第３のレグ（211～213）は、同一パッケージ内に収められていることを特徴とする電力供給回路。
  4. 請求項２又は３に記載の電力供給回路において、
    前記制御部（23）による制御は、第１の指令値（CV1）と、振幅をＡとし、かつ最小値をＭとする三角波形である第１の搬送波（CW1）の値とを比較し、前記第１の下アームスイッチング素子（21b）を、前記第１の指令値（CV1）が前記第１の搬送波（CW1）の値以上である場合にはオン、前記第１の指令値（CV1）が前記第１の搬送波（CW1）の値未満である場合にはオフし、
    前記第１の指令値（CV1）と、振幅をＡとし、最大値をＭとし、かつ前記第１の搬送波（CW1）との合計値を常に２Ｍとする第２の搬送波（CW2）の値とを比較し、前記第２の上アームスイッチング素子（21c）を、前記第１の指令値（CV1）が前記第２の搬送波（CW2）の値以上である場合にはオン、前記第１の指令値（CV1）が前記第２の搬送波（CW2）の値未満である場合にはオフし、
    第２の指令値（CV2）と、振幅をＡとし、かつ最小値をＭとする三角波形である第３の搬送波（CW3）の値とを比較し、前記第１の上アームスイッチング素子（21a）を、前記第２の指令値（CV2）が前記第３の搬送波（CW3）の値以上である場合にはオン、前記第２の指令値（CV2）が前記第３の搬送波（CW3）の値未満である場合にはオフし、
    前記第２の指令値（CV2）と、振幅をＡとし、最大値をＭとし、かつ前記第３の搬送波（CW3）との合計値を常に２Ｍとする第４の搬送波（CW4）の値との比較を行い、前記第３の下アームスイッチング素子（21f）を、前記第２の指令値（CV2）が前記第４の搬送波（CW4）の値以上である場合にはオン、前記第２の指令値（CV2）が前記第４の搬送波（CW4）の値未満である場合にはオフする制御であることを特徴とする電力供給回路。
  5. 請求項４に記載の電力供給回路において、
    前記第１及び第２の指令値（CV1,CV2）の合計は、２Ｍ＋Ａ未満であり、
    前記第３の搬送波（CW3）は、前記第１の搬送波（CW1）の位相を１８０度ずらしたものであることを特徴とする電力供給回路。
  6. 請求項１～５のいずれか１項に記載の電力供給回路と、
    前記第１及び第２のアクチュエータコイル（161a,1541～1544）とを備えた軸受装置であって、
    前記対象物（131）は、回転駆動するモータ（13）の駆動軸であり、
    前記第１及び第２のアクチュエータコイル（161a,1541～1544）は、前記制御部（23）による前記制御中に両アクチュエータコイル（161a,1541～1544）の電磁力を互いに反対の方向に作用させることが可能なように配置されていることを特徴とする軸受装置。
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