JP7024936B2 - イオン源及びイオン注入装置 - Google Patents
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Description
本発明では、前記温度制御機構は、前記放電補助ガス供給管の先端部分の領域に、前記イオン生成容器の近傍で、かつ、前記原料気体導入管を取り囲むように配置された被加熱部分を有し、さらに、当該被加熱部分を周囲から取り囲むように熱反射部材が設けられている場合にも効果的である。
本発明では、前記金属材料がマグネシウムであり、前記放電補助ガスがアルゴンである場合にも効果的である。
また、本発明は、上述したいずれかのイオン源を有し、当該イオン源から放出されたイオンビームを基板に照射して注入するように構成されているイオン注入装置である。
そして、このような本発明によれば、安定したイオンビーム電流を得ることができる。
図1は、本発明のイオン源を用いたイオン注入装置の実施の形態の全体を示す概略構成図である。
質量分析装置24は電磁石25a、25bを有している。
図2に示すように、本例のイオン源10は、上述したイオン注入装置1(図1参照)の真空状態にされたイオン生成室12内に配置されるものである。
したがって、このような現象を防止するためには、上述した構成を採用することが好ましい。
そして、このような本実施の形態によれば、安定したイオンビーム電流を得ることができる。
例えば、上記実施の形態においては、温度制御機構8として、放電補助ガス供給管6の先端部分の領域に原料気体導入管4を取り囲むように配置された被加熱部分6Aを設けるようにしたが、本発明はこれに限られず、この被加熱部分6Aの大きさや形状は適宜変更することができる。
2……イオン生成容器
2a…熱電子放出部
2b…対向反射電極
3……イオン原料供給部
4……原料気体導入管
6……放電補助ガス供給管
6A…被加熱部分
8……温度制御機構
9……熱反射部材
10……イオン源
11……主真空室
12……イオン生成室
13……注入室
20……スリット
21……ガス供給装置
30……金属材料
40……放電補助ガス
Claims (4)
- 原料気体導入管を介して導入された金属材料の加熱気体を真空放電させて当該金属のイオンを生成するイオン生成容器と、
前記原料気体導入管に接続され、当該原料気体導入管を介して前記イオン生成容器内に放電補助ガスを供給する放電補助ガス供給管とを有し、
前記イオン生成容器の近傍に、前記原料気体導入管に接続された前記放電補助ガス供給管の先端部分の領域を加熱してその温度を前記原料気体導入管の温度に近接させるように制御する温度制御機構が設けられているイオン源。 - 前記温度制御機構は、前記放電補助ガス供給管の先端部分の領域に、前記イオン生成容器の近傍で、かつ、前記原料気体導入管を取り囲むように配置された被加熱部分を有し、さらに、当該被加熱部分を周囲から取り囲むように熱反射部材が設けられている請求項1記載のイオン源。
- 前記金属材料がマグネシウムであり、前記放電補助ガスがアルゴンである請求項1又は2のいずれか1項記載のイオン源。
- 請求項1乃至3のいずれか1項記載のイオン源を有し、
当該イオン源から放出されたイオンビームを基板に照射して注入するように構成されているイオン注入装置。
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