JP7004138B2 - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
S・・・ソース電極、SP・・・スペーサ、SWC・・・スイッチング回路部
Claims (2)
- 流体に浸漬されて冷却される半導体装置であって、
板状に形成され、その表面及び裏面が電極としてそれぞれ機能する半導体素子と、
前記半導体素子の表面に電気的に接続された導電線と、
板状に形成され、前記半導体素子の裏面に電気的に接続された電極板と、
を備え、
前記半導体素子の稜線部、及び前記導電線と前記半導体素子との接合部における稜線部が電気絶縁材で皮膜されていて、
前記電気絶縁材からなる皮膜は、単体又は3層以下の積層体であり、且つ当該皮膜の膜厚が20μm以上、80μm以下である、半導体装置。 - 流体に浸漬されて冷却される半導体装置の製造方法であって、
板状に形成され、その表面及び裏面が電極としてそれぞれ機能する半導体素子と、前記半導体素子の表面に電気的に接続された導電線と、板状に形成され、前記半導体素子の裏面に電気的に接続された電極板と、を備えた半導体装置における前記半導体素子の表面に、電気絶縁材を滴下する第1工程と、
前記半導体素子の稜線部、及び前記導電線と前記半導体素子との接合部における稜線部が、前記電気絶縁材によって皮膜されるように、前記滴下した電気絶縁材を流動させる第2工程と、
前記電気絶縁材を硬化させる第3工程と、
を含む皮膜形成工程を、前記稜線部の膜厚が所定の膜厚に達するまで所定回数繰り返し実施する工程を含み、
前記所定の膜厚が20μm以上、80μm以下であり、且つ前記所定回数が3回以下である、半導体装置の製造方法。
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JP2005238676A (ja) | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Kyocera Corp | 樹脂供給装置 |
JP2017118050A (ja) | 2015-12-25 | 2017-06-29 | アイシン精機株式会社 | 半導体ユニット |
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