JP6995716B2 - 銅及びシリカ貫通電極(tsv)用途のための化学機械平坦化(cmp)組成物並びにその方法 - Google Patents
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- H01L21/32115—Planarisation
- H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
Description
a)研磨剤、
b)3種のキレート剤、
c)腐食防止剤、
d)有機4級アンモニウム塩、
e)酸化剤、
f)殺生物剤、及び
g)水、任意選択で、
h)pH調整剤
を含む銅バルク化学機械研磨(CMP)又はシリカ貫通電極(TSV)組成物であって、
3種のキレート剤が、アミノ酸、アミノ酸誘導体、有機アミン、及びそれらの組み合わせからなる群より選択され、少なくとも1つのキレート剤がアミノ酸又はアミノ酸誘導体であり、
pHが3.0~12.0、好ましくは5.5~7.5、より好ましくは7.0~7.35である、組成物を提供する。
1.半導体基材を提供する工程と、
2.研磨パッドを提供する工程と、
3.a)研磨剤、
b)3種のキレート剤、
c)腐食防止剤、
d)有機4級アンモニウム塩、
e)酸化剤、
f)殺生物剤、及び
g)水、任意選択で、
h)pH調整剤
を含み、3種のキレート剤が、アミノ酸、アミノ酸誘導体、有機アミン、及びそれらの組み合わせからなる群より選択され、少なくとも1つのキレート剤がアミノ酸又はアミノ酸誘導体であり、
pHが3.0~12.0、好ましくは5.5~7.5、より好ましくは7.0~7.35である化学機械研磨又はシリカ貫通電極(TSV)組成物を提供する工程と、
4.少なくとも1つの銅又は銅含有表面を研磨パッド及び化学機械研磨組成物と接触させる工程と、
5.少なくとも1つの銅又は銅含有表面を研磨する工程であって、表面の少なくとも一部が研磨パッド及び化学機械研磨組成物の両方と接触している工程とを含む方法を提供する。
a)第1の材料及び少なくとも1つの第2の材料を含有する少なくとも1つの表面を有する半導体基材を提供する工程と、
b)研磨パッドを提供する工程と、
c)1)研磨剤、
2)3種のキレート剤、
3)腐食防止剤、
4)有機4級アンモニウム塩、
5)酸化剤、
6)殺生物剤、及び
7)水、任意選択で、
8)pH調整剤
を含み、3種のキレート剤が、アミノ酸、アミノ酸誘導体、有機アミン、及びそれらの組み合わせからなる群より選択され、少なくとも1つのキレート剤がアミノ酸又はアミノ酸誘導体であり、
組成物のpHが3.0~12.0、好ましくは5.5~7.5、より好ましくは7.0~7.35であり、Cu研磨組成物のpHが約3.0~約12.0である化学機械研磨又はシリカ貫通電極(TSV)組成物を提供する工程と、
d)少なくとも1つの表面を研磨パッド及び化学機械研磨組成物と接触させる工程と、
e)少なくとも1つの表面を研磨して、第1の材料を選択的に除去する工程と
を含む、選択的化学機械研磨方法であって、第1の材料の除去速度:第2の材料の除去速度が500以上:1、好ましくは1000以上:1、より好ましくは3000以上:1であり、
第1の材料が銅であり、第2の材料が、Ta、TaN、Ti及びTiN膜のようなバリア層、TEOS、低k及び超低k膜のような誘電体層からなる群より選択される、方法を提供する。
1.半導体基材と、
2.研磨パッドと、
3.a)研磨剤、
b)3種のキレート剤、
c)腐食防止剤、
d)有機4級アンモニウム塩、
e)殺生物剤、及び
f)水、任意選択で、
g)pH調整剤
を含み、3種のキレート剤が、アミノ酸、アミノ酸誘導体、有機アミン、及びそれらの組み合わせからなる群より選択され、少なくとも1つのキレート剤がアミノ酸又はアミノ酸誘導体であり、
pHが3.0~12.0、好ましくは5.5~7.5、より好ましくは7.0~7.35である化学機械研磨又はシリカ貫通電極(TSV)組成物とを含む、半導体基材の少なくとも1つの銅又は銅含有表面を化学機械研磨するシステムであって、
少なくとも1つの銅又は銅含有表面の少なくとも一部が、研磨パッド及び化学機械研磨又はシリカ貫通電極(TSV)組成物の両方に接触しているシステムを提供する。
研磨パッド:Dow Chemical Companyにより提供された研磨パッド、IC1010パッド又は他の研磨パッドをCuCMP中に使用した。
Å:オングストローム-長さの単位
BP:背圧、psi単位
CMP:化学機械平坦化=化学機械研磨
CS:キャリア速度
DF:下向きの力:CMP中に適用される圧力、単位psi
min:分
ml:ミリメートル
mV:ミリボルト
psi:ポンド/平方インチ
PS:研磨ツールのプラテン回転速度、rmp(回転数/分)
SF:研磨組成物流、ml/分
除去速度
Cu RR 1.5psi:CMPツールの1.5psiの下向きの圧力で測定された銅除去速度
Cu RR 2.5psi:CMPツールの2.5psiの下向きの圧力で測定された銅除去速度
別段で示されていない限り、全てのパーセンテージは重量パーセントである。以下で示される例において、以下に与えられる手順及び実験条件を使用してCMP実験を行った。例で使用したCMPツールは、Applied Materials(3050 Boweres Avenue,Santa Clara,California,95054)製の300mm LK(登録商標)研磨機、又はMirra(登録商標)研磨機であった。Dow Chemicals Companyから提供されるIC1010パッド又は他のタイプの研磨パッドを、ブランケットウエハ研磨の実験のためにプラテン上で使用した。25分間ダミー酸化物(TEOS前駆体からプラズマCVDで堆積された、PETEOS)ウエハを研磨することでパッドを目立て(broken-in)した。ツールの設定及びパッドの目立てを適切に行うために、基準の条件で、Air Products Chemicals社のPlanarization Platformにより提供されるSyton(登録商標)OX-Kコロイダルシリカで2つのPETEOSモニターを研磨した。10.8Kオングストロームの厚さを持つブランケットCuウエハ、Taブランケットウエハ及びTEOSブランケットウエハを使用して研磨実験を行った。これらのブランケットウエハは、Silicon Valley Microelectronics(1150 Campbell Ave,CA,95126)から購入した。
以下の実施例において、1種のキレート剤を含むCuスラリー組成物は、0.713wt%のグリシン、0.0323wt%の1,2,4-トリアゾール、0.00644wt%の高純度コロイダルシリカ、及び0.00018wt%の殺生物剤を含んでいた。2種のキレート剤を含むCuスラリー#1組成物は、0.5wt%のグリシン、0.70625wt%のアラニン、0.03525wt%の1,2,4-トリアゾール、0.01042wt%の高純度コロイダルシリカ、及び0.00016wt%の殺生物剤を含んでいた。3種のキレート剤を含むCuスラリー#2組成物は、0.5wt%のグリシン、0.70625wt%のアラニン、0.0012wt%のエチレンジアミン、0.00289wt%の重炭酸コリン、0.03525wt%の1,2,4-トリアゾール、0.01042wt%の高純度コロイダルシリカ、及び0.00016wt%の殺生物剤を含んでいた。
CuバルクCMP研磨組成物を使用した研磨結果を表1に示し、そして図1に示す。
追加の添加剤として重炭酸コリンを含むか又は含まない3種キレート剤系CuCMP研磨組成物と、1種キレート剤系Cu研磨組成物との幅広Cuラインフィーチャディッシングへの研磨影響を表2に示し、そして図2及び図3に示した。
3種キレート剤系Cuスラリー又は重炭酸コリン塩を含むキレート剤系Cuスラリーではまた、1種キレート剤系Cuスラリーに比べて有意にCu欠陥数が低減した。1.5psi DFでの0.2ミクロンのCu欠陥数の結果を表3に示す。
Claims (20)
- a)コロイダルシリカ又は高純度コロイダルシリカ;コロイダルシリカの格子内に他の金属酸化物がドープしたコロイダルシリカ粒子;アルファ型、ベータ型及びガンマ型酸化アルミニウムを含むコロイダル酸化アルミニウム;コロイド状光活性二酸化チタン;酸化セシウム;コロイダル酸化セシウム;ナノサイズ無機金属酸化物粒子;ナノサイズダイアモンド粒子;ナノサイズ窒化ケイ素粒子;単峰性、二峰性、多峰性コロイダル研磨粒子;有機ポリマー系ソフト研磨剤;表面コーティング研磨剤又は改質研磨剤;複合粒子;並びにそれらの組み合わせからなる群より選択される0.0025~25wt%の研磨剤と、
b)2つのアミノ酸と1つの有機アミン、又は1つのアミノ酸と1つのアミノ酸誘導体と1つの有機アミン、又は2つの有機アミンと1つのアミノ酸、又は2つの有機アミンと1つのアミノ酸誘導体の組み合わせより選択される0.1~18.0wt%の3種のキレート剤である、3種のキレート剤と、
c)0.005~0.5wt%の腐食防止剤と、
d)コリンと他のアニオン性カウンターイオンとの間で形成されたコリン塩である、0.0005~0.25wt%の有機4級アンモニウム塩と、
e)0.1~10wt%の酸化剤と、
f)0.0001~0.05wt%の殺生物剤と、
g)0~1wt%のpH調整剤と、
h)水と
を含み、3.0~12.0のpHを有する銅化学機械研磨(CMP)組成物であって、
前記アミノ酸又は前記アミノ酸誘導体が、グリシン、D-アラニン、L-アラニン、DL-アラニン、ベータ-アラニン、バリン、ロイシン、イソロイシン、フェニルアミン、プロリン、セリン、トレオニン、チロシン、グルタミン、アスパラギン、グルタミン酸、アスパラギン酸、トリプトファン、ヒスチジン、アルギニン、リシン、メチオニン、システイン、イミノ二酢酸、及びそれらの組み合わせからなる群より選択され、
前記有機アミンが、式:
式:
式:
式:
式:
式:
及びそれらの組み合わせからなる群より選択される一般分子構造を有する、銅化学機械研磨(CMP)組成物。 - 前記コリン塩が、以下:
前記腐食防止剤が、1,2,4-トリアゾール、ベンゾトリアゾール及びベンゾトリアゾール誘導体、テトラゾール及びテトラゾール誘導体、イミダゾール及びイミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール及びベンゾトリアゾール誘導体、ピラゾール及びピラゾール誘導体、テトラゾール及びテトラゾール誘導体、並びにそれらの組み合わせからなる群より選択され、
前記酸化剤が、過ヨウ素酸、過酸化水素、ヨウ素酸カリウム、過マンガン酸カリウム、過硫酸アンモニウム、モリブデン酸アンモニウム、硝酸第二鉄、硝酸、硝酸カリウム、及びそれらの組み合わせからなる群より選択され、
前記殺生物剤が、5-クロロ-2-メチル-4-イソチアゾリン-3-オン、2-メチル-4-イソチアゾリン-3-オン、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される活性成分を有し、
前記pH調整剤が、(1)pHを酸性に調整するために硝酸、塩酸、硫酸、リン酸、及びそれらの組み合わせからなる群より選択されるか、又は(2)pHをアルカリ性に調整するために水素化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化アンモニウム、テトラアルキル水酸化アンモニウム、有機アミン、及びそれらの組み合わせからなる群より選択されるかのいずれかである、請求項1に記載の銅化学機械研磨(CMP)組成物。 - 前記有機アミンが、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、ブチレンジアミン、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項1に記載の銅化学機械研磨(CMP)組成物。
- 前記3種のキレート剤が、(1)エチレンジアミン、プロピレンジアミン、及びブチレンジアミンからなる群より選択される1つの有機アミン、並びに(2)2つの異なるアミノ酸、2つの異なるアミノ酸誘導体、又は1つのアミノ酸と1つのアミノ酸誘導体との組み合わせから選択される、請求項1に記載の銅化学機械研磨(CMP)組成物。
- 0.0025~2.5wt%のコロイダルシリカ又は高純度コロイダルシリカと、
合計0.5~10.0wt%の、(1)エチレンジアミン、プロピレンジアミン、及びブチレンジアミンからなる群より選択される1つの有機アミン、並びに(2)2つの異なるアミノ酸、2つの異なるアミノ酸誘導体、又は1つのアミノ酸と1つのアミノ酸誘導体との組み合わせと、
0.001~0.05wt%の重炭酸コリン塩とを含み、
5.5~7.5のpHを有する、請求項1に記載の銅化学機械研磨(CMP)組成物。 - 0.0025~2.5wt%のコロイダルシリカ又は高純度コロイダルシリカと、
合計1.0~2.5wt%の、(1)エチレンジアミン、プロピレンジアミン、及びブチレンジアミンから選択される1つの有機アミン、並びに(2)グリシン、D-アラニン、L-アラニン、DL-アラニン、ベータ-アラニン、他のアミノ酸、及びそれらの誘導体からなる群より選択される2つの異なるアミノ酸と、
0.001~0.05wt%の重炭酸コリン塩とを含み、
5.5~7.5のpHを有する、請求項1に記載の銅化学機械研磨(CMP)組成物。 - 0.005~0.15wt%のコロイダルシリカ又は高純度コロイダルシリカと、
合計0.5~1.5wt%のエチレンジアミン、グリシン及びDL-アラニンと、
0.002~0.01wt%の重炭酸コリン塩と、
0.5~2.0wt%の過ヨウ素酸又は過酸化水素と、
0.025~0.05wt%の1,2,4-トリアゾール、又はベンゾトリアゾール及びベンゾトリアゾール誘導体と、
0.002~0.010wt%の、5-クロロ-2-メチル-4-イソチアゾリン-3-オン、2-メチル-4-イソチアゾリン-3-オン、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される活性成分を有する殺生物剤とを含み、
7.0~7.35のpHを有する、請求項1に記載の銅化学機械研磨(CMP)組成物。 - 銅(Cu)又は銅含有材料と少なくとも1つの第2の材料とを含む少なくとも1つの表面を有する半導体基材を化学機械研磨する方法であって、
1)前記半導体基材を提供する工程と、
2)研磨パッドを提供する工程と、
3)Cu化学機械研磨組成物であって、
a)コロイダルシリカ又は高純度コロイダルシリカ;コロイダルシリカの格子内に他の金属酸化物がドープしたコロイダルシリカ粒子;アルファ型、ベータ型及びガンマ型酸化アルミニウムを含むコロイダル酸化アルミニウム;コロイド状光活性二酸化チタン;酸化セシウム;コロイダル酸化セシウム;ナノサイズ無機金属酸化物粒子;ナノサイズダイアモンド粒子;ナノサイズ窒化ケイ素粒子;単峰性、二峰性、多峰性コロイダル研磨粒子;有機ポリマー系ソフト研磨剤;表面コーティング研磨剤又は改質研磨剤;複合粒子;並びにそれらの組み合わせからなる群より選択される0.0025~25wt%の研磨剤と、
b)2つのアミノ酸と1つの有機アミン、又は1つのアミノ酸と1つのアミノ酸誘導体と1つの有機アミン、又は2つの有機アミンと1つのアミノ酸、又は2つの有機アミンと1つのアミノ酸誘導体の組み合わせより選択される0.1~18.0wt%の3種のキレート剤である、3種のキレート剤と、
c)0.005~0.5wt%の腐食防止剤と、
d)コリンと他のアニオン性カウンターイオンとの間で形成されたコリン塩である、0.0005~0.25wt%の有機4級アンモニウム塩と、
e)0.1~10wt%の酸化剤と、
f)0.0001~0.05wt%の殺生物剤と、
g)0~1wt%のpH調整剤と、
h)水と
を含み、3.0~12.0のpHを有し、
前記アミノ酸又は前記アミノ酸誘導体が、グリシン、D-アラニン、L-アラニン、DL-アラニン、ベータ-アラニン、バリン、ロイシン、イソロイシン、フェニルアミン、プロリン、セリン、トレオニン、チロシン、グルタミン、アスパラギン、グルタミン酸、アスパラギン酸、トリプトファン、ヒスチジン、アルギニン、リシン、メチオニン、システイン、イミノ二酢酸、及びそれらの組み合わせからなる群より選択され、
前記有機アミンが、式:
式:
式:
式:
式:
式:
及びそれらの組み合わせからなる群より選択される一般分子構造を有するCu化学機械研磨組成物を提供する工程と、
4)前記少なくとも1つの表面を前記研磨パッド及び前記Cu化学機械研磨組成物に接触させる工程と、
5)前記少なくとも1つの表面を研磨して、銅又は銅含有材料を除去する工程であって、前記銅(Cu)又は銅含有材料と少なくとも1つの第2の材料とを含む少なくとも1つの表面の少なくとも一部が、前記研磨パッド及び前記Cu化学機械研磨組成物の両方に接触している工程とを含む、方法。 - 前記第2の材料が、Ta、TaN、Ti及びTiN膜からなる群より選択されるバリア層;TEOS、低k及び超低k膜からなる群より選択される誘電体層からなる群より選択され、
Cuの除去速度:前記第2の材料の除去速度が、500以上:1である、請求項8に記載の化学機械研磨のための方法。 - 前記Cu化学機械研磨組成物が、以下:
1,2,4-トリアゾール、ベンゾトリアゾール及びベンゾトリアゾール誘導体、テトラゾール及びテトラゾール誘導体、イミダゾール及びイミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール及びベンゾトリアゾール誘導体、ピラゾール及びピラゾール誘導体、テトラゾール及びテトラゾール誘導体、並びにそれらの組み合わせからなる群より選択される腐食防止剤と、
過ヨウ素酸、過酸化水素、ヨウ素酸カリウム、過マンガン酸カリウム、過硫酸アンモニウム、モリブデン酸アンモニウム、硝酸第二鉄、硝酸、硝酸カリウム、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される酸化剤と、
5-クロロ-2-メチル-4-イソチアゾリン-3-オン、2-メチル-4-イソチアゾリン-3-オン、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される活性成分を有する殺生物剤と、
(1)pHを酸性に調整するために硝酸、塩酸、硫酸、リン酸、及びそれらの組み合わせからなる群より選択されるか、又は(2)pHをアルカリ性に調整するために水素化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化アンモニウム、テトラアルキル水酸化アンモニウム、有機アミン、及びそれらの組み合わせからなる群より選択されるかのいずれかであるpH調整剤とを含む、請求項8に記載の化学機械研磨のための方法。 - 前記Cu化学機械研磨組成物が、(1)エチレンジアミン、プロピレンジアミン、及びブチレンジアミンからなる群より選択される1つの有機アミン、並びに(2)2つの異なるアミノ酸、2つの異なるアミノ酸誘導体、又は1つのアミノ酸と1つのアミノ酸誘導体との組み合わせから選択される3種のキレート剤を含む、請求項8に記載の化学機械研磨のための方法。
- 前記Cu化学機械研磨組成物が、
0.0025~2.5wt%のコロイダルシリカ又は高純度コロイダルシリカと、
合計0.1~18.0wt%の、(1)エチレンジアミン、プロピレンジアミン、及びブチレンジアミンからなる群より選択される1つの有機アミン、並びに(2)2つの異なるアミノ酸、2つの異なるアミノ酸誘導体、又は1つのアミノ酸と1つのアミノ酸誘導体との組み合わせと、
0.001~0.05wt%の重炭酸コリン塩とを含み、
5.5~7.5のpHを有する、請求項8に記載の化学機械研磨のための方法。 - 前記Cu化学機械研磨組成物が、
0.0025~2.5wt%のコロイダルシリカ又は高純度コロイダルシリカと、
合計0.5~1.5wt%の、(1)エチレンジアミン、プロピレンジアミン、及びブチレンジアミンから選択される1つの有機アミン、並びに(2)グリシン、D-アラニン、L-アラニン、DL-アラニン、ベータ-アラニン、他のアミノ酸、及びそれらの誘導体からなる群より選択される2つの異なるアミノ酸と、
0.001~0.05wt%の重炭酸コリン塩とを含み、
5.5~7.5のpHを有する、請求項8に記載の化学機械研磨のための方法。 - 前記Cu化学機械研磨組成物が、
0.005~0.15wt%のコロイダルシリカ又は高純度コロイダルシリカと、
合計0.5~1.5wt%のエチレンジアミン、グリシン及びDL-アラニンと、
0.002~0.01wt%の重炭酸コリン塩と、
0.5~2.0wt%の過ヨウ素酸又は過酸化水素と、
0.025~0.05wt%の1,2,4-トリアゾール、又はベンゾトリアゾール及びベンゾトリアゾール誘導体と、
0.002~0.010wt%の、5-クロロ-2-メチル-4-イソチアゾリン-3-オン、2-メチル-4-イソチアゾリン-3-オン、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される活性成分を有する殺生物剤とを含み、
7.0~7.35のpHを有する、請求項8に記載の化学機械研磨のための方法。 - 銅(Cu)又は銅含有材料と少なくとも1つの第2の材料とを含む少なくとも1つの表面を有する半導体基材を化学機械研磨するためのシステムであって、
1)前記半導体基材と、
2)研磨パッドと、
3)Cu化学機械研磨組成物であって、
a)コロイダルシリカ又は高純度コロイダルシリカ;コロイダルシリカの格子内に他の金属酸化物がドープしたコロイダルシリカ粒子;アルファ型、ベータ型及びガンマ型酸化アルミニウムを含むコロイダル酸化アルミニウム;コロイド状光活性二酸化チタン;酸化セシウム;コロイダル酸化セシウム;ナノサイズ無機金属酸化物粒子;ナノサイズダイアモンド粒子;ナノサイズ窒化ケイ素粒子;単峰性、二峰性、多峰性コロイダル研磨粒子;有機ポリマー系ソフト研磨剤;表面コーティング研磨剤又は改質研磨剤;複合粒子;並びにそれらの組み合わせからなる群より選択される0.0025~25wt%の研磨剤と、
b)2つのアミノ酸と1つの有機アミン、又は1つのアミノ酸と1つのアミノ酸誘導体と1つの有機アミン、又は2つの有機アミンと1つのアミノ酸、又は2つの有機アミンと1つのアミノ酸誘導体の組み合わせより選択される0.1~18.0wt%の3種のキレート剤である、3種のキレート剤と、
c)0.005~0.5wt%の腐食防止剤と、
d)コリンと他のアニオン性カウンターイオンとの間で形成されたコリン塩である、0.0005~0.25wt%の有機4級アンモニウム塩と、
e)0.1~10wt%の酸化剤と、
f)0.0001~0.05wt%の殺生物剤と、
g)0~1wt%のpH調整剤と、
h)水と
を含み、3.0~12.0のpHを有し、
前記アミノ酸又は前記アミノ酸誘導体が、グリシン、D-アラニン、L-アラニン、DL-アラニン、ベータ-アラニン、バリン、ロイシン、イソロイシン、フェニルアミン、プロリン、セリン、トレオニン、チロシン、グルタミン、アスパラギン、グルタミン酸、アスパラギン酸、トリプトファン、ヒスチジン、アルギニン、リシン、メチオニン、システイン、イミノ二酢酸、及びそれらの組み合わせからなる群より選択され、
前記有機アミンが、式:
式:
式:
式:
式:
式:
及びそれらの組み合わせからなる群より選択される一般分子構造を有するCu化学機械研磨組成物とを含み、前記銅(Cu)又は銅含有材料と少なくとも1つの第2の材料とを含む少なくとも1つの表面の少なくとも一部が、前記研磨パッド及び前記Cu化学機械研磨組成物の両方に接触している、システム。 - 前記Cu化学機械研磨組成物が、(1)エチレンジアミン、プロピレンジアミン、及びブチレンジアミンからなる群より選択される1つの有機アミン、並びに(2)2つの異なるアミノ酸、2つの異なるアミノ酸誘導体、又は1つのアミノ酸と1つのアミノ酸誘導体との組み合わせから選択される3種のキレート剤を含む、請求項15に記載の化学機械研磨のためのシステム。
- 前記Cu化学機械研磨組成物が、以下:
1,2,4-トリアゾール、ベンゾトリアゾール及びベンゾトリアゾール誘導体、テトラゾール及びテトラゾール誘導体、イミダゾール及びイミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール及びベンゾトリアゾール誘導体、ピラゾール及びピラゾール誘導体、テトラゾール及びテトラゾール誘導体、並びにそれらの組み合わせからなる群より選択される腐食防止剤と、
過ヨウ素酸、過酸化水素、ヨウ素酸カリウム、過マンガン酸カリウム、過硫酸アンモニウム、モリブデン酸アンモニウム、硝酸第二鉄、硝酸、硝酸カリウム、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される酸化剤と、
5-クロロ-2-メチル-4-イソチアゾリン-3-オン、2-メチル-4-イソチアゾリン-3-オン、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される活性成分を有する殺生物剤と、
(1)pHを酸性に調整するために硝酸、塩酸、硫酸、リン酸、及びそれらの組み合わせからなる群より選択されるか、又は(2)pHをアルカリ性に調整するために水素化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化アンモニウム、テトラアルキル水酸化アンモニウム、有機アミン、及びそれらの組み合わせからなる群より選択されるかのいずれかであるpH調整剤とを含む、請求項15に記載の化学機械研磨のためのシステム。 - 前記Cu化学機械研磨組成物が、
0.0025~2.5wt%のコロイダルシリカ又は高純度コロイダルシリカと、
合計0.1~18.0wt%の、(1)エチレンジアミン、プロピレンジアミン、及びブチレンジアミンからなる群より選択される1つの有機アミン、並びに(2)2つの異なるアミノ酸、2つの異なるアミノ酸誘導体、又は1つのアミノ酸と1つのアミノ酸誘導体との組み合わせと、
0.001~0.05wt%の重炭酸コリン塩とを含み、
5.5~7.5のpHを有する、請求項15に記載の化学機械研磨のためのシステム。 - 前記Cu化学機械研磨組成物が、
0.0025~2.5wt%のコロイダルシリカ又は高純度コロイダルシリカと、
合計0.5~1.5wt%の、(1)エチレンジアミン、プロピレンジアミン、及びブチレンジアミンから選択される1つの有機アミン、並びに(2)グリシン、D-アラニン、L-アラニン、DL-アラニン、ベータ-アラニン、他のアミノ酸、及びそれらの誘導体からなる群より選択される2つの異なるアミノ酸と、
0.001~0.05wt%の重炭酸コリン塩とを含み、
5.5~7.5のpHを有する、請求項15に記載の化学機械研磨のためのシステム。 - 前記Cu化学機械研磨組成物が、
0.005~0.15wt%のコロイダルシリカ又は高純度コロイダルシリカと、
合計0.5~1.5wt%のエチレンジアミン、グリシン及びDL-アラニンと、
0.002~0.01wt%の重炭酸コリン塩と、
0.5~2.0wt%の過ヨウ素酸又は過酸化水素と、
0.025~0.05wt%の1,2,4-トリアゾール、又はベンゾトリアゾール及びベンゾトリアゾール誘導体と、
0.002~0.010wt%の、5-クロロ-2-メチル-4-イソチアゾリン-3-オン、2-メチル-4-イソチアゾリン-3-オン、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される活性成分を有する殺生物剤とを含み、
7.0~7.35のpHを有する、請求項15に記載の化学機械研磨のためのシステム。
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