JP6991874B2

JP6991874B2 - 撮像装置および制御方法

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Publication number: JP6991874B2
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Inventors: 潤山本
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Publication date: 2022-01-13
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Description

本発明は、撮像装置および制御方法に関する。

エレクトロクロミック現象（ＥＣ現象）とは、電圧を加えた時に生ずる可逆的な電気化学反応の誘起により、材料の光吸収域が変化し、材料が着色または消色する現象である。エレクトロクロミック素子（ＥＣ素子）は、ＥＣ現象を利用し電気化学的に着色／消色を行う素子であり、光透過率を変化させる調光フィルタとして応用が期待されている。低分子系有機材料を溶液状態で着色／消色する有機ＥＣ素子は、着色状態において十分なコントラスト比が得られる一方で、消色状態の透過率が高いなどの利点が知られている。
特許文献１は、撮影光学系の焦点面に配設される撮像素子近傍に有機ＥＣ素子を配設し、調光ユニットとして利用する例を開示している。

特開２０１６－１７０２９９号公報

しかしながら、特許文献１の撮像装置では、太陽等の高輝度の被写体にピントが合う状態で撮像素子上に集光すると、集光した光により有機ＥＣ素子が温度上昇し、温度上昇した領域の着消色特性が変化してしまう恐れがある。

本発明は、有機ＥＣ素子の温度上昇を抑制し、有機ＥＣ素子による良好な着消色特性が得られる撮像装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明は、撮像素子に到達する光量を調整する、光の透過率を変化させることが可能な調光フィルタと、前記撮像素子に到達する光量を調整する、前記撮像素子に到達する光の有効光路に挿抜が可能な光学フィルタと、前記調光フィルタの温度状態を検出する温度検出手段と、前記温度検出手段により検出した前記温度状態に応じて前記調光フィルタの透過率および前記光学フィルタの挿抜を制御する制御手段と、を備え、前記光学フィルタは、前記調光フィルタより被写体側に配置される。

本発明によれば、有機ＥＣ素子の温度上昇を抑制し、有機ＥＣ素子による良好な着消色特性が得られる撮像装置を提供することができる。

有機ＥＣ素子の一例を示す模式図である。有機ＥＣ素子の一例を示す模式図である。有機ＥＣ素子の駆動制御の一例を説明する図である。有機ＥＣ素子の駆動制御の一例を説明する図である。撮像装置の構成および調光ユニットのフィルタ設定を説明する図である。撮像装置の構成および調光ユニットのフィルタ設定を説明する図である。撮像装置の構成を説明するブロック図である。調光ユニットのフィルタ設定を説明する図である。調光ユニットのフィルタ設定方法を示すフローチャートである。

＜有機ＥＣ素子＞
図１は、有機ＥＣ素子１の一例を示す模式図である。有機ＥＣ素子１は、物性変化により光の透過率を変化させることが可能であり、例えば、撮像装置で調光フィルタとして利用される。撮像装置においては、有機ＥＣ素子１を透過した光を撮像素子が受光するよう、有機ＥＣ素子１は撮像素子よりレンズ側（被写体側）に設けられる。なお、本実施形態では、撮像素子および有機ＥＣ素子１の外形が略四角形である場合について説明するが、形状はこれに限られるものではない。

図１（Ａ）は、有機ＥＣ素子１を撮像素子側から見た図である。有機ＥＣ素子１の長辺方向をＸ軸、短辺方向をＹ軸、紙面奥行き方向をＺ軸と定義する。Ｚ軸は、光軸方向を示している。図１（Ｂ）は、Ｘ軸方向から見た図であり、図１（Ａ）のＤ－Ｄ’断面図に、説明のために給電端子９などの構成を加えた図である。本実施形態では、Ｙ軸方向を鉛直方向とし、有機ＥＣ素子１はＹ軸方向に沿って立てて使用されるとする。

有機ＥＣ素子１は、電極３、電極５、基板２、基板６、有機ＥＣ層７、低抵抗配線８および給電端子９を備える。有機ＥＣ素子１は、透明な基板２および基板６に形成された透明な電極３および電極５を対向するようにスペーサ４を介して貼り合せ、一対の電極３および電極５とスペーサ４で形成された空隙を充填するように有機ＥＣ層７が存在する構造となっている。基板２と電極３の組み合わせと基板６と電極５の組み合わせは、透明電極基板に相当する。

有効光線領域１１は、有効光線が透過する領域であり、有機ＥＣ素子１は有効光線領域１１を透過する光の光量（光透過率）を調整する。電極３と電極５の間に電圧を印加することで、有機ＥＣ層７の有機ＥＣ材料が電気化学的反応を起こし、光透過率を変化させることができる。以下では、有機ＥＣ素子１の光透過率を有機ＥＣ素子の吸光度に置き換えて説明する場合がある。透過率と吸光度は、－ＬＯＧ（透過率）＝（吸光度）の関係を有し、透過率が１／２になる毎に吸光度は約０．３ずつ増大する。

電極３および電極５には、電極自身よりも抵抗値が小さい低抵抗配線８が設けられている。電極３に設けられる低抵抗配線８と電極５に設けられる低抵抗配線８は、有機ＥＣ素子１の長辺方向に沿って、有効光線領域１１を挟んで対向するように配置される。給電端子９は、端部が低抵抗配線８と接点を有するように設けられ、他端を制御部１０に接続している。駆動電圧は、制御部１０を介して給電端子９および低抵抗配線８を経て、電極３および電極５にそれぞれ印加される。

有機ＥＣ素子１には、制御部１０が接続されている。制御部１０は、電極３および電極５に加える電圧を制御することで、有機ＥＣ素子１を透過する光を調整する。制御部１０は、例えば、駆動電圧波形を発生するための任意波形発生回路、端子間の極性を反転させるためのリレーやスイッチ回路を有している。また、制御部１０は、電源やレギュレーターなど周辺装置を含んでいても構わない。また、制御部１０は、電気化学反応で生じる電流、あるいは、電荷を測定するための回路機構を含んでいても構わない。駆動用の回路や周辺装置は、有機ＥＣ素子１に直接接続され一体化されていても、配線を介して間接的に接続されていてもよい。

次に、有機ＥＣ素子１を構成する各部について詳細に説明する。
＜基板２および基板６＞
有機ＥＣ素子１を調光フィルタに用いる場合、光学系への影響を小さくするために、消色状態では高い透過率を保つことが好ましい。そのため、基板２および基板６（以下、単に基板ともいう）は可視光を十分に透過させる透明基板であることが好ましく、一般的にはガラス材が用いられる。ガラス材としては、例えば、Ｃｏｒｎｉｎｇ＃７０５９やＢＫ－７等の光学ガラス基板が用いられる。また、プラスチックやセラミック等の材料であっても十分な透明性があれば、基板として使用が可能である。また、基板は、剛性で歪みを生じることが少ない材料が好ましく、さらに、可撓性が少ないことがより好ましい。基板の厚みは、一般に数十μｍから数ｍｍである。

＜電極３および電極５＞
有機ＥＣ素子１を調光フィルタに用いる場合、光学系への影響を小さくするために、消色状態では高い透過率を保つことが好ましい。そのため、電極３および電極５（以下、単に電極ともいう）は、可視光を十分に透過させる透明電極であることが好ましい。さらに、電極は、可視光領域における高い光透過性とともに高い導電性を有した材料からなることがより好ましい。

例えば、酸化インジウムスズ合金（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＮＥＳＡ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化銀、酸化バナジウム、酸化モリブデン、金、銀、白金、銅、インジウム、クロムなどの金属や金属酸化物が電極の材料となる。さらに、多結晶シリコン、アモルファスシリコン等のシリコン系材料、カーボンブラック、グラフェン、グラファイト、グラッシーカーボン等の炭素材料なども電極の材料となる。また、ドーピング処理などで導電率を向上させた導電性ポリマー（例えば、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）など）も電極の材料となる。

本実施形態の有機ＥＣ素子１では、消色状態で高い透過率を有することが好ましいため、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＮＥＳＡ、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、グラフェンなどが、電極の材料として特に好適である。これらの電極の材料はバルク状、微粒子状など様々な形態で使用できる。なお、電極の材料は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。

＜有機ＥＣ層７＞
有機ＥＣ層７は、電解質と、低分子系有機材料等の有機ＥＣ材料とを溶媒に溶解したものであることが好ましい。
まず、溶媒について説明する。溶媒としては、電解質を溶解できるものであれば特に限定されないが、特に極性を有するものが好ましい。具体的には、溶媒として水の他、例えば、メタノール、エタノール、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、ジメチルスルホキシド、ジメトキシエタン、アセトニトリル、γ－ブチロラクトン、γ－バレロラクトン等の有機極性溶媒が挙げられる。さらに、溶媒として、例えば、スルホラン、ジメチルホルムアミド、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、アセトニトリル、プロピオンニトリル、ジメチルアセトアミド、メチルピロリジノン、ジオキソラン等の有機極性溶媒が挙げられる。

次に、電解質について説明する。電解質としては、イオン解離性の塩で、良好な溶解性を示し、有機ＥＣ材料の着色を確保できる程度に電子供与性を有するカチオンあるいはアニオンを含む塩であれば特に限定されない。電解質として、各種のアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩などの無機イオン塩や４級アンモニウム塩や環状４級アンモニウム塩などが挙げられる。より具体的には、ＬｉＣｌＯ₄、ＬｉＳＣＮ、ＬｉＢＦ₄、ＬｉＡｓＦ₆、ＬｉＣＦ₃ＳＯ₃、ＬｉＰＦ₆、ＬｉＩ、ＮａＩ、ＮａＳＣＮ、ＮａＣｌＯ₄、ＮａＢＦ₄、ＮａＡｓＦ₆、ＫＳＣＮ、ＫＣｌ等のＬｉ、Ｎａ、Ｋのアルカリ金属塩等が挙げられる。さらに、電解質として、（ＣＨ₃）₄ＮＢＦ₄、（Ｃ₂Ｈ₅）４ＮＢＦ₄、（ｎ－Ｃ₄Ｈ₉）₄ＮＢＦ₄、（Ｃ₂Ｈ₅）₄ＮＢｒ、（Ｃ₂Ｈ₅）₄ＮＣｌＯ₄、（ｎ－Ｃ₄Ｈ₉）₄ＮＣｌＯ₄等の４級アンモニウム塩および環状４級アンモニウム塩等が挙げられる。アニオン種としては、ＣｌＯ_４ ^－、ＣＦ_３ＳＯ_３ ^－、ＢＦ_４ ^－、ＰＦ_６ ^－、（ＣＦ_３ＳＯ_２）_２Ｎ^－、など一般的に知られる構造が用いられる。また、電解質としてイオン液体を用いてもよい。これらの電解質材料は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。

次に、有機ＥＣ材料について説明する。一般に有機ＥＣ材料は、電圧が印加されていない状態で中性状態を取り、可視光領域に吸収を持たない。このような消色状態において、有機ＥＣ素子１は高い光透過率を示す。電極３と電極５の間に電圧を印加すると、有機ＥＣ材料中で電気化学反応が起き、中性状態から酸化状態（カチオン）あるいは還元状態（アニオン）となる。有機ＥＣ材料は、カチオンあるいはアニオンの状態で可視光領域に吸収を有すようになり、着色する。このような着色状態において、有機ＥＣ素子は低い光透過率を示す。また、有機ＥＣ材料として、ビオロゲン系材料のように、初期状態で透明なジカチオン構造を形成し、一電子還元でラジカル種を形成して着色する材料が使用されてもよい。

有機ＥＣ材料は、溶媒に対して溶解性を有し、電気化学的な反応で着色と消色を表現できるものであれば、どのようなものであっても構わない。例えば、有機ＥＣ材料として、公知の酸化／還元着色性有機ＥＣ材料を使用することができる。また、有機ＥＣ材料として、複数の材料を併用することも可能である。

有機ＥＣ材料の組合せとして、酸化反応で着色を示すアノード性の材料を単材料、あるいは、複材料で用いても良い。また、有機ＥＣ材料の組合せとして、還元反応で着色を示すカソード性の材料を単材料、あるいは、複材料で用いても良い。さらに、アノード性の材料とカソード性の材料を単材料同士、あるいは、単材料と複材料、あるいは、複材料と複材料で用いても良く、組合せは任意である。ＥＣ特性を示さないアノード性材料、あるいは、カソード性材料を別に含んでいても構わない。本実施形態の有機ＥＣ層７の有機ＥＣ材料は、１種以上のアノード性の材料と１種以上のカソード性の材料を含むものとする。

有機ＥＣ材料として、例えば、ビオロゲン系化合物、スチリル系化合物、フルオラン系化合物、シアニン系化合物、アントラキノン系化合物を使用することができる。また、有機ＥＣ材料として、例えば、芳香族アミン系化合物等の有機色素、金属－ビピリジル錯体、金属－フタロシアニン錯体等の有機金属錯体等を使用することができる。なお、ビオロゲン系化合物は、対イオンを伴う安定なジカチオン状態で消色していて、一電子還元反応でカチオン状態になると着色するカソード性の有機ＥＣ材料として用いることができる。

アノード性の有機ＥＣ材料としては、チオフェン誘導体、フェロセンなどメタロセン誘導体、フェナジン誘導体やトリフェニルアミン誘導体、フェノチアジン誘導体、フェノキサジン誘導体など芳香族アミン誘導体が挙げられる。また、アノード性の有機ＥＣ材料としては、ピロール誘導体、ピラゾリン誘導体等も挙げられる。ただし、本実施形態に用いるアノード性の有機ＥＣ材料は、これらに限定されるものではない。
カソード性の有機ＥＣ材料としては、ビオロゲン系化合物、アントラキノン系化合物、フェロセニウム塩系化合物、スチリル化系化合物などが挙げられる。ただし、本実施形態に用いるカソード性の有機ＥＣ材料は、これらに限定されるものではない。

温度変化に対して吸収スペクトルを保持するためには、有機ＥＣ材料が会合体を形成しにくいことが好ましい。材料が会合体を形成すると、吸収スペクトルにおいて、単量体の吸収と会合体の吸収が重畳される。会合体の形成のしやすさは温度に対して変化するため、会合体を形成しやすい材料においては、温度の変化で単量体の吸収と会合体の吸収の比が変化してしまう。そこで、会合体形成を避けるために、嵩高い置換基を設け立体障害により会合体形成を抑制する方法が好適に用いられる。

有機ＥＣ層７は、液体またはゲルであることが好ましい。有機ＥＣ層７は、好適には溶液状態として用いられるが、応答速度を著しく損なわない範囲で、ゲル状もしくは粘稠で用いることも可能である。ゲル化には、溶液にさらにポリマーやゲル化剤を含有させる。ポリマー（ゲル化剤）としては、例えば、ポリアクリロニトリル、カルボキシメチルセルロース、ポリ塩化ビニル、ポリ臭化ビニル、ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド、などが挙げられる。さらに、ポリマーとしては、ポリウレタン、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリアミド、ポリアクリルアミド、ポリエステル、ポリフッ化ビニリデン、ナフィオンなどが挙げられる。なお、混合状態で使用する他、透明かつ柔軟な網目構造を有した構造体（例えばスポンジ状のもの）にこれら溶液を担持させても良い。

＜低抵抗配線８＞
低抵抗配線８は、給電端子９から電極３および電極５に供給する電圧の面内分布を低減する。低抵抗配線８を設置しない場合、給電端子９からの距離で電極３および電極５の面内に電位勾配ができると有機ＥＣ素子１の面内で電気化学反応量にむらが生じてしまう。なお、給電端子９は、有効光線領域１１内における電位分布をできるだけ小さく抑えるために、長辺側で且つ有効光線領域１１を挟んで互いに対向する位置に設置するのが好適である。本実施形態では、図１に示されるように、給電端子９は、Ａ１端子とＣ１端子の位置に設置される。

電位が高い給電端子９側ほど、有機ＥＣ材料の電気化学反応が生じやすい。そのため、電位分布の大きな状態で有機ＥＣ素子１を駆動していると、アノード性の有機ＥＣ材料はアノード給電端子（プラス電極）側に、カソード性の有機ＥＣ材料はカソード給電端子（マイナス電極）側に反応が偏在するようになる。この結果、電位分布の影響による有機ＥＣ材料のセグリゲーション（分離）が生じてしまう。

長辺方向の電位降下を１０ｍＶ程度に抑えて長辺方向の電位分布によるセグリゲーションを抑制するために、長辺に沿って低抵抗配線８を設置する必要がある。さらに、低抵抗配線８の面抵抗は電極３および電極５の抵抗の１／１００未満、さらに好ましくは１／５００未満であることが好ましい。低抵抗配線８としては、例えば、真空成膜によって形成した薄膜銀配線、スクリーン印刷やインクジェット塗布等によって形成した厚膜銀配線などを使用する。

しかし、給電端子９および低抵抗配線８を適切に設置したとしても、一対の給電端子のみ（例えば、Ａ１端子（アノード）とＣ１端子（カソード））を選択して着色動作を続けた場合には、電位分布の影響によるセグリゲーションを避けることは難しい。この場合、Ａ１端子およびＡ１端子に接続された低抵抗配線近傍にはアノード材料が強く着色し、Ｃ１端子およびＣ１端子に接続された低抵抗配線近傍にはカソード材料が強く着色する。この電位分布の影響によるセグリゲーションは、有機ＥＣ材料の比重の影響による鉛直方向へのセグリゲーションよりも初期的に、かつ、強く生じる傾向がある。

そこで、図２のように、Ａ１、Ｃ１端子に加えて、有効光線領域１１を挟んで互いに対向する位置にもＡ２、Ｃ２端子を設置する。２組の一対の給電端子間に順繰りに電圧パルスを印加することによって、電極間に同電圧を印加しつつ、給電端子および低抵抗配線近傍セグリゲーションの発生を抑制する。図２は、有機ＥＣ素子１の別の一例を示す模式図である。

図２（Ａ）は、有機ＥＣ素子１を撮像素子側から見た図である。図２（Ｂ）は、Ｘ軸方向から見た図であり、図２（Ａ）のＥ－Ｅ’断面図に、説明のために給電端子９などの構成を加えた図である。既設のＡ１、Ｃ１端子に加えて、電位分布の影響によるセグリゲーションを相殺する位置にＡ２、Ｃ２端子を新たに設置して、Ａ１－Ｃ１端子間およびＡ２－Ｃ２端子間に順繰りに電圧パルスを印加する。これにより、セグリーションの発生を抑制することができる。

＜有機ＥＣ素子及び駆動方法＞
図３は、有機ＥＣ素子の駆動制御の一例を説明する図である。図３の印加電圧波形は、図１で示した有機ＥＣ素子１を鉛直方向であるＹ軸方向に立てて駆動する場合を説明したものである。すなわち、Ａ１端子側が鉛直上方、Ｃ１端子側が鉛直下方に定義される。Ａ１端子およびＣ１端子のうち、Ｃ１端子をグランドに接続しているため、印加電圧＋Ｖ1および－Ｖ１はＡ１端子の極性を表示する。＋Ｖ１で、Ａ１端子側にはアノード性の反応が、Ｃ１端子側にはカソード性の反応が生じて着色する。一方、－Ｖ１で、Ａ１端子側にはカソード性の反応が、Ｃ１端子側にはアノード性の反応が生じて着色する。

印加電圧として－Ｖ１のみを継続して印加した場合、まず電位分布の影響によるセグリゲーションが優勢的に生じ、Ａ１端子側（鉛直上方）でアニオンが、Ｃ１端子側（鉛直下方）でカチオンが偏在する。さらに、比重の影響が遅れて加わり、アニオンが鉛直上方に、カチオンが鉛直下方に移動する。そのため、電位分布の影響によるセグリゲーションと比重の影響が重畳して、セグリゲーションがさらに増大してしまう。

一方、印加電圧として＋Ｖ１のみを継続して印加した場合、まず電位分布の影響によるセグリゲーションで、Ａ１端子側にカチオンが、Ｃ１端子側にアニオンが偏在する。さらに、比重の影響が遅れて加わり、アニオンが鉛直上方に、カチオンが鉛直下方に移動する。移動によりカチオンとアニオンが衝突すると、電荷授受でラジカル状態が初期状態に戻るため消色する。

このように、印加電圧として＋Ｖ１のみを継続して印加した場合には、－Ｖ１を継続して印加した場合と比べて有機ＥＣ材料の鉛直方向でのセグリゲーションは低下する。しかしながら、比重の影響よりも電位分布の影響によるセグリゲーションが優勢であるため、－Ｖ１を印加した場合とは逆に、鉛直上方にはカチオンが、鉛直下方にはアニオンが偏在する。

本実施形態では、電位分布の影響によるセグリゲーションを調整するために、電圧を印加する時間幅や電圧の波高値を制御する。図３（Ａ）は、電圧を印加する時間幅を制御する例を示した図である。絶対値の等しい＋Ｖ１と－Ｖ１を交互に印加し、印加する時間幅を制御することで、電位分布の影響によるセグリゲーションを調整し、かつ、比重によるセグリゲーションとの相殺を調整する。

印加時間ｔ１の間に電圧＋Ｖ１を印加し、印加時間ｔ２の間に電圧－Ｖを印加する。印加時間ｔ１とそれに続く印加時間ｔ２を合わせて１周期Ｔとする。印加時間ｔ１と印加時間ｔ２の時間の比を制御することで、Ａ１端子側（鉛直上方）におけるアノード性の有機ＥＣ材料の反応量をカソード性の有機ＥＣ材料の反応量よりも相対的に大きくなるよう制御する。言い換えれば、Ａ１端子側（鉛直上方）におけるアノード性の有機ＥＣ材料の反応量を、Ｃ１端子側（鉛直下方）におけるアノード性の有機ＥＣ材料の反応量よりも相対的に大きくなるように制御する。

また、有機ＥＣ材料の反応量は電気化学反応で測定される電荷量から見積もることが可能である。そして、Ａ１端子（鉛直上方）とＣ１端子（鉛直下方）への＋Ｖ１と－Ｖ１の交互の印加は、鉛直上方および鉛直下方の給電端子を交互にプラス極に切り替えていることと同等である。そのため、鉛直方向上方に位置する給電端子をプラス極としたときに生じる電荷量を、鉛直方向下方に位置する給電端子をプラス極としたときに生じる電荷量よりも大きくなるよう制御することで、電位分布の影響によるセグリゲーションを調整することができる。これは、Ａ１端子側（鉛直上方）におけるアノード性の有機ＥＣ材料の反応量を、Ｃ１端子側（鉛直下方）におけるアノード性の有機ＥＣ材料の反応量よりも相対的に大きくなるように制御することと同義である。なお、電荷量の見積は、制御部１０が単位時間あたりの電流を測定し、その積算から算出しても良い。

図３（Ｂ）は、電圧の波高値を制御する例を示した図である。電気化学反応の反応量は駆動電圧の大きさに依存する。そのため、＋Ｖ１の印加時間ｔ１と印加時間ｔ２は等しくし、印加時間ｔ２には－Ｖ１よりも絶対値の小さい－Ｖ２を印加する。印加する電圧を＋Ｖ１と－Ｖ２に制御することで、Ａ１端子側（鉛直上方）におけるアノード性の有機ＥＣ材料の反応量を、カソード性の有機ＥＣ材料の反応量よりも相対的に大きくなるよう制御することができる。

また、時間幅と電圧波高値の両方を制御することによりセグリゲーションを調整することも可能である。有機ＥＣ素子１の着色の吸光度、即ち階調を制御する場合には、ｔ１およびｔ２の比の調整、あるいは、Ｖ１とＶ２の比の調整、あるいは時間幅と電圧波高値の両方をもって調整することが可能である。また、ｔ１あるいはｔ２の期間に、印加電圧を間欠的に印加する方法をもって調整することも可能である。

なお、ｔ１およびｔ２の印加時間が大きい場合には、ｔ１からｔ２に、および、ｔ２からｔ１に切り替わるタイミングで有機ＥＣ素子１の吸光度が上下に変化してしまう。そのため、着色駆動時において有機ＥＣ素子１の吸光度の変化を抑制するためには、１周期Ｔの時間幅は０.１Ｈｚ以下、より好ましくは１Ｈｚ以下、さらに好ましくは１０Ｈｚ以下であることが好ましい。

図４は、有機ＥＣ素子の駆動制御の一例を説明する図である。図４の印加電圧波形は、図２で示した有機ＥＣ素子１を鉛直方向であるＹ軸方向に立てて駆動する場合を説明したものである。Ａ１およびＣ２端子側が鉛直上方、Ａ２およびＣ１端子側が鉛直下方に定義される。Ａ１－Ｃ１端子間ではＣ１端子を、Ａ２－Ｃ２端子間ではＣ２端子をグランドに接続しているため、印加電圧はＡ１端子もしくはＡ２端子の極性を表示する。

図４（Ａ）は、電圧を印加する時間幅を制御する例を示した図である。Ａ１－Ｃ１端子間とＡ２－Ｃ２端子間には逆位相の電圧波形が印加される。Ａ１－Ｃ１端子間の駆動波形は、時間ｔ１の間に電圧＋Ｖ１を印加し、時間ｔ２の間には開回路電圧（ＯｐｅｎＣｉｒｃｕｉｔＶｏｌｔａｇｅ（ＯＣＶ））に保っている。時間ｔ１とそれに続く時間ｔ２を合わせて１周期Ｔとする。

開回路電圧にするとは、駆動源側とＡ１－Ｃ１端子間で電気的な接点を遮断する、あるいは、高抵抗体の挿入で電流を遮断する、ことを意味する。具体的にはリレーやトランジスタ等のスイッチング素子で時間ｔ１の間に導通とし、時間ｔ２の間に非導通とする。＋Ｖ１を印加した時間ｔ１の間は着色反応が生じ、ＯＣＶである時間ｔ２の間は着色反応が生じない。

Ａ２－Ｃ２端子間は、Ａ１－Ｃ１端子間とは逆位相の電圧波形であり、時間ｔ１の間にはＯＣＶに保たれ、時間ｔ２の間に電圧＋Ｖ１を印加される。Ａ１とＡ２端子間に交互に＋Ｖ１が印加されることになるため有機ＥＣ素子１の電圧を落とすことはなく、また、電位分布の向きが交互に切り替わるため電位分布の影響によるセグリゲーションを小さく抑制することが可能となる。具体的には、時間ｔ１の間には、Ａ１端子側にカチオンが、Ｃ１端子側にアニオンが生じ、時間ｔ２の間には、Ａ２端子側にカチオンが、Ｃ２端子側にアニオンが生じる。このため、Ａ１端子とＣ２端子間で偏在するカチオンとアニオンが電荷授受により消色し、また、Ａ２端子とＣ１端子間で偏在するカチオンとアニオンが同様に電荷授受により消色する。これにより電位分布の影響によるセグリゲーションはさらに抑制される。

時間ｔ１と時間ｔ２の値が等しい場合には、Ａ１端子とＣ２端子間およびＡ２端子とＣ１端子間で生成するカチオンとアニオンの濃度が最も近しいものとなるため、電位分布の影響によるセグリゲーションは最も抑制される。しかし、これに比重の影響が加わってくると、素子面内で形成されたカチオンとアニオンが徐々に移動し、最終的にはアニオンが鉛直上方に、カチオンが鉛直下方に偏在してしまう。

有機ＥＣ素子１は鉛直方向に立てているため、Ａ１端子がＡ２端子よりも鉛直上方に位置する。そこで、Ａ１端子側の着色反応の時間幅ｔ１を、Ａ２端子側の着色反応の時間幅ｔ２よりも相対的に大きく取ることで、電位分布の影響によるカチオンの偏在をＡ１端子側で優勢になるように制御することが可能である。このように、時間ｔ１と時間ｔ２の時間幅を制御することで電位分布の影響によるセグリゲーションを調整し、かつ、比重によるセグリゲーションとの相殺を調整することができる。

図４（Ｂ）は、電圧の波高値を制御する例を示した図である。電気化学反応の反応量は駆動電圧の大きさに依存する。そのため、時間ｔ１と時間ｔ２は等しくし、時間ｔ２でのＡ２－Ｃ２端子間への印加電圧を、時間ｔ１でのＡ１－Ｃ１端子間への印加電圧である＋Ｖ１よりも絶対値の小さい＋Ｖ２とする。印加する電圧を＋Ｖ１と＋Ｖ２に制御することで、電位分布の影響によるカチオンの偏在をＡ１端子側で優勢になるように制御することが可能である。

また、時間幅と電圧波高値の両方を制御することによりセグリゲーションを調整することも可能である。また、有機ＥＣ素子１の着色の吸光度、即ち階調を制御する場合には、時間ｔ１および時間ｔ２の比の調整、あるいは、印加電圧＋Ｖ１と＋Ｖ２の比の調整、あるいは時間幅と電圧波高値の両方をもって調整することが可能である。また、時間ｔ１あるいは時間ｔ２の期間に、印加電圧を間欠的に印加する方法をもって調整することも可能である。

時間ｔ１および時間ｔ２の印加時間が大きい場合、時間ｔ１から時間ｔ２に切り替わるタイミング、および、時間ｔ２から時間ｔ１に切り替わるタイミングで、有機ＥＣ素子１の吸光度が上下に変化してしまう。そのため、着色駆動時において有機ＥＣ素子１の吸光度の変化を抑制するために、１周期Ｔの時間幅は０.１Ｈｚ以下、より好ましくは１Ｈｚ以下、さらに好ましくは１０Ｈｚ以下であることが好ましい。

このように、印加時間または印加電圧を制御することにより、鉛直方向に立てた有機ＥＣ素子１において、鉛直上方に位置する端子側で生じるカチオンの生成量を、鉛直下方に位置する端子側で生じるカチオンの生成量よりも相対的に大きくすることができる。これにより、電位分布の影響によるセグリゲーションを調整し、さらに、電位分布の影響によるセグリゲーションを有効に使うことで、比重の影響によるセグリゲーションを相殺することができる。

＜調光ユニット＞
調光ユニットは、撮像素子１１０より被写体側に配置され、撮像素子１１０に到達する光量を調整する。調光ユニットは、調光フィルタである有機ＥＣ素子１と透過濃度が固定の光学フィルタであるＮＤフィルタ（ＮｅｕｔｒａｌＤｅｎｓｉｔｙ）を備える。なお、本実施形態の調光ユニットは、調光フィルタである有機ＥＣ素子１を駆動する制御部１０を有することが好ましい。本実施形態では、有機ＥＣ素子１を調光フィルタのうち光量を抑える減光フィルタとして利用する場合について説明する。

減光フィルタは黒色吸収であり、可視光域で均等な光吸収が必要である。有機ＥＣ材料を用いた黒色吸収の実現には、可視光域で異なる吸収域を持つ複数の材料を混合し、可視光域での吸収を平坦なものとする必要がある。有機ＥＣ材料を混合した場合の吸収スペクトルは、各材料の吸収スペクトルの和で表現されるため、適切な波長域を持つ複数材料の選択とその濃度の調整によって、黒色吸収を実現することが可能である。

低分子系の有機ＥＣ材料では、一般に一つの材料でカバーできる波長域は１００ｎｍ～２００ｎｍである。可視光域である３８０ｎｍ～７５０ｎｍの全般をカバーするためには、少なくとも３種類以上の有機ＥＣ材料を用いることが好ましい。例えば、有機ＥＣ材料として、アノード性の有機ＥＣ材料を３種類以上、カソード性の有機ＥＣ材料を３種類以上、あるいは、アノード性の有機ＥＣ材料を２種以上かつカソード性の有機ＥＣ材料を２種以上用いることが好ましい。

一般的に減光フィルタは、光量を１／２ⁿ（ｎは整数）に減光する。１／２では透過率が１００％から５０％になり、１／４では１００％から２５％になる。また、－ＬＯＧ（透過率）＝（吸光度）の関係から、透過率が１／２の場合、吸光度の変化量は０．３となり、透過率が１／４の場合、吸光度の変化量は０．６となる。１／２～１／６４までの減光を行うには、吸光度の変化量を０．３刻みで０～１．８まで制御できれば良い。以下、透過率が５０％の減光フィルタをＮＤ１、透過率が１２.５％の減光フィルタをＮＤ３、透過率が６.２５％の減光フィルタをＮＤ４と表す。

＜撮像装置＞
図５および図６は、撮像装置１０１の構成および調光ユニットのフィルタ設定を説明する図である。図７は、撮像装置１０１の構成を説明するブロック図である。本実施形態の撮像装置１０１は、例えば、デジタルカメラやデジタルビデオカメラである。撮像装置１０１は、撮影光学系１０２、撮像素子１１０および調光ユニットを備える。撮像素子１１０は、撮影光学系１０２の予定結像面に配設される。調光ユニットは、撮影光学系１０２と撮像素子１１０との間に配設され、撮像素子１１０に到達する光量を調節する。

撮影光学系１０２は、例えば、絞りより後でフォーカシングを行うリアフォーカス式のズームレンズである。撮影光学系１０２は、被写体側（－Ｚ方向）より順に、正の屈折力の第１のレンズ群１０４、負の屈折力の第２のレンズ群１０５、正の屈折力の第３のレンズ群１０６、正の屈折力の第４のレンズ群１０７の４つのレンズ群を有する。第２のレンズ群１０５と第３のレンズ群１０６の間隔を変化させて変倍を行う。第４のレンズ群１０７の一部のレンズ群を移動させてフォーカスを行う。また、撮影光学系１０２は、第２のレンズ群１０５と第３のレンズ群１０６の間に、開口絞り１０８を有する。

調光ユニットは、調光フィルタである有機ＥＣ素子１と透過濃度固定のＮＤフィルタ１１１を備える。ＮＤフィルタ１１１は、例えば透過率が１／８（１２.５％）のＮＤ３のフィルタである。そして、ＮＤフィルタ１１１は、可動手段１１２によって撮影光学系１０２の撮影光路に挿抜が可能な構成になっている。具体的には、ＮＤフィルタ１１１は、撮影光学系１０２と有機ＥＣ素子１との間に挿抜が可能となっていて、有機ＥＣ素子１および撮像素子１１０に到達する光量を制御する。有機ＥＣ素子１は、撮影光路中の有効光路域Ｓ１に固定されている。

撮像装置１０１は、さらに、調光ユニットである有機ＥＣ素子１とＮＤフィルタ１１１の透過率を測定するための投光素子１１４と受光素子１１５を備える。投光素子１１４と受光素子１１５によって検出された調光ユニットの透過率に基づいて、有機ＥＣ素子１の透過率が正しく制御されているかを確認する。投光素子１１４と受光素子１１５の有効光路域は、有効光路域Ｓ２である。投光素子１１４は、発光回路２０３によって発光が制御される。受光素子１１５は、受光回路２０２を介して撮像装置１０１を制御するシステム制御回路２００に受光信号を送信する。システム制御回路２００は、受光素子１１５から得られた受光信号に基づいて、調光ユニットの透過率を検出する。また、ＮＤフィルタ１１１は、可動手段１１２によって有効光路域Ｓ２に対しても挿抜が可能な構成になっている。

撮像装置１０１は、さらに、調光フィルタである有機ＥＣ素子１の表面の温度を測定する温度検出手段である温度計１１３を備える。温度計１１３は、例えば、非接触方式の放射温度計である。なお、温度計１１３は、有機ＥＣ素子１の表面の温度のむらを測定してもよい。温度のむらとは、有機ＥＣ素子１の中央部と周辺部の温度の差である。また、撮像装置１０１は、ガラスブロック１０９を備える。ガラスブロック１０９は、撮像素子１１０と調光ユニットの間に配設される。ガラスブロック１０９は、ローパスフィルタやフェースプレートや色フィルタ等のガラスブロックである。

＜フィルタ制御＞
撮像装置１０１の調光ユニットは、被写体の明るさおよび調光フィルタである有機ＥＣ素子１の温度状態に応じて制御される。調光ユニットの制御は、調光フィルタの透過率の制御およびＮＤフィルタ１１１の位置の制御により行われる。図８は、調光ユニットのフィルタ設定を説明する図である。図９は、調光ユニットのフィルタ設定方法を示すフローチャートである。

Ｓ９０１で、システム制御回路２００は、温度計１１３から有機ＥＣ素子１の表面温度Ｔを取得する。
Ｓ９０２で、システム制御回路２００は、Ｓ９０１で取得した温度Ｔが所定の温度Ｔ１未満であるか否か判定する。所定の温度Ｔ１は、有機ＥＣ素子１が良好な着消色特性を発現する上限温度である。なお、所定の温度Ｔ１は、有機ＥＣ素子１が良好な着消色特性を発現する上限温度に対して余裕を持った温度設定にすることがより好ましい。温度Ｔが所定の温度Ｔ１未満である場合は、Ｓ９０３に進む。一方、温度Ｔが所定の温度Ｔ１以上である場合は、Ｓ９０９に進む。

Ｓ９０３で、システム制御回路２００は、撮像素子駆動回路２０１を介して撮像素子１１０にて被写体の明るさＬを検出する。なお、ここで検出する被写体の明るさＬは、被写体自体の輝度でもよいし、露光時間を考慮した明るさでもよい。
Ｓ９０４で、システム制御回路２００は、Ｓ９０３で検出した被写体の明るさＬが所定の明るさＬ１（第１の閾値）未満であるか否か判定する。被写体の明るさＬが所定の明るさＬ１未満である場合は、Ｓ９０６に進む。一方、被写体の明るさＬが所定の明るさＬ１以上（第１の閾値以上）である場合は、Ｓ９０５に進む。
Ｓ９０５で、システム制御回路２００は、Ｓ９０３で検出した被写体の明るさＬが所定の明るさＬ２（第２の閾値）より明るいか否か判定する。被写体の明るさＬが所定の明るさＬ２より明るい場合は、Ｓ９０８に進む。一方、被写体の明るさＬが所定の明るさＬ２以下である場合は、Ｓ９０７に進む。所定の明るさＬ２は、所定の明るさＬ１より明るい値である。

Ｓ９０６～Ｓ９０９で、システム制御回路２００は、調光ユニットの設定をそれぞれ第１のフィルタ設定～第４のフィルタ設定に設定する。図８は、第１のフィルタ設定～第４のフィルタ設定における調光フィルタである有機ＥＣ素子１の状態とＮＤフィルタの状態を表している。本実施形態では、調光フィルタは、透過率と透過率が５０％であるＮＤ１と透過率が６.２５％であるＮＤ４のいずれかに制御される。また、本実施形態のＮＤフィルタ１１１は、例えば、透過率が１２.５％であるＮＤ３である。ＮＤフィルタ１１１は、有効光路域Ｓ１および有効光路域Ｓ２のそれぞれに

本実施形態では、調光ユニットの透過率をＳ／Ｎよく検出するために、投光素子１１４と受光素子１１５により検出を行う有効光路域Ｓ２の透過率が、大きく変化しないよう、より好ましくは常に一定の値に保たれるようにフィルタを設定する。本実施形態では、有機ＥＣ素子１とＮＤフィルタ１１１による有効光路域Ｓ２の透過率が、例えば、６.２５％になるように、有機ＥＣ素子１とＮＤフィルタ１１１が制御される。

Ｓ９０６で、システム制御回路２００は、調光ユニットの設定を第１のフィルタ設定にする。第１のフィルタ設定の状態を示したのが、図５（Ａ）である。システム制御回路２００は、所定の明るさＬ１より明るくない被写体で撮像素子１１０において適性露出が得られるように、有機ＥＣ素子１の透過率を透過率の高いＮＤ１に制御する。また、システム制御回路２００は、被写体の明るさＬが所定の明るさＬ２より明るくないため、可動手段１１２によってＮＤフィルタ１１１を撮影光路である有効光路域Ｓ１から待避した状態に設定する。さらに、システム制御回路２００は、可動手段１１２によって、ＮＤフィルタ１１１が投光素子１１４から受光素子１１５に向かう検出光路である有効光路域Ｓ２に含まれるように制御する。そして、システム制御回路２００は、有効光路域Ｓ２の透過率が有機ＥＣ素子１とＮＤフィルタ１１１により６.２５％になるように、ＮＤフィルタ１１１の透過率をＮＤ３に制御する。これにより、調光ユニットの透過率をＳ／Ｎよく検出可能になる。

Ｓ９０７で、システム制御回路２００は、調光ユニットの設定を第２のフィルタ設定にする。第２のフィルタ設定の状態を示したのが、図５（Ｂ）である。システム制御回路２００は、所定の明るさＬ１より明るい被写体で撮像素子１１０において適性露出が得られるように、有機ＥＣ素子１の透過率を透過率の低いＮＤ４に制御する。また、システム制御回路２００は、被写体の明るさＬが所定の明るさＬ２より明るくないため、可動手段１１２によってＮＤフィルタ１１１を撮影光路である有効光路域Ｓ１から待避した状態に設定する。さらに、システム制御回路２００は、可動手段１１２によって、ＮＤフィルタ１１１が投光素子１１４から受光素子１１５に向かう検出光路である有効光路域Ｓ２から待避するように制御する。これにより、有効光路域Ｓ２の透過率が有機ＥＣ素子１により６.２５％になり、調光ユニットの透過率をＳ／Ｎよく検出可能になる。

Ｓ９０８で、システム制御回路２００は、調光ユニットの設定を第３のフィルタ設定にする。第３のフィルタ設定の状態を示したのが、図６（Ａ）である。システム制御回路２００は、所定の明るさＬ１より明るい被写体で撮像素子１１０において適性露出が得られるように、有機ＥＣ素子１の透過率を透過率の低いＮＤ４に制御する。また、システム制御回路２００は、被写体の明るさＬが所定の明るさＬ２より明るいため、可動手段１１２によってＮＤフィルタ１１１を撮影光路である有効光路域Ｓ１に含まれる状態に設定する。さらに、システム制御回路２００は、可動手段１１２によって、ＮＤフィルタ１１１が投光素子１１４から受光素子１１５に向かう検出光路である有効光路域Ｓ２から待避するように制御する。これにより、有効光路域Ｓ２の透過率が有機ＥＣ素子１により６.２５％になり、調光ユニットの透過率をＳ／Ｎよく検出可能になる。

Ｓ９０９で、システム制御回路２００は、調光ユニットの設定を第４のフィルタ設定にする。第４のフィルタ設定の状態を示したのが、図６（Ｂ）である。Ｓ９０９では、有機ＥＣ素子１の表面温度Ｔが、有機ＥＣ素子１が良好な着消色特性を発現する上限温度Ｔ１より高い状態となっている。そのため、システム制御回路２００は、有機ＥＣ素子１に到達する光を少なくするために、可動手段１１２によってＮＤフィルタ１１１を撮影光路である有効光路域Ｓ１に配置する。ＮＤフィルタ１１１は透過率が１２.５％のＮＤ３のため、有機ＥＣ素子１に到達する光が減少し、集光に伴う有機ＥＣ素子１の温度上昇を抑制する。そして、システム制御回路２００は、ＮＤフィルタ１１１で減光された光で撮像素子１１０において適性露出が得られるように、有機ＥＣ素子１の透過率を透過率の高いＮＤ１に制御する。さらに、システム制御回路２００は、可動手段１１２によって、ＮＤフィルタ１１１が投光素子１１４から受光素子１１５に向かう検出光路である有効光路域Ｓ２に含まれるように制御する。これにより、有効光路域Ｓ２の透過率が有機ＥＣ素子１とＮＤフィルタ１１１により６.２５％になり、調光ユニットの透過率をＳ／Ｎよく検出可能になる。

以上のように、有機ＥＣ素子１の表面温度を検出して、表面温度が許容値を超えた場合はＮＤフィルタ１１１を有機ＥＣ素子１の光入射側に配置することにより、有機ＥＣ素子１に到達する光を減少させ集光に伴う温度上昇を抑制している。その結果、有機ＥＣ素子１の良好な着消色特性を発現することが可能となっている。

また、本実施形態では、有機ＥＣ素子１の表面温度に応じて調光フィルタの制御を行う例を示したが、これに限られるものではない。例えば、有機ＥＣ素子１の表面温度にむらが生じた場合においても、非接触方式の放射温度計で有機ＥＣ素子１の表面温度のむらを測定することにより、表面温度のむらに応じた調光フィルタの制御を行うことが有効である。温度のむらに応じた制御を行う場合、システム制御回路２００は、Ｓ９０２で有機ＥＣ素子１の中央部の温度と周辺部の温度の差が閾値より大きいと判定した場合に、Ｓ９０９に進み、有効光路域Ｓ１にＮＤフィルタ１１１を挿入するよう制御する。また、本実施形態では、調光フィルタとして有機ＥＣ素子の例を示したが、調光フィルタが液晶素子であっても有効である。このように、本実施形態では、有機ＥＣ素子１の温度状態に応じて、ＮＤフィルタ１１１の挿抜と有機ＥＣ素子１の透過率を制御し、有機ＥＣ素子１の温度上昇を抑制して、良好な着消色特性を保っている。

（その他の実施例）
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。

１有機ＥＣ素子
１１１ＮＤフィルタ
１１３温度計
１１４投光素子
１１５受光素子
２００システム制御回路

Claims

撮像素子に到達する光量を調整する、光の透過率を変化させることが可能な調光フィルタと、
前記撮像素子に到達する光量を調整する、前記撮像素子に到達する光の有効光路に挿抜が可能な光学フィルタと、
前記調光フィルタの温度状態を検出する温度検出手段と、
前記温度検出手段により検出した前記温度状態に応じて前記調光フィルタの透過率および前記光学フィルタの挿抜を制御する制御手段と、を備え、
前記光学フィルタは、前記調光フィルタより被写体側に配置される
ことを特徴とする撮像装置。
前記制御手段は、前記温度状態が予め設定された許容値を超えた場合、前記光学フィルタを前記有効光路に挿入し、前記調光フィルタの透過率を高くすることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
前記調光フィルタの透過率を検出するための投光手段および受光手段をさらに備え、
前記調光フィルタは、前記有効光路および前記投光手段が投光する光の検出光路に重なるよう配置され、
前記制御手段は、前記温度状態および前記調光フィルタの透過率に応じて、前記光学フィルタの前記有効光路または前記検出光路への挿抜を制御することを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
前記制御手段は、前記検出光路における透過率が常に一定の値に保たれるよう、前記調光フィルタの透過率および前記光学フィルタの挿抜を制御することを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
前記制御手段は、前記温度状態が予め設定された許容値を超えた場合、前記光学フィルタを前記有効光路および前記検出光路に挿入し、前記調光フィルタの透過率を高くすることを特徴とする請求項３または４に記載の撮像装置。
前記制御手段は、前記温度状態が予め設定された許容値の範囲内であり、かつ、被写体の明るさが第１の閾値より小さい場合は、前記光学フィルタを前記有効光路から待避させ前記検出光路のみに挿入し、前記調光フィルタの透過率を高くすることを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置。
前記制御手段は、前記温度状態が予め設定された許容値の範囲内であり、かつ、被写体の明るさが第１の閾値以上でありかつ第２の閾値より小さい場合は、前記光学フィルタを前記有効光路および前記検出光路から待避させ、前記調光フィルタの透過率を低くすることを特徴とする請求項３乃至６のいずれか１項に記載の撮像装置。
前記制御手段は、前記温度状態が予め設定された許容値の範囲内であり、かつ、被写体の明るさが第２の閾値以上である場合、前記光学フィルタを前記検出光路から待避させ前記有効光路のみに挿入し、前記調光フィルタの透過率を低くすることを特徴とする請求項３乃至７のいずれか１項に記載の撮像装置。
前記温度状態は、前記調光フィルタの温度もしくは温度のむらであることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の撮像装置。
前記調光フィルタは有機ＥＣ素子であり、前記光学フィルタはＮＤフィルタであることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の撮像装置。
撮像素子に到達する光量を調整する、光の透過率を変化させることが可能な調光フィルタと、
前記調光フィルタより被写体側に配置され、前記撮像素子に到達する光量を調整する、前記撮像素子に到達する光の有効光路に挿抜が可能な光学フィルタと、を備える撮像装置の制御方法であって、
前記調光フィルタの温度状態を検出する工程と、
検出した前記温度状態に応じて前記調光フィルタの透過率および前記光学フィルタの挿抜を制御する工程を有する、
ことを特徴とする制御方法。