JP6981350B2 - 力学量センサ材料 - Google Patents
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Description
本明細書が開示する技術は、感圧体を形成するための力学量センサ材料に関する。
特許文献1に記載の技術では、抵抗ペースト組成物において、温度を変えたときの抵抗変化率(抵抗温度係数)を調整するために、調整剤を添加することが行われている。調整剤の例としては、Nb2O5、TiO2、MnO2、Sb2O3などが挙げられる。
調整剤が配合されたことに起因して、抵抗ペースト組成物の抵抗値が上昇してしまう場合がある。
本明細書が開示する力学量センサ材料の一実施形態は、応力の印加によって電気的特性が変化する感圧体を形成するための力学量センサ材料である。RuO2を含んだ導電性粒子と、ガラスと、N型不純物がドープされた酸化物半導体と、を備える。
RuO2を含んだ導電性粒子と、ガラスと、を含んだ力学量センサ材料の温度特性は、温度の上昇とともに抵抗値が大きくなる特性を有している。また、N型不純物がドープされた酸化物半導体は、N型半導体である。このようなN型半導体は、温度の上昇とともに抵抗値が小さくなる特性を有している。従って、導電性粒子およびガラスの温度特性と、N型不純物がドープされた酸化物半導体の温度特性とが打ち消し合うことによって、力学量センサ材料の抵抗値の温度変化に対する変動量を抑制することができる。また、N型不純物がドープされている酸化物半導体の比抵抗は、不純物がドープされていない酸化物半導体の比抵抗に比して、低くすることができる。従って、酸化物半導体を力学量センサ材料に添加することによる力学量センサ材料の抵抗値の上昇を、抑制することができる。
酸化物半導体の比抵抗は、10Ω・cm〜50Ω・cmであってもよい。
酸化物半導体は、無機酸化物を含んでいてもよい。効果の詳細は実施例で説明する。
無機酸化物は、二酸化ケイ素(SiO2)、酸化チタン(TiO2)の少なくとも何れかであってもよい。効果の詳細は実施例で説明する。
酸化物半導体は、二酸化スズ(SnO2)、五酸化ニオブ(Nb2O5)、酸化チタン(TiO2)の少なくとも何れかであってもよい。
N型不純物は、アンチモン(Sb)、三酸化二アンチモン(Sb2O3)、五酸化二アンチモン(Sb2O5)、五酸化バナジウム(V2O5)、三酸化タングステン(WO3)、酸化第二鉄(Fe2O3)、二酸化マンガン(MnO2)、三酸化二マンガン(Mn2O3)の少なくとも何れかであってもよい。
ガラスは酸化鉛を含んでいてもよい。
比抵抗が1Ω・cm〜50Ω・cmの導電性粒子とガラスの混合体の合計100重量パーセントに対して、酸化物半導体が0.1重量パーセント〜2重量パーセントであってもよい。
(力学量センサ素子)
力学量センサ素子は、力学的な変化量を歪み(応力)を介して感圧体で計測する素子である。力学的な変化量の一例としては、力、圧力、トルク、速度、加速度、位置、変位、衝撃力、重量質量、真空度、回転力、振動、騒音等が挙げられる。感圧体を構成する力学量センサ材料としては、圧力抵抗効果を用いた材料が存在する。圧力抵抗効果とは、材料に圧縮応力、引っ張り応力、剪断応力、静水圧応力等が加わった際に、感圧体の電気抵抗が変化する現象のことである。感圧体は、このような力学量センサ材料よりなる抵抗ペーストを金属やジルコニア等の起歪体に焼き付けることによって得られる。このような力学量センサ素子においては、起歪体に外部から力学量を加えることにより、感圧体の電気抵抗を変動させ、この電気抵抗の変動を検出することにより力学量を測定することができる。
力学量センサ素子は、力学的な変化量を歪み(応力)を介して感圧体で計測する素子である。力学的な変化量の一例としては、力、圧力、トルク、速度、加速度、位置、変位、衝撃力、重量質量、真空度、回転力、振動、騒音等が挙げられる。感圧体を構成する力学量センサ材料としては、圧力抵抗効果を用いた材料が存在する。圧力抵抗効果とは、材料に圧縮応力、引っ張り応力、剪断応力、静水圧応力等が加わった際に、感圧体の電気抵抗が変化する現象のことである。感圧体は、このような力学量センサ材料よりなる抵抗ペーストを金属やジルコニア等の起歪体に焼き付けることによって得られる。このような力学量センサ素子においては、起歪体に外部から力学量を加えることにより、感圧体の電気抵抗を変動させ、この電気抵抗の変動を検出することにより力学量を測定することができる。
(力学量センサ材料)
力学量センサ材料は、RuO2を含んだ導電性粒子と、ガラスと、N型不純物がドープされた酸化物半導体と、を含んでいる。本実施形態では、導電性粒子は、RuO2の粒子である。RuO2の粒径は、0.1〜5μmであってもよい。また本実施形態では、ガラスは、酸化鉛を含んだ鉛ガラスである。また本実施形態では、力学量センサ材料における導電性粒子とガラスの混合割合は、重量比で約3:7である。
力学量センサ材料は、RuO2を含んだ導電性粒子と、ガラスと、N型不純物がドープされた酸化物半導体と、を含んでいる。本実施形態では、導電性粒子は、RuO2の粒子である。RuO2の粒径は、0.1〜5μmであってもよい。また本実施形態では、ガラスは、酸化鉛を含んだ鉛ガラスである。また本実施形態では、力学量センサ材料における導電性粒子とガラスの混合割合は、重量比で約3:7である。
N型不純物がドープされた酸化物半導体について説明する。N型不純物がドープされた酸化物半導体の比抵抗は、導電性粒子/ガラス混合体の比抵抗に近くされる。例えば、導電性粒子/ガラス混合体の比抵抗が10Ω・cmの場合には、N型不純物がドープされた酸化物半導体の比抵抗は10Ω・cm〜50Ω・cmの範囲にすればよい。これにより、「N型不純物がドープされた酸化物半導体」が添加された力学量センサ材料の抵抗値が、許容値を超えて大きくなってしまうことがない。N型不純物がドープされた酸化物半導体の、導電性粒子/ガラス混合体への添加量は、添加後の導電性粒子/ガラス混合体の抵抗温度係数が所定の範囲内になるように定めればよい。詳しくは後述する。
酸化物半導体の一例としては、二酸化スズ(SnO2)、五酸化ニオブ(Nb2O5)、酸化チタン(TiO2)の少なくとも何れかが挙げられる。N型不純物の一例としては、アンチモン(Sb)、三酸化二アンチモン(Sb2O3)、五酸化二アンチモン(Sb2O5)、五酸化バナジウム(V2O5)、三酸化タングステン(WO3)、酸化第二鉄(Fe2O3)、二酸化マンガン(MnO2)、三酸化二マンガン(Mn2O3)の少なくとも何れかが挙げられる。
また、「N型不純物」と「酸化物半導体」の組み合わせとしては、例えば、以下の組み合わせが挙げられる。Sb−SnO2、Sb2O3−SnO2、V2O5−SnO2、WO3−Nb2O5、Fe2O3−TiO2、MnO2−TiO2、Mn2O3−TiO2。
また本実施形態では、酸化物半導体は、無機酸化物を含んでいる。無機酸化物の一例としては、SiO2、TiO2が挙げられる。具体的に説明する。酸化物半導体および無機酸化物は、共に粒子である。無機酸化物の粒径は、酸化物半導体の粒径よりも大きい。無機酸化物の粒径は、0.2〜5μmであってもよい。酸化物半導体の粒径は、0.1〜1μmであってもよい。無機酸化物の粒子の表面に、酸化物半導体の粒子が付着していてもよい。これにより、酸化物半導体の粒子の凝集を抑制することができるため、導電性粒子/ガラス混合体内で、酸化物半導体を効率よく分散させることができる。導電性粒子/ガラス混合体への酸化物半導体の必要添加量を少なくすることが可能となる。
本実施形態では、N型不純物がドープされた酸化物半導体として、アンチモンドープの酸化スズ(Sb−SnO2)を用いる場合を説明する。また、無機酸化物がSiO2である場合を説明する。このN型不純物がドープされた酸化物半導体(SiO2/Sb−SnO2)の比抵抗は、10Ω・cm〜50Ω・cmであり、抵抗温度係数は、−2340ppm/℃である。導電性粒子/ガラス混合体と「N型不純物がドープされた酸化物半導体」との混合は、公転・自転回転ミキサーにて行ってもよい。
(力学量センサ素子の構造)
図1に、力学量センサ素子の一例を示す。力学量センサ素子1は、感圧体2、絶縁体3、電極4を備えている。感圧体2は、応力Fの印加によって電気的特性が変化する素子である。感圧体2は、本明細書に記載の力学量センサ材料を用いて作製した素子である。絶縁体3は、感圧体2の対向する2つの表面に、それぞれ一体的に形成された電気絶縁性の絶縁体である。図1の例では、絶縁体3はジルコニアである。絶縁体3は、感圧体2を挟み込むように形成されている。感圧体2には一対の電極4が配設されている。
図1に、力学量センサ素子の一例を示す。力学量センサ素子1は、感圧体2、絶縁体3、電極4を備えている。感圧体2は、応力Fの印加によって電気的特性が変化する素子である。感圧体2は、本明細書に記載の力学量センサ材料を用いて作製した素子である。絶縁体3は、感圧体2の対向する2つの表面に、それぞれ一体的に形成された電気絶縁性の絶縁体である。図1の例では、絶縁体3はジルコニアである。絶縁体3は、感圧体2を挟み込むように形成されている。感圧体2には一対の電極4が配設されている。
(力学量センサ素子の作製方法)
大きさ25mm×25mm×1.5mmのジルコニア板を2枚準備する。スクリーン印刷により、本実施形態の力学量センサ材料をジルコニア板に印刷した。焼結温度850℃、保持時間10分で焼結した。これにより、電気絶縁性材料(ガラス)のマトリックスに導電性材料(RuO2)よりなる導電性粒子が分散された感圧体を、ジルコニア板の表面に形成することができる。なお、感圧体の厚みは20μmであった。
大きさ25mm×25mm×1.5mmのジルコニア板を2枚準備する。スクリーン印刷により、本実施形態の力学量センサ材料をジルコニア板に印刷した。焼結温度850℃、保持時間10分で焼結した。これにより、電気絶縁性材料(ガラス)のマトリックスに導電性材料(RuO2)よりなる導電性粒子が分散された感圧体を、ジルコニア板の表面に形成することができる。なお、感圧体の厚みは20μmであった。
感圧体が形成されたジルコニア板を2枚作製し、感圧体が形成されている面同士を密着させ、温度850℃、保持時間30分で融着した。一体化したジルコニア板から4mm×4mm×3.0mmの素子を切り出した。これにより、感圧体2が絶縁体3(ジルコニア板)に挟まれたサンドイッチ構造を得た。サンドイッチ構造の側面に銀ペーストを塗布し、温度850℃、保持時間10分で熱処理することで、感圧体2を挟む一対の電極4を形成した。これにより、図1に示す力学量センサ素子1が完成した。
(温度特性)
本実施形態の力学量センサ材料を用いて作製した力学量センサ素子1(図1)の温度特性について説明する。力学量センサ素子1を恒温槽に入れ、温度を−40℃から150℃までの範囲で変化させた。この間、各温度における力学量センサ素子1の電気抵抗を測定し、温度25℃における電気抵抗に対する、各温度における電気抵抗の変化の割合(抵抗変化率)を算出した。その結果を図2に示す。図2において、横軸は温度(℃)を示し、縦軸は抵抗変化率(%)を示す。なお図2において、グラフが水平に近いほど抵抗変化率が小さく、好ましい特性である。
本実施形態の力学量センサ材料を用いて作製した力学量センサ素子1(図1)の温度特性について説明する。力学量センサ素子1を恒温槽に入れ、温度を−40℃から150℃までの範囲で変化させた。この間、各温度における力学量センサ素子1の電気抵抗を測定し、温度25℃における電気抵抗に対する、各温度における電気抵抗の変化の割合(抵抗変化率)を算出した。その結果を図2に示す。図2において、横軸は温度(℃)を示し、縦軸は抵抗変化率(%)を示す。なお図2において、グラフが水平に近いほど抵抗変化率が小さく、好ましい特性である。
グラフG1は、酸化物半導体が添加されていない導電性粒子/ガラス混合体を用いた場合の温度特性である。グラフG1に示すように、温度の上昇とともに抵抗変化率が正の方向に大きくなるP特性である。また抵抗温度係数は+250ppm/℃であった。
グラフG2は、「N型不純物がドープされた酸化物半導体」(SiO2/Sb−SnO2)を0.5重量パーセント添加した導電性粒子/ガラス混合体を用いた場合の温度特性である。抵抗温度係数は+20ppm/℃であった。グラフG2は、グラフG1に比して抵抗変化率が小さいことが分かる。
グラフG3は、「N型不純物がドープされた酸化物半導体」(SiO2/Sb−SnO2)を2.0重量パーセント添加した導電性粒子/ガラス混合体を用いた場合の温度特性である。グラフG3に示すように、温度の上昇とともに抵抗変化率が負の方向に大きくなるN特性である。また抵抗温度係数は−140ppm/℃であった。
図3に、「N型不純物がドープされた酸化物半導体」(SiO2/Sb−SnO2)の導電性粒子/ガラス混合体への添加量と、抵抗温度係数と、の関係を示す。図3において、縦軸は抵抗温度係数(ppm/℃)を示し、横軸は添加量(重量パーセント)を示す。また、抵抗温度係数の目標範囲R1(±100ppm/℃)を、ハッチングで示す。図3に示すように、N型不純物がドープされた酸化物半導体の添加量が増加することに応じて、抵抗温度係数は単調減少する。そして、抵抗温度係数が目標範囲R1(±100ppm/℃)となる添加量の範囲は、0.3〜1.4重量パーセントであることが分かる。
(センサ素子の抵抗値)
また、比較用の力学量センサ素子と、本実施形態の力学量センサ素子と、を作製した。比較用の力学量センサ素子は、「N型不純物がドープされていない酸化物半導体」が添加された導電性粒子/ガラス混合体で作製されている。本実施形態の力学量センサ素子は、「N型不純物がドープされている酸化物半導体」が添加された導電性粒子/ガラス混合体で作製されている。比較用の力学量センサ素子、および、本実施形態の力学量センサ素子の両方において、酸化物半導体の添加量を、0.5〜2.0重量パーセントの範囲で変化させた。そして、同一の酸化物半導体の添加量における抵抗値を、両方の力学量センサ素子で比較した。その結果、本実施形態の力学量センサ素子の方が、比較用の力学量センサ素子よりも、1/2〜1/4程度まで抵抗値が低くなる結果となった。
また、比較用の力学量センサ素子と、本実施形態の力学量センサ素子と、を作製した。比較用の力学量センサ素子は、「N型不純物がドープされていない酸化物半導体」が添加された導電性粒子/ガラス混合体で作製されている。本実施形態の力学量センサ素子は、「N型不純物がドープされている酸化物半導体」が添加された導電性粒子/ガラス混合体で作製されている。比較用の力学量センサ素子、および、本実施形態の力学量センサ素子の両方において、酸化物半導体の添加量を、0.5〜2.0重量パーセントの範囲で変化させた。そして、同一の酸化物半導体の添加量における抵抗値を、両方の力学量センサ素子で比較した。その結果、本実施形態の力学量センサ素子の方が、比較用の力学量センサ素子よりも、1/2〜1/4程度まで抵抗値が低くなる結果となった。
(荷重特性)
図1に示すように、力学量センサ素子1に応力Fを積層方向にかけ、力学量センサ素子1の電気抵抗を測定した。応力を加えていないときの電気抵抗に対する、応力印加時の電気抵抗の変化の割合(抵抗変化率)を算出した。その結果を図4に示す。なお、図4において、横軸は印加した応力(MPa)を示し、縦軸は抵抗変化率(%)を示す。なお図4において、グラフの傾きが大きいほど高感度となり、好ましい特性である。
図1に示すように、力学量センサ素子1に応力Fを積層方向にかけ、力学量センサ素子1の電気抵抗を測定した。応力を加えていないときの電気抵抗に対する、応力印加時の電気抵抗の変化の割合(抵抗変化率)を算出した。その結果を図4に示す。なお、図4において、横軸は印加した応力(MPa)を示し、縦軸は抵抗変化率(%)を示す。なお図4において、グラフの傾きが大きいほど高感度となり、好ましい特性である。
図4に示すように、圧縮応力の増加にともなって抵抗変化率が直線的に小さくなった。グラフG4は、酸化物半導体が添加されていない導電性粒子/ガラス混合体を用いた場合の抵抗変化率であり、−1.88%/100MPaであった。グラフG5は、「N型不純物がドープされた酸化物半導体」(SiO2/Sb−SnO2)を0.5重量パーセント添加した導電性粒子/ガラス混合体を用いた場合の抵抗変化率であり、−2.25%/100MPaであった。グラフG6は、「N型不純物がドープされた酸化物半導体」(SiO2/Sb−SnO2)を2.0重量パーセント添加した導電性粒子/ガラス混合体を用いた場合の抵抗変化率であり、−2.47%/100MPaであった。
(効果)
図2のグラフG1に示すように、導電性粒子/ガラス混合体の単体での温度特性は、温度の上昇とともに抵抗値が大きくなる特性(P特性)を有している。そして抵抗温度係数は+250ppm/℃程度である。一方、「N型不純物がドープされた酸化物半導体」(SiO2/Sb−SnO2)の単体での抵抗温度係数は、温度の上昇とともに抵抗値が小さくなる特性(N特性)を有している。そして抵抗温度係数は、前述したように、−2340ppm/℃程度である。従って、導電性粒子/ガラス混合体に、「N型不純物がドープされた酸化物半導体」を添加することにより、導電性粒子/ガラス混合体の温度特性と、「N型不純物がドープされた酸化物半導体」の温度特性とを打ち消し合うことができる。そして図3に示すように、添加量の範囲を0.3〜1.4重量パーセントの範囲にすることで、抵抗温度係数を目標範囲R1(±100ppm/℃)内に収めることができる。優れた温度特性を備えた力学量センサ材料を生成することが可能となる。
図2のグラフG1に示すように、導電性粒子/ガラス混合体の単体での温度特性は、温度の上昇とともに抵抗値が大きくなる特性(P特性)を有している。そして抵抗温度係数は+250ppm/℃程度である。一方、「N型不純物がドープされた酸化物半導体」(SiO2/Sb−SnO2)の単体での抵抗温度係数は、温度の上昇とともに抵抗値が小さくなる特性(N特性)を有している。そして抵抗温度係数は、前述したように、−2340ppm/℃程度である。従って、導電性粒子/ガラス混合体に、「N型不純物がドープされた酸化物半導体」を添加することにより、導電性粒子/ガラス混合体の温度特性と、「N型不純物がドープされた酸化物半導体」の温度特性とを打ち消し合うことができる。そして図3に示すように、添加量の範囲を0.3〜1.4重量パーセントの範囲にすることで、抵抗温度係数を目標範囲R1(±100ppm/℃)内に収めることができる。優れた温度特性を備えた力学量センサ材料を生成することが可能となる。
なお、「N型不純物がドープされた酸化物半導体」の、「0.3〜1.4重量パーセント」の添加量の範囲は、本実施形態での一例である。導電性粒子/ガラス混合体の比抵抗によって、適切な添加量の範囲は変動する。従って、導電性粒子/ガラス混合体の比抵抗を考慮して添加量の範囲を一般化すると、「比抵抗が1Ω・cm〜50Ω・cmの導電性粒子/ガラス混合体の混合体の合計100重量パーセントに対して、酸化物半導体が0.1重量パーセント〜2重量パーセントの範囲」となる。
「N型不純物がドープされている酸化物半導体」の比抵抗は、「不純物がドープされていない酸化物半導体」の比抵抗に比して、低くすることができる。従って、「N型不純物がドープされている酸化物半導体」を導電性粒子/ガラス混合体に添加することにより、当該導電性粒子/ガラス混合体によって形成された力学量センサ素子の抵抗値の上昇を、抑制することができる。これにより、抵抗温度係数を目標範囲R1(±100ppm/℃)内に収めることと、力学量センサ素子の抵抗値を低減することとを、両立することが可能となる。
図4のグラフから、「N型不純物がドープされた酸化物半導体」の、導電性粒子/ガラス混合体への添加量を増加させるほど、抵抗変化率を大きくする(すなわち感度を高める)ことができることが分かる。これは、導電性粒子/ガラス混合体に添加されるSiO2/Sb−SnO2が半導体であるためと考えられる。特に、グラフG2およびG5に示すように、「N型不純物がドープされた酸化物半導体」(SiO2/Sb−SnO2)を0.5重量パーセント添加した導電性粒子/ガラス混合体を用いた場合には、抵抗温度係数を目標範囲R1内である+20ppm/℃にすることができるとともに、抵抗変化率(荷重特性)を酸化物半導体が添加されていない導電性粒子/ガラス混合体を用いた場合(グラフG1およびG4)に比して20%程度向上させることができることが分かる。
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
(変形例)
本実施形態では、酸化物半導体にN型不純物(ドナー)をドープする場合を説明したが、この形態に限られない。P型不純物(アクセプタ)をドープする場合においても、同様の効果が得られる場合がある。
本実施形態では、酸化物半導体にN型不純物(ドナー)をドープする場合を説明したが、この形態に限られない。P型不純物(アクセプタ)をドープする場合においても、同様の効果が得られる場合がある。
本実施形態では、無機酸化物を含んだ酸化物半導体の一例としてSiO2/Sb−SnO2を用いる場合を説明したが、この形態に限られない。例えば、TiO2/Sb−SnO2を用いてもよい。また、無機酸化物を含まない酸化物半導体(例:Sb−SnO2)を用いてもよい。これらによっても、SiO2/Sb−SnO2を用いる場合と同様の効果が得られる。
本実施形態で列挙した酸化物半導体やN型不純物は一例である。また本実施形態で列挙した「N型不純物」と「酸化物半導体」の組み合わせは一例である。従って、本実施形態に示した材料やその組み合わせに限定されない。
本実施形態では、鉛ガラスを用いる場合を説明したが、この形態に限られない。他のガラス(例:ホウケイ酸鉛ガラス)を用いることも可能である。
本実施形態では、導電性粒子としては、酸化ルテニウム(RuO2)を用いる場合を説明したが、この形態に限られない。他の導電性粒子(例:ルテニウム酸鉛)を用いることも可能である。これらは1種類を用いることもできるし、2種以上を組み合わせて用いることもできる。
感圧体2は、スクリーン印刷に限らず、ドクターブレード、押出成形、転写等の各プロセスを利用して作製することができる。
アンチモンは、N型不純物の一例である。二酸化スズは、酸化物半導体の一例である。
1:力学量センサ素子 2:感圧体 3:絶縁体 4:電極
Claims (8)
- 応力の印加によって電気的特性が変化する感圧体を形成するための力学量センサ材料であって、
RuO2を含んだ導電性粒子と、
ガラスと、
N型不純物がドープされた酸化物半導体と、
を備える、力学量センサ材料。 - 前記酸化物半導体の比抵抗は、10Ω・cm〜50Ω・cmである、請求項1に記載の力学量センサ材料。
- 前記酸化物半導体は、無機酸化物を含んでいる、請求項1または2に記載の力学量センサ材料。
- 前記無機酸化物は、二酸化ケイ素(SiO2)、酸化チタン(TiO2)の少なくとも何れかである、請求項3に記載の力学量センサ材料。
- 前記酸化物半導体は、二酸化スズ(SnO2)、五酸化ニオブ(Nb2O5)、酸化チタン(TiO2)の少なくとも何れかである、請求項1〜4の何れか1項に記載の力学量センサ材料。
- 前記N型不純物は、アンチモン(Sb)、三酸化二アンチモン(Sb2O3)、五酸化二アンチモン(Sb2O5)、五酸化バナジウム(V2O5)、三酸化タングステン(WO3)、酸化第二鉄(Fe2O3)、二酸化マンガン(MnO2)、三酸化二マンガン(MN2O3)の少なくとも何れかである、請求項1〜5の何れか1項に記載の力学量センサ材料。
- 前記ガラスは酸化鉛を含んでいる、請求項1〜6の何れか1項に記載の力学量センサ材料。
- 比抵抗が1Ω・cm〜50Ω・cmの前記導電性粒子と前記ガラスの混合体の合計100重量パーセントに対して、前記酸化物半導体が0.1重量パーセント〜2重量パーセントである、請求項1〜7の何れか1項に記載の力学量センサ材料。
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2018
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