JP6957168B2 - インピーダンス測定装置および測定方法 - Google Patents
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Description
上記目的を達成するため、本発明に係るインピーダンス測定方法は、被測定物のインピーダンスを測定するインピーダンス測定方法であって、未知のインピーダンスZ3を有する被測定物と、既知のインピーダンスZ1,Z2を有する2つの受動素子とで構成される被測定回路を、2つの端子を有する電気特性測定装置に接続し、2つの前記端子に接続された前記被測定回路のSパラメータS11,S12,S21,S22を測定する測定ステップと、前記測定ステップにて測定された前記SパラメータS11,S12,S21,S22に基づいて前記被測定回路のインピーダンスを算出し、前記被測定回路のインピーダンスおよび前記受動素子の既知のインピーダンスZ1,Z2に基づいて前記被測定物のインピーダンスZ3を算出する算出ステップと、を備え、前記被測定回路は、2つの前記端子間に接続される前記被測定物と、各前記端子とGNDとの間に接続される2つの前記受動素子とからなるπ型等価回路であり、2つの前記受動素子のうち、一方は既知のインダクタンスを有するインダクタ、他方は既知のキャパシタンスを有するキャパシタであり、2つの前記受動素子は、前記被測定回路が有する共振周波数特性の鋭さを表すQ値が、Q=f(共振周波数)/BW(バンド幅)で規定された場合において、10以上となるように設定され、前記被測定物は、既知のレジスタンスを有するレジスタ、および、既知のインピーダンスを有する素子、および、未知のインピーダンスを有する素子が直列に接続されており、既知のインピーダンスを有する前記素子、および、未知のインピーダンスを有する前記素子のうち、一方はインダクタ、他方はキャパシタであり、前記算出ステップは、次式(1)〜(4)を用いて前記SパラメータS11,S12,S21,S22をZパラメータZ11,Z12,Z21,Z22に変換し、前記ZパラメータZ11,Z12,Z21,Z22及び2つの前記受動素子の既知のインピーダンスZ1,Z2から次式(5)を用いて前記被測定物のインピーダンスZ3を算出し、前記被測定物のインピーダンスZ3および前記レジスタの既知のレジスタンスおよび前記既知のインピーダンスを有する素子の当該インピーダンスに基づいて、前記未知のインピーダンスを有する素子の当該インピーダンスを算出する、ことを特徴とする。
図1は、実施形態1に係るインピーダンス測定装置の概略構成を示す構成図である。図2は、実施形態1に係るインピーダンス測定装置における被測定回路の共振周波数特性の一例を示す図である。図3は、実施形態1に係るインピーダンス測定装置における被測定回路の位相特性の一例を示す図である。図4は、実施形態1に係るインピーダンス測定装置における被測定回路の共振特性の鋭さを示す模式図である。図5は、実施形態1に係る被測定回路に対応する等価回路の概略構成を示す図である。
図6は、実施形態2に係るインピーダンス測定装置の概略構成を示す構成図である。図7は、実施形態2に係る被測定回路に対応する等価回路の概略構成を示す図である。
10A,10B 被測定回路
11,13 信号線
15,17 端子
100 2端子用ネットワークアナライザ
101 第1ポート
103 第2ポート
200 パーソナルコンピュータ
Claims (4)
- 未知のインピーダンスZ3を有する被測定物と、既知のインピーダンスZ1,Z2を有する2つの受動素子とで構成される被測定回路と、
被測定回路に接続する2つの端子を有し、2つの前記端子に接続された前記被測定回路のSパラメータS11,S12,S21,S22を測定する電気特性測定装置と、
前記電気特性測定装置により測定された前記SパラメータS11,S12,S21,S22に基づいて前記被測定回路のインピーダンスを算出し、前記被測定回路のインピーダンスおよび前記受動素子の既知のインピーダンスZ1,Z2に基づいて前記被測定物のインピーダンスZ3を算出する算出装置と、
を備え、
前記被測定回路は、2つの前記端子間に直列に接続される2つの前記受動素子と、2つの前記受動素子間とGNDとの間に接続される前記被測定物とからなるT型等価回路であり、
2つの前記受動素子のうち、一方は既知のインダクタンスを有するインダクタ、他方は既知のキャパシタンスを有するキャパシタであり、
2つの前記受動素子は、前記被測定回路が有する共振周波数特性の鋭さを表すQ値が、Q=f(共振周波数)/BW(バンド幅)で規定された場合において、10以上となるように設定され、
前記被測定物は、既知のレジスタンスを有するレジスタ、および、既知のインピーダンスを有する素子、および、未知のインピーダンスを有する素子が直列に接続されており、
既知のインピーダンスを有する前記素子、および、未知のインピーダンスを有する前記素子のうち、一方はインダクタ、他方はキャパシタであり、
前記算出装置は、次式(1)〜(4)を用いて前記SパラメータS11,S12,S21,S22をZパラメータZ11,Z12,Z21,Z22に変換し、前記ZパラメータZ11,Z12,Z21,Z22及び2つの前記受動素子の既知のインピーダンスZ1,Z2から次式(5)を用いて前記被測定物のインピーダンスZ3を算出し、前記被測定物のインピーダンスZ3および前記レジスタの既知のレジスタンスおよび前記既知のインピーダンスを有する素子の当該インピーダンスに基づいて、前記未知のインピーダンスを有する素子の当該インピーダンスを算出する、
ことを特徴とするインピーダンス測定装置。
- 未知のインピーダンスZ3を有する被測定物と、既知のインピーダンスZ1,Z2を有する2つの受動素子とで構成される被測定回路と、
前記被測定回路に接続する2つの端子を有し、2つの前記端子に接続された前記被測定回路のSパラメータS11,S12,S21,S22を測定する電気特性測定装置と、
前記電気特性測定装置により測定された前記SパラメータS11,S12,S21,S22に基づいて前記被測定回路のインピーダンスを算出し、前記被測定回路のインピーダンスおよび前記受動素子の既知のインピーダンスZ1,Z2に基づいて前記被測定物のインピーダンスZ3を算出する算出装置と、
を備え、
前記被測定回路は、2つの前記端子間に接続される前記被測定物と、各前記端子とGNDとの間に接続される2つの前記受動素子とからなるπ型等価回路であり、
2つの前記受動素子のうち、一方は既知のインダクタンスを有するインダクタ、他方は既知のキャパシタンスを有するキャパシタであり、
2つの前記受動素子は、前記被測定回路が有する共振周波数特性の鋭さを表すQ値が、Q=f(共振周波数)/BW(バンド幅)で規定された場合において、10以上となるように設定され、
前記被測定物は、既知のレジスタンスを有するレジスタ、および、既知のインピーダンスを有する素子、および、未知のインピーダンスを有する素子が直列に接続されており、
既知のインピーダンスを有する前記素子、および、未知のインピーダンスを有する前記素子のうち、一方はインダクタ、他方はキャパシタであり、
前記算出装置は、次式(1)〜(4)を用いて前記SパラメータS11,S12,S21,S22をZパラメータZ11,Z12,Z21,Z22に変換し、前記ZパラメータZ11,Z12,Z21,Z22及び2つの前記受動素子の既知のインピーダンスZ1,Z2から次式(5)を用いて前記被測定物のインピーダンスZ3を算出し、前記被測定物のインピーダンスZ3および前記レジスタの既知のレジスタンスおよび前記既知のインピーダンスを有する素子の当該インピーダンスに基づいて、前記未知のインピーダンスを有する素子の当該インピーダンスを算出する、
ことを特徴とするインピーダンス測定装置。
- 被測定物のインピーダンスを測定するインピーダンス測定方法であって、
未知のインピーダンスZ3を有する被測定物と、既知のインピーダンスZ1,Z2を有する2つの受動素子とで構成される被測定回路を、2つの端子を有する電気特性測定装置に接続し、2つの前記端子に接続された前記被測定回路のSパラメータS11,S12,S21,S22を測定する測定ステップと、
前記測定ステップにて測定された前記SパラメータS11,S12,S21,S22に基づいて前記被測定回路のインピーダンスを算出し、前記被測定回路のインピーダンスおよび前記受動素子の既知のインピーダンスZ1,Z2に基づいて前記被測定物のインピーダンスZ3を算出する算出ステップと、
を備え、
前記被測定回路は、2つの前記端子間に直列に接続される2つの前記受動素子と、2つの前記受動素子間とGNDとの間に接続される前記被測定物とからなるT型等価回路であり、
2つの前記受動素子のうち、一方は既知のインダクタンスを有するインダクタ、他方は既知のキャパシタンスを有するキャパシタであり、
2つの前記受動素子は、前記被測定回路が有する共振周波数特性の鋭さを表すQ値が、Q=f(共振周波数)/BW(バンド幅)で規定された場合において、10以上となるように設定され、
前記被測定物は、既知のレジスタンスを有するレジスタ、および、既知のインピーダンスを有する素子、および、未知のインピーダンスを有する素子が直列に接続されており、
既知のインピーダンスを有する前記素子、および、未知のインピーダンスを有する前記素子のうち、一方はインダクタ、他方はキャパシタであり、
前記算出ステップは、次式(1)〜(4)を用いて前記SパラメータS11,S12,S21,S22をZパラメータZ11,Z12,Z21,Z22に変換し、前記ZパラメータZ11,Z12,Z21,Z22及び2つの前記受動素子の既知のインピーダンスZ1,Z2から次式(5)を用いて前記被測定物のインピーダンスZ3を算出し、前記被測定物のインピーダンスZ3および前記レジスタの既知のレジスタンスおよび前記既知のインピーダンスを有する素子の当該インピーダンスに基づいて、前記未知のインピーダンスを有する素子の当該インピーダンスを算出する、
ことを特徴とするインピーダンス測定方法。
- 被測定物のインピーダンスを測定するインピーダンス測定方法であって、
未知のインピーダンスZ3を有する被測定物と、既知のインピーダンスZ1,Z2を有する2つの受動素子とで構成される被測定回路を、2つの端子を有する電気特性測定装置に接続し、2つの前記端子に接続された前記被測定回路のSパラメータS11,S12,S21,S22を測定する測定ステップと、
前記測定ステップにて測定された前記SパラメータS11,S12,S21,S22に基づいて前記被測定回路のインピーダンスを算出し、前記被測定回路のインピーダンスおよび前記受動素子の既知のインピーダンスZ1,Z2に基づいて前記被測定物のインピーダンスZ3を算出する算出ステップと、
を備え、
前記被測定回路は、2つの前記端子間に接続される前記被測定物と、各前記端子とGNDとの間に接続される2つの前記受動素子とからなるπ型等価回路であり、
2つの前記受動素子のうち、一方は既知のインダクタンスを有するインダクタ、他方は既知のキャパシタンスを有するキャパシタであり、
2つの前記受動素子は、前記被測定回路が有する共振周波数特性の鋭さを表すQ値が、Q=f(共振周波数)/BW(バンド幅)で規定された場合において、10以上となるように設定され、
前記被測定物は、既知のレジスタンスを有するレジスタ、および、既知のインピーダンスを有する素子、および、未知のインピーダンスを有する素子が直列に接続されており、
既知のインピーダンスを有する前記素子、および、未知のインピーダンスを有する前記素子のうち、一方はインダクタ、他方はキャパシタであり、
前記算出ステップは、次式(1)〜(4)を用いて前記SパラメータS11,S12,S21,S22をZパラメータZ11,Z12,Z21,Z22に変換し、前記ZパラメータZ11,Z12,Z21,Z22及び2つの前記受動素子の既知のインピーダンスZ1,Z2から次式(5)を用いて前記被測定物のインピーダンスZ3を算出し、前記被測定物のインピーダンスZ3および前記レジスタの既知のレジスタンスおよび前記既知のインピーダンスを有する素子の当該インピーダンスに基づいて、前記未知のインピーダンスを有する素子の当該インピーダンスを算出する、
ことを特徴とするインピーダンス測定方法。
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JP2017040912A JP6957168B2 (ja) | 2017-03-03 | 2017-03-03 | インピーダンス測定装置および測定方法 |
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