JP6952098B2 - 均一な炭化ケイ素結晶の製造装置 - Google Patents
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
2 断熱材
3 るつぼ本体
31 第1端
32 第2端
4 種結晶
5 円筒
6 平板
7 ドープインゴット
8 炭化ケイ素材料源
9 均一な炭化ケイ素結晶の製造装置
10 第2群の複数孔
11 第1群の複数孔
Claims (9)
- 均一な炭化ケイ素結晶の製造装置であって、
表層が耐高温耐腐食材料であり、底部に第1群の複数孔を有する円筒と、
ドープ剤と可塑剤が混圧されたインゴットであって、前記円筒の内側に設置され、かつ前記第1群の複数孔に接触するドープインゴットと、
表層が耐高温耐腐食材料であり、前記ドープインゴットの上方に設置され、第2群の複数孔を有する平板とを含み、
前記第2群の複数孔が前記ドープインゴットに接触し、かつ前記第2群の複数孔の分布位置が前記第1群の複数孔と同じであり、
前記ドープ剤がバナジウム化合物であり、前記可塑剤が膨張黒鉛粉であり、前記ドープ剤と前記可塑剤の重量比が3:5であり、かつ、前記ドープ剤の添加割合が炭化ケイ素材料源の重量の0.01〜1wt%である、均一な炭化ケイ素結晶の製造装置。 - 前記第1群の複数孔及び前記第2群の複数孔の孔直径が1〜10mmである、請求項1に記載の均一な炭化ケイ素結晶の製造装置。
- 前記平板の厚さが1〜10mmである、請求項1に記載の均一な炭化ケイ素結晶の製造装置。
- 前記円筒の高さが20〜200mmである、請求項1に記載の均一な炭化ケイ素結晶の製造装置。
- 前記耐高温耐腐食材料が炭化タンタル(TaC)または炭化ニオブ(NbC)である、請求項1に記載の均一な炭化ケイ素結晶の製造装置。
- 前記バナジウム化合物が炭化バナジウムまたは五酸化二バナジウムである、請求項4に記載の均一な炭化ケイ素結晶の製造装置。
- 黒鉛るつぼであって、
黒鉛材料のボイラーであり、かつ内壁が第1端と第2端の二つの端を有するるつぼ本体と、
前記第1端に設置された種結晶と、
前記るつぼ本体の内壁に設置された均一な炭化ケイ素結晶の製造装置と
前記第2端に設置された炭化ケイ素材料源とを含み、
前記均一な炭化ケイ素結晶の製造装置が円筒、ドープインゴット及び平板を含み、
前記円筒の表層が耐高温耐腐食材料であり、かつ前記円筒の底部が第1群の複数孔を有し、
前記ドープインゴットはドープ剤と可塑剤が混圧されたインゴットであって、前記円筒内に設置され、かつ前記第1群の複数孔に接触し、
前記平板の表層が耐高温耐腐食材料であり、前記平板が前記ドープインゴットの上方に設置され、
前記平板が第2群の複数孔を有し、前記第2群の複数孔と前記ドープインゴットが接触し、かつ前記第2群の複数孔の分布位置が前記第1群の複数孔と同じであり、
前記ドープ剤がバナジウム化合物であり、前記可塑剤が膨張黒鉛粉であり、前記ドープ剤と前記可塑剤の重量比が3:5であり、かつ、前記ドープ剤の添加割合が炭化ケイ素材料源の重量の0.01〜1wt%である、黒鉛るつぼ。 - 前記耐高温耐腐食材料が炭化タンタル(TaC)または炭化ニオブ(NbC)である、請求項7に記載の黒鉛るつぼ。
- 前記バナジウム化合物が炭化バナジウムまたは五酸化二バナジウムである、請求項7に記載の黒鉛るつぼ。
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