JP6946971B2 - Power converter - Google Patents

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Description

この発明は、電力変換装置に関し、特に、ダイオードまたはスイッチング素子から構成される第1素子および第2素子の接続点と、スイッチング素子から構成される第3素子および第4素子との接続点に接続されるコンデンサを備える電力変換装置に関する。 The present invention relates to a power conversion device, and in particular, connects to a connection point between a first element and a second element composed of a diode or a switching element and a connection point between a third element and a fourth element composed of a switching element. The present invention relates to a power conversion device including a diode.

従来、ダイオードまたはスイッチング素子から構成される第1素子および第2素子の接続点と、スイッチング素子から構成される第3素子および第4素子との接続点に接続されるコンデンサを備える電力変換装置が知られている(たとえば、特許文献1参照)。 Conventionally, a power conversion device including a capacitor connected to a connection point between a first element and a second element composed of a diode or a switching element and a connection point between a third element and a fourth element composed of a switching element has been used. It is known (see, for example, Patent Document 1).

上記特許文献1には、互いに直列に接続された、第1スイッチング素子、第2スイッチング素子、第3スイッチング素子および第4スイッチング素子を含むスイッチ回路部を備えるDC−DCコンバータが開示されている。このDC−DCコンバータでは、第1スイッチング素子と第2スイッチング素子との接続点と、第3スイッチング素子と第4スイッチング素子との接続点に接続されるコンデンサ(フライングキャパシタ)が設けられている。また、第2スイッチング素子と第3スイッチング素子との間には、チョッパリアクトルの一方端が接続されている。また、スイッチ回路部に並列に平滑コンデンサが接続されている。 Patent Document 1 discloses a DC-DC converter including a switch circuit unit including a first switching element, a second switching element, a third switching element, and a fourth switching element, which are connected in series with each other. In this DC-DC converter, a capacitor (flying capacitor) connected to a connection point between the first switching element and the second switching element and a connection point between the third switching element and the fourth switching element is provided. Further, one end of the chopper reactor is connected between the second switching element and the third switching element. Further, a smoothing capacitor is connected in parallel to the switch circuit section.

上記特許文献1に記載のDC−DCコンバータにおいて、第2スイッチング素子および第4スイッチング素子がオフされるとともに、第1スイッチング素子および第3スイッチング素子がオンされることにより、チョッパリアクトル、第3スイッチング素子、フライングキャパシタ、第1スイッチング素子を介した経路(以下、経路1という)に電流が流れる。また、第2スイッチング素子および第4スイッチング素子がオンされるとともに、第1スイッチング素子および第3スイッチング素子がオフされることにより、チョッパリアクトル、第2スイッチング素子、フライングキャパシタ、および、第4スイッチング素子を介した経路(以下、経路2という)に電流が流れる。 In the DC-DC converter described in Patent Document 1, the chopper reactor and the third switching are turned on by turning off the second switching element and the fourth switching element and turning on the first switching element and the third switching element. A current flows through a path (hereinafter referred to as path 1) via the element, the flying capacitor, and the first switching element. Further, when the second switching element and the fourth switching element are turned on and the first switching element and the third switching element are turned off, the chopper reactor, the second switching element, the flying capacitor, and the fourth switching element are turned on. A current flows through the path (hereinafter referred to as path 2) via the.

特開2013−192383号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2013-192383

しかしながら、上記特許文献1に記載されるような従来のDC−DCコンバータでは、オフされている第1スイッチング素子および第2スイッチング素子に寄生容量が生じる場合がある。この場合、たとえば、上記の第1スイッチング素子および第3スイッチング素子がオンされた場合(経路1)では、第3スイッチング素子、フライングキャパシタ、第2スイッチング素子の寄生容量を介して電流が流れる経路(以下、経路3という)が生じる。また、上記の第2スイッチング素子および第4スイッチング素子がオンされた場合(経路2)では、第1スイッチング素子の寄生容量、フライングキャパシタ、第4スイッチング素子および平滑コンデンサを介して電流が流れる経路(以下、経路4という)が生じる。そして、この経路4は、比較的長い(経路3よりも長い)ため、この経路4を流れる電流に起因して発生する放射ノイズが比較的大きくなるという問題点がある。 However, in the conventional DC-DC converter as described in Patent Document 1, parasitic capacitance may occur in the first switching element and the second switching element that are turned off. In this case, for example, when the first switching element and the third switching element are turned on (path 1), a path through which a current flows through the parasitic capacitances of the third switching element, the flying capacitor, and the second switching element (path 1). Hereinafter, the route 3) occurs. When the second switching element and the fourth switching element are turned on (path 2), a path through which the current flows through the parasitic capacitance of the first switching element, the flying capacitor, the fourth switching element, and the smoothing capacitor (path 2). Hereinafter referred to as path 4) occurs. Since this path 4 is relatively long (longer than the path 3), there is a problem that the radiation noise generated by the current flowing through the path 4 becomes relatively large.

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の1つの目的は、放射ノイズを低減することが可能な電力変換装置を提供することである。 The present invention has been made to solve the above problems, and one object of the present invention is to provide a power conversion device capable of reducing radiation noise.

上記目的を達成するために、この発明の一の局面による電力変換装置は、直流電源と、互いに直列に接続された、ダイオードまたはスイッチング素子から構成される第1素子、ダイオードまたはスイッチング素子から構成される第2素子、スイッチング素子から構成される第3素子およびスイッチング素子から構成される第4素子を含むスイッチング回路部と、直流電源に一方端が接続され、第2素子と第3素子との接続点に他方端が接続されているリアクトルと、第1素子および第2素子の接続点と、第3素子および第4素子の接続点とに接続される第1コンデンサと、スイッチング回路部に並列に接続される第2コンデンサと、第1素子、第2素子、第3素子、第4素子、第1コンデンサおよび第2コンデンサの各々を構成する部品同士を接続する配線とを備え、第2コンデンサ、第1素子、第1コンデンサおよび第4素子の各々を構成する部品は、互いに隣り合うように配置されているとともに、隣り合う部品同士の間と、部品と部品に隣り合う配線との間とのうちの少なくとも一方において、流れる電流の方向が略反対になるように配置されている。 In order to achieve the above object, the power conversion device according to one aspect of the present invention is composed of a DC power supply and a first element, a diode or a switching element, which is connected in series with each other and is composed of a diode or a switching element. A switching circuit unit including a second element, a third element composed of a switching element, and a fourth element composed of a switching element is connected to a DC power supply at one end, and the second element and the third element are connected to each other. A reactor whose other end is connected to a point, a first capacitor connected to a connection point of the first element and the second element, and a connection point of the third element and the fourth element, and parallel to the switching circuit section. The second capacitor is provided with a second capacitor to be connected and a wiring for connecting the components constituting each of the first element, the second element, the third element, the fourth element, the first capacitor, and the second capacitor. The components constituting the first element, the first capacitor, and the fourth element are arranged so as to be adjacent to each other, and between adjacent components and between the components and the wiring adjacent to the components. At least one of them is arranged so that the directions of the flowing currents are substantially opposite to each other.

この発明の一の局面による電力変換装置では、上記のように、第2コンデンサ、第1素子、第1コンデンサおよび第4素子の各々を構成する部品は、互いに隣り合うように配置されているとともに、隣り合う部品同士の間と、部品と部品に隣り合う配線との間とのうちの少なくとも一方において、流れる電流の方向が略反対になるように配置されている。これにより、隣り合う部品同士(または、部品と部品に隣り合う配線)のうちの一方に流れる電流(一方方向に流れる電流)により発生した放射ノイズ(磁束)と、他方に流れる電流(一方方向とは略反対方向に流れる電流)により発生した放射ノイズ(磁束)とが互いに打ち消し合う。その結果、放射ノイズを低減することができる。これにより、部品自身(第2コンデンサ、第1素子、第1コンデンサおよび第4素子)の誤作動や、部品の周辺に配置される部品(機器)の誤作動を抑制することができる。 In the power conversion device according to one aspect of the present invention, as described above, the components constituting each of the second capacitor, the first element, the first capacitor, and the fourth element are arranged so as to be adjacent to each other. , The directions of the flowing currents are arranged so as to be substantially opposite between the adjacent parts and at least one of the parts and the wiring adjacent to the parts. As a result, the radiation noise (magnetic flux) generated by the current (current flowing in one direction) flowing in one of the adjacent parts (or the wiring adjacent to the parts) and the current flowing in the other (one direction). The radiation noise (magnetic flux) generated by the current flowing in substantially opposite directions cancels each other out. As a result, radiation noise can be reduced. As a result, it is possible to suppress malfunction of the component itself (second capacitor, first element, first capacitor and fourth element) and malfunction of the component (equipment) arranged around the component.

上記一の局面による電力変換装置において、好ましくは、第2コンデンサ、第1素子、第1コンデンサおよび第4素子の各々を構成する部品は、所定の方向に沿うように、互いに隣り合うように配置されている。このように構成すれば、第2コンデンサ、第1素子、第1コンデンサおよび第4素子の各々を構成する部品同士の全てが所定の方向に沿って配置された状態で互いに隣り合うので、隣り合う部品同士の間と、部品と部品に隣り合う配線との間とのうちの少なくとも一方において、容易に、流れる電流の方向を略反対にすることができる。 In the power conversion device according to the above one aspect, preferably, the components constituting each of the second capacitor, the first element, the first capacitor, and the fourth element are arranged so as to be adjacent to each other along a predetermined direction. Has been done. With this configuration, all the components constituting each of the second capacitor, the first element, the first capacitor, and the fourth element are adjacent to each other in a state of being arranged along a predetermined direction, so that they are adjacent to each other. It is possible to easily reverse the directions of the flowing currents between the components and at least one of the components and the wiring adjacent to the components.

上記一の局面による電力変換装置において、好ましくは、第1素子、第2素子、第3素子、第4素子、第1コンデンサおよび第2コンデンサは、多層基板の第1の層に設けられており、配線は、多層基板の第1の層に設けられ、第2コンデンサ、第1素子、第1コンデンサおよび第4素子をこの順で接続する第1配線を含む。このように構成すれば、部品および配線が同一平面上(多層基板の第1の層)に配置されるので、同一平面上(多層基板の第1の層)において放射ノイズ(磁束)を打ち消し合うことができる。 In the power conversion device according to the above one aspect, preferably, the first element, the second element, the third element, the fourth element, the first capacitor and the second capacitor are provided in the first layer of the multilayer substrate. The wiring is provided in the first layer of the multilayer substrate, and includes a first wiring that connects the second capacitor, the first element, the first capacitor, and the fourth element in this order. With this configuration, the components and wiring are arranged on the same plane (first layer of the multilayer board), so that the radiation noise (magnetic flux) cancels each other on the same plane (first layer of the multilayer board). be able to.

この場合、好ましくは、平面視において、第1配線は、蛇行する形状を有し、第2コンデンサ、第1素子、第1コンデンサおよび第4素子の各々を構成する部品は、蛇行する形状を有する第1配線により互いに接続されている。このように構成すれば、蛇行する形状を有する第1配線において隣り合う部品同士に流れる電流の方向が略反対になるので、容易に、隣り合う部品同士の間と、部品と部品に隣り合う配線との間とのうちの少なくとも一方において流れる電流の方向を略反対にすることができる。 In this case, preferably, in a plan view, the first wiring has a meandering shape, and the components constituting each of the second capacitor, the first element, the first capacitor, and the fourth element have a meandering shape. They are connected to each other by the first wiring. With this configuration, the directions of the currents flowing between adjacent parts in the first wiring having a meandering shape are substantially opposite to each other, so that wiring between adjacent parts and between parts and parts adjacent to each other can be easily performed. The direction of the current flowing in at least one of the and can be made substantially opposite.

上記第2配線を含む電力変換装置において、好ましくは、配線は、平面視において、第1配線に重なるように多層基板の第2の層に設けられ、第4素子と第2コンデンサとを電気的に接続するとともに第1配線に流れる電流の方向と略反対方向に電流が流れる第2配線をさらに含む。このように構成すれば、第2配線に流れる電流の方向が第1配線に流れる電流の方向に対して略反対方向であるので、第1配線と第2配線との間で放射ノイズ(磁束)を互いに打ち消し合うことができる。これにより、放射ノイズをより低減することができる。 In the power conversion device including the second wiring, preferably, the wiring is provided in the second layer of the multilayer substrate so as to overlap the first wiring in a plan view, and the fourth element and the second capacitor are electrically connected. Further includes a second wiring in which a current flows in a direction substantially opposite to the direction of the current flowing in the first wiring. With this configuration, the direction of the current flowing through the second wiring is substantially opposite to the direction of the current flowing through the first wiring, so that radiation noise (magnetic flux) is generated between the first wiring and the second wiring. Can cancel each other out. Thereby, the radiation noise can be further reduced.

この場合、好ましくは、平面視において、第2配線は、第1配線の経路に略沿った経路を有するように、多層基板の第2の層に設けられている。このように構成すれば、第1配線と第2配線との間で放射ノイズ(磁束)を効果的に打ち消し合うことができる。 In this case, preferably, in a plan view, the second wiring is provided in the second layer of the multilayer substrate so as to have a path substantially along the path of the first wiring. With this configuration, the radiation noise (magnetic flux) can be effectively canceled between the first wiring and the second wiring.

上記一の局面による電力変換装置において、好ましくは、第1コンデンサは、互いに並列に接続される一方側第1コンデンサと他方側第1コンデンサとを含み、第2コンデンサ、第1素子、一方側第1コンデンサ、第4素子、他方側第1コンデンサ、第3素子および第2素子の各々を構成する部品は互いに隣り合うように配置されているとともに、隣り合う部品同士の間と、部品と部品に隣り合う配線との間とのうちの少なくとも一方において、流れる電流の方向が略反対になるように配置されている。このように構成すれば、他方側第1コンデンサ、第3素子および第2素子からなる直列回路において発生する放射ノイズが大きくなった場合でも、他方側第1コンデンサ、第3素子および第2素子の各々を構成する部品同士の間、および、部品と部品に隣り合う配線との間とのうちの少なくとも一方において、流れる電流の方向が略反対になるので、直列回路において発生する放射ノイズも低減することができる。また、1つの比較的大きな第1コンデンサを配置する場合と異なり、2つに分割された比較的小さな一方側第1コンデンサおよび他方側第1コンデンサの配置を容易に行うことができる。 In the power conversion device according to the above one aspect, preferably, the first capacitor includes a first capacitor on one side and a first capacitor on the other side connected in parallel with each other, and a second capacitor, a first element, and a first capacitor on one side. The parts that make up each of the 1st capacitor, the 4th element, the 1st capacitor on the other side, the 3rd element, and the 2nd element are arranged so as to be adjacent to each other, and are placed between adjacent parts and between parts. At least one of the adjacent wirings is arranged so that the directions of the flowing currents are substantially opposite to each other. With this configuration, even if the radiated noise generated in the series circuit including the first capacitor, the third element, and the second element on the other side becomes large, the first capacitor on the other side, the third element, and the second element Since the directions of the currents flowing are substantially opposite between the components constituting each component and at least one of the components and the wiring adjacent to the components, the radiated noise generated in the series circuit is also reduced. be able to. Further, unlike the case where one relatively large first capacitor is arranged, the relatively small one-sided first capacitor and the other-sided first capacitor divided into two can be easily arranged.

上記一の局面による電力変換装置において、好ましくは、第1素子、第2素子、第3素子および第4素子のうちの少なくとも1つが、ワイドバンドギャップ半導体により構成されている。ここで、ワイドバンドギャップ半導体は高速にスイッチングが可能である(つまり、スイッチングの周波数が高い)ので、放射ノイズのエネルギが比較的大きくなる。そこで、第1素子、第2素子、第3素子および第4素子のうちの少なくとも1つがワイドバンドギャップ半導体により構成されている場合において、隣り合う部品同士の間と、部品と部品に隣り合う配線との間とのうちの少なくとも一方において流れる電流の方向が略反対になるように部品を配置することは、放射ノイズを低減する点において特に有効である。また、比較的放射ノイズが大きいワイドバンドギャップ半導体による放射ノイズを、ノイズ対策のための部品を別途設けることなく低減することができる。その結果、電力変換装置が大型化するのを抑制しながら放射ノイズを低減することができる。 In the power conversion device according to the above one aspect, preferably, at least one of the first element, the second element, the third element, and the fourth element is composed of a wide bandgap semiconductor. Here, since the wide bandgap semiconductor can be switched at high speed (that is, the switching frequency is high), the energy of radiated noise becomes relatively large. Therefore, when at least one of the first element, the second element, the third element, and the fourth element is composed of a wide bandgap semiconductor, wiring between adjacent parts and between parts and adjacent parts. Arranging the components so that the directions of the currents flowing in at least one of the components are substantially opposite to each other is particularly effective in reducing radiated noise. Further, the radiation noise due to the wide bandgap semiconductor having a relatively large radiation noise can be reduced without separately providing a component for noise countermeasures. As a result, it is possible to reduce the radiation noise while suppressing the increase in size of the power conversion device.

本発明によれば、上記のように、放射ノイズを低減することができる。 According to the present invention, radiation noise can be reduced as described above.

第1実施形態による電力変換装置の全体構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the whole structure of the power conversion apparatus by 1st Embodiment. 電力変換装置の動作を説明するための回路図(1)である。It is a circuit diagram (1) for demonstrating operation of a power conversion apparatus. 電力変換装置の動作を説明するための回路図(2)である。It is a circuit diagram (2) for demonstrating operation of a power conversion apparatus. 電力変換装置の動作を説明するための回路図(3)である。It is a circuit diagram (3) for demonstrating operation of a power conversion apparatus. 電力変換装置の動作を説明するための回路図(4)である。It is a circuit diagram (4) for demonstrating operation of a power conversion apparatus. 第1実施形態による電力変換装置の部品の配置(多層基板の第1の層)を示す図である。It is a figure which shows the arrangement of the component of the power conversion apparatus by 1st Embodiment (the 1st layer of a multilayer board). 図1の回路図を部品の配置に沿うように書き直した図である。It is the figure which rewrote the circuit diagram of FIG. 1 according to the arrangement of parts. 第1実施形態による多層基板を示す図である。It is a figure which shows the multilayer substrate by 1st Embodiment. 第1実施形態による多層基板の第2の層を示す図である。It is a figure which shows the 2nd layer of the multilayer substrate by 1st Embodiment. 第2実施形態による電力変換装置の全体構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the whole structure of the power conversion apparatus by 2nd Embodiment. 第2実施形態による電力変換装置の部品の配置(多層基板の第1の層)を示す図である。It is a figure which shows the arrangement of the component of the power conversion apparatus (the first layer of a multilayer board) by 2nd Embodiment. 図10の回路図を部品の配置に沿うように書き直した図である。It is the figure which rewrote the circuit diagram of FIG. 10 according to the arrangement of parts. 変形例による電力変換装置の全体構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the whole structure of the power conversion apparatus by a modification.

以下、本発明を具体化した実施形態を図面に基づいて説明する。 Hereinafter, embodiments embodying the present invention will be described with reference to the drawings.

[第1実施形態]
図1〜図9を参照して、第1実施形態による電力変換装置100の構成について説明する。
[First Embodiment]
The configuration of the power conversion device 100 according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 9.

(電力変換装置の構成)
図1に示すように、電力変換装置100は、直流電源1の電圧Vinを変換して、負荷101に供給するように構成されている。たとえば、電力変換装置100は、いわゆる昇圧チョッパとして構成されている。
(Configuration of power converter)
As shown in FIG. 1, the power conversion device 100 is configured to convert the voltage Vin of the DC power supply 1 and supply it to the load 101. For example, the power converter 100 is configured as a so-called boost chopper.

また、電力変換装置100には、リアクトル2(チョッパリアクトル)が設けられている。リアクトル2の一方端は、直流電源1に接続されている。また、リアクトル2の他方端は、後述するダイオードD2とスイッチング素子Q1との接続点A1に接続されている。 Further, the power conversion device 100 is provided with a reactor 2 (chopper reactor). One end of the reactor 2 is connected to the DC power supply 1. Further, the other end of the reactor 2 is connected to a connection point A1 between the diode D2 and the switching element Q1, which will be described later.

また、電力変換装置100には、スイッチング回路部3が設けられている。スイッチング回路部3は、ダイオードD1と、ダイオードD2と、スイッチング素子Q1と、スイッチング素子Q2とを含む。ダイオードD1と、ダイオードD2と、スイッチング素子Q1と、スイッチング素子Q2とは、この順で、互いに直列に接続されている。具体的には、スイッチング素子Q2のドレインにスイッチング素子Q1のソースが接続されている。また、スイッチング素子Q1のドレインにダイオードD2のアノードが接続されている。また、ダイオードD2のカソードに、ダイオードD1のアノードが接続されている。なお、ダイオードD1およびダイオードD2は、それぞれ、特許請求の範囲の「第1素子」および「第2素子」の一例である。また、スイッチング素子Q1およびスイッチング素子Q2は、それぞれ、特許請求の範囲の「第3素子」および「第4素子」の一例である。 Further, the power conversion device 100 is provided with a switching circuit unit 3. The switching circuit unit 3 includes a diode D1, a diode D2, a switching element Q1, and a switching element Q2. The diode D1, the diode D2, the switching element Q1, and the switching element Q2 are connected in series with each other in this order. Specifically, the source of the switching element Q1 is connected to the drain of the switching element Q2. Further, the anode of the diode D2 is connected to the drain of the switching element Q1. Further, the anode of the diode D1 is connected to the cathode of the diode D2. The diode D1 and the diode D2 are examples of the "first element" and the "second element" in the claims, respectively. Further, the switching element Q1 and the switching element Q2 are examples of the "third element" and the "fourth element" in the claims, respectively.

ここで、第1実施形態では、ダイオードD1およびダイオードD2は、ワイドバンドギャップ半導体(たとえば、SiC)により形成されたショットキーバリアダイオードにより構成されている。 Here, in the first embodiment, the diode D1 and the diode D2 are composed of a Schottky barrier diode formed of a wide bandgap semiconductor (for example, SiC).

また、スイッチング素子Q1およびスイッチング素子Q2は、たとえば、MOSFET(Metal−Oxide−Semiconductor Field−Effect Transistor)や、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)などにより構成されている。第1実施形態では、スイッチング素子Q1およびスイッチング素子Q2は、ワイドバンドギャップ半導体(たとえば、SiC)により構成されている。 Further, the switching element Q1 and the switching element Q2 are composed of, for example, a MOSFET (Metal-Oxide-Semicondutor Field-Effective Transistor), an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), and the like. In the first embodiment, the switching element Q1 and the switching element Q2 are composed of a wide bandgap semiconductor (for example, SiC).

また、電力変換装置100には、コンデンサCfが設けられている。コンデンサCfは、ダイオードD1とダイオードD2との接続点A2と、スイッチング素子Q1とスイッチング素子Q2との接続点A3に接続されている。なお、コンデンサCfは、フライングキャパシタと呼ばれる。また、コンデンサCfは、特許請求の範囲の「第1コンデンサ」の一例である。 Further, the power conversion device 100 is provided with a capacitor Cf. The capacitor Cf is connected to the connection point A2 between the diode D1 and the diode D2 and the connection point A3 between the switching element Q1 and the switching element Q2. The capacitor Cf is called a flying capacitor. Further, the capacitor Cf is an example of the "first capacitor" in the claims.

また、電力変換装置100には、スイッチング回路部3に並列に接続されるコンデンサCd(直流コンデンサ)が設けられている。具体的には、コンデンサCdの正電位側は、ダイオードD1のカソードに接続され、コンデンサCdの負電位側は、スイッチング素子Q2のソースに接続されている。そして、リアクトル2、ダイオードD1、ダイオードD2、スイッチング素子Q1、スイッチング素子Q2、コンデンサCfおよびコンデンサCdにより、フライングキャパシタ型のチョッパが構成されている。なお、コンデンサCdは、特許請求の範囲の「第2コンデンサ」の一例である。 Further, the power conversion device 100 is provided with a capacitor Cd (DC capacitor) connected in parallel to the switching circuit unit 3. Specifically, the positive potential side of the capacitor Cd is connected to the cathode of the diode D1, and the negative potential side of the capacitor Cd is connected to the source of the switching element Q2. A flying capacitor type chopper is composed of a reactor 2, a diode D1, a diode D2, a switching element Q1, a switching element Q2, a capacitor Cf, and a capacitor Cd. The capacitor Cd is an example of the "second capacitor" in the claims.

(電力変換装置の動作)
次に、図2〜図5を参照して、電力変換装置100の動作について説明する。なお、以下の説明では、ダイオードD1、ダイオードD2、スイッチング素子Q1およびスイッチング素子Q2等の順方向電圧降下を無視している。また、図2〜図5において、コンデンサCfの電圧は、電力変換装置100の運転中には、略E/2に保持されている。これにより、ダイオードD1およびダイオードD2の導通時に、スイッチング素子Q2に過電圧が印加されるのを抑制することが可能になる。
(Operation of power converter)
Next, the operation of the power conversion device 100 will be described with reference to FIGS. 2 to 5. In the following description, the forward voltage drop of the diode D1, the diode D2, the switching element Q1 and the switching element Q2 is ignored. Further, in FIGS. 2 to 5, the voltage of the capacitor Cf is held at substantially E / 2 during the operation of the power conversion device 100. This makes it possible to suppress the application of an overvoltage to the switching element Q2 when the diode D1 and the diode D2 are conducting.

図2に示すように、スイッチング素子Q1およびスイッチング素子Q2を共にオンにする。これにより、電圧Vrの電圧値が略0でかつコンデンサCfには電流が流れない状態となる。 As shown in FIG. 2, both the switching element Q1 and the switching element Q2 are turned on. As a result, the voltage value of the voltage Vr is substantially 0, and no current flows through the capacitor Cf.

また、図3に示すように、スイッチング素子Q1をオフにし、スイッチング素子Q2をオンにする。これにより、電圧Vrの電圧値が略E/2でかつコンデンサCfに電流が流れる。その結果、コンデンサCfが充電される。ここで、ダイオードD1には、寄生容量Cs1が生じる。このため、ダイオードD1、コンデンサCf、スイッチング素子Q2およびコンデンサCdを介して寄生容量Cs1に電荷を充電する経路B1(図3の点線参照)が生じる。なお、経路B1の長さは、後述する経路B2(図4の点線参照)よりも長い。このため、スイッチング素子Q2をオンにした際には、経路B1を流れる電流に起因して、比較的大きな放射ノイズ(磁束)が発生する。 Further, as shown in FIG. 3, the switching element Q1 is turned off and the switching element Q2 is turned on. As a result, the voltage value of the voltage Vr is approximately E / 2, and a current flows through the capacitor Cf. As a result, the capacitor Cf is charged. Here, the parasitic capacitance Cs1 is generated in the diode D1. Therefore, a path B1 (see the dotted line in FIG. 3) for charging the parasitic capacitance Cs1 via the diode D1, the capacitor Cf, the switching element Q2, and the capacitor Cd is generated. The length of the route B1 is longer than that of the route B2 (see the dotted line in FIG. 4) described later. Therefore, when the switching element Q2 is turned on, a relatively large radiation noise (magnetic flux) is generated due to the current flowing through the path B1.

また、図4に示すように、スイッチング素子Q1をオンにし、スイッチング素子Q2をオフにする。これにより、電圧Vrの電圧値が略E/2であり、かつコンデンサCfから放電される。なお、コンデンサCfのキャパシタンスは、1回の充電量および1回の放電量に対して十分に大きいとする。また、充放電に伴う電圧変動は小さい(たとえば、E/2の10%以下)とする。ここで、ダイオードD2には、寄生容量Cs2が生じる。このため、ダイオードD2、スイッチング素子Q1およびコンデンサCfを介して寄生容量Cs2に電荷を充電する経路B2(図4の点線参照)が生じる。なお、経路B2の長さは、経路B1(図3の点線参照)よりも短いので、発生する放射ノイズ(磁束)は比較的小さい。 Further, as shown in FIG. 4, the switching element Q1 is turned on and the switching element Q2 is turned off. As a result, the voltage value of the voltage Vr is approximately E / 2, and the capacitor Cf is discharged. It is assumed that the capacitance of the capacitor Cf is sufficiently large for the amount of one charge and the amount of one discharge. Further, the voltage fluctuation due to charging / discharging is small (for example, 10% or less of E / 2). Here, the parasitic capacitance Cs2 is generated in the diode D2. Therefore, a path B2 (see the dotted line in FIG. 4) for charging the parasitic capacitance Cs2 via the diode D2, the switching element Q1 and the capacitor Cf is generated. Since the length of the path B2 is shorter than that of the path B1 (see the dotted line in FIG. 3), the radiated noise (magnetic flux) generated is relatively small.

また、図5に示すように、スイッチング素子Q1をオフにし、スイッチング素子Q2をオフにする。これにより、電圧Vrの電圧値がEとなり、かつコンデンサCfには電流が流れない状態となる。 Further, as shown in FIG. 5, the switching element Q1 is turned off and the switching element Q2 is turned off. As a result, the voltage value of the voltage Vr becomes E, and no current flows through the capacitor Cf.

(電力変換装置の具体的な構造)
次に、電力変換装置100の具体的な構造について説明する。
(Specific structure of power converter)
Next, the specific structure of the power conversion device 100 will be described.

図6に示すように、電力変換装置100には、ダイオードD1、ダイオードD2、スイッチング素子Q1、スイッチング素子Q2、コンデンサCfおよびコンデンサCdの各々を構成する部品4(部品4a〜4f)同士を接続する配線5が設けられている。なお、部品4a〜4fは、それぞれ、コンデンサCd、ダイオードD1、コンデンサCf、スイッチング素子Q2、ダイオードD2およびスイッチング素子Q1、そのものを意味している。また、配線5は、配線パターン(厚みに対して幅が比較的広い偏平形状の配線5)により構成されている。これにより、平面視において、後述する第1配線51と第2配線52とを容易に重ねる(オーバラップさせる)ことが可能になる。 As shown in FIG. 6, the power conversion device 100 is connected to the components 4 (components 4a to 4f) constituting each of the diode D1, the diode D2, the switching element Q1, the switching element Q2, the capacitor Cf, and the capacitor Cd. The wiring 5 is provided. The components 4a to 4f mean the capacitor Cd, the diode D1, the capacitor Cf, the switching element Q2, the diode D2, and the switching element Q1, respectively. Further, the wiring 5 is composed of a wiring pattern (a flat wiring 5 having a width relatively wide with respect to the thickness). This makes it possible to easily overlap (overlap) the first wiring 51 and the second wiring 52, which will be described later, in a plan view.

また、図7は、図6の部品4の配置に沿うように図1の回路図を書き換えたものである。すなわち、図6の部品4の配置および部品4同士の電気的な接続は、図1の回路部と同一である。 Further, FIG. 7 is a rewrite of the circuit diagram of FIG. 1 so as to follow the arrangement of the component 4 of FIG. That is, the arrangement of the components 4 in FIG. 6 and the electrical connection between the components 4 are the same as those in the circuit section of FIG.

ここで、第1実施形態では、図6に示すように、コンデンサCd、ダイオードD1、コンデンサCfおよびスイッチング素子Q2(これらを構成する部品4a、部品4b、部品4cおよび部品4d)は、互いに隣り合うように配置されている。そして、コンデンサCd、ダイオードD1、コンデンサCfおよびスイッチング素子Q2(これらを構成する部品4a、部品4b、部品4cおよび部品4d)は、隣り合う部品4同士の間と、部品4と部品4に隣り合う配線5との間とのうちの少なくとも一方において、流れる電流の方向が略反対になるように配置されている。以下、具体的に説明する。 Here, in the first embodiment, as shown in FIG. 6, the capacitor Cd, the diode D1, the capacitor Cf, and the switching element Q2 (components 4a, 4b, 4c, and 4d constituting these) are adjacent to each other. It is arranged like this. The capacitor Cd, the diode D1, the capacitor Cf, and the switching element Q2 (the components 4a, 4b, 4c, and 4d constituting these) are located between the adjacent components 4 and adjacent to the components 4 and 4. At least one of the wiring 5 and the wiring 5 are arranged so that the directions of the flowing currents are substantially opposite to each other. Hereinafter, a specific description will be given.

具体的には、第1実施形態では、コンデンサCd、ダイオードD1、コンデンサCfおよびスイッチング素子Q2(これらを構成する部品4a、部品4b、部品4cおよび部品4d)は、X方向に沿うように、互いに隣り合うように配置されている。また、コンデンサCd、ダイオードD1、コンデンサCfおよびスイッチング素子Q2は、X1方向側からX2方向側に向かってこの順で配置されている。なお、X方向は、特許請求の範囲の「所定の方向」の一例である。また、「X方向に沿うように配置されている」という表現は、コンデンサCd、ダイオードD1、コンデンサCfおよびスイッチング素子Q2が、Y方向に互いに多少ずれている場合も含む。なお、このずれが許容される程度は、後述する放射ノイズを互いに打ち消し合うことが可能な距離以内である。また、ダイオードD2と、スイッチング素子Q1とは、それぞれ、X方向に沿うように配置されているコンデンサCd、ダイオードD1、コンデンサCfおよびスイッチング素子Q2に対して、Y1方向側およびY2方向側にずれて配置されている。 Specifically, in the first embodiment, the capacitor Cd, the diode D1, the capacitor Cf, and the switching element Q2 (components 4a, 4b, 4c, and 4d constituting these) are connected to each other along the X direction. They are arranged next to each other. Further, the capacitor Cd, the diode D1, the capacitor Cf and the switching element Q2 are arranged in this order from the X1 direction side to the X2 direction side. The X direction is an example of the "predetermined direction" of the claims. Further, the expression "arranged along the X direction" includes the case where the capacitor Cd, the diode D1, the capacitor Cf and the switching element Q2 are slightly deviated from each other in the Y direction. The extent to which this deviation is allowed is within a distance at which the radiation noise described later can cancel each other out. Further, the diode D2 and the switching element Q1 are displaced in the Y1 direction side and the Y2 direction side with respect to the capacitor Cd, the diode D1, the capacitor Cf and the switching element Q2 arranged along the X direction, respectively. Have been placed.

また、互いに隣り合うコンデンサCd、ダイオードD1、コンデンサCfおよびスイッチング素子Q2同士の間は、なるべく小さくする(最短距離にする)のが望ましい。これにより、電力変換装置100の小型化を図ることが可能になるとともに、後述する放射ノイズの低減をより図ることが可能になる。 Further, it is desirable to make the distance between the capacitors Cd, the diode D1, the capacitor Cf, and the switching element Q2 adjacent to each other as small as possible (the shortest distance). This makes it possible to reduce the size of the power conversion device 100 and further reduce the radiation noise described later.

そして、第1実施形態では、ダイオードD1、ダイオードD2、スイッチング素子Q1、スイッチング素子Q2、コンデンサCfおよびコンデンサCdは、多層基板6の第1の層6aに設けられている。そして、配線5は、多層基板6の第1の層6aに設けられ、コンデンサCd、ダイオードD1、コンデンサCfおよびスイッチング素子Q2をこの順で接続する第1配線51を含む。また、平面視において、第1配線51は、蛇行する形状を有する。そして、コンデンサCd、ダイオードD1、コンデンサCfおよびスイッチング素子Q2(これらを構成する部品4a、部品4b、部品4cおよび部品4d)は、蛇行する形状を有する第1配線51により互いに接続されている。 In the first embodiment, the diode D1, the diode D2, the switching element Q1, the switching element Q2, the capacitor Cf, and the capacitor Cd are provided on the first layer 6a of the multilayer board 6. The wiring 5 is provided on the first layer 6a of the multilayer board 6, and includes a first wiring 51 that connects the capacitor Cd, the diode D1, the capacitor Cf, and the switching element Q2 in this order. Further, in a plan view, the first wiring 51 has a meandering shape. The capacitor Cd, the diode D1, the capacitor Cf, and the switching element Q2 (components 4a, 4b, 4c, and 4d constituting these) are connected to each other by a first wiring 51 having a meandering shape.

具体的には、コンデンサCdの負電位側は、略直線形状を有する第1配線部分51aに接続されている。また、コンデンサCdの正電位側とダイオードD1のカソードとは、略U字形状を有する第1配線部分51bにより接続されている。また、ダイオードD1のアノードとコンデンサCfの正電位側とは、略S字形状を有する第1配線部分51cにより接続されている。また、コンデンサCfの負電位側とスイッチング素子Q2のドレインとは、略S字形状を有する第1配線部分51dにより接続されている。また、スイッチング素子Q2のソースは、略直線形状を有する第1配線部分51eに接続されている。なお、ダイオードD2は、第1配線部分51cに電気的に接続され、スイッチング素子Q1は、第1配線部分51dに電気的に接続されている。 Specifically, the negative potential side of the capacitor Cd is connected to the first wiring portion 51a having a substantially linear shape. Further, the positive potential side of the capacitor Cd and the cathode of the diode D1 are connected by a first wiring portion 51b having a substantially U-shape. Further, the anode of the diode D1 and the positive potential side of the capacitor Cf are connected by a first wiring portion 51c having a substantially S-shape. Further, the negative potential side of the capacitor Cf and the drain of the switching element Q2 are connected by a first wiring portion 51d having a substantially S-shape. Further, the source of the switching element Q2 is connected to the first wiring portion 51e having a substantially linear shape. The diode D2 is electrically connected to the first wiring portion 51c, and the switching element Q1 is electrically connected to the first wiring portion 51d.

そして、上記のように、コンデンサCd、ダイオードD1、コンデンサCf、スイッチング素子Q2および第1配線51を設けることにより、スイッチング素子Q2がオンの状態(経路B1、図3参照)において、隣り合うように配置されているコンデンサCdとダイオードD1とにおいて、コンデンサCdに流れる電流の向きはY1方向である一方、ダイオードD1に流れる電流の向きは、Y2方向(Y1方向とは反対方向)である。また、隣り合うように配置されているダイオードD1と第1配線部分51cとにおいて、ダイオードD1に流れる電流の向きはY2方向である一方、第1配線部分51cに流れる電流の向きは、Y1方向である。 Then, as described above, by providing the capacitor Cd, the diode D1, the capacitor Cf, the switching element Q2, and the first wiring 51, the switching elements Q2 are adjacent to each other in the on state (path B1, see FIG. 3). In the arranged capacitor Cd and the diode D1, the direction of the current flowing through the capacitor Cd is the Y1 direction, while the direction of the current flowing through the diode D1 is the Y2 direction (the direction opposite to the Y1 direction). Further, in the diode D1 and the first wiring portion 51c arranged so as to be adjacent to each other, the direction of the current flowing through the diode D1 is in the Y2 direction, while the direction of the current flowing through the first wiring portion 51c is in the Y1 direction. be.

また、隣り合うように配置されている第1配線部分51cとコンデンサCfとにおいて、第1配線部分51cに流れる電流の向きはY1方向である一方、コンデンサCfに流れる電流の向きは、Y2方向である。また、隣り合うように配置されているコンデンサCfと第1配線部分51dとにおいて、コンデンサCfに流れる電流の向きはY2方向である一方、第1配線部分51dに流れる電流の向きは、Y1方向である。また、隣り合うように配置されている第1配線部分51dとスイッチング素子Q2とにおいて、第1配線部分51dに流れる電流の向きはY1方向である一方、スイッチング素子Q2に流れる電流の向きは、Y2方向である。これにより、コンデンサCdとダイオードD1との間、ダイオードD1と第1配線部分51cとの間、第1配線部分51cとコンデンサCfとの間、コンデンサCfと第1配線部分51dとの間、第1配線部分51dとスイッチング素子Q2との間において、放射ノイズ(磁束)が低減(相殺)される。 Further, in the first wiring portion 51c and the capacitor Cf arranged so as to be adjacent to each other, the direction of the current flowing through the first wiring portion 51c is in the Y1 direction, while the direction of the current flowing through the capacitor Cf is in the Y2 direction. be. Further, in the capacitors Cf and the first wiring portion 51d arranged adjacent to each other, the direction of the current flowing through the capacitor Cf is in the Y2 direction, while the direction of the current flowing through the first wiring portion 51d is in the Y1 direction. be. Further, in the first wiring portion 51d and the switching element Q2 arranged so as to be adjacent to each other, the direction of the current flowing through the first wiring portion 51d is the Y1 direction, while the direction of the current flowing through the switching element Q2 is Y2. The direction. As a result, between the capacitor Cd and the diode D1, between the diode D1 and the first wiring portion 51c, between the first wiring portion 51c and the capacitor Cf, between the capacitor Cf and the first wiring portion 51d, the first Radiation noise (capacitor) is reduced (cancelled) between the wiring portion 51d and the switching element Q2.

また、第1実施形態では、図8および図9に示すように、配線5は、平面視において、第1配線51に重なるように多層基板6の第2の層6bに設けられ、スイッチング素子Q2とコンデンサCdとを電気的に接続する第2配線52を含む。そして、図9に示すように、第2配線52は、第1配線51に流れる電流の方向と略反対方向に電流が流れるように構成されている。具体的には、平面視において、第2配線52は、第1配線51の経路に略沿った経路を有するように、多層基板6の第2の層6bに設けられている。すなわち、第2配線52は、第1配線51と同様に、蛇行する形状を有する。 Further, in the first embodiment, as shown in FIGS. 8 and 9, the wiring 5 is provided on the second layer 6b of the multilayer board 6 so as to overlap the first wiring 51 in a plan view, and the switching element Q2 Includes a second wire 52 that electrically connects the capacitor Cd and the capacitor Cd. Then, as shown in FIG. 9, the second wiring 52 is configured so that the current flows in a direction substantially opposite to the direction of the current flowing through the first wiring 51. Specifically, in a plan view, the second wiring 52 is provided on the second layer 6b of the multilayer substrate 6 so as to have a path substantially along the path of the first wiring 51. That is, the second wiring 52 has a meandering shape like the first wiring 51.

詳細には、第2配線52は、第1配線51の第1配線部分51a〜第1配線部分51eと同様の形状を有する。そして、平面視において、第1配線51と第2配線52とは、略重なる(オーバラップする)。また、第1配線51と第2配線52とは、ビア53(図8参照)により接続されている。そして、コンデンサCdの正電位側から流れる電流は、ダイオードD1、コンデンサCf、スイッチング素子Q2、ビア53、第2配線52、ビア53を介して、コンデンサCdの負電位側に流れる。これにより、コンデンサCd、ダイオードD1、コンデンサCf、スイッチング素子Q2を流れる電流によって発生する放射ノイズ(磁束)は、第2配線52を流れる電流によって発生する放射ノイズ(磁束)によって低減(相殺)される。 Specifically, the second wiring 52 has the same shape as the first wiring portion 51a to the first wiring portion 51e of the first wiring 51. Then, in a plan view, the first wiring 51 and the second wiring 52 substantially overlap (overlap). Further, the first wiring 51 and the second wiring 52 are connected by a via 53 (see FIG. 8). Then, the current flowing from the positive potential side of the capacitor Cd flows to the negative potential side of the capacitor Cd via the diode D1, the capacitor Cf, the switching element Q2, the via 53, the second wiring 52, and the via 53. As a result, the radiation noise (magnetic flux) generated by the current flowing through the capacitor Cd, the diode D1, the capacitor Cf, and the switching element Q2 is reduced (offset) by the radiation noise (magnetic flux) generated by the current flowing through the second wiring 52. ..

[第1実施形態の効果]
第1実施形態では、以下のような効果を得ることができる。
[Effect of the first embodiment]
In the first embodiment, the following effects can be obtained.

第1実施形態では、上記のように、コンデンサCd、ダイオードD1、コンデンサCfおよびスイッチング素子Q2(これらを構成する部品4a、部品4b、部品4cおよび部品4d)は、互いに隣り合うように配置されているとともに、隣り合う部品4同士の間と、部品4と部品4に隣り合う配線5との間とのうちの少なくとも一方において、流れる電流の方向が略反対になるように配置されている。これにより、隣り合う部品4同士(または、部品4と部品4に隣り合う配線5)のうちの一方に流れる電流(一方方向に流れる電流)により発生した放射ノイズ(磁束)と、他方に流れる電流(一方方向とは略反対方向に流れる電流)により発生した放射ノイズ(磁束)とが互いに打ち消し合う。その結果、放射ノイズを低減することができる。これにより、部品4自身(コンデンサCd、ダイオードD1、コンデンサCfおよびスイッチング素子Q2)の誤作動や、部品4の周辺に配置される部品(機器)の誤作動を抑制することができる。 In the first embodiment, as described above, the capacitor Cd, the diode D1, the capacitor Cf, and the switching element Q2 (components 4a, 4b, 4c, and 4d constituting these) are arranged so as to be adjacent to each other. At least one of the adjacent components 4 and the wiring 5 adjacent to the component 4 and the component 4 are arranged so that the directions of the flowing currents are substantially opposite to each other. As a result, the radiation noise (magnetic flux) generated by the current (current flowing in one direction) flowing in one of the adjacent parts 4 (or the wiring 5 adjacent to the parts 4 and the parts 4) and the current flowing in the other. Radiation noise (magnetic flux) generated by (current flowing in a direction substantially opposite to one direction) cancels each other out. As a result, radiation noise can be reduced. As a result, it is possible to suppress malfunction of the component 4 itself (capacitor Cd, diode D1, capacitor Cf and switching element Q2) and malfunction of components (equipment) arranged around the component 4.

また、第1実施形態では、上記のように、コンデンサCd、ダイオードD1、コンデンサCfおよびスイッチング素子Q2(これらを構成する部品4a、部品4b、部品4cおよび部品4d)は、X方向に沿うように、互いに隣り合うように配置されている。これにより、コンデンサCd、ダイオードD1、コンデンサCfおよびスイッチング素子Q2の各々を構成する部品4同士の全てがX方向に沿って配置された状態で互いに隣り合うので、隣り合う部品4同士の間と、部品4と部品4に隣り合う配線5との間とのうちの少なくとも一方において、容易に、流れる電流の方向を略反対にすることができる。 Further, in the first embodiment, as described above, the capacitor Cd, the diode D1, the capacitor Cf, and the switching element Q2 (components 4a, 4b, 4c, and 4d constituting these) are aligned in the X direction. , Are arranged next to each other. As a result, all of the components 4 constituting each of the capacitor Cd, the diode D1, the capacitor Cf, and the switching element Q2 are adjacent to each other in a state of being arranged along the X direction. At least one of the component 4 and the wiring 5 adjacent to the component 4 can easily have the directions of the flowing currents substantially opposite.

また、第1実施形態では、上記のように、配線5は、多層基板6の第1の層6aに設けられ、コンデンサCd、ダイオードD1、コンデンサCfおよびスイッチング素子Q2をこの順で接続する第1配線51を含む。これにより、部品4および配線5が同一平面上(多層基板6の第1の層6a)に配置されるので、同一平面上(多層基板6の第1の層6a)において放射ノイズ(磁束)を打ち消し合うことができる。 Further, in the first embodiment, as described above, the wiring 5 is provided in the first layer 6a of the multilayer board 6, and the capacitor Cd, the diode D1, the capacitor Cf, and the switching element Q2 are connected in this order. Includes wiring 51. As a result, the component 4 and the wiring 5 are arranged on the same plane (first layer 6a of the multilayer board 6), so that radiation noise (magnetic flux) is generated on the same plane (first layer 6a of the multilayer board 6). You can cancel each other out.

また、第1実施形態では、上記のように、平面視において、コンデンサCd、ダイオードD1、コンデンサCfおよびスイッチング素子Q2の各々を構成する部品4は、蛇行する形状を有する第1配線51により互いに接続されている。これにより、蛇行する形状を有する第1配線51において隣り合う部品4同士に流れる電流の方向が略反対になるので、容易に、隣り合う部品4同士の間と、部品4と部品4に隣り合う配線5との間とのうちの少なくとも一方において流れる電流の方向を略反対にすることができる。 Further, in the first embodiment, as described above, in the plan view, the components 4 constituting each of the capacitor Cd, the diode D1, the capacitor Cf and the switching element Q2 are connected to each other by the first wiring 51 having a meandering shape. Has been done. As a result, the directions of the currents flowing between the adjacent parts 4 in the first wiring 51 having a meandering shape are substantially opposite to each other, so that the directions of the currents flowing between the adjacent parts 4 are easily opposite to each other, and the parts 4 and the parts 4 are adjacent to each other easily. The direction of the current flowing in at least one of the wiring 5 can be made substantially opposite.

また、第1実施形態では、上記のように、配線5は、平面視において、第1配線51に重なるように多層基板6の第2の層6bに設けられ、スイッチング素子Q2とコンデンサCdとを電気的に接続するとともに第1配線51に流れる電流の方向と略反対方向に電流が流れる第2配線52を含む。これにより、第2配線52に流れる電流の方向が第1配線51に流れる電流の方向に対して略反対方向であるので、第1配線51と第2配線52との間で放射ノイズ(磁束)を互いに打ち消し合うことができる。これにより、放射ノイズをより低減することができる。 Further, in the first embodiment, as described above, the wiring 5 is provided on the second layer 6b of the multilayer substrate 6 so as to overlap the first wiring 51 in a plan view, and the switching element Q2 and the capacitor Cd are connected. Includes a second wiring 52 that is electrically connected and has a current flowing in a direction substantially opposite to the direction of the current flowing through the first wiring 51. As a result, the direction of the current flowing through the second wiring 52 is substantially opposite to the direction of the current flowing through the first wiring 51, so that radiation noise (magnetic flux) is generated between the first wiring 51 and the second wiring 52. Can cancel each other out. Thereby, the radiation noise can be further reduced.

また、第1実施形態では、上記のように、平面視において、第2配線52は、第1配線51の経路に略沿った経路を有するように、多層基板6の第2の層6bに設けられている。これにより、第1配線51と第2配線52との間で放射ノイズ(磁束)を効果的に打ち消し合うことができる。 Further, in the first embodiment, as described above, the second wiring 52 is provided on the second layer 6b of the multilayer substrate 6 so as to have a path substantially along the path of the first wiring 51 in a plan view. Has been done. Thereby, the radiation noise (magnetic flux) can be effectively canceled between the first wiring 51 and the second wiring 52.

また、第1実施形態では、上記のように、ダイオードD1、ダイオードD2、スイッチング素子Q1およびスイッチング素子Q2が、ワイドバンドギャップ半導体により構成されている。ここで、ワイドバンドギャップ半導体は高速にスイッチングが可能である(つまり、スイッチングの周波数が高い)ので、放射ノイズのエネルギが比較的大きくなる。そこで、ダイオードD1、ダイオードD2、スイッチング素子Q1およびスイッチング素子Q2がワイドバンドギャップ半導体により構成されている場合において、隣り合う部品4同士の間と、部品4と部品4に隣り合う配線5との間とのうちの少なくとも一方において流れる電流の方向が略反対になるように部品4を配置することは、放射ノイズを低減する点において特に有効である。また、比較的放射ノイズが大きいワイドバンドギャップ半導体による放射ノイズを、ノイズ対策のための部品を別途設けることなく低減することができる。その結果、電力変換装置100が大型化するのを抑制しながら放射ノイズを低減することができる。 Further, in the first embodiment, as described above, the diode D1, the diode D2, the switching element Q1 and the switching element Q2 are composed of the wide bandgap semiconductor. Here, since the wide bandgap semiconductor can be switched at high speed (that is, the switching frequency is high), the energy of radiated noise becomes relatively large. Therefore, when the diode D1, the diode D2, the switching element Q1 and the switching element Q2 are composed of a wide bandgap semiconductor, between the adjacent components 4 and between the component 4 and the wiring 5 adjacent to the component 4. Arranging the component 4 so that the directions of the currents flowing in at least one of the components 4 are substantially opposite to each other is particularly effective in reducing radiation noise. Further, the radiation noise due to the wide bandgap semiconductor having a relatively large radiation noise can be reduced without separately providing a component for noise countermeasures. As a result, radiation noise can be reduced while suppressing the increase in size of the power conversion device 100.

[第2実施形態]
次に、図10〜図12を参照して、第2実施形態による電力変換装置200の構成について説明する。第2実施形態では、フライングキャパシタであるコンデンサCf1およびコンデンサCf2が互いに並列に接続されている。なお、コンデンサCf1およびコンデンサCf2は、それぞれ、特許請求の範囲の「一方側第1コンデンサ」および「他方側第1コンデンサ」の一例である。
[Second Embodiment]
Next, the configuration of the power conversion device 200 according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. 10 to 12. In the second embodiment, the capacitor Cf1 and the capacitor Cf2, which are flying capacitors, are connected in parallel with each other. The capacitor Cf1 and the capacitor Cf2 are examples of the "first capacitor on one side" and the "first capacitor on the other side" in the claims, respectively.

図10に示すように、電力変換装置200では、コンデンサCf1およびコンデンサCf2が互いに並列に接続されている。なお、図10において、コンデンサCf1およびコンデンサCf2が互いに並列に接続されている点以外の回路図上の構成については、図1に示す上記第1実施形態の電力変換装置100の回路図と同様である。 As shown in FIG. 10, in the power conversion device 200, the capacitors Cf1 and the capacitors Cf2 are connected in parallel with each other. Note that, in FIG. 10, the configuration on the circuit diagram other than the point where the capacitor Cf1 and the capacitor Cf2 are connected in parallel with each other is the same as the circuit diagram of the power conversion device 100 of the first embodiment shown in FIG. be.

ここで、第2実施形態では、図11および図12に示すように、電力変換装置200では、コンデンサCd、ダイオードD1、コンデンサCf1、スイッチング素子Q2、コンデンサCf2、スイッチング素子Q1およびダイオードD2(これらを構成する部品4a、部品4b、部品41c、部品4d、部品42c、部品4f、部品4e)は、互いに隣り合うように配置されている。また、隣り合う部品4同士の間と、部品4と部品4に隣り合う配線105との間において、流れる電流の方向が略反対になるように配置されている。 Here, in the second embodiment, as shown in FIGS. 11 and 12, in the power conversion device 200, the capacitor Cd, the diode D1, the capacitor Cf1, the switching element Q2, the capacitor Cf2, the switching element Q1 and the diode D2 (these are used). The constituent parts 4a, 4b, 41c, 4d, 42c, 4f, and 4e) are arranged so as to be adjacent to each other. Further, they are arranged so that the directions of the flowing currents are substantially opposite between the adjacent components 4 and the wiring 105 adjacent to the component 4 and the component 4.

コンデンサCd、ダイオードD1、コンデンサCf1、スイッチング素子Q2、コンデンサCf2、スイッチング素子Q1およびダイオードD2は、パターン配線からなる配線105により互いに接続されている。ここで、コンデンサCd、ダイオードD1、コンデンサCf1およびスイッチング素子Q2の構成は、上記第1実施形態の電力変換装置100のコンデンサCfを、コンデンサCf1に置き換えた構成と同様である。 The capacitor Cd, the diode D1, the capacitor Cf1, the switching element Q2, the capacitor Cf2, the switching element Q1 and the diode D2 are connected to each other by a wiring 105 made of a pattern wiring. Here, the configuration of the capacitor Cd, the diode D1, the capacitor Cf1 and the switching element Q2 is the same as the configuration in which the capacitor Cf of the power conversion device 100 of the first embodiment is replaced with the capacitor Cf1.

また、コンデンサCf2の正電位側とダイオードD2とは、略U字形状を有する第1配線部分105aにより接続されている。また、ダイオードD2とスイッチング素子Q1とは、略S字形状を有する第1配線部分105bにより接続されている。また、スイッチング素子Q1とコンデンサCf2の負電位側とは、略U字形状を有する第1配線部分105cにより接続されている。なお、コンデンサCf2、スイッチング素子Q1およびダイオードD2を接続する第1配線部分105a、105bおよび105cは、多層基板6の第1の層6aに設けられており、第2の層6bにはコンデンサCf2、スイッチング素子Q1およびダイオードD2を接続する配線は設けられていない。 Further, the positive potential side of the capacitor Cf2 and the diode D2 are connected by a first wiring portion 105a having a substantially U-shape. Further, the diode D2 and the switching element Q1 are connected by a first wiring portion 105b having a substantially S-shape. Further, the switching element Q1 and the negative potential side of the capacitor Cf2 are connected by a first wiring portion 105c having a substantially U-shape. The first wiring portions 105a, 105b and 105c for connecting the capacitor Cf2, the switching element Q1 and the diode D2 are provided on the first layer 6a of the multilayer board 6, and the second layer 6b has the capacitor Cf2. No wiring is provided to connect the switching element Q1 and the diode D2.

そして、隣り合うコンデンサCf2とスイッチング素子Q1との間において、流れる電流の方向が略反対になる。また、隣り合うダイオードD2と第1配線部分105bとの間において、流れる電流の方向が略反対になる。また、隣り合う第1配線部分105bとスイッチング素子Q1との間において、流れる電流の方向が略反対になる。これにより、隣り合う部品4同士、または、隣り合う部品4と配線105との間において、放射ノイズ(磁束)を低減(相殺)することが可能になる。つまり、スイッチング素子Q1、ダイオードD2およびコンデンサCfからなる直列回路(スイッチング素子Q1がオン状態、図4参照)における放射ノイズが比較的大きくなった場合に、コンデンサCf(第1実施形態)をコンデンサCf1とコンデンサCf2とを並列接続する構成に置き換えること(第2実施形態)により、上記の直列回路の放射ノイズを低減することが可能になる。 Then, the directions of the currents flowing between the adjacent capacitors Cf2 and the switching element Q1 are substantially opposite to each other. Further, the directions of the flowing currents are substantially opposite between the adjacent diodes D2 and the first wiring portion 105b. Further, the directions of the flowing currents are substantially opposite between the adjacent first wiring portion 105b and the switching element Q1. This makes it possible to reduce (cancel) radiation noise (magnetic flux) between adjacent components 4 or between adjacent components 4 and the wiring 105. That is, when the radiation noise in the series circuit including the switching element Q1, the diode D2 and the capacitor Cf (switching element Q1 is on, see FIG. 4) becomes relatively large, the capacitor Cf (first embodiment) is changed to the capacitor Cf1. By replacing the capacitor Cf2 with the capacitor Cf2 in parallel (second embodiment), it is possible to reduce the radiation noise of the series circuit described above.

[第2実施形態の効果]
第2実施形態では、以下のような効果を得ることができる。
[Effect of the second embodiment]
In the second embodiment, the following effects can be obtained.

第2実施形態では、上記のように、コンデンサCd、ダイオードD1、コンデンサCf1、スイッチング素子Q2、コンデンサCf2、スイッチング素子Q1およびダイオードD2(これらを構成する部品4a、部品4b、部品41c、部品4d、部品42c、部品4f、部品4e)は、互いに隣り合うように配置されているとともに、隣り合う部品4同士の間と、部品4と部品4に隣り合う配線105との間とのうちの少なくとも一方において、流れる電流の方向が略反対になるように配置されている。これにより、コンデンサCf2、スイッチング素子Q1およびダイオードD2からなる直列回路において発生する放射ノイズが大きくなった場合でも、コンデンサCf2、スイッチング素子Q1およびダイオードD2の各々を構成する部品4同士の間、および、部品4と部品4に隣り合う配線105との間とのうちの少なくとも一方において、流れる電流の方向が略反対になるので、直列回路において発生する放射ノイズも低減することができる。また、1つの比較的大きなコンデンサCfを配置する場合と異なり、2つに分割された比較的小さなコンデンサCf1およびコンデンサCf2の配置を容易に行うことができる。 In the second embodiment, as described above, the capacitor Cd, the diode D1, the capacitor Cf1, the switching element Q2, the capacitor Cf2, the switching element Q1 and the diode D2 (components 4a, 4b, 41c, 4d, which constitute these). The component 42c, the component 4f, and the component 4e) are arranged so as to be adjacent to each other, and at least one of the adjacent components 4 and the wiring 105 adjacent to the component 4 and the component 4 is adjacent to each other. In, the directions of the flowing currents are arranged so as to be substantially opposite to each other. As a result, even when the radiation noise generated in the series circuit including the capacitor Cf2, the switching element Q1 and the diode D2 becomes large, between the components 4 constituting each of the capacitor Cf2, the switching element Q1 and the diode D2, and Since the directions of the currents flowing in at least one of the component 4 and the wiring 105 adjacent to the component 4 are substantially opposite, the radiation noise generated in the series circuit can also be reduced. Further, unlike the case where one relatively large capacitor Cf is arranged, the arrangement of the relatively small capacitor Cf1 and the capacitor Cf2 divided into two can be easily performed.

[変形例]
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更(変形例)が含まれる。
[Modification example]
It should be noted that the embodiments disclosed this time are exemplary in all respects and are not considered to be restrictive. The scope of the present invention is shown by the scope of claims rather than the description of the above-described embodiment, and further includes all modifications (modifications) within the meaning and scope equivalent to the scope of claims.

たとえば、上記第1および第2実施形態では、隣り合う部品同士の間、および、部品と部品に隣り合う配線との間の両方において、流れる電流の方向が略反対になる例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、隣り合う部品同士の間、および、部品と部品に隣り合う配線との間のうちの一方のみにおいて、流れる電流の方向が略反対になっていてもよい。つまり、隣り合う部品同士の間において流れる電流の方向が略反対になるように、コンデンサCd、ダイオードD1、コンデンサCfおよびスイッチング素子Q2を、互いに隣り合うように配置してもよい。 For example, in the first and second embodiments, the directions of the flowing currents are substantially opposite both between adjacent parts and between the parts and the wiring adjacent to the parts. The present invention is not limited to this. For example, the directions of the currents flowing may be substantially opposite between the adjacent parts and only one of the parts and the wiring adjacent to the parts. That is, the capacitor Cd, the diode D1, the capacitor Cf, and the switching element Q2 may be arranged so as to be adjacent to each other so that the directions of the currents flowing between the adjacent components are substantially opposite to each other.

また、上記第1および第2実施形態では、ダイオードD1、ダイオードD2、スイッチング素子Q1およびスイッチング素子Q2が直列に接続されている電力変換装置に本発明を適用する例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、図13に示すように、ダイオードD1およびダイオードD2の代わりに、スイッチング素子Q11およびスイッチング素子Q12が設けられる変形例による電力変換装置300にも本発明を適用することも可能である。 Further, in the first and second embodiments, an example is shown in which the present invention is applied to a power conversion device in which a diode D1, a diode D2, a switching element Q1 and a switching element Q2 are connected in series, but the present invention presents the present invention. Not limited to this. For example, as shown in FIG. 13, the present invention can be applied to a power conversion device 300 according to a modified example in which a switching element Q11 and a switching element Q12 are provided instead of the diode D1 and the diode D2.

また、上記第1および第2実施形態では、コンデンサCd、ダイオードD1、コンデンサCfおよびスイッチング素子Q2が、X方向に沿うように配置されている例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、流れる電流の方向が互いに反対になるようにコンデンサCdおよびダイオードD1がX方向に沿うように配置され、流れる電流の方向が互いに反対になるようにコンデンサCfおよびスイッチング素子Q2がY方向に沿うように配置されていてもよい。 Further, in the first and second embodiments, the example in which the capacitor Cd, the diode D1, the capacitor Cf and the switching element Q2 are arranged along the X direction is shown, but the present invention is not limited to this. .. For example, the capacitor Cd and the diode D1 are arranged along the X direction so that the directions of the flowing currents are opposite to each other, and the capacitor Cf and the switching element Q2 are along the Y direction so that the directions of the flowing currents are opposite to each other. It may be arranged so as to.

また、上記第1および第2実施形態では、配線が、多層基板の第1の層に設けられる第1配線と多層基板の第2の層に設けられる第2配線とを含む例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、配線が、多層基板の第1の層に設けられる第1配線のみによって構成されていてもよい。 Further, in the first and second embodiments, an example is shown in which the wiring includes the first wiring provided in the first layer of the multilayer board and the second wiring provided in the second layer of the multilayer board. , The present invention is not limited to this. For example, the wiring may be composed only of the first wiring provided in the first layer of the multilayer board.

また、上記第1および第2実施形態では、第2配線が第1配線と同様に蛇行する形状を有する例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、第2配線を、スイッチング素子Q2とコンデンサCdの負電位側とを直線的に接続するように構成してもよい。 Further, in the first and second embodiments, the example in which the second wiring has a meandering shape similar to that of the first wiring is shown, but the present invention is not limited to this. For example, the second wiring may be configured to linearly connect the switching element Q2 and the negative potential side of the capacitor Cd.

また、上記第1および第2実施形態では、ダイオードD1、ダイオードD2、スイッチング素子Q1およびスイッチング素子Q2の全てがワイドバンドギャップ半導体により構成されている例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、ダイオードD1、ダイオードD2、スイッチング素子Q1およびスイッチング素子Q2のうちのいずれかのみが、ワイドバンドギャップ半導体により構成されていてもよい。 Further, in the first and second embodiments, an example is shown in which the diode D1, the diode D2, the switching element Q1 and the switching element Q2 are all composed of a wide bandgap semiconductor, but the present invention is limited to this. No. For example, only one of the diode D1, the diode D2, the switching element Q1 and the switching element Q2 may be composed of the wide bandgap semiconductor.

1 直流電源
2 リアクトル
4、4a〜4f、41c、42c 部品
5、105 配線
6 多層基板
6a 第1の層
6b 第2の層
51 第1配線
52 第2配線
100、200、300 電力変換装置
A1、A2、A3 接続点
Cd コンデンサ(第2コンデンサ)
Cf コンデンサ(第1コンデンサ)
Cf1 コンデンサ(一方側第1コンデンサ)
Cf2 コンデンサ(他方側第1コンデンサ)
D1 ダイオード(第1素子)
D2 ダイオード(第2素子)
Q1 スイッチング素子(第3素子)
Q2 スイッチング素子(第4素子)
1 DC power supply 2 Reactors 4, 4a to 4f, 41c, 42c Parts 5, 105 Wiring 6 Multilayer board 6a First layer 6b Second layer 51 First wiring 52 Second wiring 100, 200, 300 Power converter A1, A2, A3 connection point Cd capacitor (second capacitor)
Cf capacitor (first capacitor)
Cf1 capacitor (first capacitor on one side)
Cf2 capacitor (first capacitor on the other side)
D1 diode (first element)
D2 diode (second element)
Q1 Switching element (3rd element)
Q2 switching element (4th element)

Claims (8)

直流電源と、
互いに直列に接続された、ダイオードまたはスイッチング素子から構成される第1素子、前記ダイオードまたは前記スイッチング素子から構成される第2素子、前記スイッチング素子から構成される第3素子および前記スイッチング素子から構成される第4素子を含むスイッチング回路部と、
前記直流電源に一方端が接続され、前記第2素子と前記第3素子との接続点に他方端が接続されているリアクトルと、
前記第1素子および前記第2素子の接続点と、前記第3素子および前記第4素子の接続点とに接続される第1コンデンサと、
前記スイッチング回路部に並列に接続される第2コンデンサと、
前記第1素子、前記第2素子、前記第3素子、前記第4素子、前記第1コンデンサおよび前記第2コンデンサの各々を構成する部品同士を接続する配線とを備え、
前記第2コンデンサ、前記第1素子、前記第1コンデンサおよび前記第4素子の各々を構成する前記部品は、互いに隣り合うように配置されているとともに、隣り合う前記部品同士の間と、前記部品と前記部品に隣り合う前記配線との間とのうちの少なくとも一方において、流れる電流の方向が略反対になるように配置されている、電力変換装置。
DC power supply and
It is composed of a first element composed of a diode or a switching element connected in series with each other, a second element composed of the diode or the switching element, a third element composed of the switching element, and the switching element. Switching circuit section including the 4th element
A reactor in which one end is connected to the DC power supply and the other end is connected to the connection point between the second element and the third element.
A first capacitor connected to a connection point between the first element and the second element and a connection point between the third element and the fourth element.
A second capacitor connected in parallel to the switching circuit section,
The first element, the second element, the third element, the fourth element, the first capacitor, and the wiring for connecting the components constituting each of the second capacitor are provided.
The parts constituting each of the second capacitor, the first element, the first capacitor, and the fourth element are arranged so as to be adjacent to each other, and are placed between the adjacent parts and the parts. A power conversion device arranged so that the directions of flowing currents are substantially opposite to each other at at least one of the wiring between the component and the wiring adjacent to the component.
前記第2コンデンサ、前記第1素子、前記第1コンデンサおよび前記第4素子の各々を構成する前記部品は、所定の方向に沿うように、互いに隣り合うように配置されている、請求項1に記載の電力変換装置。 The first aspect of the present invention, wherein the parts constituting each of the second capacitor, the first element, the first capacitor, and the fourth element are arranged so as to be adjacent to each other along a predetermined direction. The power converter described. 前記第1素子、前記第2素子、前記第3素子、前記第4素子、前記第1コンデンサおよび前記第2コンデンサは、多層基板の第1の層に設けられており、
前記配線は、前記多層基板の前記第1の層に設けられ、前記第2コンデンサ、前記第1素子、前記第1コンデンサおよび前記第4素子をこの順で接続する第1配線を含む、請求項1または2に記載の電力変換装置。
The first element, the second element, the third element, the fourth element, the first capacitor, and the second capacitor are provided in the first layer of the multilayer substrate.
The wiring is provided in the first layer of the multilayer substrate, and includes a first wiring that connects the second capacitor, the first element, the first capacitor, and the fourth element in this order. The power conversion device according to 1 or 2.
平面視において、前記第1配線は、蛇行する形状を有し、
前記第2コンデンサ、前記第1素子、前記第1コンデンサおよび前記第4素子の各々を構成する前記部品は、蛇行する形状を有する前記第1配線により互いに接続されている、請求項3に記載の電力変換装置。
In a plan view, the first wiring has a meandering shape.
The third aspect of the present invention, wherein the components constituting each of the second capacitor, the first element, the first capacitor, and the fourth element are connected to each other by the first wiring having a meandering shape. Power converter.
前記配線は、平面視において、前記第1配線に重なるように前記多層基板の第2の層に設けられ、前記第4素子と前記第2コンデンサとを電気的に接続するとともに前記第1配線に流れる電流の方向と略反対方向に電流が流れる第2配線をさらに含む、請求項3または4に記載の電力変換装置。 The wiring is provided in the second layer of the multilayer substrate so as to overlap the first wiring in a plan view, electrically connects the fourth element and the second capacitor, and is connected to the first wiring. The power conversion device according to claim 3 or 4, further comprising a second wiring in which a current flows in a direction substantially opposite to the direction of the flowing current. 平面視において、前記第2配線は、前記第1配線の経路に略沿った経路を有するように、前記多層基板の前記第2の層に設けられている、請求項5に記載の電力変換装置。 The power conversion device according to claim 5, wherein the second wiring is provided in the second layer of the multilayer substrate so as to have a path substantially along the path of the first wiring in a plan view. .. 前記第1コンデンサは、互いに並列に接続される一方側第1コンデンサと他方側第1コンデンサとを含み、
前記第2コンデンサ、前記第1素子、前記一方側第1コンデンサ、前記第4素子、前記他方側第1コンデンサ、前記第3素子および前記第2素子の各々を構成する前記部品は互いに隣り合うように配置されているとともに、隣り合う前記部品同士の間と、前記部品と前記部品に隣り合う前記配線との間とのうちの少なくとも一方において、流れる電流の方向が略反対になるように配置されている、請求項1〜6のいずれか1項に記載の電力変換装置。
The first capacitor includes a first capacitor on one side and a first capacitor on the other side connected in parallel with each other.
The components constituting each of the second capacitor, the first element, the first capacitor on one side, the fourth element, the first capacitor on the other side, the third element, and the second element are adjacent to each other. And at least one of the adjacent parts and the wiring between the parts and the wiring adjacent to the parts, the directions of the currents flowing are substantially opposite to each other. The power conversion device according to any one of claims 1 to 6.
前記第1素子、前記第2素子、前記第3素子および前記第4素子のうちの少なくとも1つが、ワイドバンドギャップ半導体により構成されている、請求項1〜7のいずれか1項に記載の電力変換装置。 The electric power according to any one of claims 1 to 7, wherein at least one of the first element, the second element, the third element, and the fourth element is composed of a wide bandgap semiconductor. Conversion device.
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