JP6946381B2 - 太陽電池用蒸着装備及びこれを用いた蒸着方法 - Google Patents

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Description

〔関連技術〕
本発明は、韓国特許出願第10−2018−0086238号(出願日:2018年7月24日)、韓国特許出願第10−2018−0116437号(出願日:2018年9月28日)、及び韓国特許出願第10−2018−0116446号(出願日:2018年9月28日)に基づくパリ条約4条の優先権主張を伴ったものであり、当該韓国特許出願に開示された内容に基づくものである。参考のために、当該韓国特許出願の明細書及び図面の内容は本願明細書の一部に包摂されるものである。
〔発明の分野〕
本発明は、太陽電池用蒸着装備及びこれを用いた蒸着方法に関する。
最近石油や石炭のような既存エネルギー資源の枯渇が予測されながらこれらを取り替える代替エネルギーに対する関心が高くなり続いている。その中でも、太陽電池は、太陽エネルギーから電気エネルギーを生産する電池として、エネルギー資源が豊富であり、環境汚染の問題がなくて注目されている。
一般的な太陽電池は、p型とn型のように、互いに異なる導電型(conductive type)の半導体からなる基板(substrate)とエミッタ部(emitter layer)、それと基板とエミッタ部にそれぞれ接続された電極を備える。このとき、基板とエミッタ部の界面には、p−n接合が形成されている。
このような太陽電池に光が入射されれば半導体で複数の電子―正孔対が生成され、生成された電子―正孔対は電子と正孔にそれぞれ分離され、電子と正孔はn型の半導体とp型の半導体の方向にたとえばエミッタ部と基板の方向に移動し、基板とエミッタ部と電気的に接続された電極によって収集され、この電極を電線で接続して電力を得る。
最近では、太陽電池の開放電圧(Voc)を向上させるために、太陽電池のシリコン半導体基板の表面に不純物を含有したシリコン層を蒸着した構造の太陽電池が開発中である。
しかしながら、このような構造の太陽電池において、太陽電池の所望する効率と開放電圧を得るためには、太陽電池の表面に蒸着されるシリコン層の厚さが均一しなければならない。
しかし、太陽電池の半導体基板表面に不純物を含有したシリコン層を蒸着するにあたり、不純物ガスの散布が均一でない場合、半導体基板の部分でのシリコン層蒸着速度に差が生じ、半導体基板に蒸着されるシリコン層の厚さが均一でなくて、太陽電池の効率が低下し、所望するくらいの効率と開放電圧を確保できない問題がある。
本発明の目的は、太陽電池用半導体基板の表面に蒸着される不純物を含有した多結晶シリコン層の厚さ均一度を改善することができる太陽電池用蒸着装備及びこの装備を用いた蒸着方法を提供することにある。
〔本発明の一の態様〕
〔1〕 太陽電池用蒸着装備であって、
複数のシリコンウエハが垂直に配置される内部空間を備えたチャンバと、
シリコン蒸着ガスと不純物ガスが混合された混合ガスを前記複数のウェハの側面の方向に注入するための複数のシャワーノズルと、を備えてなる、太陽電池用蒸着装備。
〔2〕 前記複数のシャワーノズルは、前記複数のウェハの両側側部にそれぞれ形成されてなる、〔1〕に記載の太陽電池用蒸着装備。
〔3〕
前記複数のシャワーノズルのそれぞれは、前記混合ガスを注入するための複数のホールを備えてなる、〔2〕に記載の太陽電池用蒸着装備。
〔4〕
前記シリコン蒸着ガスと前記不純物ガスの流速量をそれぞれ制御して前記混合ガスを前記複数のシャワーノズル部に供給する流速量制御部を更に備えてなる、〔1〕〜〔3〕の何れか一項に記載の太陽電池用蒸着装備。
〔5〕 前記流速量制御部は、前記不純物ガスが混合されない前記蒸着ガスを選択的に前記複数のシャワーノズル部に供給する、〔4〕に記載の太陽電池用蒸着装備。
〔6〕 前記チャンバの内部空間は第1方向に長く形成され、
前記第1方向の前面側には、前記複数のシリコンウエハが出入りするドアが備えられ、
前記第1方向の後面側には、ガスが排気されるベント(vent)が備えられ、
前記複数のシャワーノズルは、前記混合ガスを噴射するホールを備え、
前記複数のシャワーノズルは、前記チャンバと前記複数のシリコンウエハの側面との間に位置する、〔1〕〜〔5〕の何れか一項に記載の太陽電池用蒸着装備。
〔7〕 前記複数のシャワーノズルのそれぞれは、前記チャンバの外部から内部に前記第1方向に長く延長され、前記混合ガスを供給する配管に接続され、
前記配管には、前記ホールが備えられておらず、
前記複数のシャワーノズルのそれぞれは、前記配管の先端に接続されて、前記複数のシリコンウエハを中心に前記チャンバの壁面に沿って前記第1方向と交差する第2方向に長く延長されてなる、〔6〕に記載の太陽電池用蒸着装備。
〔8〕 前記複数のシャワーノズルのそれぞれは、前記配管の先端から前記チャンバの壁面に沿って前記第2方向に丸い形を有し、前記複数のシャワーノズルのそれぞれの長さ方向に沿って前記複数のホールが離隔されて備えられてなる、〔7〕に記載の太陽電池用蒸着装備。
〔9〕 前記複数のホールの開口方向は、前記複数のシャワーノズルそれぞれの表面の内に、前記チャンバの内部空間の中心部の方向に備えられる、〔7〕又は〔8〕に記載の太陽電池用蒸着装備。
〔10〕 前記チャンバ内に配置され、前記第1方向に長く形成されたボートをさらに備えてなり、
前記複数のシリコンウエハは、前記ボートに前記第1方向に離隔されて前記第2方向に立てられた状態で配置されてなる、〔1〕〜〔9〕の何れか一項に記載の太陽電池用蒸着装備。
〔11〕 前記複数のシャワーノズルは、
前記ボートの中で、前記ドア側に隣接する前端部分に前記混合ガスを噴射する第1サブシャワーノズルと、
前記ボートの中央部分に前記混合ガスを噴射する第2サブシャワーノズルと、
前記ボートの内に、前記ベント側に隣接する後端部分に前記混合ガスを噴射する第3サブシャワーノズルとを備えてなる、〔1〕〜〔10〕の何れか一項に記載の太陽電池用蒸着装備。
〔12〕
太陽電池用蒸着装備を用いた蒸着方法であって、
太陽電池用蒸着装備のチャンバ内に複数のウェハを垂直に位置させる段階と、
シリコン蒸着ガスと不純物ガスが混合された混合ガスをシャワーノズルから前記複数のウェハの側面の方向に噴射して、不純物がドーピングされたポリシリコン層を前記複数のウェハに蒸着する段階と、を含んでなる、太陽電池用蒸着装備を用いた蒸着方法。
〔13〕 前記不純物ガスを除外した前記シリコン蒸着ガスのみ前記シャワーノズルから前記複数のウェハの側面の方向に噴射して、不純物がドーピングされないポリシリコン層を前記複数のウェハに蒸着する段階を更に含んでなる、〔12〕に記載の太陽電池用蒸着装備を用いた蒸着方法。
〔14〕 前記不純物がドーピングされたポリシリコン層の不純物を活性化させて前記不純物がドーピングされたポリシリコン層の不純物を前記不純物がドーピングされないポリシリコン層にドーピングする熱処理工程をさらに含んでなる、〔13〕に記載の太陽電池用蒸着装備を用いた蒸着方法。
〔15〕 前記不純物がドーピングされたポリシリコン層を蒸着する段階において、前記シリコン蒸着ガスと前記不純物ガスを適正な割合で混合するように流速量を調整して、前記シリコン蒸着ガスと前記不純物ガスを前記シャワーノズルに同時に供給する、〔13〕又は〔14〕に記載の太陽電池用蒸着装備を用いた蒸着方法。
〔16〕 前記不純物がドーピングされたポリシリコン層の蒸着温度は、前記不純物がドーピングされないポリシリコン層の蒸着温度より低い温度である、〔13〕〜〔15〕の何れか一項に記載の太陽電池用蒸着装備を用いた蒸着方法。
〔17〕 前記不純物がドーピングされたポリシリコン層の厚さは、前記不純物がドーピングされないポリシリコン層の厚さより薄い、〔13〕〜〔16〕の何れか一項に記載の太陽電池用蒸着装備を用いた蒸着方法。
〔18〕 太陽電池用蒸着装備を用いた蒸着方法であって、
太陽電池用蒸着装備のチャンバ内に複数のウェハを垂直に位置させる段階と、
シリコン蒸着ガスをシャワーノズルから前記複数のウェハの側面の方向に噴射して、不純物がドーピングされない第1ポリシリコン層を前記複数のウェハに蒸着する段階と、
シリコン蒸着ガスと不純物ガスが混合された混合ガスをシャワーノズルから前記複数のウェハの側面の方向に噴射して、不純物がドーピングされたポリシリコン層を前記複数のウェハの第1ポリシリコン層の上に蒸着する段階と、
シリコン蒸着ガスをシャワーノズルから前記複数のウェハの側面の方向に噴射して、不純物がドーピングされない第2ポリシリコン層を前記複数のウェハの不純物がドーピングされたポリシリコン層の上に蒸着する段階と、を含んでなる、太陽電池用蒸着装備を用いた蒸着方法。
〔19〕 前記不純物がドーピングされたポリシリコン層の不純物を活性化させて前記不純物がドーピングされたポリシリコン層の不純物を前記第1ポリシリコン層及び第2ポリシリコン層にドーピングする熱処理工程を更に含んでなる、〔18〕に記載の太陽電池用蒸着装備を用いた蒸着方法。
〔20〕 前記複数のウェハそれぞれはボートに垂直に積載された状態で、チャンバにロードされる、〔18〕又は〔19〕に記載の太陽電池用蒸着装備を用いた蒸着方法。
本発明の一例に係る太陽電池用蒸着装備(CVD, Chemical Vapor Deposition)は、複数のシリコンウエハが垂直に配置される内部空間を備えるチャンバと、シリコン蒸着ガスと不純物ガスが混合された混合ガスを前記複数のウェハの側面の方向に注入するための複数のシャワーノズルを含む。
前記複数のシャワーノズルは、前記複数のウェハの両側側部にそれぞれ形成されることができる。
前記複数のシャワーノズルのそれぞれは、前記混合ガスを注入するための複数のホールを備えることができる。
本発明の蒸着装備は、前記シリコン蒸着ガスと前記不純物ガスの流速量をそれぞれ制御して前記混合ガスを前記複数のシャワーノズル部に供給する流速量制御部をさらに含むことができる。
前記流速量制御部は、前記不純物ガスが混合されない前記蒸着ガスを前記複数のシャワーノズル部に供給できる。
前記チャンバの内部空間は第1方向に長く形成され、第1方向の前面側には複数のシリコンウエハが出入りするドアが備えされ、第1方向の後面側にはガスが排気されるベント(vent)が備えられ、 複数のシャワーノズルは混合ガスを噴射するホールを備え、複数のシャワーノズルは、チャンバと、複数のシリコンウエハの側面との間に位置する。
複数のシャワーノズルは、チャンバの外部から内部に第1方向に長く延長され、混合ガスを供給する配管に接続され、配管にはホールが備えないことがある。
複数のシャワーノズル各々は、配管の先端に接続され、複数のシリコンウエハを中心にチャンバの壁面に沿って第1方向と交差する第2方向に長く延長されることができる。
複数のシャワーノズルは、配管の先端からチャンバの壁面に沿って第2方向に丸形状を有し、シャワーノズルの長さ方向に沿って複数のホールが離隔して備えられることがある。
複数のホールの開口方向は各々のシャワーノズルの表面の内、チャンバの内部空間の中心部の方向に備えられることができる。
シャワーノズルの先端は、チャンバの壁面に沿って戻って配管の先端に隣接して位置することができる。
蒸着装備は、チャンバ内に配置され、第1方向に長く形成されたボートをさらに含むことができ、複数のシリコンウエハは、 ボートに水平方向に離隔され垂直方向に立てられた状態で配置されることができる。
ここで、シャワーノズルは、ボートの中でドア側に隣接する前端部分に混合ガスを噴射する第1サブシャワーノズルとボートの中央部分に混合ガスを噴射する第2サブシャワーノズルと、ボートの中でベント側に隣接した後端部分に混合ガスを噴射する第3サブシャワーノズルとを含むことができる。
本発明の一例に係る太陽電池用蒸着装備を用いた蒸着方法は、第1項に備えられた太陽電池用蒸着装備のチャンバ内に複数のウェハを垂直に位置させる段階と、シリコン蒸着ガスと不純物ガスが混合された混合ガスをシャワーノズルから前記複数のウェハの側面の方向に噴射して、不純物がドーピングされたポリシリコン層を前記複数のウェハに蒸着する段階を含むことができる。
本発明の蒸着方法は、前記不純物ガスを除外した前記シリコン蒸着ガスのみ前記シャワーノズルから前記複数のウェハの側面方向に噴射して、不純物がドーピングされないポリシリコン層を前記複数のウェハに蒸着する段階をさらに含むことができる。
本発明の蒸着方法は、前記不純物がドーピングされたポリシリコン層の不純物を活性化させて前記不純物がドーピングされたポリシリコン層の不純物を前記不純物がドーピングされないポリシリコン層にドーピングする熱処理工程をさらに含んでなることができる。
本発明の蒸着方法は、前記不純物がドーピングされたポリシリコン層を蒸着する段階において、前記シリコン蒸着ガスと前記不純物ガスを適正な割合で混合するように流速量を調整して、前記シリコン蒸着ガスと前記不純物ガスを前記シャワーノズルに同時に供給することができる。
前記の不純物がドーピングされたポリシリコン層の蒸着温度は、前記不純物がドーピングされないポリシリコン層の蒸着温度より低いことができる。
前記不純物がドーピングされたポリシリコン層の厚さは、前記不純物がドーピングされないポリシリコン層の厚さより薄いことができる。
本発明に係る蒸着装備を用いた蒸着方法は、チャンバ内に複数のウェハを垂直に位置させる段階と、シリコン蒸着ガスをシャワーノズルから前記複数のウェハの側面方向に噴射して、不純物がドーピングされない第1ポリシリコン層を前記複数のウェハに蒸着する段階とシリコン蒸着ガスと不純物ガスが混合された混合ガスをシャワーノズルから前記複数のウェハの側面方向に噴射して、不純物がドーピングされたポリシリコン層を前記複数のウェハの第1ポリシリコン層の上に蒸着する段階と、シリコン蒸着ガスをシャワーノズルから前記複数のウェハの側面方向に噴射して、不純物がドーピングされない第2ポリシリコン層を前記複数のウェハの不純物がドーピングされたポリシリコン層の上に蒸着する段階を含むことができる。
本発明の蒸着方法は、前記不純物がドーピングされたポリシリコン層の不純物を活性化させて前記不純物がドーピングされたポリシリコン層の不純物を前記第1及び第2ポリシリコン層にドーピングする熱処理工程をさらに含むことができる。
複数のウェハそれぞれはボートに垂直に積載された状態で、チャンバ内にロードすることができる。
本発明に係る太陽電池用蒸着装備及びその駆動方法は、シリコン蒸着ガスと不純物ガスが混合された混合ガスを噴射するシャワーノズルを備え、太陽電池用半導体基板の表面に蒸着される不純物を含有したシリコン層の厚さをより均一にすることができる。
本発明に係る太陽電池用蒸着装備の第1実施形態を説明するための図である。 本発明に係る太陽電池用蒸着装備の第1実施形態を説明するための図である。 本発明に係る太陽電池用蒸着装備の第2実施形態を説明するための図である。 本発明に係る太陽電池用蒸着装備の第3実施形態を説明するための図である。 本発明に係る太陽電池用蒸着装備の第4実施形態を説明するための図である。 本発明に係る太陽電池用蒸着装備の第4実施形態を説明するための図である。 本発明に係る太陽電池用蒸着装備の第5実施形態を説明するための図である。 本発明に係る太陽電池用蒸着装備の第6実施形態を説明するための図である。 本発明に係る太陽電池用蒸着装備の第6実施形態を説明するための図である。 本発明に係る太陽電池用蒸着装備の第6実施形態を説明するための図である。 本発明の一例に係る太陽電池用蒸着装備の効果を説明するための図である。 本発明に係る太陽電池用蒸着装備の第7実施形態を説明するための図である。 本発明に係る太陽電池用蒸着装備の第8実施形態を説明するための図である。 本発明に係る太陽電池用蒸着装備の第9実施形態を説明するための図である。 本発明に係る太陽電池用蒸着装備の第10実施形態を説明するための図である。 本発明に係る太陽電池用蒸着装備の第11実施形態を説明するための図である。 本発明に係る太陽電池用蒸着装備の第11実施形態を説明するための図である。 本発明の蒸着装備が用いられて形成される太陽電池の一例を説明するための図である。 図18に示された太陽電池を製造する方法の一例を説明するための図である。 図19で説明した太陽電池の製造工程の内、本発明の一例に係る蒸着装備が用いられる工程を説明するための図である。 本発明の一例に係る蒸着装備が太陽電池の製造工程に用いられる期間の間、温度変化を説明するための図である。 本発明の一例に係る蒸着装備が太陽電池の製造工程に用いられるとき、シリコン蒸着ガスと不純物ガスの注入流量について説明するための図である。 本発明の蒸着装備が用いられて形成される太陽電池の他の例を説明するための図である。
以下では、添付した図面を参考にして本発明の実施の形態について本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は、さまざまな形で実現することができ、ここで説明する実施の形態に限定されない。そして図面で本発明を明確に説明するために説明と関係ない部分は省略し、明細書全体を通じて類似の部分には 類似の符号をつけた。
図面で複数の層と領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。層、膜、領域、板などの部分が他の部分“上に”あるとする時、これは他の部分“真上に”ある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。逆にどの部分が他の部分“真上に”あるとするときは、中間に他の部分がないことを意味する。また、どの部分が他の部分の上に“全体的”に形成されているとするときは、他の部分の全体面(または全面)に形成されているものだけでなく、端の一部には形成されないことを意味する。
併せて、以下においてどのような構成要素の厚さや幅または長さが同じであることの意味は、工程上の誤差を考慮して、どのような第1構成要素の厚さや幅または長さが異なる第2構成要素の厚さや幅または長さと比較して、10%の誤差の範囲内にある場合を意味する。
図1乃至図2は、本発明に係る太陽電池用蒸着装備の第1実施形態を説明するための図である。
図1の(a)は、太陽電池用蒸着装備を側面から見たときの断面を簡略に示したものであり、図1の(b)は、太陽電池用蒸着装備を前面から見たときの断面を簡略に示したものである。
図2は、太陽電池用蒸着装備内に備えられるシャワーノズル40を説明するための図であり、図2の(a)は、蒸着装備の中心からシャワーノズル40を眺めた形状であり、図2の(b)は、図2のシャワーノズル40の部分斜視図である。
本発明に係る太陽電池用蒸着装備は、図1及び図2に示すように、チャンバ10とシャワーノズル40を備える。
チャンバ10は、図1の(a)に示すように、複数のシリコンウエハ110が内部に配置される空間が第1方向、例えば水平方向(x)に長く備えられ、閉鎖された空間を形成する壁で構成されることができる。
さらに具体的に、チャンバ10は、図1の(a)と(b)に示すように、チャンバ10が水平方向(x)に長く形成されることができ、チャンバ10の水平方向(x)の前端にはドア(door、20)、チャンバ10の水平方向(x)の後端には、ベント(vent、30)と真空ポンプ31が備えられることができる。
複数のシリコンウエハ110は、チャンバ10の内部の空間に水平方向(x)に長く配置されるボート(boat、100)内に配置されることができ、太陽電池用シリコンウエハ110は、ボート100内に配置された状態で、ドア20を介してチャンバ10の内部にロード(loading)されたり、アンロード(unloading)することができる。
このような複数のシリコンウエハ110は、図1の(a)に示すように、水平方向(x)に長く形成されたボート100に水平方向(x)に離隔されて垂直方向(z)に立てられた状態で位置してチャンバ10の内部空間に配置されることができる。
これにより、図1の(a)に示すように、複数のシリコンウエハ110は、ボート100内に複数のシリコンウエハ110の面がドア20やベント30が位置する水平方向(x)の方向に立てられて、水平方向(x)に離隔して配置されることができる。
このようなボート100内で複数のシリコンウエハ110の配置構造は、一度にポリシリコン層(多結晶: polycrystalline silicon)を蒸着することができるシリコンウエハ110の数を大幅に増加させることができる。
一例として、太陽電池用半導体プロセスではない、一般的な半導体製造工程においては、一度にウェハ110の表面にある層を蒸着することができるウェハ110の数は、多くても100枚から200枚の間が、図1のようにボート100内にシリコンウエハ110を立てて配置する場合、一度にポリシリコン層を蒸着することができるシリコンウエハ110の数は、800枚〜1000枚まで可能である。
さらに、図1においてはチャンバ10の内部にロードされるボート100の数が1つの場合を例に示したが、これと異なるように方法でボート100の数は、複数で有り得る。
加えて、図1においては、チャンバ10の内部にボート100が水平方向(x)に長く配置される場合を一例として示したが、これと異なるようにチャンバ10の内部にボート100が立てられた状態で高さ方向(z)に長く配置されることも可能である。
ここで、複数のシリコンウエハ110を安着するボート100がチャンバ10の内部空間にロードされて配置された場合、チャンバ10の内部空間でドア20に隣接するボート100の水平方向(x)の端部分はボート100の前端の部分、ベント30に隣接するボート100の水平方向(x)端部分はボート100の後端部分、ボート100で前端部分と後端部分の間の部分は、中央部分と定義することができる。
また、チャンバ10の後端に備えられるベント(vent、30)と真空ポンプ31は、シャワーノズル40を介して噴射されるガスをチャンバ10の外部に排出することができる。
シャワーノズル40は、複数のシリコンウエハ110の側面の方向にポリシリコン層を蒸着させるシリコン蒸着ガス(G1)と蒸着されるポリシリコン層内にドーピングされた不純物ガス(G2)が混合された混合ガス(G1+G2)を噴射する機能を実行することができる。
このため、シャワーノズル40は、チャンバ10の内部に固定されて、複数のシリコンウエハ110の表面のそれぞれにポリシリコン層を蒸着させるシリコン蒸着ガス(G1)と蒸着されるポリシリコン層内にドーピングされる不純物ガス(G2)が混合された混合ガス(G1+G2)を噴射するホール41を備えることができる。
したがって、シャワーノズル40は、チャンバ10と、複数のシリコンウエハ110の間に位置し、複数のシリコンウエハ110の側面の方向に混合ガス(G1+G2)を噴射することができる。
さらに具体的に、シャワーノズル40は、チャンバ10の外部から内部に水平方向(x)に長く延長されて混合ガス(G1+G2)を供給する配管(P40)に接続することができる。ここで、配管(P40)には、ホール41が備えないことがある。
ここで、シャワーノズル40は、配管(P40)の先端に接続されて、複数のシリコンウエハ110を中心にチャンバ10の壁面に沿って水平方向(x)と交差する第2方向、例えば垂直方向(z)に長く延長されることができる。このようなシャワーノズル40は、配管(P40)の先端からチャンバ10の壁面に沿って垂直方向(z)に丸い形を有することがある。
すなわち、シャワーノズル40は、図1の(b)に示すように、チャンバ内部空間の中心に基づいてチャンバ10の壁面に沿って丸いチューブ形になるように長く延長することができる。
このようなシャワーノズル40の長さ方向に沿って複数のホール41が離隔して備えられることができる。このとき、複数のホール41の開口方向はシャワーノズル40の表面の内、チャンバ10の内部空間の中心部の方向に備えられることができる。しかし、必ずしもこれに限定されるものではなく、第1ホール41の開口方向がチャンバ10の前面側や後面側に少し偏って備えられることも可能である。
加えて、シャワーノズル40の先端は、チャンバ10の壁面に沿って戻り配管(P40)の先端に隣接して位置することができ、先端が閉塞されてあることがある。
このようにシャワーノズル40がチャンバ10の壁面に沿って丸く備えられて、半導体ウェハ110の側面方向に混合ガス(G1+G2)を噴射するので、半導体ウェハ110の前面または後面にさらに均一に混合ガス(G1+G2)が蒸着されるようにすることができる。
ここで、シャワーノズル40の直径(W40)は、3mm〜7mmの間に形成されることができる。
また、シャワーノズル40に備えられたホール41との間の間隔D41は、混合ガス(G1+G2)の散布を考慮して、20mm〜80mmの間の範囲内で規則的にまたは不規則的に形成することができる。
図1においては、シャワーノズル40に備えられたホール41間の間隔D41が一定に備えた場合を一例として示した。
さらに、シャワーノズル40に備えられたホール41のそれぞれの直径R41は、0.5mm〜2.5mmの間で形成されることができる。
このようなシャワーノズル40に誘引される混合ガス(G1+G2)の内、シリコン蒸着ガス(G1)は、噴射され、太陽電池用シリコンウエハ110の表面にポリシリコン層に蒸着されることができる。一例として、シリコン蒸着ガス(G1)は、シラン(SiH4)ガスで有り得る。
さらに、シャワーノズル40に誘引される混合ガス(G1+G2)の内、不純物ガス(G2)は、太陽電池用シリコンウエハ110の表面にポリシリコン層が蒸着されるとき、ポリシリコン層内にドーピングされることができる。
一例として、不純物ガス(G2)は、PH3ガスで有り得るが、これに必ずしも限定されるものではなく、BBr3のようなボロンガスも可能である。
したがって、外部からのシャワーノズル40に流入した混合ガス(G1+G2)は、シャワーノズル40のホール41を介して噴射され、噴射された混合ガス(G1+G2)は、蒸着装備内の空間の中でドア20に隣接する前端からベント30側の後端方向に移動しながら対流を形成し、排出されることができる。
このとき、混合ガス(G1+G2)の内、一部は、シリコンウエハ110の表面に不純物がドーピングされたポリシリコン層で蒸着され、残りの一部は、真空ポンプ31によって吸入されてベント30を通じて外部に排出されることができる。
このような本発明の一例に係る太陽電池用蒸着装備は、それぞれのシャワーノズル40からシリコン蒸着ガス(G1)と不純物ガス(G2)を一緒に噴射させることで、シリコンウエハ110の表面に蒸着される不純物がドーピングされたポリシリコン層の厚さの均一度をさらに向上させることができる。
加えて、シャワーノズル40の構成は、複数のシリコンウエハ110を中心に位置させ、シリコンウエハ110の側面から混合ガス(G1+G2)を噴射させる構造を有しており、シリコンウェハ110の側面に、より均一にポリシリコン層を形成させることができる。
本発明の第1実施形態では、シャワーノズル40がボート100の中央部分に1つだけインストールされた場合を一例として説明したが、これと違ってシャワーノズル40は、複数で備えられて、ボート100の前端の部分、中央部分及び後端部分にそれぞれ位置して備えられることも可能である。
図3は、本発明に係る太陽電池用蒸着装備の第2実施形態を説明するための図である。
図3の(a)は、太陽電池用蒸着装備を側面から見たときの断面を簡略に示したものであり、図3の(b)は、太陽電池用蒸着装備を前面から見たときの断面を簡略に示したものである。
図3の(a)においては、チャンバの壁体から第1、2、3配管(P40アール、P40b、P40c)が互いに異なる高さを有するものと示されており、第1、2、3シャワーノズル(40a、40b、40c)の大きさが互いに異なるように示されているが、これは理解の便宜上、図3の(a)のように示したものであり、実質的に図3の(b)のように、チャンバ壁体から第1、2、3配管(P40アール、P40b、P40c)までの距離は、実質的に同一であり、第1、2、3シャワーノズル(40a、40b、40c)の大きさも互いに同じで有り得る。
図3の(a)に示すように、第2実施形態に係る太陽電池用蒸着装備は、ボート100の前端の部分、中央部分及び後端部分にそれぞれシャワーノズル40を備えすることができる。
そのために、複数のシャワーノズル(40a 、40b、40c)のそれぞれには、複数の配管(P40a 、P40b、P40c)が接続されて備えられることができる。
このように、複数のシャワーノズル(40a、40b、40c)がボート100の前端部分、中央部分及び後端部分にそれぞれ備えられて、各シャワーノズル(40a、40b、40c)から半導体基板の側面方向に混合ガス(G1+G2)を噴射するようにすることで、半導体基板の表面に、より均一にポリシリコン層を蒸着させることができる。
また、本発明の第1、第2実施形態に係る太陽電池用蒸着装備では、ボート100がチャンバ10の内部に水平方向(x)に長く配置されている場合を一例として説明したが、これと違ってチャンバ10の内部にボート100が立てられた状態で水平方向(x)に長く配置されることも可能である。
図4は、本発明に係る太陽電池用蒸着装備の第3実施形態を説明するための図である。
このような第3実施形態に係る太陽電池用蒸着装備でシャワーノズル40と配管(P40)の構成は、先の第1実施形態で説明したところと同じで有り得る。
しかしながら、第1実施形態と異なり、本発明の第3実施形態に係る太陽電池用蒸着装備でチャンバ10の垂直方向(z)への高さと直径が水平方向(x)でのチャンバ10の長さよりはるかに大きくなることがある。つまり、チャンバ10の直径がチャンバ10の水平方向(x)への長さよりはるかに大きくなることがある。
このように、チャンバ10の直径がチャンバ10の水平方向(x)への長さよりはるかに大きい状態において、図6に示すように、複数のシリコンウエハ110は、垂直方向(z)に長さを有するボート100に垂直方向(z)に離隔され、第1水平方向(x)に倒した状態で位置してチャンバ10の内部空間に配置されることも可能である。
即ち、複数のシリコンウエハ110が配置されたボート100が垂直方向(z)に長くチャンバ10の内部空間に配置されることもできる。
これにより、複数のシリコンウエハ110は、垂直方向(z)に長さを有するボート100に垂直方向(z)に離隔されて、水平方向(x)に倒した状態で位置してチャンバ10の内部空間に配置されることができる。
加えて、これまでの第1〜第3実施形態においては、シャワーノズル40が丸いチューブの形で備えられる場合を一例として説明したが、これと異なるように、シャワーノズル40が配管(P40)の先端に丸いシャワー機形で備えられることも可能である。
図5及び図6は、本発明に係る太陽電池用蒸着装備の第4実施形態を説明するための図である。
図5の(a)は、 太陽電池用蒸着装備を側面から見たときの断面を簡略に示したものであり、図5の(b)は、太陽電池用蒸着装備を前面から見たときの断面を簡略に示したものである。
図6の(a)は、第4実施形態に係るシャワーノズル40の断面を示したものであり、図6の(b)は、第4実施形態に係るシャワーノズル40の斜視図である。
図5及び図6において、シャワーノズル40を除外いた残りの部分の構成は、先の第1実施形態で説明した同一である。したがって、同じ部分の説明は省略し、異なる部分を中心に説明する。
シャワーノズル40と接続される配管(P40)は、図5の(a)と(b)に示すように、チャンバ壁体の中間の高さ程度に長さ方向(x)に長く備えられることができる。このとき、配管(P40)は、ボート100の両側に備えられることができる。
シャワーノズル40は、図5に示すように、配管(P40)の先端に接続され、シャワー機の形で備えられることができる。
すなわち、第4実施形態に係るシャワーノズル40は、図6に示すように、内部空間が空いているキャビティを有し、外観が丸い形を有し、丸い形の表面にキャビティと接続される複数のホール41が備えられることができる。
このようなキャビティ構造のシャワーノズル40の最大直径は、配管(P40)の直径より大きく、シャワーノズル40の外観が楕円形または円形の形で備えられることができる。
加えて、このようなキャビティ構造を有するシャワーノズル40は、第4実施形態においては、ボート100の両側にそれぞれ一つずつだけ備える場合を一例として説明したが、これと異なるようにボート100の両側面に複数本が備えられることも可能である。
図7は、本発明に係る太陽電池用蒸着装備の第4実施形態を説明するための図である。
図7においては先の第4実施形態で説明したことと同じ部分の説明は省略し、異なる部分を中心に説明する。
図7に示すように、キャビティ構造を有するシャワーノズル(40a、40b、40c)は、ボート100の両側にそれぞれ複数本が備えることも可能である。
一例としては、それぞれのシャワーノズル(40a、40b、40c)は、ボート100の前端部分、中央部分及び後端部分にそれぞれ配置されることができる。
このとき、ボート100の両側にそれぞれ複数本が備えられる複数のシャワーノズル(40a、40b、40c)には、複数の配管(P40a、P40b、P40c)がそれぞれ接続することができる。このとき、各配管(P40a、P40b、P40c)は、チャンバ10の底面から互いに異なる高さを有して配置されることができる。
図8〜図10は、本発明に係る太陽電池用蒸着装備の第6実施形態を説明するための図である。
ここで、図8の(a)は、太陽電池用蒸着装備を側面から見たときの断面を簡略に示したものであり、図8の(b)は、太陽電池用蒸着装備を前面から見たときの断面を簡略に示したものである。
さらに、図9は、太陽電池用蒸着装備内に備えられるシャワーノズル40を説明するための図である。
また、図10は、図8に示された、太陽電池用蒸着装備内の空間にシャワーノズル40を介して噴射された混合ガス(G1+G2)が移動して形成される対流の一例を示したもので、図10においては、理解の便宜上ボート100と、複数のシリコンウエハ110の図示は省略した。
本発明に係る太陽電池用蒸着装備は、「図8及び図9」に示すように、チャンバ10とシャワーノズル40を備える。
チャンバ10は、図8の(a)に示すように、複数のシリコンウエハ110が内部に配置される空間が水平方向(x)に長く備えられ、閉鎖された空間を形成する壁で構成されることができる。
さらに具体的に、チャンバ10は、図8の(a)と(b)に示すように、チャンバ10が水平方向(x)に長く形成されることができ、チャンバ10の水平方向(x)の前端にはドア(door、20)、チャンバ10の水平方向(x)の後端には、ベント(vent、30)と真空ポンプ31が備えられることができる。
複数のシリコンウエハ110は、チャンバ10の内部の空間に水平方向(x)に長く配置されるボート(boat、100)内に配置されることができる。
具体的に、図8に示すように、複数のシリコンウエハ110は、ボート100内に複数のシリコンウエハ110の面がドア20やベント30が位置する水平方向(x)に離隔して配置されることができる。
このようなボート100内で複数のシリコンウエハ110の配置構造は、一度にポリシリコン層を蒸着することができるシリコンウエハ110の数を大幅に増加させることができる。
一例として、太陽電池用半導体プロセスではなく、一般的な半導体製造工程では、一度にウェハの表面にいずれの層を蒸着することができるウエハの数は多くても100枚から200枚の間であるが、図8のようにボート100内にシリコンウエハ110を立てて配置する場合、一度にポリシリコン層を蒸着することができるシリコンウエハ110の数は、800枚〜1000枚まで可能である。
さらに、図8においては、チャンバ10の内部にロードされるボート100の数が1つである場合を一例として示したが、これと異なるようにボート100の数は、複数本で有り得る。
加えて、図8においては、チャンバ10の内部にボート100が水平方向(x)に長く配置される場合を一例として示したが、これと異なるようにチャンバ10の内部にボート100が立てられた状態で高さ方向(z)に長く配置されることも可能である。
しかし、説明の便宜上、図8に示されたものを一例として以下に説明する。
このように、太陽電池用シリコンウエハ110は、ボート100内に配置された状態で、ドア20を介してチャンバ10の内部にロード(loading)されたり、アンロード(unloading)することができる。
ここで、複数のシリコンウエハ110を安着するボート100がチャンバ10の内部空間にロードされて配置された場合、チャンバ10の内部空間でドア20に隣接するボート100の水平方向(x)の端部分はボート100の前端の部分、ベント30に隣接するボート100の水平方向(x)端部分はボート100の後端部分、ボート100で前端部分と後端部分の間の部分は、中央部分と定義することができる。
さらに、チャンバ10の後端に備えられるベント(vent、30)と真空ポンプ31は、シャワーノズル40を介して噴射されるガスをチャンバ10の外部に排出することができる。
シャワーノズル40は、複数のシリコンウエハ110の表面のそれぞれにポリシリコン層を蒸着させるシリコン蒸着ガス(G1)と蒸着されるポリシリコン層内にドーピングされる不純物ガス(G2)が混合された混合ガス(G1+G2)を噴射する機能を実行することができる。
このようなシャワーノズル40は、図8及び図9に示すように、細長いパイプ形状を有することができ、チャンバ10の内部側壁に位置して、水平方向(x)に長く固定され、外部からシャワーノズル40に流入した混合ガス(G1+G2)を噴射するホール41が水平方向(x)に離隔されてシャワーノズル40の側面に備えられることができる。
このとき、シャワーノズル40の側面に備えられたホール41の開口方向は一例として、図8の(a)と(b)に示すように、ボート100が位置する方向またはボート100の側面方向に形成されることができる。
ここで、水平方向(x)と交差するシャワーノズル40の直径(W40)は、3mm〜7mmの間に形成されることができる。
また、シャワーノズル40に備えられたホール41との間の水平方向の間隔D41は、混合ガス(G1+G2)の散布を考慮して、20mm〜80mmの間の範囲内で一定にまたは不規則に形成することができる。
図8においては、シャワーノズル40に備えられたホール41との間の水平方向の間隔D41が一定に備えた場合を一例として示した。
さらに、シャワーノズル40に備えられたホール41のそれぞれの直径R41は、0.5mm〜2.5mmの間で形成されることができる。
このようなシャワーノズル40に誘引される混合ガス(G1+G2)のシリコン蒸着ガス(G1)は、噴射され、太陽電池用シリコンウエハ110の表面にポリシリコン層に蒸着されることができる。一例として、シリコン蒸着ガス(G1)は、シラン(SiH4)ガスで有り得る。
さらに、シャワーノズル40に誘引される混合ガス(G1+G2)の内、不純物ガス(G2)は、太陽電池用シリコンウエハ110の表面にシリコン層が蒸着されるとき、ポリシリコン層内にドーピングされることができる。
一例として、不純物ガス(G2)は、 PH3ガスで有り得るが、これに必ずしも限定されるものではなく、BBr3のようなボロンガスも可能である。
したがって、外部からのシャワーノズル40に流入した混合ガス(G1+G2)は、シャワーノズル40のホール41を介して噴射され、噴射された混合ガス(G1+G2)は、図10に示すように、蒸着装備内の空間の中でドア20に隣接する前端からベント30側の後端方向に移動しながら対流を形成し、排出されることができる。
このとき、混合ガス(G1+G2)の一部は、シリコンウエハ110の表面に不純物がドーピングされたポリシリコン層に蒸着され、残りの一部は、真空ポンプ31によって吸入されてベント30を通じて外部に排出されることができる。
このような本発明の一例に係る太陽電池用蒸着装備は、それぞれのシャワーノズル40からシリコン蒸着ガス(G1)と不純物ガス(G2)を一緒に噴射させることで、シリコンウエハ110の表面に蒸着される不純物がドーピングされたポリシリコン層の厚さの均一度(Uniformity)をより向上させることができる。
加えて、本発明の一例に係る太陽電池用蒸着装備は、800枚〜1000枚程度のシリコンウェハ表面に一度に不純物がドーピングされるポリシリコン層を蒸着することができ、製造時間及びコストを大幅に削減することができる。
これに対して、さらに詳細に説明すると、次の通りである。
図11は、本発明の一例に係る太陽電池用蒸着装備の効果を説明するための図である。
図11の(a)は、本発明のように、シリコン蒸着ガス(G1)と不純物ガス(G2)が混合された混合ガス(G1+G2)がシャワーノズル40のホール41を介して噴射される場合、シリコンウエハ110の表面に蒸着された不純物がドーピングされたポリシリコン層の厚さの均一度を説明するための図であり、図11の(b)は、本発明とは異なるようにシリコン蒸着ガス(G1)と不純物ガス(G2)のそれぞれが互いに異なるシャワーノズル40のホール41を介して噴射される場合、シリコンウエハ110の表面に蒸着された不純物がドーピングされたポリシリコン層の厚さの均一度を説明するための比較例の一例である。
本発明に係る場合、図11の(a)のように、シリコン蒸着ガス(G1)と不純物ガス(G2)が混合された混合ガス(G1+G2)がシャワーノズル40のホール41を介して噴射される場合、シリコンウエハ110の中央部分と縁部分の厚さの差(t)は、約4nm以下であることで現れた。
しかし、比較例の場合、図11の(b)のように、本発明とは異なるようにシリコン蒸着ガス(G1)と不純物ガス(G2)のそれぞれが互いに異なるシャワーノズル(1、2)のホールを介して噴射される場合、シリコンウエハ110の中央部分と縁部分の厚さの差(t`)は、約50〜60nmの間であることで現れた。
特に、比較例の場合、シリコンウエハ110でシリコン蒸着ガス(G1)を噴射するシャワーノズル2の隣接した部分と中央部分では、不純物がドーピングされたポリシリコン層の厚さの均一度が比較的良好であるが、シリコンウェハ110で不純物ガス(G2)を噴射するシャワーノズル1と隣接した部分と縁部分では、不純物がドーピングされたポリシリコン層の厚さが相対的に過剰に薄く蒸着され、不純物がドーピングされたポリシリコン層の厚さの均一度が相対的に悪化することで現れた。
即ち、比較例のように、シリコン蒸着ガス(G1)と不純物ガス(G2)のそれぞれが互いに異なるシャワーノズル(1、2)のホールを介して噴射される場合、シリコンウエハ110で不純物ガス(G2)を噴射するシャワーノズル1と隣接した部分では、不純物がドーピングされたシリコン層が相対的に厚く蒸着され、シリコンウエハ110で不純物ガス(G2)を噴射するシャワーノズル1と隣接した部分では、不純物がドーピングされたポリシリコン層が相対的に薄く蒸着され、不純物がドーピングされたポリシリコン層の厚さの均一度が悪化されることを確認することができる。
これは、このような不純物ガス(G2)においてリン(P)は、ポリシリコン層内に不純物として作用するが、不純物ガス(G2)の散布により、太陽電池用シリコンウエハ110の表面に蒸着されるポリシリコン層の蒸着速度が速くなったり、遅くなることがあるからである。
即ち、シリコンウエハ110で不純物ガス(G2)を噴射するシャワーノズル1と隣接した部分では、不純物ガス(G2)の密度が相対的に高く、シリコン蒸着ガス(G1)の密度が相対的に低くて、蒸着されるポリシリコン層の厚さが相対的に薄いものと推定され、シリコンウエハ110でシリコン蒸着ガス(G1)を噴射するシャワーノズル2に隣接した部分では、シリコン蒸着ガス(G1)の密度が相対的に高く、不純物ガス(G2)の密度が 相対的に低くて、蒸着されるポリシリコン層の厚さが相対的に厚いものと推定される。
このように、シリコン蒸着ガス(G1)と不純物ガス(G2)のそれぞれが互いに異なるシャワーノズル(1、2)のホールを介して噴射される場合、シリコン蒸着ガス(G1)と不純物ガス(G2)のそれぞれの散布が均一でなくて、シリコンウエハ110に蒸着される不純物がドーピングされたポリシリコン層の厚さが均一でなくなり、これにより、太陽電池の効率が低下されることがある。
しかし、本発明の場合、それぞれのシャワーノズル40のホール41を介してシリコン蒸着ガス(G1)と不純物ガス(G2)が混合された混合ガス(G1+G2)が噴射されるので、シリコン蒸着ガス(G1)と不純物ガス(G2)の散布をさらに均一にすることができる。
したがって、本発明は、シリコンウエハ110に蒸着される不純物がドーピングされたポリシリコン層の厚さをさらに均一にすることができ、これにより、太陽電池の効率をさらに向上させることができる。
これまでは本発明において、チャンバ10の内部の各側壁に位置したシャワーノズル40が一つである場合を一例として説明したが、混合ガス(G1+G2)の散布をさらに向上させるために、チャンバ10の内部の各側壁に位置するシャワーノズル40は、複数本で形成されることも可能である。図12以下ではこれについて説明する。
さらに、図12以下においては、前述の内容と重複する内容の説明は、説明の便宜上省略する。
図12は、本発明に係る太陽電池用蒸着装備の第7実施形態を説明するための図である。
図12の(a)は、第6実施形態に係る太陽電池用蒸着装備を側面から見たときの断面を簡略に示したものであり、図12の(b)は、太陽電池用蒸着装備を上から下に見たときの断面を簡略に示したものであり、図12の(c)は、太陽電池用蒸着装備を前面から見たときの断面を簡略に示したものである。
図12の(a)乃至(c)に示すように、チャンバ10の各内部側壁に設置されるシャワーノズル40のそれぞれは、第1サブシャワーノズル40a、第2サブシャワーノズル40b及び第3サブシャワーノズル40cを備えることができる。
第1サブシャワーノズル40aは、ボート100の内、ドア20側に隣接した部分に混合ガス(G1+G2)を噴射し、第2サブシャワーノズル40bは、ボート100の中央部分に混合ガス(G1+G2)を噴射し、第3サブシャワーノズル40cは、ボート100の内、ベント30側に隣接した部分に混合ガス(G1+G2)を噴射することができる。
さらに、第1、2、3サブシャワーノズル(40a、40b、40c)のそれぞれは、混合ガス(G1+G2)を噴射する複数のホール41が、第1、2、3サブシャワーノズル(40a、40b、40c)のそれぞれの長さ方向の側面に水平方向(x)に離隔されて備えられることができる。
このとき、第1、2、3サブシャワーノズル(40a、40b、40c)のそれぞれに備えられた複数のホール41の開口方向は、水平方向(x)と交差する方向で有り得る。
ここで、第1サブシャワーノズル40aは、ドア20側からボート100の前端部分と中央部分との間まで延長されて、複数のホール41が備えられることができる。
第2サブシャワーノズル40bは、ベント30側からドア20の方向に延長されるが、第1サブシャワーノズル40aの先端と隣接した部分でバンディングされ、再びベント30の方向に延長することができ、複数のホール41は、第2サブシャワーノズル40bがバンディングされた部分から第2サブシャワーノズル40bの先端まで形成されることができる。
さらに、第3サブシャワーノズル40cは、ベント30側からドア20の方向に延長されるが、第2サブシャワーノズル40bの先端と隣接した部分でバンディングされて、再びベント30の方向に延長されることができ、複数のホール41は、第3サブシャワーノズル40cがバンディングされた部分から第3サブシャワーノズル40cの先端まで形成されることができる。
しかし、これに必ずしも限定されるものではなく、第2、3サブシャワーノズル40がバンディングされず、第1サブシャワーノズル40aのように一方向に長く延びて備えられることも可能である。
または、図12に示されたものと違って、第1、2、3サブシャワーノズル40は、すべてドア20側からベント30側の方向に延長されて形成されることも可能であり、又はこれと逆に、第1、2、3サブシャワーノズル40は、すべてベント30側からドア20側の方向に延長されて形成されることも可能である。
または、図12に示されたものと異なるように、第1、2、3サブシャワーノズル40の内、いずれか1つまたは複数のサブシャワーノズルは、すべてドア20側からベント30側の方向に延長され、残りのサブシャワーノズルは逆に、ベント30側からドア20側の方向に延長されて形成されることも可能である。
さらに、このような第1、2、3サブシャワーノズル(40a、40b、40c)は、 図12の(c)に示すように、チャンバ10の内部側壁に垂直方向(z)に離隔して一列に備えられることができる。
このように、本発明は、チャンバ10の各内部側壁に設置されるシャワーノズル40のそれぞれを、第1サブシャワーノズル40a、第2サブシャワーノズル40b及び第3サブシャワーノズル40cに区分して備えることにより、チャンバ10の内部空間に配置されるボート100の前端部分、中央部分、及び後端の部分に混合ガス(G1+G2)が均一な圧力で噴射されるようすることができる。
これにより、ボート100内に配置された複数のシリコンウェハ110の位置に基づいて、それぞれのシリコンウエハ110の表面に蒸着される不純物がドーピングされたポリシリコン層の厚さの偏差が大きくなるのを防止することができる。
これにより、ボート100の前端部分、中央部分及び後端部分のそれぞれに配置されたシリコンウエハのそれぞれに蒸着されるポリシリコン層の厚さの偏差をさらに減らすことができる。
さらに、一例として、図12の(a)と(b)に示すように、第1サブシャワーノズル40aに備えられた複数のホール41の内、一部ホール41aは、ドア20側に隣接したボート100の水平方向(x)端とドア20側との間の空間に位置することができる。
これは、混合ガス(G1+G2)が蒸着装備の内部空間で移動される対流パターンを考慮したものである。
さらに具体的に説明すると、先の図10に示されるようと類似に、蒸着装備の内部空間に移動される混合ガス(G1+G2)の対流パターンは、各サブシャワーノズル40から噴射された後、全体的に蒸着装備のベント30の方向に向かうことができる。
これにより、ボート100とドア20との間の空間に噴射される混合ガス(G1+G2)の量が相対的に小さくなることができる。
これにより、ドア20側に隣接したボート100の水平方向(x)の端に隣接して配置されたシリコンウエハ110に蒸着されるポリシリコン層の厚さは、ボート100の中央及び後端部分に配置されたシリコンウェハ110に蒸着されるポリシリコン層の厚さより相対的に薄く蒸着されることができる。
しかし、第1シャワーノズル40に備えられた複数のホール41の内、一部ホール41aがドア20側に隣接したボート100の水平方向(x)端とドア20側との間の空間に位置する場合、ボート100とドア20との間の空間に噴射される混合ガス(G1+G2)の量を相対的に増加させ、ドア20側に隣接したボート100の前端に隣接して配置されたシリコンウエハ110にもさらに均一にポリシリコン層が蒸着されるようにすることができる。
これまでは、各サブシャワーノズル40に備えられたホール41との間の間隔が均一な場合を一例として説明したが、ホール41との間の間隔は均一でなく備えることもある。これに対して、下の図13を参照して説明する。
図13は、本発明に係る太陽電池用蒸着装備の第8実施形態を説明するための図である。
図13の(a)は、太陽電池用蒸着装備のドア20側前端の側面から見たときの断面を簡略に示したものであり、図13の(b)は、太陽電池用蒸着装備のドア20側の前端を上から下に見たときの断面を簡略に示したものである。
本発明において、第1、2、3サブシャワーノズル(40a、40b、40c)の内、少なくとも一つのサブシャワーノズルは間隔が不規則に形成されたホール41を備えることができる。
さらに具体的に、シャワーノズル40に流入した混合ガス(G1+G2)が各ホール41を介して噴射されることによって、シャワーノズル40の先端に進行すればするほど混合ガス(G1+G2)の噴射圧力が減少する点と蒸着装備内での混合ガス(G1+G2)対流パターンを考慮して、少なくとも一つのサブシャワーノズルで混合ガス(G1+G2)が流入する入口に隣接した第1部分に位置したホール41との間の間隔は、第1部分より少なくとも一つのサブシャワーノズルの先端に、さらに隣接した第2部分に位置したホール41との間の間隔より大きく形成されることができる。
さらに、少なくとも一つのサブシャワーノズルにおいてホール41との間の間隔は、第1部分から第2部分に進行すればするほど徐々に減少することができる。
これにより、サブシャワーノズル40の内、混合ガス(G1+G2)の噴射圧力が大きい部分では、ホール41の間隔を大きくして、混合ガス(G1+G2)の噴射圧力が小さい部分ではホール41の間隔を狭くして、蒸着装備の内部空間で、全体的に混合ガス(G1+G2)の密度がさらに均一にすることができる。
一例として、図13の(a)に示すように、第1サブシャワーノズル40aからの混合ガス(G1+G2)が流入する入口に隣接した第1部分(P1)に位置したホール41との間の間隔D41aは、第1部分(P1)より第1サブシャワーノズル40aの先端に、さらに隣接した第2部分(P2)に位置したホール41との間の間隔D41cより大きく形成ことができる。
さらに、この時、図13の(a)に示すように、第1部分(P1)から第2部分(P2)に進行すればするほど、第1サブシャワーノズル40からホール41との間の間隔はD41a、D41b、D41c順に徐々に減少することができる。
したがって、第1サブシャワーノズル40aからドア20側に隣接したボート100の前端部分とドア20との間の空間に位置するホール41との間の間隔D41aはボート100の側面に隣接して備えたホール41との間の間隔D41bより大きくすることができ、ホール41との間の間隔が第1サブシャワーノズル40aの先端に進行すればするほど徐々に小さくことができる。
これにより、図13の(b)に示すように、混合ガス(G1+G2)の対流パターンが全体的にドア20側からベント30側に形成される特性を考慮して、ボート100の前端部分とドア20との間の空間に混合ガス(G1+G2)がより強い圧力で噴射されるようにすることができ、チャンバ10の内部空間全体での混合ガス(G1+G2)の密度がより均一になることができる。
これまではシャワーノズル40の側面に備えられたホール41の開口方向がボート100が位置する方向またはボート100の側面方向に形成される場合を一例として説明した。
しかし、チャンバ10の内部空間に形成される混合ガス(G1+G2)の対流パターンの混雑度が向上すればするほど、チャンバ10の内部空間全体での混合ガス(G1+G2)の密度がさらに均一になることができる。
以下においては、本発明に係る蒸着装備でチャンバ10の内部空間に形成される混合ガス(G1+G2)の対流パターンの混雑度をさらに向上させた構造の一例について説明する。
以下の図14においては、チャンバ10の内部空間に形成される混合ガス(G1+G2)の対流パターンの混雑度をさらに向上させるため、シャワーノズル40の側面に備えられたホール41の開口方向がボート100が位置する方向またはボート100の側面方向以外の方向に形成された一例について説明する。
図14は、本発明に係る太陽電池用蒸着装備の第9実施形態を説明するために、太陽電池用蒸着装備を前面から見たときの断面を簡略に示したものである。
本発明の第9実施形態に係る太陽電池用蒸着装備は、図14の(a)に示すように、シャワーノズル40に備えられたホール41は、開口方向がボート100の側面方向に形成される第1ホール411とチャンバ10の底の方向及び/またはチャンバ10の上部方向に開口方向が形成された第2ホール(412、413)を含むことができる。
これにより、太陽電池用蒸着装備を前面から見たとき、図14の(a)に示すように、混合ガス(G1+G2)の対流パターンがボート100の側面方向だけでなく、チャンバ10の底の方向及び/またはチャンバ10の上部方向にも形成することができる。
したがって、チャンバ10の内部空間に形成される混合ガス(G1+G2)の対流パターンの混雑度がさらに向上することができる。
このような第1ホール411と 第2ホール(412、413)は、第1、2、3サブシャワーノズル(40a、40b、40c)の内、少なくとも一つに適用することができる。
したがって、第1、2、3サブシャワーノズル(40a、40b、40c)の内、少なくとも一つのサブシャワーノズルは、開口方向がボート100の側面方向に形成される第1ホール412とチャンバ10の底の方向及び/またはチャンバ10の上部方向に開口方向が形成された第2ホール(411、413)を備えることができる。
これまではシャワーノズル40の長さ方向の側面にホール41が備えられる場合だけを説明したが、混合ガス(G1+G2)の対流パターン混雑度をさらに向上させるために、ホール41は、シャワーノズル40の先端に形成されることも可能である。これに対して、さらに具体的に説明すると、次の通りである。
図15は、本発明に係る太陽電池用蒸着装備の第10実施形態を説明するための図である。
図15の(a)は、太陽電池用蒸着装備を上から下に見たときの断面を簡略に示したものであり、図15の(b)は、太陽電池用蒸着装備を前面から見たときの断面を簡略に示したものであり、図15の(c)は、第2サブシャワーノズル40bの先端を拡大して示した一例である。
本発明の第10実施形態に係る太陽電池用蒸着装備は、第1、2、3サブシャワーノズル(40a、40b、40c)の内、少なくとも一つのサブシャワーノズル40は、少なくとも一つのサブシャワーノズル40の先端に開口方向が水平方向(x)に形成されたホール41が備えられるようにすることができる。
一例として、図15の(b)及び(c)に示すように、第1、2、3サブシャワーノズル(40a、40b、40c)の内、第2サブシャワーノズル40bは、第2サブシャワーノズル40bの先端に開口方向が第2サブシャワーノズル40bの長さ方向である水平方向(x)に形成されたホール41が備えられるようにすることができる。
このとき、第2サブシャワーノズル40bは、水平方向(x)と交差する方向(z、y)に開口方向が形成されるホールを備えないことがある。
さらに、このとき、第1、3サブシャワーノズル(40a、40c)は、水平方向(x)と交差する方向(z、y)に開口方向が形成されるホール41を備えることができる。
ここで、第2サブシャワーノズル40bの先端に形成されたホール41の直径は、第1、3サブシャワーノズル(40a、40c)の長さ方向の側面に形成されたホール41の直径より大きいことがある。
一例として、第2サブシャワーノズル40bの先端に形成されたホール41の直径は、第2サブシャワーノズル40bの直径と同じで有り得る。
このような第10実施形態に係る太陽電池用蒸着装備は、少なくとも一つのサブシャワーノズル40bが先端に開口方向が水平方向(x)に形成されたホール41を備え、図15の(a)に示すように、蒸着装備の内部空間で混合ガス(G1+G2)の対流パターン混雑度をさらに向上させることができる。
これにより、複数のシリコンウエハ110のそれぞれの表面に不純物がドーピングされたポリシリコン層をより均一に蒸着させることができる。
これまで本発明の実施形態は、別にそれぞれ分けて説明したが、互いに両立可能な範囲内で、各実施形態は、互いに併合されて実現されることもある。
加えて、これまでの実施形態においては、水平方向に長く延長される複数のシャワーノズルの内、少なくとも一つのシャワーノズルは、シャワーノズル側面に混合ガスを噴射させるホールが備えた場合を一例として説明した。
しかし、これと違って複数のシャワーノズル全体はシャワーノズル側面に混合ガスを噴射するホールが、各シャワーノズルの先端に備えることも可能である。
これに対し、さらに具体的に説明すると、次の通りである。
図16〜17は、本発明に係る太陽電池用蒸着装備の第11実施形態を説明するための図である。
以下の図16及び図17においては、先の図8〜図15で説明した部分と重複する内容の説明を省略し、異なる部分を中心に説明する。
図16の(a)は、太陽電池用蒸着装備を側面から見たときの断面を簡略に示したものであり、図16の(b)は、太陽電池用蒸着装備を上から下に見たときの断面を簡略に示したものであり、図16の(c)は、太陽電池用蒸着装備を前面から見たときの断面を簡略に示したものである。
参考として、理解の便宜上、図16の(b)において、第1、2、3シャワーノズル40(40a、40b、40c)を上から見たとき、第2、3シャワーノズル40(40b、40c)が互いにずれ備えられるように示されたが、実際には、図16の(c)に示すように、垂直方向に(z)に離隔して一列に備えられることができる。
図17は、図16に示された太陽電池用蒸着装備が動作されるとき、混合ガス(G1+G2)が噴射される形態を簡略に示したものである。
本発明の第11実施形態に係る太陽電池用蒸着装備は、図16に示すように、混合ガス(G1+G2)が流入するシャワーノズル40が複数本で備えられ、混合ガス(G1+G2)が噴射されるホール41は、複数のシャワーノズル40のそれぞれの先端に位置することができる。
このとき、複数のシャワーノズル40に備えられた各々のホール41は、ドア20の方向を向くか、ベント30の方向に互いに異なる方向にオープンされて有り得る。
一例として、複数のシャワーノズル40に備えられた各々のホール41の形状は、図15の(c)に示されたことと同じで有り得る。
さらに具体的に、シャワーノズル40は、図16の(a)乃至(c)に示すように、シャワーノズル40は、第1、2、3サブシャワーノズル(40a、40b、40c)を含むことができる。
このような第1、2、3サブシャワーノズル(40a、40b、40c)は、チャンバの内部に配置されたボートに基づいて両側の側壁に備えられるが、水平方向(x)のライン上に一列に配置され、垂直方向(z)に離隔されて備えられることができる。
第1サブシャワーノズル40aは、ドア20側からボートの前端部分まで延長され、ドア20側に隣接した部分に先端が位置して、第1サブシャワーノズル40aの先端に混合ガス(G1+G2)を噴射するホール41が備えられることができる。
このような第1サブシャワーノズル40aの先端に備えられたホール41は、ベント30側の方向にオープンされることができる。
第2サブシャワーノズル40bは、ベント30側からボートの中央部分まで延長され、ボートの中央部分に先端が位置して、第2サブシャワーノズル40bの先端に混合ガス(G1+G2)を噴射するホール41が備えられることができる。
このような第2サブシャワーノズル40bの先端に備えられたホール41は、ドア20側の方向にオープンされることができる。
第3サブシャワーノズル40cは、 ベント30側からボートの後端部分まで延長され、ベント30側に隣接した部分に先端が位置して、第3サブシャワーノズル40cの先端に混合ガス(G1+G2)を噴射するホール41が備えられることができる。
このような第3サブシャワーノズル40cの先端に備えられたホール41は、ドア20の方向にオープンされることができる。
このような第1、2、3サブシャワーノズル(40a、40b、40c)は、それぞれの先端に備えられたホール41がベント30の方向にオープンされるか、ドア20側の方向にオープンされており、チャンバ内部の空間に噴射される混合ガス(G1+G2)の混雑度をさらに向上させることができ、これにより、ボートに配置された複数のシリコンウェハ表面に蒸着されるポリシリコン層の均一度(uniformity)をさらに向上させることができる。
さらに具体的に、図16に図示された第6実施形態のように、シャワーノズル40が備えられ、それぞれの第1、2、3シャワーノズル40の先端に備えられたホール41がドア20の方向かベント30の方向にオープンされた場合、図17に示すように、太陽電池用蒸着装備が動作されるとき、混合ガス(G1+G2)が噴射される形態がさらに複雑になり、不純物がドーピングされたシリコン層がシリコンウエハ110の表面に蒸着されるとき、均一度がさらに向上することができる。
さらに具体的に、第1サブシャワーノズル40aから噴射される混合ガス(G1+G2)は、ベント30側の方向にボートの前端部分で噴射され、ボートの中央部分と後端部分に配置されたシリコンウェハの表面に蒸着されることができる。
第2サブシャワーノズル40から噴射される混合ガス(G1+G2)は、ドア20の方向にボートの中央部で噴射され、噴射された混合ガス(G1+G2)は、ボートの前端部分に配置されたシリコンウェハの表面に蒸着されることができる。
第3サブシャワーノズル40cから噴射される混合ガス(G1+G2)は、ベント30側の方向にボートの後端部分で噴射され、噴射された混合ガス(G1+G2)は、ボートの前端部分に配置されたシリコンウェハの表面に蒸着されることができる。
このとき、各第1、2、3サブシャワーノズル(40a、40b、40c)から噴射された混合ガス(G1+G2)は、その噴射方向が互いに異なり、反対されるので、各第1、2、3サブシャワーノズル(40a、40b、40c)で噴射された混合ガス(G1+G2)が互いに影響を受け、噴射された混合ガス(G1+G2)の混雑度がさらに高まり、これにより、混合ガス(G1+G2)がシリコンウエハ110の表面に、さらに均一に蒸着され、不純物がドーピングされたポリシリコン層がシリコンウエハ110の表面に、さらに均一に形成することができる。
これまでは太陽電池の半導体基板として用いられるシリコンウェハの表面にシリコン蒸着ガスと不純物ガスを蒸着する太陽電池用蒸着装備について説明した。
以下においては、このような本発明の蒸着装備を用いて、太陽電池を製造する工程について説明する。
図18は、本発明の蒸着装備が用いられて形成される太陽電池の一例を説明するための図であり、図19は、図18に示された太陽電池を製造する方法の一例を説明するための図である。
図18に示すように、本発明の蒸着装備が用いられて形成される太陽電池の一例は、半導体基板110、制御パッシベーショ膜160、第1導電型領域170、第1パッシベーション膜180、第2導電型領域120、第2パッシベーション膜130、第1電極150及び第2電極140を含むことができる。
ここで、制御パッシベーショ膜160、第1パッシベーション膜180と第2パッシベーション膜130は省略されることもあるが、備えられた場合、太陽電池の効率がさらに向上することができるので、備えられた場合を一例として説明する。
半導体基板110は、結晶質半導体で構成されることができる。一例として、単結晶シリコンウェハまたは多結晶シリコンウエハを含みから形成されることができる。
本実施形態においては、半導体基板110に別途のドーピング領域が形成されず、半導体基板110がベース領域10だけで構成されることができる。しかし、必ずしもこれに限定されるものではなく、半導体基板110がベース領域10を含み他のドーピング領域が一緒に形成されることも可能である。
以下においては、半導体基板110に、ベース領域10と第2導電型領域120が一緒に備えた場合を一例として説明する。
本実施形態においては、半導体基板110またはベース領域10は、第1または第2導電型ドーパントが低いドーピング濃度でドーピングされて、第1または第2導電型を有することができる。このとき、半導体基板110またはベース領域10は、これと同じ導電型を有する第1及び第2導電型領域(170、120)の内、1つより低いドーピング濃度、高抵抗または低キャリア濃度を有することができる。
第1または第2導電型ドーパントとして用いられるp型ドーパントとしては、
ボロン(B)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)などの3族元素を挙げることができ、n型ドーパントとしては、りん(P)、砒素(As)、ビスマス(Bi)、アンチモン(Sb)などの5族元素を挙げることができる。しかし、本発明がこれに限定されるものではなく、様々なドーパントが第1または第2導電型ドーパントとして用いられることができる。
制御パッシベーショ膜160は、半導体基板110の一面に全体的に位置し、誘電体材質またはシリコン材質で形成されることができ、基本的に半導体基板110の一面のパッシベーション機能を実行することができ、さらに半導体基板110で生成されたキャリアを通過させることもあるが、これは必須的なものではない。
第1導電型領域170は、制御パッシベーショ膜160の後面に直接接触して、制御パッシベーショ膜160の後面全体領域の上に位置することができ、例えば、第1導電型ドーパントが半導体基板110より高濃度でドーピングすることができる。
このような第1導電型領域170は、多結晶シリコン材質層または非晶質シリコン層を含みから形成されることができる。
このような第1導電型領域170の構造は、太陽電池の出力電圧(Voc)をより向上させることができ、半導体基板110の一面に制御パッシベーショ膜160が形成された状態で、第1導電型領域170が形成されるので、製造工程上半導体基板110の熱損傷を最小化することができ、高効率の太陽電池を実現することができる。
このような第1導電型領域170は、制御パッシベーショ膜160上に第1真性ポリシリコン層170a、第1真性ポリシリコン層170aの上に位置し、不純物がドーピングされたドーピング層170bとドーピング層170bの上に位置する第2真性ポリシリコン層170cを備えることができる。
ここで、第1真性ポリシリコン層170aと第2真性ポリシリコン層170cは、ドーピング層170bにドーピングされた不純物を活性化させるための熱処理工程において、前記ドーピング層170bにドーピングされた不純物によってドーピングされることができる。しかし、第1真性ポリシリコン層170aと第2真性ポリシリコン層170cにドーピングされた不純物の量はドーピング層170bにドーピングされた不純物の量より非常に少ない。したがって、 前記層(170a、170c)を真性(intrinsic)ポリシリコン層と定義してもよい。
図23に示すように、ドーピング層170bの厚さT2は、第1真性ポリシリコン層170aの厚さT1及び第2真性ポリシリコン層170cの厚さT3より薄く形成されることができ、第2真性ポリシリコン層170cの厚さT3は、第1真性ポリシリコン層170aより厚く形成されることができる。
第1パッシベーション膜180は、第1導電型領域170の後面上、すなわち第2真性ポリシリコン層170cの上に位置することができ、誘電体材質で形成されることができ、制御パッシベーション膜160より厚い厚さを有することができる。
第1パッシベーション膜180の誘電体材質は、水素が多量に含まれたSiNx、SiOx、SiOxNy、SiCxまたはAlOxの内、少なくとも1つを含み、第1導電型領域170の後面のパッシベーション機能を実行することができる。
第2導電型領域120は、半導体基板110の他面、すなわち前面に位置し、第2導電型ドーパントが半導体基板110の他面内に拡散されて形成されることができる。
これにより、第2導電型領域120は、半導体基板110と同じシリコン材質で形成することができる。
第2パッシベーション膜130は、第2導電型領域120の前面の上に直接位置して第2導電型領域120の前面のパッシベーション機能を実行することができる。このような第2パッシベーション膜130は、水素が含有された誘電体材質で形成されることができ、例えば、SiNx、SiOx、SiOxNyまたはAlOxの内、少なくとも1つで形成することができる。
第2パッシベーション膜130は、パッシベーションの前面の上に位置し、太陽電池に入射される光の透過性を向上させ、反射度を低減させ、半導体基板110に、最大限多くの量の光が入射されるようにすることができる。
第1電極150は、半導体基板110の一面、すなわち、後面に位置し、第1パッシベーション膜180を貫通して第1導電型領域170に接続されることができる。
第2電極140は、半導体基板110の他面、すなわち前面に位置して、第2パッシベーション膜130を貫通して第2導電型領域120に接続されることができる。
このように、図18に示された太陽電池は、図19に示すように、基板テクスチャリング段階(P1)、第1導電型領域形成段階P2、第2導電型領域形成段階(P3)及び電極形成段階(P4)を含む製造方法によって形成することができる。
基板テクスチャリング段階(P1)においては、半導体基板110に用いられるシリコンウエハの一方の面をテクスチャリング処理することができ、テクスチャリング処理がされない反対側の面には、図18に示すように、制御パッシベーション層160をOxidation法や他の蒸着法を用いて形成することができる。ここで、制御パッシベーション層160は、必ずしも必須のものではなく、選択的な事項であるが、以下では、制御パッシベーション層160が備えられている場合を一例として説明する。
第1導電型領域形成段階P2においては、制御パッシベーション層160上に第1導電型領域170を先の図1〜図17で説明した太陽電池用蒸着装備を用いて形成することができる。
以降、第2導電型領域形成段階(P3)においては、熱処理チャンバ内でテクスチャリング処理されて、半導体基板110に用いられるシリコンウェハの表面にドーパントを拡散して、第2導電型領域120を形成することができる。
以降、電極形成段階(P4)においては、第1導電型領域170に接続される第1電極150と第2導電型領域120に接続される第2電極140を形成することができる。このように電極の第1、第2電極(140、150)は、例えば、fire-through方法で、第1、第2導電型領域(170、120)のそれぞれに接続されることができる。
このような太陽電池の製造方法の各段階の内、本発明の蒸着装備は、第1導電型領域形成段階P2で用いられる。これに対して、さらに具体的に説明すると、次の通りである。
図20は、図19で説明した太陽電池の製造工程の内、本発明の一例に係る蒸着装備が用いられる工程を説明するための図であり、図21は、本発明の一例に係る蒸着装備が太陽電池の製造工程に用いられる期間の間、温度変化を説明するための図である。
図19で説明した第1導電型領域形成段階P2は、先の図1〜図17で説明した本発明に係る太陽電池用蒸着装備によって、シリコンウエハの一面に第1導電型領域170が蒸着されて形成されることができる。
このように、蒸着装備で、第1導電型領域170を形成する第1導電型領域形成段階P2は、前述した太陽電池用蒸着装備のチャンバ内に複数のウェハを垂直に位置させる段階と、シリコン蒸着ガスと不純物ガスが混合された混合ガスをシャワーノズルから前記複数のウェハの側面の方向に噴射して、不純物がドーピングされたポリシリコン層を前記複数のウェハに蒸着する段階を含むことができる。
さらに具体的に、本発明の蒸着方法は、チャンバ内に複数のウェハを垂直に位置させる段階とシリコン蒸着ガスをシャワーノズルから前記複数のウェハの側面の方向に噴射して、不純物がドーピングされない第1ポリシリコン層を前記複数のウェハに蒸着する段階とシリコン蒸着ガスと不純物ガスが混合された混合ガスをシャワーノズルから前記複数のウェハの側面の方向に噴射して、不純物がドーピングされたポリシリコン層を前記複数のウェハの第1ポリシリコン層の上に蒸着する段階と、シリコン蒸着ガスをシャワーノズルから前記複数のウェハの側面の方向に噴射して、不純物がドーピングされない第2ポリシリコン層を前記複数のウェハの不純物がドーピングされたポリシリコン層の上に蒸着する段階を含むことができる。
このように、蒸着装備で、第1導電型領域170を形成する第1導電型領域形成段階P2は、図20に示された工程を含むことができる。これについて具体的に説明すると、次の通りである。
まず、S1工程で半導体基板に用いられる複数のシリコンウエハをボート内に配置した後、ボートを蒸着装備のチャンバ10の内部にロード(Loading)した後、ドアをロックすることができる。
以降、S2工程でチャンバ10の内部の温度を第1温度(K1)まで上昇させることができる(S2)。ここで、第1温度(K1)は、590℃〜610℃の間で有り得る。加えて、蒸着速度を上げるためにチャンバ10の内部の圧力を0.30Torr〜0.40Torrで上昇させることができる。
以降、S3工程で第1温度が維持される状態において、第1期間(P1)の間にシリコン蒸着ガス(G1)を注入することができる。これにより、第1真性ポリシリコン層170aがシリコンウエハの一面上に蒸着されることができる。ここで、第1期間(P1)は、1分〜3分の間で有り得る。
ここで、第1真性ポリシリコン層170aを蒸着するとき、第1温度(K1)を590℃〜610℃の間でするのは、第1真性ポリシリコン層170aの蒸着速度をより高め、工程時間を短縮するためである。
第1真性ポリシリコン層170aは、シャワーノズルを介してシリコン蒸着ガスをチャンバの内部空間に注入することによって蒸着することができ、シャワーノズルを介して注入されるガスの種類と流速量は後に説明する流量制御部によって制御することができる。
以降、S4工程でチャンバ10の内部温度を第1温度(K1)から第2温度(K2)に下降した以降、第1期間(P1)より長い第2期間(P2)の間にシリコン蒸着ガス(G1)と不純物ガス(G2)が混合された混合ガス(G1+G2)を注入することができる。これにより、第1真性ポリシリコン層170aの上に不純物が含有されたドーピング層170bが蒸着されることができる。このとき、シャワーノズルを介して注入される混合ガスの流量は、後に説明する流量制御部によって制御することができる。
ここで、注入されるシリコン蒸着ガス(G1)の流量比に比べ不純物ガス(G2)の流量比は、17:1〜17:2の間で有り得る。つまり例えば、シリコン蒸着ガス(G1)の流量比が1700sccmである場合には、不純物ガス(G2)の流量比は、100sccm〜200sccmの間で有り得る。
ここで、第2期間(P2)は、40分〜1時間の間で有り得る。このように、混合ガス(G1+G2)が注入されたときの蒸着工程を第1期間(P2)より大きくすることは混合ガス(G1+G2)が注入されたとき、蒸着分布特性を向上させるために、プロセス温度を第2温度(K2)に下げることにより、蒸着速度が低くなるので、これを補償しつつ、ドーピング層170bの蒸着厚さを十分に確保するためである。
ここで、ドーピング層170bを蒸着するとき、 第1温度(K1)より低い第2温度(K2)の状態で混合ガス(G1+G2)を注入してドーピング層170bを蒸着することは混合ガス(G1+G2)を注入するとき、第2温度(K2)で不純物ガス(G2)がシリコン蒸着ガス(G1)との間に、より均等に分布される特性があり、特に第1真性ポリシリコン層170aの上にドーピング層170bを蒸着するとき、第2温度(K2)で第1真性ポリシリコン層170aにシリコン蒸着ガス(G1)であるシラン(SiH4)ガスだけでなく、不純物ガス(G2)もまた均等に分布されて蒸着される特性があるからである。
ここで、第2温度(K2)は、例えば、575℃〜585℃の範囲を有することができる。
しかし、もし第2温度(K2)が第1温度(K1)と近つく場合、シラン(SiH4)ガスが、第1真性ポリシリコン層170aに過度によく癒着し、丸々特性があり、不純物ガス(G2)が均等に分散及び分布されず、特定の領域に過度に高いドーピング濃度で蒸着され、他の特定の領域には、過度に低いドーピング濃度で蒸着されることができる。しかし、第2温度(K2)が575℃〜585℃の範囲を有する場合、不純物ガス(G2)の分布特性をより向上させることができる。
ドーピング層170bの厚さT2は、第1真性ポリシリコン層170aの厚さT1より薄く蒸着することができる。
以降、S5工程においてチャンバ10の内部温度を第2温度(K2)から第1温度(K1)に上昇させた後に、第1期間(P1)より長く、第2期間(P2)より短い第3期間(P3)の間にシリコン蒸着ガス(G1)を注入することができる。これにより、ドーピング層170bの上に第2真性ポリシリコン層170cが蒸着されることができる。ここで、第3期間(P3)は、15分〜25分の間で有り得る。このようなS5工程は選択的であることができ、場合によっては省略することもできる。
第2真性ポリシリコン層170cの厚さT3は、第1真性ポリシリコン層170aの厚さT1とドーピング層170cの厚さT2より厚く蒸着することができる。
以降、チャンバ10の温度を常温に下降(S6)させ、ドアをオープンした後、ボートをアンロード(Unloading)することができる。
一方、ドーピング層の不純物を活性化させるための熱処理工程を行うと、ドーピング層にドーピングされた不純物が真性ポリシリコン層にもドーピングされることができる。
図20と図21においては、第1導電型領域形成段階P2の詳細工程について説明したが、以下の図22においては、混合ガス(G1+G2)が注入されてドーピング層170bが蒸着されるとき、注入されるシリコン蒸着ガス(G1)と不純物ガス(G2)のそれぞれの流速量について説明する。
図22は、本発明の一例に係る蒸着装備が太陽電池の製造工程に用いられるとき、注入されるシリコン蒸着ガスと不純物ガスの流速量について、さらに具体的に説明するための図である。
このような図22は、本発明の太陽電池用蒸着装備の様々な実施形態の内でシャワーノズルが複数のサブシャワーノズルを含む実施形態に適用可能である。
一例として、図12に示された第7実施形態のように、化学気相蒸着装備のシャワーノズル40が第1サブシャワーノズル40a、第2サブシャワーノズル40b及び第3サブシャワーノズル40cを備えた場合、各サブノズルの入口には、シリコン蒸着ガス(G1)が流入する配管と不純物ガス(G2)が流入する配管が一緒に接続することができる。
ここで、図12のように、第1サブシャワーノズルは、ボートの前端側面に位置することができ、第2サブシャワーノズルは、ボートの中央側の側面に、第3サブシャワーノズルは、ボートの後端側の側面に位置することができる。
このとき、一例として、第1サブシャワーノズル40aの入口には、シリコン蒸着ガス(G1)が流入される第1シリコン配管(G1a)と不純物ガス(G2)が流入される第1不純物配管(G1a)が接続でき、第2サブシャワーノズル40b及び第3サブシャワーノズル40cの入口には、不純物ガス(G2)が流入される第2不純物配管(G2b)と第3不純物配管(G2c)がそれぞれ接続され、シリコン蒸着ガス(G1)が流入される第2シリコン配管(G1b)が第2サブシャワーノズル40b及び第3サブシャワーノズル40cの入口に共通に接続することができる。
そして、互いに異なる配管が接続された地点には、流量制御部(図22にxで示される)が配置される。流量制御部は、不純物がドーピングされたポリシリコン層を蒸着する段階において、前記シリコン蒸着ガスと前記不純物ガスを適正な割合で混合するように流速量を調整して、前記シリコン蒸着ガスと前記不純物ガスをシャワーノズルに同時に供給する。
ここで、第1シリコン配管(G1a)に流入されるシリコン蒸着ガス(G1)の流速量は、第2シリコン配管(G1b)に流入されるシリコン蒸着ガス(G1)の流速量よりも小さいことがある。
加えて、第2不純物配管(G2b)に流入される不純物ガス(G2)の流速量は、第1不純物配管(G1a)及び第3不純物配管(G2c)に流入される不純物ガス(G2)の流速量より多いことができる。一例として、第1、2、3不純物配管(G1a、G1b、G1c)に不純物ガス(G2)の総流量量が100〜110sccmのとき、第2不純物配管(G1b)に流入される不純物ガス(G2)の流速量は40〜50sccmになるようにすることができ、第1不純物配管(G1a)及び第3不純物配管(G2c)に流入される不純物ガス(G2)の流速量は30sccm以下になるようにすることができる。
これにより、チャンバ10の内部の空間で不純物ガス(G2)がより均一に分散されるようにすることができる。
これにより、ボート内に配置されるシリコンウエハの位置が互いに異なっても、各シリコンウエハに不純物ガスが均一に分散されて蒸着されるようにすることができる。
以上で、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものではなく、次の請求の範囲で定義している本発明の基本的な概念を用いた当業者の様々な変形及び改良形態もまた本発明の権利範囲に属するものである。

Claims (11)

  1. 太陽電池用蒸着装備であって、
    水平方向に長く形成される内部空間を備えたチャンバと、
    複数のシリコンウエハを運び、前記チャンバの内部空間に前記水平方向に配列され、前記複数のシリコンウエハを前記チャンバの内部空間に垂直に配置するボートと、
    前記水平方向に伸びており、前記複数のシリコンウエハの第1側面に対向するように配置される少なくとも1つの第1配管と、
    前記水平方向に伸びており、前記第1側面の反対側に位置する前記複数のシリコンウエハの第2側面に対向するように配置される少なくとも1つの第2配管と、
    前記水平方向に沿って前記チャンバの前面側に位置し、前記ボートの出入りを可能にするドアと、
    前記水平方向に沿って前記チャンバの後面側に位置し、ガスを排出するベントと、及び、
    それぞれが前記少なくとも1つの第1配管の端部又は前記少なくとも1つの第2配管の端部に接続され、シリコン蒸着ガスと不純物ガスが混合された混合ガスを前記複数のシリコンウエハの前記第1側面又は前記第2側面の方向に注入するための複数のシャワーノズルと、を備えてなり、
    前記複数のシャワーノズルは、それぞれ前記混合ガスを注入するための複数のホールを備え、
    前記少なくとも1つの第1配管と、前記少なくとも1つの第2配管は、前記チャンバの外部から内部に前記水平方向に長く延長され、
    前記少なくとも1つの第1配管と、前記少なくとも1つの第2配管は、互いに異なる複数のシリコンウエハのグループに前記混合ガスを注入するように配列され、
    前記ドアと前記ベントは、前記水平方向に互いに対向するものである、太陽電池用蒸着装備。
  2. 前記シリコン蒸着ガスと前記不純物ガスの流速量をそれぞれ制御して前記混合ガスを前記複数のシャワーノズルに供給する流速量制御部を更に備えてなる、請求項1に記載の太陽電池用蒸着装備。
  3. 前記流速量制御部は、前記不純物ガスが混合されない前記シリコン蒸着ガスを選択的に前記複数のシャワーノズルに供給する、請求項2に記載の太陽電池用蒸着装備。
  4. 前記複数のシャワーノズルは、前記チャンバの壁面と前記複数のシリコンウエハの前記第1側面との間に位置し、並びに、前記チャンバの壁面と前記複数のシリコンウエハの前記第2側面との間に位置する、請求項1に記載の太陽電池用蒸着装備。
  5. 前記複数のシャワーノズルは、
    前記ボートの中で、前記ドア側に隣接する前端部分に前記混合ガスを噴射する第1サブシャワーノズルと、
    前記ボートの中央部分に前記混合ガスを噴射する第2サブシャワーノズルと、
    前記ボートの内に、前記ベント側に隣接する後端部分に前記混合ガスを噴射する第3サブシャワーノズルと、を備えてなる、請求項1に記載の太陽電池用蒸着装備。
  6. 太陽電池用蒸着装備を用いた蒸着方法であって、
    太陽電池用蒸着装備のチャンバ内に複数のシリコンウエハを垂直に位置させる段階と、
    不純物を含む不純物ガスを除外したシリコン蒸着ガスのみ、複数のシャワーノズルから前記複数のシリコンウエハの側面の方向に噴射して、前記不純物がドーピングされない第1ポリシリコン層を前記複数のシリコンウエハに蒸着する段階と、
    シリコン蒸着ガスと不純物ガスが混合された混合ガスを前記複数のシャワーノズルから前記複数のシリコンウエハの側面の方向に噴射して、前記不純物がドーピングされたポリシリコン層を前記不純物がドーピングされない第1ポリシリコン層の上に複数のウエハに蒸着する段階と、を含んでなる、太陽電池用蒸着装備を用いた蒸着方法。
  7. 前記不純物がドーピングされたポリシリコン層の不純物を活性化させて前記不純物がドーピングされたポリシリコン層の不純物を前記不純物がドーピングされない第1ポリシリコン層にドーピングする熱処理工程を更に含んでなる、請求項6に記載の太陽電池用蒸着装備を用いた蒸着方法。
  8. 前記不純物がドーピングされたポリシリコン層を蒸着する段階において、前記シリコン蒸着ガスと前記不純物ガスを適正な割合で混合するように流速量を調整して、前記シリコン蒸着ガスと前記不純物ガスを前記複数のシャワーノズルに同時に供給する、請求項6に記載の太陽電池用蒸着装備を用いた蒸着方法。
  9. 前記不純物がドーピングされたポリシリコン層の蒸着温度は、前記不純物がドーピングされない第1ポリシリコン層の蒸着温度より低い温度である、請求項6に記載の太陽電池用蒸着装備を用いた蒸着方法。
  10. 前記不純物がドーピングされたポリシリコン層の厚さは、前記不純物がドーピングされない第1ポリシリコン層の厚さより薄い、請求項6に記載の太陽電池用蒸着装備を用いた蒸着方法。
  11. 前記シリコン蒸着ガスを前記複数のシャワーノズルから前記複数のシリコンウエハの側面の方向に噴射して、不純物がドーピングされない第2ポリシリコン層を前記複数のウエハの不純物がドーピングされたポリシリコン層の上に蒸着する段階を更に含んでなる、請求項6に記載の太陽電池用蒸着装備を用いた蒸着方法。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110690324A (zh) * 2019-10-10 2020-01-14 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 晶体硅太阳能电池及其制备方法、光伏组件
JP7315607B2 (ja) * 2021-03-16 2023-07-26 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
CN115110064A (zh) * 2022-07-15 2022-09-27 长鑫存储技术有限公司 一种气体输入设备和气体输入方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0642474B2 (ja) * 1988-03-31 1994-06-01 株式会社東芝 半導体製造装置
JPH01160827U (ja) 1988-04-11 1989-11-08
JPH04350927A (ja) 1991-05-29 1992-12-04 Fuji Electric Co Ltd 半導体ウェーハの熱処理装置
JP3121131B2 (ja) * 1991-08-09 2000-12-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 低温高圧のシリコン蒸着方法
US5326722A (en) * 1993-01-15 1994-07-05 United Microelectronics Corporation Polysilicon contact
JP3599290B2 (ja) * 1994-09-19 2004-12-08 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
JP3359474B2 (ja) 1995-09-28 2002-12-24 京セラ株式会社 横型熱処理装置
KR100237822B1 (ko) * 1996-06-07 2000-01-15 윤종용 반도체 제조용 화학기상증착장치
CN1206751A (zh) * 1997-06-16 1999-02-03 特利康设备有限公司 喷射头
US20030049372A1 (en) * 1997-08-11 2003-03-13 Cook Robert C. High rate deposition at low pressures in a small batch reactor
KR100340910B1 (ko) * 1999-11-12 2002-06-20 박종섭 저압화학기상증착용 확산로
JP4164092B2 (ja) * 2003-08-26 2008-10-08 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法および基板処理装置
JP2004048068A (ja) 2003-10-14 2004-02-12 Seiko Epson Corp 減圧cvd装置、および薄膜装置の製造方法
KR100642646B1 (ko) * 2005-07-08 2006-11-10 삼성전자주식회사 고진공 화학기상증착 기술을 사용하여 에피택시얼반도체층을 선택적으로 형성하는 방법들 및 이에 사용되는배치형 고진공 화학기상증착 장비들
KR20070032530A (ko) * 2005-09-16 2007-03-22 삼성전자주식회사 종형 저압 화학기상증착 장치
WO2007075369A1 (en) * 2005-12-16 2007-07-05 Asm International N.V. Low temperature doped silicon layer formation
JP5336956B2 (ja) * 2008-07-31 2013-11-06 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP5383332B2 (ja) * 2008-08-06 2014-01-08 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
JP5233562B2 (ja) * 2008-10-04 2013-07-10 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
JP2010239115A (ja) * 2009-03-10 2010-10-21 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
KR101313262B1 (ko) * 2010-07-12 2013-09-30 삼성전자주식회사 화학 기상 증착 장치 및 이를 이용한 반도체 에피 박막의 제조 방법
KR101879175B1 (ko) * 2011-10-20 2018-08-20 삼성전자주식회사 화학 기상 증착 장치
KR102272433B1 (ko) 2015-06-30 2021-07-05 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
KR102397908B1 (ko) * 2015-08-19 2022-05-16 삼성전자주식회사 박막 증착 장치
JP6573559B2 (ja) * 2016-03-03 2019-09-11 東京エレクトロン株式会社 気化原料供給装置及びこれを用いた基板処理装置
CN206143306U (zh) * 2016-09-18 2017-05-03 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种管式pecvd机台喷气管路
JP6710149B2 (ja) * 2016-11-21 2020-06-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR101806966B1 (ko) 2017-02-06 2017-12-08 엘지전자 주식회사 태양 전지용 다결정 실리콘층 증착 장비

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