JP6930793B2 - モジュール構造およびモジュールの製造方法 - Google Patents
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特許文献1に示される半導体装置では、フラッシュメモリを複数のインタポーザ基板上にそれぞれ搭載し、スペーサ基板を介して該インタポーザ基板を互いに重ね合わせるように配列した構成が示されている。
この半導体装置では、スペーサ基板に形成されているスルーホール、端子及び接続パターンによって、フラッシュメモリの電極を必要に応じて個別に又は共通に接続するようにしている。
また、特許文献2に示される集積回路モジュールでは、プラスチックスペーサがフレキシブルプリント基板の間隙部を部分的に覆う構造である。
このため、特許文献1及び2に示される構造体では、基板のスタック構造の強度が弱く、厳しい環境下で使用するための構造改善が期待されていた。
本発明に係るモジュール構造は、有機基板からなりその表面に電子部品を実装した複数のプリント基板と、これら複数のプリント基板間に配置及び積層されかつ該プリント基板の相互間に隙間を形成するためのスペーサ基板と、からなる基板積層体であって、前記スペーサ基板は、前記プリント基板の電子部品実装領域の全周を連続的に囲むように配置されることを特徴とする。
このモジュール構造10は、複数のプリント基板1と、これらプリント基板1の間に設置されたスペーサ基板2とを有する基板積層体3により構成される。
また、プリント基板1は有機基板から構成されている。
また、スペーサ基板2は、プリント基板1の電子部品実装領域1Aの全周を連続的に囲むように配置されている。
そして、以上のような構成により上記モジュール構造10では、スペーサ基板2を介してプリント基板1が複数積層されたスタッカ構造が実現される。
また、本発明に係るモジュール構造10では、プリント基板1の電子部品実装領域1Aの全周を連続的に囲むスペーサ基板2により、外部からの電磁波をシールドしてプリント基板1上の電子部品Eを確実に保護することができ、条件の厳しい環境下でも好適に使用することができる。
本発明の実施形態に係るモジュール構造100について図2(A)の外観図、図2(B)の断面図、図3の上方側から視た分解図、及び図4の下方側から視た分解図をそれぞれ参照して説明する。
本実施形態のモジュール構造100は、複数のプリント基板11と、該プリント基板11の間に設置かつ積層された複数のスペーサ基板12とからなる基板積層体13により構成される。
このモジュール構造100では、スペーサ基板12を介してプリント基板11が複数積層されたスタッカ構造が採用される。
なお、本例では、電子部品EとしてパッケージメモリMが使用され、プリント基板11としてパッケージメモリMが搭載されたメモリ基板Sが使用されている。
また、パッケージメモリMはプリント基板11の上面及び下面にBGA (Ball grid array)(符号20で示す)より実装されている。
また、プリント基板11の基板材として、ガラス繊維布にエポキシ樹脂を染み込ませ熱硬化処理したFR4(Flame Retardant Type4)といった有機基板が使用されている。
また、スペーサ基板12は、プリント基板11の周縁部に沿って電子部品実装領域11Aの全周を囲むように連続配置され、かつ全体形状が平面視ロ字状に形成されている。
そして、このようなスペーサ基板12では、プリント基板11の周縁部に沿って電子部品実装領域11Aの全周を連続的に囲むことで、全体構成の強度向上を図ることができる。
基板積層体13を構成するプリント基板11とスペーサ基板12とは、導通パッドとなるLGA(Land grid array) (符号21で示す)により基板間接続される。
また、基板積層体13は下面に形成されたBGAを介して外部接続用インタポーザ基板40上に接合される。
まず、図5(A)に示されるようにプリント基板11を構成するメモリ基板S上に、BGA20により電子部品EとなるパッケージメモリMをリフロー実装する。
なお、パッケージメモリMは、適宜、メモリ基板Sの片面のいずれか一方又は両面に対してリフロー実装する。
この電磁シールド部30は銅などの導体をパターニングすることで形成されるが、そのパターニングは基板スタック前に行っても良く、基板スタック後に行っても良い。
また、上記モジュール構造100では、プリント基板11(S)の電子部品実装領域11Aの全周を連続的に囲むように配置したスペーサ基板12により、外部からの電磁波を遮断することができる。
さらに、上記モジュール構造100では、プリント基板11(S)とスペーサ基板12とからなる基板積層体13の外周面に、電磁波をシールドする電磁シールド部30が設けられているので、外部からの電磁波を確実に遮断して電子部品の故障を防止し、条件の厳しい宇宙等の環境下でも好適に使用することができる。
1A 電子部品実装領域
2 スペーサ基板
3 基板積層体
4 隙間
10 モジュール構造
11 プリント基板
11A 電子部品実装領域
12 スペーサ基板
13 基板積層体
14 隙間
20 BGA
20´ BGA
21 LGA
30 電磁シールド部
40 外部接続用インタポーザ基板
100 モジュール構造
E 電子部品
M パッケージメモリ
S メモリ基板
Claims (6)
- 有機基板からなりその表面に電子部品を実装した複数のプリント基板と、
これら複数のプリント基板間に配置及び積層されかつ該プリント基板の相互間に隙間を形成するためのスペーサ基板と、からなる基板積層体であって、
前記スペーサ基板は、前記プリント基板の電子部品実装領域の全周を連続的に囲むように配置され、
前記基板積層体には電磁波をシールドするための電磁シールド部が設けられ、
前記スペーサ基板は前記プリント基板の周縁部に沿うように配置され、かつ全体形状がロ字状に形成されて、
前記基板積層体が全体として長方体状をなしている
ことを特徴とするモジュール構造。 - 前記電磁シールド部は前記基板積層体の外周面に設けられることを特徴とする請求項1に記載のモジュール構造。
- 前記プリント基板と前記スペーサ基板とは導通パッドを介して基板間接続されることを特徴とする請求項1または2のいずれか1項に記載のモジュール構造。
- 前記スペーサ基板の高さは、前記プリント基板に実装された電子部品の高さのおよそ2倍に設定されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のモジュール構造。
- 前記電子部品はパッケージメモリであり、
前記プリント基板はメモリ基板であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のモジュール構造。 - 一のプリント基板の下面およびまたは上面に、電子部品をボールグリッドアレイによりリフロー実装する工程と。
前記電子部品を実装したプリント基板に基板間接続を介在してスペーサ基板を積層する工程と、
前記プリント基板とは異なる他のプリント基板の上面に電子部品をボールグリッドアレイによりリフロー実装する工程と、
前記一のプリント基板とスペーサ基板との積層体を所定段数積み重ねるとともに、前記他のプリント基板を最下層に位置させ、この最下層のプリント基板を外部接続用インタポーザ基板上にリフロー実装して基板積層体を形成する工程と、
を有し、
前記スペーサ基板は前記プリント基板の周縁部に沿うように配置され、かつ全体形状がロ字状に形成されて、前記基板積層体が全体として長方体状をなす、
ことを特徴とするモジュールの製造方法。
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