JP6929268B2 - リソグラフィに基づく製造によるダイヤモンド複合体 - Google Patents

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Description

本開示は、積層に基づく造形方法から製造されるダイヤモンド複合体及びそのような方法に関連する態様に関する。
様々な異なるダイヤモンド材料が、摩耗部品などの用途、又は切削、旋削、穿孔、及び岩石、特に鋼などの金属合金を含む硬質材料の加工用の物体の用途での使用のために開発されてきた。ダイヤモンド密度、及び取り囲んでいるマトリックスの特性は、耐摩耗性工具としてのそれらの適合性に関する重要な特徴である。切削工具に使用される最も一般的なダイヤモンド材料は、実質的な耐摩損性及び硬度を示すPCD(多結晶ダイヤモンド体)であるが、これはコバルト、鉄及び/又はニッケルなどの触媒金属を含有する。したがって、そのような材料は低い熱安定性を示す。製造プロセスは極めて高い圧力(5500MPa超)で行われるので、単純な形態を有するPCDをニアネット生成することのみが可能である。したがって、より注目度が増しているダイヤモンド材料の更なる種類として、PCDと比べて低いダイヤモンド含有量を有する一方、コバルト、ニッケル及び鉄を含まず、加えて、1000℃を十分超える温度でも熱安定性である、ケイ素接合ダイヤモンド及び炭化ケイ素ダイヤモンド複合体が挙げられる。炭化ケイ素マトリックスを使用して、そのような材料を製造する様々な異なる方法が存在する。例として、国際公開第2014/161816号に開示されるような、出発材料の粉末バッチが熱及び圧力サイクルに付される熱間等方圧加工(HIP)が挙げられる。
近年では、コンピュータ支援設計データに基づいて、硬化性モノマー樹脂を含有する液体スラリーから、層状の3次元物品を生成する高速プロトタイピング技術が、高強度セラミックスの調製において使用されている。US2012/0010066及びUS7927538は、セラミック成形部品のステレオリソグラフィ調製を記載している。最初は、セラミック前駆物質圧密体(あるいはグリーン体と称される)を、層ごとの段階的造形プロセスにより、自由流動性セラミックスラリーを光放射硬化することによって調製する。次に、得られたグリーン体は、典型的には90℃から600℃の範囲の温度まで加熱することを含む脱バインダーを施され、初期のグリーン体バインダーを除去される。次に得られたホワイト(あるいはブラウンとも称される)体を高焼成温度で焼結し、著しい体積減少中に圧縮及び固化し、それにより低多孔度及び高強度を示す高密度化セラミックがもたらされる。
しかしながら、高硬度複合体の作製における使用のための従来の圧縮製造方法は、均質の表面及び端部を達成することが困難であり、また欠陥のない表面を得ることも困難であるため、問題がある。
更に、従来の圧縮技術では、特に細粒化粉末との組み合わせでは、端部の圧縮は通例更に劣っており、より多くの欠陥をもたらし、これらの領域でより低い焼結ダイヤモンド密度をもたらす。従来の圧縮技術についての更に別の問題は、プレス工具の摩耗であり、これはまた、費用がかかることのほかに、不純物をグリーン体にもたらし、不純物は最終製品に保持される。不純物の量は、例えば医療又は食品産業及び使用において深刻なものである。
本開示の目的は、上述の問題を解決するか又は少なくとも低減することである。したがって、コンポーネントの作業寿命中の破砕、剥離、チッピング及び一般的摩耗に耐性がある摩耗部品又は切削要素として使用可能な工具又は工具インサートなどの、超硬質のコンポーネントを提供することが本開示の目標である。特に、最適化/最大化された平均作業寿命を示す切削要素又は摩耗部品又は工具インサートなどの、ダイヤモンド複合体の作業工具を提供することが具体的な目標である。3次元における摩耗挙動さえも示す耐摩耗性の工具コンポーネントを提供することが更なる目標である。製造プロセスにおいて使用される道具類の劣化若しくは摩耗を最小限に抑えるか又は取り除く材料を効率的に使用することにより、超硬質の耐摩耗性複合体の製造方法を提供することがまた更なる目標である。
この目標は、初めに、ダイヤモンド粒子を含む自由流動性スラリーから、リソグラフィによる層ごとの本体構築をし、続いて脱バインダー、溶浸、及び焼結のプロセスを行うことにより、超硬質材料すなわちダイヤモンド粒子からダイヤモンド複合体を形成することによって達成される。
用語「リソグラフィに基づく製造」は、固体又半固体の層が、コンピュータ支援設計(CAD)データに基づいて、硬化性のモノマー又はポリマーの樹脂、すなわち重合可能なバインダーを含有する液体スラリーから構築される、ステレオリソグラフィ、3D造形、付加製造(AM)又は3D「プリント」を包含する。本明細書で使用する用語「ダイヤモンド複合体」(接合ダイヤモンドとしても公知である)は、マトリックス又はバインダー相内にダイヤモンド粒子を組み込んでいる超硬質材料を包含し、ダイヤモンド含有量は、30から85体積%の範囲であり得る。該用語は、炭化ケイ素などのバインダーにより相互結合したダイヤモンド粒(ダイヤモンド粒子とも呼ばれる)の集合体として形成されるか、又はダイヤモンド粒が、金属マトリックスに埋め込まれるか、若しくは金属相と炭化物バインダー相の混合物中にある材料を包含する。したがって、ダイヤモンド粒子は、焼結によりマトリックスに結合する。本明細書で使用する用語「積層構造」は、段階的積層リソグラフィ造形中に、スラリーが照射される面に対して直角な、本体を通して伸びる面における本体及び焼結後物品のプロフィールを表す。積層構造は、ダイヤモンド粒子及びバインダーの1を超える層を含むことを理解されたい。
本主題開示に基づくリソグラフィ製造は、ダイヤモンド複合体材料に典型的に利用される従来の圧縮技術よりも有利である。特に、リソグラフィ方法は、リソグラフィ方法を用いない場合にはダイヤモンド粒子の摩損によりダイ壁、モールド工具、ブレンド及び造粒機器にもたらされる不純物が低分量(<2重量%)であり、且つ従来のプレスプロセスで使用され、摩耗が促進されて高コストを伴う定期的取り換えを必要とするダイに対する必要性を伴わず、簡便に取り掛かることができる。重合可能なバインダーによる本開示の積層構築により、特に、複雑な内形状及び外形状のプロフィールを含む複雑な3D形態を有するグリーン体(グリーン)及び予備焼結され脱バインダーされた本体(ホワイト体又はブラウン体と称される)の作製が可能となる。本手順はまた、均一密度のグリーン体を提供し、焼結ダイヤモンド複合体をもたらすのにも有利である。本開示の手順は、細粒化粉末を使用した従来のプレス技術と対比されるべきであり、従来技術では、グリーン体が砕かれていない細粒を含有することが一般的であり、次に溶浸材(典型的にはケイ素)で満たされ、所望されない溶浸材(Si)レーキをもたらし、その結果、表面領域、特に切れ刃において、チッピング、分裂又は破砕による早すぎるコンポーネント摩耗に至る不連続性をもたらす。
本主題開示に基づき、得られた焼結構造は、各層が、リソグラフィ装置及び方法の操作条件に基づいて、均一な厚さ又は少なくとも所定の厚さを含む容易に確認可能な層を含む。確認可能な層は、ダイヤモンド粒子及びバインダーマトリックスを含有する。積層構造は、25−200マイクロメートル、例えば25−50マイクロメートル又は例えば50−100マイクロメートルの範囲の厚さを有するダイヤモンド粒子に富む層からなり、その間にバインダーマトリックスに富む層を有する。バインダーマトリックスに富む層は、1−15マイクロメートル、例えば1−4マイクロメートル又は2−8マイクロメートル又は5−10又は6−15マイクロメートルの範囲の厚さを有する。ダイヤモンド及びバインダーマトリックスに富む層の厚さ及び濃度を変化させることにより、摩耗、亀裂拡大及び熱伝導特性をより容易に調整することができる。ダイヤモンド粒子に富む層とは、30体積%超のダイヤモンド粒子を含有する層を意味し、バインダーマトリックスに富む層とは、30体積%未満のダイヤモンド粒子を含有する層を意味する。焼結体内のダイヤモンド粒子の均一分布により、使用中に摩耗挙動さえ示す作業要素(摩耗部品又は切削工具又は切削工具インサートなど)が提供される。焼結ダイヤモンド複合体内のこの均一分布は、本明細書に記載されるSEM撮像により確認される。
加えて、本開示の焼結体は、最適化された表面粗さを含むと考えられ得て、粗さは、自由流動性スラリーバッチにおける、且つグリーン体及びホワイト体におけるダイヤモンド粒子の粒度分布により、ある程度決定される。得られた焼結ホワイト体の表面領域粗さ(Sa)は、<4マイクロメートル、例えば<3マイクロメートルであり得て、表面粗さは、従来の表面測定器を使用して測定することができる。得られた複合体内のダイヤモンド粒子の均一分布は、積層リソグラフィ構築によりグリーン体を製造すること、その後、重合したバインダーを脱バインダーすることにある程度起因する。脱バインダーされたブラウン体は、ポリマーの損失/脱バインダーの結果として得られた開口気孔チャネルの内部ネットワークに起因して、溶浸バインダー(例えばケイ素)による溶浸のために最適化されることが観察された。本開示の方法の更なる特定の利点は、均質の自由流動性スラリーの作製中に、粒度分布を選択的に調節することにより、特に、異なる平均径の粒子をブレンドすることにより、ブラウン体内の溶浸チャネルの規模、密度及び配列を選択的に調節する構成である。異なる粒度分布(size distribution/particle size distribution)の粒子を組み込むこともまた、グリーン体及びホワイト体のパッキングを最適化し、最終焼結物品内の均一な粒子分布を達成するのに有利である。脱バインダー工程の結果として得られたホワイト体は、本明細書に記載されるCT分析から分かるように亀裂を示さない。この初期の加工融通性は、溶浸/焼結段階の可能な調整と共に、バインダーマトリックス内の超硬質ダイヤモンド粒子の分布に関して、最終複合体の所望の密度を達成するために最適化されたプロセスを提供する。
本開示の第1の態様に基づいて、ダイヤモンド複合体を調製する方法であって、
− 重合可能なバインダー、開始剤及びダイヤモンド粒子を含有するスラリーを調製することと;
− ダイヤモンド粒子及び一時的バインダー及び開始剤を含有するスラリーの段階的照射硬化により積層構造グリーン体を形成することと;
− 積層構造グリーン体を脱バインダーすることにより、少なくとも30体積%のダイヤモンド粒子を含むホワイト体を形成することと;
− ホワイト体に溶浸材を導入することと、
初期段階として、第1の圧力において10から60℃/分の速度での漸増的温度上昇により最大焼結温度までホワイト体を加熱することにより、ホワイト体を焼結することと
を含む、方法を提供する。
本開示の方法は、溶浸及び焼結のプロセスの導入中に、脱バインダーされたグリーン体の大きさ及び形状が維持され、最終的に得られたダイヤモンド複合体の寸法は、グリーン体の高さ、長さ及び/又は直径などの寸法と比較して、1.5%未満変化したものを提供する。更に、ダイヤモンド粒度は維持されるか又は減少し、したがって、本開示は、ダイヤモンド粒子の粒成長は伴わない。
脱バインダー工程は、窒素、水素、アルゴン若しくはこれらの混合物の雰囲気中又は空気中で、ゆっくりと典型的には0.1−2℃/分で、存在する雰囲気及び重合可能なバインダーに応じて、グリーン体を200−600℃の温度まで加熱することにより実施され得る。
本開示の方法に基づいて、最大焼結温度は、溶浸材が融解段階にあるようにするために、溶浸材の融解温度を超える温度である。
本開示の方法は、脱バインダー工程後に得られたホワイト体を、不活性雰囲気中又は真空中で、600℃から1500℃の温度まで加熱し、最大温度で数分から1時間保持することによって実施され得る予備焼結を含んでもよい。
任意選択的に、ダイヤモンド粒子は、200μm、150μm、100μm及び/又は80μm未満の粒度を含んでもよい。任意選択的に、ダイヤモンド粒子は、0.5μmから100μm;1μmから100μm及び/又は2μmから80μmの範囲の粒度を含んでもよい。特に、ダイヤモンド粒子は、2−モジュール又はマルチ−モジュールの粒度分布を含んでもよい。任意選択的に、少なくとも1画分のダイヤモンド粒子は30、20又は10μm未満の粒度を含み、且つ少なくとも1画分のダイヤモンド粒子は100、80、70、60又は50μm未満の粒度を含む。このような取り合わせは、得られたグリーン体及びホワイト体並びに最終焼結物品内のダイヤモンドのパッキングを最適化するのに利点である。
ダイヤモンド粒子に富む層及びバインダーマトリックスに富む層の厚さは造形プロセスにより決定され、すなわち、それらは使用される装置及び照明技術に依存し、また、例えばスラリー中の最大ダイヤモンド粒度が造形層の厚さを超過してはならないように、スラリー中の最大粒度にも依存する。異なる層の厚さは、積層造形プロセス中に変化し得て、したがって、あまり重要ではない領域ではより速い造形を、端部などの重要な領域ではより遅い造形を可能にする。一実施態様に基づいて、粒度及び粒度分布もまた、異なるダイヤモンド粒度分布を有するスラリーを変化させるか又は混合することにより、積層構造の造形中に変化し得て、したがって、造形方向における連続的粒度勾配を生み出す。
任意選択的に、ダイヤモンド粒子は、10μm未満の粒度を有する少なくとも1の画分及び50μm未満の粒度を有する少なくとも1の画分を含む。任意選択的に、ダイヤモンド粒子は、10から30重量%の第1の画分及び70から90重量%の第2の画分を含む。任意選択的に、ダイヤモンド粒子は、4から8μmの平均粒度を有する20重量%のダイヤモンド粒子及び20から30μmの平均粒度を有する80重量%のダイヤモンド粒子を含む。任意選択的に、ダイヤモンドは、4から90μm又は6から80μmの平均粒度を含む第3の画分のダイヤモンド粒子を含んでもよい。任意選択的に、ダイヤモンド粒子含有量は、2から200μm、例えば2から100μmの範囲の平均粒度を有する粒子を含む。
一実施態様に基づいて、ダイヤモンド粒子は、高密度を達成するために2−モジュール又はマルチ−モジュールの粒度分布を含み、フィード中の最大ダイヤモンド(LD)の重量分率/より小さいダイヤモンドの重量分率の合計(ΣSD)は、典型的には1.2から19の範囲である。本開示の一実施態様に基づいて、ダイヤモンド粒子は、特に、Ni、Fe及びCoを含む触媒金属の低不純物(<5000ppm)を含む。任意選択的に、脱バインダーされたホワイト体(あるいはブラウン体)中のダイヤモンド粒子含有量は、本体材料の全体積を基準として、少なくとも30体積%、例えば少なくとも40体積%及び例えば少なくとも50体積%である。
したがって、本開示の方法は、重合可能なバインダー、重合開始剤及びダイヤモンド粒子を含むスラリーを調製することと;スラリーの段階的照射硬化により積層構造を有するグリーン体を形成することと;ダイヤモンド粒子からバインダーを少なくとも部分的に除去してホワイト体を形成するため、グリーン体を脱バインダーすることと;積層構造を有するダイヤモンド複合体を形成するためにホワイト体を焼結することとの工程を含む、ダイヤモンド複合体を調製するリソグラフィに基づく方法と言うこともできる。
スラリーは、低重合収縮を示し、したがって、寸法的に安定した調製及び低変形応力を示す可撓性のグリーン体を可能にする。リソグラフィ積層構築により得られたグリーン体は欠陥がなく、すなわちグリーン体は、低レベルの亀裂及び他の欠陥を含有し、欠陥を持たないことさえあり、リソグラフィを用いて生成された個々の層間に達成された優れた接着力を伴う。
以上及び以下に定義された方法に基づいて、脱バインダー工程は、漸増的温度上昇により、第1の最大温度までグリーン体を加熱することを含んでもよい。任意選択的に、脱バインダーは、窒素、アルゴン、水素及びこれらの混合物から選択される環境で実施される。空気もまた、環境として使用してもよい。任意選択的に、最大脱バインダー温度は、200℃から600℃の範囲であり、脱バインダー温度は、脱バインダー工程が実施される環境(使用される気体)に依存する。任意選択的に、漸増的温度上昇は、0.1から2℃/分の漸増を含む。
一実施態様に基づいて、最大脱バインダー温度は、空気中で200℃から340℃の範囲であり、漸増的温度上昇は、0.1から2℃/分の漸増を含む。以上及び以下に定義された本開示の方法の一実施態様に基づいて、脱バインダーは、1、2又は3回の加熱サイクルを含み、加熱サイクルでは、温度は漸増的に上昇し、中間段階として温度が維持される1つ又は複数の保持時間を介し、続いて漸増的変化により温度は上昇し続ける。任意選択的に、最大脱バインダー温度は、220℃及び/又は320℃であってもよい。任意選択的に、初期段階の脱バインダーは、220℃の最大加熱温度まで、0.3℃/分の漸増で加熱することを含む。任意選択的に、脱バインダーは、300から600℃の最大温度まで、0.5から2℃/分の温度漸増で本体を加熱することを含む第2の脱バインダー段階を含む。
以上及び以下に定義された方法に基づいて、脱バインダー工程は、熱処理の代わりに、グリーン体を超臨界流体に曝露することを含んでもよい。任意選択的に、超臨界流体は、31℃の臨界温度及び7.38MPaの臨界圧力を有する二酸化炭素である。あるいは、他の超臨界流体は、それぞれアルカン、アルケン、フッ素化及び/又はヒドロフッ素化のアルカンをベースとした、単一成分流体、二成分系又は三成分系であってもよい。任意選択的に、脱バインダー工程は、超臨界溶媒抽出と組み合わせて加熱することも含んでもよい。
以上及び以下に定義された方法に基づいて、バインダーは、脱バインダー工程中に除去される。バインダーの除去は、部分的であってもよく、グリーン体における第1の工程中の重合可能なバインダーの脱バインダー度は、35から75重量%又は40から80重量%の範囲であってもよい。残留バインダーは、「炭素源」として作用し得て、すなわちバインダーの炭素は、炭化物形成体が溶浸材として使用される時に、溶浸工程中にダイヤモンド粒子の代わりに使用され、このため使用されるダイヤモンド粒子がより少なくなる。
以上及び以下に定義された方法の一実施態様に基づいて、焼結工程は、溶浸材をホワイト体に導入することと;初期段階として、第1の圧力において、漸増的温度上昇により、溶浸材の融点を超える最大焼結温度まで、該ホワイト体を加熱することとを含む。任意選択的な工程として、次に、更なる段階において、第1の圧力より大きい第2の圧力で本体を連続的に加熱してもよい。焼結する段階は、脱バインダーされたホワイト体をケイ素などの溶浸材に曝露することを含んでもよい。ホワイト体/ブラウン体は、コーティングされてもよいか又は溶浸材との接触に至ってもよい。溶浸材は、99%超の純度を有するケイ素を含んでもよく、大過剰で存在してもよい(200重量%超の過剰)。溶浸材は、主要な構成要素としてSiを含んでもよい。以上及び以下に定義された方法の一実施態様に基づいて、Si溶浸段階は、1500℃、1600℃、1650℃又は1700℃超の温度までホワイト体/ブラウン体を加熱することを含む。任意選択的に、ホワイト体/グリーン体は、最終の焼結後複合体物品における高密度化を補助し且つ多孔度を低減するために、5、7又は9MPa超の圧力で、任意選択的に5、10、15又は20分の期間、アルゴン環境中に置かれてもよい。任意選択的に、初期状態中の最大焼結温度は1500から1750℃の範囲であり、漸増的温度上昇は、10から60℃/分、10から40℃/分、10から30℃/分又は10から20℃/分の速度での温度上昇を含む。以上及び以下に定義された方法の一実施態様に基づいて、初期の脱バインダー段階は、大気圧において空気中又は流動水素中で実施される。任意選択的に、焼結/Si溶浸の高密度化工程の第2の段階における第2の圧力は、第1の圧力より少なくとも50%又は80%大きい。任意選択的に、溶浸材は、ケイ素、ケイ素組成物、銅、銅合金、アルミニウム及びアルミニウム合金から選択され得る。任意選択的に、初期状態中の最大焼結温度は、850から1750℃の範囲、すなわち溶浸材の融解温度を超える。
本開示の更なる態様に基づいて、重合可能なバインダー、開始剤、及びダイヤモンド粒子を含むダイヤモンド複合体の、リソグラフィに基づく製造のためのスラリーを提供する。バインダーは、重合可能なバインダーであり、少なくとも1の酸性モノマーを含んでもよい。任意選択的に、バインダーは、少なくとも1のラジカル重合可能な基を有する単官能基モノマー又は単官能基ポリマーを含んでもよい。そのようなモノマーは、−COOH、−O−PO(OH)又は−SOH基を含んでもよい。
任意選択的に、スラリーは、スラリーの全体積に対して約40から70体積%に相当する、70から90重量%のダイヤモンド粒子を含む。任意選択的に、スラリーは、スラリーの全体積に対して約30から60体積%に相当する、10から30重量%の重合可能なバインダー含有量を含む。加えて、得られた焼結複合体内のダイヤモンド粒子含有量は、20から60体積%の範囲であってもよい。
本開示の更なる態様に基づいて、リソグラフィに基づく製造方法から形成されるダイヤモンド複合体物品であって、ダイヤモンド粒子を含有するスラリーを段階的照射硬化することと、続いて脱バインダーすることと、焼結することとの結果として得られた積層構造を含む、ダイヤモンド複合体物品を提供する。
本開示の更なる態様に基づいて、i)ダイヤモンド粒子を含有するスラリーを段階的照射硬化することと、続いてii)脱バインダーすることと、iii)焼結することとの結果として得られた積層構造を含む、ダイヤモンド複合体物品を形成するためのリソグラフィに基づく製造方法内でのダイヤモンド粒子の使用を提供する。
本開示の更なる態様に基づいて、リソグラフィに基づく製造方法から形成されるダイヤモンド複合体物品であって、
i)ダイヤモンド粒子を含有するスラリーを段階的照射硬化することと、続いてii)脱バインダーすることと、iii)真空におけるSi溶浸及び<150barで焼結することとの結果として得られた積層微細構造体を含む、ダイヤモンド複合体物品を提供する。
本開示のまた別の態様に基づいて、30から65体積%のダイヤモンド粒子含有量を有するダイヤモンド複合体物品であって、
ダイヤモンドに富む層とその間のバインダーマトリックスに富む層とを有し、ダイヤモンドに富む層は25から200マイクロメートル、例えば25から100マイクロメートルの範囲であり、バインダーマトリックスに富む層は1から15マイクロメートルの範囲である積層微細構造体を含む、ダイヤモンド複合体物品を提供する。一実施態様に基づいて、バインダーはSiCである。また別の実施態様に基づいて、均一な表面領域粗さは、<4マイクロメートル、例えば<3マイクロメートルである。加えて、使用された方法に起因して、CAD図と比較した外部特徴の差分は、<1.5、例えば<1%である。
本開示に基づいて、25から100マイクロメートルの範囲のダイヤモンド−SiC層とその間の1から15マイクロメートルの範囲のSiCに富む層とからなる積層微細構造体を有し、<4マイクロメートル、例えば<3マイクロメートルの均一な表面領域粗さを有する、30から55体積%のダイヤモンド含有量を有するダイヤモンド炭化ケイ素複合体もまた開示する。
本主題開示に基づいて調製された複合体物品は、特に、摩耗部品として、特に腐食性及び高温環境において、また特定の用途が、低いか又は非常に低い不純物含有量を要求する場合にもまた好適である。ダイヤモンド粒子と炭化ケイ素の複合体などの本開示のダイヤモンド複合体は、本体が、最適化された熱安定性、摩損劣化並びに酸及びアルカリへの曝露などの液体腐食に対する耐性並びに極めて良好な熱伝導性(heat conductivity/thermal conductivity)を示す。摩耗部品は、金属及び岩石の切削用の特定の用途を見出し得る。本開示の複合体はまた、医療用インプラント及び食品産業におけるコバルトフリー用途にも好適であり得る。加えて、複合体成分の最適化された均一分布を有する本開示の焼結体は、宝飾品類としての用途に望ましくあり得る。
炭化物マトリックス内に結合したダイヤモンド粒子を含む本主題開示の3次元的要素もまた、良好な熱伝導性を示す。Co、Fe及びNiなどの触媒金属を含有する多結晶ダイヤモンド(PCD)は、熱的に安定ではないことに留意されたい。加えて、従来の加工に基づくこのような材料は、簡便に且つ効率的に形状化することができず、得られたコンポーネントの3次元形態を制限する。本開示のコンポーネントの表面粗さもまた、ダイヤモンド複合体にとって特に重要であり、粉砕/摩砕が多くの時間を必要とし非効率的である既存の従来の製造方法と比較すると、最適化されている。
本開示の積層構築は、溶浸中に感知できるほどに収縮しない亀裂のないグリーン体を作製するのに有利である。したがって、本開示の方法は、粒度分布、濃度、脱バインダー及び焼結段階に関連する加工パラメータ及び出発材料を選択することにより、最適化された寸法制御を提供する。
本開示の特定の実施を、単に一例として、添付の図面に関連してこれより記載する。
本開示の一態様に基づく、グリーン体を作製するためのリソグラフィ加工装置の略図である。 本開示の一態様に基づく、立方晶ダイヤモンド/炭化ケイ素の複合体の60倍の倍率のSEM画像である。 本開示の一態様に基づく、立方晶ダイヤモンド/炭化ケイ素の複合体の100倍の倍率のSEM画像である。 本開示の一態様に基づく、リソグラフィ造形の成形体のCT画像である。 本開示の一態様に基づく、リソグラフィ造形され、超臨界脱バインダーされ且つ焼結されたキューブのCT画像である。 本開示の一態様に基づく、リソグラフィ造形の成形体のCT画像である。 鉱業用インサートの略図である。 先行技術の調製方法に基づく、図7の鉱業用インサートの部分的に研磨された切れ刃の焼結構造の95倍の後方散乱SEM画像である。
本開示の異なる実施態様の詳細な説明
ダイヤモンド複合体を、リソグラフィ、特にステレオリソグラフィを使用して製造する。本プロセスは、第1の段階では、圧密体、あるいはグリーン体と称される形態の幾何学的3次元物品を作製するための、自由流動性スラリーのLED放射硬化などの照射を一般に含む。第2の段階では、グリーン体に脱バインダープロセスを施し、バインダーを除去してホワイト(又はブラウン)体を得る。最終段階として、ホワイト体を溶浸及び焼結し、高密度のダイヤモンド複合体を作製する。次に、焼結体は、グリットブラスト及び/又は酸エッチングにより仕上げをされ得て、合金及び岩石などの硬質材料の加工用の高耐摩損体としての使用などの、広範な用途に好適な最終超硬質ダイヤモンド複合体を得る。
焼結複合体内の低多孔度、ダイヤモンド粒の高密度及び均一分布を有する超硬質ダイヤモンド複合体を達成するという目的で、2−モジュール及びマルチ−モジュールのダイヤモンドフィードを調製した。リソグラフィ、特にステレオリソグラフィを利用して、プロセスでは、ケイ素及び/又は暗色の炭化物などの暗色の原材料を、初期のスラリー内で最小限に抑えるか又は初期のスラリーから除外する必要がある。特に、層ごとの段階的造形中の光放射の透過を可能にするために、スラリーは透明又は半透明である必要がある。
本開示は、以下の調製段階を選択的に含む、非限定な実施例1−5の参照により例証される。
ダイヤモンド粉末の調製
ダイヤモンド粉末は一緒にドライブレンドし、均一な混合物を形成した。最終のダイヤモンド混合物は、Diamond Innovations Inc.から入手したMBM−ULC及びMBM−LCグレードの、80重量%の20から30μmと20重量%の4から8μmのダイヤモンドの混合物であり、したがって、4の重量分率LD/ΣSDを有する。このダイヤモンド混合物を、本明細書ではPSD1フィードと表す。加えて、PSD2フィードを、Diamond Innovations Inc.からのMBM−ULC及びMBM−LCグレードを使用して上述のように調製したが、2から80μmの範囲のマルチ−モジュールのダイヤモンド粒度分布を有し、1.6の重量分率LD/ΣSDを有する。
スラリー調製
多結晶ダイヤモンドスラリーを、i)PS−m−FlEA(1モルのフタル酸無水物と1モルのアクリル酸2−ヒドロキシエチルの反応生成物);70%のNK−エステルCBX−lN(トリアクリル酸モノフタル酸ペンタエリトリトール)、ii)それぞれの溶媒PEG−400及びPPG−400を混合することにより調製した。分散剤を導入し、得られた組成物を均質に混合した。次に、光開始剤K−69(ビス(4−メトキシベンゾイル)ジエチルゲルマニウム、Ivoclar Vivadent AG)又はIrgacure819(ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フェニルホスフィンオキシド、Ciba SC)を添加し、簡単な撹拌により溶解させた。最終段階として、ダイヤモンドフィードPSD1を添加し、分散させて、自由流動性の均質なスラリーを作製した。PSD1フィードのダイヤモンド供給は約54体積%に相当する80重量%であり、バインダー含有量は46体積%に相当するおよそ20重量%であった。
リソグラフィのプロセス及び装置−グリーン造形
リソグラフィのプロセス及び装置を、図1に関連して一般に記載し、スラリー101用の容器100(又は重合タンク)を含む。容器100は透明窓102を有し、それを通してスラリー101を下から選択的に照射し、硬化させる。マイクロミラーアレイ103は容器100の真下に移動可能に位置し、コンピュータ制御される。放射線源104は、照射エネルギー(LED発生光の形態における)をミラー103上に送る。したがって、ミラー103の像が、光学機器(図示せず)を使用して、窓102を介してスラリー101上に投射される。容器100の上に配置されるのは、その上でグリーン体108が層ごとに構築される造形プラットフォーム109を保有し、Z方向に可動のキャリアプレート109を備える基体キャリア106である。キャリアプレート109と容器100の内面との間の距離が、生成される所望の層厚さに相当するまで、キャリアプレート109をスラリー101中に浸漬する。次に、キャリアプレート109と容器100の内面との間のスラリー層は、ミラー103を介して透明窓102を通して選択的に照射され、硬化する。スラリー101の硬化領域はキャリアプレート109に付着し、次に、容器100からZ方向に引き上げられる。次に、更なるスラリーを、ワイパブレード110を使用して窓102全体にわたって広げて、選択的照射硬化プロセスを繰り返して所望の3次元物品を構築する。
以下のステレオリソグラフィパラメータ設定に基づいてグリーンを造形した:方位分解能40μm(635dpi);ピクセル数(X、Y)1920×1080;造形エンベロープ(X、Y、Z)76mm×43mm×150mm;データ形式.stl(バイナリ);スライス厚さ25−100μm;造形速度毎時100スライスまで、毎時2.5−10mm;光源LED。造形プロセス後、グリーンを有機溶液(洗浄剤)で洗浄し、過剰のスラリーを除去して、良好な表面仕上げを生み出す。
脱バインダー(熱処理)
脱バインダーを空気中で実施し、220℃及び/又は320℃まで、0.3℃/分間隔でゆっくりとした温度傾斜を伴った。特に、脱バインダー中に洗浄剤が亀裂を引き起こす傾向があるため、脱バインダー中のグリーンの亀裂を回避するには、適度の温度漸増が有利であった。脱バインダー中の質量損失は、グリーンを造形後に清浄したか又はしなかったかに依存して異なり、8−11重量%であった。重量%における質量損失は、((m(造形物)−m(脱バインダーされたもの))/m(造形物))*100のように算出された。
脱バインダー(超臨界溶媒)
脱バインダー試行はまた、振動超臨界COを使用して、30MPa(300)barの圧力及び55−65℃の温度で4.5時間、28.5時間までの間で取り掛かった。得られたグリーンは亀裂がなかった。加えて、得られた焼結複合体は外部亀裂を示さず、主要な欠陥は検出されなかった。表1に詳述するパラメータ構成に基づいて、超臨界溶媒加工に取り掛かった。
Figure 0006929268
焼結、Si溶浸及び高密度化
第2の脱バインダー工程を、流動水素下で500℃まで、約1℃/分の温度傾斜を用いて適用した。Si溶浸を、真空下で、高速傾斜温度(約50℃/分)を使用して1650℃(1700℃)の温度まで実施した。10分後、本体が完全に溶浸されると、9.5MPa(95bar)のAr圧力を印加し、これは高密度化、すなわち最終密度の増加及び多孔度の低減における助力となった。ダイヤモンドブラウン体を、大過剰のケイ素塊(200重量%、坩堝の底に置いた)と共に、hBNコーティングしたグラファイト坩堝に入れた。使用したケイ素は、LECO分析により99.4重量%のケイ素含有量及び0.004%の酸素含有量を有し、10−100mmの粒度を有する、Elkemからの微細Silicon99−Si 30 015であった。1650℃、9.5MPa(95bar)、アルゴン下における追加の10分後、試料を自由に放冷した。
Zrカプセルを使用した焼結及びHIP溶浸
Si溶浸は、任意選択的に熱間等方気体圧(HIP)加工及び/又は高圧高温(HPHT)加工により、ダイヤモンド粉末に高圧及び高温を適用して達成され得て、融解及びSi溶浸を提供する。
次に、ブラウン体を、ブラウン体を完全に取り囲む高密度にパッキングされたケイ素粉末ブレンドと共に、底部を密封したZrカプセルに入れ得る。ジルコニウムカプセルは、純度≧92.2重量%及びHf含有量≦4.5重量%を有する市販グレードのZrを用いた管から製造され得る。Si粉末ブレンドは、LECO分析により99.5重量%の純度及び0.119重量%の酸素含有量を有し、0.2−0.8mmの粒度を有する、Elkemからの86重量%の粗粉Silgrain(登録商標)、並びにLECO分析により98%の純度及び0.059重量%の酸素含有量を有し、20−300マイクロメートルの粒度を有する、ElkemからのSilgrain HQの混合物であり得る。Siブレンドのタップ密度は、カプセルを満たす間に実施されたものと同じようなやり方で、それに続くカップの手動タッピング中に、較正体積(フォードカップ)をSi粉末ブレンドで満たし、次に重量を測定することにより測定されて約1.36g/cmであり得て、これはケイ素の理論上の焼結密度の約58%に相当する。カプセルを満たした後、溶着により密封され得る。次に、密封カプセルは、HIP炉内に配置され得て、真空下で温度を400℃まで上昇させた。400℃における30分の保持時間後、アルゴン気体圧を4.0MPa(40bar)まで急速に上げ得て、次に温度を16℃/分で1300℃まで上昇させ得る。1300℃において、圧力は100MPa(1000bar)までおよそ55分間で一定温度で、続いて1570℃の最大焼結温度及び112.5MPa(1125bar)の最大圧力に20分後に到達するまで、温度及び圧力の同時漸増で上昇させ得る。次に、カプセルを、圧力放出中に自由に放冷し得る。
ブラスト及びエッチング
次に、Si溶浸に続いて得られたグリーン体を加工して、過剰のケイ素を表面から且つ内部的に除去した。内部の過剰Si除去は、2%のHF及び20%のHNOの水溶液が入れてあるバスにグリーン体を約24時間導入し、インサートを取り囲むSi残留物を除去することにより達成した。外部の過剰Si除去は、SiCグリットを用いたグリットブラスターを使用して達成した。SiCグリットは、焼結体からSiを除去したが、本体自体を摩損せず、本体が良好に焼結され非常に高い硬度及び摩損耐性を有することが示された。
品質管理
密度、CT及び視覚的管理を全試料に関して使用して、目標密度は≧3.23g/cm、32重量%のダイヤモンド、約30体積%のダイヤモンドに相当する64重量%のSiC及び6重量%のSi、62体積%のSiC及び8体積%のSiであり、これは最小の所望のダイヤモンド含有量及び最大の可能な残留Si含有量と考えられる。Siは最低密度を有し、遊離Siの減少は密度増加に対して好ましい影響を及ぼすことが理解されよう。HIPプロセス中に、特定の体積収縮、すなわち数パーセントの線収縮が起きる。焼結体はまた、純粋にSi溶浸された部分と比較すると、焼結密度を著しく増大させるジルコニウムも含有する。本体の密度は、典型的には約3.5g/cmであった。
焼結体は、欠陥検出のためにCTスキャンを行った。使用したCTシステムは、GE Sensing and Inspection Technologiesからのv|tome|x s240であり、以下の設定を用いた:倍率9.1;ボクセルサイズ(解像度)22μm;X線電圧80kV;X線電流270μA;X線フィルター(Cu)0.1mm;検出タイミング200ミリ秒;検出器平均3;検出器スキップ1;検出器感度4;投影数1200。
焼結ダイヤモンド複合体
実施例1 (LCM造形キューブ)
3次元のキューブグリーン体を、PSD1ダイヤモンドフィードを含有するスラリーから、図1に関連して記載されたリソグラフィプロセスに基づき、スラリー調製及びグリーン造形における手順に基づいて造形した。50μmの層造形厚さを利用した。得られたグリーン体中のダイヤモンド密度は、およそ54%であり、グリーン体(重合可能なバインダー及び他の添加物を除外した)におけるダイヤモンドの質量を、ダイヤモンドのX線密度(3.52g/cm)で除することにより得られたグリーン体の体積で除して、100を乗じることにより算出された。得られたグリーン体を、0.3℃/分のゆっくりとした傾斜温度を使用して、220℃の最大脱バインダー温度まで、空気中で注意深く脱バインダーした。脱バインダープロセスは、ブラウン体中の残留炭素を保持することが(脱バインダーされたグリーンの)強度のために望ましいため、意図的に完結しなかった。炭化物形成の溶浸材(ケイ素)で溶浸すると、残留炭素が作用し、炭化物を形成して、消費されるダイヤモンドの量を低減する。ブラウン中の過剰な残留炭素は溶浸を妨害して、特にブラウン体の内部領域における大多孔度/黒鉛化をもたらすため、加工パラメータに基づいて脱バインダープロセスを最適化した。
次に、ブラウン体をグラファイトキュービクル中に置き、焼結/Si溶浸を、上に詳述するように、10−100mmの粒度を有する、Elkemからの純度99.4%の微細Silicon99−Si30 015を使用して実施した。焼結後、上に詳述するように、キューブをSiCグリットブラストにより処理して、表面上の残留Siを除去した。キューブを秤量し、密度をアルキメデス法を使用して決定して、結果を表2に示した。
Figure 0006929268
焼結インサートを、インサートチップを最上部から〜2mmの深さまで注意深く機械的研磨することにより調製し、最終研磨工程を1μmのダイヤモンドペーストで実施した。図2及び図3は、立方晶ダイヤモンド−炭化ケイ素の複合体の(異なる倍率の)SEM画像である。ダイヤモンド粒は黒色であり、炭化ケイ素相は薄い灰色であり、残留ケイ素は白色領域として示されていることに留意されたい。ダイヤモンド分布は、残留ケイ素が存在する「大きい」領域がなく、均一であることが分かる。この画像はまた、得られた焼結複合体内のプリント層は、各層が、50μmの層厚さに相当する細く明るい線/帯により分離されていることを明らかに例証している。
実施例2 LCM造形ノズル
3次元のノズルグリーン体を、実施例1に詳述するように、80重量%のPSD1ダイヤモンドフィードと共に20重量%の有機添加剤を含有するスラリーから構築した。グリーン体ノズルを積層で構築し、12mmの全高さを含み、7.75mmの直径及び2.1mmの高さを有する環状溝により分離される9.85mmの直径の2のネガティブ部分を伴う。ノズルは、1.3mmから3mmの直径の穴サイズを有する内部穴を含んだ。得られたグリーンを、0.5℃/分でゆっくりと温度傾斜させ、150℃及び190℃において60分間保持し、その後0.3℃/分の温度傾斜により240℃の最大脱バインダー温度まで加熱を続けて、空気中で注意深く脱バインダーした。次に、ブラウン体をグラファイトキュービクル中に置き、焼結/Si溶浸を、「焼結−Si溶浸及び高密度化」において上述するように、10から100mmの粒度を有する、Elkemからの純度99.4%の微細Silicon99−Si30 015を使用して実施した。焼結後、上に詳述するように、ノズルを酸処理し、続いてSiCグリットブラストにより処理して、内部的に且つ表面上の残留Siを除去した。ノズルを秤量し、密度をアルキメデス法を使用して決定して、結果を表3に示した。
Figure 0006929268
表面粗さ分析を、Wyko NT9100を使用して470.3×627.1μmの表面上で実施した。倍率は10.1、視野は1.0倍であった。結果を表4に示す。
Figure 0006929268
CAD図に関連した焼結体の外側寸法をノズルの異なる部分で測定し、Nikonレーザヘッドを装備したMitutoyo CMM(三次元測定機)を使用して全体の外表面をスキャンし、Fokusソフトウェアを利用することにより実施した。OD9.88mmを有するネガティブ部分に関する焼結部分におけるCADモデルからの差分は、−0.076mm−−0.040mmであり、OD7.75mmを有するグリーン部分に関するCADモデルからの差分は、−0.031−−0.016mmであった。本開示の溶浸及び焼結プロセス中に、脱バインダーされたグリーン体の大きさ及び形状は維持され、焼結体の寸法は、造形グリーンと比較して、少なくとも1.5%内である。
実施例3 LCM造形成形体
全体的に湾曲した外表面を有する3次元成形体を、実施例1に詳述するように、80重量%のPSD1ダイヤモンドフィードと共に20重量%の有機添加剤を含有するスラリーから造形した。得られたグリーンを、亀裂を回避するために、0.5℃/分のゆっくりとした傾斜温度と、所定の温度における保持時間とを使用して、空気中で注意深く脱バインダーした。亀裂は、LOM及びX線CTにより検査すると、ブラウン中に見出されなかった。次に、ブラウン体をグラファイトキュービクル中に置き、焼結/Si溶浸を、上述するように、10−100mmの粒度を有する、Elkemからの純度99.4%の微細Silicon99−Si30 015を使用して実施した。焼結後、上に詳述するように、成形体をSiCグリットブラストにより処理して、表面上の残留Siを除去した。本体を秤量し、密度をアルキメデス法を使用して決定して、結果を表5に示した。
Figure 0006929268
表面粗さ分析を、Wyko NT9100を使用して470.3×627.1μmの表面上で実施した。倍率は10.1、視野は1.0倍であった。
Figure 0006929268
CAD図に関連した焼結体の外側寸法を成形体の異なる部分で測定し、Nikonレーザヘッドを装備したMitutoyo CMM(三次元測定機)を使用して全体の外表面をスキャンし、Fokusソフトウェアを利用することにより実施した。造形グリーンの寸法を焼結体の寸法と比較すると、グリーン体に関するCADモデルからの差分は、最終的に得られた本体と比較すると、放射状部分の外側寸法を見て−0.023mm−−0.014mmであった。
図4は、焼結体には亀裂及び大多孔度のような内部欠陥がないことを示している、実施例3に基づくLCM造形成形体のCT画像である。
実施例4 LCM超臨界溶媒中で脱バインダーされた造形キューブ
3次元のキューブグリーン体を、実施例1に基づいて、PSD1ダイヤモンドフィードを含有するスラリーから造形した。実施例1からの発展として、脱バインダーを、超臨界COを使用して、24時間、60℃の温度及び30MPa(300bar)の圧力で、表1及び脱バインダー(超臨界溶媒)における脱バインダープロセスに基づいて、LCMバインダーを抽出することにより実施した。亀裂又は内部欠陥は、LOM及びX線CTにより検査すると、ブラウン中又は焼結部分に見出されなかった。本体を秤量し、アルキメデス法を使用して密度を決定し、結果を表7に示した。
Figure 0006929268
図5は、実施例4に基づく、LCM造形の超臨界脱バインダーされ且つ焼結されたキューブのCT画像である。
実施例5 LCM造形成形体
一般に湾曲した外表面を有する3次元成形体を、実施例1に詳述するように、80重量%のPSD2ダイヤモンドフィードと共に20重量%の有機添加剤を含有するスラリーから造形した。実施例1からの発展として、脱バインダーを、超臨界COを使用して、24時間、60℃の温度及び30MPa(300bar)の圧力で、表1及び脱バインダー(超臨界溶媒)における脱バインダープロセスに基づいて、LCMバインダーを抽出することにより実施した。亀裂又は内部欠陥は、LOM及びX線CTにより検査すると、ブラウン体中に見出されなかった。次に、ブラウン体をグラファイトキュービクル中に置き、焼結/Si溶浸を、上述するように、Okmeticからの純度>99%のCZ−Siliconウエハを使用して実施した。焼結後、上に詳述するように、成形体をSiCグリットブラストにより処理して、表面上の残留Siを除去した。本体を秤量し、アルキメデス法を使用して密度を決定し、結果を表8に示した。
Figure 0006929268
図6は、焼結体には亀裂及び大多孔度などの内部欠陥がないことを示している、実施例5に基づくLCM造形の超臨界脱バインダーされ且つ焼結された成形体のCT画像である。
真空中で1650℃における低圧力焼結−溶浸(比較研究)
実施例6 先行技術製造された部品の表面粗さ
均質のスラリーを、ダイヤモンド粉末調製に記載されるPSD1ダイヤモンド混合物を使用して、次に一時的有機バインダーとしてPEG1500及びPEG4000と共に、流体として脱イオン水を添加して調製した。スラリーを噴霧造粒してプレス用細粒を生成し、粉末中の有機バインダーの量は、23体積%に相当する9.26重量%であった。細粒をグリーン体の単軸プレスにおいて使用して、典型的には鉱業用操作(削岩)において使用される工具チップ(ボタン)の形状に、使用された圧縮技術を用いて可能な限り高密度のグリーンにした。グリーン体の圧縮のために印加された力は典型的には30−50kNであり、プレス工具は高耐摩耗性の接合炭化物グレードから作製された。グリーン体における相対的ダイヤモンド密度は、およそ60%であった。百分率における相対的ダイヤモンド密度は、グリーン体(一時的有機バインダー及び他の添加物を除外した)におけるダイヤモンドの質量を、プレス工具図からダイヤモンドのX線密度(3.52g/cm)で除して得られたグリーン体の体積で除して、100を乗じることにより算出された。圧縮技術及び本体の形状に応じて、密度はグリーン体の異なる部分間でわずかに変化し得る。グリーン体を、脱バインダー(熱処理)に記載されるように脱バインダーし、更なる処置のために十分な強度のブラウン体(ホワイト体)を作製した。
ダイヤモンドブラウン体を、大過剰のケイ素塊(200重量%、坩堝の底に置いた)と共に、hBNコーティングしたグラファイト坩堝に入れた。使用したケイ素は、LECO分析により99.4重量%のケイ素含有量及び0.004%の酸素含有量を有し、10−100mmの粒度を有する、Elkemからの微細Silicon99−Si 30 015であった。
次に、ブラウン体をグラファイトキュービクル中に置き、焼結/Si溶浸を、上に詳述するように、10−100mmの粒度を有する、Elkemからの純度99.4%の微細Silicon99−Si30 015を使用して実施した。焼結後、上に詳述するように、キューブをSiCグリットブラストにより処理して、表面上の残留Siを除去した。本体を秤量し、アルキメデス法を使用して密度を決定し、結果を表9に示した。
表面粗さ分析を実行し、表10に示した。次に、インサートのドーム形状の最上部をダイヤモンドグリットにより研磨し、微細構造をSEMを使用して調査した。
Figure 0006929268
Figure 0006929268
表10-ダイヤモンド複合体鉱業用インサート(実施例6)の表面粗さ
図7は、切れ刃(ドーム形状の最上部)(TD)、並びに外径(OD)及び高さ(h)を示した、実施例6に記載される鉱業用インサートの図である。図8は、実施例6における鉱業用インサートの部分的に研磨された切れ刃(ドーム形状の最上部)の焼結構造の95倍後方散乱SEM画像である。画像中に、大きい白色Si−レーキと同様に砕かれていない細粒が明らかに視認される。(ダイヤモンド=黒色、SiC=薄い灰色、残留Si=白色)。

Claims (14)

  1. 積層構造を有するダイヤモンド複合体を調製する方法であって、
    − 少なくとも1のラジカル重合可能な基を有する単官能基モノマー又は単官能基ポリマーを含む重合可能なバインダー、開始剤及びダイヤモンド粒子を含有するスラリーを調製することと;
    − ダイヤモンド粒子及び一時的バインダー及び開始剤を含有する前記スラリーの段階的照射硬化により積層構造グリーン体を形成することと;
    − 前記積層構造グリーン体を脱バインダーすることにより、少なくとも30体積%のダイヤモンド粒子を含むホワイト体を形成することと;
    − 前記ホワイト体に、ケイ素及びケイ素組成物から選択される溶浸材を導入することと、
    − 初期段階として、第1の圧力において、10から60℃/分の速度での漸増的温度上昇により最大焼結温度まで前記ホワイト体を加熱することにより、前記ホワイト体を焼結することと
    を含む、方法。
  2. 前記ダイヤモンド粒子が、200μm以下の粒度を含む、請求項1に記載の方法。
  3. 前記ダイヤモンド粒子が、100μm以下の粒度を含む、請求項1又は2に記載の方法。
  4. 脱バインダー工程が、
    漸増的温度上昇により、第1の脱バインダー温度まで前記グリーン体を加熱することを含み、前記脱バインダー温度は200℃から600℃の範囲であり、前記漸増的温度上昇は0.1から2℃/分の漸増を含む、請求項1から3の何れか一項に記載の方法。
  5. 脱バインダー工程が、グリーン体を超臨界流体に曝露することを含む、請求項1から3の何れか一項に記載の方法。
  6. 更なる段階において、前記第1の圧力より大きい第2の圧力で前記ホワイト体を加熱し続けることを更に含む、請求項1から5の何れか一項に記載の方法。
  7. 前記初期段階中の前記最大焼結温度が、850から1750℃の範囲である、請求項6に記載の方法。
  8. 第2の段階における前記第2の圧力が、前記初期段階における前記第1の圧力より少なくとも50%大きい、請求項6又は7に記載の方法。
  9. 30から65体積%のダイヤモンド粒子含有量を有するダイヤモンド複合体物品であって、
    30体積%超のダイヤモンド粒子を含有する層とその間の30体積%未満のダイヤモンド粒子を含有する層とを有し、30体積%超のダイヤモンド粒子を含有する層の厚さが25から200マイクロメートルの範囲であり、30体積%未満のダイヤモンド粒子を含有する層の厚さが1から15マイクロメートルの範囲である積層微細構造体を含み、
    バインダーがSiCである、ダイヤモンド複合体物品。
  10. 30体積%超のダイヤモンド粒子を含有する層の厚さが25から100マイクロメートルの範囲である、請求項9に記載のダイヤモンド複合体物品。
  11. 均一な表面領域粗さが、<4マイクロメートルである、請求項9又は10に記載のダイヤモンド複合体物品
  12. 均一な表面領域粗さが、<3マイクロメートルである、請求項11に記載のダイヤモンド複合体物品。
  13. 請求項9から12の何れか一項に記載のダイヤモンド複合体物品の使用であって、
    摩耗部品、医療用インプラント、削岩物体、インサートの製造のための、又は切削、旋削、穿孔及び硬質材料の加工において使用される物体の製造のための、使用。
  14. 前記物体が、高温環境又は高温及び酸性環境において使用される、請求項13に記載の使用。
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