JP6929150B2 - 半導体装置、その製造方法、液体吐出ヘッド及び液体吐出装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置、その製造方法、液体吐出ヘッド及び液体吐出装置に関する。

液体吐出ヘッドとして代表的なインクジェットヘッドを用いた記録方式の１つに、発熱抵抗素子でインクを加熱することによって発泡させ、この気泡を利用してインクを吐出する方式がある。特許文献１には、半導体基板上に順次積層された材料の少なくともいずれかを平滑化することで、インクジェット用基板の上部保護膜を平滑化でき、ノズル構成部材の密着性を向上させることが記載されている。

特開２００２−１４４５７１号公報

液体吐出装置に求められる技術の１つとして配線層の多層化がある。特許文献１では、発熱抵抗素子の下にすべての配線層が形成されているので、発熱抵抗素子を覆っている保護層の上面の平滑性を維持しつつ配線層の層数を増やすことが困難であった。本発明は、導電層の配線レイアウトの自由度を向上することを目的とする。

上記課題に鑑みて、液体吐出ヘッドに用いられる半導体装置であって、配線層及び前記配線層の上に形成された絶縁部材を含む多層配線層と、前記絶縁部材の上に且つ接して配されており、前記配線層と電気的に接続されている発熱抵抗素子と、前記絶縁部材の上に且つ接して配されている金属部材と、前記金属部材の上面を覆っており、前記金属部材を通じて前記配線層と電気的に接続されている導電部材と、を備え、前記導電部材の電気抵抗率は、前記金属部材の電気抵抗率及び前記発熱抵抗素子の電気抵抗率よりも低く、前記発熱抵抗素子と前記金属部材とは、互いに離間していることを特徴とする半導体装置が提供される。

上記手段により、導電層の配線レイアウトの自由度が向上する。

第１実施形態の半導体装置の構造例を説明する図。 第１実施形態の半導体装置の製造方法例を説明する図。 第１実施形態の半導体装置の製造方法例を説明する図。 第２実施形態の半導体装置の構造例を説明する図。 第２実施形態の半導体装置の製造方法例を説明する図。 その他の実施形態を説明する図。

添付の図面を参照しつつ本発明の実施形態について以下に説明する。様々な実施形態を通じて同様の要素には同一の参照符号を付し、重複する説明を省略する。また、各実施形態は適宜変更、組み合わせが可能である。以下に説明される半導体装置は、液体吐出ヘッドに基板として搭載され、複写機、ファクシミリ、ワードプロセッサ等の液体吐出装置に用いられる。

＜第１実施形態＞
図１の模式図を参照して、第１実施形態に係る半導体装置１００の構成について説明する。図１（ａ）は半導体装置１００の一部分に着目した断面模式図であり、図１（ｂ）は発熱抵抗素子１１３及びその周辺に着目した平面模式図である。図１（ｂ）では、耐キャビテーション層１１８、密着保護層１１９、ノズル部材１２０、インク吐出口１２１について輪郭を示す。

半導体装置１００は、図１（ａ）に示す各構成要素を備える。半導体基板１０１に、発熱素子の駆動のためのＭＯＳトランジスタを構成するゲート酸化膜１０３及びゲート電極１０４、ソース／ドレイン領域１０５が配されている。また、半導体基板１０１に、ＭＯＳトランジスタなどの素子を分離するための素子分離領域１０２（例えばＬＯＣＯＳ）が配されている。

半導体基板１０１の上に層間絶縁層１０６が配されている。層間絶縁層１０６の上に配線層１０７が配されている。ゲート電極１０４及びソース／ドレイン領域１０５と配線層１０７とは、導電プラグ１０８によって互いに接続されている。例えば、層間絶縁層１０６は、熱ＣＶＤ法で成膜されたＢＰＳＧ膜やプラズマＣＶＤ法で成膜されたＳｉＯ膜で形成される。配線層１０７は、Ｔｉ／ＴｉＮなどのバリアメタルを含むＡｌＣｕ膜で形成される。導電プラグ１０８は、Ｔｉ／ＴｉＮなどのバリアメタルを含むＷ膜で形成される。

層間絶縁層１０６及び配線層１０７の上に層間絶縁層１０９が配されている。層間絶縁層１０９の上に配線層１１０が配されている。配線層１０７と配線層１１０とは、導電プラグ１１１によって互いに接続されている。例えば、層間絶縁層１０９は、プラズマＣＶＤ法で成膜されたＳｉＯ膜で形成される。配線層１１０は、Ｔｉ／ＴｉＮなどのバリアメタルを含むＡｌＣｕ膜で形成される。導電プラグ１１１は、Ｔｉ／ＴｉＮなどのバリアメタルを含むＷ膜で形成される。

層間絶縁層１０９及び配線層１１０の上に層間絶縁層１１２が配されている。例えば、層間絶縁層１１２は、プラズマＣＶＤ法で成膜されたＳｉＯ膜で形成されている。ＳｉＨ_４ガスを用いたＣＶＤ法で形成されたＳｉＯ膜は膜中に含まれる水分が少ないので、インク吐出時の発熱抵抗素子１１３の酸化が抑制される。その結果、発熱抵抗素子１１３の抵抗変動を低減できる。

層間絶縁層１１２の上に、発熱抵抗素子１１３及び金属部材１１６が配されている。金属部材１１６の上に導電部材１１４が配されている。導電部材１１４は、金属部材１１６の上面を覆っており、金属部材１１６の上面に接している。導電部材１１４の側面と金属部材１１６の側面とは同一面を形成している。発熱抵抗素子１１３と配線層１１０とは、導電プラグ１１５ａによって互いに接続されている。金属部材１１６と配線層１１０とは、導電プラグ１１５ｂによって互いに接続されている。

上述のように、半導体基板１００は、配線層１０７、１１０と、その上に形成された絶縁部材である層間絶縁層１０９、１１２とを含む多層配線層を含む。発熱抵抗素子１１３及び金属部材１１６は、この多層配線層の上に配されており、多層配線層に含まれる配線層１０７、１１０と電気的に接続されている。導電部材１１４は、金属部材１１６を通じて、多層配線層に含まれる配線層１０７、１１０と電気的に接続されている。

発熱抵抗素子１１３及び金属部材１１６はそれぞれ、層間絶縁層１１２の上に且つ接して配されている。発熱抵抗素子１１３と金属部材１１６とは、互いに離間しており、同じ層に含まれる。具体的に、発熱抵抗素子１１３と金属部材１１６とは、層間絶縁層１１２の上面から等しい高さに位置する。発熱抵抗素子１１３と金属部材１１６とは、同じ材料、例えばＴａＳｉＮやＷＳｉＮなどで形成されている。導電部材１１４は、例えばＡｌＣｕで形成されている。したがって、導電部材１１４の電気抵抗率は、金属部材１１６の電気抵抗率及び発熱抵抗素子１１３の電気抵抗率よりも低い。そのため、導電部材１１４は配線層として機能できるので、配線層を更に多層化することが可能となり、導電層の配線レイアウトの自由度が向上する。

発熱抵抗素子１１３及び導電部材１１４の上に、保護層１１７、耐キャビテーション層１１８、密着保護層１１９、ノズル部材１２０が配されている。保護層１１７は、発熱抵抗素子１１３及び導電部材１１４をインクから保護するための層である。例えば、保護層１１７は、窒化シリコンで形成される。保護層１１７は、発熱抵抗素子１１３の上面及び側面と、導電部材１１４の上面及び側面と、金属部材１１６の側面と、層間絶縁層１１２のうち発熱抵抗素子１１３及び金属部材１１６で覆われていない部分とを覆っている。

耐キャビテーション層１１８は、インク吐出時の気泡が消泡する際に生じるキャビテーションから発熱抵抗素子１１３及び保護層１１７を保護するための層である。例えば、耐キャビテーション層１１８は、ＴａやＩｒなどの耐食性の高い遷移金属の単層又は積層膜で形成される。耐キャビテーション層１１８は、保護層１１７を介して発熱抵抗素子１１３を覆っている。

密着保護層１１９は、耐キャビテーション層１１８とノズル部材１２０との密着性を向上させるための層である。例えば、密着保護層１１９は、ＳｉＯ膜、ＳｉＮ膜などで形成されてもよいし、これよりもインク溶解耐性が高いＳｉｘＣｙＮｚ膜で形成されてもよい。密着保護層１１９は、発熱抵抗素子１１３の上部に開口を有する。

ノズル部材１２０は、インク流路を構成する。例えば、ノズル部材１２０は、ポリエーテルアミド樹脂で形成される。ノズル部材１２０は、発熱抵抗素子１１３の上部にインク吐出口１２１を有する。発熱抵抗素子１１３は、インク吐出口１２１と層間絶縁層１１２との間に位置する。半導体装置１００にインクが供給されている状態で、発熱抵抗素子１１３で発生した熱エネルギーがインクチャンバーに伝わると、インクが発泡し、この気泡によって押し出されたインクがインク吐出口１２１より吐出される。

続いて、図２及び図３を参照して、半導体装置１００の製造方法について説明する。まず、図２（ａ）に示すように、半導体基板１０１の上に、複数の層間絶縁層１０６、１０９、１１２と、複数の配線層１０７、１１０と、導電プラグ１０８、１１１、１１５ａ、１１５ｂとを有する構造を形成する。以下、この構造を形成する具体的な方法について説明する。

まず、例えばＬＯＣＯＳ法により素子分離領域１０２を形成し、さらに各半導体領域を形成することなどによって、ゲート酸化膜１０３及びゲート電極１０４、ソース／ドレイン領域１０５を有する半導体基板１０１を形成する。

続いて、熱ＣＶＤ法にてＢＰＳＧ膜を成膜するか、プラズマＣＶＤ法にてＳｉＯ膜を成膜し、ＣＭＰ法による平坦化を行うことによって層間絶縁層１０６を形成される。層間絶縁層１０６の形成後に、層間絶縁層１０６にコンタクトホールを開口し、スパッタ法によりバリアメタル膜であるＴｉ／ＴｉＮ膜を成膜し、ＣＶＤ法によりＷ膜を成膜する。その後、ＣＭＰ法やエッチバック法により、コンタクトホール内のＷ膜以外を除去することによって、導電プラグ１０８を形成する。

続いて、スパッタ法によりＡｌＣｕ膜（Ｃｕが０．５（ａｔｍ％）添加されたＡｌ膜）を成膜し、フォトリソグラフィ―工程及びドライエッチング工程によって配線層１０７を形成する。その後、層間絶縁層１０６、導電プラグ１０８及び配線層１０７と同様の手順で、層間絶縁層１０９、導電プラグ１１１、配線層１１０を形成する。

続いて、プラズマＣＶＤ法でＳｉＯ膜を成膜し、ＣＭＰ法による平坦化を行うことにより、層間絶縁層１１２を形成する。層間絶縁層１１２にコンタクトホールを開口し、スパッタ法によりバリアメタル膜であるＴｉ／ＴｉＮ膜を成膜し、ＣＶＤ法によりＷ膜を成膜する。その後、ＣＭＰ法により、コンタクトホール内のタングステン以外を除去することによって、導電プラグ１１５ａ、１１５ｂを形成する。これら配線層形成を繰り返すことにより、さらに配線層を多層化することが可能である。ＡｌＣｕのスパッタリングによる成膜及びドライエッチング工程により配線層を形成する代わりに、絶縁層に金属膜を埋め込みで形成するダマシン法を用いてＣｕで配線層を形成してもよい。以上によって、半導体基板１０１の上に、配線層１０７、１１０と、その上に形成された絶縁部材である層間絶縁層１０９、１１２とを含む多層配線層が形成される。

続いて、図２（ｂ）に示すように、層間絶縁層１１２の上に発熱抵抗膜２０１を形成し、発熱抵抗膜２０１の上に導電膜２０２を形成する。例えば、発熱抵抗膜２０１は、ＴａＳｉＮやＷＳｉＮをスパッタリング法により成膜することで形成される。導電膜２０２は、ＡｌＣｕをスパッタリング法により成膜することで形成される。

続いて、図３（ａ）に示すように、発熱抵抗膜２０１及び導電膜２０２によって構成される積層膜をフォトリソグラフィ―工程及びドライエッチング工程によりパターニングすることによって、互いに離間した複数の積層体を形成する。１つの積層体に含まれる発熱抵抗膜２０１の一部は発熱抵抗素子１１３となり、別の積層体に含まれる発熱抵抗膜２０１の一部は金属部材１１６となる。パターニングされた導電膜２０２の一部は、導電部材１１４となる。

続いて、図３（ｂ）に示すように、除去されなかった導電膜２０２のうち、半導体装置１００で使用される部分をフォトレジスト２０３で覆う。その後、１つの積層体に含まれる導電膜２０２のうち、発熱抵抗素子１１３の上にある一部を除去することによって、発熱抵抗素子１１３を形成する。導電膜２０２がＡｌＣｕ膜であるので、発熱抵抗素子１１３にプラズマダメージを与えないようにするために、この工程においてドライエッチ法ではなくウェットエッチ法を用いてもよい。この方法では、発熱抵抗素子１１３への物理的な損傷も軽減される。

その後、フォトレジスト２０３を除去し、保護層１１７、耐キャビテーション層１１８、密着保護層１１９及びノズル部材１２０を形成することによって、図１の半導体装置１００が形成される。例えば、保護層１１７は、プラズマＣＶＤ法によりＳｉＮ膜を成膜することによって形成される。耐キャビテーション層１１８は、スパッタリング法によりＴａ、Ｉｒなどの耐キャビテーション膜材料を成膜した後、この膜をフォトリソグラフィ―工程及びドライエッチ工程によってパターニングすることで形成される。密着保護層１１９は、プラズマＣＶＤ法にてＳｉＯ膜、ＳｉＮ膜、ＳｉｘＣｙＮｚ膜などからなる密着保護層材料を成膜した後、耐キャビテーション層１１８上の一部を開口することによって形成される。ノズル部材１２０は、ポリエーテルアミド樹脂でインク流路を形成し、インク吐出口１２１の開口を形成することによって形成される。

＜第２実施形態＞
図４の模式図を参照して、第２実施形態に係る半導体装置４００の構成について説明する。図４は半導体装置４００の一部分に着目した断面模式図である。以下では半導体装置１００と半導体装置４００との相違点について説明する。半導体装置４００について説明を省略した構成は半導体装置１００と同様であってもよい。

半導体装置４００は、金属部材４０３及び導電部材４０２を更に備える。金属部材４０３と配線層１１０とは導電プラグ１１５ｃによって互いに接続されている。金属部材４０３の材料や構成は金属部材１１６のそれと同じであってもよい。導電部材４０２の材料や構成は導電部材１１４のそれと同じであってもよい。

保護層１１７及び密着保護層１１９は、導電部材４０２の上面の一部を露出するパッド開口部４０１を有する。すなわち、導電部材４０２の上面のうち露出した部分は外部接続用のパッドとして機能する。具体的に、このパッドは、半導体装置１００の外部から電力の供給を受けるためのパッドであってもよい。

続いて、図５を参照して、半導体装置４００の製造方法について説明する。第１実施形態と同様にして、図２（ｂ）の構造を生成する。その後、図５（ａ）に示すように、発熱抵抗膜２０１及び導電膜２０２によって構成される積層膜をフォトリソグラフィ―工程及びドライエッチング工程によりパターニングすることによって、互いに離間した複数の積層体を形成する。１つの積層体に含まれる発熱抵抗膜２０１の一部は発熱抵抗素子１１３となり、別の積層体に含まれる発熱抵抗膜２０１の一部は金属部材１１６となり、さらに別の積層体に含まれる発熱抵抗体２０１の一部は金属部材４０３となる。１つの積層体に含まれる導電膜２０２の一部は導電部材１１４となり、別の積層体に含まれる導電膜２０２の一部は導電部材４０２となる。

続いて、図５（ｂ）に示すように、除去されなかった導電膜２０２のうち、半導体装置４００で使用される部分をフォトレジスト５０２で覆う。その後、１つの積層体に含まれる導電膜２０２のうち、発熱抵抗素子１１３の上にある一部を除去することによって、発熱抵抗素子１１３を形成する。その後、フォトレジスト２０３を除去し、保護層１１７、耐キャビテーション層１１８、密着保護層１１９及びノズル部材１２０を形成する。さらに、保護層１１７及び密着保護層１１９のうち導電部材４０２を覆う部分に開口を形成することによって、図４の半導体装置４００が形成される。

＜その他の実施形態＞
図６（ａ）は、インクジェット方式のプリンタ、ファクシミリ、コピー機等に代表される液体吐出装置１６００の内部構成を例示している。本例で液体吐出装置は記録装置と称されてもよい。液体吐出装置１６００は、所定の媒体Ｐ（本例では紙等の記録媒体）に液体（本例ではインク、記録剤）を吐出する液体吐出ヘッド１５１０を備える。本例では液体吐出ヘッドは記録ヘッドと称されてもよい。液体吐出ヘッド１５１０はキャリッジ１６２０の上に搭載され、キャリッジ１６２０は、螺旋溝１６０４を有するリードスクリュー１６２１に取り付けられうる。リードスクリュー１６２１は、駆動力伝達ギア１６０２及び１６０３を介して、駆動モータ１６０１の回転に連動して回転しうる。これにより、液体吐出ヘッド１５１０は、キャリッジ１６２０と共にガイド１６１９に沿って矢印ａ又はｂ方向に移動しうる。

媒体Ｐは、紙押え板１６０５によってキャリッジ移動方向に沿って押さえられており、プラテン１６０６に対して固定される。液体吐出装置１６００は、液体吐出ヘッド１５１０を往復移動させて、搬送部（不図示）によってプラテン１６０６上に搬送された媒体Ｐに対して液体吐出（本例では記録）を行う。

また、液体吐出装置１６００は、フォトカプラ１６０７及び１６０８を介して、キャリッジ１６２０に設けられたレバー１６０９の位置を確認し、駆動モータ１６０１の回転方向の切換を行う。支持部材１６１０は、液体吐出ヘッド１５１０のノズル（液体吐出口、或いは単に吐出口）を覆うためのキャップ部材１６１１を支持している。吸引部１６１２は、キャップ内開口１６１３を介してキャップ部材１６１１の内部を吸引することによる液体吐出ヘッド１５１０の回復処理を行う。レバー１６１７は、吸引による回復処理を開始するために設けられ、キャリッジ１６２０と係合するカム１６１８の移動に伴って移動し、駆動モータ１６０１からの駆動力がクラッチ切換等の公知の伝達機構によって制御される。

また、本体支持板１６１６は、移動部材１６１５及びクリーニングブレード１６１４を支持しており、移動部材１６１５は、クリーニングブレード１６１４を移動させ、ワイピングによる液体吐出ヘッド１５１０の回復処理を行う。また、液体吐出装置１６００には制御部（不図示）が設けられ、当該制御部は上述の各機構の駆動を制御する。

図６（ｂ）は、液体吐出ヘッド１５１０の外観を例示している。液体吐出ヘッド１５１０は、複数のノズル１５００を有するヘッド部１５１１と、ヘッド部１５１１に供給するための液体を保持するタンク（液体貯留部）１５１２とを備えうる。タンク１５１２とヘッド部１５１１とは、例えば破線Ｋで分離することができ、タンク１５１２を交換することができる。液体吐出ヘッド１５１０は、キャリッジ１６２０からの電気信号を受け取るための電気的コンタクト（不図示）を備えており、当該電気信号にしたがって液体を吐出する。タンク１５１２は、例えば繊維質状又は多孔質状の液体保持材（不図示）を有しており、当該液体保持材によって液体を保持しうる。

図６（ｃ）は、液体吐出ヘッド１５１０の内部構成を例示している。液体吐出ヘッド１５１０は、基体１５０８と、基体１５０８の上に配され、流路１５０５を形成する流路壁部材１５０１と、液体供給路１５０３を有する天板１５０２とを備える。基体１５０８は、上述の半導体装置１００、４００の何れであってもよい。また、吐出素子ないし液体吐出素子として、ヒータ１５０６（電気熱変換素子）が、液体吐出ヘッド１５１０が備える基板（液体吐出ヘッド用基板）に各ノズル１５００に対応して配列されている。各ヒータ１５０６は、当該ヒータ１５０６に対応して設けられた駆動素子（トランジスタ等のスイッチ素子）が導通状態になることによって駆動され、発熱する。

液体供給路１５０３からの液体は、共通液室１５０４に蓄えられ、各流路１５０５を介して各ノズル１５００に供給される。各ノズル１５００に供給された液体は、当該ノズル１５００に対応するヒータ１５０６が駆動されたことに応答して、当該ノズル１５００から吐出される。

図６（ｄ）は、液体吐出装置１６００のシステム構成を例示している。液体吐出装置１６００は、インターフェース１７００、ＭＰＵ１７０１、ＲＯＭ１７０２、ＲＡＭ１７０３及びゲートアレイ（Ｇ．Ａ．）１７０４を有する。インターフェース１７００には外部から液体吐出を実行するための外部信号が入力される。ＲＯＭ１７０２は、ＭＰＵ１７０１が実行する制御プログラムを格納する。ＲＡＭ１７０３は、前述の液体吐出用の外部信号や液体吐出ヘッド１７０８に供給されたデータ等、各種信号ないしデータを保存する。ゲートアレイ１７０４は、液体吐出ヘッド１７０８に対するデータの供給制御を行い、また、インターフェース１７００、ＭＰＵ１７０１、ＲＡＭ１７０３の間のデータ転送の制御を行う。

液体吐出装置１６００は、ヘッドドライバ１７０５、並びに、モータドライバ１７０６及び１７０７、搬送モータ１７０９、キャリアモータ１７１０を更に有する。キャリアモータ１７１０は液体吐出ヘッド１７０８を搬送する。搬送モータ１７０９は媒体Ｐを搬送する。ヘッドドライバ１７０５は液体吐出ヘッド１７０８を駆動する。モータドライバ１７０６及び１７０７は搬送モータ１７０９及びキャリアモータ１７１０をそれぞれ駆動する。

インターフェース１７００に駆動信号が入力されると、この駆動信号は、ゲートアレイ１７０４とＭＰＵ１７０１の間で液体吐出用のデータに変換されうる。このデータにしたがって各機構が所望の動作を行い、このようにして液体吐出ヘッド１７０８が駆動される。

１００ 半導体装置、１１３ 発熱抵抗素子、１１４ 導電部材、１１６ 金属部材

Claims (13)

1. 液体吐出ヘッドに用いられる半導体装置であって、
   配線層及び前記配線層の上に形成された絶縁部材を含む多層配線層と、
   前記絶縁部材の上に且つ接して配されており、前記配線層と電気的に接続されている発熱抵抗素子と、
   前記絶縁部材の上に且つ接して配されている金属部材と、
   前記金属部材の上面を覆っており、前記金属部材を通じて前記配線層と電気的に接続されている導電部材と、を備え、
   前記導電部材の電気抵抗率は、前記金属部材の電気抵抗率及び前記発熱抵抗素子の電気抵抗率よりも低く、
   前記発熱抵抗素子と前記金属部材とは、互いに離間していることを特徴とする半導体装置。
2. 前記発熱抵抗素子と前記金属部材とは、同じ材料で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記導電部材は、前記金属部材の上面に接していることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
4. 前記導電部材の側面と前記金属部材の側面とは同一面を形成していることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の半導体装置。
5. 前記発熱抵抗素子と前記配線層とは、導電プラグによって互いに接続されていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の半導体装置。
6. 前記発熱抵抗素子の上面と前記導電部材の上面とを覆う保護層を更に備えることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の半導体装置。
7. 前記導電部材の上面の一部は、外部接続用のパッドとして機能することを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の半導体装置。
8. 前記パッドは、前記半導体装置の外部から電力の供給を受けるためのパッドであることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
9. 吐出口を有するノズル部材を更に備え、
   前記発熱抵抗素子は、前記吐出口と前記絶縁部材との間に位置することを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の半導体装置。
10. 請求項１乃至９の何れか１項に記載の半導体装置と、前記半導体装置によって液体の吐出が制御される吐出口と、を備えることを特徴とする液体吐出ヘッド。
11. 請求項１０に記載の液体吐出ヘッドと、前記液体吐出ヘッドに液体を吐出させるための駆動信号を供給する供給手段と、を有することを特徴とする液体吐出装置。
12. 液体吐出ヘッドに用いられる半導体装置の製造方法であって、
    配線層及び前記配線層の上に配される絶縁部材を有する多層配線層を形成する工程と、
    前記絶縁部材の上に発熱抵抗膜を形成する工程と、
    前記発熱抵抗膜の上に導電膜を形成する工程と、
    前記発熱抵抗膜と前記導電膜との積層膜をパターニングすることによって、互いに離間した第１積層体及び第２積層体を形成する工程と、
    前記第１積層体に含まれる導電膜の一部を除去することによって発熱抵抗素子を形成する工程と、
    を有することを特徴とする製造方法。
13. 前記発熱抵抗素子を形成した後に、前記発熱抵抗素子と前記導電膜とを覆う保護膜を形成する工程と、
    前記保護膜のうち前記導電膜を覆う部分に開口を形成する工程と、
    を更に有することを特徴とする請求項１２に記載の製造方法。

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