JP6926632B2 - 表面処理装置および表面処理方法 - Google Patents
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Description
「プラズマ生成手段」とは、供給したガスの少なくとも一部をイオンや電子に電離した状態にする装置のことをいう。ガスを電離するための励起方法は、一例として誘導結合型や、容量結合型などの放電を用いた励起方法が挙げられるが、その他に例示される光励起型や熱励起型などいずれの励起方法でもよい。
図1を参照する。図1は、本発明の表面処理装置の一例を示した概略断面図である。本発明の表面処理装置は、真空容器1、並びに真空容器1内部に、基材3を保持するための基材保持機構4、プラズマ生成手段5及び周壁10を備える。真空容器1には、真空容器1内部の圧力を減圧し、減圧した圧力状態を維持するための排気手段2が接続されている。プラズマ生成手段5には、エネルギー供給源9が接続されている。基材保持機構4とプラズマ生成手段5は、基材保持機構4に保持された基材3の被処理面が、プラズマ生成手段5によってプラズマが生成されるプラズマ生成空間6と対向するように配置されている。周壁10は、プラズマ生成空間6および基材保持機構4を囲んでいる。周壁10には、周壁10で囲まれた空間11aへ向けて、周壁10の壁面に対して斜め方向に付着損失抑制ガスを吹き出す複数の第1のガス供給口12が形成されている。周壁10には付着損失抑制ガスの供給経路7aが接続されており、供給経路7aには空間11aへ吹き出す付着損失抑制ガスの流量を調整するための調整機構8aが接続されている。
図5に示す構成の表面処理装置を用いて、厚さ12μm、長さ70mmのポリエチレンテレフタラートフィルム(東レ株式会社製「ルミラー(登録商標)」)表面のドライエッチングを行った。表面処理の条件は以下の通り。
真空容器内圧力:5Pa
(電極構成条件)
放電方式:容量結合型 平行平板電極
アノード、カソード間距離:30mm
アノード、カソード高さ:200mm
アノード、カソード奥行き長さ:200m
周壁間距離:70mm
プラズマ生成空間と基材表面までの距離:50mm
第1のガス供給口の形状:幅1mm×奥行き方向長さ180mmのスリット
第1のガス供給口の配置:各周壁表面に4つ、周縁部同士の間隔6mm
付着損失抑制ガス供給角度:45°(基材保持機構側)
(表面処理条件)
第1のガス供給口から供給する付着損失抑制ガス種類:酸素
付着損失抑制ガス合計流量:0、400sccm
第2のガス供給口から供給するプラズマ励起用ガス種類:酸素
プラズマ励起用ガス流量:1000sccm
処理時間:1分
電源:RF電源(周波数:13.56MHz)
電力:300W。
(測定方法)
使用測定器:段差測定計
(株式会社小坂研究所製 Surfcorder ET4000A)
測定内容:長さ70mmの基材を5mm間隔で15箇所、各箇所3回ずつ測定し長さ方向に対するエッチングレートの平均値を算出。
電極構成条件の付着損失抑制ガスの供給方向をプラズマ励起用ガス供給口側に変更した以外は、実施例1と同じ条件でドライエッチングを行った。エッチングレートは71.1nm/minを示した。
表面処理条件の付着損失抑制ガスの種類をアルゴンに変更した以外は、実施例1と同じ条件でドライエッチングを行った。エッチングレートは75.7nm/minを示した。
表面処理条件の付着損失抑制ガスを供給しない以外は、実施例1と同じ条件でドライエッチングを行った。エッチングレートは59.8nm/minを示し、実施例1、2、3のいずれよりも低いエッチングレートを示した。
2 排気手段
3 基材
4 基材保持機構
5 プラズマ生成手段
6 プラズマ生成空間
7 ガス供給経路
8 ガス流量調整機構
9 エネルギー供給源
10 周壁
11 周壁によって囲まれた空間
12 第1のガス供給口
13 付着損失抑制ガス吹き出し方向
14a プラズマ生成空間から基材保持機構に向かう方向
14b プラズマ生成空間から基材保持機構に向かう方向に対して直交する方向
15 被覆面積
16 被覆方向
17 第1のガス供給口の周縁部同士の間隔
18 ガスの吹き出し方向と周壁の表面とのなす角度θ
19 スリット長辺
20 第2のガス供給口
21 アノード
22 カソード
23 ガス流れ方向
24 第3のガス供給口
25 プラズマ生成空間と基材の処理表面との距離
Claims (12)
- 真空容器と、
前記真空容器内を減圧し、その圧力を維持するための排気手段と、
前記真空容器内に備えられ、プラズマを生成するためのプラズマ生成手段と、
基材を保持するための基材保持機構であって、前記プラズマ生成手段によりプラズマが生成されるプラズマ生成空間に前記基材の処理面が対向するように配置された基材保持機構と、
前記プラズマ生成空間および前記基材保持機構を囲む周壁と、を備え、
前記周壁に、この周壁で囲まれた空間へ向けて、この周壁の壁面に対して斜め方向にガスを吹き出す複数の第1のガス供給口が形成され、
前記第1のガス供給口から供給されるガスの吹き出し方向が、前記プラズマ生成空間から前記基材保持機構側に向かう方向に直交する方向よりも基材保持機構側へ傾いている、基材の表面を処理する表面処理装置。 - 前記第1のガス供給口が孔状であり、
任意の前記第1のガス供給口をガス供給口Aとし、ガス供給口Aから供給されるガスの吹き出し方向が、このガスの吹き出し方向を前記周壁で囲まれた空間内から見て周壁の表面へ投影した方向に、ガス供給口Aに隣り合う別の前記第1のガス供給口であるガス供給口Bが存在する方向であり、
前記ガス供給口Aから供給されるガスの前記周壁で囲まれた空間内での平均自由行程をλ、前記ガス供給口Aから供給されるガスの吹き出し方向と前記周壁の表面とのなす角度(鋭角)をθとしたとき、前記ガス供給口Aの周縁部と前記ガス供給口Bの周縁部との間隔がλ・cosθ以下である、請求項1の表面処理装置。 - 真空容器と、
前記真空容器内を減圧し、その圧力を維持するための排気手段と、
前記真空容器内に備えられ、プラズマを生成するためのプラズマ生成手段と、
基材を保持するための基材保持機構であって、前記プラズマ生成手段によりプラズマが生成されるプラズマ生成空間に前記基材の処理面が対向するように配置された基材保持機構と、
前記プラズマ生成空間および前記基材保持機構を囲む周壁と、を備え、
前記周壁に、この周壁で囲まれた空間へ向けて、この周壁の壁面に対して斜め方向にガスを吹き出す複数の第1のガス供給口が形成され、
前記第1のガス供給口がスリット状である、基材の表面を処理する表面処理装置。 - 前記第1のガス供給口から供給されるガスの吹き出し方向が、前記プラズマ生成空間から前記基材保持機構側に向かう方向に直交する方向よりも基材保持機構側へ傾いている、請求項3の表面処理装置。
- 任意の前記第1のガス供給口をガス供給口Aとし、ガス供給口Aから供給されるガスの吹き出し方向が、このガスの吹き出し方向を前記周壁で囲まれた空間内から見て周壁の表面へ投影した方向に、ガス供給口Aに隣り合う別の前記第1のガス供給口であるガス供給口Bが存在する方向であり、
前記ガス供給口Aから供給されるガスの前記周壁で囲まれた空間内での平均自由行程をλ、前記ガス供給口Aから供給されるガスの吹き出し方向と前記周壁の表面とのなす角度(鋭角)をθ、前記ガス供給口Aから供給されるガスの吹き出し方向を前記周壁で囲まれた空間内から見て周壁の表面へ投影した方向を方向Cとしたとき、前記ガス供給口Aの周縁部と前記ガス供給口Bの周縁部の前記方向Cの距離がλ・cosθ以下である、請求項3または4の表面処理装置。 - 前記第1のガス供給口のうち、前記プラズマ生成空間に向けてガスを吹き出すガス供給口を含む、請求項1〜5のいずれかの表面処理装置。
- 前記基材保持機構が前記プラズマ生成空間から離れて配置されており、
前記第1のガス供給口のうち、前記基材保持機構と前記プラズマ生成空間との間の空間に向けてガスを吹き出すガス供給口を含む、請求項1〜6のいずれかの表面処理装置。 - 前記プラズマ生成手段が、アノードとこのアノードに対して空間を設けて配置されたカソードとで構成され、
前記アノードと前記カソードとの間の空間を通して、前記基材保持機構へ向けてガスを吹き出すように配置された第2のガス供給口を備えた、請求項1〜7のいずれかの表面処理装置。 - 前記プラズマ生成空間を通さずに、前記プラズマ生成空間と前記基材保持機構の間の空間にガスを吹き出す第3のガス供給口を備えた、請求項8の表面処理装置。
- 請求項1〜7のいずれかの表面処理装置を用いて、
前記真空容器内を減圧し、
前記第1のガス供給口から前記プラズマ生成空間へ向けて重合性または非重合性ガスのいずれか、もしくは両方のガスを供給し、
前記プラズマ生成空間にプラズマを生成して、前記基材保持機構に保持した基材の表面を処理する、表面処理方法。 - 請求項8の表面処理装置を用いて、
前記真空容器内を減圧し、
前記第1のガス供給口から前記プラズマ生成空間と前記基材保持機構の間の空間へ向けて非重合性ガスを供給し、
前記第2のガス供給口から前記アノードと前記カソードとの間のプラズマ生成空間を通して、前記基材保持機構へ向けて重合性または非重合性ガスのいずれか、もしくは両方のガスを供給しながら、
前記プラズマ生成空間にプラズマを生成して、前記基材保持機構に保持した基材の表面を処理する、表面処理方法。 - 請求項9の表面処理装置を用いて、
前記真空容器内を減圧し、
前記第1のガス供給口から前記周壁で囲まれた空間に非重合性ガスを供給し、
前記第2のガス供給口から前記アノードと前記カソードとの間のプラズマ生成空間を通して、前記基材保持機構へ向けて非重合性ガスを供給し、
前記第3のガス供給口から前記プラズマ生成空間を通さずに、前記プラズマ生成空間と前記基材保持機構の間の空間に重合性ガスを供給し、
前記プラズマ生成空間にプラズマを生成して、前記基材保持機構に保持した基材の表面を処理する、表面処理方法。
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JP2017086829A JP6926632B2 (ja) | 2017-04-26 | 2017-04-26 | 表面処理装置および表面処理方法 |
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JP2018185958A JP2018185958A (ja) | 2018-11-22 |
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