JP6924173B2 - 放射線検出器及びその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明の実施形態は、放射線検出器及びその製造方法に関する。
放射線検出器において、検出精度の向上が望まれる。
特開２０１７−７３４２６号公報
本発明の実施形態は、検出精度を向上できる放射線検出器及びその製造方法を提供する。
本発明の実施形態によれば、放射線検出器は、検出素子を含む。前記検出素子は、第１導電層と、第２導電層と、前記第１導電層と前記第２導電層との間に設けられた有機半導体層と、を含む。有機半導体層は、両極性の第１化合物と、第２化合物と、を含む。前記有機半導体層の厚さは、５０μｍ以上である。
図１は、第１実施形態に係る放射線検出器を例示する模式的断面図である。 図２（ａ）及び図２（ｂ）は、第１実施形態に係る放射線検出器の材料を例示する模式図である。 図３（ａ）及び図３（ｂ）は、放射線検出器の特性を例示するグラフ図である。 図４は、第１実施形態に係る放射線検出器の一部を例示する模式的断面図である。 図５は、実施形態に係る放射線検出器の一部を例示する回路図である。 図６は、実施形態に係る放射線検出器を例示する模式的断面図である。 図７は、実施形態に係る放射線検出器を例示する模式的断面図である。
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る放射線検出器を例示する模式的断面図である。
図２（ａ）及び図２（ｂ）は、第１実施形態に係る放射線検出器の材料を例示する模式図である。
図１に示すように、第１実施形態に係る放射線検出器１１０は、検出素子３０Ｅを含む。検出素子３０Ｅは、第１導電層１０、第２導電層２０及び有機半導体層３０を含む。
有機半導体層３０は、第１化合物３１及び第２化合物３２を含む。第１化合物３１は、有機物である。第２化合物３２も有機物である。
第１化合物３１は、両極性である。第１化合物３１においては、放射線照射時に、電子及び正孔が生じる。さらに、通常のｎ形材料及びｐ形材料とは異なり、第１化合物３１においては、生じた電子及び正孔の両方の電荷を流すことができる。
第２化合物３２は、例えば、バインダ樹脂である。
図２（ａ）及び図２（ｂ）は、第１化合物３１及び第２化合物３２の例をそれぞれ示す。
１つの例において、第１化合物３１は、ホウ素化サブナフタロシアニンクロリド（例えば、ボロンsub-2,3-ナフタロシアニンクロリド：ＳｕｂＮｃ）、及び、ＳｕｂＮｃのＣｌをハロゲン、または、有機化合物による置換基によって置換したホウ素化ナフタロシアニンの誘導体よりなる群から選択された少なくとも１つを含む。実施形態において、第１化合物３１は、ホウ素化ナフタロシアニンフロリド、ホウ素化ナフタロシアニンブロミド、及び、ホウ素化ナフタロシアニンフェニルの少なくともいずれかを含んでも良い。
１つの例において、第２化合物３２は、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリフルオレン（ＰＦＯ）、ポリ(9,9-ジオクチル-9H-フルオレン-2,7-ジイル)-alt-2,2'-ビチオフェン-5,5'-ジイル（Ｆ８Ｔ２）、及び、ポリ（9,9-ジオクチルフルオレン-alt-ベンゾチアジアゾール）（Ｆ８ＢＴ）よりなる群から選択された少なくとも１つを含む。
第１化合物３１と第２化合物３２とは、互いに混合されている。
例えば、有機半導体層３０は、第１化合物３１を含む第１領域Ｒ１と、第２化合物３２を含む第２領域Ｒ２と、を含む。図１に示すように、１つの例において、第１領域Ｒ１の複数の部分の間に、第２領域Ｒ２の一部がある。図１に示すように、１つの例において、第２領域Ｒ２の複数の部分の間に、第１領域Ｒ１の一部がある。
有機半導体層３０は、例えば、バルクヘテロ接合構造を有しても良い。
この例では、第１部材５１及び第２部材５２が設けられている。第１部材５１と第２部材５２との間に、第１導電層１０が設けられる。第１導電層１０と第２部材５２との間に第２導電層２０が設けられる。第１部材５１は、例えば、基板である。第２部材５２は、例えば、封止部材である。第１部材５１及び第２部材５２は、必要に応じて設けられ、省略されても良い。
第１導電層１０から第２導電層２０に向かう方向をＺ軸方向とする。上記の層がＺ軸方向に沿って積層される。
検出素子３０Ｅに放射線８１が入射する。放射線８１は、例えば、β線を含む。放射線８１は、γ線を含んでも良い。放射線８１は、α線を含んでも良い。
放射線８１の入射方向は、任意である。この例では、放射線８１は、第１導電層１０を介して、有機半導体層３０に入射する。有機半導体層３０において、入射した放射線８１のエネルギーにより、移動可能な電荷が生じる。第１導電層１０と第２導電層２０との間にバイアス電圧を印加することで、この電荷が取り出される。
例えば、検出回路７０が設けられる。検出回路７０は、第１導電層１０及び第２導電層２０と電気的に接続される。電気的な接続は、例えば、第１導電層１０と接続された第１配線７１、及び、第２導電層２０と接続された第２配線７２により行われる。検出回路７０は、例えば、電荷増幅器を含む。電荷増幅器の入力に第１導電層１０（第１配線７１）及び第２導電層２０（第２配線７２）が電気的に接続される。電荷増幅器の出力が、出力信号ＯＳとなる。出力信号ＯＳは、放射線８１に応じて変化する。このように、検出回路７０は、検出素子３０Ｅに入射する放射線８１に対応する信号（出力信号ＯＳ）を出力可能である。
実施形態においては、有機半導体層３０の厚さｔ３０は、例えば、５０μｍ以上である。厚さｔ３０は、１００μｍ以上でも良い。１つの例において、厚さｔ３０は、１０００μｍ以下である。厚さｔ３０は、Ｚ軸方向に沿う長さである。
有機半導体層３０の厚さｔ３０が上記の範囲であることにより、以下に説明するように、放射線８１を精度良く検出することができる。
以下、β線を検出する場合の例について説明する。一般に、β線を検出する環境においては、γ線が存在することが多い。目的とする放射線８１（この場合はβ線）を精度良く検出するために、他の放射線（γ線など）の影響を受け難いことが望まれる。
実施形態においては、有機半導体層３０が用いられる。有機半導体層３０には、有機物が含まれる。有機物には、原子量が小さい元素が含まれ、原子量が大きい元素は含まれない。このため、γ線は、有機半導体層３０を通過する。このため、実施形態においては、γ線の影響が抑制される。
一方、有機半導体層３０を一定の値以上に厚くすることで、β線を感度良く検出できる。有機半導体層３０が過度に薄いと、β線に対する感度は低くなる。
実施形態においては、有機半導体層３０の厚さｔ３０が５０μｍ以上である。これにより、β線に対する高い感度が得られる。
一方、有機半導体層３０の厚さｔ３０が過度に厚い（例えば１０００μｍ以上）と、γ線の一部が有機半導体層３０で吸収されることが生じる場合がある。この場合、γ線に対応する信号がノイズとして検出される。
有機半導体層３０の厚さｔ３０を過度に厚くしないことで、γ線の影響を抑制し、β線を高い精度で検出できる。
実施形態においては、目的とする放射線８１の検出精度を向上できる放射線検出器を提供できる。
実施形態においては、例えば、β線に対する検出感度は、γ線に対する検出感度よりも高い。
１つの例において、有機半導体層３０は、例えば圧力成型により作製される。圧力成型を用いることで、上記のような厚さｔ３０が得やすい。
例えば、有機半導体層３０を真空蒸着などにより形成する方法が考えられる。この場合は、安定して形成できる層の厚さは、約１μｍ以下である。厚い層を形成するとクラックなどが生じる。
例えば、有機半導体層３０なる溶液を用いて塗布法により有機半導体層３０することも考えられる。この場合、溶解性により溶液に制限が生じ、結果として、得られる層を厚くすることが困難である。
圧力成型法を用いることで、５０μｍ以上の厚さｔ３０を安定して、均一に得ることができる。
圧力成型法を用いる場合において、ｐ形の材料と、ｎ形の材料と、を混合する方法が考えられる。この場合には、ｐ形の材料と、ｎ形の材料と、を適正な混合状態にすることが困難である。例えば、ｐ形の材料と、ｎ形の材料と、が非常に細かい領域で互いに混ざりあっている状態を得ることは困難である。ｐ形の材料とｎ形の材料との間の界面の密度を十分に高くすることが困難である。このため、十分な変換効率を得ることが困難である。
実施形態においては、両極性の第１化合物３１が用いられる。このため、第１化合物３１において、十分に高い変換効率が得られる。そして、このような第１化合物３１に加えて、第２化合物３２（バインダ樹脂）が用いられる。これにより、第１化合物３１が有機半導体層３０に分散した状態が得られる。
例えば、第１化合物３１だけを用いて圧力成型により厚い層を形成する場合には、層がもろく、十分な機械的強度を得ることが困難である。
バインダとして機能する第２化合物３２を第１化合物３１と混合して圧力成型することで、十分な機械的強度を有する有機半導体層３０が得られる。
実施形態においては、第１化合物３１及び第２化合物３２は、適度な大きさで混ざり合っている。
例えば、有機半導体層３０は、複数の第１粒（例えば、第１領域Ｒ１）を含む。複数の第１粒（例えば、第１領域Ｒ１）は、第１化合物３１を含む。複数の第１粒（例えば、第１領域Ｒ１）のサイズｄ１（図１参照）の平均は、例えば、０．１μｍ以上１０μｍ以下である。
例えば、有機半導体層３０は、複数の第２粒（例えば、第２領域Ｒ２）を含む。複数の第２粒（例えば、第２領域Ｒ２）は、第２化合物３２を含む。複数の第２粒（例えば、第２領域Ｒ２）のサイズｄ２（図１参照）の平均は、例えば、０．１μｍ以上１０μｍ以下である。
上記のサイズに関する情報は、例えば、有機半導体層３０の断面の電子顕微鏡観察などにより得られる。
上記のサイズは、例えば、便宜的に、Ｚ軸方向に沿う長さでも良い。または、１つの粒における最大の長さを、上記のサイズとしても良い。例えば、最大の長さの測定が困難である場合、例えば、粒のＺ軸方向に沿う長さを、便宜的にサイズとして用いても良い。
第１化合物３１の有機半導体層３０における濃度は、５０重量％以上９５重量％以下である。濃度が過度に低いと、例えば、放射線８１に対する感度が低くなる場合がある。濃度が過度に高いと、例えば、機械的強度が低くなりやすい。
有機半導体層３０がバインダ樹脂（第２化合物３２）を適度な濃度で含むことで、有機半導体層３０において、実用的な機械的強度が得られる。例えば、有機半導体層３０と導電層との間の密着力を実用的に高くできる。
第２化合物３２として、バンドギャップが広い材料を用いることが好ましい。これにより、例えば、第１化合物３１に流れる電荷が第２化合物３２でトラップされることが抑制され、電荷の輸送の阻害が抑制できる。バンドギャップが広い材料は、例えば、ＰＶＫ、ＰＦＯ、及びＦ８ＢＴよりなる群から選択された少なくとも１つなどである。
以下、放射線検出器１１０の特性の例について説明する。以下の例の試料においては、第１化合物３１は、ＳｕｂＮｃである。第２化合物３２は、ＰＶＫである。これらの材料は、粉である。粉の径（サイズ）は、約１μｍである。これらの材料を混合し、圧力成型により、有機半導体層３０が形成される。有機半導体層３０の厚さｔ３０は、３０６μｍである。試料においては、第１化合物３１の有機半導体層３０における濃度は、８０重量％である。試料は、ガラス基板／ＩＴＯ電極（第１導電層１０）／平坦化膜／有機半導体層３０／Ａｌ電極（第２導電層）の構成を有する。
図３（ａ）及び図３（ｂ）は、放射線検出器の特性を例示するグラフ図である。
これらの図の横軸は、ＡＤコンバータのチャネル数Ｅｎ（ＡＤＣチャネル数）である。チャネル数Ｅｎは、放射線検出器１１０（検出素子３０Ｅ）に入射する放射線８１のエネルギーＥｎに比例する値である。この例では、硝酸トリウムを放射線源とする放射線８１が用いられる。縦軸は、検出される信号のカウント数ＣＮＴである。図３（ａ）は、放射線源が無い場合に対応する。図３（ｂ）は、放射線源がある場合に対応する。図３（ａ）に示すように、放射線源が無い場合でも、測定系のノイズとして、カウント数ＣＮＴが表示される。図３（ｂ）に示すように、放射線源がある場合は、全体のカウント数ＣＮＴが増大し、放射線８１に応じたカウント数ＣＮＴが得られる。
実施形態によれば、放射線８１（例えばβ線）をγ線と区別して検出できる。目的とする放射線８１（例えばβ線）を高い検出精度で検出できる。
別の試料においては、第１化合物３１の有機半導体層３０における濃度は、５０重量％よりも低い。この場合は、放射線８１はほとんど検出されない。濃度が例えば５０重量％よりも低いと、有機半導体層３０における第１化合物３１の体積割合が過度に低くなる。このため、５０重量％よりも低いと、放射線照射時に生成した電荷を電極まで運び出すことができないと考えられる。
第１化合物３１の有機半導体層３０における濃度が例えば５０重量％の場合、電荷の輸送のための体積割合が不足する。従って、濃度は、５０重量％を超えることが好ましい。例えば、濃度は、８０重量％以上であることが好ましい。
既に説明したように、実施形態に係る有機半導体層３０は、圧力成型法により形成されることが望ましい。この場合、有機半導体層３０中にボイドが形成される場合があっても良い。ボイドは、圧力成型法により特異的に形成される。例えば、溶液を用いる塗布法などではボイドは生じにくい。
以下、ボイドの例について説明する。
図４は、第１実施形態に係る放射線検出器の一部を例示する模式的断面図である。
図４は、有機半導体層３０の断面の一部を模式的に示す。図４に示すように、有機半導体層３０は、第１化合物３１を含む第１領域Ｒ１と、第２化合物３２を含む第２領域Ｒ２と、を含む。有機半導体層３０は、ボイド３０ｖをさらに含む。ボイド３０ｖは、第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２との間に設けられる。
ボイド３０ｖにより、有機半導体層３０の密度が小さくできる。ボイド３０ｖにより、有機半導体層３０の比誘電率を低くできる。これにより、例えば、素子容量に由来する測定系のノイズを低減できる。
実施形態において、ボイド３０ｖの空隙率は、例えば、０．１％以上１０％以下である。空隙率が０．０１％未満のときは、例えば、密度の減少、または、比誘電率の低下の効果が小さい。空隙率が１０％を超えると、例えば機械的強度が低くなる。空隙率が１０％を超えると、電荷の輸送性が低下する。
実施形態において、第１導電層１０は、例えば、金属の酸化物を含んでも良い。第１導電層１０は、例えばＩＴＯを含んでも良い。
実施形態において、第２導電層２０は、例えば、金属を含む。金属は、例えば、Ａｌ、Ａｇ及びＡｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含んでも良い。
図５は、実施形態に係る放射線検出器の一部を例示する回路図である。
図５は、検出回路７０に設けられる電荷増幅器７５を例示している。電荷増幅器７５の２つの入力端子の一方に、第１配線７１（すなわち、第１導電層１０）が電気的に接続される。電荷増幅器７５の２つの入力端子の他方に、第２配線７２（すなわち、第２導電層２０）が電気的に接続される。電荷増幅器７５の負入力と、電荷増幅器７５の出力端子との間に、キャパシタンス７６が接続される。例えば、第１導電層１０と第２導電層２０との間に生じる電荷に応じた電圧が、出力信号ＯＳとして得られる。
電荷増幅器７５において、キャパシタンス７６と並列に抵抗が設けられても良い。参照電圧の入力端子がさらに設けられても良い。
図６は、実施形態に係る放射線検出器を例示する模式的断面図である。
図６に示すように、実施形態に係る放射線検出器１１１においては、第１導電層１０、第２導電層２０、有機半導体層３０、第１部材５１に加えて、封止部材６０（第２部材５２）がさらに設けられる。第１部材５１及び封止部材６０には、例えば、ガラスが用いられる。封止部材６０の外縁が、第１部材５１の外縁と、接合される。第１部材５１及び封止部材６０により囲まれる空間に、第１導電層１０、第２導電層２０及び有機半導体層３０が設けられる。第１導電層１０、第２導電層２０及び有機半導体層３０は、第１部材５１及び封止部材６０により、気密に封止される。これにより、安定した特性が得やすくなる。高い信頼性が得られる。
第１導電層１０、第２導電層２０及び有機半導体層３０と、封止部材６０との間には、空間６５が設けられる。この空間６５に、例えば、不活性ガス（例えば窒素ガスなど）が封入される。
図７は、実施形態に係る放射線検出器を例示する模式的断面図である。
図７に示すように、放射線検出器１２０においては、複数の第１導電層１０が設けられる。複数の第１導電層１０は、複数の第１導電層１０の１つから第２導電層２０に向かう第１方向（Ｚ軸方向）に対して交差する平面（例えばＸ−Ｙ平面）に沿って並ぶ。Ｘ−Ｙ平面は、Ｚ軸方向に対して垂直である。複数の第１導電層１０は、例えば、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に沿って並ぶ。複数の第１導電層１０は、例えば、マトリクス状に並ぶ。
放射線検出器１２０においては、例えば、放射線８１に応じた画像が得られる。放射線検出器１２０において、第１実施形態及び第２実施形態に関して説明した構成、及び、その変形が適用できる。放射線検出器１２０においても、検出精度を向上できる放射線検出器が提供できる。
（第２実施形態）
第２実施形態は、放射線検出器の製造方法に係る。この製造方法では、両極性の第１化合物３１を含む複数の粒と、第２化合物３２を含む複数の粒と、が混合された混合体が準備される。製造方法は、この混合体に圧力を加えて第１化合物３１及び第２化合物３２を含む有機半導体層３０を形成することを含む。有機半導体層３０の厚さは、５０μｍ以上である。製造方法は、有機半導体層３０に電気的に接続される第１導電層１０及び第２導電層２０を形成することを含む。第１導電層１０及び第２導電層２０との間に有機半導体層３０が設けられる。圧力成型法を用いることで、５０μｍ以上の厚さｔ３０を安定して、均一に得ることができる。
実施形態によれば、検出精度を向上できる放射線検出器及びその製造方法を提供することができる。
本願明細書において、電気的に接続される状態は、２つの導体が直接接する状態を含む。電気的に接続される状態は、２つの導体が、別の導体（例えば配線など）により接続される状態を含む。電気的に接続される状態は、２つの導体の間の経路の間にスイッチング素子（トランジスタなど）が設けられ、２つの導体の間の経路に電流が流れる状態が形成可能な状態を含む。
本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、放射線検出器に含まれる、導電層、有機半導体層及び化合物などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
その他、本発明の実施の形態として上述した放射線検出器及びその製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての放射線検出器及びその製造方法も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１０…第１導電層、 ２０…第２導電層、 ３０…有機半導体層、 ３０Ｅ…検出素子、 ３０ｖ…ボイド、 ３１…第１化合物、 ３２…第２化合物、 ５１…第１部材、 ５２…第２部材、 ６０…封止部材、 ６５…空間、 ７０…検出回路、 ７１…第１配線、 ７２…第２配線、 ７５…電荷増幅器、 ７６…キャパシタンス、 ８１…放射線、 １１０、１１１、１２０…放射線検出器、 ＣＮＴ…カウント数、 Ｅｎ…エネルギー、 ＯＳ…出力信号、 Ｒ１…第１領域、 Ｒ２…第２領域、 ｄ１、ｄ２…サイズ、 ｔ３０…厚さ

Claims (11)

  1. 第１導電層と、
    第２導電層と、
    前記第１導電層と前記第２導電層との間に設けられた有機半導体層と、
    を含む検出素子を備え、
    前記有機半導体層は、第１化合物と、第２化合物と、を含み、
    前記有機半導体層の厚さは、５０μｍ以上であり、
    前記第１化合物は、ホウ素化サブナフタロシアニンクロリド、及び、ホウ素化ナフタロシアニンクロリドの誘導体よりなる群から選択された少なくとも１つを含む、放射線検出器。
  2. 前記第２化合物は、ポリビニルカルバゾール、ポリフルオレン、ポリ(9,9-ジオクチル-9H-フルオレン-2,7-ジイル)-alt-2,2'-ビチオフェン-5,5'-ジイル、及び、ポリ（9,9-ジオクチルフルオレン-alt-ベンゾチアジアゾール）よりなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項１記載の放射線検出器。
  3. 第１導電層と、
    第２導電層と、
    前記第１導電層と前記第２導電層との間に設けられた有機半導体層と、
    を含む検出素子を備え、
    前記有機半導体層は、第１化合物と、第２化合物と、を含み、
    前記第１化合物は、ホウ素化サブナフタロシアニンクロリド、及び、ホウ素化ナフタロシアニンクロリドの誘導体よりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
    前記第２化合物は、ポリビニルカルバゾール、ポリフルオレン、ポリ(9,9-ジオクチル-9H-フルオレン-2,7-ジイル)-alt-2,2'-ビチオフェン-5,5'-ジイル、及び、ポリ（9,9-ジオクチルフルオレン-alt-ベンゾチアジアゾール）よりなる群から選択された少なくとも１つを含む、放射線検出器。
  4. 前記第１化合物の前記有機半導体層における濃度は、５０重量％以上９５重量％以下である、請求項１〜３のいずれか１つ記載の放射線検出器。
  5. 前記有機半導体層の前記厚さは、１０００μｍ以下である、請求項１〜４のいずれか１つに記載の放射線検出器。
  6. 前記有機半導体層は、
    前記第１化合物を含む第１領域と、
    前記第２化合物を含む第２領域と、
    前記第１領域と前記第２領域との間のボイドと、
    を含む、請求項１〜５のいずれか１つに記載の放射線検出器。
  7. 第１導電層と、
    第２導電層と、
    前記第１導電層と前記第２導電層との間に設けられた有機半導体層と、
    を含む検出素子を備え、
    前記有機半導体層は、両極性の第１化合物と、第２化合物と、を含み、
    前記有機半導体層の厚さは、５０μｍ以上であり、
    前記有機半導体層は、
    前記第１化合物を含む第１領域と、
    前記第２化合物を含む第２領域と、
    前記第１領域と前記第２領域との間のボイドと、
    を含む、放射線検出器。
  8. 前記ボイドの空隙率は、０．０１％以上１０％以下である、請求項６または７記載の放射線検出器。
  9. 前記ボイドのサイズは、０．１μｍ以上１０μｍ以下である、請求項６〜８のいずれか１つに記載の放射線検出器。
  10. 前記第１導電層及び前記第２導電層と電気的に接続された検出回路をさらに備え、
    前記検出回路は、前記検出素子に入射する放射線に対応する信号を出力可能である、請求項１〜９のいずれか１つに記載の放射線検出器。
  11. 両極性の第１化合物を含む複数の粒と、第２化合物を含む複数の粒と、が混合された混合体に圧力を加えて前記第１化合物及び前記第２化合物を含む有機半導体層を形成し、前記有機半導体層の厚さは、５０μｍ以上であり、
    前記有機半導体層に電気的に接続される第１導電層及び前記第２導電層を形成し、第１導電層及び前記第２導電層との間に前記有機半導体層が設けられる、放射線検出器の製造方法。
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