JP6914856B2 - 微小電気機械共振器 - Google Patents
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 220
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 115
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 87
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 87
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 71
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 67
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 47
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 44
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 16
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 13
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 9
- 230000037361 pathway Effects 0.000 claims 6
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 264
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 90
- 238000013461 design Methods 0.000 description 63
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 44
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 29
- 230000008859 change Effects 0.000 description 28
- 230000006870 function Effects 0.000 description 28
- 230000008569 process Effects 0.000 description 27
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 25
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 24
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 22
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 20
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 18
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 18
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 17
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 17
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 15
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 11
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 8
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 7
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 7
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 7
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 6
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 241000724291 Tobacco streak virus Species 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 4
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 3
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 3
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 230000007306 turnover Effects 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005482 strain hardening Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100207343 Antirrhinum majus 1e20 gene Proteins 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003679 aging effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011143 downstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005421 electrostatic potential Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000002779 inactivation Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013178 mathematical model Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000029058 respiratory gaseous exchange Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000017702 response to host Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- -1 scandium aluminum Chemical compound 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- 230000026683 transduction Effects 0.000 description 1
- 238000010361 transduction Methods 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
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- H03H9/2405—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive of microelectro-mechanical resonators
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- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
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Description
本出願は、2015年6月19日付けで出願された米国仮特許出願第62/181,767号及び2015年6月23日付けで出願された米国仮特許出願第62/183,689号に対する優先権を主張するものであり、且つ、引用により、これらを包含する。本出願は、引用により、2014年2月9日付けで出願された米国仮特許出願第61/937,601号及び2015年2月9日付けで出願された米国特許出願第14/617,753号のそれぞれを包含する。
本明細書における開示は、微小電気機械システム(MEMS)の分野に関し、且つ、更に詳しくは、共振MEMS構造に関する。
本明細書において開示されている様々な実施形態は、限定としてではなく、例として、以下の添付図面に示されている。
本明細書における様々な実施形態においては、1つ又は複数の縮退ドープシリコン層及び圧電材料層を有する材料積層体によって形成された温度安定型の、損耗耐性を有する共振器が開示されている。いくつかの実装形態においては、圧電材料層(「圧電層」)は、縮退ドープ単結晶シリコン「コア」層と縮退ドープ多結晶層の間において挟持されており、この場合に、外側シリコン層は、駆動/検知信号を圧電層との間において伝導するための電極として機能し、これにより、従来の金属電極層及びその望ましくないエージング特性(例えば、時間に伴う損耗―硬化)が未然に防止されている。更には、更に詳細に後述するように、層厚さの比率、(少なくとも)単結晶層の結晶方位、モード成形、及び/又は、縮退ドーパントの濃度/タイプは、全体として、材料積層体において、少なくとも1次(線形)及び2次(放物状)周波数温度係数(TCF:Temperature Coefficient of Frequency)を実質的にゼロ化又はヌル化するように工学設計されてもよく、この場合に、圧電層の固有の放物状TCFは、例えば、縮退ドープ単結晶シリコン層内において工学設計された逆極性の放物状TCFにより、実質的に無効化されている。従って、検知/駆動電極及び共振器バルク層の両方として二重の目的に機能することに加えて、縮退ドープ単結晶シリコン層は、望ましい動作温度範囲(例えば、−40℃〜+85℃)にわたって温度安定性共振周波数(例えば、ゼロ又はゼロ近傍の組み合わせられたTCF)を有する共振MEMS構造をもたらすための工学設計の「ノブ」を提供している。同様に、縮退ドープポリシリコン層は、損耗耐性を有する電極として機能し(且つ、従って、圧電層と共に、検知/駆動コンポーネントの一部分として見なすことができる)、且つ、複数のTCF工学設計の程度を可能にすることもできる。更にその他の実施形態においては、正味の共振器TCF(即ち、1次、2次、...、n次TCFの合計)をフラット化するべく、且つ/又は、エージングの影響について補償するべく、或いは、場合によっては、(例えば、0次TCFに影響を及ぼす望ましい動作温度への閉ループ加熱を可能にすることにより)実行時周波数調節を許容するべく、温度調節された周波数プル及び/又はポスト共振器出力周波数調節を可能にするために、(例えば、共振器パッケージ内において、カプセル化チャンバ内において、或いは、場合によっては、共振器構造自体内において、実装された)1つ又は複数の原位置温度検知要素が提供されている。これらの及びその他の特徴及び実施形態については、更に詳細に後述する。
・1次、2次、3次、及び4次TCF項又はこれらのうちの任意の2つをヌル化する、或いは、さもなければ、(例えば、ゼロに、実質的にゼロに、或いは、その他の無視可能なレベルに)減衰させる、
・3次TCFを部分的に又は全体的に補償し(或いは、無効化又は相殺し)、且つ、これにより、特定の温度範囲にわたって絶対周波数変動を低減するべく、特別に選択された線形TCFの非ゼロ値を示し、
・「ターンオーバー温度」とも呼称される、温度依存性の(即ち、局所的な最小又は最大周波数が発生する温度を有する)周波数において1つ又は複数の局所的極値を示し、
・公称動作温度においてターンオーバーを示す、
ように、工学設計されてもよい。
この場合には、iにおける合計が積層体内のすべての薄膜にわたって取得されており、tiは、i番目の薄膜の厚さであり、Eiは、i番目の薄膜の弾性率であり、且つ、
は、i番目の薄膜におけるn番目の材料のTCFである。係数
は、その材料のみから構築された共振器の周波数温度係数を付与するべく、熱膨張及び弾性率の温度感度からの寄与を1つに纏めるi番目の薄膜の材料パラメータである。式(2)は、任意の形状であり、不均一であり、且つ、異方性を有する材料を有する複合構造について一般化することができる。このケースにおいては、係数
は、テンソルでありうることに留意されたい。少なくとも1つの材料から構築された共振器のn次TCFは、λnである。
が正であると共に、少なくとも1つのその他の
が負である場合に、この結果を得ることができる。
であって、この場合に、
は、n次係数の望ましい値である、となるように、N個の温度係数を同時に工学設計するために、式(2)をN個の別個の式に分割可能であることをも、示している。通常、N個の式の解は、少なくともN個の変数の変動に伴って得られる。これらのN個の変数は、設計変数と呼称することが可能であり、且つ、これらは、これらのN個の式に対する解がアクセス可能な空間内に位置するように、十分な設計オソリティを有する必要がある。設計オソリティとは、所与の設計パラメータの変化が対象の測定基準に対して有する効果の大きさの記述である。アクセス可能な設計空間は、製造制約(例えば、材料の選択、薄膜厚さの範囲、及び制御の精度)及び動作制約(例えば、品質係数、周波数、運動抵抗)に依存している。
・全体構造のターゲット周波数温度係数は、個々の材料の温度係数を組み合わせることによって得られる。例えば、ターゲット1次TCFがゼロ又はゼロ近傍であり、且つ、少なくとも1つのコンポーネント材料の1次TCFが実質的に正である場合には、少なくとも1つのその他のコンポーネント材料の1次TCFが負になるように工業設計及び/又は選択される。
・N個の温度係数に対する制御を可能にするべく、N個の設計パラメータが存在している。
・設計パラメータの組合せは、製造制約及び設計制約によって定義された設計空間内の解を可能にするための十分な設計オソリティを有する。
・縮退ドープシリコンは、これまでの圧電共振器内において使用されている2つの別個の材料を置換することが可能であり、即ち、温度補償材料(例えば、SiO2)及び導電性材料(例えば、Mo)を、置換することができる。縮退ドープシリコンは、温度補償の能力を有しており、且つ、多数の用途用の電極材料として機能するべく、十分に小さな電気抵抗値(例えば、1〜50オーム)を提供する。
・縮退ドープ単結晶シリコンは、1次及び2次TCFの両方の無効化を許容することにより、温度に伴う改善された周波数安定性を促進する。縮退ドープシリコン層のドーピング及び向きは、少なくとも2つの温度係数を無効化するための少なくとも2つの自由度を提供する。上述の例は、高濃度ドープシリコンを利用した複合圧電共振器の1次及び2次TCF無効化が、可能であり、且つ、アクセス可能な設計空間内にあることを実証している。開示されている実施形態によって可能となる温度係数の改善は、−40〜+85Cの産業的な温度範囲に跨る+/−10ppm未満の周波数変動の可能性をもたらす。対照的に、1次TCF補償のみを有する微細機械共振器は、通常、産業的な温度範囲にわたって+/−50〜200ppmの変動を示している。
・酸化物及び金属境界面の除去は、潜在的に大きな音響損失を有する層の除去と、それぞれが共振器の機械的損失を大幅に増大させうる境界面の除去と、を通じて、共振器の機械的な品質係数を改善する。
・更には、半導体による構造内の金属及び酸化物層の置換は、温度に伴う周波数ヒステリシス及び時間に伴う周波数エージングに寄与する加工硬化、疲労効果、及び境界面効果を除去する。
・工業設計されたTCF特性を有する共振器は、材料の1つ又は複数の層から生成することができる。1つの層内において、材料が縮退ドープシリコンに類似した品質を有する場合には、設計及びドーピングにより、1次及び2次TCF係数を無効化することができる。1つ又は複数の材料特性を有する層内において、1つ又は複数の領域が存在していてもよい。例えば、単一シリコン層は、少なくとも1つのドーピングレベル及び少なくとも1つのドーパントを含む少なくとも1つの領域を有することができる。単一材料層は、少なくとも1つの材料タイプを含む少なくとも1つの領域を有することができる。これらの領域のそれぞれが、共振器のTCF振る舞いにおける更なる自由度を追加しうる。これらの領域のサイズ及び特性を調節することにより、公称周波数と、1次、2次、3次、及び更に高次のTCF項と、に影響を及ぼすことができる。
Claims (24)
- 微小電気機械システム(MEMS)装置であって、
基材と、
運動可能な微細機械加工部材と、
前記運動可能な微細機械加工部材を前記基材に固定し、前記運動可能な微細機械加工部材を前記基材から断熱し、且つ、少なくとも300℃の温度に前記運動可能な微細機械加工部材を加熱する伝導経路を提供する機械的構造と、を含み、
前記運動可能な微細機械加工部材は縮退ドープ半導体を含み、
前記MEMS装置は、製造中又は製造後、1以上のサイクルの反復において、前記運動可能な微細機械加工部材を加熱し、その後、少なくとも104℃/秒のレートで前記運動可能な微細機械加工部材を冷却し、前記縮退ドープ半導体中の電気活性ドーパント濃度及び非電気活性ドーパント濃度の合計である合計ドーパント濃度に対する前記電気活性ドーパント濃度の既定の比率を得る手段をさらに含む、MEMS装置。 - 前記運動可能な微細機械加工部材及び前記機械的構造の少なくとも一部分が配設される真空空洞を形成するカプセル化構造を更に含む、請求項1に記載のMEMS装置。
- 前記機械的構造は、折り畳まれたテザーを含む、請求項1に記載のMEMS装置。
- 前記運動可能な微細機械加工部材は、MEMS共振器を含む、請求項1に記載のMEMS装置。
- 前記運動可能な微細機械加工部材を前記基材に固定する前記機械的構造は、ジュール加熱電流が前記伝導経路を介して伝導された際に、少なくとも700℃の温度に前記運動可能な微細機械加工部材を加熱するための断熱及び電気抵抗率を提供する、請求項1に記載のMEMS装置。
- 前記機械的構造は、前記伝導経路の一部分と直列状態において結合されると共に前記伝導経路の一部分を形成する電極を含み、前記電極は、電流が前記伝導経路を通じて伝導された際に、少なくとも300℃の温度に前記運動可能な微細機械加工部材を加熱するための抵抗値を有する抵抗領域を含むように、パターン化されている、請求項1に記載のMEMS装置。
- 前記電極は、縮退ドープ多結晶シリコンを含む、請求項6に記載のMEMS装置。
- 前記電極は、縮退ドープ単結晶シリコンを含む、請求項6に記載のMEMS装置。
- 前記抵抗領域は、前記電極の第1及び第2端子領域の間において延在すると共に前記第1及び第2端子領域を電気的に結合する前記電極の通路特徴を含み、前記通路特徴は、前記第1及び第2端子領域のいずれかよりも小さな断面積を有し、且つ、前記伝導経路内において前記第1及び第2端子領域と直列状態において結合されている、請求項6に記載のMEMS装置。
- 前記MEMS装置は共振器を含み、前記運動可能な微細機械加工部材は、共振周波数で振動するように適合された本体を含む、請求項1に記載のMEMS装置。
- 前記MEMS装置は加速度計を含み、前記運動可能な微細機械加工部材は、前記MEMS装置の動きに従って曲げられるように適合された本体を含む、請求項1に記載のMEMS装置。
- 前記MEMS装置はセンサを備え、前記運動可能な微細機械加工部材は、前記センサによって検知される環境パラメータの値に従って曲げられるように適合された本体を備える、請求項1に記載のMEMS装置。
- 微小電気機械システム(MEMS)装置を製造する方法であって、
基材を提供することと、
運動可能な微細機械加工部材と、前記運動可能な微細機械加工部材を前記基材に固定し、前記運動可能な微細機械加工部材を前記基材から断熱し、且つ、前記運動可能な微細機械加工部材を加熱する伝導経路を提供する機械的構造と、を形成することであって、前記運動可能な微細機械加工部材は縮退ドープ半導体を備える、形成することと、を含み、
前記方法は、製造中又は製造後、1以上のサイクルの反復において、前記機械的構造を介して、少なくとも300℃の温度に前記運動可能な微細機械加工部材を加熱し、その後、少なくとも104℃/秒のレートで前記運動可能な微細機械加工部材を冷却し、前記縮退ドープ半導体中の電気活性ドーパント濃度及び非電気活性ドーパント濃度の合計である合計ドーパント濃度に対する前記電気活性ドーパント濃度の既定の比率を得ることをさらに含む、微小電気機械システム(MEMS)装置を製造する方法。 - 前記方法は、前記伝導経路の一部分と直列状態において結合されると共に前記伝導経路の一部分を形成する電極を有するように前記機械的構造を形成することであって、前記電極は、電流が前記伝導経路を通じて伝導された際に、少なくとも300℃の温度に前記運動可能な微細機械加工部材を加熱するための抵抗値を有する抵抗領域を含むように、パターン化されている、形成することをさらに含む、請求項13に記載のMEMS装置を製造する方法。
- 前記加熱及び前記冷却の各サイクルは、既定の温度プロファイルに従って実行される、請求項13に記載のMEMS装置を製造する方法。
- 前記方法は、複数のサイクルにおいて、前記運動可能な微細機械加工部材を加熱し、その後、前記運動可能な微細機械加工部材を冷却することをさらに含み、各サイクルは、0.1ミリ秒〜100ミリ秒の持続時間に従って前記機械的構造を介して加熱パワーのパルスを印加して前記既定の比率を得ることによって得られる、請求項13に記載のMEMS装置を製造する方法。
- 前記MEMS装置は発信器回路の一部分として実施され、前記運動可能な微細機械加工部材はMEMS共振器を含む、請求項13に記載のMEMS装置を製造する方法。
- 前記MEMS装置は、前記運動可能な微細機械加工部材及び前記機械的構造の少なくとも一部分が配設される真空空洞を形成するカプセル化構造を備える、請求項13に記載のMEMS装置を製造する方法。
- 前記機械的構造は、折り畳まれたテザーを含む、請求項13に記載のMEMS装置を製造する方法。
- 前記方法は、ジュール加熱電流が前記伝導経路を介して伝導された際に、少なくとも700℃の温度に前記運動可能な微細機械加工部材を加熱するための断熱及び電気抵抗率を提供するように前記機械的構造を形成することをさらに含む、請求項13に記載のMEMS装置を製造する方法。
- 前記電極は、縮退ドープ多結晶シリコンを含む、請求項14に記載のMEMS装置を製造する方法。
- 前記電極は、縮退ドープ単結晶シリコンを含む、請求項14に記載のMEMS装置を製造する方法。
- 前記抵抗領域は、前記電極の第1及び第2端子領域の間において延在すると共に前記第1及び第2端子領域を電気的に結合する前記電極の通路特徴を含み、前記通路特徴は、前記第1及び第2端子領域のいずれかよりも小さな断面積を有し、且つ、前記伝導経路内において前記第1及び第2端子領域と直列状態において結合されている、請求項14に記載のMEMS装置を製造する方法。
- 前記縮退ドープ半導体は縮退ドープシリコンによって形成される、請求項14に記載のMEMS装置を製造する方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021116145A JP7241817B2 (ja) | 2015-06-19 | 2021-07-14 | 微小電気機械共振器 |
JP2023035012A JP2023075228A (ja) | 2015-06-19 | 2023-03-07 | 微小電気機械共振器 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201562181767P | 2015-06-19 | 2015-06-19 | |
US62/181,767 | 2015-06-19 | ||
US201562183689P | 2015-06-23 | 2015-06-23 | |
US62/183,689 | 2015-06-23 | ||
PCT/US2016/038275 WO2016205770A1 (en) | 2015-06-19 | 2016-06-19 | Microelectromechanical resonator |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021116145A Division JP7241817B2 (ja) | 2015-06-19 | 2021-07-14 | 微小電気機械共振器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018522461A JP2018522461A (ja) | 2018-08-09 |
JP6914856B2 true JP6914856B2 (ja) | 2021-08-04 |
Family
ID=56345228
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017562753A Active JP6914856B2 (ja) | 2015-06-19 | 2016-06-19 | 微小電気機械共振器 |
JP2021116145A Active JP7241817B2 (ja) | 2015-06-19 | 2021-07-14 | 微小電気機械共振器 |
JP2023035012A Pending JP2023075228A (ja) | 2015-06-19 | 2023-03-07 | 微小電気機械共振器 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021116145A Active JP7241817B2 (ja) | 2015-06-19 | 2021-07-14 | 微小電気機械共振器 |
JP2023035012A Pending JP2023075228A (ja) | 2015-06-19 | 2023-03-07 | 微小電気機械共振器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (2) | EP3829060A1 (ja) |
JP (3) | JP6914856B2 (ja) |
CN (2) | CN108093679B (ja) |
WO (1) | WO2016205770A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FI128195B (en) | 2017-09-05 | 2019-12-13 | Tikitin Oy | Frequency reference oscillator device and method for stabilizing a frequency reference signal |
FI128032B (en) * | 2017-09-05 | 2019-08-15 | Tikitin Oy | Oven-controlled frequency reference oscillator and method for its manufacture |
US10425084B2 (en) * | 2017-10-03 | 2019-09-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Oven controlled MEMS oscillator and system and method for calibrating the same |
CN109374729B (zh) * | 2018-09-25 | 2021-02-19 | 深圳大学 | 一种声学微质量传感器及检测方法 |
CN109459145B (zh) * | 2018-11-12 | 2020-09-04 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 基于微机电谐振器的双波段非制冷红外探测器的制备方法 |
US11374535B2 (en) | 2018-12-06 | 2022-06-28 | Sitime Corporation | Ovenized MEMS |
CN109737944A (zh) * | 2019-03-01 | 2019-05-10 | 成都因赛泰科技有限责任公司 | 一种具有嵌入式磁源的mems陀螺仪 |
CN110427699A (zh) * | 2019-08-01 | 2019-11-08 | 西安电子科技大学 | 一种活动引线搭焊互联点缺陷性能评判方法 |
CN111010115A (zh) * | 2019-08-09 | 2020-04-14 | 天津大学 | 体声波谐振器、滤波器和电子设备及控制谐振器温度的方法 |
FI20205711A1 (en) * | 2020-07-03 | 2022-01-04 | Kyocera Tikitin Oy | Mems resonator and manufacturing process |
CN113959789B (zh) * | 2020-07-20 | 2024-05-10 | 研能科技股份有限公司 | 微粒检测装置 |
CN216751694U (zh) * | 2021-04-23 | 2022-06-14 | 华为技术有限公司 | 谐振器封装体和振荡器 |
IL299712A (en) * | 2022-02-09 | 2023-09-01 | Honeywell Int Inc | Vibration sensor with electronic balance |
CN117955446A (zh) * | 2022-10-21 | 2024-04-30 | 广州乐仪投资有限公司 | 半导体结构的制备方法、半导体结构及电子设备 |
Family Cites Families (21)
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-
2016
- 2016-06-19 WO PCT/US2016/038275 patent/WO2016205770A1/en active Application Filing
- 2016-06-19 CN CN201680036065.9A patent/CN108093679B/zh active Active
- 2016-06-19 CN CN202210173329.2A patent/CN114726339A/zh active Pending
- 2016-06-19 EP EP20210981.5A patent/EP3829060A1/en active Pending
- 2016-06-19 EP EP16734808.5A patent/EP3311486B1/en active Active
- 2016-06-19 JP JP2017562753A patent/JP6914856B2/ja active Active
-
2021
- 2021-07-14 JP JP2021116145A patent/JP7241817B2/ja active Active
-
2023
- 2023-03-07 JP JP2023035012A patent/JP2023075228A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114726339A (zh) | 2022-07-08 |
WO2016205770A1 (en) | 2016-12-22 |
JP2018522461A (ja) | 2018-08-09 |
CN108093679B (zh) | 2022-03-04 |
EP3311486A1 (en) | 2018-04-25 |
EP3829060A1 (en) | 2021-06-02 |
KR20180041660A (ko) | 2018-04-24 |
JP7241817B2 (ja) | 2023-03-17 |
JP2021170809A (ja) | 2021-10-28 |
CN108093679A (zh) | 2018-05-29 |
JP2023075228A (ja) | 2023-05-30 |
EP3311486B1 (en) | 2020-12-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200608 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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