JP6914396B1 - 誘導性負荷駆動回路 - Google Patents

Abstract

【課題】回路異常等により制御部からの指示信号が途絶えた場合でも、サージを転流する適切な経路を確保できる誘導性負荷駆動回路を提供する。【解決手段】誘導性負荷駆動回路１００において、、誘導性負荷２００を駆動しているハイサイドドライバ１１ａ、１１ｂに接続された転流経路切替回路７０ａ、７０ｂのみを閉路することにより、誘導性負荷２００の駆動を停止した際に誘導性負荷２００から発生するサージの転流経路を確保する。転流経路切替回路７０ａ、７０ｂは、ノーマリオンであり、誘導性負荷２００を駆動しているハイサイドドライバ以外のハイサイドドライバに接続されている転流経路切替回路は、制御部３００からの指示信号により開路され、ローサイドドライバ８０から整流素子１６を介したハイサイドドライバ１１ａ、１１ｂへの接続が遮断される。【選択図】図１

Description

本願は、誘導性負荷駆動回路に関するものである。

車両に搭載される誘導性負荷は、例えばバッテリなどの車載電源から車両配線を介して電源供給を受ける構成となっており、誘導性負荷駆動回路により誘導性負荷への電源供給が制御される。一般に、複数の誘導性負荷駆動回路が備えられる車載制御装置においては、配電、誘導性負荷のグルーピング等の観点から転流経路の構成を考慮する必要があり、同一の転流経路を様々な種類の外部結線に汎用することはできない。このような課題を解決するため、転流経路を複数構成し、転流経路切替回路により外部結線に応じたサージの転流経路に切替えるようにした技術は周知である。

また、誘導性負荷である三相交流モータが備えられる車載制御装置において、スイッチング素子が停止した際に三相交流モータから過大なサージ電圧が発生し、スイッチング素子を破損させてしまうことがある。このような課題を解決するため、スイッチング素子の一部をノーマリオンとし、転流経路を確保するようにした技術は周知である。

例えば、特許文献１の図３に開示された従来の誘導性負荷駆動回路によると、コントロールユニット２０からの指示信号により、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ−Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）６６又は６８、７０又は７２、７４又は７６の、いずれか一方を閉路することで、誘導性負荷３６、３８、４０に電源供給を行っているローサイドドライバと一対に備えられたダイオードをハイサイドドライバに接続し、最適な転流経路を確保することが記載されている。

また、例えば、特許文献２の図１に開示された従来の電力変換装置１によると、三相交流モータ３を駆動するインバータ回路１３のスイッチング素子である下アーム（Ｓｘ、Ｓｙ、Ｓｚ）をノーマリオン、上アーム（Ｓｕ、Ｓｖ、Ｓｗ）をノーマリオフ、の構成とすることでゲート駆動回路が停止して、インバータ回路１３のスイッチング素子（Ｓｘ、Ｓｙ、Ｓｚ、Ｓｕ、Ｓｖ、Ｓｗ）の動作を停止した場合に、モータ３の内の電流が上記ノーマリオンのスイッチング素子（Ｓｘ、Ｓｙ、Ｓｚ）を流れるための還流経路１４が形成されるため、過大なサージ電圧による電力変換装置１内の構成機器等が損傷するのを防止できることが記載されている。

米国特許第１０４９５２１５号公報 特開２０１０−２２０３０３号公報

しかしながら、特許文献１に開示された従来の誘導性負荷駆動回路では、誘導性負荷から発生するサージの最適な転流経路を確保する転流経路切替回路についての記載はあるものの、その駆動方法については特に言及されておらず、転流経路切替回路を駆動する信号が途絶える等の異常時において、転流経路を確保できない懸念があるため検討の余地がある。

また、特許文献２に開示された従来の電力変換装置では、三相交流モータ３を駆動するインバータ回路１３のスイッチング素子の一部をノーマリオンとし、スイッチング素子（Ｓｕ、Ｓｖ、Ｓｗ、Ｓｘ、Ｓｙ、Ｓｚ）が停止した際に三相交流モータ３から発生するサージを転流させる方法についての記載はあるものの、単相の誘導性負荷を間欠動作させた場合、動作中に発生するサージの転流経路を確保できないため、検討の余地がある。

本願は、上記のような課題を解決するための技術を開示するものであり、回路異常等により制御部からの指示信号が途絶えた場合でも、サージを転流する適切な経路を確保できる誘導性負荷駆動回路を提供することを目的とする。

本願に開示される誘導性負荷駆動回路は、
駆動対象である誘導性負荷の上流側に接続された複数のハイサイドドライバと、
前記誘導性負荷の下流側に接続されたローサイドドライバと、
整流素子を介して前記ローサイドドライバに接続され、閉路又は開路することで前記複数のハイサイドドライバのうちの対応するハイサイドドライバに接続され又は遮断される複数の転流経路切替回路と、
を有し、
外部に備えられた制御部からの指示信号を受け、前記複数のハイサイドドライバのうちの何れか一つと、前記ローサイドドライバと、により前記誘導性負荷を駆動し、
前記誘導性負荷を駆動している前記ハイサイドドライバに接続された前記転流経路切替回路のみを閉路することにより、前記誘導性負荷の駆動を停止した際に前記誘導性負荷から発生するサージの転流経路を確保するように構成され、
前記転流経路切替回路は、ノーマリオンであり、
前記誘導性負荷を駆動している前記ハイサイドドライバ以外のハイサイドドライバに接続されている前記転流経路切替回路は、前記制御部からの指示信号により開路され、前記ローサイドドライバから前記整流素子を介した前記ハイサイドドライバへの接続が遮断されるように構成されている、
ことを特徴とする。

本願に開示される誘導性負荷駆動回路によれば、回路異常等により制御部からの指示信号が途絶えた場合でも、サージを転流する適切な経路を確保できる誘導性負荷駆動回路が得られる。

実施の形態１による誘導性負荷駆動回路の概略構成を示す回路図である。

実施の形態１．
まず、実施の形態１による誘導性負荷駆動回路の全体の概略構成を説明する。図１は、実施の形態１による誘導性負荷駆動回路の概略構成を示す回路図である。図１において、誘導性負荷駆動回路１００は、ハイサイドドライバ１１ａと、ハイサイドドライバ１１ｂと、ローサイドドライバ８０と、転流素子１４ａと、転流素子１４ｂと、整流素子１６と、転流経路切替回路７０ａと、転流経路切替回路７０ｂと、を主体として構成されており、誘導性負荷駆動回路１００の外部には、制御部３００と、駆動対象としての誘導性負荷２００が備えられている。

次に、実施の形態１による誘導性負荷駆動回路１００における個々の構成について説明する。図１において、ハイサイドドライバ１１ａと、ハイサイドドライバ１１ｂとは、例えば、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴにより構成されている。ハイサイドドライバ１１ａは、制御部３００のＨＳ１端子からの指示信号により閉路又は開路するように構成され、ハイサイドドライバ１１ｂは、制御部３００のＨＳ２端子からの指示信号により閉路又は開路するように構成され、誘導性負荷２００の高電位側へ電源の供給又は電源の供給の停止を行なう。なお、実施の形態１では、ハイサイドドライバ１１ａと、ハイサイドドライバ１１ｂと、の２つのハイサイドドライバが備えられているが、３つ以上設けられていてもよい。

ローサイドドライバ８０は、例えば、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ１３のゲート端子とドレイン端子間にＮ型ＭＯＳＦＥＴアクティブクランプ回路４０を備えたものであり、制御部３００のＬＳ端子からの指示信号により閉路又は開路するように構成され、誘導性負荷２００の低電位側へ電源の供給又は電源の供給の停止を行なう。また、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴアクティブクランプ回路４０は、例えば、ダイオードとツェナーダイオードの直列体によって構成され、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ１３のドレイン端子とソース端子間に印加される電圧がＮ型ＭＯＳＦＥＴ１３の耐圧を超過しないように、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ１３のドレイン端子とソース端子間をハーフオン状態とすることで、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ１３の破損を防止する。

転流経路切替回路７０ａは、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ１２ａと、プルダウン抵抗２１ａと、スイッチ２２ａと、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴアクティブクランプ回路３０ａと、によって構成され、制御部３００のＲＳ１端子からの指示信号がスイッチ２２ａの入力端子へ入力されることでスイッチ２２ａが閉路し、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ１２ａのゲート端子とソース端子間が短絡され、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ１２ａが開路するが、それ以外のときはプルダウン抵抗２１ａによってゲートの電位が接地電位（以下、ＧＮＤと称する）に固定されるため、ソース端子との電位差により、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ１２ａは閉路するように構成されている。

なお、スイッチ２２ａは、図１ではコントロール端子に信号が印加されることで２つの入出力端子間を開閉するアナログスイッチとしているが、電気的な開閉ができればトランジスタ等の他の構成であってもよい。

さらに、転流経路切替回路７０ａは、ローサイドドライバ８０におけるＮ型ＭＯＳＦＥＴ１３と同様に、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴアクティブクランプ回路３０ａを備える。Ｐ型ＭＯＳＦＥＴアクティブクランプ回路３０ａは、例えば、ダイオードとツェナーダイオードの直列体によって構成され、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ１２ａのドレイン端子とソース端子間の電圧がＰ型ＭＯＳＦＥＴ１２ａの耐圧を超過しないように、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ１２ａのドレイン端子とソース端子間をハーフオン状態とすることで、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ１２ａの破損を防止する。

転流素子１４ａは、例えば、ダイオードであり、ローサイドドライバ８０のＧＮＤ側からハイサイドドライバ１１ａの後段に向けて転流経路を形成する。

転流経路切替回路７０ｂは、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ１２ｂと、プルダウン抵抗２１ｂと、スイッチ２２ｂと、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴアクティブクランプ回路３０ｂと、によって構成されている。制御部３００のＲＳ２端子からの指示信号がスイッチ２２ｂの入力端子へ入力されることでスイッチ２２ｂが閉路し、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ１２ｂのゲート端子とソース端子間が短絡され、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ１２ｂが開路するが、それ以外のときはプルダウン抵抗２１ｂによってゲートの電位がＧＮＤに固定されるため、ソース端子との電位差により、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ１２ｂは閉路するように構成されている。

なお、スイッチ２２ｂは、図１ではコントロール端子に信号が印加されることで２つの入出力端子間を開閉するアナログスイッチとしているが、電気的な開閉が出来ればトランジスタ等の他の構成であってもよい。

さらに、転流経路切替回路７０ｂは、ローサイドドライバ８０におけるＮ型ＭＯＳＦＥＴ１３と同様に、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴアクティブクランプ回路３０ｂを備えている。Ｐ型ＭＯＳＦＥＴアクティブクランプ回路３０ｂは、例えば、ダイオードとツェナーダイオードの直列体によって構成され、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ１２ｂのドレイン端子とソース端子間の電圧がＰ型ＭＯＳＦＥＴ１２ｂの耐圧を超過しないように、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ１２ｂのドレイン端子とソース端子間をハーフオン状態とすることで、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ１２ｂの破損を防止する。

なお、実施の形態１では、転流経路切替回路７０ａと、転流経路切替回路７０ｂの２つの転流経路切替回路を備えているが、ハイサイドドライバの数に応じ、転流経路切替回路を３つ以上設けられていてもよい。

転流素子１４ｂは、例えば、ダイオードであり、ローサイドドライバ８０のＧＮＤ側からハイサイドドライバ１１ｂの後段に向けて転流経路を形成している。整流素子１６は、ローサイドドライバ８０から転流経路切替回路７０ａと転流経路切替回路７０ｂと、に向けて整流をおこない、電流の逆流を防止する。

制御部３００は、ハイサイドドライバ１１ａと、ハイサイドドライバ１１ｂと、ローサイドドライバ８０と、転流経路切替回路７０ａと、転流経路切替回路７０ｂと、を制御するものであり、例えばマイコン、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ−ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ｇａｔｅ ａｒｒａｙ）などで構成されている。

次に実施の形態１の誘導性負荷駆動回路１００とその外部接続について説明する。図１において、ハイサイドドライバ１１ａのソース端子は、電源Ｖｂｂに接続されている。ハイサイドドライバ１１ａのドレイン端子は、第一負荷電源端子ＶＣＣ１と、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ１２ａのドレイン端子と、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴアクティブクランプ回路３０ａの一端と、転流素子１４ａのカソード端子と、に接続されている。ハイサイドドライバ１１ａのゲート端子は、制御部３００のＨＳ１端子に接続されている。

転流経路切替回路７０ａにおけるＰ型ＭＯＳＦＥＴ１２ａのゲート端子は、プルダウン抵抗２１ａと、スイッチ２２ａの入出力端子の一方と、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴアクティブクランプ回路３０ａの他端と、に接続されている。Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ１２ａのソース端子は、スイッチ２２ａの入出力端子の他方と、整流素子１６のカソード端子と、に接続されている。スイッチ２２ａのコントロール端子は、制御部３００のＲＳ１端子に接続されている。

ハイサイドドライバ１１ｂのソース端子は、電源Ｖｂｂに接続されている。ハイサイドドライバ１１ｂのドレイン端子は、第二負荷電源端子ＶＣＣ２と、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ１２ｂのドレイン端子と、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴアクティブクランプ回路３０ｂの一端と、転流素子１４ｂのカソード端子と、に接続されている。ハイサイドドライバ１１ｂのゲート端子は、制御部３００のＨＳ２端子に接続されている。

転流経路切替回路７０ｂにおけるＰ型ＭＯＳＦＥＴ１２ｂのゲート端子は、プルダウン抵抗２１ｂと、スイッチ２２ｂの入出力端子の一方と、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴアクティブクランプ回路３０ｂの他端と、に接続されている。Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ１２ｂのソース端子は、スイッチ２２ｂの入出力端子の他方と、整流素子１６のカソード端子と、に接続されている。スイッチ２２ｂのコントロール端子は、制御部３００のＲＳ２端子に接続されている。

ローサイドドライバ８０におけるＮ型ＭＯＳＦＥＴ１３のドレイン端子は、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴアクティブクランプ回路４０の一端と、整流素子１６のアノード端子と、第三負荷電源端子ＶＣＣ３と、に接続されている。Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ１３のゲート端子は、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴアクティブクランプ回路４０の他端と、制御部３００のＬＳ端子と、に接続されている。Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ１３のソース端子は、ＧＮＤに接続されている。転流素子１４ａのアノード端子と、転流素子１４ｂのアノード端子と、はＧＮＤに接続されている。

誘導性負荷２００の高電位側は、第一負荷電源端子ＶＣＣ１又は第二負荷電源端子ＶＣＣ２に接続されるものであり、図１では、第一負荷電源端子ＶＣＣ１に接続されている。誘導性負荷２００の低電位側は、第三負荷電源端子ＶＣＣ３に接続されている。

次に、実施の形態１による誘導性負荷駆動回路１００の動作について説明する。図１において、誘導性負荷駆動回路１００は、制御部３００のＨＳ２端子から出力される指示信号により、ハイサイドドライバ１１ｂを開路し、制御部３００のＨＳ１端子から出力される指示信号により、ハイサイドドライバ１１ａを閉路することにより、誘導性負荷２００の高電位側へ第一負荷電源Ｖｃｃ1の供給を行う。制御部３００のＬＳ端子から出力される指示信号、例えばＰＷＭ（Ｐｕｌｓｅ Ｗｉｄｔｈ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）信号により、ローサイドドライバ８０が開閉制御され、誘導性負荷２００の低電位側への電源の供給と停止を行うことで誘導性負荷２００を間欠動作させる。

誘導性負荷２００が間欠動作され、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ１３が開路するタイミングでサージが発生するが、整流素子１６と、制御部３００のＲＳ１端子から出力される指示信号、及びプルダウン抵抗２１ａにより、閉路している転流経路切替回路７０ａを介して第一負荷電源端子ＶＣＣ１への転流経路を確保し、誘導性負荷２００から発生するサージを転流させることにより、誘導性負荷駆動回路１００の破損を防止している。その際、転流経路切替回路７０ｂは制御部３００からの制御信号により開路となっているので、第二負荷電源端子ＶＣＣ２へサージの転流は起こらず、電源供給側へのみサージを転流させることができる。

次に、制御部３００への電源線（図示せず）の断線等により、意図せず制御部３００が停止した場合の動作について説明する。誘導性負荷２００の駆動状態において、制御部３００が異常停止し、ハイサイドドライバ１１ａとローサイドドライバ８０が開路となった場合に、誘導性負荷２００への電源供給が停止し、誘導性負荷２００からサージが発生する。この際、転流経路切替回路７０ａを構成しているプルダウン抵抗２１ａによりノーマリオンしているＰ型ＭＯＳＦＥＴ１２ａと、整流素子１６とにより転流経路を確保し、転流経路切替回路７０ａを介して、第一負荷電源端子ＶＣＣ１へサージを転流させる。これにより、サージによる誘導性負荷駆動回路１００の破損を防止することができる。

次に、プルダウン抵抗２１ａがオープン故障し、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ１２ａがノーマリオンとならないときに、誘導性負荷２００の駆動状態から、誘導性負荷２００への電源供給が停止した場合について説明する。この際、転流経路切替回路７０ａを構成しているＰ型ＭＯＳＦＥＴアクティブクランプ回路３０ａにより、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ１２ａがハーフオンすることで、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ１２ａのドレイン端子とソース端子間の電圧がＰ型ＭＯＳＦＥＴ１２ａの耐圧を超過しないよう制限されるとともに、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ１２ａを介した転流経路を確保し、第一負荷電源端子ＶＣＣ１へサージを転流させることが可能となる。これにより、誘導性負荷２００から発生するサージによる誘導性負荷駆動回路１００の破損は防止される。

次に、プルダウン抵抗２１ａがオープン故障し、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ１２ａがノーマリオンとならず、さらに、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴアクティブクランプ回路３０ａのオープン故障により、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ１２ａがハーフオンとならず、転流経路切替回路７０ａによる転流経路が確保できないときに、誘導性負荷２００の駆動状態から、誘導性負荷２００への電源供給が停止した場合について説明する。この際、ローサイドドライバ８０を構成している、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴアクティブクランプ回路４０により、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ１３がハーフオンすることでＮ型ＭＯＳＦＥＴ１３と転流素子１４ａを介した転流経路を確保し、第一負荷電源端子ＶＣＣ１へサージを転流させることが可能となる。これにより、誘導性負荷２００から発生するサージによる誘導性負荷駆動回路１００の破損は防止される。

このように、誘導性負荷駆動回路１００は、プルダウン抵抗２１ａ、及びＰ型ＭＯＳＦＥＴアクティブクランプ回路３０ａのオープン故障によって、転流経路切替回路７０ａを介した転流経路が確保できない状態で、誘導性負荷２００の駆動状態から、誘導性負荷２００を停止させた際に発生するサージを適切な電源へ転流する経路を確保するように構成されている。

次に、誘導性負荷２００の駆動状態から誘導性負荷２００への電源供給を停止する際の動作について説明する。誘導性負荷２００の駆動状態から電源供給を停止する際に、ローサイドドライバ８０を構成しているＮ型ＭＯＳＦＥＴ１３が閉路している状態で、ハイサイドドライバ１１ａを開路させた場合、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ１２ａのゲート端子とソース端子の電位差が発生せず、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ１２ａを閉路できなくなり誘導性負荷２００から発生するサージを適切な電源へ転流する経路を確保できない。このため、誘導性負荷２００の駆動状態から電源供給を停止する際には、制御部３００からの指示信号により、誘導性負荷駆動回路１００は、ローサイドドライバ８０を開路した後、ハイサイドドライバ１１ａを開路することにより、適切な電源へ転流する経路を確保するように構成されている。

また、ハイサイドドライバ１１ａを開路させ、予め設定された時間を経過し、誘導性負荷２００から発生するサージを、整流素子１６と、転流経路切替回路７０ａと、を介して転流させた後、転流経路切替回路７０ａを構成しているＰ型ＭＯＳＦＥＴ１２ａを開路させることで、第二負荷電源Ｖｃｃ２が、転流経路切替回路７０ｂを構成しているＰ型ＭＯＳＦＥＴ１２ｂの寄生ダイオードと、転流経路切替回路７０ａを構成しているＰ型ＭＯＳＦＥＴ１２ａを経由して、第一負荷電源端子ＶＣＣ１へ回り込むことを防止するように構成されている。

以上のように、実施の形態１による誘導性負荷駆動回路によれば、制御部３００からの指示信号が途絶えた場合でも、転流経路切替回路により適切にサージを転流する経路を確保し、誘導性負荷駆動回路を保護することができる。

なお、実施の形態１を適宜、変形、省略したりすることが可能である。

１１ａ、１１ｂ ハイサイドドライバ、１２ａ、１２ｂ Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ、１３ Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ、１４ａ、１４ｂ 転流素子、１６ 整流素子、２１ａ、２１ｂ プルダウン抵抗、２２ａ、２２ｂ スイッチ、３０ａ、３０ｂ Ｐ型ＭＯＳＦＥＴアクティブクランプ回路、４０ Ｎ型ＭＯＳＦＥＴアクティブクランプ回路、７０ａ、７０ｂ 転流経路切替回路、８０ ローサイドドライバ、１００ 誘導性負荷駆動回路、２００ 誘導性負荷、３００ 制御部、Ｖｂｂ 電源、Ｖｃｃ１ 第一負荷電源、Ｖｃｃ２ 第二負荷電源、ＶＣＣ１ 第一負荷電源端子、ＶＣＣ２ 第二負荷電源端子、ＶＣＣ３ 第三負荷電源端子

Claims (6)

1. 駆動対象である誘導性負荷の上流側に接続された複数のハイサイドドライバと、
   前記誘導性負荷の下流側に接続されたローサイドドライバと、
   整流素子を介して前記ローサイドドライバに接続され、閉路又は開路することで前記複数のハイサイドドライバのうちの対応するハイサイドドライバに接続され又は遮断される複数の転流経路切替回路と、
   を有し、
   外部に備えられた制御部からの指示信号を受け、前記複数のハイサイドドライバのうちの何れか一つと、前記ローサイドドライバと、により前記誘導性負荷を駆動し、
   前記誘導性負荷を駆動している前記ハイサイドドライバに接続された前記転流経路切替回路のみを閉路することにより、前記誘導性負荷の駆動を停止した際に前記誘導性負荷から発生するサージの転流経路を確保するように構成され、
   前記転流経路切替回路は、ノーマリオンであり、
   前記誘導性負荷を駆動している前記ハイサイドドライバ以外のハイサイドドライバに接続されている前記転流経路切替回路は、前記制御部からの指示信号により開路され、前記ローサイドドライバから前記整流素子を介した前記ハイサイドドライバへの接続が遮断されるように構成されている、
   ことを特徴とする誘導性負荷駆動回路。
2. 前記複数の転流経路切替回路は、
   Ｐ型ＭＯＳＦＥＴと、
   前記Ｐ型ＭＯＳＦＥＴをノーマリオンとするプルダウン抵抗と、
   前記制御部からの指示信号により前記Ｐ型ＭＯＳＦＥＴのゲートとソースの間を短絡又は開放させるスイッチと、
   を含む、
   ことを特徴とする請求項１に記載の誘導性負荷駆動回路。
3. 前記複数の転流経路切替回路は、
   前記Ｐ型ＭＯＳＦＥＴを過電圧から保護するＰ型ＭＯＳＦＥＴアクティブクランプ回路を備える、
   ことを特徴とする請求項２に記載の誘導性負荷駆動回路。
4. 前記ローサイドドライバの接地側から前記複数のハイサイドドライバの後段に向けて接続された複数の転流素子を備え、
   前記ローサイドドライバは、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴと、前記Ｎ型ＭＯＳＦＥＴを過電圧から保護するＮ型ＭＯＳＦＥＴアクティブクランプ回路と、を含む、
   ことを特徴とする請求項１から３のうちの何れか一項に記載の誘導性負荷駆動回路。
5. 前記誘導性負荷への電源供給を停止する際、前記制御部からの指示信号により、前記ローサイドドライバを開路した後に、前記ハイサイドドライバを開路するように構成されている、
   ことを特徴とする請求項１から４のうちの何れか一項に記載の誘導性負荷駆動回路。
6. 前記誘導性負荷への電源供給を停止する際、前記ハイサイドドライバの開路から予め設定された時間を経過した後に、前記転流経路切替回路を開路させるように構成されている、
   ことを特徴とする請求項５に記載の誘導性負荷駆動回路。

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