JP6911430B2 - 画像読取装置及び半導体装置 - Google Patents
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Description
本適用例に係る画像読取装置は、蛍光色を含む画像を読み取る画像読取装置であって、第1波長に最大発光強度を有する第1光源と、前記第1波長よりも長波長である第2波長に最大発光強度を有する第2光源と、前記画像を読み取る画像読取チップと、を備え、前記画像読取チップは、前記画像からの光を受けて光電変換する受光素子を含む画素を有し、前記受光素子が光電変換する分光感度は、波長が400nm以上500nm以下の光に対して最大である。
する。これにより受光素子は、検出すべき画像からの反射光に対し、検出すべきでない蛍光の影響を低減することが可能となる。よって、煩雑な操作や複雑な制御を必要とせず、蛍光色を含む画像の再現性を向上させることができる。
上記適用例に係る画像読取装置において、前記第1波長は、400nm以上500nm以下であって、前記受光素子が光電変換する分光感度は、前記第1波長よりも短波長側において分光感度が最大となってもよい。
上記適用例に係る画像読取装置において、前記受光素子は、n型の半導体基板に形成されてもよい。
上記適用例に係る画像読取装置において、前記第1光源の点灯時間は、前記第2光源の点灯時間より短くてもよい。
上記適用例に係る画像読取装置において、前記第1光源の発光強度は、前記第2光源の発光強度より弱くてもよい。
生じる第2光源よりも発光強度が弱い。これにより、受光素子の分光感度が高い短波長側と、受光素子の分光感度が低い長波長側と、で受光素子が検出する受光量を同等にすることが可能となり、受光素子が検出する信号の分解能を高くすることができる。これにより、画像の読み取り性能をさらに向上させることが可能となる。
上記適用例に係る画像読取装置において、前記受光素子が700nmの波長の光を光電変換する分光感度は前記第1波長の光を光電変換する分光感度の0.7倍以下であってもよい。
上記適用例に係る画像読取装置において、前記受光素子が700nmの波長の光を光電変換する分光感度は、前記第1波長の光を光電変換する分光感度の0.5倍以下であってもよい。
上記適用例に係る画像読取装置において、前記受光素子が600nmの波長の光を光電変換する分光感度は、前記第1波長の光を光電変換する分光感度の0.85倍以下であってもよい。
上記適用例に係る画像読取装置において、前記蛍光色は、蛍光ペンで塗られた領域であり、前記画像は、前記蛍光ペンで塗られた領域を含んでもよい。
、様々な蛍光色を含む蛍光ペンにおいても、再現性を向上させることが可能となる。
本適用例に係る半導体装置は、画像からの光を受けて光電変換する受光素子を含む画素を有し、前記受光素子が光電変換する分光感度は、波長が400nm以上500nm以下の光に対して最大である。
図1は、複合機1を示した外観斜視図である。図1に示すように、複合機1は、装置本体であるプリンターユニット(画像記録装置)2と、プリンターユニット2の上部に配設されたアッパーユニットであるスキャナーユニット(画像読取装置)3と、を一体に備えている。なお、以下、図1においての前後方向を主走査方向Xとし、左右方向を副走査方向Yとして説明する。また、主走査方向Xと副走査方向Yとは互いに直交するX,Yとして図面に記載する。
Coupled Device)ラインセンサーであってもよい。
入力された光を画像読取チップ415へと導く。
図5は、スキャナーユニット3の機能構成図である。図5に示される例では、スキャナーユニット3は、読取制御回路200、アナログフロンエンド(AFE)202、光源412、複数の画像読取チップ415(415‐1〜415‐n)、電圧生成回路421、を含んで構成されている。前述したように、光源412は赤色LED412R(「第2光源」の一例)、緑色LED412G、及び青色LED412B(「第1光源」の一例)を備えており、複数の画像読取チップ415は、モジュール基板414上に並べて配置されている。また、読取制御回路200、アナログフロンエンド202、電圧生成回路421は、モジュール基板414あるいはモジュール基板414とは異なる不図示の基板に備えられてもよく、また、読取制御回路200、アナログフロンエンド202及び電圧生成回路421のそれぞれが、集積回路(IC:Integrated Circuit)で構成されてもよい。
本実施形態おける画像読取チップ415の構成及び動作を図6、図7、図8を用いて行う。なお、イメージセンサーモジュール41に構成される複数の画像読取チップ415(415‐1〜415‐n)は全て同じ構成であるため、画像読取チップ415として説明を行う。また、画像読取チップ415‐i(i=1〜n)に入力されるチップイネーブル信号CEi(i=1〜n)をチップイネーブル信号CE_inとして説明を行い、画像読取チップ415‐i(i=1〜n)から出力されるチップイネーブル信号CEi+1(i=1〜n)をチップイネーブル信号CE_outとして説明を行う。また、画像読取チップ415‐i(i=1〜n)から出力される画像信号OSi(i=1〜n)を画像信号OSとして説明を行う。また、赤色LED412R、緑色LED412G及び青色LED412Bは、いずれの光源であるか区別する必要がないときは、光源412として説明を行う。なお、このときの光源の点灯時間を露光時間Δt、点灯時間を制御する信号を駆動信号Drvとして説明を行う。
発生させる。この画素リセット信号RST_PIXは、2つの信号処理回路103−1,103−2の各々が有するm個の画素回路110(110−1〜110−m)に共通に供給される。また、列リセット信号RST_COLは、2つの信号処理回路103−1,103−2の各々が有するm個の列処理回路120(120−1〜120−m)に共通に供給される。
受光素子111に蓄積されている電荷(負の電荷)が多いため、NMOSトランジスター114のゲート端子の電圧は低下し、これに応じて画素信号PIXO1〜PIXOmの電圧がそれぞれΔVpix1〜ΔVpixnだけ低下する。このとき、スイッチ123は非導通であるため、m個の増幅回路150が動作し、各出力信号CDSO1〜CDSOnは、それぞれΔVpix1〜ΔVpixnに比例して上昇する。
2Gの点灯により、媒体で反射された光を受光し、受光量に応じた電荷(負の電荷)を生成する。画像読取チップ415は、受光素子111が生成した電荷に基づき、画像信号OSを生成し画像読取チップ415から出力する。
4.1 受光素子の分光感度特性
図9は、波長が400nmから700nmの可視域における、本実施形態の受光素子111の相対感度(「分光感度」の一例)を模式的に示した図である。図9の横軸には波長を、また縦軸には、受光素子111の相対感度を示す。
き、受光素子は、赤色のLEDに基づく反射光と、蛍光とを検出し、電気信号を生成する。そのため、「赤」に対応する画像信号には、反射光に基づく信号と、蛍光に基づく信号と、とが含まれる。また、媒体に緑色のLEDが照射されたとき、受光素子は、緑色のLEDに基づく反射光と、蛍光とを検出し、電気信号を生成する。そのため、「緑」に対応する画像信号には、反射光に基づく信号と、蛍光に基づく信号と、とが含まれる。また、媒体に青色のLEDが照射されたとき、受光素子は、青色のLEDに基づく反射光と、蛍光とを検出し、電気信号を生成する。そのため、「青」に対応する画像信号には、反射光に基づく信号と、蛍光に基づく信号と、とが含まれる。
111の相対感度の低下を補正することが可能となる。よって、受光素子111の検出感度を高めることが可能となる。
図示する。
ここで、本実施形態に示す400nmから500nmの波長において、検出感度が最大となる受光素子111の構造の一例について説明する。
、中性領域で生じた電荷の大半は、周囲の電荷と再結合するため、受光素子111から信号として取り出されない。換言すれば、受光素子111から出力される電荷の大半は、P型半導体350と、N型半導体340と、の間に形成された空乏層で生じた電荷となる。
以上に説明したように、本実施形態に係るスキャナーユニット(画像読取装置)3では、画像読取チップ415において、媒体からの光を受けて光電変換する受光素子111の相対感度は、波長が400nm以上500nm以下の光に対して最大となる。すなわち、受光素子111は、波長が500nmを超える長波長側において相対感度が低下する。これにより受光素子111は、検出すべき媒体からの反射光に対し、検出すべきでない蛍光の影響を低減することが可能となる。よって、煩雑な操作や複雑な制御を必要とせず、蛍光色を含む媒体上の画像の再現性を向上させることができる。
射光に対し、検出すべきでない蛍光の影響をさらに低減することが可能となる。よって、蛍光色を含む媒体上の画像の再現性をさらに向上させることが可能となる。
図1、図2に示されるように、本実施形態におけるスキャナーユニット3は、原稿台に
載置された媒体を読み込む構成であったが、ADF(オートドキュメントフィーダー)等を備えた搬送型のスキャナーユニットであってもよい。さらに、媒体の表面と裏面の双方にイメージセンサーモジュール41を備えた構成であって、媒体の表面と裏面の双方を同時に読み込む両面読取のスキャナーユニット3であっても良い。このような変形例においても、上記実施形態と同様の効果を奏することができる。
Claims (10)
- 蛍光色を含む画像を読み取る画像読取装置であって、
第1波長に最大発光強度を有し青の波長域の光を出力する第1光源と、
前記第1波長よりも長波長である第2波長に最大発光強度を有する第2光源と、
前記画像を読み取る画像読取チップと、
を備え、
前記画像読取チップは、
前記画像からの光を受けて光電変換する受光素子を含む画素を有し、
可視域における前記受光素子の分光感度の最大値は、400nm以上500nm以下の波長域に位置する、
ことを特徴とする画像読取装置。 - 前記第1波長は、400nm以上500nm以下であって、
可視域における前記受光素子の分光感度は、
前記第1波長よりも短波長側において最大となる、
ことを特徴とする、請求項1に記載の画像読取装置。 - 前記受光素子は、n型の半導体基板に形成されている、
ことを特徴とする、請求項1又は2に記載の画像読取装置。 - 前記第1光源の点灯時間は、前記第2光源の点灯時間より短い、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の画像読取装置。 - 前記第1光源の発光強度は、前記第2光源の発光強度より弱い、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の画像読取装置。 - 700nmの波長の光における前記受光素子の分光感度は、
前記第1波長の光における前記受光素子の分光感度の0.7倍以下である、
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の画像読取装置。 - 700nmの波長の光における前記受光素子の分光感度は、
前記第1波長の光における前記受光素子の分光感度の0.5倍以下である、
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の画像読取装置。 - 600nmの波長の光における前記受光素子の分光感度は、
前記第1波長の光における前記受光素子の分光感度の0.85倍以下である、
ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の画像読取装置。 - 前記蛍光色は、蛍光ペンで塗られた領域であり、
前記画像は、前記蛍光ペンで塗られた領域を含む、
ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の画像読取装置。 - 画像からの光を受けて光電変換する受光素子を含む画素を有し、
可視域における前記受光素子の分光感度の最大値は、400nm以上500nm以下の波長域に位置する、
ことを特徴とする半導体装置。
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