JP6903795B2 - タッチパネルおよびタッチパネルモジュール - Google Patents
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Description
する。または、本発明の一態様は、タッチパネルに関する。または、可撓性を有するタッ
チパネルに関する。または、本発明の一態様は、タッチパネルモジュールに関する。また
は、可撓性を有するタッチパネルモジュールに関する。
の一態様は、物、方法、又は、製造方法に関する。本発明の一態様は、プロセス、マシン
、マニュファクチャ、又は、組成物(コンポジション・オブ・マター)に関する。そのた
め、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、
表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置
、それらの駆動方法、又は、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
装置全般を指す。トランジスタなどの半導体素子をはじめ、半導体回路、演算装置、記憶
装置は、半導体装置の一態様である。撮像装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、電
気光学装置、発電装置(薄膜太陽電池、有機薄膜太陽電池等を含む)、及び電子機器は、
半導体装置を有している場合がある。
ている。すなわち、信号の入力が当該表示面に接触することによって行われる装置が知ら
れている。当該装置はタッチパネルとも呼ばれ、画像表示のための表示部に重ねてタッチ
センサを設けることにより、より直感的な操作が可能な電子機器が実現されている。この
ような電子機器として、例えば、携帯電話、スマートフォン、パーソナルコンピュータ、
タブレット端末、携帯型ゲーム機器、携帯型音楽プレーヤなどが挙げられる。
として、入力信号を検出するタッチセンサをディスプレイパネルに外付けする構造、及び
タッチセンサがディスプレイパネルに内蔵される構造が存在する。また、入力信号の検出
方式としては抵抗膜方式、静電容量方式、及び光方式などが存在し、タッチセンサがディ
スプレイパネルに内蔵される構造としてはインセル型及びオンセル型などが存在する。さ
らに、トランジスタなどの能動素子を有するアクティブマトリクス方式のタッチセンサが
存在する。
センサとトランジスタを備えた基板と、表示素子とトランジスタを備えた基板を貼り合わ
せていた。このため、2枚の基板のそれぞれにトランジスタを形成する工程が必要となっ
ていた。また、タッチセンサに信号を供給するFPC(Flexible printe
d circuit)と、表示素子に信号を供給するFPCをそれぞれの基板に取り付け
る必要があった。
する。または、厚さの薄いタッチパネルを提供することを課題の一とする。または、タッ
チパネルの作製コストを低減させることを課題の一とする。または、タッチパネルの検出
感度を向上させることを課題の一とする。または、タッチパネルの視認性を向上させるこ
とを課題の一とする。または、曲げることのできるタッチパネルを提供することを課題の
一とする。または、軽量なタッチパネルを提供することを課題の一とする。または、信頼
性の高いタッチパネルを提供することを課題の一とする。
を提供することを課題の一とする。
一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課
題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、
図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
導電膜と、絶縁膜と、導電体を有し、第2の基板上に、第3の導電膜を有するタッチセン
サである。第1の基板は、第2の基板と互いに重なる領域を有する。第1の導電膜は、第
1の基板と第2の導電膜の間に位置する領域を有する。絶縁膜は、第1の導電膜と第2の
導電膜の間に位置する領域を有する。第1の導電膜と第2の導電膜と絶縁膜は、容量を形
成する。導電体は、第2の導電膜と第3の導電膜の間に位置する領域を有する。第3の導
電膜は、導電体を介して第2の導電膜と電気的に接続しており、容量の一部として機能し
ている。また、第1のトランジスタは、第2の導電膜と電気的に接続している。
スタと、表示素子と、第1の膜と、第2の膜と、を有するタッチパネルである。第1の膜
は、特定波長帯域の光を透過する機能を有し、且つ、表示素子と互いに重なる領域を有す
る。第2の膜は、可視光を遮光する機能を有する。第1の膜及び第2の膜は、第3の導電
膜と互いに重なる領域を有する。第2の膜は、第2の導電膜と互いに重なる領域を有する
。第2のトランジスタは、表示素子と電気的に接続されている。第1のトランジスタと第
2のトランジスタは、同じ工程から形成される。
ましい。
FPCは、第1の導電膜または第2の導電膜の少なくとも一方に信号を供給する機能を有
する、タッチセンサモジュールである。
FPCは、表示素子に信号を供給する機能を有する、タッチパネルモジュールである。
モジュールが、筐体内に組み込まれた電子機器である。
る。または、タッチパネルの作製コストを低減させることができる。または、厚さの薄い
タッチパネルを提供することができる。または、タッチパネルの視認性を向上させること
ができる。または、タッチパネルの検出感度を向上させることができる。または、軽量な
タッチパネルを提供することができる。または、信頼性の高いタッチパネルを提供できる
。
、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様
は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明
細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請
求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更
し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態
の記載内容に限定して解釈されるものではない。
同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様
の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されな
い。
ために付すものであり、数的に限定するものではない。
御するスイッチング動作などを実現することができる。本明細書におけるトランジスタは
、IGFET(Insulated Gate Field Effect Trans
istor)や薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor
)を含む。
応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電
膜」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という
用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。
本実施の形態では、本発明の一態様のタッチセンサ、タッチセンサを備えるタッチセン
サモジュール、タッチパネル、及びタッチパネルモジュール等の構成例について説明する
。以下では、タッチセンサとして静電容量方式のタッチセンサを適用した場合について説
明する。
Tape Carrier Package)などのコネクターが取り付けられたもの、
または基板にCOG(Chip On Glass)方式によりIC(集積回路)が直接
実装されものを、タッチセンサモジュールと呼ぶ場合がある。また、タッチセンサとして
の機能と、画像等を表示する機能の両方を備える装置をタッチパネル(入出力装置)と呼
ぶ場合がある。なお、タッチパネルに上記コネクターが取り付けられたもの、またはIC
が実装されたものをタッチパネルモジュール、または単にタッチパネルと呼ぶ場合がある
。
ジスタと容量素子を備える。容量素子は、例えば第1の基板上の、第1の導電膜、及び第
2の導電膜と、これらの間に絶縁膜とが挟持された積層構造を有する構成とすることがで
きる。このとき第1の導電膜と第2の導電膜はそれぞれ容量素子の電極として機能し、絶
縁膜は誘電体として機能する。また、第2の基板上の第3の導電膜は、導電体を介して、
第2の導電膜と電気的に接続しており、容量素子の電極として機能している。また、第1
のトランジスタは、第2の導電膜と電気的に接続している。
)側に設けられるとする。本発明の一態様のタッチセンサは、指やスタイラス等の被検出
体と、第3の導電膜との間に形成される容量を検出することで、タッチ動作を検出するこ
とができる。具体的には、第1の導電膜と第3の導電膜との間に所定の電位差が与えられ
ていた時に、タッチ動作により形成される容量により生じる、第3の導電膜の電位の変化
を検出することで、タッチ動作を検出することができる。なお、本明細書中において、指
やスタイラス等の被検出体と、容量素子の電極との間に形成される容量の大きさのことを
、寄生する容量の大きさ、という場合がある。
積よりも、第1の導電膜の面積を大きくすることが好ましい。こうすることで第1の導電
膜と第2の導電膜の間の容量の大きさを小さくできる。さらに、第3の導電膜の電極面積
を大きくすることで、被検出体と第3の導電膜との間に形成される容量を大きくすること
ができる。その結果、タッチ動作時における第3の導電膜の電位の変化が大きくなるため
、検出感度を高めることが可能となる。
を有する表示パネルに組み込んで、タッチパネルを構成することができる。このとき、第
1の基板上に、第1のトランジスタと第2のトランジスタを同じ工程から形成することに
より、第2の基板上に、第1のトランジスタを形成する必要がなくなるため、タッチパネ
ルの作製工程を簡略化させ、作製コストを低減することができる。また、第2の基板上に
、第1のトランジスタを形成する必要がなくなるため、タッチパネルの厚さを低減するこ
とができる。また、タッチセンサに信号を供給するためのFPCを、第2の基板上に実装
する必要がなくなるため、タッチパネルの作製工程を簡略化させ、作製コストを低減する
ことができる。さらには、一対の基板に可撓性を有する材料を用いることで、薄く、軽量
で且つフレキシブルなタッチパネルを実現することができる。
図1(A)は、本発明の一態様のタッチパネルモジュール10の斜視概略図である。ま
た図1(B)は、タッチパネルモジュール10を展開したときの斜視概略図である。
から構成されるタッチセンサを有する。各センサユニット22は、第1の基板31上のセ
ンサ回路部34と、導電体(図示せず)と、第2の基板21上の導電膜23から構成され
る。
23は、導電体によりセンサ回路部34に電気的に接続されている。
画素33及び複数のセンサ回路部34を備える。また第1の基板31上には、画素33と
電気的に接続する回路35と、センサ回路部34と電気的に接続する回路36及び回路3
7を備えることが好ましい。回路35は、例えばゲート駆動回路として機能する回路を適
用することができる。回路36及び回路37の少なくとも一方は、センサ回路部34を選
択する機能を有する回路を適用することができる。また、回路36及び回路37の少なく
とも一方は、センサ回路部34からの信号を出力する機能を有する回路を適用することが
できる。
の信号を供給する機能を有する。または、FPC41は、センサ回路部34、回路36及
び回路37の少なくとも一からの信号を外部に出力する機能を有する。また、FPC42
は、画素33または回路35の少なくとも一に、外部からの信号を供給する機能を有する
。さらに、図1では、第1の基板31に端子43を備える構成を示している。端子43に
は、例えばFPCを取り付けること、ソース駆動回路として機能するICをCOG方式ま
たはCOF方式により直接実装すること、またはICが実装されたFPC、TAB、TC
P等を取り付けること等が可能である。
作が行われた際の容量または寄生する容量の大きさの変化に基づく位置情報を出力するこ
とができる。また画素33により画像を表示することができる。
図2(A)に、図1(A)中に破線で示す領域を拡大した概略図を示す。
。
画素33と重ねて設けられている。
、一部は導電膜23と重ねて設けられ、他の一部は、隣接する2つの導電膜23の間の領
域と重ねて設けられている。
色膜25r、25g、25b、画素33、センサ回路部34が配置されている。1つの導
電膜23は、複数の画素33と1つのセンサ回路部34に重ねて設けられている。また、
センサ回路部34は、導電膜23と導電体により電気的に接続されている。
れらに共通する事項を説明する場合においては単に着色膜25と表記する場合がある。
赤色の光を透過し、着色膜25gは緑色の光を透過し、着色膜25bは青色の光を透過す
る。画素33と着色膜25の一つが互いに重なるように配置されることで、画素33から
の光のうちの特定波長帯域の光のみを第2の基板21側に透過させることができる。
25の間の領域と重なるように配置される。図2(B)では、遮光膜24として開口部を
有する形状とし、当該開口部が画素33及び着色膜25と重なるように配置されている例
を示している。
を示しているが、遮光膜24よりも第2の基板21側に着色膜25を配置してもよい。
電膜23としては、可視光を透過する材料を用いることが好ましい。
、第1の基板31上の画素33、センサ回路部34、配線38、配線39のそれぞれの上
面から見た配置の例を示す。図3(A)乃至(C)に示すように、1つの導電膜23に対
して、1つのセンサ回路部34が複数の画素33の間の領域に配置される。なお、図3(
A)乃至(C)においては、12の画素33に対して1つのセンサ回路部34を配置する
例を示しているが、この数は限定されない。
も良い。また、図3(B)に示すように、画素33の左右に領域を設け、センサ回路部3
4を配置しても良い。また、図3(C)に示すように、画素33の上下左右に領域を設け
、センサ回路部34を配置しても良い。なお、センサ回路部34を配置する領域はこれら
に限定されず、画素33が配置される領域以外の領域であれば、どこに配置しても良い。
向に複数設けられている。また、配線38及び配線39は、回路36及び回路37にそれ
ぞれ電気的に接続されている。
タが備えられている。導電膜23は、導電体により容量素子と電気的に接続されており、
容量素子を構成する電極の一方として機能している。また、画素33には、表示素子と、
表示素子に電気的に接続された第2のトランジスタが備えられている。このとき、第1の
トランジスタは、第2のトランジスタと同じ工程から形成されることが好ましい。これに
より、第2の基板21上に、第1のトランジスタを形成する必要がなくなるため、タッチ
パネルの作製工程を簡略化させ、厚さを低減することができる。
いる。
ターンが視認されにくくなり、表示品位を向上させることができる。
有する材料を用いることができる。例えば透過率が導電膜23の透過率のプラスマイナス
5%以内である材料を用いることができる。特に、光学調整膜26は、導電膜23と同一
の材料を用いることが好ましい。このとき、同一の導電膜を加工することにより、導電膜
23と光学調整膜26とを同時に形成すると、工程を簡略化できるため好ましい。
供給することが可能な構成とすることが好ましい。例えば共通電位、接地電位等の固定電
位を光学調整膜26に供給する構成とすればよい。または、導電膜23と電気的に接続す
る構成としてもよい。
以下では、図1(A)に示すタッチパネルモジュール10の断面構成例について説明す
る。
図5(A)に、本発明の一態様のタッチパネルモジュールの断面概略図を示す。図5(
A)に示すタッチパネルモジュールは、一つの基板上にセンサ回路及び表示素子を有する
ため、薄型化を図ることができる。
て貼り合された構成を有する。第2の基板21上には、着色膜25、遮光膜24、導電膜
23等が設けられている。また第1の基板31上には、トランジスタ201、トランジス
タ202、トランジスタ203、トランジスタ204、トランジスタ205、発光素子2
06、容量素子207、コンタクト部208、コンタクト部209等が設けられている。
4、半導体膜215、導電膜216、絶縁膜217、絶縁膜218、絶縁膜219、導電
膜220、絶縁膜221、導電膜222、絶縁膜223、導電膜224、絶縁膜229、
スペーサ230、導電性粒子231、接続膜232等を有する。
発光素子206が設けられている。発光素子206は、導電膜225、EL層226、導
電膜227を有する(図5(B)参照)。また導電膜225とEL層226との間には、
光学調整膜228が設けられている。絶縁膜229は、導電膜225および光学調整膜2
28の端部を覆って設けられている。
用のトランジスタ202を有する構成を示している。トランジスタ201は、ソース又は
ドレインの一方が導電膜220を介して導電膜224と電気的に接続している。また、セ
ンサ回路部34に、トランジスタ203と、容量素子207を有する構成を示している。
導電膜222と導電膜224との間に絶縁膜223が挟持され、これらが容量素子207
を構成している。トランジスタ203は、ソース又はドレインの一方が導電膜220を介
して導電膜224に電気的に接続している。なお、画素33が有するトランジスタ201
及び202とセンサ回路部34が有するトランジスタ203は同じ工程から形成されてい
る。
31が導電体として塗布されている。第2の基板21上の導電膜23は、導電性粒子23
1を介して、導電膜224に電気的に接続されており、容量素子207を構成する電極の
一方として機能している。接続膜232には複数の球状の導電性粒子が混入され、導電性
粒子231は、導電膜23と導電膜224の間に挟まれ、圧力により変形している(図5
(C)参照)。これにより、導電性粒子231と、導電膜23および導電膜224との接
続面積が大きくなり、電気的接続が確保される。なお、ここでは、第1の基板31上の導
電膜224と第2の基板21上の導電膜23を電気的に接続するための導電体として、球
状の導電性粒子を示したが、導電体であれば形および材料は限定されない。
けられている構成を示している。
成される半導体膜を2つのゲート電極で挟持する構成を適用した例を示している。このよ
うなトランジスタは他のトランジスタと比較して電界効果移動度を高めることが可能であ
り、オン電流を増大させることができる。その結果、高速動作が可能な回路を作製するこ
とができる。さらには回路部の占有面積を縮小することが可能となる。オン電流の大きな
トランジスタを適用することで、表示パネルまたはタッチパネルを大型化、または高精細
化したときに配線数が増大したとしても、各配線における信号遅延を低減することが可能
であり、表示ムラを抑制することが可能である。
あってもよい。また回路35が有するトランジスタは、全て同じ構造であってもよいし、
異なる構造のトランジスタを組み合わせて用いてもよい。また、画素33が有するトラン
ジスタは、同じ構造であってもよいし、異なる構造のトランジスタを組み合わせて用いて
もよい。また、回路36が有するトランジスタとセンサ回路部34が有するトランジスタ
においても、同様の構造であってもよいし、異なる構造のトランジスタを組み合わせて用
いてもよい。
出する。発光素子206の発光領域と重ねて、トランジスタ201、トランジスタ202
等のほか、容量素子や配線等を配置することで、画素33の開口率を高めることができる
。
23、遮光膜24、着色膜25、絶縁膜27等を有する。
射出された光は着色膜25を透過して第2の基板21側に射出される。
つが互いに重なるように配置されることで、画素33からの光のうちの特定波長帯域の光
のみを第2の基板21側に透過させることができる。
25の間の領域と重なるように配置される。図5(A)では、遮光膜24として開口部を
有する形状とし、当該開口部が画素33及び着色膜25と重なるように配置されている例
を示している。
を示しているが、遮光膜24よりも第2の基板21側に着色膜25を配置してもよい。
電膜23としては、可視光を透過する材料を用いることが好ましい。
ルなタッチパネルを実現できる。
膜25としてR(赤)、G(緑)、B(青)のうちいずれかが適用された3色の画素によ
り1つの色を表現する構成としてもよい。また、これに加えてW(白)やY(黄)の画素
を適用した構成としてもよい。
本発明の一態様のタッチパネルからは、色純度の高い光を取り出すことができる。光学調
整膜228の厚さは、各画素の色に応じて異なる厚さとすればよい。また画素によっては
光学調整膜228を有さない構成としてもよい。
とが好ましい。このような発光素子206を適用することで、各画素にEL層226を塗
り分ける必要がないためコストを削減できるほか、画素の高精細化が容易となる。また各
画素における光学調整膜228の厚さを変更することにより、各々の画素に適した波長の
発光を取り出すことができ、色純度を高めることができる。なお、各画素に対してEL層
226を塗り分ける構成としてもよく、その場合には光学調整膜228を用いない構成と
することもできる。
には開口部が設けられ、当該開口部に配置された接続膜260によりコンタクト部208
とFPC42とが電気的に接続している。同様に、各絶縁膜等の開口部に配置された接続
膜261を介してコンタクト部209とFPC41が電気的に接続している。
スタのソース電極及びドレイン電極と同一の導電膜を加工して形成された導電膜を有する
構成を示している。
opic Conductive Film)や、異方性導電ペースト(ACP:Ani
sotropic Conductive Paste)などを用いることができる。ま
た、導電性粒子231を混入した接続膜232と同じ材料を用いることができる。
ることが好ましい。すなわち、絶縁膜212および絶縁膜263はバリア膜として機能さ
せることができる。このような構成とすることで、第1の基板31や第2の基板21とし
て透湿性を有する材料を用いたとしても、発光素子206や各トランジスタに対して外部
から不純物が拡散することを効果的に抑制することが可能で、信頼性の高いタッチパネル
を実現できる。
以下では、上記に示す各構成要素について説明する。
機能する導電膜と、ドレイン電極として機能する導電膜と、ゲート絶縁膜として機能する
絶縁膜と、を有する。図5(A)には、ボトムゲート構造のトランジスタを適用した場合
を示している。
。例えば、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしても
よい。また、トップゲート型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよ
い。トランジスタに用いる半導体材料は特に限定されず、例えば、酸化物半導体、シリコ
ン、ゲルマニウム等が挙げられる。
結晶性を有する半導体(微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領
域を有する半導体)のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トラン
ジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
体又は酸化物半導体を半導体膜に用いることができる。代表的には、シリコンを含む半導
体、ガリウムヒ素を含む半導体又はインジウムを含む酸化物半導体などを適用できる。
好ましい。特にシリコンよりもバンドギャップの大きな酸化物半導体を適用することが好
ましい。シリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を
用いると、トランジスタのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。
)を含むことが好ましい。より好ましくは、In−M−Zn系酸化物(MはAl、Ti、
Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、CeまたはHf等の金属)で表記される酸化物を含
む。
、または半導体膜の上面に対し概略垂直に配向し、且つ隣接する結晶部間には粒界を有さ
ない酸化物半導体膜を用いることが好ましい。
応力によって酸化物半導体膜にクラックが生じてしまうことが抑制される。したがって、
可撓性を有し、湾曲させて用いるタッチパネルなどに、このような酸化物半導体を好適に
用いることができる。
れ、信頼性の高いトランジスタを実現できる。
亘って保持することが可能である。このようなトランジスタを画素に適用することで、各
表示領域に表示した画像の階調を維持しつつ、駆動回路を停止することも可能となる。そ
の結果、極めて消費電力の低減された表示装置を実現できる。
しい。シリコンとしてアモルファスシリコンを用いてもよいが、特に結晶性を有するシリ
コンを用いることが好ましい。例えば、微結晶シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコ
ンなどを用いることが好ましい。特に、多結晶シリコンは、単結晶シリコンに比べて低温
で形成でき、且つアモルファスシリコンに比べて高い電界効果移動度と高い信頼性を備え
る。このような多結晶半導体を画素に適用することで画素の開口率を向上させることがで
きる。また極めて高精細に画素を有する場合であっても、ゲート駆動回路とソース駆動回
路を画素と同一基板上に形成することが可能となり、電子機器を構成する部品数を低減す
ることができる。
線および電極などの導電膜に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、
クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、また
はタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造と
して用いる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニ
ウム膜を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅
−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を
積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チ
タン膜と、そのチタン膜または窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層
し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜また
は窒化モリブデン膜と、そのモリブデン膜または窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウ
ム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成す
る三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛を含む透明導電材料
を用いてもよい。また、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が
高まるため好ましい。
ンジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物または
グラフェンを用いることができる。または、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タ
ングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、またはチタンなどの
金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、該金属材料の窒
化物(例えば、窒化チタン)などを用いてもよい。なお、金属材料、合金材料(またはそ
れらの窒化物)を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすればよい。また、上記材
料の積層膜を導電膜として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とイン
ジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。
ル、エポキシなどの樹脂、シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シ
リコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用い
ることもできる。
金、銀、銅、パラジウム、又は白金から選ばれた一元素、若しくは複数の元素で形成され
る薄膜を被覆することによって形成される。なお、導電体であれば形や材料は限定されず
、銀ペーストなども用いることが可能である。また、接続膜232としては、熱硬化樹脂
や光硬化樹脂、2液混合型の硬化性樹脂などの硬化性樹脂を用いることができる。例えば
、アクリル、ウレタン、エポキシ、またはシロキサン結合を有する樹脂などの樹脂を用い
ることができる。
が好ましい。これにより、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装置
の信頼性の低下を抑制できる。
含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、
酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
]以下、好ましくは1×10−6[g/(m2・day)]以下、より好ましくは1×1
0−7[g/(m2・day)]以下、さらに好ましくは1×10−8[g/(m2・d
ay)]以下とする。
脂を用いることができる。例えば、アクリル、ウレタン、エポキシ、またはシロキサン結
合を有する樹脂などの樹脂を用いることができる。
正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物
質、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質(電子輸送性及び正孔輸送性が高い
物質)等を含む層をさらに有していてもよい。
機化合物を含んでいてもよい。EL層226を構成する層は、それぞれ、蒸着法(真空蒸
着法を含む)、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することがで
きる。
の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等が挙げられる。
含まれた樹脂材料などが挙げられる。
scence)層を有する発光素子を用いたが、そのほかの表示素子として、電気泳動方
式や電子粉流体(登録商標)方式やエレクトロウェッティング方式などにより表示を行う
表示素子(電子インクともいう)、シャッター方式のMEMS表示素子、光干渉方式のM
EMS表示素子、液晶素子など、様々な表示素子を用いることができる。
、直視型液晶ディスプレイなどにも適用できる。なお、半透過型液晶ディスプレイや反射
型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電極の一部、または、全部が、反射電極と
しての機能を有するようにすればよい。例えば、画素電極の一部、または、全部が、アル
ミニウム、銀、などを有するようにすればよい。さらに、その場合、反射電極の下に、S
RAMなどの記憶回路を設けることも可能である。これにより、さらに、消費電力を低減
することができる。また、適用する表示素子に好適な構成を様々な画素回路から選択して
用いることができる。
ここで、可撓性を有するタッチパネルを作製する方法について説明する。
はタッチセンサを含む構成を素子層と呼ぶこととする。素子層は例えば表示素子を含み、
表示素子の他に表示素子と電気的に接続する配線、画素や回路に用いるトランジスタなど
の素子を備えていてもよい。
たは第2の基板21)のことを、基材と呼ぶこととする。
接素子層を形成する方法と、剛性を有する支持基材上に素子層を形成した後、素子層と支
持基材とを剥離して素子層を基材に転置する方法と、がある。
、基材上に直接素子層を形成すると、工程が簡略化されるため好ましい。このとき、基材
を支持基材に固定した状態で素子層を形成すると、装置内、及び装置間における搬送が容
易になるため好ましい。
持基材上に剥離膜と絶縁膜を積層し、当該絶縁膜上に素子層を形成する。続いて、支持基
材と素子層を剥離し、基材に転置する。このとき、支持基材と剥離膜の界面、剥離膜と絶
縁膜の界面、または剥離膜中で剥離が生じるような材料を選択すればよい。
物を含む膜を積層して用い、剥離膜上に窒化シリコンや酸窒化シリコンを複数積層した膜
を用いることが好ましい。高融点金属材料を用いると、素子層の形成工程の自由度が高ま
るため好ましい。
一部に液体を滴下して剥離界面全体に浸透させることなどにより剥離を行ってもよい。ま
たは、熱膨張の違いを利用して剥離界面に熱を加えることにより剥離を行ってもよい。
例えば、支持基材としてガラスを用い、絶縁膜としてポリイミドなどの有機樹脂を用いて
、有機樹脂の一部をレーザ光等を用いて局所的に加熱することにより剥離の起点を形成し
、ガラスと絶縁膜の界面で剥離を行ってもよい。または、支持基材と有機樹脂からなる絶
縁膜の間に金属膜を設け、当該金属膜に電流を流すことにより当該金属膜を加熱すること
により、当該金属膜と絶縁膜の界面で剥離を行ってもよい。このとき、有機樹脂からなる
絶縁膜は基材として用いることができる。
エチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポ
リイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート(PC)樹脂、ポリエ
ーテルスルホン(PES)樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン
樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。特に、熱膨張係数の
低い材料を用いることが好ましく、例えば、熱膨張係数が30×10−6/K以下である
ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、PET等を好適に用いることができる。また、
繊維体に樹脂を含浸した基板(プリプレグとも記す)や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜ
て熱膨張係数を下げた基板を使用することもできる。
度繊維を用いる。高強度繊維とは、具体的には引張弾性率またはヤング率の高い繊維のこ
とを言い、代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリア
ミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキ
サゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維が挙げられる。ガラス繊維としては、Eガラ
ス、Sガラス、Dガラス、Qガラス等を用いたガラス繊維が挙げられる。これらは、織布
または不織布の状態で用い、この繊維体に樹脂を含浸させ樹脂を硬化させた構造物を可撓
性を有する基板として用いても良い。可撓性を有する基板として、繊維体と樹脂からなる
構造物を用いると、曲げや局所的押圧による破損に対する信頼性が向上するため、好まし
い。
たは、ガラスと樹脂材料とが貼り合わされた複合材料を用いてもよい。
2を順に形成した後に、それよりも上層の構造物を形成する。またこれとは別に、第2の
支持基材上に第2の剥離膜、絶縁膜263を順に形成した後に、それよりも上層の構造物
を形成する。続いて、第1の支持基材と第2の支持基材を接着膜264により貼り合わせ
る。その後、第1の剥離膜と絶縁膜212との界面で剥離することで第1の支持基材及び
第1の剥離膜を除去し、絶縁膜212と第1の基板31とを接着膜211により貼り合わ
せる。また、第2の剥離膜と絶縁膜263との界面で剥離することで第2の支持基材及び
第2の剥離膜を除去し、絶縁膜263と第2の基板21とを接着膜262により貼り合わ
せる。なお、剥離及び貼り合わせはどちら側を先に行ってもよい。
図6に、図5とは構成の一部の異なる断面構成例を示す。図6(A)に示す構成は、図
5(A)で示した構成と比較し、容量素子207の構成が異なる点で主に相違している。
なお、図6(A)において、図5(A)と同じものは同じ符号で示している。
膜を採用していたが、図6(A)では、導電膜220と同一の膜を加工して形成した導電
膜222aを採用した場合を示している。この場合、容量素子207は、導電膜220と
同一の膜を加工して形成した導電膜222aと、導電膜224と、それらの間に挟持され
た絶縁膜223で構成される。
することができるので、作製工程を簡略化することができ、作製コストを低減することが
できる。また、図6(A)に示す構成とすることで、図5(A)に示す絶縁膜221を形
成する必要がないため、さらに作製工程を簡略化することができ、作製コストを低減する
ことができる。
態において、本発明の一態様について述べる。ただし、本発明の一態様は、これらに限定
されない。例えば、本発明の一態様として、容量素子207やトランジスタ203が設け
られている場合の例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。場合によって
は、または、状況に応じて、本発明の一態様では、容量素子207やトランジスタ203
が設けられていなくてもよい。または、例えば、本発明の一態様として、導電膜224は
、トランジスタ203と電気的に接続されている場合の例を示したが、本発明の一態様は
、これに限定されない。場合によっては、または、状況に応じて、本発明の一態様では、
導電膜224は、トランジスタ203と電気的に接続されていなくてもよい。または、場
合によっては、または、状況に応じて、本発明の一態様では、トランジスタ203が設け
られておらず、その結果、導電膜224は、トランジスタ203と電気的に接続されてい
なくてもよい。
み合わせて実施することができる。
本実施の形態では、本発明の一態様のタッチセンサの構成例と、その駆動方法の例につ
いて、図面を参照して説明する。
図7(A)は、本発明の一態様のタッチパネル(入出力装置ともいう)が有する構成を
説明するブロック図である。図7(B)は、変換器CONVの構成を説明する回路図であ
る。図7(C)はセンサユニット22の構成を説明する回路図である。また図7(D−1
)及び図7(D−2)はセンサユニット22の駆動方法を説明するタイミングチャートで
ある。
ット22と、行方向に配置される複数のセンサユニット22が電気的に接続される走査線
G1と、走査線G1に電気的に接続される駆動回路GDと、列方向に配置される複数のセ
ンサユニット22が電気的に接続される信号線DLと、信号線DLに電気的に接続される
変換器CONVを有する(図7(A)参照)。
のマトリクス状に配置することができる。
容量素子207に相当する。例えば、容量素子Cの第1の電極が実施の形態1における導
電膜224または導電膜23に相当し、容量素子Cの第2の電極が導電膜222に相当す
る。
Cの第2の電極の電位を、配線CSが供給する制御信号を用いて制御することができる。
トランジスタM2及び/またはトランジスタM3を備える構成としてもよい(図7(C)
参照)。
スタM1の第1の電極が、配線VPIと電気的に接続されている。配線VPIは、例えば
接地電位を供給する機能を有する。
1の電極がトランジスタM1の第2の電極と電気的に接続され、トランジスタM2の第2
の電極が信号線DLと電気的に接続されている。走査線G1は、例えば選択信号を供給す
る機能を有する。また信号線DLは、例えば検知信号DATAを供給する機能を有する。
1の電極が容量素子Cの第1の電極と電気的に接続され、トランジスタM3の第2の電極
が配線VRESと電気的に接続されている。配線RESは、例えばリセット信号を供給す
る機能を有する。配線VRESは、例えばトランジスタM1を導通状態にすることのでき
る電位を供給する機能を有する。
たは第2の電極にものが近接すること、若しくは容量素子Cの第1の電極および第2の電
極の間隔が変化することにより変化する。これにより、センサ回路部34は容量素子Cの
容量または寄生する容量の大きさの変化に基づく検知信号DATAを供給することができ
る。
電極の電位を制御する制御信号を供給する機能を有する。
1の電極が電気的に接続されて形成されるノードを、ノードAという。
有さない構成としてもよい。このとき、行方向に複数配置されるセンサユニット22にお
いて、各々の容量素子Cの第2の電極が、配線CSに代えて走査線G1と電気的に接続す
る構成とすればよい。
導通状態にすることができる程度の高電源電位を供給する機能を有する。また信号線DL
は検知信号DATAを供給する機能を有する。端子OUTは検知信号DATAに基づいて
変換された信号を供給する機能を有する。
ることができる様々な回路を、変換器CONVに用いることができる。例えば、変換器C
ONVをセンサ回路部34に電気的に接続することにより、ソースフォロワ回路またはカ
レントミラー回路として機能する回路を適用してもよい。
を構成できる(図7(B)、図8(B)参照)。なお、トランジスタM1乃至M3と同一
の工程で作製することのできるトランジスタをトランジスタM4に用いてもよい。
至トランジスタM4のそれぞれに適用することができる。また、実施の形態1で例示した
回路36及び回路37を、変換器CONV及び駆動回路GDのそれぞれに適用することが
できる。
。図9に変換器CONVの異なる構成例を示している。
する。具体的にはトランジスタM5は、ゲートが信号線DLと電気的に接続し、トランジ
スタM5の第1の電極が端子OUTと電気的に接続し、トランジスタM5の第2の電極が
配線GNDと電気的に接続する。配線GNDは、例えば接地電位を供給する機能を有する
。また、図9(B)に示すように、トランジスタM4及びトランジスタM5が、それぞれ
第2のゲートを有する構成としてもよい。このとき、第2のゲートは、ゲートと電気的に
接続する構成とすることが好ましい。
抗Rを有する。具体的には、トランジスタM4はゲートが配線BR1と電気的に接続する
。トランジスタM5は、ゲートが配線BR2と電気的に接続し、トランジスタM5の第1
の電極が端子OUT、及び抵抗Rの第2の電極と電気的に接続し、トランジスタM5の第
2の電極が配線GNDと電気的に接続する。抵抗Rは、第1の電極が配線VDDと電気的
に接続している。配線BR1及び配線BR2は、例えばそれぞれトランジスタを導通状態
にすることのできる程度の高電源電位を供給する機能を有する。配線VDDは、例えば高
電源電位を供給する機能を有する。
のセンサ回路部34と、信号線DLと、走査線G1と、変換器CONVの位置関係の例を
示した概略図である。
置すると、各々の変換器CONVに電気的に接続する信号線DLの長さを等しくすること
ができる。例えば信号線DLの電気抵抗が、検出感度へ顕著に影響する場合には、このよ
うな配置方法とすることが好ましい。
換器CONVを近接して配置している。このような配置方法とすることで、変換器CON
Vが有するトランジスタの電気特性の位置依存性が大きい場合には、これらを近接して配
置することで変換器CONVの電気特性のばらつきが低減し、検出感度を向上させること
ができる。
続いて、図7を参照してセンサユニット22の駆動方法について説明する。
第1のステップにおいて、トランジスタM3を導通状態にした後に非導通状態にするリ
セット信号を、トランジスタM3のゲートに供給し、容量素子Cの第1の電極の電位(す
なわちノードAの電位)を所定の電位にする(図7(D−1)、期間T1参照)。
ジスタM3は、ノードAの電位を例えばトランジスタM1を導通状態にすることのできる
電位にする。
第2のステップにおいて、トランジスタM2を導通状態にする選択信号をトランジスタ
M2のゲートに供給し、トランジスタM1の第2の電極を信号線DLに電気的に接続する
(図7(D−1)、期間T2参照)。
2は、トランジスタM1の第2の電極を信号線DLに電気的に接続する。
第3のステップにおいて、制御信号を容量素子Cの第2の電極に供給し、制御信号及び
容量素子Cの容量または寄生する容量の大きさに基づいて変化する電位をトランジスタM
1のゲートに供給する。
2の電極に供給すると、容量素子Cの容量または寄生する容量の大きさに基づいてノード
Aの電位が変化する(図7(D−1)、期間T2の後半を参照)。
素子Cの第2の電極に近接して配置された場合、容量素子Cの容量または寄生する容量の
大きさは見かけ上大きくなる。
いものが近接して配置されていない場合に比べて小さくなる(図7(D−2)、実線参照
)。
化した場合にも、容量素子Cの容量または寄生する容量の大きさが変化する。これにより
、ノードAの電位が変化する。
第4のステップにおいて、トランジスタM1のゲートの電位の変化がもたらす信号を信
号線DLに供給する。
に供給する。
する。
第5のステップにおいて、トランジスタM2を非導通状態にする選択信号をトランジス
タM2のゲートに供給する。
了する。
、それぞれ第1のステップから第5のステップを繰り返せばよい。
11(A)に示すような駆動方法を行ってもよい。すなわち、まず配線RESにリセット
信号を供給する。次いで、配線CSに制御信号を供給した状態で、走査線G1(1)乃至
走査線G1(n)に、順次選択信号を供給することにより、ノードAの電位の変化がもた
らす信号を信号線DL(1)乃至信号線DL(m)に供給する。
とができる。
えば温度や湿度などの環境の変化に伴い、ノードAの電位が変化してしまう場合がある。
矩形の制御信号を用いて交互に動作させ、2つの検知信号DATAの差分をとることによ
り、ノードAの電位の継時的な変化を相殺することができる。このような動作を行うこと
で、検出感度を高めることが可能となる。
。
電位が供給されている期間中に、配線CSにはローレベル電位が供給されている。次いで
配線CSにハイレベル電位を供給する。すなわち、期間R1では容量素子Cの第2の電極
の電位が、ローレベル電位からハイレベル電位に推移した状態で、ノードAの電位の変化
に基づいた検知信号DATAが信号線DLに供給され、これに基づいて変換器CONVに
変換された信号が端子OUTに供給される。
ている期間中に、配線CSにはハイレベル電位が供給されている。次いで、配線CSにロ
ーレベル電位を供給する。すなわち、期間R2では容量素子Cの第2の電極の電位が、ハ
イレベル電位からローレベル電位に推移した状態で、ノードAの電位の変化に基づいた検
知信号DATAが信号線DLに供給され、これに基づいて変換器CONVに変換された信
号が端子OUTに供給される。
た信号の差分をとることにより、ノードAの電位の継時的な変化の影響を相殺した信号を
得ることができる。
いる。
ル電位、ローレベル電位の3種類の電位を有する。具体的には、期間R1において配線R
ESにトランジスタM3を導通状態にする電位が供給されている期間中に、配線CSにロ
ーレベル電位を供給する。その後、配線CSにミドルレベル電位を供給した状態で走査線
G1(1)乃至走査線G1(n)に、順次選択信号を供給する。一方、期間R2において
、配線RESにトランジスタM3を導通状態にする電位が供給されている期間中に、配線
CSにハイレベル電位を供給する。その後、配線CSにミドルレベル電位を供給した状態
で走査線G1(1)乃至走査線G1(n)に、順次選択信号を供給する。
UTに供給された信号の差分をとることにより、ノードAの電位の継時的な変化の影響を
相殺した信号を得ることができる。
だし、本発明の一態様は、これらに限定されない。例えば、本発明の一態様として、トラ
ンジスタや容量素子を有するタッチセンサの場合の例を示したが、本発明の一態様は、こ
れに限定されない。場合によっては、または、状況に応じて、本発明の一態様のタッチセ
ンサは、トランジスタを有していなくてもよい。または、状況に応じて、本発明の一態様
のタッチセンサは、容量素子を有していなくてもよい。例えば、本発明の一態様のタッチ
センサとして、抵抗膜方式、表面弾性波方式、赤外線方式、電磁誘導方式、表面型静電容
量方式、投影型静電容量方式、などを用いてもよい。
み合わせて実施することができる。
本実施の形態では、本発明の一態様を適用して作製できる電子機器及び照明装置につい
て、図12及び図13を用いて説明する。
器や照明装置に好適に用いることができる。また、本発明の一態様を適用することで、信
頼性が高く、繰り返しの曲げに対して強い電子機器や照明装置を作製できる。
いう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタ
ルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携帯型ゲーム機、
携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
は外壁、又は、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことも可能である。
このとき、非接触電力伝送を用いて、二次電池を充電することができると好ましい。
オンポリマー電池)等のリチウムイオン二次電池、ニッケル水素電池、ニッケル・カドミ
ウム電池、有機ラジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニッケル亜鉛電池、銀亜鉛電池
などが挙げられる。
ナで信号を受信することで、表示部で映像や情報等の表示を行うことができる。また、電
子機器が二次電池を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。
1に組み込まれた表示部7402のほか、操作ボタン7403、外部接続ポート7404
、スピーカ7405、マイク7406などを備えている。なお、携帯電話機7400は、
本発明の一態様のタッチパネルを表示部7402に用いることにより作製される。本発明
の一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯電話機を歩留まりよく提
供できる。
情報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆ
る操作は、指などで表示部7402に触れることにより行うことができる。
に表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メイ
ンメニュー画面に切り替えることができる。
は、筐体7101、表示部7102、バンド7103、バックル7104、操作ボタン7
105、入出力端子7106などを備える。
ターネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することがで
きる。
ことができる。また、表示部7102はタッチセンサを備え、指やスタイラスなどで画面
に触れることで操作することができる。例えば、表示部7102に表示されたアイコン7
107に触れることで、アプリケーションを起動することができる。
フ動作、マナーモードの実行及び解除、省電力モードの実行及び解除など、様々な機能を
持たせることができる。例えば、携帯情報端末7100に組み込まれたオペレーティング
システムにより、操作ボタン7105の機能を自由に設定することもできる。
である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリー
で通話することもできる。
を介して直接データのやりとりを行うことができる。また入出力端子7106を介して充
電を行うこともできる。なお、充電動作は入出力端子7106を介さずに無線給電により
行ってもよい。
まれている。本発明の一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯情報
端末を歩留まりよく提供できる。
置7210、及び照明装置7220は、それぞれ、操作スイッチ7203を備える台部7
201と、台部7201に支持される発光部を有する。
る。したがってデザイン性の高い照明装置となっている。
の発光部が対称的に配置された構成となっている。したがって照明装置7210を中心に
全方位を照らすことができる。
たがって、発光部7222からの発光を、照明装置7220の前面に集光するため、特定
の範囲を明るく照らす場合に適している。
部はフレキシブル性を有しているため、発光部を可塑性の部材や可動なフレームなどの部
材で固定し、用途に合わせて発光部の発光面を自在に湾曲可能な構成としてもよい。
を備える筐体を天井に固定する、又は天井からつり下げるように用いることもできる。発
光面を湾曲させて用いることができるため、発光面を凹状に湾曲させて特定の領域を明る
く照らす、又は発光面を凸状に湾曲させて部屋全体を明るく照らすこともできる。
一態様により、湾曲した発光部を備え、且つ信頼性の高い照明装置を歩留まりよく提供で
きる。
は、筐体7301、表示部7302、操作ボタン7303、引き出し部材7304、制御
部7305を備える。
表示部7302を備える。
た映像を表示部7302に表示することができる。また、制御部7305にはバッテリを
そなえる。また、制御部7305にコネクターを接続する端子部を備え、映像信号や電力
を有線により外部から直接供給する構成としてもよい。
え等を行うことができる。
ッチパネル7300を示す。この状態で表示部7302に映像を表示することができる。
また、筐体7301の表面に配置された操作ボタン7303によって、片手で容易に操作
することができる。また、図12(F)のように操作ボタン7303を筐体7301の中
央でなく片側に寄せて配置することで、片手で容易に操作することができる。
固定するため、表示部7302の側部に補強のためのフレームを設けていてもよい。
って音声を出力する構成としてもよい。
態様により、軽量で、且つ信頼性の高いタッチパネルを歩留まりよく提供できる。
)に展開した状態の携帯情報端末310を示す。図13(B)に展開した状態又は折りた
たんだ状態の一方から他方に変化する途中の状態の携帯情報端末310を示す。図13(
C)に折りたたんだ状態の携帯情報端末310を示す。携帯情報端末310は、折りたた
んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の
一覧性に優れる。
る。ヒンジ313を介して2つの筐体315間を屈曲させることにより、携帯情報端末3
10を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。本発明の
一態様のタッチパネルを表示パネル316に用いることができる。例えば、曲率半径1m
m以上150mm以下で曲げることができるタッチパネルを適用できる。
態であることを検知して、検知情報を供給するセンサを備える構成としてもよい。タッチ
パネルの制御装置は、タッチパネルが折りたたまれた状態であることを示す情報を取得し
て、折りたたまれた部分(又は折りたたまれて使用者から視認できなくなった部分)の動
作を停止してもよい。具体的には、表示を停止してもよい。また、タッチセンサによる検
知を停止してもよい。
情報を取得して、表示やタッチセンサによる検知を再開してもよい。
表示部322が外側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末320を示す。図13
(E)に、表示部322が内側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末320を示
す。携帯情報端末320を使用しない際に、非表示部325が外側になるように折りたた
むことで、表示部322の汚れや傷つきを抑制できる。本発明の一態様のタッチパネルを
表示部322に用いることができる。
携帯情報端末330の上面図である。図13(H)は携帯情報端末340の外形を説明す
る斜視図である。
一つ又は複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとしてそれぞれ用いることが
できる。
る。例えば、3つの操作ボタン339を一の面に表示することができる(図13(F)(
H))。また、破線の矩形で示す情報337を他の面に表示することができる(図13(
G)(H))。なお、情報337の例としては、SNS(ソーシャル・ネットワーキング
・サービス)の通知、電子メールや電話などの着信を知らせる表示、電子メールなどの題
名、電子メールなどの送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度など
がある。または、情報337が表示されている位置に、情報337の代わりに、操作ボタ
ン339、アイコンなどを表示してもよい。なお、図13(F)(G)では、上側に情報
337が表示される例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。例えば、図
13(H)に示す携帯情報端末340のように、横側に表示されていてもよい。
納した状態で、その表示(ここでは情報337)を確認することができる。
方から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末330をポケットから取り出
すことなく、表示を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。
表示部333には、本発明の一態様のタッチパネルを用いることができる。本発明の一態
様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯情報端末を歩留まりよく提供で
きる。
よい。ここでは、情報355、情報356、情報357がそれぞれ異なる面に表示されて
いる例を示す。
パネルを用いることができる。本発明の一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼
性の高い携帯情報端末を歩留まりよく提供できる。
BR1 配線
BR2 配線
C 容量素子
CS 配線
DL 信号線
G1 走査線
GD 駆動回路
GND 配線
M1 トランジスタ
M2 トランジスタ
M3 トランジスタ
M4 トランジスタ
M5 トランジスタ
OUT 端子
RES 配線
VDD 配線
VPI 配線
VPO 配線
VRES 配線
10 タッチパネルモジュール
21 基板
22 センサユニット
23 導電膜
24 遮光膜
25 着色膜
25b 着色膜
25g 着色膜
25r 着色膜
26 光学調整膜
27 絶縁膜
31 基板
32 表示部
33 画素
34 センサ回路部
35 回路
36 回路
37 回路
38 配線
39 配線
41 FPC
42 FPC
43 端子
201 トランジスタ
202 トランジスタ
203 トランジスタ
204 トランジスタ
205 トランジスタ
206 発光素子
207 容量素子
208 コンタクト部
209 コンタクト部
211 接着膜
212 絶縁膜
213 導電膜
214 絶縁膜
215 半導体膜
216 導電膜
217 絶縁膜
218 絶縁膜
219 絶縁膜
220 導電膜
221 絶縁膜
222 導電膜
222a 導電膜
223 絶縁膜
224 導電膜
225 導電膜
226 EL層
227 導電膜
228 光学調整膜
229 絶縁膜
230 スペーサ
231 導電性粒子
232 接続膜
260 接続膜
261 接続膜
262 接着膜
263 絶縁膜
264 接着膜
310 携帯情報端末
313 ヒンジ
315 筐体
316 表示パネル
320 携帯情報端末
322 表示部
325 非表示部
330 携帯情報端末
333 表示部
335 筐体
336 筐体
337 情報
339 操作ボタン
340 携帯情報端末
345 携帯情報端末
354 筐体
355 情報
356 情報
357 情報
358 表示部
7100 携帯情報端末
7101 筐体
7102 表示部
7103 バンド
7104 バックル
7105 操作ボタン
7106 入出力端子
7107 アイコン
7200 照明装置
7201 台部
7202 発光部
7203 操作スイッチ
7210 照明装置
7212 発光部
7220 照明装置
7222 発光部
7300 タッチパネル
7301 筐体
7302 表示部
7303 操作ボタン
7304 部材
7305 制御部
7400 携帯電話機
7401 筐体
7402 表示部
7403 操作ボタン
7404 外部接続ポート
7405 スピーカ
7406 マイク
Claims (5)
- 第1のトランジスタと、第1の導電膜と、第2の導電膜と、絶縁膜と、第2のトランジスタと、表示素子と、第3の導電膜と、第1の基板と、第2の基板と、を有するタッチパネルであって、
前記第1のトランジスタと、前記第1の導電膜と、前記第2の導電膜と、前記絶縁膜と、前記第2のトランジスタと、前記表示素子とは、前記第1の基板に設けられ、
前記第3の導電膜は、前記第2の基板に設けられ、
前記第1の基板と、前記第2の基板とは、互いに重なる領域を有し、
前記第1の導電膜は、前記第1の基板と前記第2の導電膜の間に位置する領域を有し、
前記第1の導電膜は、前記第2のトランジスタの電極と同一層上に設けられ、
前記絶縁膜は、前記第1の導電膜と前記第2の導電膜の間に位置する領域を有し、
前記第1の導電膜と前記第2の導電膜と前記絶縁膜は、容量を形成し、
前記第1のトランジスタは、前記第2の導電膜と電気的に接続され、
前記第2の導電膜は、前記第3の導電膜と電気的に接続され、
前記第2の導電膜は、前記表示素子の電極と同一層上に設けられ、
前記第2のトランジスタは、前記表示素子と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタは、前記第2のトランジスタと同一層上に設けられる、タッチパネル。 - 第1のトランジスタと、第1の導電膜と、第2の導電膜と、絶縁膜と、第2のトランジスタと、表示素子と、導電性粒子と、第3の導電膜と、第1の基板と、第2の基板と、を有するタッチパネルであって、
前記第1のトランジスタと、前記第1の導電膜と、前記第2の導電膜と、前記絶縁膜と、前記第2のトランジスタと、前記表示素子とは、前記第1の基板に設けられ、
前記第3の導電膜は、前記第2の基板に設けられ、
前記第1の基板と、前記第2の基板とは、互いに重なる領域を有し、
前記第1の導電膜は、前記第1の基板と前記第2の導電膜の間に位置する領域を有し、
前記第1の導電膜は、前記第2のトランジスタの電極と同一層上に設けられ、
前記絶縁膜は、前記第1の導電膜と前記第2の導電膜の間に位置する領域を有し、
前記第1の導電膜と前記第2の導電膜と前記絶縁膜は、容量を形成し、
前記第1のトランジスタは、前記第2の導電膜と電気的に接続され、
前記第2の導電膜は、前記導電性粒子を介して、前記第3の導電膜と電気的に接続され、
前記第2の導電膜は、前記表示素子の電極と同一層上に設けられ、
前記第2のトランジスタは、前記表示素子と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタは、前記第2のトランジスタと同一層上に設けられる、タッチパネル。 - 請求項1又は請求項2において、
前記第1のトランジスタは、前記容量と重なる領域を有し、
前記第2のトランジスタは、前記表示素子と重なる領域を有する、タッチパネル。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記表示素子は、発光素子である、タッチパネル。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一に記載のタッチパネルと、
第1のFPCと、第2のFPCと、を有し、
前記第1のFPCは、前記第1の導電膜または前記第2の導電膜の少なくとも一方に信号を供給する機能を有し、
前記第2のFPCは、前記表示素子に信号を供給する機能を有する、タッチパネルモジュール。
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