JP2020166880A - タッチパネルおよびタッチパネルモジュール - Google Patents

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Abstract

【課題】製造工程を簡略化することにより、作製コストを低減し、厚さ・視認性・検出感度・軽量・信頼性に優れるタッチパネル及びタッチパネルモジュールを提供する。【解決手段】タッチパネルモジュールは、第１の基板３１と、第２の基板２１と、第１の基板３１に設けられるトランジスタ２０３、第１の導電膜２２２、第２の導電膜２２４、絶縁膜２２３及び第２の基板２１に設けられる第３の導電膜２３を有する。第１の導電膜２２２は、第１の基板３１と第２の導電膜２２４の間に位置する。絶縁膜２２３は、第１の導電膜２２２と第２の導電膜２２４の間に位置する。第１の導電膜２２２と第２の導電膜２２４と絶縁膜２２３は、容量素子２０７を形成する。トランジスタ２０３は、第２の導電膜２２４と電気的に接続する。第２の導電膜２２４は、第３の導電膜２３と電気的に接続する。【選択図】図５

Description

本発明の一態様は、タッチセンサに関する。または、可撓性を有するタッチセンサに関
する。または、本発明の一態様は、タッチパネルに関する。または、可撓性を有するタッ
チパネルに関する。または、本発明の一態様は、タッチパネルモジュールに関する。また
は、可撓性を有するタッチパネルモジュールに関する。
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明
の一態様は、物、方法、又は、製造方法に関する。本発明の一態様は、プロセス、マシン
、マニュファクチャ、又は、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。そのた
め、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、
表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置
、それらの駆動方法、又は、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
なお、本明細書等において、半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる
装置全般を指す。トランジスタなどの半導体素子をはじめ、半導体回路、演算装置、記憶
装置は、半導体装置の一態様である。撮像装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、電
気光学装置、発電装置（薄膜太陽電池、有機薄膜太陽電池等を含む）、及び電子機器は、
半導体装置を有している場合がある。
近年、表示面に接触することによって表示画像を変化させることができる装置が知られ
ている。すなわち、信号の入力が当該表示面に接触することによって行われる装置が知ら
れている。当該装置はタッチパネルとも呼ばれ、画像表示のための表示部に重ねてタッチ
センサを設けることにより、より直感的な操作が可能な電子機器が実現されている。この
ような電子機器として、例えば、携帯電話、スマートフォン、パーソナルコンピュータ、
タブレット端末、携帯型ゲーム機器、携帯型音楽プレーヤなどが挙げられる。
タッチパネルの構成としては各種の構成が存在する。具体的には、タッチパネルの構成
として、入力信号を検出するタッチセンサをディスプレイパネルに外付けする構造、及び
タッチセンサがディスプレイパネルに内蔵される構造が存在する。また、入力信号の検出
方式としては抵抗膜方式、静電容量方式、及び光方式などが存在し、タッチセンサがディ
スプレイパネルに内蔵される構造としてはインセル型及びオンセル型などが存在する。さ
らに、トランジスタなどの能動素子を有するアクティブマトリクス方式のタッチセンサが
存在する。
例えば、特許文献１では、光方式のインセル型タッチパネルが開示されている。
特開２０１１−２８７４４号公報
アクティブマトリクス方式のタッチセンサをディスプレイパネルに設ける場合、タッチ
センサとトランジスタを備えた基板と、表示素子とトランジスタを備えた基板を貼り合わ
せていた。このため、２枚の基板のそれぞれにトランジスタを形成する工程が必要となっ
ていた。また、タッチセンサに信号を供給するＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅ
ｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）と、表示素子に信号を供給するＦＰＣをそれぞれの基板に取り付け
る必要があった。
本発明の一態様は、作製工程の簡略化されたタッチパネルを提供することを課題の一と
する。または、厚さの薄いタッチパネルを提供することを課題の一とする。または、タッ
チパネルの作製コストを低減させることを課題の一とする。または、タッチパネルの検出
感度を向上させることを課題の一とする。または、タッチパネルの視認性を向上させるこ
とを課題の一とする。または、曲げることのできるタッチパネルを提供することを課題の
一とする。または、軽量なタッチパネルを提供することを課題の一とする。または、信頼
性の高いタッチパネルを提供することを課題の一とする。
または、新規な入力装置を提供することを課題の一とする。または、新規な入出力装置
を提供することを課題の一とする。
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の
一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課
題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、
図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
本発明の一態様は、第１の基板上に、第１のトランジスタと、第１の導電膜と、第２の
導電膜と、絶縁膜と、導電体を有し、第２の基板上に、第３の導電膜を有するタッチセン
サである。第１の基板は、第２の基板と互いに重なる領域を有する。第１の導電膜は、第
１の基板と第２の導電膜の間に位置する領域を有する。絶縁膜は、第１の導電膜と第２の
導電膜の間に位置する領域を有する。第１の導電膜と第２の導電膜と絶縁膜は、容量を形
成する。導電体は、第２の導電膜と第３の導電膜の間に位置する領域を有する。第３の導
電膜は、導電体を介して第２の導電膜と電気的に接続しており、容量の一部として機能し
ている。また、第１のトランジスタは、第２の導電膜と電気的に接続している。
また、本発明の他の一態様は、上記タッチセンサと、第１の基板上に、第２のトランジ
スタと、表示素子と、第１の膜と、第２の膜と、を有するタッチパネルである。第１の膜
は、特定波長帯域の光を透過する機能を有し、且つ、表示素子と互いに重なる領域を有す
る。第２の膜は、可視光を遮光する機能を有する。第１の膜及び第２の膜は、第３の導電
膜と互いに重なる領域を有する。第２の膜は、第２の導電膜と互いに重なる領域を有する
。第２のトランジスタは、表示素子と電気的に接続されている。第１のトランジスタと第
２のトランジスタは、同じ工程から形成される。
上記において、表示素子は発光素子であることが好ましい。
また、上記において、導電体は導電性粒子であることが好ましい。
また、上記において、第１の基板及び第２の基板は、それぞれ可撓性を有することが好
ましい。
また、本発明の他の一態様は、上記タッチセンサと、第１のＦＰＣと、を有し、第１の
ＦＰＣは、第１の導電膜または第２の導電膜の少なくとも一方に信号を供給する機能を有
する、タッチセンサモジュールである。
また、本発明の他の一態様は、上記タッチパネルと、第２のＦＰＣと、を有し、第２の
ＦＰＣは、表示素子に信号を供給する機能を有する、タッチパネルモジュールである。
また、本発明の他の一態様は、上記タッチセンサモジュール、または上記タッチパネル
モジュールが、筐体内に組み込まれた電子機器である。
本発明の一態様によれば、製造工程の簡略化されたタッチパネルを提供することができ
る。または、タッチパネルの作製コストを低減させることができる。または、厚さの薄い
タッチパネルを提供することができる。または、タッチパネルの視認性を向上させること
ができる。または、タッチパネルの検出感度を向上させることができる。または、軽量な
タッチパネルを提供することができる。または、信頼性の高いタッチパネルを提供できる
。
または、新規な入力装置を提供できる。または、新規な入出力装置を提供できる。なお
、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様
は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明
細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請
求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
実施の形態に係る、タッチパネルモジュールの構成例。 実施の形態に係る、タッチパネルモジュールが有する積層構造の構成例。 実施の形態に係る、タッチパネルモジュールが有する積層構造の構成例。 実施の形態に係る、タッチパネルモジュールが有する積層構造の構成例。 実施の形態に係る、タッチパネルモジュールの構成例。 実施の形態に係る、タッチパネルモジュールの構成例。 実施の形態に係る、タッチパネルが有する構成のブロック図、回路図及びタイミングチャート。 実施の形態に係る、タッチパネルが有する構成のブロック図及び回路図。 実施の形態に係る、タッチパネルが有する構成の回路図。 実施の形態に係る、タッチパネルの構成例。 実施の形態に係る、タッチパネルの駆動方法を説明する図。 実施の形態に係る、電子機器。 実施の形態に係る、電子機器。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定
されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更
し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態
の記載内容に限定して解釈されるものではない。
なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には
同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様
の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、膜の厚さ、または領域は、
明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されな
い。
なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避ける
ために付すものであり、数的に限定するものではない。
トランジスタは半導体素子の一種であり、電流や電圧の増幅や、導通または非導通を制
御するスイッチング動作などを実現することができる。本明細書におけるトランジスタは
、ＩＧＦＥＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓ
ｉｓｔｏｒ）や薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ
）を含む。
なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、または、状況に
応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電
膜」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という
用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様のタッチセンサ、タッチセンサを備えるタッチセン
サモジュール、タッチパネル、及びタッチパネルモジュール等の構成例について説明する
。以下では、タッチセンサとして静電容量方式のタッチセンサを適用した場合について説
明する。
なお、本明細書等では、タッチセンサを備える基板に、例えばＦＰＣもしくはＴＣＰ（
Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）などのコネクターが取り付けられたもの、
または基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接
実装されものを、タッチセンサモジュールと呼ぶ場合がある。また、タッチセンサとして
の機能と、画像等を表示する機能の両方を備える装置をタッチパネル（入出力装置）と呼
ぶ場合がある。なお、タッチパネルに上記コネクターが取り付けられたもの、またはＩＣ
が実装されたものをタッチパネルモジュール、または単にタッチパネルと呼ぶ場合がある
。
本発明の一態様に適用することのできる静電容量方式のタッチセンサは、第１のトラン
ジスタと容量素子を備える。容量素子は、例えば第１の基板上の、第１の導電膜、及び第
２の導電膜と、これらの間に絶縁膜とが挟持された積層構造を有する構成とすることがで
きる。このとき第１の導電膜と第２の導電膜はそれぞれ容量素子の電極として機能し、絶
縁膜は誘電体として機能する。また、第２の基板上の第３の導電膜は、導電体を介して、
第２の導電膜と電気的に接続しており、容量素子の電極として機能している。また、第１
のトランジスタは、第２の導電膜と電気的に接続している。
第１の導電膜と第２の導電膜と第３の導電膜のうち、第３の導電膜がタッチ面（検出面
）側に設けられるとする。本発明の一態様のタッチセンサは、指やスタイラス等の被検出
体と、第３の導電膜との間に形成される容量を検出することで、タッチ動作を検出するこ
とができる。具体的には、第１の導電膜と第３の導電膜との間に所定の電位差が与えられ
ていた時に、タッチ動作により形成される容量により生じる、第３の導電膜の電位の変化
を検出することで、タッチ動作を検出することができる。なお、本明細書中において、指
やスタイラス等の被検出体と、容量素子の電極との間に形成される容量の大きさのことを
、寄生する容量の大きさ、という場合がある。
ここで、タッチセンサのタッチ検出の機能を果たす領域内において、第２の導電膜の面
積よりも、第１の導電膜の面積を大きくすることが好ましい。こうすることで第１の導電
膜と第２の導電膜の間の容量の大きさを小さくできる。さらに、第３の導電膜の電極面積
を大きくすることで、被検出体と第３の導電膜との間に形成される容量を大きくすること
ができる。その結果、タッチ動作時における第３の導電膜の電位の変化が大きくなるため
、検出感度を高めることが可能となる。
また、本発明の一態様のタッチセンサを、第２のトランジスタと表示素子を備える画素
を有する表示パネルに組み込んで、タッチパネルを構成することができる。このとき、第
１の基板上に、第１のトランジスタと第２のトランジスタを同じ工程から形成することに
より、第２の基板上に、第１のトランジスタを形成する必要がなくなるため、タッチパネ
ルの作製工程を簡略化させ、作製コストを低減することができる。また、第２の基板上に
、第１のトランジスタを形成する必要がなくなるため、タッチパネルの厚さを低減するこ
とができる。また、タッチセンサに信号を供給するためのＦＰＣを、第２の基板上に実装
する必要がなくなるため、タッチパネルの作製工程を簡略化させ、作製コストを低減する
ことができる。さらには、一対の基板に可撓性を有する材料を用いることで、薄く、軽量
で且つフレキシブルなタッチパネルを実現することができる。
以下では、本発明の一態様のより具体的な構成例について、図面を参照して説明する。
［構成例］
図１（Ａ）は、本発明の一態様のタッチパネルモジュール１０の斜視概略図である。ま
た図１（Ｂ）は、タッチパネルモジュール１０を展開したときの斜視概略図である。
タッチパネルモジュール１０は、マトリクス状に設けられた複数のセンサユニット２２
から構成されるタッチセンサを有する。各センサユニット２２は、第１の基板３１上のセ
ンサ回路部３４と、導電体（図示せず）と、第２の基板２１上の導電膜２３から構成され
る。
第２の基板２１は、導電膜２３がマトリクス状に複数設けられた構成を有する。導電膜
２３は、導電体によりセンサ回路部３４に電気的に接続されている。
第１の基板３１は、表示部３２を有する。表示部３２はマトリクス状に配置された複数の
画素３３及び複数のセンサ回路部３４を備える。また第１の基板３１上には、画素３３と
電気的に接続する回路３５と、センサ回路部３４と電気的に接続する回路３６及び回路３
７を備えることが好ましい。回路３５は、例えばゲート駆動回路として機能する回路を適
用することができる。回路３６及び回路３７の少なくとも一方は、センサ回路部３４を選
択する機能を有する回路を適用することができる。また、回路３６及び回路３７の少なく
とも一方は、センサ回路部３４からの信号を出力する機能を有する回路を適用することが
できる。
ＦＰＣ４１は、センサ回路部３４、回路３６及び回路３７の少なくとも一に、外部から
の信号を供給する機能を有する。または、ＦＰＣ４１は、センサ回路部３４、回路３６及
び回路３７の少なくとも一からの信号を外部に出力する機能を有する。また、ＦＰＣ４２
は、画素３３または回路３５の少なくとも一に、外部からの信号を供給する機能を有する
。さらに、図１では、第１の基板３１に端子４３を備える構成を示している。端子４３に
は、例えばＦＰＣを取り付けること、ソース駆動回路として機能するＩＣをＣＯＧ方式ま
たはＣＯＦ方式により直接実装すること、またはＩＣが実装されたＦＰＣ、ＴＡＢ、ＴＣ
Ｐ等を取り付けること等が可能である。
本発明の一態様のタッチパネルモジュール１０は、センサユニット２２によりタッチ動
作が行われた際の容量または寄生する容量の大きさの変化に基づく位置情報を出力するこ
とができる。また画素３３により画像を表示することができる。
［タッチパネルが有する積層構造について］
図２（Ａ）に、図１（Ａ）中に破線で示す領域を拡大した概略図を示す。
図２（Ｂ）には、導電膜２３と重なる領域における、積層構造を展開した概略図を示す
。
導電膜２３はマトリクス状に並べて複数配置されている。１つの導電膜２３は、複数の
画素３３と重ねて設けられている。
また、画素３３は、マトリクス状に並べて複数配置されている。複数の画素３３のうち
、一部は導電膜２３と重ねて設けられ、他の一部は、隣接する２つの導電膜２３の間の領
域と重ねて設けられている。
図２（Ｂ）に示すように、第１の基板３１と第２の基板２１との間に、遮光膜２４、着
色膜２５ｒ、２５ｇ、２５ｂ、画素３３、センサ回路部３４が配置されている。１つの導
電膜２３は、複数の画素３３と１つのセンサ回路部３４に重ねて設けられている。また、
センサ回路部３４は、導電膜２３と導電体により電気的に接続されている。
なお、以降では着色膜２５ｒ、着色膜２５ｇ及び着色膜２５ｂを区別することなく、こ
れらに共通する事項を説明する場合においては単に着色膜２５と表記する場合がある。
各着色膜２５は特定波長帯域の光を透過する機能を有する。ここでは、着色膜２５ｒは
赤色の光を透過し、着色膜２５ｇは緑色の光を透過し、着色膜２５ｂは青色の光を透過す
る。画素３３と着色膜２５の一つが互いに重なるように配置されることで、画素３３から
の光のうちの特定波長帯域の光のみを第２の基板２１側に透過させることができる。
遮光膜２４は、可視光を遮光する機能を有する。遮光膜２４は、隣接する２つの着色膜
２５の間の領域と重なるように配置される。図２（Ｂ）では、遮光膜２４として開口部を
有する形状とし、当該開口部が画素３３及び着色膜２５と重なるように配置されている例
を示している。
なお、図２（Ｂ）では着色膜２５よりも第２の基板２１側に遮光膜２４を配置する構成
を示しているが、遮光膜２４よりも第２の基板２１側に着色膜２５を配置してもよい。
導電膜２３は、画素３３及び着色膜２５のそれぞれと重なる領域を有する。そのため導
電膜２３としては、可視光を透過する材料を用いることが好ましい。
図３（Ａ）乃至（Ｃ）に、第２の基板２１上の導電膜２３の一つと重なる領域における
、第１の基板３１上の画素３３、センサ回路部３４、配線３８、配線３９のそれぞれの上
面から見た配置の例を示す。図３（Ａ）乃至（Ｃ）に示すように、１つの導電膜２３に対
して、１つのセンサ回路部３４が複数の画素３３の間の領域に配置される。なお、図３（
Ａ）乃至（Ｃ）においては、１２の画素３３に対して１つのセンサ回路部３４を配置する
例を示しているが、この数は限定されない。
図３（Ａ）に示すように、画素３３の上下に領域を設け、センサ回路部３４を配置して
も良い。また、図３（Ｂ）に示すように、画素３３の左右に領域を設け、センサ回路部３
４を配置しても良い。また、図３（Ｃ）に示すように、画素３３の上下左右に領域を設け
、センサ回路部３４を配置しても良い。なお、センサ回路部３４を配置する領域はこれら
に限定されず、画素３３が配置される領域以外の領域であれば、どこに配置しても良い。
配線３８は隣接する２つの画素３３の間に設けられ、配線３９は配線３８と交差する方
向に複数設けられている。また、配線３８及び配線３９は、回路３６及び回路３７にそれ
ぞれ電気的に接続されている。
センサ回路部３４には、容量素子と、容量素子に電気的に接続された第１のトランジス
タが備えられている。導電膜２３は、導電体により容量素子と電気的に接続されており、
容量素子を構成する電極の一方として機能している。また、画素３３には、表示素子と、
表示素子に電気的に接続された第２のトランジスタが備えられている。このとき、第１の
トランジスタは、第２のトランジスタと同じ工程から形成されることが好ましい。これに
より、第２の基板２１上に、第１のトランジスタを形成する必要がなくなるため、タッチ
パネルの作製工程を簡略化させ、厚さを低減することができる。
図４には、隣接する２つの導電膜２３の間に、光学調整膜２６を配置した場合を示して
いる。
光学調整膜２６を設けることにより、第２の基板２１側からみたときに導電膜２３のパ
ターンが視認されにくくなり、表示品位を向上させることができる。
光学調整膜２６としては、導電膜２３と近い光学特性（透過率、屈折率、反射率等）を
有する材料を用いることができる。例えば透過率が導電膜２３の透過率のプラスマイナス
５％以内である材料を用いることができる。特に、光学調整膜２６は、導電膜２３と同一
の材料を用いることが好ましい。このとき、同一の導電膜を加工することにより、導電膜
２３と光学調整膜２６とを同時に形成すると、工程を簡略化できるため好ましい。
光学調整膜２６として導電性材料を用いた場合、光学調整膜２６に対して所定の電位を
供給することが可能な構成とすることが好ましい。例えば共通電位、接地電位等の固定電
位を光学調整膜２６に供給する構成とすればよい。または、導電膜２３と電気的に接続す
る構成としてもよい。
［断面構成例］
以下では、図１（Ａ）に示すタッチパネルモジュール１０の断面構成例について説明す
る。
〔断面構成例１〕
図５（Ａ）に、本発明の一態様のタッチパネルモジュールの断面概略図を示す。図５（
Ａ）に示すタッチパネルモジュールは、一つの基板上にセンサ回路及び表示素子を有する
ため、薄型化を図ることができる。
タッチパネルモジュールは、第１の基板３１と第２の基板２１とが接着膜２６４によっ
て貼り合された構成を有する。第２の基板２１上には、着色膜２５、遮光膜２４、導電膜
２３等が設けられている。また第１の基板３１上には、トランジスタ２０１、トランジス
タ２０２、トランジスタ２０３、トランジスタ２０４、トランジスタ２０５、発光素子２
０６、容量素子２０７、コンタクト部２０８、コンタクト部２０９等が設けられている。
第１の基板３１上には接着膜２１１を介して絶縁膜２１２、導電膜２１３、絶縁膜２１
４、半導体膜２１５、導電膜２１６、絶縁膜２１７、絶縁膜２１８、絶縁膜２１９、導電
膜２２０、絶縁膜２２１、導電膜２２２、絶縁膜２２３、導電膜２２４、絶縁膜２２９、
スペーサ２３０、導電性粒子２３１、接続膜２３２等を有する。
絶縁膜２２３上に有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子などの
発光素子２０６が設けられている。発光素子２０６は、導電膜２２５、ＥＬ層２２６、導
電膜２２７を有する（図５（Ｂ）参照）。また導電膜２２５とＥＬ層２２６との間には、
光学調整膜２２８が設けられている。絶縁膜２２９は、導電膜２２５および光学調整膜２
２８の端部を覆って設けられている。
図５（Ａ）では、画素３３に、電流制御用のトランジスタ２０１と、スイッチング制御
用のトランジスタ２０２を有する構成を示している。トランジスタ２０１は、ソース又は
ドレインの一方が導電膜２２０を介して導電膜２２４と電気的に接続している。また、セ
ンサ回路部３４に、トランジスタ２０３と、容量素子２０７を有する構成を示している。
導電膜２２２と導電膜２２４との間に絶縁膜２２３が挟持され、これらが容量素子２０７
を構成している。トランジスタ２０３は、ソース又はドレインの一方が導電膜２２０を介
して導電膜２２４に電気的に接続している。なお、画素３３が有するトランジスタ２０１
及び２０２とセンサ回路部３４が有するトランジスタ２０３は同じ工程から形成されてい
る。
容量素子２０７を構成する導電膜２２４上に、接続膜２３２に混入された導電性粒子２
３１が導電体として塗布されている。第２の基板２１上の導電膜２３は、導電性粒子２３
１を介して、導電膜２２４に電気的に接続されており、容量素子２０７を構成する電極の
一方として機能している。接続膜２３２には複数の球状の導電性粒子が混入され、導電性
粒子２３１は、導電膜２３と導電膜２２４の間に挟まれ、圧力により変形している（図５
（Ｃ）参照）。これにより、導電性粒子２３１と、導電膜２３および導電膜２２４との接
続面積が大きくなり、電気的接続が確保される。なお、ここでは、第１の基板３１上の導
電膜２２４と第２の基板２１上の導電膜２３を電気的に接続するための導電体として、球
状の導電性粒子を示したが、導電体であれば形および材料は限定されない。
図５（Ａ）では、回路３５にトランジスタ２０４、回路３６にトランジスタ２０５が設
けられている構成を示している。
図５（Ａ）では、トランジスタ２０１およびトランジスタ２０４として、チャネルが形
成される半導体膜を２つのゲート電極で挟持する構成を適用した例を示している。このよ
うなトランジスタは他のトランジスタと比較して電界効果移動度を高めることが可能であ
り、オン電流を増大させることができる。その結果、高速動作が可能な回路を作製するこ
とができる。さらには回路部の占有面積を縮小することが可能となる。オン電流の大きな
トランジスタを適用することで、表示パネルまたはタッチパネルを大型化、または高精細
化したときに配線数が増大したとしても、各配線における信号遅延を低減することが可能
であり、表示ムラを抑制することが可能である。
なお、回路３５が有するトランジスタと画素３３が有するトランジスタは、同じ構造で
あってもよい。また回路３５が有するトランジスタは、全て同じ構造であってもよいし、
異なる構造のトランジスタを組み合わせて用いてもよい。また、画素３３が有するトラン
ジスタは、同じ構造であってもよいし、異なる構造のトランジスタを組み合わせて用いて
もよい。また、回路３６が有するトランジスタとセンサ回路部３４が有するトランジスタ
においても、同様の構造であってもよいし、異なる構造のトランジスタを組み合わせて用
いてもよい。
発光素子２０６はトップエミッション構造の発光素子であり、導電膜２２７側に光を射
出する。発光素子２０６の発光領域と重ねて、トランジスタ２０１、トランジスタ２０２
等のほか、容量素子や配線等を配置することで、画素３３の開口率を高めることができる
。
第２の基板２１の第１の基板３１側には、接着膜２６２を介して絶縁膜２６３、導電膜
２３、遮光膜２４、着色膜２５、絶縁膜２７等を有する。
導電膜２２４はトランジスタ２０３のソース又はドレインの一方と電気的に接続する。
発光素子２０６の発光領域と着色膜２５は互いに重ねて設けられ、発光素子２０６から
射出された光は着色膜２５を透過して第２の基板２１側に射出される。
各着色膜２５は特定波長帯域の光を透過する機能を有する。画素３３と着色膜２５の一
つが互いに重なるように配置されることで、画素３３からの光のうちの特定波長帯域の光
のみを第２の基板２１側に透過させることができる。
遮光膜２４は、可視光を遮光する機能を有する。遮光膜２４は、隣接する２つの着色膜
２５の間の領域と重なるように配置される。図５（Ａ）では、遮光膜２４として開口部を
有する形状とし、当該開口部が画素３３及び着色膜２５と重なるように配置されている例
を示している。
なお、図５（Ａ）では着色膜２５よりも第２の基板２１側に遮光膜２４を配置する構成
を示しているが、遮光膜２４よりも第２の基板２１側に着色膜２５を配置してもよい。
導電膜２３は、画素３３及び着色膜２５のそれぞれと重なる領域を有する。そのため導
電膜２３としては、可視光を透過する材料を用いることが好ましい。
第１の基板３１及び第２の基板２１に可撓性を有する材料を用いることで、フレキシブ
ルなタッチパネルを実現できる。
また、本発明の一態様のタッチパネルはカラーフィルタ方式を用いている。例えば着色
膜２５としてＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のうちいずれかが適用された３色の画素によ
り１つの色を表現する構成としてもよい。また、これに加えてＷ（白）やＹ（黄）の画素
を適用した構成としてもよい。
着色膜２５と、光学調整膜２２８によるマイクロキャビティ構造の組み合わせにより、
本発明の一態様のタッチパネルからは、色純度の高い光を取り出すことができる。光学調
整膜２２８の厚さは、各画素の色に応じて異なる厚さとすればよい。また画素によっては
光学調整膜２２８を有さない構成としてもよい。
また発光素子２０６が備えるＥＬ層２２６として、白色を発光するＥＬ層を適用するこ
とが好ましい。このような発光素子２０６を適用することで、各画素にＥＬ層２２６を塗
り分ける必要がないためコストを削減できるほか、画素の高精細化が容易となる。また各
画素における光学調整膜２２８の厚さを変更することにより、各々の画素に適した波長の
発光を取り出すことができ、色純度を高めることができる。なお、各画素に対してＥＬ層
２２６を塗り分ける構成としてもよく、その場合には光学調整膜２２８を用いない構成と
することもできる。
第１の基板３１上に設けられたコンタクト部２０８と重なる領域に位置する各絶縁膜等
には開口部が設けられ、当該開口部に配置された接続膜２６０によりコンタクト部２０８
とＦＰＣ４２とが電気的に接続している。同様に、各絶縁膜等の開口部に配置された接続
膜２６１を介してコンタクト部２０９とＦＰＣ４１が電気的に接続している。
図５（Ａ）では、コンタクト部２０８の電極及びコンタクト部２０９の電極がトランジ
スタのソース電極及びドレイン電極と同一の導電膜を加工して形成された導電膜を有する
構成を示している。
接続膜２６０や接続膜２６１としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒ
ｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉ
ｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。ま
た、導電性粒子２３１を混入した接続膜２３２と同じ材料を用いることができる。
絶縁膜２１２および絶縁膜２６３は、水や水素などの不純物が拡散しにくい材料を用い
ることが好ましい。すなわち、絶縁膜２１２および絶縁膜２６３はバリア膜として機能さ
せることができる。このような構成とすることで、第１の基板３１や第２の基板２１とし
て透湿性を有する材料を用いたとしても、発光素子２０６や各トランジスタに対して外部
から不純物が拡散することを効果的に抑制することが可能で、信頼性の高いタッチパネル
を実現できる。
〔各構成要素について〕
以下では、上記に示す各構成要素について説明する。
トランジスタは、ゲート電極として機能する導電膜と、半導体膜と、ソース電極として
機能する導電膜と、ドレイン電極として機能する導電膜と、ゲート絶縁膜として機能する
絶縁膜と、を有する。図５（Ａ）には、ボトムゲート構造のトランジスタを適用した場合
を示している。
なお、本発明の一態様のタッチパネルが有するトランジスタの構造は特に限定されない
。例えば、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしても
よい。また、トップゲート型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよ
い。トランジスタに用いる半導体材料は特に限定されず、例えば、酸化物半導体、シリコ
ン、ゲルマニウム等が挙げられる。
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、
結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領
域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トラン
ジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
また、トランジスタに用いる半導体材料としては、例えば、１４族の元素、化合物半導
体又は酸化物半導体を半導体膜に用いることができる。代表的には、シリコンを含む半導
体、ガリウムヒ素を含む半導体又はインジウムを含む酸化物半導体などを適用できる。
特に、トランジスタのチャネルが形成される半導体に、酸化物半導体を適用することが
好ましい。特にシリコンよりもバンドギャップの大きな酸化物半導体を適用することが好
ましい。シリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を
用いると、トランジスタのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。
例えば、上記酸化物半導体として、少なくともインジウム（Ｉｎ）もしくは亜鉛（Ｚｎ
）を含むことが好ましい。より好ましくは、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、
Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）で表記される酸化物を含
む。
特に、半導体膜として、複数の結晶部を有し、当該結晶部はｃ軸が半導体膜の被形成面
、または半導体膜の上面に対し概略垂直に配向し、且つ隣接する結晶部間には粒界を有さ
ない酸化物半導体膜を用いることが好ましい。
このような酸化物半導体は、結晶粒界を有さないために表示パネルを湾曲させたときの
応力によって酸化物半導体膜にクラックが生じてしまうことが抑制される。したがって、
可撓性を有し、湾曲させて用いるタッチパネルなどに、このような酸化物半導体を好適に
用いることができる。
また半導体膜としてこのような酸化物半導体を用いることで、電気特性の変動が抑制さ
れ、信頼性の高いトランジスタを実現できる。
また、その低いオフ電流により、トランジスタを介して容量に蓄積した電荷を長期間に
亘って保持することが可能である。このようなトランジスタを画素に適用することで、各
表示領域に表示した画像の階調を維持しつつ、駆動回路を停止することも可能となる。そ
の結果、極めて消費電力の低減された表示装置を実現できる。
または、トランジスタのチャネルが形成される半導体に、シリコンを用いることが好ま
しい。シリコンとしてアモルファスシリコンを用いてもよいが、特に結晶性を有するシリ
コンを用いることが好ましい。例えば、微結晶シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコ
ンなどを用いることが好ましい。特に、多結晶シリコンは、単結晶シリコンに比べて低温
で形成でき、且つアモルファスシリコンに比べて高い電界効果移動度と高い信頼性を備え
る。このような多結晶半導体を画素に適用することで画素の開口率を向上させることがで
きる。また極めて高精細に画素を有する場合であっても、ゲート駆動回路とソース駆動回
路を画素と同一基板上に形成することが可能となり、電子機器を構成する部品数を低減す
ることができる。
トランジスタのゲート、ソースおよびドレインのほか、タッチパネルを構成する各種配
線および電極などの導電膜に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、
クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、また
はタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造と
して用いる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニ
ウム膜を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅
−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を
積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チ
タン膜と、そのチタン膜または窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層
し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜また
は窒化モリブデン膜と、そのモリブデン膜または窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウ
ム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成す
る三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛を含む透明導電材料
を用いてもよい。また、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が
高まるため好ましい。
また、透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、イ
ンジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物または
グラフェンを用いることができる。または、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タ
ングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、またはチタンなどの
金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、該金属材料の窒
化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。なお、金属材料、合金材料（またはそ
れらの窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすればよい。また、上記材
料の積層膜を導電膜として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とイン
ジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。
各絶縁膜、スペーサ２３０等に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、アクリ
ル、エポキシなどの樹脂、シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シ
リコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用い
ることもできる。
導電性粒子２３１は、アクリルやエポキシなどの樹脂で形成された球状の粒子の表面に、
金、銀、銅、パラジウム、又は白金から選ばれた一元素、若しくは複数の元素で形成され
る薄膜を被覆することによって形成される。なお、導電体であれば形や材料は限定されず
、銀ペーストなども用いることが可能である。また、接続膜２３２としては、熱硬化樹脂
や光硬化樹脂、２液混合型の硬化性樹脂などの硬化性樹脂を用いることができる。例えば
、アクリル、ウレタン、エポキシ、またはシロキサン結合を有する樹脂などの樹脂を用い
ることができる。
また上述のように、発光素子は、一対の透水性の低い絶縁膜の間に設けられていること
が好ましい。これにより、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装置
の信頼性の低下を抑制できる。
透水性の低い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を
含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、
酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
例えば、透水性の低い絶縁膜の水蒸気透過量は、１×１０−５［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）
］以下、好ましくは１×１０−６［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、より好ましくは１×１
０−７［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、さらに好ましくは１×１０−８［ｇ／（ｍ２・ｄ
ａｙ）］以下とする。
各接着膜としては、熱硬化樹脂や光硬化樹脂、２液混合型の硬化性樹脂などの硬化性樹
脂を用いることができる。例えば、アクリル、ウレタン、エポキシ、またはシロキサン結
合を有する樹脂などの樹脂を用いることができる。
ＥＬ層２２６は少なくとも発光層を有する。ＥＬ層２２６は、発光層以外の層として、
正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物
質、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い
物質）等を含む層をさらに有していてもよい。
ＥＬ層２２６には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無
機化合物を含んでいてもよい。ＥＬ層２２６を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸
着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することがで
きる。
遮光膜２４に用いることのできる材料としては、カーボンブラック、金属酸化物、複数
の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等が挙げられる。
着色膜２５に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、顔料又は染料が
含まれた樹脂材料などが挙げられる。
なお、本実施の形態では、表示素子として、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅ
ｓｃｅｎｃｅ）層を有する発光素子を用いたが、そのほかの表示素子として、電気泳動方
式や電子粉流体（登録商標）方式やエレクトロウェッティング方式などにより表示を行う
表示素子（電子インクともいう）、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭ
ＥＭＳ表示素子、液晶素子など、様々な表示素子を用いることができる。
また、透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ
、直視型液晶ディスプレイなどにも適用できる。なお、半透過型液晶ディスプレイや反射
型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電極の一部、または、全部が、反射電極と
しての機能を有するようにすればよい。例えば、画素電極の一部、または、全部が、アル
ミニウム、銀、などを有するようにすればよい。さらに、その場合、反射電極の下に、Ｓ
ＲＡＭなどの記憶回路を設けることも可能である。これにより、さらに、消費電力を低減
することができる。また、適用する表示素子に好適な構成を様々な画素回路から選択して
用いることができる。
〔作製方法例〕
ここで、可撓性を有するタッチパネルを作製する方法について説明する。
ここでは便宜上、画素や回路を含む構成、カラーフィルタ等の光学部材を含む構成また
はタッチセンサを含む構成を素子層と呼ぶこととする。素子層は例えば表示素子を含み、
表示素子の他に表示素子と電気的に接続する配線、画素や回路に用いるトランジスタなど
の素子を備えていてもよい。
またここでは、素子層が形成される絶縁表面を備える支持体（例えば第１の基板３１ま
たは第２の基板２１）のことを、基材と呼ぶこととする。
可撓性を有する絶縁表面を備える基材上に素子層を形成する方法としては、基材上に直
接素子層を形成する方法と、剛性を有する支持基材上に素子層を形成した後、素子層と支
持基材とを剥離して素子層を基材に転置する方法と、がある。
基材を構成する材料が、素子層の形成工程にかかる熱に対して耐熱性を有する場合には
、基材上に直接素子層を形成すると、工程が簡略化されるため好ましい。このとき、基材
を支持基材に固定した状態で素子層を形成すると、装置内、及び装置間における搬送が容
易になるため好ましい。
また、素子層を支持基材上に形成した後に、基材に転置する方法を用いる場合、まず支
持基材上に剥離膜と絶縁膜を積層し、当該絶縁膜上に素子層を形成する。続いて、支持基
材と素子層を剥離し、基材に転置する。このとき、支持基材と剥離膜の界面、剥離膜と絶
縁膜の界面、または剥離膜中で剥離が生じるような材料を選択すればよい。
例えば剥離膜としてタングステンなどの高融点金属材料を含む膜と当該金属材料の酸化
物を含む膜を積層して用い、剥離膜上に窒化シリコンや酸窒化シリコンを複数積層した膜
を用いることが好ましい。高融点金属材料を用いると、素子層の形成工程の自由度が高ま
るため好ましい。
剥離は、機械的な力を加えることや、剥離膜をエッチングすること、または剥離界面の
一部に液体を滴下して剥離界面全体に浸透させることなどにより剥離を行ってもよい。ま
たは、熱膨張の違いを利用して剥離界面に熱を加えることにより剥離を行ってもよい。
また、支持基材と絶縁膜の界面で剥離が可能な場合には、剥離膜を設けなくてもよい。
例えば、支持基材としてガラスを用い、絶縁膜としてポリイミドなどの有機樹脂を用いて
、有機樹脂の一部をレーザ光等を用いて局所的に加熱することにより剥離の起点を形成し
、ガラスと絶縁膜の界面で剥離を行ってもよい。または、支持基材と有機樹脂からなる絶
縁膜の間に金属膜を設け、当該金属膜に電流を流すことにより当該金属膜を加熱すること
により、当該金属膜と絶縁膜の界面で剥離を行ってもよい。このとき、有機樹脂からなる
絶縁膜は基材として用いることができる。
可撓性を有する基材としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリ
エチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポ
リイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエ
ーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン
樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。特に、熱膨張係数の
低い材料を用いることが好ましく、例えば、熱膨張係数が３０×１０−６／Ｋ以下である
ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ＰＥＴ等を好適に用いることができる。また、
繊維体に樹脂を含浸した基板（プリプレグとも記す）や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜ
て熱膨張係数を下げた基板を使用することもできる。
上記材料中に繊維体が含まれている場合、繊維体は有機化合物または無機化合物の高強
度繊維を用いる。高強度繊維とは、具体的には引張弾性率またはヤング率の高い繊維のこ
とを言い、代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリア
ミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキ
サゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維が挙げられる。ガラス繊維としては、Ｅガラ
ス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラス等を用いたガラス繊維が挙げられる。これらは、織布
または不織布の状態で用い、この繊維体に樹脂を含浸させ樹脂を硬化させた構造物を可撓
性を有する基板として用いても良い。可撓性を有する基板として、繊維体と樹脂からなる
構造物を用いると、曲げや局所的押圧による破損に対する信頼性が向上するため、好まし
い。
または、可撓性を有する程度に薄いガラス、金属などを基材に用いることもできる。ま
たは、ガラスと樹脂材料とが貼り合わされた複合材料を用いてもよい。
例えば、図５（Ａ）に示す構成の場合、第１の支持基材上に第１の剥離膜、絶縁膜２１
２を順に形成した後に、それよりも上層の構造物を形成する。またこれとは別に、第２の
支持基材上に第２の剥離膜、絶縁膜２６３を順に形成した後に、それよりも上層の構造物
を形成する。続いて、第１の支持基材と第２の支持基材を接着膜２６４により貼り合わせ
る。その後、第１の剥離膜と絶縁膜２１２との界面で剥離することで第１の支持基材及び
第１の剥離膜を除去し、絶縁膜２１２と第１の基板３１とを接着膜２１１により貼り合わ
せる。また、第２の剥離膜と絶縁膜２６３との界面で剥離することで第２の支持基材及び
第２の剥離膜を除去し、絶縁膜２６３と第２の基板２１とを接着膜２６２により貼り合わ
せる。なお、剥離及び貼り合わせはどちら側を先に行ってもよい。
以上が可撓性を有するタッチパネルを作製する方法についての説明である。
〔断面構成例２〕
図６に、図５とは構成の一部の異なる断面構成例を示す。図６（Ａ）に示す構成は、図
５（Ａ）で示した構成と比較し、容量素子２０７の構成が異なる点で主に相違している。
なお、図６（Ａ）において、図５（Ａ）と同じものは同じ符号で示している。
図５（Ａ）では、導電膜２２２として導電膜２２０と異なる膜を加工して形成した導電
膜を採用していたが、図６（Ａ）では、導電膜２２０と同一の膜を加工して形成した導電
膜２２２ａを採用した場合を示している。この場合、容量素子２０７は、導電膜２２０と
同一の膜を加工して形成した導電膜２２２ａと、導電膜２２４と、それらの間に挟持され
た絶縁膜２２３で構成される。
図６（Ａ）に示す構成とすることで、導電膜２２２ａを導電膜２２０と同じ工程で形成
することができるので、作製工程を簡略化することができ、作製コストを低減することが
できる。また、図６（Ａ）に示す構成とすることで、図５（Ａ）に示す絶縁膜２２１を形
成する必要がないため、さらに作製工程を簡略化することができ、作製コストを低減する
ことができる。
なお、本実施の形態において、本発明の一態様について述べた。または、他の実施の形
態において、本発明の一態様について述べる。ただし、本発明の一態様は、これらに限定
されない。例えば、本発明の一態様として、容量素子２０７やトランジスタ２０３が設け
られている場合の例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。場合によって
は、または、状況に応じて、本発明の一態様では、容量素子２０７やトランジスタ２０３
が設けられていなくてもよい。または、例えば、本発明の一態様として、導電膜２２４は
、トランジスタ２０３と電気的に接続されている場合の例を示したが、本発明の一態様は
、これに限定されない。場合によっては、または、状況に応じて、本発明の一態様では、
導電膜２２４は、トランジスタ２０３と電気的に接続されていなくてもよい。または、場
合によっては、または、状況に応じて、本発明の一態様では、トランジスタ２０３が設け
られておらず、その結果、導電膜２２４は、トランジスタ２０３と電気的に接続されてい
なくてもよい。
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様のタッチセンサの構成例と、その駆動方法の例につ
いて、図面を参照して説明する。
［構成例］
図７（Ａ）は、本発明の一態様のタッチパネル（入出力装置ともいう）が有する構成を
説明するブロック図である。図７（Ｂ）は、変換器ＣＯＮＶの構成を説明する回路図であ
る。図７（Ｃ）はセンサユニット２２の構成を説明する回路図である。また図７（Ｄ−１
）及び図７（Ｄ−２）はセンサユニット２２の駆動方法を説明するタイミングチャートで
ある。
本実施の形態で例示するタッチセンサは、マトリクス状に配置される複数のセンサユニ
ット２２と、行方向に配置される複数のセンサユニット２２が電気的に接続される走査線
Ｇ１と、走査線Ｇ１に電気的に接続される駆動回路ＧＤと、列方向に配置される複数のセ
ンサユニット２２が電気的に接続される信号線ＤＬと、信号線ＤＬに電気的に接続される
変換器ＣＯＮＶを有する（図７（Ａ）参照）。
例えば、複数のセンサユニット２２をｎ行ｍ列（ｎ及びｍはそれぞれ１以上の自然数）
のマトリクス状に配置することができる。
なお、センサユニット２２は容量素子Ｃを備える。容量素子Ｃは実施の形態１における
容量素子２０７に相当する。例えば、容量素子Ｃの第１の電極が実施の形態１における導
電膜２２４または導電膜２３に相当し、容量素子Ｃの第２の電極が導電膜２２２に相当す
る。
容量素子Ｃの第２の電極は配線ＣＳと電気的に接続されている。これにより、容量素子
Ｃの第２の電極の電位を、配線ＣＳが供給する制御信号を用いて制御することができる。
本発明の一態様のセンサユニット２２は、少なくともトランジスタＭ１を有する。また
トランジスタＭ２及び／またはトランジスタＭ３を備える構成としてもよい（図７（Ｃ）
参照）。
トランジスタＭ１は、ゲートが容量素子Ｃの第１の電極と電気的に接続され、トランジ
スタＭ１の第１の電極が、配線ＶＰＩと電気的に接続されている。配線ＶＰＩは、例えば
接地電位を供給する機能を有する。
トランジスタＭ２は、ゲートが走査線Ｇ１と電気的に接続され、トランジスタＭ２の第
１の電極がトランジスタＭ１の第２の電極と電気的に接続され、トランジスタＭ２の第２
の電極が信号線ＤＬと電気的に接続されている。走査線Ｇ１は、例えば選択信号を供給す
る機能を有する。また信号線ＤＬは、例えば検知信号ＤＡＴＡを供給する機能を有する。
トランジスタＭ３は、ゲートが配線ＲＥＳと電気的に接続され、トランジスタＭ３の第
１の電極が容量素子Ｃの第１の電極と電気的に接続され、トランジスタＭ３の第２の電極
が配線ＶＲＥＳと電気的に接続されている。配線ＲＥＳは、例えばリセット信号を供給す
る機能を有する。配線ＶＲＥＳは、例えばトランジスタＭ１を導通状態にすることのでき
る電位を供給する機能を有する。
容量素子Ｃの容量または寄生する容量の大きさは、例えば、容量素子Ｃの第１の電極ま
たは第２の電極にものが近接すること、若しくは容量素子Ｃの第１の電極および第２の電
極の間隔が変化することにより変化する。これにより、センサ回路部３４は容量素子Ｃの
容量または寄生する容量の大きさの変化に基づく検知信号ＤＡＴＡを供給することができ
る。
また、容量素子Ｃの第２の電極に電気的に接続される配線ＣＳは、容量素子Ｃの第２の
電極の電位を制御する制御信号を供給する機能を有する。
なお、容量素子Ｃの第１の電極、トランジスタＭ１のゲート及びトランジスタＭ３の第
１の電極が電気的に接続されて形成されるノードを、ノードＡという。
また、図８（Ａ）乃至（Ｃ）に示すように、センサユニット２２がトランジスタＭ２を
有さない構成としてもよい。このとき、行方向に複数配置されるセンサユニット２２にお
いて、各々の容量素子Ｃの第２の電極が、配線ＣＳに代えて走査線Ｇ１と電気的に接続す
る構成とすればよい。
図７（Ｂ）または図８（Ｂ）に示す配線ＶＰＯ及び配線ＢＲは、例えばトランジスタを
導通状態にすることができる程度の高電源電位を供給する機能を有する。また信号線ＤＬ
は検知信号ＤＡＴＡを供給する機能を有する。端子ＯＵＴは検知信号ＤＡＴＡに基づいて
変換された信号を供給する機能を有する。
変換器ＣＯＮＶは変換回路を備える。検知信号ＤＡＴＡを変換して端子ＯＵＴに供給す
ることができる様々な回路を、変換器ＣＯＮＶに用いることができる。例えば、変換器Ｃ
ＯＮＶをセンサ回路部３４に電気的に接続することにより、ソースフォロワ回路またはカ
レントミラー回路として機能する回路を適用してもよい。
具体的には、トランジスタＭ４を用いた変換器ＣＯＮＶを用いて、ソースフォロワ回路
を構成できる（図７（Ｂ）、図８（Ｂ）参照）。なお、トランジスタＭ１乃至Ｍ３と同一
の工程で作製することのできるトランジスタをトランジスタＭ４に用いてもよい。
例えば、実施の形態１で例示したトランジスタ２０３等の構成を、トランジスタＭ１乃
至トランジスタＭ４のそれぞれに適用することができる。また、実施の形態１で例示した
回路３６及び回路３７を、変換器ＣＯＮＶ及び駆動回路ＧＤのそれぞれに適用することが
できる。
なお、変換器ＣＯＮＶの構成は、図７（Ｂ）または図８（Ｂ）に示す構成に限られない
。図９に変換器ＣＯＮＶの異なる構成例を示している。
図９（Ａ）に示す変換器ＣＯＮＶは、トランジスタＭ４に加えてトランジスタＭ５を有
する。具体的にはトランジスタＭ５は、ゲートが信号線ＤＬと電気的に接続し、トランジ
スタＭ５の第１の電極が端子ＯＵＴと電気的に接続し、トランジスタＭ５の第２の電極が
配線ＧＮＤと電気的に接続する。配線ＧＮＤは、例えば接地電位を供給する機能を有する
。また、図９（Ｂ）に示すように、トランジスタＭ４及びトランジスタＭ５が、それぞれ
第２のゲートを有する構成としてもよい。このとき、第２のゲートは、ゲートと電気的に
接続する構成とすることが好ましい。
また図９（Ｃ）に示す変換器ＣＯＮＶは、トランジスタＭ４、トランジスタＭ５及び抵
抗Ｒを有する。具体的には、トランジスタＭ４はゲートが配線ＢＲ１と電気的に接続する
。トランジスタＭ５は、ゲートが配線ＢＲ２と電気的に接続し、トランジスタＭ５の第１
の電極が端子ＯＵＴ、及び抵抗Ｒの第２の電極と電気的に接続し、トランジスタＭ５の第
２の電極が配線ＧＮＤと電気的に接続する。抵抗Ｒは、第１の電極が配線ＶＤＤと電気的
に接続している。配線ＢＲ１及び配線ＢＲ２は、例えばそれぞれトランジスタを導通状態
にすることのできる程度の高電源電位を供給する機能を有する。配線ＶＤＤは、例えば高
電源電位を供給する機能を有する。
図１０（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ第２の基板２１上の導電膜２３と、第１の基板３１上
のセンサ回路部３４と、信号線ＤＬと、走査線Ｇ１と、変換器ＣＯＮＶの位置関係の例を
示した概略図である。
図１０（Ａ）に示すように、変換器ＣＯＮＶを、それぞれの信号線ＤＬの延長方向に配
置すると、各々の変換器ＣＯＮＶに電気的に接続する信号線ＤＬの長さを等しくすること
ができる。例えば信号線ＤＬの電気抵抗が、検出感度へ顕著に影響する場合には、このよ
うな配置方法とすることが好ましい。
また、図１０（Ｂ）では、各々の信号線ＤＬの長さ及び形状を変えることで、複数の変
換器ＣＯＮＶを近接して配置している。このような配置方法とすることで、変換器ＣＯＮ
Ｖが有するトランジスタの電気特性の位置依存性が大きい場合には、これらを近接して配
置することで変換器ＣＯＮＶの電気特性のばらつきが低減し、検出感度を向上させること
ができる。
［駆動方法例］
続いて、図７を参照してセンサユニット２２の駆動方法について説明する。
〔第１のステップ〕
第１のステップにおいて、トランジスタＭ３を導通状態にした後に非導通状態にするリ
セット信号を、トランジスタＭ３のゲートに供給し、容量素子Ｃの第１の電極の電位（す
なわちノードＡの電位）を所定の電位にする（図７（Ｄ−１）、期間Ｔ１参照）。
具体的には、リセット信号を配線ＲＥＳに供給する。リセット信号が供給されたトラン
ジスタＭ３は、ノードＡの電位を例えばトランジスタＭ１を導通状態にすることのできる
電位にする。
〔第２のステップ〕
第２のステップにおいて、トランジスタＭ２を導通状態にする選択信号をトランジスタ
Ｍ２のゲートに供給し、トランジスタＭ１の第２の電極を信号線ＤＬに電気的に接続する
（図７（Ｄ−１）、期間Ｔ２参照）。
具体的には、走査線Ｇ１に選択信号を供給する。選択信号が供給されたトランジスタＭ
２は、トランジスタＭ１の第２の電極を信号線ＤＬに電気的に接続する。
〔第３のステップ〕
第３のステップにおいて、制御信号を容量素子Ｃの第２の電極に供給し、制御信号及び
容量素子Ｃの容量または寄生する容量の大きさに基づいて変化する電位をトランジスタＭ
１のゲートに供給する。
具体的には、配線ＣＳに矩形の制御信号を供給する。矩形の制御信号を容量素子Ｃの第
２の電極に供給すると、容量素子Ｃの容量または寄生する容量の大きさに基づいてノード
Ａの電位が変化する（図７（Ｄ−１）、期間Ｔ２の後半を参照）。
例えば、容量素子Ｃが大気中におかれている場合、大気より誘電率の高いものが、容量
素子Ｃの第２の電極に近接して配置された場合、容量素子Ｃの容量または寄生する容量の
大きさは見かけ上大きくなる。
これにより、矩形の制御信号がもたらすノードＡの電位の変化は、大気より誘電率の高
いものが近接して配置されていない場合に比べて小さくなる（図７（Ｄ−２）、実線参照
）。
または、タッチパネルの変形に伴い、容量素子Ｃの第１の電極と第２の電極の間隔が変
化した場合にも、容量素子Ｃの容量または寄生する容量の大きさが変化する。これにより
、ノードＡの電位が変化する。
〔第４のステップ〕
第４のステップにおいて、トランジスタＭ１のゲートの電位の変化がもたらす信号を信
号線ＤＬに供給する。
例えば、トランジスタＭ１のゲートの電位の変化に基づいて変化する電流を信号線ＤＬ
に供給する。
変換器ＣＯＮＶは、例えば信号線ＤＬを流れる電流の変化を電圧の変化に変換して供給
する。
〔第５のステップ〕
第５のステップにおいて、トランジスタＭ２を非導通状態にする選択信号をトランジス
タＭ２のゲートに供給する。
以上で、１つの走査線Ｇ１に電気的に接続される複数のセンサユニット２２の動作が完
了する。
ｎ本の走査線Ｇ１を有する場合には、走査線Ｇ１（１）乃至走査線Ｇ１（ｎ）について
、それぞれ第１のステップから第５のステップを繰り返せばよい。
または、配線ＲＥＳ及び配線ＣＳを、各センサユニット２２に共通とした場合には、図
１１（Ａ）に示すような駆動方法を行ってもよい。すなわち、まず配線ＲＥＳにリセット
信号を供給する。次いで、配線ＣＳに制御信号を供給した状態で、走査線Ｇ１（１）乃至
走査線Ｇ１（ｎ）に、順次選択信号を供給することにより、ノードＡの電位の変化がもた
らす信号を信号線ＤＬ（１）乃至信号線ＤＬ（ｍ）に供給する。
このような方法により、リセット信号の供給及び制御信号の供給の頻度を少なくするこ
とができる。
ここで、ノードＡの電位が、様々な要因により継時的に変化してしまう場合がある。例
えば温度や湿度などの環境の変化に伴い、ノードＡの電位が変化してしまう場合がある。
そこで、容量素子Ｃの第２の電極に供給する矩形の制御信号として、反転した２種類の
矩形の制御信号を用いて交互に動作させ、２つの検知信号ＤＡＴＡの差分をとることによ
り、ノードＡの電位の継時的な変化を相殺することができる。このような動作を行うこと
で、検出感度を高めることが可能となる。
図１１（Ｂ）では、期間Ｒ１と期間Ｒ２とを交互に繰り返す駆動方法の例を示している
。
図１１（Ｂ）において、期間Ｒ１では配線ＲＥＳにトランジスタＭ３を導通状態にする
電位が供給されている期間中に、配線ＣＳにはローレベル電位が供給されている。次いで
配線ＣＳにハイレベル電位を供給する。すなわち、期間Ｒ１では容量素子Ｃの第２の電極
の電位が、ローレベル電位からハイレベル電位に推移した状態で、ノードＡの電位の変化
に基づいた検知信号ＤＡＴＡが信号線ＤＬに供給され、これに基づいて変換器ＣＯＮＶに
変換された信号が端子ＯＵＴに供給される。
一方、期間Ｒ２では、配線ＲＥＳにトランジスタＭ３を導通状態にする電位が供給され
ている期間中に、配線ＣＳにはハイレベル電位が供給されている。次いで、配線ＣＳにロ
ーレベル電位を供給する。すなわち、期間Ｒ２では容量素子Ｃの第２の電極の電位が、ハ
イレベル電位からローレベル電位に推移した状態で、ノードＡの電位の変化に基づいた検
知信号ＤＡＴＡが信号線ＤＬに供給され、これに基づいて変換器ＣＯＮＶに変換された信
号が端子ＯＵＴに供給される。
その後、期間Ｒ１に端子ＯＵＴに供給された信号と、期間Ｒ２に端子ＯＵＴに供給され
た信号の差分をとることにより、ノードＡの電位の継時的な変化の影響を相殺した信号を
得ることができる。
図１１（Ｃ）は、図１１（Ｂ）とは配線ＣＳに供給する信号が異なる場合の例を示して
いる。
図１１（Ｃ）において、配線ＣＳに供給する制御信号が、ハイレベル電位、ミドルレベ
ル電位、ローレベル電位の３種類の電位を有する。具体的には、期間Ｒ１において配線Ｒ
ＥＳにトランジスタＭ３を導通状態にする電位が供給されている期間中に、配線ＣＳにロ
ーレベル電位を供給する。その後、配線ＣＳにミドルレベル電位を供給した状態で走査線
Ｇ１（１）乃至走査線Ｇ１（ｎ）に、順次選択信号を供給する。一方、期間Ｒ２において
、配線ＲＥＳにトランジスタＭ３を導通状態にする電位が供給されている期間中に、配線
ＣＳにハイレベル電位を供給する。その後、配線ＣＳにミドルレベル電位を供給した状態
で走査線Ｇ１（１）乃至走査線Ｇ１（ｎ）に、順次選択信号を供給する。
その後、上記と同様に、期間Ｒ１に端子ＯＵＴに供給された信号と、期間Ｒ２に端子Ｏ
ＵＴに供給された信号の差分をとることにより、ノードＡの電位の継時的な変化の影響を
相殺した信号を得ることができる。
以上が駆動方法についての説明である。
なお、本実施の形態において、本発明の一態様のタッチセンサの例について述べた。た
だし、本発明の一態様は、これらに限定されない。例えば、本発明の一態様として、トラ
ンジスタや容量素子を有するタッチセンサの場合の例を示したが、本発明の一態様は、こ
れに限定されない。場合によっては、または、状況に応じて、本発明の一態様のタッチセ
ンサは、トランジスタを有していなくてもよい。または、状況に応じて、本発明の一態様
のタッチセンサは、容量素子を有していなくてもよい。例えば、本発明の一態様のタッチ
センサとして、抵抗膜方式、表面弾性波方式、赤外線方式、電磁誘導方式、表面型静電容
量方式、投影型静電容量方式、などを用いてもよい。
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様を適用して作製できる電子機器及び照明装置につい
て、図１２及び図１３を用いて説明する。
本発明の一態様のタッチパネルは可撓性を有する。したがって、可撓性を有する電子機
器や照明装置に好適に用いることができる。また、本発明の一態様を適用することで、信
頼性が高く、繰り返しの曲げに対して強い電子機器や照明装置を作製できる。
電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機とも
いう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタ
ルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、
携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
また、本発明の一態様のタッチパネルは可撓性を有するため、家屋やビルの内壁もしく
は外壁、又は、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことも可能である。
また、本発明の一態様の電子機器は、タッチパネル及び二次電池を有していてもよい。
このとき、非接触電力伝送を用いて、二次電池を充電することができると好ましい。
二次電池としては、例えば、ゲル状電解質を用いるリチウムポリマー電池（リチウムイ
オンポリマー電池）等のリチウムイオン二次電池、ニッケル水素電池、ニッケル・カドミ
ウム電池、有機ラジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニッケル亜鉛電池、銀亜鉛電池
などが挙げられる。
本発明の一態様の電子機器は、タッチパネル及びアンテナを有していてもよい。アンテ
ナで信号を受信することで、表示部で映像や情報等の表示を行うことができる。また、電
子機器が二次電池を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。
図１２（Ａ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０
１に組み込まれた表示部７４０２のほか、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４
、スピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機７４００は、
本発明の一態様のタッチパネルを表示部７４０２に用いることにより作製される。本発明
の一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯電話機を歩留まりよく提
供できる。
図１２（Ａ）に示す携帯電話機７４００は、指などで表示部７４０２に触れることで、
情報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆ
る操作は、指などで表示部７４０２に触れることにより行うことができる。
また、操作ボタン７４０３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や、表示部７４０２
に表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メイ
ンメニュー画面に切り替えることができる。
図１２（Ｂ）は、腕時計型の携帯情報端末の一例を示している。携帯情報端末７１００
は、筐体７１０１、表示部７１０２、バンド７１０３、バックル７１０４、操作ボタン７
１０５、入出力端子７１０６などを備える。
携帯情報端末７１００は、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、イン
ターネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することがで
きる。
表示部７１０２はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行う
ことができる。また、表示部７１０２はタッチセンサを備え、指やスタイラスなどで画面
に触れることで操作することができる。例えば、表示部７１０２に表示されたアイコン７
１０７に触れることで、アプリケーションを起動することができる。
操作ボタン７１０５は、時刻設定のほか、電源のオン、オフ動作、無線通信のオン、オ
フ動作、マナーモードの実行及び解除、省電力モードの実行及び解除など、様々な機能を
持たせることができる。例えば、携帯情報端末７１００に組み込まれたオペレーティング
システムにより、操作ボタン７１０５の機能を自由に設定することもできる。
また、携帯情報端末７１００は、通信規格された近距離無線通信を実行することが可能
である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリー
で通話することもできる。
また、携帯情報端末７１００は入出力端子７１０６を備え、他の情報端末とコネクター
を介して直接データのやりとりを行うことができる。また入出力端子７１０６を介して充
電を行うこともできる。なお、充電動作は入出力端子７１０６を介さずに無線給電により
行ってもよい。
携帯情報端末７１００の表示部７１０２には、本発明の一態様のタッチパネルが組み込
まれている。本発明の一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯情報
端末を歩留まりよく提供できる。
図１２（Ｃ）乃至（Ｅ）は、照明装置の一例を示している。照明装置７２００、照明装
置７２１０、及び照明装置７２２０は、それぞれ、操作スイッチ７２０３を備える台部７
２０１と、台部７２０１に支持される発光部を有する。
図１２（Ｃ）に示す照明装置７２００は、波状の発光面を有する発光部７２０２を備え
る。したがってデザイン性の高い照明装置となっている。
図１２（Ｄ）に示す照明装置７２１０の備える発光部７２１２は、凸状に湾曲した２つ
の発光部が対称的に配置された構成となっている。したがって照明装置７２１０を中心に
全方位を照らすことができる。
図１２（Ｅ）に示す照明装置７２２０は、凹状に湾曲した発光部７２２２を備える。し
たがって、発光部７２２２からの発光を、照明装置７２２０の前面に集光するため、特定
の範囲を明るく照らす場合に適している。
また、照明装置７２００、照明装置７２１０及び照明装置７２２０の備える各々の発光
部はフレキシブル性を有しているため、発光部を可塑性の部材や可動なフレームなどの部
材で固定し、用途に合わせて発光部の発光面を自在に湾曲可能な構成としてもよい。
なおここでは、台部によって発光部が支持された照明装置について例示したが、発光部
を備える筐体を天井に固定する、又は天井からつり下げるように用いることもできる。発
光面を湾曲させて用いることができるため、発光面を凹状に湾曲させて特定の領域を明る
く照らす、又は発光面を凸状に湾曲させて部屋全体を明るく照らすこともできる。
ここで、各発光部には、本発明の一態様のタッチパネルが組み込まれている。本発明の
一態様により、湾曲した発光部を備え、且つ信頼性の高い照明装置を歩留まりよく提供で
きる。
図１２（Ｆ）には、携帯型のタッチパネルの一例を示している。タッチパネル７３００
は、筐体７３０１、表示部７３０２、操作ボタン７３０３、引き出し部材７３０４、制御
部７３０５を備える。
タッチパネル７３００は、筒状の筐体７３０１内にロール状に巻かれたフレキシブルな
表示部７３０２を備える。
また、タッチパネル７３００は制御部７３０５によって映像信号を受信可能で、受信し
た映像を表示部７３０２に表示することができる。また、制御部７３０５にはバッテリを
そなえる。また、制御部７３０５にコネクターを接続する端子部を備え、映像信号や電力
を有線により外部から直接供給する構成としてもよい。
また、操作ボタン７３０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や表示する映像の切り替
え等を行うことができる。
図１２（Ｇ）には、表示部７３０２を引き出し部材７３０４により引き出した状態のタ
ッチパネル７３００を示す。この状態で表示部７３０２に映像を表示することができる。
また、筐体７３０１の表面に配置された操作ボタン７３０３によって、片手で容易に操作
することができる。また、図１２（Ｆ）のように操作ボタン７３０３を筐体７３０１の中
央でなく片側に寄せて配置することで、片手で容易に操作することができる。
なお、表示部７３０２を引き出した際に表示部７３０２の表示面が平面状となるように
固定するため、表示部７３０２の側部に補強のためのフレームを設けていてもよい。
なお、この構成以外に、筐体にスピーカを設け、映像信号と共に受信した音声信号によ
って音声を出力する構成としてもよい。
表示部７３０２には、本発明の一態様のタッチパネルが組み込まれている。本発明の一
態様により、軽量で、且つ信頼性の高いタッチパネルを歩留まりよく提供できる。
図１３（Ａ）乃至（Ｃ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末３１０を示す。図１３（Ａ
）に展開した状態の携帯情報端末３１０を示す。図１３（Ｂ）に展開した状態又は折りた
たんだ状態の一方から他方に変化する途中の状態の携帯情報端末３１０を示す。図１３（
Ｃ）に折りたたんだ状態の携帯情報端末３１０を示す。携帯情報端末３１０は、折りたた
んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の
一覧性に優れる。
表示パネル３１６はヒンジ３１３によって連結された３つの筐体３１５に支持されてい
る。ヒンジ３１３を介して２つの筐体３１５間を屈曲させることにより、携帯情報端末３
１０を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。本発明の
一態様のタッチパネルを表示パネル３１６に用いることができる。例えば、曲率半径１ｍ
ｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができるタッチパネルを適用できる。
なお、本発明の一態様において、タッチパネルが折りたたまれた状態又は展開された状
態であることを検知して、検知情報を供給するセンサを備える構成としてもよい。タッチ
パネルの制御装置は、タッチパネルが折りたたまれた状態であることを示す情報を取得し
て、折りたたまれた部分（又は折りたたまれて使用者から視認できなくなった部分）の動
作を停止してもよい。具体的には、表示を停止してもよい。また、タッチセンサによる検
知を停止してもよい。
同様に、タッチパネルの制御装置は、タッチパネルが展開された状態であることを示す
情報を取得して、表示やタッチセンサによる検知を再開してもよい。
図１３（Ｄ）（Ｅ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末３２０を示す。図１３（Ｄ）に
表示部３２２が外側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末３２０を示す。図１３
（Ｅ）に、表示部３２２が内側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末３２０を示
す。携帯情報端末３２０を使用しない際に、非表示部３２５が外側になるように折りたた
むことで、表示部３２２の汚れや傷つきを抑制できる。本発明の一態様のタッチパネルを
表示部３２２に用いることができる。
図１３（Ｆ）は携帯情報端末３３０の外形を説明する斜視図である。図１３（Ｇ）は、
携帯情報端末３３０の上面図である。図１３（Ｈ）は携帯情報端末３４０の外形を説明す
る斜視図である。
携帯情報端末３３０、３４０は、例えば電話機、手帳又は情報閲覧装置等から選ばれた
一つ又は複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとしてそれぞれ用いることが
できる。
携帯情報端末３３０、３４０は、文字や画像情報をその複数の面に表示することができ
る。例えば、３つの操作ボタン３３９を一の面に表示することができる（図１３（Ｆ）（
Ｈ））。また、破線の矩形で示す情報３３７を他の面に表示することができる（図１３（
Ｇ）（Ｈ））。なお、情報３３７の例としては、ＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング
・サービス）の通知、電子メールや電話などの着信を知らせる表示、電子メールなどの題
名、電子メールなどの送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度など
がある。または、情報３３７が表示されている位置に、情報３３７の代わりに、操作ボタ
ン３３９、アイコンなどを表示してもよい。なお、図１３（Ｆ）（Ｇ）では、上側に情報
３３７が表示される例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。例えば、図
１３（Ｈ）に示す携帯情報端末３４０のように、横側に表示されていてもよい。
例えば、携帯情報端末３３０の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末３３０を収
納した状態で、その表示（ここでは情報３３７）を確認することができる。
具体的には、着信した電話の発信者の電話番号又は氏名等を、携帯情報端末３３０の上
方から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末３３０をポケットから取り出
すことなく、表示を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。
携帯情報端末３３０の筐体３３５、携帯情報端末３４０の筐体３３６がそれぞれ有する
表示部３３３には、本発明の一態様のタッチパネルを用いることができる。本発明の一態
様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯情報端末を歩留まりよく提供で
きる。
また、図１３（Ｉ）に示す携帯情報端末３４５のように、３面以上に情報を表示しても
よい。ここでは、情報３５５、情報３５６、情報３５７がそれぞれ異なる面に表示されて
いる例を示す。
携帯情報端末３４５の筐体３５４が有する表示部３５８には、本発明の一態様のタッチ
パネルを用いることができる。本発明の一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼
性の高い携帯情報端末を歩留まりよく提供できる。
ＢＲ 配線
ＢＲ１ 配線
ＢＲ２ 配線
Ｃ 容量素子
ＣＳ 配線
ＤＬ 信号線
Ｇ１ 走査線
ＧＤ 駆動回路
ＧＮＤ 配線
Ｍ１ トランジスタ
Ｍ２ トランジスタ
Ｍ３ トランジスタ
Ｍ４ トランジスタ
Ｍ５ トランジスタ
ＯＵＴ 端子
ＲＥＳ 配線
ＶＤＤ 配線
ＶＰＩ 配線
ＶＰＯ 配線
ＶＲＥＳ 配線
１０ タッチパネルモジュール
２１ 基板
２２ センサユニット
２３ 導電膜
２４ 遮光膜
２５ 着色膜
２５ｂ 着色膜
２５ｇ 着色膜
２５ｒ 着色膜
２６ 光学調整膜
２７ 絶縁膜
３１ 基板
３２ 表示部
３３ 画素
３４ センサ回路部
３５ 回路
３６ 回路
３７ 回路
３８ 配線
３９ 配線
４１ ＦＰＣ
４２ ＦＰＣ
４３ 端子
２０１ トランジスタ
２０２ トランジスタ
２０３ トランジスタ
２０４ トランジスタ
２０５ トランジスタ
２０６ 発光素子
２０７ 容量素子
２０８ コンタクト部
２０９ コンタクト部
２１１ 接着膜
２１２ 絶縁膜
２１３ 導電膜
２１４ 絶縁膜
２１５ 半導体膜
２１６ 導電膜
２１７ 絶縁膜
２１８ 絶縁膜
２１９ 絶縁膜
２２０ 導電膜
２２１ 絶縁膜
２２２ 導電膜
２２２ａ 導電膜
２２３ 絶縁膜
２２４ 導電膜
２２５ 導電膜
２２６ ＥＬ層
２２７ 導電膜
２２８ 光学調整膜
２２９ 絶縁膜
２３０ スペーサ
２３１ 導電性粒子
２３２ 接続膜
２６０ 接続膜
２６１ 接続膜
２６２ 接着膜
２６３ 絶縁膜
２６４ 接着膜
３１０ 携帯情報端末
３１３ ヒンジ
３１５ 筐体
３１６ 表示パネル
３２０ 携帯情報端末
３２２ 表示部
３２５ 非表示部
３３０ 携帯情報端末
３３３ 表示部
３３５ 筐体
３３６ 筐体
３３７ 情報
３３９ 操作ボタン
３４０ 携帯情報端末
３４５ 携帯情報端末
３５４ 筐体
３５５ 情報
３５６ 情報
３５７ 情報
３５８ 表示部
７１００ 携帯情報端末
７１０１ 筐体
７１０２ 表示部
７１０３ バンド
７１０４ バックル
７１０５ 操作ボタン
７１０６ 入出力端子
７１０７ アイコン
７２００ 照明装置
７２０１ 台部
７２０２ 発光部
７２０３ 操作スイッチ
７２１０ 照明装置
７２１２ 発光部
７２２０ 照明装置
７２２２ 発光部
７３００ タッチパネル
７３０１ 筐体
７３０２ 表示部
７３０３ 操作ボタン
７３０４ 部材
７３０５ 制御部
７４００ 携帯電話機
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ 操作ボタン
７４０４ 外部接続ポート
７４０５ スピーカ
７４０６ マイク

Claims (1)

  1. 第１のトランジスタと、第１の導電膜と、第２の導電膜と、絶縁膜と、第２のトランジスタと、表示素子と、第３の導電膜と、第１の基板と、第２の基板と、を有するタッチパネルであって、
    前記第１のトランジスタと、前記第１の導電膜と、前記第２の導電膜と、前記絶縁膜と、前記第２のトランジスタと、前記表示素子とは、前記第１の基板に設けられ、
    前記第３の導電膜は、前記第２の基板に設けられ、
    前記第１の基板と、前記第２の基板とは、互いに重なる領域を有し、
    前記第１の導電膜は、前記第１の基板と前記第２の導電膜の間に位置する領域を有し、
    前記絶縁膜は、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜の間に位置する領域を有し、
    前記第１の導電膜と前記第２の導電膜と前記絶縁膜は、容量を形成し、前記第１のトランジスタは、前記第２の導電膜と電気的に接続され、
    前記第２の導電膜は、前記第３の導電膜と電気的に接続され、
    前記第２のトランジスタは、前記表示素子と電気的に接続され、
    前記第１のトランジスタは、前記第２のトランジスタと同じ工程から形成される、
    タッチパネル。
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