JP6902100B2 - 有機ｅｌ表示装置用位相差板、有機ｅｌ表示装置および位相差板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、有機ＥＬ表示装置用位相差板、有機ＥＬ表示装置および位相差板の製造方法に関する。

有機エレクトロルミネッセンス（Electroluminescence：ＥＬ）表示装置などの画像表示装置には、表示面における外光の反射を低減するため、円偏光板を反射防止フィルムとして用いることが知られている。
このような円偏光板としては、例えば、特許文献１に記載されるように、１／４波長板（λ／４板）と偏光子とを組み合わせた態様が知られている。

特開平９−１２７８８５号公報

近年、反射防止フィルムに要求される光学特性の一層の向上が求められており、Ｎｚファクターで定義される３次元の屈折率分布の制御も非常に重要になっている。なかでも、０＜Ｎｚ＜１を満たす位相差板は、有機ＥＬ表示装置の反射防止フィルム用途に好適に適用できると考えられている。例えば、Ｎｚ＝０．５を満たす位相差板は、位相差値が視野角によらずほぼ一定であり、また、このような位相差板を用いることによって反射防止フィルムの視野角特性を大幅に改善できると考えられている。

このような状況の下、本発明者は、有機ＥＬ表示装置の反射防止フィルムとして、特開２０１６−０８０９４２号公報に記載された位相差板の適用を試みたところ、棒状液晶性化合物の種類や高分子化合物が有する官能基（光配向性基）の種類によっては、適用する位相差板の耐光性が劣る場合があることを明らかとした。

そこで、本発明は、耐光性に優れる有機ＥＬ表示装置用位相差板、有機ＥＬ表示装置および位相差板の製造方法を提供することを課題とする。

本発明者は、上記課題を達成すべく鋭意検討した結果、特定の光配向性基を含む繰り返し単位Ａと、逆波長分散性の複屈折を発現しうる部位を含む繰り返し単位Ｂとをいずれも有する共重合体を用いることにより、形成される位相差層の耐光性が良好となることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、以下の構成により上記課題を達成することができることを見出した。

［１］ 光配向性基を含む繰り返し単位Ａと、逆波長分散性の複屈折を発現しうる部位を含む繰り返し単位Ｂとをいずれも有する共重合体を含有する組成物を用いて形成された位相差層を有し、
光配向性基が、Ｃ＝ＣまたはＣ＝Ｎの二重結合構造を含む、有機ＥＬ表示装置用位相差板。
［２］ 光配向性基が、シンナメート基またはカルコン基である、［１］に記載の有機ＥＬ表示装置用位相差板。
［３］ 逆波長分散性の複屈折を発現しうる部位が、後述する式（Ａｒ−１）〜（Ａｒ−５）で表される基からなる群から選択されるいずれかの芳香環である、［１］または［２］に記載の有機ＥＬ表示装置用位相差板。
［４］ 共重合体が、アクリル系またはメタクリル系の共重合体である、［１］〜［３］のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置用位相差板。
［５］ 位相差層が、下記式（Ｉ）を満たす、［１］〜［４］のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置用位相差板。
Ｒｅ（４５０）≦Ｒｅ（５５０）≦Ｒｅ（６５０） ・・・（Ｉ）
ここで、式（Ｉ）中、Ｒｅ（４５０）は、波長４５０ｎｍで測定した面内レターデーション値を表し、Ｒｅ（５５０）は、波長５５０ｎｍで測定した面内レターデーション値を表し、Ｒｅ（６５０）は、波長６５０ｎｍで測定した面内レターデーション値を表す。
［６］ 位相差層が、波長５５０ｎｍで測定した面内レターデーション値が１００〜１８０ｎｍを示す層である、［１］〜［５］のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置用位相差板。
［７］ 位相差層が、波長５５０ｎｍで測定した厚み方向レターデーション値が−１０〜１０ｎｍを示す層である、［１］〜［６］のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置用位相差板。
［８］ 位相差層が、下記式（ＩＩ）で表される屈折率関係を満たす、［１］〜［７］のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置用位相差板。
ｎｘ＞ｎｚ＞ｎｙ ・・・（ＩＩ）
ここで、式（ＩＩ）中、ｎｘは、面内において屈折率が最大となる方向の屈折率であり、ｎｙは、面内において屈折率が最小となる方向の屈折率であり、ｎｚは、ｎｘおよびｎｙに垂直な厚さ方向の屈折率を表す。
［９］ 位相差層が、下記式（ＩＩＩ）を満たす、［１］〜［８］のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置用位相差板。
０．４＜（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎｘ−ｎｙ）＜０．６ ・・・（ＩＩＩ）
ここで、式（ＩＩＩ）中、ｎｘは、面内において屈折率が最大となる方向の屈折率であり、ｎｙは、面内において屈折率が最小となる方向の屈折率であり、ｎｚは、ｎｘおよびｎｙに垂直な厚さ方向の屈折率を表す。
［１０］ 位相差層が、単層構造である、［１］〜［９］のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置用位相差板。

［１１］ ［１］〜［１０］のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置用位相差板と、有機ＥＬ発光素子とを有する、有機ＥＬ表示装置。
［１２］ ［１］〜［１０］のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置用位相差板を作製する位相差板の製造方法であって、
透明支持体上に、Ｃ＝ＣまたはＣ＝Ｎの二重結合構造を含む光配向性基を含む繰り返し単位Ａと、逆波長分散性の複屈折を発現しうる部位を含む繰り返し単位Ｂとをいずれも有する共重合体を含有する組成物を塗布し、塗布膜を形成する塗布工程と、
塗布膜の垂直方向から、偏光紫外線照射する照射工程と、
照射工程の後に、塗布膜に加熱処理を施し、位相差層を形成する加熱工程と、
を有する、位相差板の製造方法。

本発明によれば、耐光性に優れる有機ＥＬ表示装置用位相差板、有機ＥＬ表示装置および位相差板の製造方法を提供することができる。

以下、本発明について詳細に説明する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。
なお、本明細書において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
また、本明細書において、表記される二価の基（例えば、−Ｏ−ＣＯ−）の結合方向は特に制限されず、例えば、後述する式（３）中のＤ^１が−Ｏ−ＣＯ−である場合、Ａｒ側に結合している位置を＊１、Ｇ^１側に結合している位置を＊２とすると、Ｄ^１は、＊１−Ｏ−ＣＯ−＊２であってもよく、＊１−ＣＯ−Ｏ−＊２であってもよい。

［有機ＥＬ表示装置用位相差板］
本発明の有機ＥＬ表示装置用位相差板（以下、単に「本発明の位相差板」とも略す。）は、光配向性基を含む繰り返し単位Ａと、逆波長分散性の複屈折を発現しうる部位を含む繰り返し単位Ｂとをいずれも有する共重合体（以下、「特定共重合体」とも略す。）を含有する組成物（以下、「特定組成物」とも略す。）を用いて形成された位相差層を有する。
また、上記繰り返し単位Ａに含まれる光配向性基は、Ｃ＝ＣまたはＣ＝Ｎの二重結合構造を含むものである。
ここで、「逆波長分散性の複屈折を発現しうる部位を含む繰り返し単位」とは、重合体とした時に逆波長分散性の複屈折を発現することができる繰り返し単位をいい、また、「逆波長分散性」とは、長波長になるほど面内レターデーションの絶対値が大きくなる性質をいう。

本発明においては、上述した通り、Ｃ＝ＣまたはＣ＝Ｎの二重結合構造を含む光配向性基を含む繰り返し単位Ａと、逆波長分散性の複屈折を発現しうる部位を含む繰り返し単位Ｂとをいずれも有する特定共重合体を含有する特定組成物を用いて形成された位相差層を有することにより、耐光性が良好となる。
これは、詳細には明らかではないが、本発明者は以下のように推測している。
すなわち、特定の光配向性基および逆波長分散性の複屈折を発現しうる部位を同一の重合体に有することにより、光配向性基またはその光反応物を有機ＥＬ発光素子の発光スペクトルより短波吸収にできるため、有機ＥＬ発光素子からの発光強度が強い有機ＥＬ表示装置の反射防止フィルム用途に用いた場合であっても、光照射による劣化を抑制しつつ、所望の配向状態を維持することができたため、耐久性が向上したものと推測される。

〔特定組成物〕
本発明の位相差板が有する位相差層は、上述した通り、Ｃ＝ＣまたはＣ＝Ｎの二重結合構造を含む光配向性基を含む繰り返し単位Ａと、逆波長分散性の複屈折を発現しうる部位を含む繰り返し単位Ｂとをいずれも有する特定共重合体を含有する特定組成物を用いて形成される。

＜特定共重合体＞
（繰り返し単位Ａ）
特定共重合体が有する繰り返し単位Ａは、Ｃ＝ＣまたはＣ＝Ｎの二重結合構造を含む光配向性基を含む繰り返し単位であり、例えば、下記式（１）または（２）で表される繰り返し単位が挙げられる。

上記式（１）および（２）中、Ｒは、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｌは、２価の連結基を表し、Ｐは、Ｃ＝ＣまたはＣ＝Ｎの二重結合構造を含む光配向性基を表す。

ここで、上記式（１）および（２）中、Ｒは、水素原子または炭素数１〜４のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基等）であることが好ましく、なかでも、水素原子またはメチル基であることが好ましい。

また、上記式（１）および（２）中のＰが示すＣ＝ＣまたはＣ＝Ｎの二重結合構造は、シス型よりもトランス型であることが好ましく、トランス型のＣ＝Ｃであることがより好ましい。
このような二重結合構造を含む光配向性基としては、具体的には、例えば、シンナメート基、カルコン基、マレイミド基が好適に挙げられ、なかでも、偏光紫外線に対する感度が高く、得られる位相差板の耐光性がより向上する理由から、シンナメート基、カルコン基であることが好ましく、シンナメート基であることがより好ましい。

本発明においては、上記式（１）および（２）中のＰが示すＣ＝ＣまたはＣ＝Ｎの二重結合構造を含む光配向性基としては、光配向性を失わない限り、置換基を有していてもよい。置換基としては、具体的には、例えば、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、炭素数１〜２０の直鎖状のハロゲン化アルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数６〜２０のアリールオキシ基、シアノ基、アミノ基などが挙げられる。なお、カルボキシ基は、プロトンが解離していても、対イオン（例えば、アルカリ金属イオン）とともに塩の状態になっていてもよい。

置換基としてのハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられ、中でも、フッ素原子、塩素原子であるのが好ましい。

置換基としての炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基について、直鎖状のアルキル基としては、炭素数１〜６のアルキル基が好ましく、具体的には、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基などが挙げられる。
分岐状のアルキル基としては、炭素数３〜６のアルキル基が好ましく、具体的には、例えば、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基などが挙げられる。
環状のアルキル基としては、炭素数３〜６のアルキル基が好ましく、具体的には、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。

置換基としての炭素数１〜２０の直鎖状のハロゲン化アルキル基としては、炭素数１〜４のフルオロアルキル基が好ましく、具体的には、例えば、トリフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基などが挙げられ、中でも、トリフルオロメチル基が好ましい。

置換基としての炭素数１〜２０のアルコキシ基としては、炭素数１〜８のアルコキシ基が好ましく、具体的には、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−ブトキシ基、メトキシエトキシ基などが挙げられ、中でも、メトキシ基またはエトキシ基が好ましい。

置換基としての炭素数６〜２０のアリール基としては、炭素数６〜１２のアリール基が好ましく、具体的には、例えば、フェニル基、α−メチルフェニル基、ナフチル基などが挙げられ、中でも、フェニル基が好ましい。

置換基としての炭素数６〜２０のアリールオキシ基としては、炭素数６〜１２のアリールオキシ基が好ましく、具体的には、例えば、フェニルオキシ基、２−ナフチルオキシ基などが挙げられ、中でも、フェニルオキシ基が好ましい。

置換基としてのアミノ基としては、例えば、第１級アミノ基（−ＮＨ_２）；メチルアミノ基などの第２級アミノ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基、含窒素複素環化合物（例えば、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジンなど）の窒素原子を結合手とした基などの第３級アミノ基；が挙げられる。

また、上記式（１）および（２）中のＬが示す２価の連結基としては、例えば、置換基を有していてもよい炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状のアルキレン基、置換基を有していてもよい炭素数６〜１２のアリーレン基、エーテル基（−Ｏ−）、カルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）−）、および、置換基を有していてもよいイミノ基（−ＮＨ−）からなる群から選択される少なくとも２以上の基を組み合わせた２価の連結基が挙げられる。
ここで、アルキレン基、アリーレン基およびイミノ基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、水酸基などが挙げられる。
アルキル基としては、例えば、炭素数１〜１８の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基が好ましく、炭素数１〜８のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、シクロヘキシル基等）がより好ましく、炭素数１〜４のアルキル基であることが更に好ましく、メチル基またはエチル基であるのが特に好ましい。
アルコキシ基としては、例えば、炭素数１〜１８のアルコキシ基が好ましく、炭素数１〜８のアルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−ブトキシ基、メトキシエトキシ基等）がより好ましく、炭素数１〜４のアルコキシ基であることが更に好ましく、メトキシ基またはエトキシ基であるのが特に好ましい。
ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられ、中でも、フッ素原子、塩素原子であるのが好ましい。

炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状のアルキレン基について、直鎖状のアルキレン基としては、具体的には、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、デシレン基などが挙げられる。
また、分岐状のアルキレン基としては、具体的には、例えば、ジメチルメチレン基、メチルエチレン基、２，２−ジメチルプロピレン基、２−エチル−２−メチルプロピレン基などが挙げられる。
また、環状のアルキレン基としては、具体的には、例えば、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロオクチレン基、シクロデシレン基、アダマンタン−ジイル基、ノルボルナン−ジイル基、ｅｘｏ−テトラヒドロジシクロペンタジエン−ジイル基などが挙げられ、中でも、シクロヘキシレン基が好ましい。

炭素数６〜１２のアリーレン基としては、具体的には、例えば、フェニレン基、キシリレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基、２，２’−メチレンビスフェニル基などが挙げられ、中でも、フェニレン基が好ましい。

本発明においては、上記式（１）および（２）中のＬは、少なくとも、置換基を有していてもよい炭素数６〜１２のアリーレン基を含む２価の連結基であることが好ましく、少なくとも、置換基を有していてもよい炭素数１〜１０の直鎖状のアルキレン基と置換基を有していてもよい炭素数６〜１２のアリーレン基とを含む２価の連結基であることがより好ましい。

また、本発明においては、上記式（１）および（２）中のＬは、メソゲン基を含む２価の連結基であることが好ましい。
ここで、メソゲン基としては、下記（ＭＧ−Ｉ）で表される基が好適に挙げられる。
ＭＧ−Ｉ：
−（Ｑ^１１−Ｚ^１１）_ｋ−（Ｑ^１２−Ｚ^１２）_ｌ−Ｑ^１５−（Ｚ^１３−Ｑ^１３）_ｍ−（Ｑ^１４−Ｚ^１４）_ｎ−
上記式中、Ｑ^１１、Ｑ^１２、Ｑ^１３、Ｑ^１４およびＱ^１５は、それぞれ独立に、１，４−フェニレン基（以下、「ベンゼン環」ともいう。）、１，４−フェニレン基の１個もしくは２個以上のＣＨ基がＮにより置き換えられたヘテロ環基、１，４−シクロヘキシレン基（以下、「シクロヘキサン環」ともいう。）、１，４−シクロヘキシレン基の１個のＣＨ_２基もしくは隣接していない２個のＣＨ_２基がＯおよび／またはＳにより置き換えられていてもよいへテロ環基、１，４−シクロヘキセニレン基、あるいは、ナフタレン−２，６−ジイル基を表す。これらの基は置換基を有していてもよい。中でも、Ｑ^１５はベンゼン環、Ｑ^１１、Ｑ^１２、Ｑ^１３およびＱ^１４は、それぞれ独立してベンゼン環またはシクロヘキサン環であることが、コスト等の観点から好ましい。
また、上記式中、Ｚ^１１、Ｚ^１２、Ｚ^１３およびＺ^１４は、それぞれ独立に、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＣＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＮＨ＝ＣＨ_２−、−ＣＨ_２＝ＮＨ−、−ＳＣＯ−、−ＯＣＳ−、または、単結合を表す。中でも、コスト等の観点から、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＣＯ−であることが好ましい。
また、上記式中、ｋ、ｌ、ｍおよびｎはそれぞれ独立して、０〜２の整数である。

また、本発明においては、Ｃ＝ＣまたはＣ＝Ｎの二重結合構造を含む光配向性基を含む繰り返し単位Ａとしては、上記式（１）および（２）で表される繰り返し単位のうち、上記式（１）で表される繰り返し単位が好ましく、シンナメート基を光配向性基として含む下記式（１ａ）または（１ｂ）で表される繰り返し単位がより好ましい。

上記式（１ａ）および（１ｂ）中、ＲおよびＬは、いずれも上記式（１）において説明したものと同様である。
また、上記式（１ａ）中のＲ^１１〜Ｒ^１５および上記（１ｂ）中のＲ^１６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４およびＲ^１５のうち、隣接する２つの基が結合して環を形成していてもよい。また、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４およびＲ^１５のうち、パラ位であるＲ^１３が、置換基であることが好ましい。なお、置換基としては、光配向性基が有していてもよい置換基として例示した、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、炭素数１〜２０の直鎖状のハロゲン化アルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数６〜２０のアリールオキシ基、シアノ基、アミノ基などが挙げられる。
また、上記式（１ｂ）中、Ｒ^１６は、１価の有機基を表し、ａは、０〜５の整数を表す。ａが２以上の場合、複数のＲ^１６はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。なお、Ｒ^１６の１価の有機基としては、例えば、炭素数１〜２０の鎖状または環状のアルキル基、置換基を有していていてもよい炭素数６〜２０のアリール基等が挙げられる。

ここで、上記式（１）で表される繰り返し単位としては、具体的には、例えば、下記式（Ａ−１）〜（Ａ−７）で表される繰り返し単位などが好適に挙げられる。

繰り返し単位Ａの含有量は、特定共重合体が有する全繰り返し単位１００質量％に対して５〜４０質量％であることが好ましく、５〜３０質量％であることがより好ましく、１０〜２５質量％であることが更に好ましい。
なお、本発明において、特定共重合体に含まれる各繰り返し単位の含有量は、各繰り返し単位を得るために使用される各単量体の仕込み量（質量）に基づいて算出される。

（繰り返し単位Ｂ）
特定共重合体が有する繰り返し単位Ｂは、逆波長分散性の複屈折を発現しうる部位を含む繰り返し単位であり、例えば、下記式（３）で表される繰り返し単位が挙げられる。

上記式（３）中、Ｒは、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表す。
また、上記式（３）中、Ｄ^１、Ｄ^２、Ｄ^３およびＤ^４は、それぞれ独立に、単結合、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｃ（＝Ｓ）Ｏ−、−ＣＲ^１Ｒ^２−、−ＣＲ^１Ｒ^２−ＣＲ^３Ｒ^４−、−Ｏ−ＣＲ^１Ｒ^２−、−ＣＲ^１Ｒ^２−Ｏ−ＣＲ^３Ｒ^４−、−ＣＯ−Ｏ−ＣＲ^１Ｒ^２−、−Ｏ−ＣＯ−ＣＲ^１Ｒ^２−、−ＣＲ^１Ｒ^２−Ｏ−ＣＯ−ＣＲ^３Ｒ^４−、−ＣＲ^１Ｒ^２−ＣＯ−Ｏ−ＣＲ^３Ｒ^４−、−ＮＲ^１−ＣＲ^２Ｒ^３−、または、−ＣＯ−ＮＲ^１−を表す。Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基を表す。
また、上記式（３）中、Ｇ^１およびＧ^２は、それぞれ独立に、炭素数５〜８の２価の脂環式炭化水素基を表し、脂環式炭化水素基を構成する−ＣＨ_２−の１個以上が−Ｏ−、−Ｓ−または−ＮＨ−で置換されていてもよい。
また、上記式（３）中、Ａ^１およびＡ^２は、それぞれ独立に、炭素数６以上の芳香環、または、炭素数６以上のシクロアルカン環を表す。
また、上記式（３）中、ＳＰ^１およびＳＰ^２は、それぞれ独立に、単結合、炭素数１〜１２の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基、または、炭素数１〜１２の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基を構成する−ＣＨ_２−の１個以上が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（Ｑ）−、もしくは、−ＣＯ−に置換された２価の連結基を表し、Ｑは、置換基を表す。
また、上記式（３）中、ＲＬは、単結合または２価の連結基を表す。
また、上記式（３）中、Ｔは、末端基を表す。

上記式（３）中、Ｒは、水素原子または炭素数１〜４のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基等）であることが好ましく、なかでも、水素原子またはメチル基であることが好ましい。

上記式（３）中、Ｇ^１およびＧ^２が示す炭素数５〜８の２価の脂環式炭化水素基としては、５員環又は６員環であることが好ましい。また、脂環式炭化水素基は、飽和でも不飽和でもよいが飽和脂環式炭化水素基が好ましい。Ｇ^１およびＧ^２で表される２価の脂環式炭化水素基としては、例えば、特開２０１２−２１０６８号公報の段落００７８の記載を参酌でき、この内容は本願明細書に組み込まれる。

上記式（３）中、Ａ^１およびＡ^２が示す炭素数６以上の芳香環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナンスロリン環等などの芳香族炭化水素環；フラン環、ピロール環、チオフェン環、ピリジン環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環等の芳香族複素環；が挙げられる。なかでも、ベンゼン環（例えば、１，４−フェニル基など）が好ましい。
また、上記式（３）中、Ａ^１およびＡ^２が示す炭素数６以上のシクロアルカン環としては、例えば、シクロヘキサン環、シクロペプタン環、シクロオクタン環、シクロドデカン環、シクロドコサン環等が挙げられる。なかでも、シクロヘキサン環（例えば、１，４−シクロヘキシレン基など）が好ましく、トランス−１，４−シクロヘキシレン基であることがより好ましい。

上記式（３）中、ＳＰ^１およびＳＰ^２が示す炭素数１〜１２の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基等が好適に挙げられる。

上記式（３）中、ＲＬが示す２価の連結基としては、例えば、上記式（３）中のＤ^１と同様、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｃ（＝Ｓ）Ｏ−、−ＣＲ^１Ｒ^２−、−ＣＲ^１Ｒ^２−ＣＲ^３Ｒ^４−、−Ｏ−ＣＲ^１Ｒ^２−、−ＣＲ^１Ｒ^２−Ｏ−ＣＲ^３Ｒ^４−、−ＣＯ−Ｏ−ＣＲ^１Ｒ^２−、−Ｏ−ＣＯ−ＣＲ^１Ｒ^２−、−ＣＲ^１Ｒ^２−Ｏ−ＣＯ−ＣＲ^３Ｒ^４−、−ＣＲ^１Ｒ^２−ＣＯ−Ｏ−ＣＲ^３Ｒ^４−、−ＮＲ^１−ＣＲ^２Ｒ^３−、−ＣＯ−ＮＲ^１−等が挙げられる。なお、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基を表す。

上記式（３）中、Ｔが表す末端基としては、例えば、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、炭素数１〜１０のアルキルチオ基、炭素数１〜１０のオキシカルボニル基、炭素数１〜１０のアシルオキシ基、炭素数１〜１０のアシルアミノ基、炭素数１〜１０のアルコキシカルボニルアミノ基、炭素数１〜１０のスルホニルアミノ基、炭素数１〜１０のスルファモイル基、炭素数１〜１０のカルバモイル基、炭素数１〜１０のスルフィニル基、および、炭素数１〜１０のウレイド基などが挙げられる。なかでも、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基が好ましく、炭素数１〜１０のアルキル基がより好ましく、炭素数１〜４のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基等）が更に好ましい。

上記式（３）中、Ａｒは、下記式（Ａｒ−１）〜（Ａｒ−５）で表される基からなる群から選択されるいずれかの芳香環を表す。なお、下記式（Ａｒ−１）〜（Ａｒ−５）中、＊は、上記式（３）中のＤ^１またはＤ^２との結合位置を表す。

ここで、上記式（Ａｒ−１）中、Ｑ^１は、ＮまたはＣＨを表し、Ｑ^２は、−Ｓ−、−Ｏ−、または、−Ｎ（Ｒ^５）−を表し、Ｒ^５は、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｙ^１は、置換基を有してもよい、炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基、または、炭素数３〜１２の芳香族複素環基を表す。
Ｒ^５が示す炭素数１〜６のアルキル基としては、具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、および、ｎ−ヘキシル基などが挙げられる。
Ｙ^１が示す炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、２，６−ジエチルフェニル基、ナフチル基などのアリール基が挙げられる。
Ｙ^１が示す炭素数３〜１２の芳香族複素環基としては、例えば、チエニル基、チアゾリル基、フリル基、ピリジル基などのヘテロアリール基が挙げられる。
また、Ｙ^１が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子などが挙げられる。
アルキル基としては、例えば、炭素数１〜１８の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基が好ましく、炭素数１〜８のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、シクロヘキシル基等）がより好ましく、炭素数１〜４のアルキル基であることが更に好ましく、メチル基またはエチル基であるのが特に好ましい。
アルコキシ基としては、例えば、炭素数１〜１８のアルコキシ基が好ましく、炭素数１〜８のアルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−ブトキシ基、メトキシエトキシ基等）がより好ましく、炭素数１〜４のアルコキシ基であることが更に好ましく、メトキシ基またはエトキシ基であるのが特に好ましい。
ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、中でも、フッ素原子、塩素原子であるのが好ましい。

また、上記式（Ａｒ−１）〜（Ａｒ−５）中、Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜２０の１価の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜２０の１価の脂環式炭化水素基、炭素数６〜２０の１価の芳香族炭化水素基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、−ＯＲ^６、−ＮＲ^７Ｒ^８、または、−ＳＲ^９を表し、Ｒ^６〜Ｒ^９は、それぞれ独立に、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｚ^１およびＺ^２は、互いに結合して芳香環を形成してもよい。
炭素数１〜２０の１価の脂肪族炭化水素基としては、炭素数１〜１５のアルキル基が好ましく、炭素数１〜８のアルキル基がより好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基（１，１−ジメチルプロピル基）、ｔｅｒｔ−ブチル基、１，１−ジメチル−３，３−ジメチル−ブチル基が更に好ましく、メチル基、エチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基が特に好ましい。
炭素数３〜２０の１価の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデシル基、メチルシクロヘキシル基、エチルシクロヘキシル基等の単環式飽和炭化水素基；シクロブテニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、シクロヘプテニル基、シクロオクテニル基、シクロデセニル基、シクロペンタジエニル基、シクロヘキサジエニル基、シクロオクタジエニル基、シクロデカジエン等の単環式不飽和炭化水素基；ビシクロ［２．２．１］ヘプチル基、ビシクロ［２．２．２］オクチル基、トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デシル基、トリシクロ［３．３．１．１^３，７］デシル基、テトラシクロ［６．２．１．１^３，６．０^２，７］ドデシル基、アダマンチル基等の多環式飽和炭化水素基；等が挙げられる。
炭素数６〜２０の１価の芳香族炭化水素基としては、具体的には、例えば、フェニル基、２，６−ジエチルフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基などが挙げられ、炭素数６〜１２のアリール基（特にフェニル基）が好ましい。
ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、中でも、フッ素原子、塩素原子、臭素原子であるのが好ましい。
一方、Ｒ^６〜Ｒ^８が示す炭素数１〜６のアルキル基としては、具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、および、ｎ−ヘキシル基などが挙げられる。

また、上記式（Ａｒ−２）および（Ａｒ−３）中、Ａ^３およびＡ^４は、それぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｎ（Ｒ^１０）−、−Ｓ−、および、−ＣＯ−からなる群から選択される基を表し、Ｒ^１０は、水素原子または置換基を表す。
Ｒ^１０が示す置換基としては、上記式（Ａｒ−１）中のＹ^１が有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。

また、上記式（Ａｒ−２）中、Ｘは、水素原子または置換基が結合していてもよい第１４〜１６族の非金属原子を表す。
また、Ｘが示す第１４〜１６族の非金属原子としては、例えば、酸素原子、硫黄原子、置換基を有する窒素原子、置換基を有する炭素原子が挙げられ、置換基としては、具体的には、例えば、アルキル基、アルコキシ基、アルキル置換アルコキシ基、環状アルキル基、アリール基（例えば、フェニル基、ナフチル基など）、シアノ基、アミノ基、ニトロ基、アルキルカルボニル基、スルホ基、水酸基等が挙げられる。

また、上記式（Ａｒ−３）中、Ｄ^５およびＤ^６は、それぞれ独立に、単結合、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｃ（＝Ｓ）Ｏ−、−ＣＲ^１Ｒ^２−、−ＣＲ^１Ｒ^２−ＣＲ^３Ｒ^４−、−Ｏ−ＣＲ^１Ｒ^２−、−ＣＲ^１Ｒ^２−Ｏ−ＣＲ^３Ｒ^４−、−ＣＯ−Ｏ−ＣＲ^１Ｒ^２−、−Ｏ−ＣＯ−ＣＲ^１Ｒ^２−、−ＣＲ^１Ｒ^２−Ｏ−ＣＯ−ＣＲ^３Ｒ^４−、−ＣＲ^１Ｒ^２−ＣＯ−Ｏ−ＣＲ^３Ｒ^４−、−ＮＲ^１−ＣＲ^２Ｒ^３−、または、−ＣＯ−ＮＲ^１−を表す。Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基を表す。

また、上記式（Ａｒ−３）中、ＳＰ^３およびＳＰ^４は、それぞれ独立に、単結合、炭素数１〜１２の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基、または、炭素数１〜１２の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基を構成する−ＣＨ_２−の１個以上が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（Ｑ）−、もしくは、−ＣＯ−に置換された２価の連結基を表し、Ｑは、置換基を表す。置換基としては、上記式（Ａｒ−１）中のＹ^１が有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。

また、上記式（Ａｒ−３）中、Ｌ^３およびＬ^４は、それぞれ独立に１価の有機基を表し、ラジカル重合またはカチオン重合可能な重合性基であってもよい。
ここで、１価の有機基としては、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基などを挙げることができる。アルキル基は、直鎖状、分岐状または環状であってもよいが、直鎖状が好ましい。アルキル基の炭素数は、１〜３０が好ましく、１〜２０がより好ましく、１〜１０が更に好ましい。また、アリール基は、単環であっても多環であってもよいが単環が好ましい。アリール基の炭素数は、６〜２５が好ましく、６〜１０がより好ましい。また、ヘテロアリール基は、単環であっても多環であってもよい。ヘテロアリール基を構成するヘテロ原子の数は１〜３が好ましい。ヘテロアリール基を構成するヘテロ原子は、窒素原子、硫黄原子、酸素原子が好ましい。ヘテロアリール基の炭素数は、６〜１８が好ましく、６〜１２がより好ましい。また、アルキル基、アリール基およびヘテロアリール基は、無置換であってもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、上記式（Ａｒ−１）中のＹ^１が有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。
一方、ラジカル重合性基としては、一般に知られているラジカル重合性基を用いることができ、好適なものとして、アクリロイル基またはメタクリロイル基を挙げることができる。この場合、重合速度はアクリロイル基が一般的に速いことが知られており、生産性向上の観点からアクリロイル基が好ましいが、メタクリロイル基も重合性基として同様に使用することができる。
また、カチオン重合性基としては、一般に知られているカチオン重合性を用いることができ、具体的には、脂環式エーテル基、環状アセタール基、環状ラクトン基、環状チオエーテル基、スピロオルソエステル基、および、ビニルオキシ基などを挙げることができる。中でも、脂環式エーテル基、または、ビニルオキシ基が好適であり、エポキシ基、オキセタニル基、または、ビニルオキシ基が特に好ましい。
特に好ましい重合性基の例としては下記が挙げられる。

また、上記式（Ａｒ−４）〜（Ａｒ−５）中、Ａｘは、芳香族炭化水素環および芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも１つの芳香環を有する炭素数２〜３０の有機基を表す。
また、上記式（Ａｒ−４）〜（Ａｒ−５）中、Ａｙは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜１２のアルキル基、または、芳香族炭化水素環および芳香族複素環からなる群から選択される少なくとも１つの芳香環を有する炭素数２〜３０の有機基を表す。
ここで、ＡｘおよびＡｙにおける芳香環は、置換基を有していてもよく、ＡｘとＡｙとが結合して環を形成していてもよい。
また、Ｑ^３は、水素原子、または、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
ＡｘおよびＡｙとしては、国際公開第２０１４／０１０３２５号の［００３９］〜［００９５］段落に記載されたものが挙げられる。
また、Ｑ^３が示す炭素数１〜６のアルキル基としては、具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、および、ｎ−ヘキシル基などが挙げられ、置換基としては、上記式（Ａｒ−１）中のＹ^１が有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。

本発明においては、上記式（３）で表される繰り返し単位としては、具体的には、例えば、下記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）で表される繰り返し単位などが好適に挙げられる。

繰り返し単位Ｂの含有量は、特定共重合体が有する全繰り返し単位１００質量％に対して５０〜９５質量％であることが好ましく、６０〜９０質量％であることがより好ましく、７０〜９０質量％であることが更に好ましい。

本発明においては、上述した繰り返し単位Ａおよび繰り返し単位Ｂを有する特定共重合体は、液晶性を付与することが容易であり、偏光紫外線照射後の加熱処理で位相差が発現しやすい理由から、アクリル系またはメタクリル系の共重合体であることが好ましい。
このような特定共重合体としては、具体的には、例えば、以下に示す共重合体Ｐ−１〜重合体Ｐ−１５などが挙げられる。

また、特定共重合体は、本発明の効果を阻害しない限り、上述した繰り返し単位Ａおよび繰り返し単位Ｂ以外に、他の繰り返し単位を有していてもよい。
このような他の繰り返し単位を形成するモノマー（ラジカル重合性単量体）としては、例えば、アクリル酸エステル化合物、メタクリル酸エステル化合物、マレイミド化合物、アクリルアミド化合物、アクリロニトリル、マレイン酸無水物、スチレン化合物、ビニル化合物等が挙げられる。

また、特定共重合体の合成法は特に限定されず、例えば、上述した繰り返し単位Ａを形成するモノマー、上述した繰り返し単位Ｂを形成するモノマー、および、任意の他の繰り返し単位を形成するモノマーを混合し、有機溶剤中で、ラジカル重合開始剤を用いて重合することにより合成することができる。

また、特定共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０００００以下であることが好ましく、５００００以下であることがより好ましく、３０００〜３００００であることが更に好ましい。
ここで、本発明における重量平均分子量は、以下に示す条件でゲル浸透クロマトグラフ（ＧＰＣ）法により測定された値である。
・溶媒（溶離液）：ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）
・装置名：ＴＯＳＯＨ ＨＬＣ−８３２０ＧＰＣ
・カラム：ＴＯＳＯＨ ＴＳＫｇｅｌ Ｓｕｐｅｒ ＨＺＭ−Ｈ（４．６ｍｍ×１５ｃｍ）を３本接続して使用
・カラム温度：４０℃
・試料濃度：０．１質量％
・流速：１．０ｍｌ／ｍｉｎ
・校正曲線：ＴＯＳＯＨ製ＴＳＫ標準ポリスチレン Ｍｗ＝２８０００００〜１０５０（Ｍｗ／Ｍｎ＝１．０３〜１．０６）までの７サンプルによる校正曲線を使用

＜重合性化合物＞
位相差層の形成に用いる特定組成物は、上述した特定共重合体以外に、重合性化合物を含んでいてもよい。
ここで、重合性化合物が有する重合性基は特に限定されず、例えば、アクリロイル基、メタクリロイル基、ビニル基、スチリル基、アリル基等が挙げられる。なかでも、アクリロイル基またはメタクリロイル基を有しているのが好ましい。

重合性化合物としては、形成される位相差層の耐光性がより向上する理由から、重合性基を２〜４個有する他の重合性化合物であるのが好ましく、重合性基を２個有する他の重合性化合物であるのがより好ましい。
このような他の重合性化合物としては、特開２０１４−０７７０６８号公報の［００３０］〜［００３３］段落に記載された式（Ｍ１）、（Ｍ２）、（Ｍ３）で表される化合物が挙げられ、より具体的には、同公報の［００４６］〜［００５５］段落に記載された具体例が挙げられる。

＜重合開始剤＞
位相差層の形成に用いる特定組成物は、上述した重合性化合物を含有する場合、重合開始剤を含有していることが好ましい。
使用する重合開始剤は、紫外線（ＵＶ）照射によって重合反応を開始可能な光重合開始剤であるのが好ましい。
光重合開始剤としては、例えば、α−カルボニル化合物（米国特許第２３６７６６１号、同２３６７６７０号の各明細書記載）、アシロインエーテル（米国特許第２４４８８２８号明細書記載）、α−炭化水素置換芳香族アシロイン化合物（米国特許第２７２２５１２号明細書記載）、多核キノン化合物（米国特許第３０４６１２７号、同２９５１７５８号の各明細書記載）、トリアリールイミダゾールダイマーとｐ−アミノフェニルケトンとの組み合わせ（米国特許第３５４９３６７号明細書記載）、アクリジンおよびフェナジン化合物（特開昭６０−１０５６６７号公報、米国特許第４２３９８５０号明細書記載）およびオキサジアゾール化合物（米国特許第４２１２９７０号明細書記載）、アシルフォスフィンオキシド化合物（特公昭６３−４０７９９号公報、特公平５−２９２３４号公報、特開平１０−９５７８８号公報、特開平１０−２９９９７号公報記載）等が挙げられる。

＜溶媒＞
位相差層の形成に用いる特定組成物は、位相差層を形成する作業性等の観点から、溶媒を含有するのが好ましい。
溶媒としては、具体的には、例えば、ケトン類（例えば、アセトン、２−ブタノン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなど）、エーテル類（例えば、ジオキサン、テトラヒドロフランなど）、脂肪族炭化水素類（例えば、ヘキサンなど）、脂環式炭化水素類（例えば、シクロヘキサンなど）、芳香族炭化水素類（例えば、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼンなど）、ハロゲン化炭素類（例えば、ジクロロメタン、ジクロロエタン、ジクロロベンゼン、クロロトルエンなど）、エステル類（例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなど）、水、アルコール類（例えば、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、シクロヘキサノールなど）、セロソルブ類（例えば、メチルセロソルブ、エチルセロソルブなど）、セロソルブアセテート類、スルホキシド類（例えば、ジメチルスルホキシドなど）、アミド類（例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなど）等が挙げられ、これらを１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

本発明の位相差板は、上述した特定組成物を用いて形成される位相差層を有する。なお、位相差層の形成方法は、後述する本発明の位相差板の製造方法において詳述する。

本発明においては、位相差層中における特定共重合体の含有量は、５０〜９９質量％であることが好ましく、６０〜９７質量％であることがより好ましく、７０〜９５質量％であることが更に好ましい。なお、特定共重合体は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。２種以上を併用する場合はその合計量が上記含有量を満たすことが好ましい。

また、本発明においては、位相差層の厚さは特に限定されないが、１０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下であることがより好ましい。厚さの下限は特に限定されないが、一般的には１０ｎｍ以上、好ましくは５０ｎｍ以上である。
また、位相差層は、単層構造であることが好ましい。

本発明においては、黒色味視野角が良好となる理由から、位相差層が、下記式（Ｉ）を満たすことが好ましい。
Ｒｅ（４５０）≦Ｒｅ（５５０）≦Ｒｅ（６５０） ・・・（Ｉ）
ここで、上記式（Ｉ）中、Ｒｅ（４５０）は、波長４５０ｎｍで測定した面内レターデーション値を表し、Ｒｅ（５５０）は、波長５５０ｎｍで測定した面内レターデーション値を表し、Ｒｅ（６５０）は、波長６５０ｎｍで測定した面内レターデーション値を表す。なお、本明細書において、レターデーションの測定波長を明記していない場合は、測定波長は５５０ｎｍとする。
また、面内レターデーションおよび厚み方向のレターデーションの値は、ＡｘｏＳｃａｎ ＯＰＭＦ−１（オプトサイエンス社製）を用い、測定波長の光を用いて測定した値をいう。
具体的には、ＡｘｏＳｃａｎ ＯＰＭＦ−１にて、平均屈折率（（Ｎｘ＋Ｎｙ＋Ｎｚ）／３）と膜厚（ｄ（μｍ））を入力することにより、
遅相軸方向（°）
Ｒｅ（λ）＝Ｒ０（λ）
Ｒｔｈ（λ）＝（（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ）×ｄ
が算出される。
なお、Ｒ０（λ）は、ＡｘｏＳｃａｎ ＯＰＭＦ−１で算出される数値として表示されるものであるが、Ｒｅ（λ）を意味している。

また、本発明においては、人間の視感度が高い波長５５０ｎｍの直線偏光を円偏光に正確に変換する理由から、位相差層のＲｅ（５５０）が１００〜１８０ｎｍであることが好ましく、１２０〜１５０ｎｍであることがより好ましい。

また、本発明においては、斜め方向の黒色味が良好である理由から、位相差層のＲｔｈ（５５０）が−１０〜１０ｎｍであることが好ましく、−５〜５ｎｍであることがより好ましい。

また、本発明においては、Ｒｅ（５５０）の１２０〜１５０ｎｍとＲｔｈ（５５０）の−５〜５ｎｍを両立する理由から、位相差層が、下記式（ＩＩ）で表される屈折率関係を満たすことが好ましい。
ｎｘ＞ｎｚ＞ｎｙ ・・・（ＩＩ）
ここで、上記式（ＩＩ）および後述する式（ＩＩＩ）中、ｎｘは、面内において屈折率が最大となる方向（遅相軸）の屈折率であり、ｎｙは、面内において屈折率が最小となる方向（進相軸）の屈折率であり、ｎｚは、ｎｘおよびｎｙに垂直な厚さ方向の屈折率を表す。
また、屈折率ｎｘ、ｎｙ、ｎｚは、アッベ屈折計（ＮＡＲ−４Ｔ、アタゴ（株）製）を使用し、光源にナトリウムランプ（λ＝５８９ｎｍ）を用いて測定する。また波長依存性を測定する場合は、多波長アッベ屈折計ＤＲ−Ｍ２（アタゴ（株）製）にて、干渉フィルタとの組合せで測定できる。

また、本発明においては、Ｒｅ（５５０）の１２０〜１５０ｎｍとＲｔｈ（５５０）の−５〜５ｎｍを両立する理由から、位相差層が、下記式（ＩＩＩ）を満たすことが好ましい。
０．４＜（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎｘ−ｎｙ）＜０．６ ・・・（ＩＩＩ）

〔透明支持体〕
本発明の位相差板は、上述した位相差層を支持する透明支持体を有していてもよい。
ここで、本発明でいう「透明」とは、可視光の透過率が６０％以上であることを示し、好ましくは８０％以上であり、特に好ましくは９０％以上である。
このような透明支持体としては、例えば、ガラス基板およびポリマーフィルムが挙げられる。
ポリマーフィルムの材料としては、セルロース系ポリマー；ポリメチルメタクリレート、ラクトン環含有重合体等のアクリル酸エステル重合体を有するアクリル系ポリマー；熱可塑性ノルボルネン系ポリマー；ポリカーボネート系ポリマー；ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル系ポリマー；ポリスチレン、アクリロニトリル・スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）等のスチレン系ポリマー；ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン・プロピレン共重合体等のポリオレフィン系ポリマー；、塩化ビニル系ポリマー；ナイロン、芳香族ポリアミド等のアミド系ポリマー；イミド系ポリマー；スルホン系ポリマー；ポリエーテルスルホン系ポリマー；ポリエーテルエーテルケトン系ポリマー；ポリフェニレンスルフィド系ポリマー；塩化ビニリデン系ポリマー；ビニルアルコール系ポリマー；ビニルブチラール系ポリマー；アリレート系ポリマー；ポリオキシメチレン系ポリマー；エポキシ系ポリマー；またはこれらのポリマーを混合したポリマーが挙げられる。

上記透明支持体の厚みについては特に限定されないが、５〜２００μｍであることが好ましく、１０〜１００μｍであることがより好ましく、２０〜９０μｍであることが更に好ましい。

［位相差板の製造方法］
本発明の位相差板を作製する本発明の位相差板の製造方法は、上述した透明支持体上に、上述した特定共重合体を含有する特定組成物を塗布し、塗布膜を形成する塗布工程と、塗布膜の垂直方向から偏光紫外線照射する照射工程と、照射工程の後に塗布膜に加熱処理を施し、位相差層を形成する加熱工程と、を有する。

〔塗布工程〕
上記塗布工程における塗布方法は特に限定されず、例えば、スピンコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ローラーコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法、ダイコート法等が挙げられる。
なお、塗布量は、所望の厚さの位相差層を製造できるように調節することが好ましい。

〔照射工程〕
上記照射工程は、上記塗布工程によって形成された塗布膜に対して、塗布膜の垂直方向から偏光紫外線照射する工程である。

紫外線を偏光照射する方法としては、例えば、偏光板（例えば、ヨウ素偏光板、二色色素偏光板、ワイヤーグリッド偏光板など）を用いる方法；プリズム系素子（例えば、グラントムソンプリズムなど）やブリュースター角を利用した反射型偏光子を用いる方法；偏光を有するレーザー光源から出射される光を用いる方法；などが挙げられる。

紫外線照射に用いる光源としては、紫外線を発生する光源であれば特に限定されず、例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、カーボンアーク灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ等を用いることができる。

光照射量は、３００〜３００００ｍＪ／ｃｍ^２であることが好ましく、５００〜１５０００ｍＪ／ｃｍ^２であることがより好ましい。
光照射量を調節することにより、特定共重合体が有する繰り返し単位Ａ中の光配向性基の配向状態を変化させ、位相差層のＮｚファクター、すなわち、（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎｘ−ｎｙ）を調節することができる。

〔加熱工程〕
上記加熱工程は、上記照射工程の後に、塗布膜に加熱処理を施し、位相差層を形成する工程である。
本発明においては、上記加熱工程における加熱温度は、５０℃以上が好ましく、１００〜２００℃がより好ましく、１２０〜１８０℃が更に好ましい。
また、加熱時間は、３０秒〜１０分が好ましく、１分〜１０分がより好ましく、２分〜８分が更に好ましい。

［有機ＥＬ表示装置］
本発明の有機ＥＬ表示装置は、本発明の位相差板と、有機ＥＬ発光素子とを有する。
このような有機ＥＬ表示装置としては、視認側から、偏光子、本発明の位相差板、および、有機ＥＬ表示パネルをこの順で有する態様が好適に挙げられる。

〔偏光子〕
上記偏光子は、光を特定の直線偏光に変換する機能を有する部材であれば特に限定されず、従来公知の吸収型偏光子および反射型偏光子を利用することができる。
吸収型偏光子としては、ヨウ素系偏光子、二色性染料を利用した染料系偏光子、およびポリエン系偏光子などが用いられる。ヨウ素系偏光子および染料系偏光子には、塗布型偏光子と延伸型偏光子があり、いずれも適用できるが、ポリビニルアルコールにヨウ素または二色性染料を吸着させ、延伸して作製される偏光子が好ましい。
また、基材上にポリビニルアルコール層を形成した積層フィルムの状態で延伸および染色を施すことで偏光子を得る方法として、特許第５０４８１２０号公報、特許第５１４３９１８号公報、特許第４６９１２０５号公報、特許第４７５１４８１号公報、特許第４７５１４８６号公報を挙げることができ、これらの偏光子に関する公知の技術も好ましく利用することができる。
反射型偏光子としては、複屈折の異なる薄膜を積層した偏光子、ワイヤーグリッド型偏光子、選択反射域を有するコレステリック液晶と１／４波長板とを組み合わせた偏光子などが用いられる。
なかでも、密着性がより優れる点で、ポリビニルアルコール系樹脂（−ＣＨ_２−ＣＨＯＨ−を繰り返し単位として含むポリマー。特に、ポリビニルアルコールおよびエチレン−ビニルアルコール共重合体からなる群から選択される少なくとも１つ）を含む偏光子であることが好ましい。

偏光子の厚みは特に限定されないが、３μｍ〜６０μｍであるのが好ましく、５μｍ〜３０μｍであるのがより好ましく、５μｍ〜１５μｍであるのが更に好ましい。

〔有機ＥＬ表示パネル〕
有機ＥＬ表示パネルは、陽極、陰極の一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄膜を形成した部材であり、発光層のほか正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有してもよく、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備えたものであってもよい。各層の形成にはそれぞれ種々の材料を用いることができる。

以下に実施例に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す実施例により限定的に解釈されるべきものではない。

［実施例１］
〔逆波長分散性を有する位相差板１の作製〕
＜位相差層１用組成物１の調製＞
下記の組成物を溶解し、位相差層１用組成物１を調製した。
―――――――――――――――――――――――――――――――――
位相差層１用組成物１
―――――――――――――――――――――――――――――――――
下記共重合体Ｐ−７ ２０質量部
クロロホルム ８０質量部
―――――――――――――――――――――――――――――――――

＜位相差層１の作製＞
ガラス基板上に、スピンコーターを用いて、位相差層１用組成物１を塗布し、乾燥させた後、大気下にて空冷メタルハライドランプ（アイグラフィックス（株）製）を用いて紫外線を塗布面側から照射した。このとき、ワイヤーグリッド偏光子（ProFlux PPL02、Moxtek社製）を塗布面と平行になるようにセットして、塗布面垂直方向から露光を行った。また、この際に用いる紫外線の照度は、ＵＶ−Ａ領域（波長３８０ｎｍ〜３２０ｎｍの積算）において１００ｍＷ／ｃｍ^２、照射量はＵＶ−Ａ領域において１０００ｍＪ／ｃｍ^２とした。

次いで、１５０℃で５分間加熱した後、室温（２３℃）まで冷却して、位相差板１を作製した。得られた位相差層１の膜厚は３．５μｍであった。

［実施例２］
〔逆波長分散性を有する位相差板２の作製〕
共重合体Ｐ−７の代わりに、下記共重合体Ｐ−１０を用いた以外は、実施例１と同様の方法で、実施例２の位相差板２を作製した。位相差層の膜厚は、３．５μｍであった。

［実施例３］
〔逆波長分散性を有する位相差板３の作製〕
共重合体Ｐ−７の代わりに、共重合体Ｐ−１１を用いた以外は、実施例１と同様の方法で、実施例３の位相差板３を作製した。位相差層の膜厚は、３．５μｍであった。

［実施例４］
〔逆波長分散性を有する位相差板４の作製〕
共重合体Ｐ−７の代わりに、共重合体Ｐ−１を用いた以外は、実施例１と同様の方法で、実施例４の位相差板４を作製した。位相差層の膜厚は、３．５μｍであった。

［比較例１］
〔順波長分散性を有する位相差板５の作製〕
共重合体Ｐ−７の代わりに、特開２０１６−０８０９４２号公報の実施例１に記載された下記高分子化合物１を用い、照射後の加熱をしなかった以外は、実施例１と同様の方法で、比較例１の位相差板５を作製した。位相差層の膜厚は、１．０μｍとなるように調整した。

高分子化合物１（重量平均分子量：２４，０００）

［評価］
＜光学特性＞
上述した実施例および比較例で作製した各位相差板について、上述した方法により、Ｒｅ（５５０）、Ｒｔｈ（５５０）、Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）、Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）、ならびに、ｎｘ、ｎｙおよびｎｚを評価した。評価結果を下記表１に示す。

＜耐光性評価＞
上述した各実施例および比較例で作製した各位相差板について、紫外線カットフィルムを介して、位相差板側から、スーパーキセノンウェザーメーター（ＳＸ−７５、スガ試験機社製）を用い、６０℃、相対湿度５０％の条件にて、キセノン光を２５万Ｌｘで２００時間照射した。室温暗所で１時間経過後、Ｒｅの変化を測定した。評価結果を下記表１に示す。
Ａ：Ｒｅの変化が５％未満
Ｂ：Ｒｅの変化が５％以上２０％未満
Ｃ：Ｒｅの変化が２０％以上

表１に示す結果から、アゾ基を光配向性基として含む繰り返し単位Ａを有する重合体を含有する組成物から形成された位相差層を使用する場合、偏光照射すると複屈折性および二軸性を発現するものの、波長分散は順分散性であり、耐光性も悪いことが分かった（比較例１）。
これに対し、Ｃ＝ＣまたはＣ＝Ｎの二重結合構造を含む光配向性基を含む繰り返し単位Ａと、逆波長分散性の複屈折を発現しうる部位を含む繰り返し単位Ｂとをいずれも有する共重合体を含有する組成物から形成された位相差層を使用する場合、いずれも、逆波長分散性が実現できることが分かった（実施例１〜４）。また、このようにして作製した位相差層は、二軸性の複屈折性が発現し、耐光性も優れていることが分かった。

Claims (10)

1. 光配向性基を含む繰り返し単位Ａと、逆波長分散性の複屈折を発現しうる部位を含む繰り返し単位Ｂとをいずれも有する共重合体を含有する組成物を用いて形成された位相差層を有し、
   前記光配向性基が、シンナメート基またはカルコン基であり、
   前記繰り返し単位Ａの含有量が、前記共重合体が有する全繰り返し単位１００質量％に対して５〜４０質量％であり、
   前記繰り返し単位Ｂが、下記式（３）で表される繰り返し単位であり、
   前記逆波長分散性の複屈折を発現しうる部位が、下記式（Ａｒ−１）〜（Ａｒ−５）で表される基からなる群から選択されるいずれかの芳香環である、有機ＥＬ表示装置用位相差板。
   

   

   
   ここで、前記式（３）中、Ｒは、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表す。
   また、Ａｒは、下記式（Ａｒ−１）〜（Ａｒ−５）で表される基からなる群から選択されるいずれかの芳香環を表す。
   また、Ｄ ^１ 、Ｄ ^２ 、Ｄ ^３ およびＤ ^４ は、それぞれ独立に、単結合、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｃ（＝Ｓ）Ｏ−、−ＣＲ ^１ Ｒ ^２ −、−ＣＲ ^１ Ｒ ^２ −ＣＲ ^３ Ｒ ^４ −、−Ｏ−ＣＲ ^１ Ｒ ^２ −、−ＣＲ ^１ Ｒ ^２ −Ｏ−ＣＲ ^３ Ｒ ^４ −、−ＣＯ−Ｏ−ＣＲ ^１ Ｒ ^２ −、−Ｏ−ＣＯ−ＣＲ ^１ Ｒ ^２ −、−ＣＲ ^１ Ｒ ^２ −Ｏ−ＣＯ−ＣＲ ^３ Ｒ ^４ −、−ＣＲ ^１ Ｒ ^２ −ＣＯ−Ｏ−ＣＲ ^３ Ｒ ^４ −、−ＮＲ ^１ −ＣＲ ^２ Ｒ ^３ −、または、−ＣＯ−ＮＲ ^１ −を表す。Ｒ ^１ 、Ｒ ^２ 、Ｒ ^３ およびＲ ^４ は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基を表す。
   また、Ｇ ^１ およびＧ ^２ は、それぞれ独立に、炭素数５〜８の２価の脂環式炭化水素基を表し、前記脂環式炭化水素基を構成する−ＣＨ _２ −の１個以上が−Ｏ−、−Ｓ−または−ＮＨ−で置換されていてもよい。
   また、Ａ ^１ およびＡ ^２ は、それぞれ独立に、炭素数６以上の芳香環、または、炭素数６以上のシクロアルカン環を表す。
   また、ＳＰ ^１ およびＳＰ ^２ は、それぞれ独立に、単結合、炭素数１〜１２の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基、または、炭素数１〜１２の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基を構成する−ＣＨ _２ −の１個以上が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（Ｑ）−、もしくは、−ＣＯ−に置換された２価の連結基を表し、Ｑは、置換基を表す。
   また、ＲＬは、単結合または２価の連結基を表す。
   また、Ｔは、末端基を表す。
   

   

   
   ここで、前記式（Ａｒ−１）〜（Ａｒ−５）中、＊は、前記式（３）中のＤ ^１ またはＤ ^２ との結合位置を表す。
   また、Ｑ ^１ は、ＮまたはＣＨを表す。
   また、Ｑ ^２ は、−Ｓ−、−Ｏ−、または、−Ｎ（Ｒ ^５ ）−を表し、Ｒ ^５ は、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表す。
   また、Ｙ ^１ は、置換基を有してもよい、炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基、または、炭素数３〜１２の芳香族複素環基を表す。
   また、Ｚ ^１ 、Ｚ ^２ およびＺ ^３ は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜２０の１価の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜２０の１価の脂環式炭化水素基、炭素数６〜２０の１価の芳香族炭化水素基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、−ＯＲ ^６ 、−ＮＲ ^７ Ｒ ^８ 、または、−ＳＲ ^９ を表し、Ｒ ^６ 〜Ｒ ^９ は、それぞれ独立に、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｚ ^１ およびＺ ^２ は、互いに結合して芳香環を形成してもよい。
   また、Ａ ^３ およびＡ ^４ は、それぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｎ（Ｒ ^１０ ）−、−Ｓ−、および、−ＣＯ−からなる群から選択される基を表し、Ｒ ^１０ は、水素原子または置換基を表す。
   また、Ｘは、水素原子または置換基が結合していてもよい第１４〜１６族の非金属原子を表す。
   また、Ｄ ^５ およびＤ ^６ は、それぞれ独立に、単結合、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｓ）Ｏ−、−ＣＲ ^１ Ｒ ^２ −、−ＣＲ ^１ Ｒ ^２ −ＣＲ ^３ Ｒ ^４ −、−Ｏ−ＣＲ ^１ Ｒ ^２ −、−ＣＲ ^１ Ｒ ^２ −Ｏ−ＣＲ ^３ Ｒ ^４ −、−ＣＯ−Ｏ−ＣＲ ^１ Ｒ ^２ −、−Ｏ−ＣＯ−ＣＲ ^１ Ｒ ^２ −、−ＣＲ ^１ Ｒ ^２ −Ｏ−ＣＯ−ＣＲ ^３ Ｒ ^４ −、−ＣＲ ^１ Ｒ ^２ −ＣＯ−Ｏ−ＣＲ ^３ Ｒ ^４ −、−ＮＲ ^１ −ＣＲ ^２ Ｒ ^３ −、または、−ＣＯ−ＮＲ ^１ −を表す。Ｒ ^１ 、Ｒ ^２ 、Ｒ ^３ およびＲ ^４ は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基を表す。
   また、ＳＰ ^３ およびＳＰ ^４ は、それぞれ独立に、単結合、炭素数１〜１２の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基、または、炭素数１〜１２の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基を構成する−ＣＨ _２ −の１個以上が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（Ｑ）−、もしくは、−ＣＯ−に置換された２価の連結基を表し、Ｑは、置換基を表す。
   また、Ｌ ^３ およびＬ ^４ は、それぞれ独立に１価の有機基を表す。
   また、Ａｘは、芳香族炭化水素環および芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも１つの芳香環を有する炭素数２〜３０の有機基を表す。
   また、Ａｙは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜１２のアルキル基、または、芳香族炭化水素環および芳香族複素環からなる群から選択される少なくとも１つの芳香環を有する炭素数２〜３０の有機基を表す。
   また、ＡｘおよびＡｙにおける芳香環は、置換基を有していてもよく、ＡｘとＡｙとが結合して環を形成していてもよい。
   また、Ｑ ^３ は、水素原子、または、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
2. 前記共重合体が、アクリル系またはメタクリル系の共重合体である、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置用位相差板。
3. 前記位相差層が、下記式（Ｉ）を満たす、請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置用位相差板。
   Ｒｅ（４５０）≦Ｒｅ（５５０）≦Ｒｅ（６５０） ・・・（Ｉ）
   ここで、式（Ｉ）中、Ｒｅ（４５０）は、波長４５０ｎｍで測定した面内レターデーション値を表し、Ｒｅ（５５０）は、波長５５０ｎｍで測定した面内レターデーション値を表し、Ｒｅ（６５０）は、波長６５０ｎｍで測定した面内レターデーション値を表す。
4. 前記位相差層が、波長５５０ｎｍで測定した面内レターデーション値が１００〜１８０ｎｍを示す層である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置用位相差板。
5. 前記位相差層が、波長５５０ｎｍで測定した厚み方向レターデーション値が−１０〜１０ｎｍを示す層である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置用位相差板。
6. 前記位相差層が、下記式（ＩＩ）で表される屈折率関係を満たす、請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置用位相差板。
   ｎｘ＞ｎｚ＞ｎｙ ・・・（ＩＩ）
   ここで、式（ＩＩ）中、ｎｘは、面内において屈折率が最大となる方向の屈折率であり、ｎｙは、面内において屈折率が最小となる方向の屈折率であり、ｎｚは、ｎｘおよびｎｙに垂直な厚さ方向の屈折率を表す。
7. 前記位相差層が、下記式（ＩＩＩ）を満たす、請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置用位相差板。
   ０．４＜（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎｘ−ｎｙ）＜０．６ ・・・（ＩＩＩ）
   ここで、式（ＩＩＩ）中、ｎｘは、面内において屈折率が最大となる方向の屈折率であり、ｎｙは、面内において屈折率が最小となる方向の屈折率であり、ｎｚは、ｎｘおよびｎｙに垂直な厚さ方向の屈折率を表す。
8. 前記位相差層が、単層構造である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置用位相差板。
9. 請求項１〜８のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置用位相差板と、有機ＥＬ発光素子とを有する、有機ＥＬ表示装置。
10. 請求項１〜８のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置用位相差板を作製する位相差板の製造方法であって、
    透明支持体上に、Ｃ＝ＣまたはＣ＝Ｎの二重結合構造を含む光配向性基を含む繰り返し単位Ａと、逆波長分散性の複屈折を発現しうる部位を含む繰り返し単位Ｂとをいずれも有する共重合体を含有する組成物を塗布し、塗布膜を形成する塗布工程と、
    前記塗布膜の垂直方向から、偏光紫外線照射する照射工程と、
    前記照射工程の後に、前記塗布膜に加熱処理を施し、位相差層を形成する加熱工程と、
    を有する、位相差板の製造方法。