JP6898928B2 - プラズマ浸漬イオン注入装置の制御方法及びバイアス供給装置 - Google Patents
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Description
接地された正極を有する発生器GEN、
該発生器GENに並列のキャパシタCt、
該発生器GENの負極に接続された第1の電極、及び電源供給装置の出力端子Oに接続された第2の電極を有する第1のスイッチIT1、
該出力端子Oに接続された第1の電極、及び接地された第2の電極を有する第2のスイッチIT2を備える電源供給装置によって基板にバイアス電圧をかけることを提案している。
プラズマ電源供給装置を作動させており、
該第1のスイッチIT1が閉じており、
該第2のスイッチIT2が開いている注入段階、及び
該第1のスイッチIT1が開いており、
該第2のスイッチIT2が閉じている中性化段階。
粒子、またはダストを発生し、
基板に熱を与え、
容器を侵食し、処理される部品の金属汚染のリスクを生じ、
特にマイクロエレクトロニクスの応用に面倒な電荷効果を生成し、
基板に印加される電圧が上昇し下降する段階の間に安定化されていない加速電圧において注入する。
基板電源供給装置を作動させ、
所定の遅れの後、プラズマ電源供給装置を1パルスの期間作動させ、
該プラズマ電源供給装置を作動停止させ、
所定の期間の後、該基板電源供給装置を作動停止させる。
接地された正極を有する電圧発生器、
該電圧発生器の負極に接続された第1の電極、及び該基板電源供給装置の出力端子に接続された第2の電極を有する第1のスイッチ、及び
該出力端子に接続された第1の電極、及び中性化端子に接続された第2の電極を有する第2のスイッチを備える。
該プラズマ電源供給装置を作動させており、
該第1のスイッチは閉じており、
該第2のスイッチは開いている。
該第1のスイッチは開いており、
該第2のスイッチは閉じている。
該プラズマ電源供給装置を作動停止させている。
プラズマが着火されており、基板が負にバイアスされている注入段階と、
プラズマが着火されており、該基板が正またはゼロのバイアスを与えられている中性化段階と、
プラズマが消されている抑制段階と、
プラズマが消されている、該基板における負に帯電された粒子の排除段階と、を含み、
該排除段階の期間が5μsよりも長いことを特徴とする。
正極が接地された第1の電圧発生器と、
該第1の電圧発生器の負極に接続された第1の電極と、該電源供給装置の出力端子に接続された第2の電極と、を有する第1のスイッチと、
補償端子に接続された第1の電極と、該出力端子に接続された第2の電極と、を有する第2のスイッチと、を備え、
該電源供給装置は、補助発生器の負極に接続された第1の電極と、該出力端子に接続された第2の電極と、を有する第3のスイッチを含み、該補助発生器の正極は、結合端子に接続されていることを特徴とする。
基板SUBへ高電圧を供給するための基板電源供給装置PS、
無線周波数アンテナANT及び閉じ込めコイルBOCi、BOCjに電力を与えるためのプラズマ電源供給装置AP(「電源供給装置」という用語は、ここでは広い意味で使用される。というのは、通常、アンテナ用の1台の電源供給装置とコイル用の少なくとも1台の別個の電源供給装置とが存在するからである)、及び
これらの二組の電源供給装置を制御するための制御回路CCである。
接地された正極を有する第1の高電圧発生器HT、
該第1の高電圧発生器の負極に接続された第1の電極と、該基板電源供給装置の出力端子Sに接続された第2の電極と、を有する第1のスイッチSW1、
該出力端子Sに接続された第1の電極と、第2の発生器GPの正極に接続された第2の電極と、を有する第2のスイッチSW2と、
接地された負極を有する第2の発生器GP、及び、
好ましくは、該第1の高電圧発生器HTと並列に接続された調整キャパシタCrを含む。
プラズマ電源供給装置APは作動しており、
第1のスイッチSW1は閉じており、
第2のスイッチSW2は開いている。
プラズマ電源供給装置APはまだ作動しており、
第1のスイッチSW1は開いており、
第2のスイッチSW2は閉じている。
プラズマ電源供給装置APはここで抑制されており、
第1のスイッチSW1は開いたままであり、
第2のスイッチSW2は閉じたままである。
プラズマ電源供給装置APはまだ抑制されており、
第2のスイッチSW2は開き、
負に帯電された粒子は、以下の二つの動作のいずれか一方、または両方によって排除される。
回復電極LINを正の電圧へ接続する(接続は図示されていない)。
プラズマ電源供給装置APはまだ抑制されており、
第1のスイッチSW1は開いており、
第2のスイッチSW2は閉じている。
接地された正極を有する第1の高電圧発生器HT、
該第1の高電圧発生器HTの負極に接続された第1の電極、及びこの基板電源供給装置の出力端子Sに接続された第2の電極を有する第1のスイッチSW1、
該出力端子Sに接続された第1の電極、及び補償端子Pに接続された第2の電極を有する第2のスイッチSW2、
該出力端子Sに接続された第1の電極、及び補助発生器GAの負極に接続された第2の電極を有する第3のスイッチSW3、及び
好ましくは、該第1の高電圧発生器HTと並列に接続された調整キャパシタCrを含み、
該補償端子Pは、
(構成は図示されていないが)接地されるか、または
(図示されるように)第2の発生器GPの正極に接続され、
該第2の発生器GPは、接地された負極を有し、
該補助発生器GAは、接地されるか、または回復電極LINに接続された連結端子Lに接続された正極を有する。
プラズマ電源供給装置APは作動しており、
第1のスイッチSW1は閉じており、
第2のスイッチSW2は開いており、
第3のスイッチSW3は開いている。
プラズマ電源供給装置APはまだ作動しており、
第1のスイッチSW1は開いており、
第2のスイッチSW2は閉じており、
第3のスイッチSW3は開いている。
プラズマ電源供給装置APはここで抑制されており、
第1のスイッチSW1は開いたままであり、
第2のスイッチSW2は閉じたままであり、
第3のスイッチSW3は開いたままである。
プラズマ電源供給装置APはまだ抑制されており、
第1のスイッチSW1は開いたままであり、
第2のスイッチSW2は開き、
第3のスイッチSW3は閉じ、オプションとして、回復電極LINは、(接続が図示されていない)正の電圧、すなわち補助発生器GAの正極に接続される。
プラズマ電源供給装置APはまだ抑制されており、
第1のスイッチSW1は開いたままであり、
第2のスイッチSW2は閉じ、
第3のスイッチSW3は開く。
Claims (9)
- プラズマ浸漬において機能する注入装置を制御する方法であって、
プラズマ(AP)が着火されており、基板(SUB)が負にバイアス(S)されている注入段階([1])と、
プラズマ(AP)が着火されており、該基板(SUB)が正またはゼロのバイアス(S)を与えられている中性化段階([2])と、
プラズマが消されている抑制段階([3])と、
プラズマが消されており基板が負にバイアスされている、該基板における負に帯電された粒子の排除段階([4])と、
該排除段階に続く段階であって、プラズマが消されており、該基板(SUB)が正またはゼロのバイアス(S)を与えられている準備段階([5])と、を含み、
該排除段階の期間が5μsよりも長い方法。 - 該排除段階([4])の間に該基板(SUB)が負にバイアスされている(S)請求項1に記載の方法。
- 該注入装置は、該基板(SUB)の周囲に回復電極(LIN)を含み、該排除段階([4])の間に該回復電極は正にバイアスされている請求項1または2に記載の方法。
- 該抑制段階([3])の間に該基板(SUB)が正またはゼロのバイアス(S)を与えられている請求項1から3のいずれかに記載の方法。
- プラズマ浸漬において機能する注入装置にバイアスを与えるための電源供給装置であって、
正極が接地された第1の電圧発生器(HT)と、
該第1の電圧発生器(HT)の負極に接続された第1の電極と、該電源供給装置の出力端子(S)に接続された第2の電極と、を有する第1のスイッチ(SW1)と、
補償端子(P)に接続された第1の電極と、該出力端子(S)に接続された第2の電極と、を有する第2のスイッチ(SW2)と、を備え、
該電源供給装置は、補助発生器(GA)の負極に接続された第1の電極と、該出力端子(S)に接続された第2の電極と、を有する第3のスイッチ(SW3)を含み、該補助発生器(GA)の正極は、結合端子(L)に接続されている電源供給装置。 - 該結合端子(L)が接地されている請求項5に記載の電源供給装置。
- 該注入装置が回復電極(LIN)を含み、該結合端子(L)が該回復電極に接続されている請求項5に記載の電源供給装置。
- 該補償端子(P)が接地されている請求項5から7のいずれかに記載の電源供給装置。
- 該補償端子(P)が第2の電圧発生器(GP)の正極に接続されており、該第2の電圧発生器(GP)の負極が接地されている請求項5から7のいずれかに記載の電源供給装置。
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