JP6894012B2 - 不揮発性メモリ装置およびその書込み方法 - Google Patents
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Description
一般的にはセキュリティを強化したICでは、内部に搭載する暗号鍵を用いて秘密情報を暗号化して利用しており、情報の漏洩を防止している。この場合、内部に保持している暗号鍵(「秘密鍵」ともいう。)の情報を外部に漏洩させないことが必須となる。
[本開示で用いる抵抗変化型不揮発性メモリ装置の概要]
図1は、実施の形態にかかる抵抗変化型不揮発性メモリ装置100の概略構成の一例を示すブロック図である。また、図2は、実施の形態にかかる抵抗変化型不揮発性メモリ装置100が備えるメモリセル91の概略構成の一例を示す断面図である。なお、本明細書では、抵抗変化型不揮発性メモリ装置を、単に不揮発性メモリ装置ともいう。
図5は、実施の形態の不揮発性メモリ装置10の具体的な構成例を示すブロック図である。なお、不揮発性メモリ装置10は、上記説明した不揮発性メモリ装置100の一具体例であり、実施の形態の不揮発性メモリ装置の具体的構成が図5に示される構成に限定されるものではない。
図9は、実施例1の不揮発性メモリ装置10の動作によって生成されたメモリグループのデータパターンを示す図である。メモリグループは、少なくとも1つのデータセルと少なくとも1つのダミーセルとが関連付けられて構成される。データセルは、情報領域7に含まれるメモリセルであり、ダミーセルは、ダミー領域8に含まれるメモリセルである。ここでは、ワード線WL0〜WL3のそれぞれに対応するメモリグループが示されている。なお、本実施例においては、k=16とし、センスアンプ回路30の数を16個としており、データセルは8個、ダミーセルは8個となっている。例えば、ワード線WL0に着目すると、ワード線WL0に対応するメモリグループは、16個のメモリセルa〜pにより構成されている。具体的には、メモリセルa〜hは、情報領域7に含まれるデータセルであり、メモリセルi〜pはダミー領域8に含まれるダミーセルである。メモリセルa〜pは並列に読出し動作が行われ、また、並列に書込み動作が行われる。
実施例2は、PUFデータに関する内容であるため、始めに一般的なPUFの動作システムについて説明した後、実施例2における不揮発性メモリ装置10の動作の例について説明する。
次に、実施例1、2の不揮発性メモリ装置へのサイドチャネル攻撃に対する耐性評価について説明する。
以上、実施の形態に係る不揮発性メモリ装置10について説明したが、本開示は、上記実施の形態に限定されるものではない。
7 情報領域
8 ダミー領域
10、54、100 不揮発性メモリ装置
11 読出し回路
14 書込み回路
15 制御回路
16 アドレス入力回路
17 カラムデコーダ回路
18 ロウデコーダ回路
19 PUFデータ生成回路
20、90 メモリセルアレイ
21、91 メモリセル
22 メモリ本体部
23 抵抗変化素子
24、84 トランジスタ
30 センスアンプ回路
50 パーソナルコンピュータ(PC)
51 オシロスコープ
52 電磁界(EM)プローブ
53 チップ評価ボード
80 コンパレータ
81 イコライズトランジスタ
82、83 クランプトランジスタ
85 参照セル
93 制御装置
120 抵抗変化素子
122 下地層
124 第1電極
126 抵抗変化層
128 第2電極
129 トランジスタ
Claims (10)
- 抵抗値の大きさに応じてディジタルデータが記録される抵抗変化型の複数のメモリセルとして、少なくとも1つのデータセルと少なくとも1つのダミーセルとが関連付けられて構成されたメモリグループと、
前記メモリグループを構成する複数のメモリセルのそれぞれに対し、並列に読出し動作を行う読出し回路と、を備え、
前記少なくとも1つのダミーセルには、前記読出し回路による読出し動作が実行された際に発生するサイドチャネルリークと前記少なくとも1つのデータセルに記録される情報データとの相関関係を小さくするためのダミーデータが記録される、
不揮発性メモリ装置。 - 前記不揮発性メモリ装置は、前記少なくとも1つのデータセルに記録される情報データに基づき、前記少なくとも1つのダミーセルに前記ダミーデータの書込み動作を行う書込み回路を備える、
請求項1に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記複数のメモリセルには、物理的なばらつき特性を利用したデバイス固有のPUF(Physically Unclonable Function)データが記録される、
請求項1または2に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記複数のメモリセルには、互いに異なる複数の電気的信号が印加されることによって、抵抗値が複数の可変抵抗値範囲を可逆的に遷移する、可変状態のメモリセルが含まれ、
前記PUFデータで用いられる物理的な特性ばらつきは、前記可変状態のメモリセルの同一抵抗状態における抵抗値のばらつきを利用している、
請求項3に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記複数のメモリセルには、
互いに異なる複数の電気的信号が印加されることによって、抵抗値が複数の可変抵抗値範囲を可逆的に遷移する、可変状態のメモリセルと、
前記可変状態に変化させるような電気的ストレスであるフォーミングストレスが印加されない限り前記可変状態とならず、かつ、抵抗値が前記複数の可変抵抗値範囲のいずれとも重複しない初期抵抗値範囲にある、初期状態のメモリセルとが含まれ、
前記PUFデータで用いられる物理的な特性ばらつきは、前記フォーミングストレスに必要な累積パルス時間のばらつきを利用している、
請求項3に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記少なくとも1つのデータセルには、前記PUFデータが記録され、
前記メモリグループを構成する複数のメモリセルには、前記PUFデータの誤り訂正データが記録されない、
請求項3〜5のいずれか1項に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記ダミーデータは、前記少なくとも1つのデータセルと前記少なくとも1つのダミーセルとのハミングウェイトを所定の値とするためのデータである、
請求項1〜6のいずれか1項に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記ダミーデータは、乱数データである、
請求項1〜6のいずれか1項に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記複数のメモリセルには、互いに異なる複数の電気的信号が印加されることによって、抵抗値が複数の可変抵抗値範囲を可逆的に遷移する、可変状態のメモリセルが含まれ、
前記少なくとも1つのダミーセルは、前記可変状態のメモリセルであり、
前記ダミーデータは、同一抵抗状態における抵抗値である、
請求項6に記載の不揮発性メモリ装置。 - 抵抗値の大きさに応じて、ディジタルデータが記録される抵抗変化型の複数のメモリセルとして、少なくとも1つのデータセルと少なくとも1つのダミーセルとが関連付けられて構成されたメモリグループと、前記複数のメモリセルのそれぞれに対し、並列に読出し動作を行う読出し回路と、を備える不揮発性メモリ装置の書込み方法であって、
前記少なくとも1つのダミーセルに、前記読出し回路による読出し動作が実行された際に発生するサイドチャネルリークと前記少なくとも1つのデータセルに記録される情報データとの相関関係を小さくするためのダミーデータを書込む、
書込み方法。
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