JP5906821B2 - デバイス固有情報生成装置及びデバイス固有情報生成方法 - Google Patents
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上記のn = 100 (n1 = 25, n2 = 500)の例では
J = (500 - 100)/(500 - 25) × J1 + (100 - 25)/(500 - 25) × J2
= 400/475 × J1 + 75/475 × J2
となる。
a1) 図4のステップ420-490でt個の反転ビットa_{1},…,a_{t}を確定する。この集合をB1とおく。
V = {(a_{1},f(a_{1})), …,(a_{t}, f(a_{t}))}
を設定する。
a4-2) c_{j}≠ f(a_{j})となるようにc_{j}をランダムに選ぶ。
a5) Vをhelper dataとして保持する。
b1) ステップ520-590によってs個の反転ビットa'_{1},…,a'_{s}を特定する。
J1’ = (n2 - n)/(n2 - n1) * T(n1’, n1)
+ (n - n1)/(n2 - n1) * T(n1’, n2),
J2’ = (n2 - n)/(n2 - n1) * T(n2’, n1)
+ (n - n1)/(n2 - n1) * T(n2’, n2),
J = (n2’- n’)/(n2’- n1’) * J1’
+ (n’- n1’)/(n2’- n1’) * J2’
例えば、図6で初期設定フェーズn = 100 (n1 = 25, n2 = 500), 鍵生成フェーズn’ = 300 (n1’= 25, n2’= 500)の場合は、J1’= 6.3, J2’= 2.16、 従って、 J = 3.9 (秒)となる。鍵生成フェーズ全体でのリフレッシュ処理停止時間はテスト処理の5秒を合わせて8.9秒と評価される。
デバイスの固有情報を生成するデバイス固有情報生成装置であって、
テスト時間だけリフレッシュを停止するテスト処理を行ない、該テスト処理により生じた反転ビットの数であるテスト処理反転ビット数に基づいて、前記固有情報を生成するために必要な反転ビット数である想定反転ビット数に対応したリフレッシュの停止の時間を決定するリフレッシュ停止時間決定手段と、
前記決定したリフレッシュの停止時間を適用したリフレッシュ停止により得られる反転ビットに関する情報に基づいて前記固有情報を生成する固有情報生成手段と、
を備えることを特徴とするデバイス固有情報生成装置。
付記1に記載のデバイス固有情報生成装置であって、
前記テスト処理反転ビット数と、リフレッシュの停止の時間との対応関係を保持したテーブルを更に備え、
前記リフレッシュ停止時間決定手段は、前記テスト処理反転ビット数と、前記テーブルとを基に、前記リフレッシュの停止の時間を決定することを特徴とするデバイス固有情報生成装置。
付記2に記載のデバイス固有情報生成装置であって、
前記テーブルでの対応関係に係る前記テスト処理反転ビット数は、前記テスト処理実行時の温度と前記テスト時間とに対応したものであり、
前記テーブルでの対応関係に係る前記リフレッシュの停止の時間は、前記テスト処理実行時の温度と前記想定反転ビット数とに対応したものであることを特徴とするデバイス固有情報生成装置。
付記1に記載のデバイス固有情報生成装置であって、
前記固有情報生成手段は、前記固有情報を、初期設定フェーズにおけるリフレッシュの停止により得られる反転ビットに関する情報と、鍵生成フェーズにおけるリフレッシュの停止により得られる反転ビットに関する情報とに基づいて生成し、
前記リフレッシュ停止時間決定手段は、
前記初期設定フェーズにおいてテスト時間だけリフレッシュを停止する初期設定フェーズテスト処理を行ない、該初期設定フェーズテスト処理により生じた反転ビットの数である初期設定フェーズテスト処理反転ビット数に基づいて、前記固有情報を生成するために必要な反転ビット数である初期設定フェーズ想定反転ビット数に対応したリフレッシュの停止の時間を決定する初期設定フェーズリフレッシュ停止時間決定手段と、
前記鍵生成フェーズにおいてテスト時間だけリフレッシュを停止する鍵生成フェーズテスト処理を行ない、該鍵生成フェーズテスト処理により生じた反転ビットの数である鍵設定フェーズテスト処理反転ビット数と、前記初期設定フェーズテスト処理反転ビット数とに基づいて、前記固有情報を生成するために必要な反転ビット数である鍵生成フェーズ想定反転ビット数に対応したリフレッシュの停止の時間を決定する鍵生成フェーズリフレッシュ停止時間決定手段と、
を備えることを特徴とするデバイス固有情報生成装置。
付記4に記載のデバイス固有情報生成装置であって、
前記初期設定フェーズテスト処理反転ビット数と、リフレッシュの停止の時間との対応関係を保持した第1のテーブルと、
前記初期設定フェーズテスト処理反転ビット数と前記鍵設定フェーズテスト処理反転ビット数との組合わせと、リフレッシュの停止の時間との対応関係を保持した第2のテーブルと、
を更に備え、
前記初期設定フェーズリフレッシュ停止時間決定手段は、前記初期設定フェーズテスト処理反転ビット数と、前記第1のテーブルとを基に、前記初期設定フェーズ想定反転ビット数に対応したリフレッシュの停止の時間を決定し、
前記鍵生成フェーズリフレッシュ停止時間決定手段は、前記初期設定フェーズテスト処理反転ビット数と、前記鍵生成フェーズテスト処理反転ビット数と、前記第2テーブルとを基に、前記鍵生成フェーズ想定反転ビット数に対応したリフレッシュの停止の時間を決定することを特徴とするデバイス固有情報生成装置。
付記5に記載のデバイス固有情報生成装置であって、
前記第1のテーブルでの対応関係に係る前記初期設定フェーズテスト処理反転ビット数は、前記初期設定フェーズにおける前記テスト処理実行時の温度と前記テスト時間とに対応したものであり、
前記第1のテーブルでの対応関係に係るリフレッシュの停止の時間は、前記初期設定フェーズにおける前記テスト処理実行時の温度と前記初期設定フェーズ想定反転ビット数とに対応したものであり、
前記第2のテーブルでの対応関係に係る前記鍵設定フェーズテスト処理反転ビット数は、前記鍵設定フェーズにおける前記テスト処理実行時の温度と前記テスト時間に対応したものであり、
前記第2のテーブルにおける対応関係に係るリフレッシュの停止の時間は、前記初期設定フェーズにおける前記テスト処理実行時の温度と前記鍵生成フェーズにおける前記テスト処理実行時の温度と前記鍵生成フェーズ想定反転ビット数とに対応したものであることを特徴とするデバイス固有情報生成装置。
付記4乃至6の何れか1に記載のデバイス固有情報生成装置であって、
前記固有情報生成手段は、
前記初期設定フェーズにおけるリフレッシュの停止により得られる反転ビットに関する情報に基づいて、前記固有情報に対する誤り訂正符号の冗長データを生成する手段と、
前記鍵生成フェーズにおけるリフレッシュの停止により得られる反転ビットに関する情報と前記冗長データに基づいて、前記固有情報を生成する手段と、
を備えることを特徴とするデバイス固有情報生成装置。
付記7に記載のデバイス固有情報生成装置であって、
前記初期設定フェーズテスト処理反転ビット数に応じて、前記誤り訂正符号の冗長度を変化させる手段を更に備えることを特徴とするデバイス固有情報生成装置。
付記4乃至8の何れか1に記載のデバイス固有情報生成装置であって、
前記鍵生成フェーズテスト処理により生じた反転ビットの数が所定数以下である場合には、前記初期設定フェーズリフレッシュ停止時間を短くして、前記初期設定フェーズからやり直す手段を更に備えることを特徴とするデバイス固有情報生成装置。
付記1乃至9の何れか1に記載のデバイス固有情報生成装置であって、
前記決定されたリフレッシュ停止時間を適用したリフレッシュ停止により得られた反転ビット数に基づいて、前記想定反転ビット数に対応するリフレッシュ停止時間を修正する手段を更に備えることを特徴とするデバイス固有情報生成装置。
デバイスの固有情報を生成するデバイス固有情報生成方法であって、
テスト時間だけリフレッシュを停止するテスト処理を行ない、該テスト処理により生じた反転ビットの数であるテスト処理反転ビット数に基づいて、前記固有情報を生成するために必要な反転ビット数である想定反転ビット数に対応したリフレッシュの停止の時間を決定するリフレッシュ停止時間決定ステップと、
前記決定したリフレッシュの停止時間を適用したリフレッシュ停止により得られる反転ビットに関する情報に基づいて前記固有情報を生成する固有情報生成ステップと、
を有することを特徴とするデバイス固有情報生成方法。
付記11に記載のデバイス固有情報生成方法であって、
前記テスト処理反転ビット数と、リフレッシュの停止の時間との対応関係を保持したテーブルを更に有し、
前記リフレッシュ停止時間決定ステップは、前記テスト処理反転ビット数と、前記テーブルとを基に、前記リフレッシュの停止の時間を決定することを特徴とするデバイス固有情報生成方法。
付記12に記載のデバイス固有情報生成方法であって、
前記テーブルでの対応関係に係る前記テスト処理反転ビット数は、前記テスト処理実行時の温度と前記テスト時間とに対応したものであり、
前記テーブルでの対応関係に係る前記リフレッシュの停止の時間は、前記テスト処理実行時の温度と前記想定反転ビット数とに対応したものであることを特徴とするデバイス固有情報生成方法。
付記11に記載のデバイス固有情報生成方法であって、
前記固有情報生成ステップでは、前記固有情報を、初期設定フェーズにおけるリフレッシュの停止により得られる反転ビットに関する情報と、鍵生成フェーズにおけるリフレッシュの停止により得られる反転ビットに関する情報とに基づいて生成し、
前記リフレッシュ停止時間決定ステップは、
前記初期設定フェーズにおいてテスト時間だけリフレッシュを停止する初期設定フェーズテスト処理を行ない、該初期設定フェーズテスト処理により生じた反転ビットの数である初期設定フェーズテスト処理反転ビット数に基づいて、前記固有情報を生成するために必要な反転ビット数である初期設定フェーズ想定反転ビット数に対応したリフレッシュの停止の時間を決定する初期設定フェーズリフレッシュ停止時間決定ステップと、
前記鍵生成フェーズにおいてテスト時間だけリフレッシュを停止する鍵生成フェーズテスト処理を行ない、該鍵生成フェーズテスト処理により生じた反転ビットの数である鍵設定フェーズテスト処理反転ビット数と、前記初期設定フェーズテスト処理反転ビット数とに基づいて、前記固有情報を生成するために必要な反転ビット数である鍵生成フェーズ想定反転ビット数に対応したリフレッシュの停止の時間を決定する鍵生成フェーズリフレッシュ停止時間決定ステップと、
を有することを特徴とするデバイス固有情報生成方法。
付記14に記載のデバイス固有情報生成方法であって、
前記初期設定フェーズテスト処理反転ビット数と、リフレッシュの停止の時間との対応関係を保持した第1のテーブルと、
前記初期設定フェーズテスト処理反転ビット数と前記鍵設定フェーズテスト処理反転ビット数との組合わせと、リフレッシュの停止の時間との対応関係を保持した第2のテーブルと、
を用い、
前記初期設定フェーズリフレッシュ停止時間決定ステップでは、前記初期設定フェーズテスト処理反転ビット数と、前記第1のテーブルとを基に、前記初期設定フェーズ想定反転ビット数に対応したリフレッシュの停止の時間を決定し、
前記鍵生成フェーズリフレッシュ停止時間決定ステップでは、前記初期設定フェーズテスト処理反転ビット数と、前記鍵生成フェーズテスト処理反転ビット数と、前記第2テーブルとを基に、前記鍵生成フェーズ想定反転ビット数に対応したリフレッシュの停止の時間を決定することを特徴とするデバイス固有情報生成方法。
付記15に記載のデバイス固有情報生成方法であって、
前記第1のテーブルでの対応関係に係る前記初期設定フェーズテスト処理反転ビット数は、前記初期設定フェーズにおける前記テスト処理実行時の温度と前記テスト時間とに対応したものであり、
前記第1のテーブルでの対応関係に係るリフレッシュの停止の時間は、前記初期設定フェーズにおける前記テスト処理実行時の温度と前記初期設定フェーズ想定反転ビット数とに対応したものであり、
前記第2のテーブルでの対応関係に係る前記鍵設定フェーズテスト処理反転ビット数は、前記鍵設定フェーズにおける前記テスト処理実行時の温度と前記テスト時間に対応したものであり、
前記第2のテーブルにおける対応関係に係るリフレッシュの停止の時間は、前記初期設定フェーズにおける前記テスト処理実行時の温度と前記鍵生成フェーズにおける前記テスト処理実行時の温度と前記鍵生成フェーズ想定反転ビット数とに対応したものであることを特徴とするデバイス固有情報生成方法。
付記14乃至16の何れか1に記載のデバイス固有情報生成方法であって、
前記固有情報生成ステップは、
前記初期設定フェーズにおけるリフレッシュの停止により得られる反転ビットに関する情報に基づいて、前記固有情報に対する誤り訂正符号の冗長データを生成するステップと、
前記鍵生成フェーズにおけるリフレッシュの停止により得られる反転ビットに関する情報と前記冗長データに基づいて、前記固有情報を生成するステップと、
を有することを特徴とするデバイス固有情報生成方法。
付記17に記載のデバイス固有情報生成方法であって、
前記初期設定フェーズテスト処理反転ビット数に応じて、前記誤り訂正符号の冗長度を変化させるステップを更に有することを特徴とするデバイス固有情報生成方法。
付記14乃至18の何れか1に記載のデバイス固有情報生成方法であって、
前記鍵生成フェーズテスト処理により生じた反転ビットの数が所定数以下である場合には、前記初期設定フェーズリフレッシュ停止時間を短くして、前記初期設定フェーズからやり直すステップを更に有することを特徴とするデバイス固有情報生成方法。
付記11乃至19の何れか1に記載のデバイス固有情報生成方法であって、
前記決定されたリフレッシュ停止時間を適用したリフレッシュ停止により得られた反転ビット数に基づいて、前記想定反転ビット数に対応するリフレッシュ停止時間を修正するステップを更に有することを特徴とするデバイス固有情報生成方法。
コンピュータを、デバイスの固有情報を生成するデバイス固有情報生成装置として機能させるためのデバイス固有情報生成用プログラムであって、
コンピュータを、
テスト時間だけリフレッシュを停止するテスト処理を行ない、該テスト処理により生じた反転ビットの数であるテスト処理反転ビット数に基づいて、前記固有情報を生成するために必要な反転ビット数である想定反転ビット数に対応したリフレッシュの停止の時間を決定するリフレッシュ停止時間決定手段と、
前記決定したリフレッシュの停止時間を適用したリフレッシュ停止により得られる反転ビットに関する情報に基づいて前記固有情報を生成する固有情報生成手段と、
として機能させるためのデバイス固有情報生成用プログラム。
付記21に記載のデバイス固有情報生成用プログラムであって、
コンピュータを、更に、前記テスト処理反転ビット数と、リフレッシュの停止の時間との対応関係を保持したテーブルとして機能させ、
前記リフレッシュ停止時間決定手段は、前記テスト処理反転ビット数と、前記テーブルとを基に、前記リフレッシュの停止の時間を決定することを特徴とするデバイス固有情報生成用プログラム。
付記22に記載のデバイス固有情報生成用プログラムであって、
前記テーブルでの対応関係に係る前記テスト処理反転ビット数は、前記テスト処理実行時の温度と前記テスト時間とに対応したものであり、
前記テーブルでの対応関係に係る前記リフレッシュの停止の時間は、前記テスト処理実行時の温度と前記想定反転ビット数とに対応したものであることを特徴とするデバイス固有情報生成用プログラム。
付記21に記載のデバイス固有情報生成用プログラムであって、
前記固有情報生成手段は、前記固有情報を、初期設定フェーズにおけるリフレッシュの停止により得られる反転ビットに関する情報と、鍵生成フェーズにおけるリフレッシュの停止により得られる反転ビットに関する情報とに基づいて生成し、
前記リフレッシュ停止時間決定手段は、
前記初期設定フェーズにおいてテスト時間だけリフレッシュを停止する初期設定フェーズテスト処理を行ない、該初期設定フェーズテスト処理により生じた反転ビットの数である初期設定フェーズテスト処理反転ビット数に基づいて、前記固有情報を生成するために必要な反転ビット数である初期設定フェーズ想定反転ビット数に対応したリフレッシュの停止の時間を決定する初期設定フェーズリフレッシュ停止時間決定手段と、
前記鍵生成フェーズにおいてテスト時間だけリフレッシュを停止する鍵生成フェーズテスト処理を行ない、該鍵生成フェーズテスト処理により生じた反転ビットの数である鍵設定フェーズテスト処理反転ビット数と、前記初期設定フェーズテスト処理反転ビット数とに基づいて、前記固有情報を生成するために必要な反転ビット数である鍵生成フェーズ想定反転ビット数に対応したリフレッシュの停止の時間を決定する鍵生成フェーズリフレッシュ停止時間決定手段と、
を備えることを特徴とするデバイス固有情報生成用プログラム。
付記24に記載のデバイス固有情報生成用プログラムであって、
コンピュータを、更に、
前記初期設定フェーズテスト処理反転ビット数と、リフレッシュの停止の時間との対応関係を保持した第1のテーブルと、
前記初期設定フェーズテスト処理反転ビット数と前記鍵設定フェーズテスト処理反転ビット数との組合わせと、リフレッシュの停止の時間との対応関係を保持した第2のテーブルと、
として機能させ、
前記初期設定フェーズリフレッシュ停止時間決定手段は、前記初期設定フェーズテスト処理反転ビット数と、前記第1のテーブルとを基に、前記初期設定フェーズ想定反転ビット数に対応したリフレッシュの停止の時間を決定し、
前記鍵生成フェーズリフレッシュ停止時間決定手段は、前記初期設定フェーズテスト処理反転ビット数と、前記鍵生成フェーズテスト処理反転ビット数と、前記第2テーブルとを基に、前記鍵生成フェーズ想定反転ビット数に対応したリフレッシュの停止の時間を決定することを特徴とするデバイス固有情報生成用プログラム。
付記25に記載のデバイス固有情報生成用プログラムであって、
前記第1のテーブルでの対応関係に係る前記初期設定フェーズテスト処理反転ビット数は、前記初期設定フェーズにおける前記テスト処理実行時の温度と前記テスト時間とに対応したものであり、
前記第1のテーブルでの対応関係に係るリフレッシュの停止の時間は、前記初期設定フェーズにおける前記テスト処理実行時の温度と前記初期設定フェーズ想定反転ビット数とに対応したものであり、
前記第2のテーブルでの対応関係に係る前記鍵設定フェーズテスト処理反転ビット数は、前記鍵設定フェーズにおける前記テスト処理実行時の温度と前記テスト時間に対応したものであり、
前記第2のテーブルにおける対応関係に係るリフレッシュの停止の時間は、前記初期設定フェーズにおける前記テスト処理実行時の温度と前記鍵生成フェーズにおける前記テスト処理実行時の温度と前記鍵生成フェーズ想定反転ビット数とに対応したものであることを特徴とするデバイス固有情報生成用プログラム。
付記24乃至26の何れか1に記載のデバイス固有情報生成用プログラムであって、
前記固有情報生成手段は、
前記初期設定フェーズにおけるリフレッシュの停止により得られる反転ビットに関する情報に基づいて、前記固有情報に対する誤り訂正符号の冗長データを生成する手段と、
前記鍵生成フェーズにおけるリフレッシュの停止により得られる反転ビットに関する情報と前記冗長データに基づいて、前記固有情報を生成する手段と、
を備えることを特徴とするデバイス固有情報生成用プログラム。
付記27に記載のデバイス固有情報生成用プログラムであって、
コンピュータを、更に、前記初期設定フェーズテスト処理反転ビット数に応じて、前記誤り訂正符号の冗長度を変化させる手段として機能させるためのデバイス固有情報生成用プログラム。
付記24乃至28の何れか1に記載のデバイス固有情報生成用プログラムであって、
コンピュータを、更に、前記鍵生成フェーズテスト処理により生じた反転ビットの数が所定数以下である場合には、前記初期設定フェーズリフレッシュ停止時間を短くして、前記初期設定フェーズからやり直す手段として機能させるためのデバイス固有情報生成用プログラム。
付記21乃至29の何れか1に記載のデバイス固有情報生成用プログラムであって、
コンピュータを、更に、前記決定されたリフレッシュ停止時間を適用したリフレッシュ停止により得られた反転ビット数に基づいて、前記想定反転ビット数に対応するリフレッシュ停止時間を修正する手段として機能させるためのデバイス固有情報生成用プログラム。
110 固有情報生成部
120, 200 デバイス物理情報生成部
130, 250 物理情報マッピング部
140 インターフェース
150 端末機器
160 サーバ
210 DRAMデバイス
220 R/Wコントローラ
230 リフレッシュ制御部
240 リフレッシュ停止時間テーブル
420−490 初期設定フェーズの工程
520−590 鍵生成フェーズの工程
Claims (9)
- デバイスの固有情報を生成するデバイス固有情報生成装置であって、
テスト時間だけリフレッシュを停止するテスト処理を行ない、該テスト処理により生じた反転ビットの数であるテスト処理反転ビット数に基づいて、前記固有情報を生成するために必要な反転ビット数である想定反転ビット数に対応したリフレッシュの停止の時間を決定するリフレッシュ停止時間決定手段と、
前記決定したリフレッシュの停止時間を適用したリフレッシュ停止により得られる反転ビットに関する情報に基づいて前記固有情報を生成する固有情報生成手段と、
を備えることを特徴とするデバイス固有情報生成装置。 - 請求項1に記載のデバイス固有情報生成装置であって、
前記テスト処理反転ビット数と、リフレッシュの停止の時間との対応関係を保持したテーブルを更に備え、
前記リフレッシュ停止時間決定手段は、前記テスト処理反転ビット数と、前記テーブルとを基に、前記リフレッシュの停止の時間を決定することを特徴とするデバイス固有情報生成装置。 - 請求項2に記載のデバイス固有情報生成装置であって、
前記テーブルでの対応関係に係る前記テスト処理反転ビット数は、前記テスト処理実行時の温度と前記テスト時間とに対応したものであり、
前記テーブルでの対応関係に係る前記リフレッシュの停止の時間は、前記テスト処理実行時の温度と前記想定反転ビット数とに対応したものであることを特徴とするデバイス固有情報生成装置。 - 請求項1に記載のデバイス固有情報生成装置であって、
前記固有情報生成手段は、前記固有情報を、初期設定フェーズにおけるリフレッシュの停止により得られる反転ビットに関する情報と、鍵生成フェーズにおけるリフレッシュの停止により得られる反転ビットに関する情報とに基づいて生成し、
前記リフレッシュ停止時間決定手段は、
前記初期設定フェーズにおいてテスト時間だけリフレッシュを停止する初期設定フェーズテスト処理を行ない、該初期設定フェーズテスト処理により生じた反転ビットの数である初期設定フェーズテスト処理反転ビット数に基づいて、前記固有情報を生成するために必要な反転ビット数である初期設定フェーズ想定反転ビット数に対応したリフレッシュの停止の時間を決定する初期設定フェーズリフレッシュ停止時間決定手段と、
前記鍵生成フェーズにおいてテスト時間だけリフレッシュを停止する鍵生成フェーズテスト処理を行ない、該鍵生成フェーズテスト処理により生じた反転ビットの数である鍵設定フェーズテスト処理反転ビット数と、前記初期設定フェーズテスト処理反転ビット数とに基づいて、前記固有情報を生成するために必要な反転ビット数である鍵生成フェーズ想定反転ビット数に対応したリフレッシュの停止の時間を決定する鍵生成フェーズリフレッシュ停止時間決定手段と、
を備えることを特徴とするデバイス固有情報生成装置。 - 請求項4に記載のデバイス固有情報生成装置であって、
前記初期設定フェーズテスト処理反転ビット数と、リフレッシュの停止の時間との対応関係を保持した第1のテーブルと、
前記初期設定フェーズテスト処理反転ビット数と前記鍵設定フェーズテスト処理反転ビット数との組合わせと、リフレッシュの停止の時間との対応関係を保持した第2のテーブルと、
を更に備え、
前記初期設定フェーズリフレッシュ停止時間決定手段は、前記初期設定フェーズテスト処理反転ビット数と、前記第1のテーブルとを基に、前記初期設定フェーズ想定反転ビット数に対応したリフレッシュの停止の時間を決定し、
前記鍵生成フェーズリフレッシュ停止時間決定手段は、前記初期設定フェーズテスト処理反転ビット数と、前記鍵生成フェーズテスト処理反転ビット数と、前記第2テーブルとを基に、前記鍵生成フェーズ想定反転ビット数に対応したリフレッシュの停止の時間を決定することを特徴とするデバイス固有情報生成装置。 - 請求項5に記載のデバイス固有情報生成装置であって、
前記第1のテーブルでの対応関係に係る前記初期設定フェーズテスト処理反転ビット数は、前記初期設定フェーズにおける前記テスト処理実行時の温度と前記テスト時間とに対応したものであり、
前記第1のテーブルでの対応関係に係るリフレッシュの停止の時間は、前記初期設定フェーズにおける前記テスト処理実行時の温度と前記初期設定フェーズ想定反転ビット数とに対応したものであり、
前記第2のテーブルでの対応関係に係る前記鍵設定フェーズテスト処理反転ビット数は、前記鍵設定フェーズにおける前記テスト処理実行時の温度と前記テスト時間に対応したものであり、
前記第2のテーブルにおける対応関係に係るリフレッシュの停止の時間は、前記初期設定フェーズにおける前記テスト処理実行時の温度と前記鍵生成フェーズにおける前記テスト処理実行時の温度と前記鍵生成フェーズ想定反転ビット数とに対応したものであることを特徴とするデバイス固有情報生成装置。 - 請求項4乃至6の何れか1に記載のデバイス固有情報生成装置であって、
前記固有情報生成手段は、
前記初期設定フェーズにおけるリフレッシュの停止により得られる反転ビットに関する情報に基づいて、前記固有情報に対する誤り訂正符号の冗長データを生成する手段と、
前記鍵生成フェーズにおけるリフレッシュの停止により得られる反転ビットに関する情報と前記冗長データに基づいて、前記固有情報を生成する手段と、
を備えることを特徴とするデバイス固有情報生成装置。 - デバイスの固有情報を生成するデバイス固有情報生成方法であって、
テスト時間だけリフレッシュを停止するテスト処理を行ない、該テスト処理により生じた反転ビットの数であるテスト処理反転ビット数に基づいて、前記固有情報を生成するために必要な反転ビット数である想定反転ビット数に対応したリフレッシュの停止の時間を決定するリフレッシュ停止時間決定ステップと、
前記決定したリフレッシュの停止時間を適用したリフレッシュ停止により得られる反転ビットに関する情報に基づいて前記固有情報を生成する固有情報生成ステップと、
を有することを特徴とするデバイス固有情報生成方法。 - コンピュータを、デバイスの固有情報を生成するデバイス固有情報生成装置として機能させるためのデバイス固有情報生成用プログラムであって、
コンピュータを、
テスト時間だけリフレッシュを停止するテスト処理を行ない、該テスト処理により生じた反転ビットの数であるテスト処理反転ビット数に基づいて、前記固有情報を生成するために必要な反転ビット数である想定反転ビット数に対応したリフレッシュの停止の時間を決定するリフレッシュ停止時間決定手段と、
前記決定したリフレッシュの停止時間を適用したリフレッシュ停止により得られる反転ビットに関する情報に基づいて前記固有情報を生成する固有情報生成手段と、
として機能させるためのデバイス固有情報生成用プログラム。
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US7840803B2 (en) * | 2002-04-16 | 2010-11-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Authentication of integrated circuits |
CN101421792B (zh) * | 2006-04-13 | 2015-09-23 | Nxp股份有限公司 | 半导体器件标识符产生方法以及半导体器件 |
WO2010055171A1 (en) * | 2008-11-17 | 2010-05-20 | Intrinsic-Id B.V. | Distributed puf |
JP5474705B2 (ja) * | 2010-08-23 | 2014-04-16 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP5499365B2 (ja) * | 2010-09-29 | 2014-05-21 | 国立大学法人神戸大学 | メモリセルアレイを用いたidチップおよびその生成方法 |
JP5979144B2 (ja) * | 2011-06-27 | 2016-08-24 | 日本電気株式会社 | 機器固有情報生成装置と機器固有情報生成方法、端末機器および認証システム |
WO2013080921A1 (ja) * | 2011-12-01 | 2013-06-06 | 日本電気株式会社 | デバイス固有情報生成出力装置、デバイス固有情報生成方法および生成プログラム |
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