JP6892905B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
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Description
102 基板
104 アレイ領域
105 遮光領域
106、1061、1062、1063、1064 位相差オートフォーカス(PDAF)画素ユニット
108、1081、1082、1083、1084、1085、1086、1087、1088、1089、10810、10811 撮像画素ユニット
109 画素アレイ
109C 中央領域
109O 非中央領域
110 金属グリッド構造
112C、112E、112M、112F、142C、142E、142M 第1の部分
114C、114E、114M、114F、144C、144E、144M 第2の部分
115C、115E、115M、115F、145C、145E、145M 第3の部分
120 分離構造
122、123 光電変換素子
124 高誘電率(high−k)膜
126 バッファ層
128 パッシベーション層
130 誘電体グリッド構造
132、133 カラーフィルタ
134 平坦化層
136 低屈折率(low−n)酸化物層
300、400 グラフ
301A、301B、302A、302B、303A、303B、401A、402A 曲線
C 中心
C1 第1の中央線
C2 第2の中央線
D1 第1の方向
D2 第2の方向
E1、E2 エッジ
T 厚さ
W1C、W1E、W1M 第1の幅
W2C、W2E、W2M 第2の幅
W3C、W3E、W3M 第3の幅
W4C、W4E 第4の幅
W5C、W5E 第5の幅
W6C、W6E 第6の幅
Claims (9)
- 基板内に配置された第1のセットのユニットと、
前記第1のセットのユニットの上に配置された金属グリッド構造と、を含み、
前記第1のセットのユニットは、
順次に配置されて、それぞれの光電変換素子を含む第1の画素ユニットと、第2の画素ユニットと、第3の画素ユニットと、第4の画素ユニットと、を含み、
前記金属グリッド構造は、
前記第1の画素ユニットと前記第2の画素ユニットの間に配置され、第1の幅を有する第1の部分と、
前記第2の画素ユニットと前記第3の画素ユニットの間に配置され、前記第1の幅より広い第2の幅を有する第2の部分と、
前記第3の画素ユニットと前記第4の画素ユニットの間に配置され、前記第1の幅より狭い第3の幅を有する第3の部分と、を含む固体撮像装置。 - 基板内に配置された第1のセットのユニットと、
前記第1のセットのユニットの上に配置された金属グリッド構造と、を含み、
前記第1のセットのユニットは、
順次に配置されて、それぞれの光電変換素子を含む第1の画素ユニットと、第2の画素ユニットと、第3の画素ユニットと、第4の画素ユニットと、を含み、
前記金属グリッド構造は、
前記第1の画素ユニットと前記第2の画素ユニットの間に配置され、第1の幅を有する第1の部分と、
前記第2の画素ユニットと前記第3の画素ユニットの間に配置され、前記第1の幅より広い第2の幅を有する第2の部分と、
前記第3の画素ユニットと前記第4の画素ユニットの間に配置され、前記第1の幅より狭い第3の幅を有する第3の部分と、を含み、
前記第3の画素ユニットは、前記第2の画素ユニットと前記第4の画素ユニットの間に位置し、
前記第2の幅と前記第3の幅の和は、前記第1の幅の2倍に等しく、
前記第1の画素ユニットおよび前記第2の画素ユニットは、撮像画素ユニットであり、
前記第3の画素ユニットはPDAF画素ユニットである固体撮像装置。 - 基板内に配置された第1のセットのユニットと、
前記第1のセットのユニットの上に配置された金属グリッド構造と、を含み、
前記第1のセットのユニットは、
順次に配置されて、それぞれの光電変換素子を含む第1の画素ユニットと、第2の画素ユニットと、第3の画素ユニットと、を含み、
前記金属グリッド構造は、
前記第1の画素ユニットと前記第2の画素ユニットの間に配置され、第1の幅を有する第1の部分と、
前記第2の画素ユニットと前記第3の画素ユニットの間に配置され、前記第1の幅より広い第2の幅を有する第2の部分と、を含み、
前記基板内に配置された第2のセットのユニットを更に含み、
前記第2のセットのユニットは、
順次に配置されて、それぞれの光電変換素子を含む第5の画素ユニットと、第6の画素ユニットと、および第7の画素ユニットと、を含み、
前記金属グリッド構造は、
前記第5の画素ユニットと前記第6の画素ユニットの間に配置され、第4の幅を有する第4の部分と、
前記第6の画素ユニットと前記第7の画素ユニットの間に配置され、前記第4の幅と等しい第5の幅を有する第5の部分と、を更に含む固体撮像装置。 - 前記基板内に配置された第3のセットのユニットを更に含み、
前記第3のセットのユニットは、
順次に配置されて、それぞれの光電変換素子を含む第8の画素ユニットと、第9の画素ユニットと、および第10の画素ユニットと、を含み、
前記金属グリッド構造は、
前記第8の画素ユニットと前記第9の画素ユニットの間に配置され、第6の幅を有する第6の部分と、
前記第9の画素ユニットと前記第10の画素ユニットの間に配置され、前記第6の幅より広い第7の幅を有する第7の部分と、を更に含む請求項3に記載の固体撮像装置。 - 前記第1の画素ユニット、前記第2の画素ユニット、前記第5の画素ユニット、前記第6の画素ユニット、前記第8の画素ユニット、および前記第9の画素ユニットは、撮像画素ユニットであり、
前記第3の画素ユニット、前記第7の画素ユニット、および前記第10の画素ユニットは、PDAF画素ユニットであり、
前記第7の幅は前記第2の幅より広く、
前記第2の幅は前記第5の幅より広い請求項4に記載の固体撮像装置。 - 前記第1のセットのユニット、前記第2のセットのユニット、および前記第3のセットのユニットは、アレイに配列され、
前記第2のセットのユニット、前記第1のセットのユニット、および前記第3のセットのユニットは、前記アレイの中心から前記アレイのエッジに向かう方向に順次に配置され、
前記第1の画素ユニット、前記第2の画素ユニット、および前記第3の画素ユニットは、前記方向に順次に配置される請求項4に記載の固体撮像装置。 - 前記第2のセットのユニットは、第11の画素ユニットを更に含み、
前記第7の画素ユニットは、前記第6の画素ユニットと前記第11の画素ユニットの間に位置し、
前記第3のセットのユニットは、第12の画素ユニットを更に含み、
前記第10の画素ユニットは、前記第9の画素ユニットと前記第12の画素ユニットの間に位置し、
前記金属グリッド構造は、
前記第7の画素ユニットと前記第11の画素ユニットの間に配置され、第8の幅を有する第8の部分と、
前記第10の画素ユニットと前記第12の画素ユニットの間に配置され、前記第8の幅より狭い第9の幅を有する第9の部分と、を更に含む請求項4に記載の固体撮像装置。 - 前記基板内に配置された分離構造と、
前記基板の上に配置された高誘電率膜と、
前記高誘電率膜と前記金属グリッド構造の間に配置されたバッファ層と、
前記金属グリッド構造の上、および前記金属グリッド構造内に配置されたパッシベーション層と、を更に含み、
前記第1のセットのユニットは前記分離構造によって画定され、
前記パッシベーション層の厚さは、0.05μmから0.3μmの範囲である請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記金属グリッド構造の上に配置された誘電体グリッド構造と、
前記誘電体グリッド構造および前記金属グリッド構造に配置されたカラーフィルタと、
前記誘電体グリッド構造および前記カラーフィルタの上に配置された平坦化層と、
前記平坦化層の上に配置されたlow−n酸化物層と、を更に含む請求項1に記載の固体撮像装置。
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