JP6880262B2 - 発光素子 - Google Patents

Description

本発明の一態様は、有機金属錯体及び当該有機金属錯体を用いた発光素子、ディスプレ
イモジュール、照明モジュール、表示装置、発光装置、電子機器及び照明装置に関する。
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の
一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明
の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・
オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明
の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照明装
置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法を一例として挙
げることができる。

薄型軽量、入力信号に対する高速な応答性、低消費電力などのポテンシャルから、次世
代の照明装置や表示装置として有機化合物又は有機金属錯体を発光物質とする発光素子（
有機ＥＬ素子）を用いた表示装置が開発、発表されている。

有機ＥＬ素子は電極間に発光層を挟んで電圧を印加することにより、電極から注入され
た電子およびホールが再結合して発光物質が励起状態となり、その励起状態が基底状態に
戻る際に発光する。発光物質が発する光のスペクトルはその発光物質特有のものであり、
異なる種類の発光物質を用いることによって、様々な色の発光を呈する発光素子を得るこ
とができる。

このように発光素子を用いたディスプレイや照明装置はさまざまな電子機器に適用好適
であるが、その性能にはまだまだ改善の余地がある。特に、緑から青色のりん光を発する
材料の種類は多くなく、また、更なる特性の向上が求められている。

特許文献１にはフェノチアジン骨格を含む配位子を有するイリジウム錯体が開示されてい
る。

国際公開第２００４／０８１０１９号パンフレット

本発明の一態様では、新規有機金属錯体を提供することを目的とする。または、黄色から
青色のりん光を呈することが可能な有機金属錯体を提供することを目的とする。

または、本発明の他の一態様は、新しい発光素子を提供することを課題とする。または
、発光効率の高い発光素子を提供することを目的とする。または、消費電力の小さいディ
スプレイモジュール、照明モジュール、発光装置、表示装置、電子機器、及び照明装置を
各々提供することを目的とする。

本発明の一態様は上述の課題のうちいずれか一を解決すればよいものとする。なお、こ
れらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、
必ずしも、これらの課題の全てを有する必要はない。なお、これら以外の課題は、明細書
、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項
などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様の有機金属錯体は、下記一般式（Ｇ１）のように表すことができる。

但し、上記一般式（Ｇ１）において、Ｒ^１乃至Ｒ^１３はそれぞれ独立に、水素、置換又
は無置換の炭素数１乃至６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す
。Ａは五員複素芳香環骨格を表し、当該骨格中に２又は３の窒素原子を含む。また、Ｑは
硫黄原子又は酸素原子を表す。

また、本発明の一態様の有機金属錯体は、下記一般式（Ｇ２）のように表すこともでき
る。

但し、上記一般式（Ｇ２）において、Ｒ^１乃至Ｒ^１３はそれぞれ独立に、水素、置換又
は無置換の炭素数１乃至６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す
。また、Ｘ^１、Ｙ^１及びＺ^１はそれぞれ独立に窒素原子又は炭素原子を表す。なお、Ｘ^１
、Ｙ^１及びＺ^１のうち、窒素原子は１又は０であるものとする。また、Ｑは硫黄原子又は
酸素原子を表す。

Ｘ^１、Ｙ^１及びＺ^１はそのうち２又は３が炭素原子であり、当該炭素原子は置換基を有
していても良い。その際、当該置換基としては置換もしくは無置換の炭素数１乃至６のア
ルキル基又は置換もしくは無置換のフェニル基を用いることができる。

また、本発明の一態様の有機金属錯体は、下記一般式（Ｇ３）のように表すこともでき
る。

但し、上記一般式（Ｇ３）において、Ｒ^１乃至Ｒ^１３及びＲ^２０はそれぞれ独立に、水
素、置換又は無置換の炭素数１乃至６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいず
れかを表す。また、Ｘ^２及びＺ^２はそれぞれ独立に窒素原子又は炭素原子を表す。なお、
Ｘ^２、Ｚ^２において、一方が窒素原子であった場合、他方は炭素原子である。また、Ｑは
硫黄原子又は酸素原子を表す。

Ｘ^２及びＺ^２のどちらか又は両方が炭素原子である場合、当該炭素原子は置換基を有して
いても良い。その際、当該置換基としては置換もしくは無置換の炭素数１乃至６のアルキ
ル基、又は、置換もしくは無置換のフェニル基を用いることができる。

また、本発明の一態様の有機金属錯体は、下記一般式（Ｇ４）のように表すこともでき
る。

但し、上記一般式（Ｇ４）において、Ｒ^１乃至Ｒ^１３及びＲ^２１はそれぞれ独立に、水
素、置換又は無置換の炭素数１乃至６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいず
れかを表す。また、Ｙ^３及びＺ^３はそれぞれ独立に窒素原子又は炭素原子を表す。なお、
Ｙ^３及びＺ^３において、一方が窒素原子である場合、他方は炭素原子であるものとする。
また、Ｑは硫黄原子又は酸素原子を表す。

Ｙ^３及びＺ^３のどちらか又は両方が炭素原子である場合、当該炭素原子は置換基を有して
いても良い。その際、当該置換基としては置換もしくは無置換の炭素数１乃至６のアルキ
ル基、又は、置換もしくは無置換のフェニル基を用いることができる。

また、本発明の一態様の有機金属錯体は、下記一般式（Ｇ５）のように表すこともでき
る。

但し、上記一般式（Ｇ５）において、Ｒ^１乃至Ｒ^１３及びＲ^２２はそれぞれ独立に、水
素、置換又は無置換の炭素数１乃至６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいず
れかを表す。また、Ｘ^４及びＹ^４はそれぞれ独立に窒素原子又は炭素原子を表す。なお、
Ｘ^４及びＹ^４において、一方が窒素原子である場合、他方は炭素原子であるものとする。
また、Ｑは硫黄原子又は酸素原子を表す。

Ｘ^４及びＹ^４のどちらか又は両方が炭素原子である場合、当該炭素原子は置換基を有して
いても良い。その際、当該置換基としては置換もしくは無置換の炭素数１乃至６のアルキ
ル基、又は、置換もしくは無置換のフェニル基を用いることができる。

また、本発明の一態様の有機金属錯体は、下記一般式（Ｇ６）のように表すこともでき
る。

但し、上記一般式（Ｇ６）において、Ｒ^１乃至Ｒ^１３及びＲ^３０乃至Ｒ^３２はそれぞれ
独立に、水素、置換又は無置換の炭素数１乃至６のアルキル基、置換又は無置換のフェニ
ル基のいずれかを表す。また、Ｑは硫黄原子又は酸素原子を表す。

また、本発明の他の一態様は、上記構成を有する有機金属錯体において、Ｒ^３０及びＲ
^３２が置換又は無置換のアルキル基である有機金属錯体である。

また、本発明の他の一態様は、上記構成を有する有機金属錯体において、Ｒ^３１が置換
又は無置換のアルキル基又は置換又は無置換のフェニル基である有機金属錯体である。

また、本発明の他の一態様は、上記構成を有する有機金属錯体において、Ｒ^３が置換又
は無置換のアルキル基又は置換又は無置換のフェニル基である有機金属錯体である。

また、本発明の他の一態様は、上記構成を有する有機金属錯体において、Ｒ^３及びＲ^３
１のいずれか一又は両方がｔ−ブチル基又はフェニル基である有機金属錯体である。

または、本発明の一態様は、上記有機金属錯体のいずれか一を用いた発光素子である。

または、本発明の他の一態様は、上記発光素子のいずれかと、トランジスタ、または、
基板と、を有する発光装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記発光装置と、センサ、操作ボタン、スピーカ、ま
たは、マイクとを有する電子機器である。

または、本発明の他の一態様は、上記発光装置と、筐体とを有する照明装置である。

なお、本明細書中における発光装置とは、発光素子を用いた画像表示デバイスを含む。ま
た、発光素子にコネクター、例えば異方導電性フィルム又はＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒ
ｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が
設けられたモジュール、又は発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によ
りＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールは、発光装置を有する場合がある。さら
に、照明器具は、発光装置を有する場合がある。

本発明の一態様では、新規有機金属錯体を提供することができる。または、黄色から青色
のりん光を呈する有機金属錯体を提供することができる。

または、本発明の他の一態様は、新しい発光素子を提供することができる。または、消
費電力の小さいディスプレイモジュール、照明モジュール、発光装置、表示装置、電子機
器、及び照明装置を各々提供することができる。

本発明の一態様は上述の効果のうちいずれか一を奏すればよいものとする。なお、これ
らの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必
ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、
図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項な
どの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

発光素子の概念図。 アクティブマトリクス型発光装置の概念図。 アクティブマトリクス型発光装置の概念図。 アクティブマトリクス型発光装置の概念図。 パッシブマトリクス型発光装置の概念図。 照明装置を表す図。 電子機器を表す図。 光源装置を表す図。 照明装置を表す図。 照明装置を表す図。 車載表示装置及び照明装置を表す図。 電子機器を表す図。 電子機器を表す図 ［Ｐｔ（ｐｐｔＯｐｐｚ）］のＮＭＲチャート。 ［Ｐｔ（ｐｐｔＯｐｐｚ）］の室温における吸収スペクトル及び発光スペクトル。 ［Ｐｔ（ｐｐｔＯｐｐｚ）］の７７Ｋにおける発光スペクトル。 発光素子１の輝度−電流密度特性。 発光素子１の電流効率−輝度特性。 発光素子１の輝度−電圧特性。 発光素子１の電流−電圧特性。 発光素子１の外部量子効率−輝度特性。 発光素子１の発光スペクトル。

以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の
説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を
様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す
実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

本発明の一態様は、フェノチアジン骨格又はフェノキサジン骨格を含む４配位の配位子
を有する白金錯体である。当該配位子は、フェノチアジン骨格又はフェノキサジン骨格の
１０位の窒素にピリジル基を有し、２位の炭素にフェノキシ基を有する。またフェノキシ
基は３位に五員複素芳香環残基を有し、当該五員複素芳香環残基は、その骨格中に２又は
３の窒素原子を有する。また、フェノチアジン骨格又はフェノキサジン骨格の１位の炭素
及びフェノキシ基の２位の炭素が白金と結合し、ピリジル基の窒素と五員複素芳香環の窒
素又はカルベン炭素が白金に配位する構成となっている。

当該構成を有する有機金属錯体は新規有機金属錯体である。また、黄色から青色のりん
光を呈することが可能な有機金属錯体である。

当該有機金属錯体は、下記一般式（Ｇ１）のように表すこともできる。

但し、上記一般式（Ｇ１）において、Ｒ^１乃至Ｒ^１３はそれぞれ独立に、水素、置換又
は無置換の炭素数１乃至６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す
。Ａは五員複素芳香環骨格を表し、当該骨格中に２又は３の窒素原子を含む。また、Ｑは
硫黄原子又は酸素原子を表す。

骨格中に２又は３の窒素原子を含む五員複素芳香環骨格の具体例としては、ピラゾリル
基、イミダゾリル基、１，２，３−トリアゾリル基、１，２，４−トリアゾリル基、含窒
素複素環式カルベン骨格（イミダゾリウム骨格、ベンゾイミダゾリウム骨格、トリアゾリ
ウム骨格）等が挙げられる。

また、本発明の一態様の有機金属錯体は、下記一般式（Ｇ２）のように表すこともでき
る。

但し、上記一般式（Ｇ２）において、Ｒ^１乃至Ｒ^１３はそれぞれ独立に、水素、置換又
は無置換の炭素数１乃至６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す
。また、Ｘ^１、Ｙ^１及びＺ^１はそれぞれ独立に窒素原子又は炭素原子を表す。なお、Ｘ^１
、Ｙ^１及びＺ^１のうち、窒素原子は１又は０であるものとする。また、Ｑは硫黄原子又は
酸素原子を表す。

Ｘ^１、Ｙ^１及びＺ^１はそのうち２又は３が炭素原子であり、当該炭素原子は置換基を有
していてもいなくても良い。当該炭素原子が置換基を有する場合、当該置換基としては置
換もしくは無置換の炭素数１乃至６のアルキル基又は置換もしくは無置換のフェニル基を
用いることができる。

また、本発明の一態様の有機金属錯体は、下記一般式（Ｇ３）のように表すこともでき
る。

但し、上記一般式（Ｇ３）において、Ｒ^１乃至Ｒ^１３及びＲ^２０はそれぞれ独立に、水
素、置換又は無置換の炭素数１乃至６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいず
れかを表す。また、Ｘ^２及びＺ^２はそれぞれ独立に窒素原子又は炭素原子を表す。なお、
Ｘ^２、Ｚ^２において、一方が窒素原子であった場合、他方は炭素原子である。また、Ｑは
硫黄原子又は酸素原子を表す。

Ｘ^２又はＺ^２のどちらか又は両方が炭素原子である場合、当該炭素原子は置換基を有して
いてもいなくても良い。当該炭素原子が置換基を有する場合、当該置換基としては置換も
しくは無置換の炭素数１乃至６のアルキル基又は置換もしくは無置換のフェニル基を用い
ることができる。

また、本発明の一態様の有機金属錯体は、下記一般式（Ｇ４）のように表すこともでき
る。

但し、上記一般式（Ｇ４）において、Ｒ^１乃至Ｒ^１３及びＲ^２１はそれぞれ独立に、水
素、置換又は無置換の炭素数１乃至６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいず
れかを表す。また、Ｙ^３及びＺ^３はそれぞれ独立に窒素原子又は炭素原子を表す。なお、
Ｙ^３及びＺ^３において、一方が窒素原子である場合、他方は炭素原子であるものとする。
また、Ｑは硫黄原子又は酸素原子を表す。

Ｙ^３及びＺ^３のどちらか又は両方が炭素原子である場合、当該炭素原子は置換基を有して
いてもいなくても良い。当該炭素原子が置換基を有する場合、当該置換基としては置換も
しくは無置換の炭素数１乃至６のアルキル基又は置換もしくは無置換のフェニル基を用い
ることができる。

また、本発明の一態様の有機金属錯体は、下記一般式（Ｇ５）のように表すこともでき
る。

但し、上記一般式（Ｇ５）において、Ｒ^１乃至Ｒ^１３及びＲ^２２はそれぞれ独立に、水
素、置換又は無置換の炭素数１乃至６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいず
れかを表す。また、Ｘ^４及びＹ^４はそれぞれ独立に窒素原子又は炭素原子を表す。なお、
Ｘ^４及びＹ^４において、一方が窒素原子である場合、他方は炭素原子であるものとする。
また、Ｘ^４及びＹ^４のいずれか一又は両方が炭素原子である場合、当該炭素原子は置換基
を有していてもいなくても良い。また、Ｑは硫黄原子又は酸素原子を表す。

なお、上記一般式（Ｇ５）で表される有機金属錯体は、下記一般式（Ｇ５−１）、（Ｇ
５−２）と表記することもできる。

但し、上記一般式（Ｇ５−１）及び（Ｇ５−２）において、Ｒ^１乃至Ｒ^１３はそれぞれ
独立に、水素、置換又は無置換の炭素数１乃至６のアルキル基、置換又は無置換のフェニ
ル基のいずれかを表す。また、Ｘ^４、Ｙ^４及びＺ^４はそれぞれ独立に窒素原子又は炭素原
子を表す。なお、Ｘ^４、Ｙ^４及びＺ^４において、窒素原子は１又は２であるものとする。
また、Ｘ^４、Ｙ^４及びＺ^４のいずれか一又は二が炭素原子である場合、当該炭素原子は置
換基を有していてもいなくても良い。また、Ｑは硫黄原子又は酸素原子を表す。

また、本発明の一態様の有機金属錯体は、下記一般式（Ｇ６）のように表すこともでき
る。

但し、上記一般式（Ｇ６）において、Ｒ^１乃至Ｒ^１３及びＲ^３０乃至Ｒ^３２はそれぞれ
独立に、水素、置換又は無置換の炭素数１乃至６のアルキル基、置換又は無置換のフェニ
ル基のいずれかを表す。また、Ｑは硫黄原子又は酸素原子を表す。

なお、上記構成を有する有機金属錯体において、Ｒ^３０及びＲ^３２が置換又は無置換の
アルキル基である有機金属錯体であることが好ましい。また、Ｒ^３０及びＲ^３２はメチル
基であることが材料の熱物性や安定性が向上するためより好ましい。

また、上記構成を有する有機金属錯体において、フェノチアジン骨格又はフェノキサジ
ン骨格の１０位の窒素に結合するピリジル基は窒素原子で中心金属である白金に配位する
が、当該窒素原子から見てパラ位となる炭素に嵩高い置換基が存在することが材料の熱物
性や安定性を向上させ、発光スペクトルの狭線化や発光効率の向上を目的とした特性が得
られるため好ましい。すなわち、上記一般式で表される有機金属錯体において、Ｒ^３が置
換又は無置換のアルキル基又は置換又は無置換のフェニル基であることが好ましく、特に
置換又は無置換のｔ−ブチル基又は置換又は無置換のフェニル基であることが好ましい。

また、上記構成を有する有機金属錯体において、Ｒ^３１に嵩高い置換基が存在すること
が材料の熱物性や安定性を向上させ、発光スペクトルの狭線化や発光効率の向上を目的と
した特性が得られる為に好ましい。すなわち、上記一般式（Ｇ６）で表される有機金属錯
体において、Ｒ^３１が置換又は無置換のアルキル基又は置換又は無置換のフェニル基であ
ることが好ましく、特に置換又は無置換のｔ−ブチル基又は置換又は無置換のフェニル基
であることが好ましい。

なお、本明細書中において「置換又は無置換の炭素数１乃至６のアルキル基」と記載し
た場合や、炭素数１乃至６のアルキル基に対し「置換基を有していても良い」との記載が
ある場合、当該アルキル基に置換する置換基としてはハロゲノ基及び炭素数１乃至６のア
ルコキシ基等を用いることができる。また、同様に「置換又は無置換のフェニル基」と記
載した場合や、フェニル基に対して「置換基を有していても良い」旨の記載がある場合、
当該フェニル基に置換する置換基としては、炭素数１乃至６のアルキル基、ハロゲノ基及
び炭素数１乃至６のアルコキシ基等を用いることができる。

また、炭素数１乃至６のアルキル基とは具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基
、イソプロピル基、ｎ‐ブチル基、ｓｅｃ‐ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ‐ブチル
基、ｎ‐ペンチル基、１‐メチルブチル基、２‐メチルブチル基、３‐メチルブチル基、
１‐エチルプロピル基、１，１‐ジメチルプロピル基、１，２‐ジメチルプロピル基、２
，２‐ジメチルプロピル基、分枝を有するまたは有さないヘキシル基等があげられる。ま
た、ハロゲノ基としては、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基及びヨード基等が挙げられる
。また、炭素数１乃至６のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチル
オキシ基およびヘキシルオキシ基などの直鎖状または分岐鎖状アルキルオキシ基や、ビニ
ルオキシ基、プロペニルオキシ基、ブテニルオキシ基、ペンテニルオキシ基、ヘキセニル
オキシ基等のアルケニルオキシ基が挙げられる。

また、置換又は無置換のフェニル基の具体例としては、フェニル基、２−メチルフェニ
ル基、２，５−ジメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，６−ジエチルフ
ェニル基、２，６−ジイソプロピルフェニル基、２，６−ジイソブチルフェニル基、２，
６−ジシクロプロピルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、４−フルオロフ
ェニル基、２，６−ジフルオロフェニル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、４−シ
アノフェニル基、４−メトキシフェニル基、３，４−ジメトキシフェニル基、３，４−メ
チレンジオキシフェニル基、４−トリフルオロメトキシフェニル基、４−ジメチルアミノ
フェニル基等が挙げられる。

以上のような構成を有する本発明の一態様の有機金属錯体の具体例の一部を以下に示す。

上述に示したような、本発明の一態様の有機金属錯体の合成方法の一例を以下に示す。

＜フェノチアジン誘導体又はフェノキサジン誘導体の合成法＞
まず、下記一般式（Ｇ０）で表されるフェノチアジン誘導体又はフェノキサジン誘導体
の合成法の一例について説明する。なお、一般式（Ｇ０）中、Ｒ^１乃至Ｒ^１３はそれぞれ
独立に、水素、置換又は無置換の炭素数１乃至６のアルキル基、置換又は無置換のフェニ
ル基のいずれかを表す。Ａは五員複素芳香環骨格を表し、当該骨格中に２又は３の窒素原
子を含む。また、Ｑは硫黄又は酸素を表す。

下記スキームに示すように、ヒドロキシ化合物（Ａ１）とハロゲン化物（Ａ２）とを反
応させることにより、フェノチアジン誘導体又はフェノキサジン誘導体を得ることができ
る。なお、下記スキームにおいて、Ｘはハロゲン元素を表し、Ｒ^１乃至Ｒ^１３はそれぞれ
独立に、水素、置換又は無置換の炭素数１乃至６のアルキル基、置換又は無置換のフェニ
ル基のいずれかを表す。Ａは五員複素芳香環骨格を表し、当該骨格中に２又は３の窒素原
子を含む。ただし、フェノチアジン誘導体又はフェノキサジン誘導体の合成法は、下記ス
キームのみに限定されるものではない。例えば、ヒドロキシ化合物（Ａ１）の代わりにア
ルコキシド化合物を用いても良く、（Ａ１）がハロゲン化物で（Ａ２）がヒドロキシ化合
物の組み合わせでも良い。

以上のように、フェノチアジン誘導体又はフェノキサジン誘導体は、ごく簡便な合成ス
キームにより合成することができる。

≪一般式（Ｇ１）で表される本発明の一態様の有機金属錯体の合成方法≫
まず、下記合成スキームに示すように、一般式（Ｇ０）で表されるフェノチアジン誘導体
又はフェノキサジン誘導体と、テトラクロロ白金酸カリウムおよび酢酸、または酢酸を含
む溶媒を用いて、不活性ガス雰囲気にて加熱することにより、一般式（Ｇ１）で表される
本発明の一態様である有機金属錯体が得られる。

上記合成スキームにおいて、Ｒ^１乃至Ｒ^１３はそれぞれ独立に、水素、置換又は無置換の
炭素数１乃至６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す。Ａは五員
複素芳香環骨格を表し、当該骨格中に２又は３の窒素原子を含む。

≪発光素子≫
続いて、本発明の一態様である発光素子の例について図１（Ａ）を用いて以下、詳細に
説明する。

本実施の形態における発光素子は、第１の電極１０１と、第２の電極１０２とからなる
一対の電極と、第１の電極１０１と第２の電極１０２との間に設けられたＥＬ層１０３と
から構成されている。なお、第１の電極１０１は陽極として機能し、第２の電極１０２は
陰極として機能するものとして、以下説明をする。

第１の電極１０１を陽極として機能させるためには、仕事関数の大きい（具体的には４
．０ｅＶ以上）金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いて形成する
ことが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕ
ｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム−酸化
スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジ
ウム（ＩＷＺＯ）等が挙げられる。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタリング
法により成膜されるが、ゾル−ゲル法などを応用して作製しても構わない。作製方法の例
としては、酸化インジウム−酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１乃至２０ｗｔ％の酸化
亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成する方法などがある。また
、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）は、酸化インジ
ウムに対し酸化タングステンを０．５乃至５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１乃至１ｗｔ％含有
したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することもできる。この他、金（Ａ
ｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブ
デン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、また
は金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。グラフェンも用いることが
できる。なお、後述する複合材料を、ＥＬ層１０３における第１の電極１０１と接する層
に用いることで、仕事関数に関わらず、電極材料を選択することができるようになる。

ＥＬ層１０３は積層構造を有し、当該積層構造のいずれかの層に上記一般式（Ｇ１）乃
至（Ｇ６）のいずれかで表される有機金属錯体が含まれることが好ましい。

ＥＬ層１０３の積層構造は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層
、キャリアブロック層、中間層等を適宜組み合わせて構成することができる。ここでは、
ＥＬ層１０３は、第１の電極１０１の上に正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層
１１３、電子輸送層１１４、電子注入層１１５の順で積層構造を有する構成について説明
する。各層を構成する材料の例について以下に具体的に示す。

正孔注入層１１１は、正孔注入性の高い物質を含む層である。モリブデン酸化物やバナ
ジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いること
ができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（ＣｕＰＣ）
等のフタロシアニン系の化合物、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル
）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［ビス
（３−メチルフェニル）アミノ］フェニル｝−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−（１，１’−ビフ
ェニル）−４，４’−ジアミン（略称：ＤＮＴＰＤ）等の芳香族アミン化合物、或いはポ
リ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ
／ＰＳＳ）等の高分子等によっても正孔注入層１１１を形成することができる。

また、正孔注入層１１１として、正孔輸送性の物質にアクセプター性物質を含有させた
複合材料を用いることができる。なお、正孔輸送性の物質にアクセプター性物質を含有さ
せたものを用いることにより、電極の仕事関数に依らず電極を形成する材料を選ぶことが
できる。つまり、第１の電極１０１として仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事関数の
小さい材料も用いることができるようになる。アクセプター性物質としては、７，７，８
，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ_４−ＴＣ
ＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができ
る。また元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができ
る。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブ
デン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい
。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため
好ましい。

複合材料に用いる正孔輸送性の物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導
体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種
々の有機化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる正孔輸送性の物質として
は、１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。以下で
は、複合材料における正孔輸送性の物質として用いることのできる有機化合物を具体的に
列挙する。

複合材料に用いることのできる芳香族アミン化合物としては、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリ
ル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４
’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（
略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［ビス（３−メチルフェニル）アミノ］フェニ
ル｝−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（略称：
ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェ
ニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を挙げることができる。カルバゾール誘導
体としては、具体的には、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フ
ェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［
Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカ
ルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニ
ルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ
１）、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−ト
リス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（
１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）
、１，４−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニ
ルベンゼン等を用いることができる。芳香族炭化水素としては、例えば、２−ｔｅｒｔ−
ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、２−ｔ
ｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビス（３，５
−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，
１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）、９，１０
−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセ
ン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＡｎｔ
ｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、
２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン
、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７−テ
トラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、２，３，６，７−テトラメチ
ル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、１０，１０
’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニルフェニル
）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−ペンタフェ
ニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペ
リレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン等が挙げられる。また
、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。ビニル骨格を有していてもよ
い。ビニル骨格を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’−ビス（２，２
−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２
−ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられる。

また、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェ
ニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニル
アミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（
略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス
（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）等の高分子化合物を用いることも
できる。

正孔注入層を形成することによって、正孔の注入性が良好となり、駆動電圧の小さい発
光素子を得ることが可能となる。

なお、正孔注入層は、上述したアクセプター材料を単独または他の材料と混合して形成し
ても良い。この場合、アクセプター材料が正孔輸送層から電子を引き抜き、正孔輸送層に
正孔注入することができる。アクセプター材料は引き抜いた電子を陽極へ輸送する。

正孔輸送層１１２は、正孔輸送性の物質を含む層である。正孔輸送性の物質としては、
例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略
称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，
１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス
（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４
’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン
（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２
−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４−フェニル−４’−
（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）など
の芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、正孔輸送性が高く
、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。また、上述の複合材
料における正孔輸送性の物質として挙げた有機化合物も正孔輸送層１１２に用いることが
できる。また、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルト
リフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等の高分子化合物を用いることもできる。なお
、正孔輸送性の物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上
積層したものとしてもよい。

発光層１１３は、蛍光発光を呈する層であっても、りん光発光を呈する層や熱活性化遅
延蛍光（ＴＡＤＦ）を呈する層であってもいずれでも構わない。また、単層であっても、
異なる発光物質が含まれる複数の層からなっていても良い。複数の層からなる発光層を形
成する場合、りん光発光物質が含まれる層と蛍光発光物質が含まれる層が積層されていて
も良い。この際、りん光発光物質が含まれる層では、後述の励起錯体を利用することが好
ましい。

蛍光発光物質としては、例えば以下のような物質を用いることができる。また、これ以外
の蛍光発光物質も用いることができる。５，６−ビス［４−（１０−フェニル−９−アン
トリル）フェニル］−２，２’−ビピリジン（略称：ＰＡＰ２ＢＰｙ）、５，６−ビス［
４’−（１０−フェニル−９−アントリル）ビフェニル−４−イル］−２，２’−ビピリ
ジン（略称：ＰＡＰＰ２ＢＰｙ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９−
フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ピレン−１，６−ジアミン（略称：
１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス［３
−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ピレン−１，６−ジアミン
（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール
−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称
：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９
−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−
９−イル）−４’−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）トリフェニルアミン（略
称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アント
リル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、ペリレン、
２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン（略称：ＴＢＰ）、４−（１０
−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル
）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、Ｎ，Ｎ’’−（２−ｔｅｒｔ−ブチルア
ントラセン−９，１０−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフ
ェニル−１，４−フェニレンジアミン］（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−
Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール
−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アン
トリル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略
称：２ＤＰＡＰＰＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オ
クタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミン（略称：
ＤＢＣ１）、クマリン３０、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−
ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０
−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−
９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェ
ニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン
（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−
２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称
：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［４
−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミ
ン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（
略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）、クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルキナクリドン（略称
：ＤＰＱｄ）、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１
１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２−（２−｛２−［４−（ジメチルアミノ
）フェニル］エテニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリ
ル（略称：ＤＣＭ１）、２−｛２−メチル−６−［２−（２，３，６，７−テトラヒドロ
−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−
イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（
４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，
１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト
［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）、２−
｛２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テ
トラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピ
ラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＩ）、２−｛２−ｔｅｒｔ−
ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−
１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イ
リデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）、２−（２，６−ビス｛２−［４−（
ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニト
リル（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、２−｛２，６−ビス［２−（８−メトキシ−１，１，７，
７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリ
ジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称
：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）などが挙げられる。特に、１，６ＦＬＰＡＰｒｎや１，６ｍＭｅｍ
ＦＬＰＡＰｒｎのようなピレンジアミン化合物に代表される縮合芳香族ジアミン化合物は
、ホールトラップ性が高く、発光効率や信頼性に優れているため好ましい。

発光層１１３において、りん光発光物質として用いることが可能な材料としては、例えば
以下のようなものが挙げられる。トリス｛２−［５−（２−メチルフェニル）−４−（２
，６−ジメチルフェニル）−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−イル−κＮ２］フェ
ニル−κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）_３］）、トリ
ス（５−メチル−３，４−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（
ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）_３］）、トリス［４−（３−ビフェニル）−５−イ
ソプロピル−３−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（
略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐｔｚ−３ｂ）_３］）のような４Ｈ−トリアゾール骨格を有する有
機金属イリジウム錯体や、トリス［３−メチル−１−（２−メチルフェニル）−５−フェ
ニル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔ
ｚ１−ｍｐ）_３］）、トリス（１−メチル−５−フェニル−３−プロピル−１Ｈ−１，２
，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ１−Ｍｅ）_３］
）のような１Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、ｆａｃ−トリス
［１−（２，６−ジイソプロピルフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−イミダゾール］イリ
ジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐｍｉ）_３］）、トリス［３−（２，６−ジメ
チルフェニル）−７−メチルイミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジナト］イリジウム（
ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ−Ｍｅ）_３］）のようなイミダゾール骨格を有
する有機金属イリジウム錯体や、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジ
ナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称
：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’
］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２−［３’，５’
−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’｝イリジウム（ＩＩＩ
）ピコリナート（略称：［Ｉｒ（ＣＦ_３ｐｐｙ）_２（ｐｉｃ）］）、ビス［２−（４’，
６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルア
セトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）のような電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導
体を配位子とする有機金属イリジウム錯体が挙げられる。これらは青色のりん光発光を示
す化合物であり、４４０ｎｍから５２０ｎｍに発光のピークを有する化合物である。

また、トリス（４−メチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：
［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）_３］）、トリス（４−ｔ−ブチル−６−フェニルピリミジナト）イリ
ジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_３］）、（アセチルアセトナト）ビス
（６−メチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐ
ｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−
フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃ
ａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［６−（２−ノルボルニル）−４−フェニルピ
リミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、
（アセチルアセトナト）ビス［５−メチル−６−（２−メチルフェニル）−４−フェニル
ピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］
）、（アセチルアセトナト）ビス（４，６−ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩ
Ｉ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピリミジン骨格を有する有
機金属イリジウム錯体や、（アセチルアセトナト）ビス（３，５−ジメチル−２−フェニ
ルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ａｃａｃ）
］）、（アセチルアセトナト）ビス（５−イソプロピル−３−メチル−２−フェニルピラ
ジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰｒ）_２（ａｃａｃ）］）
のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス（２−フェニルピリジ
ナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_３］）、ビス（２−
フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：
［Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（Ｉ
ＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）_２（ａｃａｃ）］）、トリス（ベ
ンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）_３］）、トリス
（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）
_３］）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルア
セトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピリジン骨格を有する有
機金属イリジウム錯体の他、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テ
ルビウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｔｂ（ａｃａｃ）_３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金属
錯体が挙げられる。これらは主に緑色のりん光発光を示す化合物であり、５００ｎｍ乃至
６００ｎｍに発光のピークを有する。なお、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム
錯体は、信頼性や発光効率にも際だって優れるため、特に好ましい。

また、（ジイソブチリルメタナト）ビス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミ
ジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２（ｄｉｂｍ）］）、ビ
ス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリ
ジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２（ｄｐｍ）］）、ビス［４，６−ジ
（ナフタレン−１−イル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ
）（略称：［Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）_２（ｄｐｍ）］）のようなピリミジン骨格を有する有機
金属イリジウム錯体や、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジ
ナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス（２
，３，５−トリフェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（
略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ｄｐｍ］）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−
ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（
Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や
、トリス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［
Ｉｒ（ｐｉｑ）_３］）、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（
ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピ
リジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、２，３，７，８，１２，１３，１７，
１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）
のような白金錯体や、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノ
フェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＤＢＭ）_３（Ｐｈｅｎ）］
）、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェ
ナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＴＴＡ）_３（Ｐｈｅｎ）］）の
ような希土類金属錯体が挙げられる。これらは、赤色のりん光発光を示す化合物であり、
６００ｎｍから７００ｎｍに発光のピークを有する。また、ピラジン骨格を有する有機金
属イリジウム錯体は、色度の良い赤色発光が得られる。

また、以上で述べたりん光性化合物の他、様々なりん光性発光材料を選択し、用いても
よい。

なお、本発明の一態様の有機金属錯体をりん光発光物質として用いることが好ましい。
本発明の一態様の有機金属錯体は、効率良く発光するため、発光効率の高い発光素子を得
ることができる。

ＴＡＤＦ材料としてはフラーレン及びその誘導体、プロフラビン等のアクリジン誘導体
、エオシン等を用いることができる。またマグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミ
ウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）、もしくはパラジウム
（Ｐｄ）等を含む金属含有ポルフィリンを用いることができる。該金属含有ポルフィリン
としては、例えば、以下の構造式に示されるプロトポルフィリン−フッ化スズ錯体（Ｓｎ
Ｆ_２（Ｐｒｏｔｏ ＩＸ））、メソポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｍｅｓｏ
ＩＸ））、ヘマトポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｈｅｍａｔｏ ＩＸ））
、コプロポルフィリンテトラメチルエステル−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｃｏｐｒｏ
ＩＩＩ−４Ｍｅ））、オクタエチルポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（ＯＥＰ）
）、エチオポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｅｔｉｏ Ｉ））、オクタエチル
ポルフィリン−塩化白金錯体（ＰｔＣｌ_２ＯＥＰ）等も挙げられる。

また、以下の構造式に示される２−（ビフェニル−４−イル）−４，６−ビス（１２−フ
ェニルインドロ［２，３−ａ］カルバゾール−１１−イル）−１，３，５−トリアジン（
ＰＩＣ−ＴＲＺ）等のπ電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有する複素
環化合物も用いることができる。該複素環化合物は、π電子過剰型複素芳香環及びπ電子
不足型複素芳香環を有するため、電子輸送性及び正孔輸送性が高く、好ましい。なお、π
電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環とが直接結合した物質は、π電子過剰型
複素芳香環のドナー性とπ電子不足型複素芳香環のアクセプター性が共に強くなり、Ｓ_１
準位とＴ_１準位のエネルギー差が小さくなるため、特に好ましい。

発光層のホスト材料としては、電子輸送性を有する材料や正孔輸送性を有する材料など
様々なキャリア輸送材料を用いることができる。

電子輸送性を有する材料としては、例えば、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリ
ナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト
）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−
キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）
フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）
フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体や、２−（４−ビフェニ
リル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称
：ＰＢＤ）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフ
ェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅ
ｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：
ＯＸＤ−７）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）
フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、２，２’，２’’−（１，３，５
−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰ
ＢＩ）、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１−フェニル−１Ｈ
−ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ）などのポリアゾール骨格を有する
複素環化合物や、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ
，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（ジベンゾチオ
フェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２
ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニ
ル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、４，６
−ビス［３−（フェナントレン−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＰｎ
Ｐ２Ｐｍ）、４，６−ビス［３−（４−ジベンゾチエニル）フェニル］ピリミジン（略称
：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ−ＩＩ）などのジアジン骨格を有する複素環化合物や、３，５
−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ピリジン（略称：３５ＤＣｚ
ＰＰｙ）、１，３，５−トリ［３−（３−ピリジル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴｍＰ
ｙＰＢ）などのピリジン骨格を有する複素環化合物が挙げられる。上述した中でも、ジア
ジン骨格を有する複素環化合物やピリジン骨格を有する複素環化合物は、信頼性が良好で
あり好ましい。特に、ジアジン（ピリミジンやピラジン）骨格を有する複素環化合物は、
電子輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与する。

正孔輸送性を有する材料としては、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェ
ニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ
，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）
、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニル
アミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレ
ン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−３’−（９
−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４−
フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン
（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カ
ルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４−（１−ナ
フチル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン
（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９
Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、９，９−ジ
メチル−Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フ
ェニル］フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９
−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］スピロ−９，９’−ビフルオレ
ン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）などの芳香族アミン骨格を有する化合物や、１，
３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾ
リル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、３，６−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）−９
−フェニルカルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、３，３’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カ
ルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）などのカルバゾール骨格を有する化合物や、４，４’，
４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢ
Ｔ３Ｐ−ＩＩ）、２，８−ジフェニル−４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−
９−イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＩＩ）、４−［４−
（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−６−フェニルジベンゾチオ
フェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＶ）などのチオフェン骨格を有する化合物や、４，４’
，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ
３Ｐ−ＩＩ）、４−｛３−［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニ
ル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ−ＩＩ）などのフラン骨格を
有する化合物が挙げられる。上述した中でも、芳香族アミン骨格を有する化合物やカルバ
ゾール骨格を有する化合物は、信頼性が良好であり、また、正孔輸送性が高く、駆動電圧
低減にも寄与するため好ましい。また、以上で述べた正孔輸送材料の他、様々な物質の中
から正孔輸送材料を用いても良い。

発光物質として蛍光発光物質を用いる場合は、９−フェニル−３−［４−（１０−フェ
ニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）、３−［
４−（１−ナフチル）−フェニル］−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＰ
Ｎ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾ
ール（略称：ＣｚＰＡ）、７−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−
７Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）、６−［３−（９，
１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フ
ラン（略称：２ｍＢｎｆＰＰＡ）、９−フェニル−１０−｛４−（９−フェニル−９Ｈ−
フルオレン−９−イル）ビフェニル−４’−イル｝アントラセン（略称：ＦＬＰＰＡ）等
のアントラセン骨格を有する材料が好適である。アントラセン骨格を有する物質を蛍光発
光物質のホスト材料として用いると、発光効率、耐久性共に良好な発光層を実現すること
が可能である。特に、ＣｚＰＡ、ｃｇＤＢＣｚＰＡ、２ｍＢｎｆＰＰＡ、ＰＣｚＰＡは非
常に良好な特性を示すため、好ましい選択である。

なお、ホスト材料は複数種の物質を混合した材料であっても良く、混合したホスト材料
を用いる場合は、電子輸送性を有する材料と、正孔輸送性を有する材料とを混合すること
が好ましい。電子輸送性を有する材料と、正孔輸送性を有する材料を混合することによっ
て、発光層１１３の輸送性を容易に調整することができ、再結合領域の制御も簡便に行う
ことができる。正孔輸送性を有する材料と電子輸送性を有する材料の含有量の比は、正孔
輸送性を有する材料：電子輸送性を有する材料＝１：９乃至９：１とすればよい。

また、これら混合されたホスト材料同士で励起錯体を形成しても良い。当該励起錯体は
、蛍光発光物質、りん光発光物質及びＴＡＤＦ材料の最も低エネルギー側の吸収帯の波長
と重なるような発光を呈する励起錯体を形成するような組み合わせを選択することで、エ
ネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光が得られるようになる。また、当該構成は
駆動電圧も低下するため好ましい構成である。

以上のような構成を有する発光層１１３は、真空蒸着法での共蒸着や、混合溶液として
、グラビア印刷法、オフセット印刷法、インクジェット法、スピンコート法やディップコ
ート法などを用いて作製することができる。

電子輸送層１１４は、電子輸送性を有する物質を含む層である。電子輸送性を有する物
質としては、上記ホスト材料に用いることが可能な電子輸送性を有する材料として挙げた
材料や、アントラセン骨格を有する材料を用いることができる。

また、電子輸送層と発光層との間に電子キャリアの移動を制御する層を設けても良い。
これは上述したような電子輸送性の高い材料に、電子トラップ性の高い物質を少量添加し
た層であって、電子キャリアの移動を抑制することによって、キャリアバランスを調節す
ることが可能となる。このような構成は、発光層を電子が突き抜けてしまうことにより発
生する問題（例えば素子寿命の低下）の抑制に大きな効果を発揮する。

また、電子輸送層１１４と第２の電極１０２との間に、第２の電極１０２に接して電子
注入層１１５を設けてもよい。電子注入層１１５としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、
フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）等のようなアルカリ金属又は
アルカリ土類金属又はそれらの化合物を用いることができる。例えば、電子輸送性を有す
る物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を含有させ
たものを用いることができる。また、電子注入層１１５にエレクトライドを用いてもよい
。エレクトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高
濃度添加した物質等が挙げられる。なお、電子注入層１１５として、電子輸送性を有する
物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含有させたものを用いることに
より、第２の電極１０２からの電子注入が効率良く行われるためより好ましい。

また、電子注入層１１５の代わりに電荷発生層１１６を設けても良い（図１（Ｂ））。
電荷発生層１１６は、電位をかけることによって当該層の陰極側に接する層に正孔を、陽
極側に接する層に電子を注入することができる層のことである。電荷発生層１１６には、
少なくともＰ型層１１７が含まれる。Ｐ型層１１７は、上述の正孔注入層１１１を構成す
ることができる材料として挙げた複合材料を用いて形成することが好ましい。またＰ型層
１１７は、複合材料を構成する材料として上述したアクセプター材料を含む膜と正孔輸送
材料を含む膜とを積層して構成しても良い。Ｐ型層１１７に電位をかけることによって、
電子輸送層１１４に電子が、陰極である第２の電極１０２に正孔が注入され、発光素子が
動作する。この際、電子輸送層１１４の電荷発生層１１６に接する位置に、本発明の一態
様の有機化合物を含む層が存在することによって、発光素子の駆動時間の蓄積に伴う輝度
低下が抑制され、寿命の長い発光素子を得ることができる。

なお、電荷発生層１１６はＰ型層１１７の他に電子リレー層１１８及び電子注入バッフ
ァ層１１９のいずれか一又は両方がもうけられていることが好ましい。

電子リレー層１１８は少なくとも電子輸送性を有する物質を含み、電子注入バッファ層１
１９とＰ型層１１７との相互作用を防いで電子をスムーズに受け渡す機能を有する。電子
リレー層１１８に含まれる電子輸送性を有する物質のＬＵＭＯ準位は、Ｐ型層１１７にお
けるアクセプター性物質のＬＵＭＯ準位と、電子輸送層１１４における電荷発生層１１６
に接する層に含まれる物質のＬＵＭＯ準位との間であることが好ましい。電子リレー層１
１８に用いられる電子輸送性を有する物質におけるＬＵＭＯ準位の具体的なエネルギー準
位は−５．０ｅＶ以上、好ましくは−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下とするとよい。な
お、電子リレー層１１８に用いられる電子輸送性を有する物質としてはフタロシアニン系
の材料又は金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。

電子注入バッファ層１１９には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およ
びこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸
リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲ
ン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を
含む））等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。

また、電子注入バッファ層１１９が、電子輸送性を有する物質とドナー性物質を含んで
形成される場合には、ドナー性物質として、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金
属、およびこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化
物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物
、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、
炭酸塩を含む））の他、テトラチアナフタセン（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメ
チルニッケロセン等の有機化合物を用いることもできる。なお、電子輸送性を有する物質
としては、先に説明した電子輸送層１１４を構成する材料と同様の材料を用いて形成する
ことができる。また、本発明の有機化合物を用いることもできる。

第２の電極１０２を形成する物質としては、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ
以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる
。このような陰極材料の具体例としては、リチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアル
カリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）
等の元素周期表の第１族または第２族に属する元素、およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ
、ＡｌＬｉ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこ
れらを含む合金等が挙げられる。しかしながら、第２の電極１０２と電子輸送層との間に
、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、ケ
イ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム−酸化スズ等様々な導電性材料を第２
の電極１０２として用いることができる。これら導電性材料は、真空蒸着法やスパッタリ
ング法などの乾式法、インクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することが可能
である。また、ゾル−ゲル法を用いて湿式法で形成しても良いし、金属材料のペーストを
用いて湿式法で形成してもよい。

また、ＥＬ層１０３の形成方法としては、乾式法、湿式法を問わず、種々の方法を用い
ることができる。例えば、真空蒸着法、グラビア印刷法、オフセット印刷法、スクリーン
印刷法、インクジェット法またはスピンコート法など用いても構わない。

電極についても、ゾル−ゲル法を用いて湿式法で形成しても良いし、金属材料のペース
トを用いて湿式法で形成してもよい。また、スパッタリング法や真空蒸着法などの乾式法
を用いて形成しても良い。

当該発光素子の発光は、第１の電極１０１または第２の電極１０２のいずれか一方また
は両方を通って外部に取り出される。従って、第１の電極１０１または第２の電極１０２
のいずれか一方または両方を透光性を有する電極で形成する。

なお、第１の電極１０１と第２の電極１０２との間に設けられる層の構成は、上記のも
のには限定されない。しかし、発光領域と電極やキャリア注入層に用いられる金属とが近
接することによって生じる消光が抑制されるように、第１の電極１０１および第２の電極
１０２から離れた部位に正孔と電子とが再結合する発光領域を設けた構成が好ましい。

また、発光層１１３に接する正孔輸送層や電子輸送層、特に発光層１１３における再結
合領域に近い方に接するキャリア輸送層は、発光層で生成した励起子からのエネルギー移
動を抑制するため、そのバンドギャップが発光層を構成する発光物質もしくは、発光層に
含まれる発光中心物質が有するバンドギャップより大きいバンドギャップを有する物質で
構成することが好ましい。

続いて、複数の発光ユニットを積層した構成の発光素子（積層型素子ともいう）の態様
について、図１（Ｃ）を参照して説明する。この発光素子は、陽極と陰極との間に、複数
の発光ユニットを有する発光素子である。一つの発光ユニットは、図１（Ａ）で示したＥ
Ｌ層１０３と同様な構成を有する。つまり、図１（Ａ）又は図１（Ｂ）で示した発光素子
は、１つの発光ユニットを有する発光素子であり、図１（Ｃ）で示した発光素子は複数の
発光ユニットを有する発光素子であるということができる。

図１（Ｃ）において、第１の電極５０１と第２の電極５０２との間には、第１の発光ユ
ニット５１１と第２の発光ユニット５１２が積層されており、第１の発光ユニット５１１
と第２の発光ユニット５１２との間には電荷発生層５１３が設けられている。第１の電極
５０１と第２の電極５０２はそれぞれ図１（Ａ）における第１の電極１０１と第２の電極
１０２に相当し、図１（Ａ）の説明で述べたものと同じものを適用することができる。ま
た、第１の発光ユニット５１１と第２の発光ユニット５１２は同じ構成であっても異なる
構成であってもよい。

電荷発生層５１３は、第１の電極５０１と第２の電極５０２に電圧を印加したときに、
一方の発光ユニットに電子を注入し、他方の発光ユニットに正孔を注入する機能を有する
。すなわち、図１（Ｃ）において、第１の電極の電位の方が第２の電極の電位よりも高く
なるように電圧を印加した場合、電荷発生層５１３は、第１の発光ユニット５１１に電子
を注入し、第２の発光ユニット５１２に正孔を注入するものであればよい。

電荷発生層５１３は、図１（Ｂ）にて説明した電荷発生層１１６と同様の構成で形成す
ることが好ましい。有機化合物と金属酸化物の複合材料は、キャリア注入性、キャリア輸
送性に優れているため、低電圧駆動、低電流駆動を実現することができる。なお、発光ユ
ニットの陽極側の面が電荷発生層５１３に接している場合は、電荷発生層５１３が発光ユ
ニットの正孔注入層の役割も担うことができるため、発光ユニットは正孔輸送層を設けな
くとも良い。

また、電子注入バッファ層１１９を設ける場合、当該層が陽極側の発光ユニットにおけ
る電子注入層の役割を担うため、当該発光ユニットには必ずしも重ねて電子注入層を形成
する必要はない。

なお、発光ユニット中、電荷発生層５１３における陽極側の面に接する層（代表的には
陽極側の発光ユニットにおける電子輸送層）に実施の形態で説明した本発明の一態様の有
機化合物が含まれることによって、駆動時間の蓄積に伴う輝度劣化を抑制することが可能
となり、信頼性の良好な発光素子を得ることができる。

図１（Ｃ）では、２つの発光ユニットを有する発光素子について説明したが、３つ以上
の発光ユニットを積層した発光素子についても、同様に適用することが可能である。本実
施の形態に係る発光素子のように、一対の電極間に複数の発光ユニットを電荷発生層５１
３で仕切って配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度発光を可能とし、さら
に長寿命な素子を実現できる。また、低電圧駆動が可能で消費電力が低い発光装置を実現
することができる。

また、それぞれの発光ユニットの発光色を異なるものにすることで、発光素子全体とし
て、所望の色の発光を得ることができる。例えば、２つの発光ユニットを有する発光素子
において、第１の発光ユニットで赤と緑の発光色、第２の発光ユニットで青の発光色を得
ることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも容易である。

≪微小光共振器（マイクロキャビティ）構造≫
マイクロキャビティ構造を有する発光素子は、上記一対の電極を、反射電極と半透過・
半反射電極とから構成することにより得られる。反射電極と半透過・半反射電極は上述の
第１の電極と第２の電極に相当する。反射電極と半透過・半反射電極との間には少なくと
もＥＬ層を有し、ＥＬ層は少なくとも発光領域となる発光層を有している。

ＥＬ層に含まれる発光層から射出される発光は、反射電極と半透過・半反射電極とによっ
て反射され、共振する。なお、反射電極は、反射性を有する導電性材料により形成し、そ
れに対する可視光の反射率が４０％乃至１００％、好ましくは７０％乃至１００％であり
、かつその抵抗率が１×１０^−２Ωｃｍ以下であるとする。また、半透過・半反射電極は
、反射性および光透過性を有する導電性材料により形成され、それに対する可視光の反射
率が２０％乃至８０％、好ましくは４０％乃至７０％であり、かつその抵抗率が１×１０
^−２Ωｃｍ以下であるとする。

また、当該発光素子は、透明導電膜や上述の複合材料、キャリア輸送材料などの厚みを
変えることで反射電極と半透過・半反射電極の間の光学的距離を変えることができる。こ
れにより、反射電極と半透過・半反射電極との間において、共振する波長の光を強め、共
振しない波長の光を減衰させることができる。

なお、発光層から発する光のうち、反射電極によって反射されて戻ってきた光（第１の
反射光）は、発光層から半透過・半反射電極に直接入射する光（第１の入射光）と大きな
干渉を起こすため、反射電極と発光層の光学的距離を（２ｎ−１）λ／４（ただし、ｎは
１以上の自然数、λは増幅したい色の波長）に調節することが好ましい。これにより、第
１の反射光と第１の入射光との位相を合わせ発光層からの発光をより増幅させることがで
きる。

なお、上記構成においては、ＥＬ層に複数の発光層を有する構造であっても、単一の発
光層を有する構造であっても良く、例えば、上述のタンデム型発光素子の構成と組み合わ
せて、一つの発光素子に電荷発生層を挟んで複数のＥＬ層を設け、それぞれのＥＬ層に単
数もしくは複数の発光層を形成する構成に適用してもよい。

≪発光装置≫
本発明の一態様の発光装置について図２を用いて説明する。なお、図２（Ａ）は、発光
装置を示す上面図、図２（Ｂ）は図２（Ａ）をＡ−ＢおよびＣ−Ｄで切断した断面図であ
る。この発光装置は、発光素子の発光を制御するものとして、点線で示された駆動回路部
（ソース線駆動回路）６０１、画素部６０２、駆動回路部（ゲート線駆動回路）６０３を
含んでいる。また、６０４は封止基板、６０５はシール材であり、シール材６０５で囲ま
れた内側は、空間６０７になっている。

なお、引き回し配線６０８はソース線駆動回路６０１及びゲート線駆動回路６０３に入
力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプ
リントサーキット）６０９からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号
等を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント
配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光
装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものと
する。

次に、断面構造について図２（Ｂ）を用いて説明する。素子基板６１０上には駆動回路
部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース線駆動回路６０１
と、画素部６０２中の一つの画素が示されている。

なお、ソース線駆動回路６０１はｎチャネル型ＦＥＴ６２３とｐチャネル型ＦＥＴ６２
４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、駆動回路は、種々のＣＭＯＳ回路
、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板
上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を
基板上ではなく外部に形成することもできる。

また、画素部６０２はスイッチング用ＦＥＴ６１１と、電流制御用ＦＥＴ６１２とその
ドレインに電気的に接続された第１の電極６１３とを含む複数の画素により形成されてい
るが、これに限定されず、３つ以上のＦＥＴと、容量素子とを組み合わせた画素部として
もよい。

ＦＥＴに用いる半導体の種類及び結晶性については特に限定されず、非晶質半導体を用
いてもよいし、結晶性半導体を用いてもよい。ＦＥＴに用いる半導体の例としては、第１
３族半導体、第１４族半導体、化合物半導体、酸化物半導体、有機半導体材料を用いるこ
とができるが、特に、酸化物半導体を用いると好ましい。該酸化物半導体としては、例え
ば、Ｉｎ−Ｇａ酸化物、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃ
ｅ、またはＮｄ）等が挙げられる。なお、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは
２．５ｅＶ以上、さらに好ましくは３ｅＶ以上の酸化物半導体材料を用いることで、トラ
ンジスタのオフ電流を低減することができるため、好ましい構成である。

なお、第１の電極６１３の端部を覆って絶縁物６１４が形成されている。ここでは、ポ
ジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成することができる。

また、被覆性を良好なものとするため、絶縁物６１４の上端部または下端部に曲率を有
する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物６１４の材料としてポジ型の感光性ア
クリルを用いた場合、絶縁物６１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ乃至３μｍ）を
有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物６１４として、ネガ型の感光性樹脂
、或いはポジ型の感光性樹脂のいずれも使用することができる。

第１の電極６１３上には、ＥＬ層６１６及び第２の電極６１７がそれぞれ形成されてい
る。これらはそれぞれ図１（Ａ）又は図１（Ｂ）で説明した第１の電極１０１、ＥＬ層１
０３及び第２の電極１０２に相当する。

ＥＬ層６１６には本発明の一態様の有機金属錯体が含まれることが好ましい。当該有機
金属錯体は、発光層における発光中心物質として用いられることが好ましい。

さらにシール材６０５で封止基板６０４を素子基板６１０と貼り合わせることにより、
素子基板６１０、封止基板６０４、およびシール材６０５で囲まれた空間６０７に発光素
子６１８が備えられた構造になっている。なお、空間６０７には、充填材が充填されてお
り、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材６０５で充填され
る場合もある。封止基板には凹部を形成し、そこに乾燥材を設けると水分の影響による劣
化を抑制することができ、好ましい構成である。

シール材６０５にはエポキシ系樹脂やガラスフリットを用いるのが好ましい。また、こ
れらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、素子
基板６１０及び封止基板６０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（
Ｆｉｂｅｒ Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライ
ド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。

例えば、本明細書等において、様々な基板を用いて、トランジスタや発光素子を形成す
ることが出来る。基板の種類は、特定のものに限定されることはない。その基板の一例と
しては、半導体基板（例えば単結晶基板又はシリコン基板）、ＳＯＩ基板、ガラス基板、
石英基板、プラスチック基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル
・ホイルを有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓性
基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、又は基材フィルムなどがある。ガラ
ス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソ
ーダライムガラスなどがある。可撓性基板、貼り合わせフィルム、基材フィルムなどの一
例としては、以下のものがあげられる。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）
、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）に代表され
るプラスチックがある。または、一例としては、アクリル等の合成樹脂などがある。また
は、一例としては、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリプロピレン、ポリエ
ステル、ポリフッ化ビニル、又はポリ塩化ビニルなどがある。または、一例としては、ポ
リアミド、ポリイミド、アラミド、エポキシ、無機蒸着フィルム、又は紙類などがある。
特に、半導体基板、単結晶基板、又はＳＯＩ基板などを用いてトランジスタを製造するこ
とによって、特性、サイズ、又は形状などのばらつきが少なく、電流能力が高く、サイズ
の小さいトランジスタを製造することができる。このようなトランジスタによって回路を
構成すると、回路の低消費電力化、又は回路の高集積化を図ることができる。

また、基板として、可撓性基板を用い、可撓性基板上に直接、トランジスタや発光素子
を形成してもよい。または、基板とトランジスタの間や、基板と発光素子の間に剥離層を
設けてもよい。剥離層は、その上に半導体装置を一部あるいは全部完成させた後、基板よ
り分離し、他の基板に転載するために用いることができる。その際、トランジスタは耐熱
性の劣る基板や可撓性の基板にも転載できる。なお、上述の剥離層には、例えば、タング
ステン膜と酸化シリコン膜との無機膜の積層構造の構成や、基板上にポリイミド等の有機
樹脂膜が形成された構成等を用いることができる。

つまり、ある基板を用いてトランジスタや発光素子を形成し、その後、別の基板にトラン
ジスタや発光素子を転置し、別の基板上にトランジスタや発光素子を配置してもよい。ト
ランジスタや発光素子が転置される基板の一例としては、上述したトランジスタを形成す
ることが可能な基板に加え、紙基板、セロファン基板、アラミドフィルム基板、ポリイミ
ドフィルム基板、石材基板、木材基板、布基板（天然繊維（絹、綿、麻）、合成繊維（ナ
イロン、ポリウレタン、ポリエステル）若しくは再生繊維（アセテート、キュプラ、レー
ヨン、再生ポリエステル）などを含む）、皮革基板、又はゴム基板などがある。これらの
基板を用いることにより、特性のよいトランジスタの形成、消費電力の小さいトランジス
タの形成、壊れにくい装置の製造、耐熱性の付与、軽量化、又は薄型化を図ることができ
る。

図３には白色発光を呈する発光素子を形成し、着色層（カラーフィルタ）等を設けるこ
とによってフルカラー化した発光装置の例を示す。図３（Ａ）には基板１００１、下地絶
縁膜１００２、ゲート絶縁膜１００３、ゲート電極１００６、１００７、１００８、第１
の層間絶縁膜１０２０、第２の層間絶縁膜１０２１、周辺部１０４２、画素部１０４０、
駆動回路部１０４１、発光素子の第１の電極１０２４Ｗ、１０２４Ｒ、１０２４Ｇ、１０
２４Ｂ、隔壁１０２５、ＥＬ層１０２８、発光素子の第２の電極１０２９、封止基板１０
３１、シール材１０３２などが図示されている。

また、図３（Ａ）では着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、青
色の着色層１０３４Ｂ）は透明な基材１０３３に設けている。また、黒色層（ブラックマ
トリックス）１０３５をさらに設けても良い。着色層及び黒色層が設けられた透明な基材
１０３３は、位置合わせし、基板１００１に固定する。なお、着色層、及び黒色層は、オ
ーバーコート層１０３６で覆われている。また、図３（Ａ）においては、光が着色層を透
過せずに外部へと出る発光層と、各色の着色層を透過して外部に光が出る発光層とがあり
、着色層を透過しない光は白、着色層を透過する光は赤、青、緑となることから、４色の
画素で映像を表現することができる。

なお、本発明の一態様の有機金属錯体を発光物質の一つとして用いた発光素子は、発光
効率の高い発光素子とすることができ、消費電力の小さな発光素子とすることもできる。

図３（Ｂ）では着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、青色の着
色層１０３４Ｂ）をゲート絶縁膜１００３と第１の層間絶縁膜１０２０との間に形成する
例を示した。このように、着色層は基板１００１と封止基板１０３１の間に設けられてい
ても良い。

また、以上に説明した発光装置では、ＦＥＴが形成されている基板１００１側に光を取
り出す構造（ボトムエミッション型）の発光装置としたが、封止基板１０３１側に発光を
取り出す構造（トップエミッション型）の発光装置としても良い。トップエミッション型
の発光装置の断面図を図４に示す。この場合、基板１００１は光を通さない基板を用いる
ことができる。ＦＥＴと発光素子の陽極とを接続する接続電極を作製するまでは、ボトム
エミッション型の発光装置と同様に形成する。その後、第３の層間絶縁膜１０３７を電極
１０２２を覆って形成する。この絶縁膜は平坦化の役割を担っていても良い。第３の層間
絶縁膜１０３７は第２の層間絶縁膜と同様の材料の他、他の様々な材料を用いて形成する
ことができる。

発光素子の第１の電極１０２４Ｗ、１０２４Ｒ、１０２４Ｇ、１０２４Ｂはここでは陽
極とするが、陰極であっても構わない。また、図４のようなトップエミッション型の発光
装置である場合、第１の電極を反射電極とすることが好ましい。ＥＬ層１０２８の構成は
、図１（Ａ）または図１（Ｂ）のＥＬ層１０３として説明したような構成とし、且つ、白
色の発光が得られるような素子構造とする。

図４のようなトップエミッションの構造では着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の
着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ）を設けた封止基板１０３１で封止を行うこ
とができる。封止基板１０３１には画素と画素との間に位置するように黒色層（ブラック
マトリックス）１０３５を設けても良い。着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色
層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ）や黒色層（ブラックマトリックス）はオーバー
コート層によって覆われていても良い。なお封止基板１０３１は透光性を有する基板を用
いることとする。

また、ここでは赤、緑、青、白の４色でフルカラー表示を行う例を示したが特に限定さ
れず、赤、緑、青の３色や赤、緑、青、黄の４色でフルカラー表示を行ってもよい。

図５には本発明の一態様であるパッシブマトリクス型の発光装置を示す。なお、図５（
Ａ）は、発光装置を示す斜視図、図５（Ｂ）は図５（Ａ）をＸ−Ｙで切断した断面図であ
る。図５において、基板９５１上には、電極９５２と電極９５６との間にはＥＬ層９５５
が設けられている。電極９５２の端部は絶縁層９５３で覆われている。そして、絶縁層９
５３上には隔壁層９５４が設けられている。隔壁層９５４の側壁は、基板面に近くなるに
伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなっていくような傾斜を有する。つまり
、隔壁層９５４の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺（絶縁層９５３の面方向と同様
の方向を向き、絶縁層９５３と接する辺）の方が上辺（絶縁層９５３の面方向と同様の方
向を向き、絶縁層９５３と接しない辺）よりも短い。このように、隔壁層９５４を設ける
ことで、静電気等に起因した発光素子の不良を防ぐことが出来る。

以上、説明した発光装置は、マトリクス状に配置された多数の微小な発光素子を、画素
部に形成されたＦＥＴでそれぞれ制御することが可能であるため、画像の表現を行う表示
装置として好適に利用できる発光装置である。

≪照明装置≫
本発明の一態様である照明装置を図６を参照しながら説明する。図６（Ｂ）は照明装置
の上面図、図６（Ａ）は図６（Ｂ）におけるｅ−ｆ断面図である。

当該照明装置は、支持体である透光性を有する基板４００上に、第１の電極４０１が形
成されている。第１の電極４０１は図１（Ａ）、（Ｂ）の第１の電極１０１に相当する。
第１の電極４０１側から発光を取り出す場合、第１の電極４０１は透光性を有する材料に
より形成する。

第２の電極４０４に電圧を供給するためのパッド４１２が基板４００上に形成される。

第１の電極４０１上にはＥＬ層４０３が形成されている。ＥＬ層４０３は図１（Ａ）、
（Ｂ）のＥＬ層１０３などに相当する。なお、これらの構成については当該記載を参照さ
れたい。

ＥＬ層４０３を覆って第２の電極４０４を形成する。第２の電極４０４は図１（Ａ）の
第２の電極１０２に相当する。発光を第１の電極４０１側から取り出す場合、第２の電極
４０４は反射率の高い材料を含んで形成される。第２の電極４０４はパッド４１２と接続
することによって、電圧が供給される。

第１の電極４０１、ＥＬ層４０３及び第２の電極４０４によって発光素子が形成される
。当該発光素子を、シール材４０５、４０６を用いて封止基板４０７を固着し、封止する
ことによって照明装置が完成する。シール材４０５、４０６はどちらか一方でもかまわな
い。また、内側のシール材４０６（図６（Ｂ）では図示せず）には乾燥剤を混ぜることも
でき、これにより、水分を吸着することができ、信頼性の向上につながる。

また、パッド４１２と第１の電極４０１の一部をシール材４０５、４０６の外に伸張し
て設けることによって、外部入力端子とすることができる。また、その上にコンバーター
などを搭載したＩＣチップ４２０などを設けても良い。

≪電子機器≫
本発明の一態様である電子機器の例について説明する。電子機器として、例えば、テレ
ビジョン装置（テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモ
ニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（
携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パ
チンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を以下に示す
。

図７（Ａ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置は、筐体７１０
１に表示部７１０３が組み込まれている。また、ここでは、スタンド７１０５により筐体
７１０１を支持した構成を示している。表示部７１０３により、映像を表示することが可
能であり、表示部７１０３は、発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。

テレビジョン装置の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作
機７１１０により行うことができる。リモコン操作機７１１０が備える操作キー７１０９
により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部７１０３に表示される映像を
操作することができる。また、リモコン操作機７１１０に、当該リモコン操作機７１１０
から出力する情報を表示する表示部７１０７を設ける構成としてもよい。

なお、テレビジョン装置は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般
のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信
ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者
と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。

図７（Ｂ１）はコンピュータであり、本体７２０１、筐体７２０２、表示部７２０３、キ
ーボード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６等を含む
。なお、このコンピュータは、発光素子をマトリクス状に配列して表示部７２０３に用い
ることにより作製される。図７（Ｂ１）のコンピュータは、図７（Ｂ２）のような形態で
あっても良い。図７（Ｂ２）のコンピュータは、キーボード７２０４、ポインティングデ
バイス７２０６の代わりに第２の表示部７２１０が設けられている。第２の表示部７２１
０はタッチパネル式となっており、第２の表示部７２１０に表示された入力用の表示を指
や専用のペンで操作することによって入力を行うことができる。また、第２の表示部７２
１０は入力用表示だけでなく、その他の画像を表示することも可能である。また表示部７
２０３もタッチパネルであっても良い。二つの画面がヒンジで接続されていることによっ
て、収納や運搬をする際に画面を傷つける、破損するなどのトラブルの発生も防止するこ
とができる。

図７（Ｃ）（Ｄ）は、携帯情報端末の一例を示している。携帯情報端末は、筐体７４０１
に組み込まれた表示部７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、ス
ピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯情報端末は、発光素子を
マトリクス状に配列して作製された表示部７４０２を有している。

図７（Ｃ）及び（Ｄ）に示す携帯情報端末は、表示部７４０２を指などで触れることで、
情報を入力することができる構成とすることもできる。この場合、電話を掛ける、或いは
メールを作成するなどの操作は、表示部７４０２を指などで触れることにより行うことが
できる。

表示部７４０２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする表
示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表示
モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。

例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部７４０２を文字の入力を
主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合
、表示部７４０２の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好
ましい。

また、携帯電話機内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検
出装置を設けることで、携帯電話機の向き（縦か横か）を判断して、表示部７４０２の画
面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。

また、画面モードの切り替えは、表示部７４０２を触れること、又は筐体７４０１の操作
ボタン７４０３の操作により行われる。また、表示部７４０２に表示される画像の種類に
よって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画の
データであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。

また、入力モードにおいて、表示部７４０２の光センサで検出される信号を検知し、表示
部７４０２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モード
から表示モードに切り替えるように制御してもよい。

表示部７４０２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部７４
０２に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。ま
た、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシング用光
源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。

なお、上記電子機器は、本明細書中に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる
。

また、表示部に本発明の一態様の有機金属錯体を含む発光素子を用いることが好ましい
。当該発光素子は発光効率が良好な発光素子とすることが可能である。また、駆動電圧の
小さい発光素子とすることが可能である。このため、本発明の一態様の有機金属錯体を含
む電子機器は消費電力の小さい電子機器とすることができる。

図８は、発光素子をバックライトに適用した液晶表示装置の一例である。図８に示した
液晶表示装置は、筐体９０１、液晶層９０２、バックライトユニット９０３、筐体９０４
を有し、液晶層９０２は、ドライバＩＣ９０５と接続されている。バックライトユニット
９０３には、発光素子が用いられおり、端子９０６により、電流が供給されている。

発光素子には本発明の一態様の有機金属錯体を含む発光素子を用いることが好ましく、
当該発光素子を液晶表示装置のバックライトに適用することにより、消費電力の低減され
たバックライトが得られる。

図９は、本発明の一態様である電気スタンドの例である。図９に示す電気スタンドは、
筐体２００１と、光源２００２を有し、光源２００２として発光素子を用いた照明装置が
用いられている。

図１０は、室内の照明装置３００１の例である。当該照明装置３００１には本発明の一
態様の有機金属錯体を含む発光素子を用いることが好ましい。

本発明の一態様である自動車を図１１に示す。当該自動車はフロントガラスやダッシュ
ボードに発光素子が搭載されている。表示領域５０００乃至表示領域５００５は発光素子
を用いて設けられた表示領域である。本発明の一態様の有機金属錯体を用いることが好ま
しく、当該有機金属錯体を用いることによって消費電力の小さい発光素子とすることがで
きる。また、これにより表示領域５０００乃至表示領域５００５は消費電力を抑えられる
ため、車載に好適である。

表示領域５０００と表示領域５００１は、自動車のフロントガラスに設けられた、発光
素子を用いる表示装置である。この発光素子を、第１の電極と第２の電極を透光性を有す
る電極で作製することによって、反対側が透けて見える、いわゆるシースルー状態の表示
装置とすることができる。シースルー状態の表示であれば、自動車のフロントガラスに設
置したとしても、視界の妨げになることなく設置することができる。なお、駆動のための
トランジスタなどを設ける場合には、有機半導体材料による有機トランジスタや、酸化物
半導体を用いたトランジスタなど、透光性を有するトランジスタを用いると良い。

表示領域５００２はピラー部分に設けられた発光素子を用いる表示装置である。表示領
域５００２には、車体に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、ピラー
で遮られた視界を補完することができる。また、同様に、ダッシュボード部分に設けられ
た表示領域５００３は車体によって遮られた視界を、自動車の外側に設けられた撮像手段
からの映像を映し出すことによって、死角を補い、安全性を高めることができる。見えな
い部分を補完するように映像を映すことによって、より自然に違和感なく安全確認を行う
ことができる。

表示領域５００４や表示領域５００５はナビゲーション情報、速度計や回転数、走行距
離、給油量、ギア状態、空調の設定など、その他様々な情報を提供することができる。表
示は使用者の好みに合わせて適宜その表示項目やレイアウトを変更することができる。な
お、これら情報は表示領域５０００乃至表示領域５００３にも設けることができる。また
、表示領域５０００乃至表示領域５００５は照明装置として用いることも可能である。

図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）は２つ折り可能なタブレット型端末の一例である。図１
２（Ａ）は、開いた状態であり、タブレット型端末は、筐体９６３０、表示部９６３１ａ
、表示部９６３１ｂ、表示モード切り替えスイッチ９０３４、電源スイッチ９０３５、省
電力モード切り替えスイッチ９０３６、留め具９０３３、操作スイッチ９０３８、を有す
る。なお、当該タブレット端末は、本発明の一態様の有機金属錯体を含む発光素子を備え
た発光装置を表示部９６３１ａ、表示部９６３１ｂの一方又は両方に用いることにより作
製される。

表示部９６３１ａは、一部をタッチパネル領域９６３２ａとすることができ、表示され
た操作キー９６３７にふれることでデータ入力をすることができる。なお、表示部９６３
１ａにおいては、一例として半分の領域が表示のみの機能を有する構成、もう半分の領域
がタッチパネルの機能を有する構成を示しているが該構成に限定されない。表示部９６３
１ａの全ての領域がタッチパネルの機能を有する構成としても良い。例えば、表示部９６
３１ａの全面をキーボードボタン表示させてタッチパネルとし、表示部９６３１ｂを表示
画面として用いることができる。

また、表示部９６３１ｂにおいても表示部９６３１ａと同様に、表示部９６３１ｂの一
部をタッチパネル領域９６３２ｂとすることができる。また、タッチパネルのキーボード
表示切り替えボタン９６３９が表示されている位置に指やスタイラスなどでふれることで
表示部９６３１ｂにキーボードボタンを表示することができる。

また、タッチパネル領域９６３２ａとタッチパネル領域９６３２ｂに対して同時にタッ
チ入力することもできる。

また、表示モード切り替えスイッチ９０３４は、縦表示または横表示などの表示の向き
を切り替え、白黒表示やカラー表示の切り替えなどを選択できる。省電力モード切り替え
スイッチ９０３６は、タブレット型端末に内蔵している光センサで検出される使用時の外
光の光量に応じて表示の輝度を最適なものとすることができる。タブレット型端末は光セ
ンサだけでなく、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサなどの他の検出装置
を内蔵させてもよい。

また、図１２（Ａ）では表示部９６３１ｂと表示部９６３１ａの表示面積が同じ例を示
しているが特に限定されず、一方のサイズともう一方のサイズが異なっていてもよく、表
示の品質も異なっていてもよい。例えば一方が他方よりも高精細な表示を行える表示パネ
ルとしてもよい。

図１２（Ｂ）は、閉じた状態であり、本実施の形態におけるタブレット型端末では、筐
体９６３０、太陽電池９６３３、充放電制御回路９６３４、バッテリー９６３５、ＤＣＤ
Ｃコンバータ９６３６を備える例を示す。なお、図１２（Ｂ）では充放電制御回路９６３
４の一例としてバッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６を有する構成について
示している。

なお、タブレット型端末は２つ折り可能なため、未使用時に筐体９６３０を閉じた状態
にすることができる。従って、表示部９６３１ａ、表示部９６３１ｂを保護できるため、
耐久性に優れ、長期使用の観点からも信頼性の優れたタブレット型端末を提供できる。

また、この他にも図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）に示したタブレット型端末は、様々な
情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示する機能、カレンダー、日付又は時刻な
どを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報をタッチ入力操作又は編集するタッチ
入力機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、等を有する
ことができる。

タブレット型端末の表面に装着された太陽電池９６３３によって、電力をタッチパネル
、表示部、または映像信号処理部等に供給することができる。なお、太陽電池９６３３は
、筐体９６３０の一面または二面に設けられていると効率的なバッテリー９６３５の充電
を行う構成とすることができるため好適である。

また、図１２（Ｂ）に示す充放電制御回路９６３４の構成、及び動作について図１２（
Ｃ）にブロック図を示し説明する。図１２（Ｃ）には、太陽電池９６３３、バッテリー９
６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６、コンバータ９６３８、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ３
、表示部９６３１について示しており、バッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３
６、コンバータ９６３８、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ３が、図１２（Ｂ）に示す充放電制御
回路９６３４に対応する箇所となる。

まず外光により太陽電池９６３３により発電がされる場合の動作の例について説明する
。太陽電池で発電した電力は、バッテリー９６３５を充電するための電圧となるようＤＣ
ＤＣコンバータ９６３６で昇圧または降圧がなされる。そして、表示部９６３１の動作に
太陽電池９６３３で充電された電力が用いられる際にはスイッチＳＷ１をオンにし、コン
バータ９６３８で表示部９６３１に必要な電圧に昇圧または降圧をすることとなる。また
、表示部９６３１での表示を行わない際には、ＳＷ１をオフにし、ＳＷ２をオンにしてバ
ッテリー９６３５の充電を行う構成とすればよい。

なお、太陽電池９６３３については、発電手段の一例として示したが、発電手段は特に
限定されず、圧電素子（ピエゾ素子）や熱電変換素子（ペルティエ素子）などの他の発電
手段によってバッテリー９６３５の充電を行う構成であってもよい。無線（非接触）で電
力を送受信して充電する無接点電力伝送モジュールや、また他の充電手段を組み合わせて
行う構成としてもよく、発電手段を有さなくとも良い。

なお、本発明の一態様の有機金属錯体は有機薄膜太陽電池に用いることができる。より
具体的には、キャリア輸送性があるため、キャリア輸送層に用いることができる。また、
光励起するため、発電層として用いることができる。

また、上記表示部９６３１を具備していれば、図１２に示した形状のタブレット型端末
に限定されない。

また、図１３（Ａ）〜（Ｃ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末９３１０を示す。図１３
（Ａ）に展開した状態の携帯情報端末９３１０を示す。図１３（Ｂ）に展開した状態又は
折りたたんだ状態の一方から他方に変化する途中の状態の携帯情報端末９３１０を示す。
図１３（Ｃ）に折りたたんだ状態の携帯情報端末９３１０を示す。携帯情報端末９３１０
は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域
により表示の一覧性に優れる。

表示パネル９３１１はヒンジ９３１３によって連結された３つの筐体９３１５に支持され
ている。なお、表示パネル９３１１は、タッチセンサ（入力装置）を搭載したタッチパネ
ル（入出力装置）であってもよい。また、表示パネル９３１１は、ヒンジ９３１３を介し
て２つの筐体９３１５間を屈曲させることにより、携帯情報端末９３１０を展開した状態
から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。本発明の一態様の発光装置を
表示パネル９３１１に用いることができる。表示パネル９３１１における表示領域９３１
２は折りたたんだ状態の携帯情報端末９３１０の側面に位置する表示領域である。表示領
域９３１２には、情報アイコンや使用頻度の高いアプリやプログラムのショートカットな
どを表示させることができ、情報の確認やアプリなどの起動をスムーズに行うことができ
る。

≪合成例１≫
本合成例では、実施形態において構造式（１００）で表した本発明の一態様の有機金属錯
体である｛２−［６−（３，５−ジメチル−ピラゾール−１−イル−κＮ^２）−１，２−
フェニレン−κＣ^１］オキシ［１０−（２−ピリジニル−κＮ）−フェノチアジン−２，
１−ジイル−κＣ^１］｝白金（ＩＩ）（略称：［Ｐｔ（ｐｐｔＯｐｐｚ）］）の合成例を
具体的に例示する。以下に［Ｐｔ（ｐｐｔＯｐｐｚ）］の構造式を示す。

＜ステップ１：２−メトキシ−１０−（ピリジン−２−イル）−フェノチアジンの合成＞
まず、２−メトキシフェノチアジン３．１ｇ、２−ヨードピリジン３．１ｇ、ナトリウム
−ｔ−ブトキシド２．０ｇを、還流管を付けた三口フラスコ内に入れ、フラスコ内を窒素
置換した。この混合物に、トルエン９７ｍＬ、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，
６’−ジメトキシビフェニル（製品名：ＳＰｈｏｓ）０．５６ｇ、トリス（ジベンジリデ
ンアセトン）ジパラジウム（０）（略称：Ｐｄ_２（ｄｂａ）_３）０．６２ｇを加え、１３
０℃で１４時間加熱攪拌した。得られた混合物に水を加え、酢酸エチルにて有機層を抽出
した。抽出液を飽和食塩水にて洗浄した後、硫酸マグネシウムを加え、ろ過した。ろ液の
溶媒を留去し、得られた残渣を酢酸エチル：ヘキサン＝１：５を展開溶媒としたフラッシ
ュカラムクロマトグラフィーにて精製することにより目的物の茶色油状物を２．２ｇ、収
率５２％で得た。ステップ１の合成スキームを下記式（１−１）に示す。

＜ステップ２：２−ヒドロキシ−１０−（ピリジン−２−イル）−フェノチアジンの合成
＞
次に、２−メトキシ−１０−（ピリジン−２−イル）−フェノチアジン７．１ｇ、ピリ
ジン塩酸塩１３ｇを、還流管を付けた三口フラスコに入れ、フラスコ内を窒素置換し、１
７０℃で７時間加熱撹拌した。さらにピリジン塩酸塩２ｇを加え、１７０℃で６時間加熱
撹拌した。フラスコ内の温度を９０℃に下げ、そこで酢酸エチルと水を加え、３０分間攪
拌した。得られた混合溶液の有機層を酢酸エチルで抽出した。抽出液を飽和食塩水にて洗
浄し、硫酸マグネシウムを加え、ろ過した。ろ液の溶媒を留去し、得られた残渣に酢酸エ
チル：ヘキサン＝１：２の溶液を加え、ろ過した。このろ物を酢酸エチルに溶解しセライ
ト（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５３１−１６８５５）を充填させたろ過補助
剤に通した。ろ液の溶媒を留去し、トルエンにて再結晶することにより目的物の緑灰色固
体を３．０ｇ、収率：４５％で得た。ステップ２の合成スキームを下記式（１−２）に示
す。

＜ステップ３：１−（３−ヨードフェニル）−３，５−ジメチルピラゾールの合成＞
次に、１，３−ジヨードベンゼン５．０ｇ、３，５−ジメチルピラゾール１．６ｇ、酸化
銅（Ｉ）２２０ｍｇ、ピリジン−２−アルドキシム３７０ｍｇ、炭酸セシウム１２ｇを、
還流管を付けた三口フラスコに入れ、フラスコ内を窒素置換し、アセトニトリル３００ｍ
Ｌを加え、３７時間還流させた。得られた混合物をジクロロメタンに溶かし、セライトを
充填したろ過補助剤に通した。ろ液の溶媒を留去し、酢酸エチル：ヘキサン＝１：５を展
開溶媒としたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製することで目的物の褐色油状
物を３．０ｇ、収率：４０％で得た。ステップ３の合成スキームを下記式（１−３）に示
す。

＜ステップ４：２−［３−（３，５−ジメチルピラゾール−１−イル）フェノキシ］−１
０−（ピリジン−２−イル）−フェノチアジン（略称：ＨｐｐｔＯｐｐｚ）の合成＞
次に、２−ヒドロキシ−１０−（ピリジン−２−イル）−フェノチアジン１．０ｇ、１
−（３−ヨードフェニル）−３，５−ジメチルピラゾール１．３ｇ、ピコリン酸１．１ｇ
、リン酸カリウム３．６ｇを、還流管を付けた三口フラスコに入れ、フラスコ内を窒素置
換し、ジメチルスルホキシド１００ｍＬ、ヨウ化銅０．３３ｇを加え、１５０℃にて１４
時間加熱した。さらにピコリン酸１．１ｇ、リン酸カリウム３．６ｇ、ヨウ化銅０．３３
ｇを加え、１５０℃にて１５時間加熱した。得られた混合物に水を加え、酢酸エチルにて
有機層を抽出した。抽出液を飽和食塩水にて洗浄し、硫酸マグネシウムを加え、ろ過した
。ろ液の溶媒を留去し、得られた残渣を酢酸エチル：ヘキサン＝１：５を展開溶媒とした
フラッシュカラムクロマトグラフィーにて精製することにより目的物の黄色固体を１．３
ｇ、収率：８２％で得た。ステップ４の合成スキームを下記式（１−４）に示す。

＜ステップ５：｛２−［６−（３，５−ジメチル−ピラゾール−１−イル−κＮ^２）−１
，２−フェニレン−κＣ^１］オキシ［１０−（２−ピリジニル−κＮ）−フェノチアジン
−２，１−ジイル−κＣ^１］｝白金（ＩＩ）（略称：［Ｐｔ（ｐｐｔＯｐｐｚ）］）の合
成＞
次に、ＨｐｐｔＯｐｐｚ１．３ｇ、テトラクロロ白金（ＩＩ）酸カリウム１．３ｇ、氷酢
酸４０ｍＬをフラスコに入れ、フラスコ内を窒素置換し、５６時間還流させた。得られた
混合物に水を加え２０分間撹拌し、ろ過した。このろ物を、ジクロロメタン：ヘキサン＝
７：５を展開溶媒とした中性シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。得られ
た目的物のフラクションから溶媒を留去し、クロロホルム、ジクロロメタン、メタノール
、ヘキサンの混合溶媒にて再結晶したところ黄白色固体を０．４２ｇ、収率：２１％で得
た。ステップ５の合成スキームを下記式（１−５）に示す。

なお、上記ステップ５で得られた黄白色固体の核磁気共鳴分光法（^１Ｈ−ＮＭＲ）による
分析結果を下記に示す。また、^１Ｈ−ＮＭＲチャートを図１４に示す。これにより、本発
明の一態様の有機金属錯体である［Ｐｔ（ｐｐｔＯｐｐｚ）］が得られたことがわかった
。

^１Ｈ−ＮＭＲ．δ（ＣＤＣｌ_３）：２．２３（ｓ，３Ｈ），２．６９（ｓ，３Ｈ），６．
１２（ｓ，１Ｈ），６．９０−６．９９（ｍ，４Ｈ），７．０１−７．０３（ｔ，１Ｈ）
，７．１２−７．１７（ｍ，５Ｈ），７．３４−７．３７（ｔ，１Ｈ），７．６４−７．
６７（ｔ，１Ｈ），８．８３（ｄｄ，１Ｈ）．

次に、［Ｐｔ（ｐｐｔＯｐｐｚ）］のジクロロメタン溶液の紫外可視吸収スペクトル（以
下、単に「吸収スペクトル」という）及び発光スペクトルを測定した。吸収スペクトルの
測定には、紫外可視分光光度計（（株）日本分光製 Ｖ５５０型）を用い、ジクロロメタ
ン溶液（０．０１５ｍｍｏｌ／Ｌ）を石英セルに入れ、室温で測定を行った。また、発光
スペクトルの測定には、蛍光光度計（（株）浜松ホトニクス製 ＦＳ９２０）を用い、脱
気したジクロロメタン溶液（０．０１５ｍｍｏｌ／Ｌ）を石英セルに入れ、室温で測定を
行った。得られた吸収スペクトル及び発光スペクトルの測定結果を図１５に示す。横軸は
波長、縦軸は吸収強度および発光強度を表す。また、図１５において２本の実線が示され
ているが、細い実線は吸収スペクトルを示し、太い実線は発光スペクトルを示している。
図１５に示す吸収スペクトルは、ジクロロメタン溶液（０．０１５ｍｍｏｌ／Ｌ）を石英
セルに入れて測定した吸収スペクトルから、ジクロロメタンのみを石英セルに入れて測定
した吸収スペクトルを差し引いた結果を示している。

図１５に示す通り、本発明の一態様の有機金属錯体［Ｐｔ（ｐｐｔＯｐｐｚ）］は、５６
６ｎｍに発光ピークを有しており、ジクロロメタン溶液からは黄色の発光が観測された。

次に、［Ｐｔ（ｐｐｔＯｐｐｚ）］の７７Ｋにおける発光スペクトルを測定した。発光ス
ペクトルの測定には、絶対ＰＬ量子収率測定装置（（株）浜松ホトニクス製 Ｑｕａｎｔ
ａｕｒｕｓ−ＱＹ Ｃ１１３４７−０１）を用い、脱気した２−メチルテトラヒドロフラ
ン溶液（０．０７９ｍｍｏｌ／Ｌ）を石英セルに入れ、測定を行った。得られた発光スペ
クトルの測定結果を図１６に示す。横軸は波長、縦軸は発光強度を表す。

図１６に示す通り、本発明の有機金属錯体［Ｐｔ（ｐｐｔＯｐｐｚ）］は、４５３ｎｍに
発光ピークを有しており、２−メチルテトラヒドロフラン溶液からは青色の発光が観測さ
れた。

なお、［Ｐｔ（ｐｐｔＯｐｐｚ）］は、その吸収スペクトルの４２０ｎｍ付近が三重項Ｍ
ＬＣＴ（ｍｅｔａｌ−ｔｏ ｌｉｇａｎｄ ｃｈａｒｇｅ ｔｒａｎｓｆｅｒ）吸収帯と
帰属できるため、りん光発光が可能である。

本実施例では、実施の形態で説明した本発明の一態様の有機金属錯体を用いた発光素子に
ついて説明する。発光素子１で用いた有機化合物の構造式を以下に示す。

（発光素子１の作製方法）
まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリン
グ法にて成膜し、第１の電極１０１を形成した。なお、その膜厚は７０ｎｍとし、電極面
積は２ｍｍ×２ｍｍとした。

次に、基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２００
℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。

その後、１０^−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着
装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板を３０分程度
放冷した。

次に、第１の電極１０１が形成された面が下方となるように、第１の電極１０１が形成さ
れた基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、第１の電極１０１上に、
抵抗加熱を用いた蒸着法により上記構造式（ｉ）で表される４，４’，４’’−（ベンゼ
ン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）と
酸化モリブデン（ＶＩ）とを重量比２：１（ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ：酸化モリブデン＝２：１
）となるように１５ｎｍ共蒸着して正孔注入層１１１を形成した。

次に、正孔注入層１１１上に、上記構造式（ｉｉ）で表される４，４’−ビス（９−カル
バゾール）−２，２’−ジメチルビフェニル（略称：ｄｍＣＢＰ）を膜厚２０ｎｍとなる
ように蒸着し正孔輸送層１１２を形成した。

続いて、上記構造式（ｉｉｉ）で表される５，１２−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール
−９−イル）フェニル］−５，１２−ジヒドロ−インドロ［３，２−ａ］カルバゾール（
略称：ｍＣｚＰ２ＩＣｚ）と、上記構造式（ｉｖ）で表される３，５−ビス［３−（９Ｈ
−カルバゾール−９−イル）フェニル］ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）と、上記構
造式（１００）で表される｛２−［６−（３，５−ジメチル−ピラゾール−１−イル−κ
Ｎ^２）−１，２−フェニレン−κＣ^１］オキシ［１０−（２−ピリジニル−κＮ）−フェ
ノチアジン−２，１−ジイル−κＣ^１］｝白金（ＩＩ）（略称：［Ｐｔ（ｐｐｔＯｐｐｚ
）］）とを、重量比０．５：０．５：０．０５（＝ｍＣｚＰ２ＩＣｚ：３５ＤＣｚＰＰｙ
：［Ｐｔ（ｐｐｔＯｐｐｚ）］）となるように３０ｎｍ共蒸着した後、３５ＤＣｚＰＰｙ
と［Ｐｔ（ｐｐｔＯｐｐｚ）］とを、重量比１：０．０５（＝３５ＤＣｚＰＰｙ：［Ｐｔ
（ｐｐｔＯｐｐｚ）］）となるように１０ｎｍ共蒸着して発光層１１３を形成した。

その後、発光層１１３上に、３５ＤＣｚＰＰｙを膜厚１０ｎｍとなるように蒸着した後、
上記構造式（ｖ）で表されるバソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）を膜厚１５ｎｍ
となるように蒸着し、電子輸送層１１４を形成した。

電子輸送層１１４を形成した後、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を膜厚１ｎｍとなるように蒸
着して電子注入層１１５を形成し、続いてアルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように
蒸着することで第２の電極１０２を形成して本実施例の発光素子１を作製した。

発光素子１の素子構造を以下の表にまとめる。

発光素子１を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されない
ようにガラス基板により封止する作業（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時にＵＶ処
理、８０℃にて１時間熱処理）を行った後、この発光素子の初期特性及び信頼性について
測定を行った。なお、測定は２５℃に保たれた雰囲気で行った。

発光素子１の輝度−電流密度特性を図１７に、電流効率−輝度特性を図１８に、輝度−
電圧特性を図１９に、電流−電圧特性を図２０に、外部量子効率−輝度特性を図２１に、
発光スペクトルを図２２に示す。

図１７乃至図２２より、発光素子１は緑色の発光を呈し、良好な効率で発光する発光素子
であることがわかった。

１０１ 第１の電極
１０２ 第２の電極
１０３ ＥＬ層
１１１ 正孔注入層
１１２ 正孔輸送層
１１３ 発光層
１１４ 電子輸送層
１１５ 電子注入層
１１６ 電荷発生層
１１７ Ｐ型層
１１８ 電子リレー層
１１９ 電子注入バッファ層
４００ 基板
４０１ 第１の電極
４０３ ＥＬ層
４０４ 第２の電極
４０５ シール材
４０６ シール材
４０７ 封止基板
４１２ パッド
４２０ ＩＣチップ
５０１ 第１の電極
５０２ 第２の電極
５１１ 第１の発光ユニット
５１２ 第２の発光ユニット
５１３ 電荷発生層
６０１ 駆動回路部（ソース線駆動回路）
６０２ 画素部
６０３ 駆動回路部（ゲート線駆動回路）
６０４ 封止基板
６０５ シール材
６０７ 空間
６０８ 配線
６０９ ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
６１０ 素子基板
６１１ スイッチング用ＦＥＴ
６１２ 電流制御用ＦＥＴ
６１３ 第１の電極
６１４ 絶縁物
６１６ ＥＬ層
６１７ 第２の電極
６１８ 発光素子
６２３ ｎチャネル型ＦＥＴ
６２４ ｐチャネル型ＦＥＴ
９０１ 筐体
９０２ 液晶層
９０３ バックライトユニット
９０４ 筐体
９０５ ドライバＩＣ
９０６ 端子
９５１ 基板
９５２ 電極
９５３ 絶縁層
９５４ 隔壁層
９５５ ＥＬ層
９５６ 電極
１００１ 基板
１００２ 下地絶縁膜
１００３ ゲート絶縁膜
１００６ ゲート電極
１００７ ゲート電極
１００８ ゲート電極
１０２０ 第１の層間絶縁膜
１０２１ 第２の層間絶縁膜
１０２２ 電極
１０２４Ｗ 発光素子の第１の電極
１０２４Ｒ 発光素子の第１の電極
１０２４Ｇ 発光素子の第１の電極
１０２４Ｂ 発光素子の第１の電極
１０２５ 隔壁
１０２８ ＥＬ層
１０２９ 発光素子の第２の電極
１０３１ 封止基板
１０３２ シール材
１０３３ 透明な基材
１０３４Ｒ 赤色の着色層
１０３４Ｇ 緑色の着色層
１０３４Ｂ 青色の着色層
１０３５ 黒色層（ブラックマトリックス）
１０３７ 第３の層間絶縁膜
１０４０ 画素部
１０４１ 駆動回路部
１０４２ 周辺部
２００１ 筐体
２００２ 光源
３００１ 照明装置
５０００ 表示領域
５００１ 表示領域
５００２ 表示領域
５００３ 表示領域
５００４ 表示領域
５００５ 表示領域
７１０１ 筐体
７１０３ 表示部
７１０５ スタンド
７１０７ 表示部
７１０９ 操作キー
７１１０ リモコン操作機
７２０１ 本体
７２０２ 筐体
７２０３ 表示部
７２０４ キーボード
７２０５ 外部接続ポート
７２０６ ポインティングデバイス
７２１０ 第２の表示部
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ 操作ボタン
７４０４ 外部接続ポート
７４０５ スピーカ
７４０６ マイク
９０３３ 留め具
９０３４ スイッチ
９０３５ 電源スイッチ
９０３６ スイッチ
９０３８ 操作スイッチ
９３１０ 携帯情報端末
９３１１ 表示パネル
９３１２ 表示領域
９３１３ ヒンジ
９３１５ 筐体
９６３０ 筐体
９６３１ 表示部
９６３１ａ 表示部
９６３１ｂ 表示部
９６３２ａ タッチパネル領域
９６３２ｂ タッチパネル領域
９６３３ 太陽電池
９６３４ 充放電制御回路
９６３５ バッテリー
９６３６ ＤＣＤＣコンバータ
９６３７ 操作キー
９６３８ コンバータ
９６３９ ボタン

Claims (2)

1. 一対の電極間に発光層を有し、
   前記発光層は、ホスト材料と、白金錯体と、を有し、
   前記白金錯体は、
   フェノチアジン骨格又はフェノキサジン骨格を含む４配位の配位子が白金に配位し、
   前記配位子は、前記フェノチアジン骨格又は前記フェノキサジン骨格の１０位の窒素にピリジル基を有し、２位の炭素にフェノキシ基を有し、
   前記フェノキシ基は３位に五員複素芳香環残基を有し、
   前記五員複素芳香環残基は、その骨格中に２又は３の窒素原子を有し、
   前記フェノチアジン骨格又は前記フェノキサジン骨格の１位の炭素及び前記フェノキシ基の２位の炭素が前記白金と結合し、
   前記ピリジル基の窒素と前記五員複素芳香環残基の窒素又はカルベン炭素が前記白金に配位する、発光素子。
2. 請求項１において、
   前記白金錯体は、黄色から青色のりん光を呈することができる、発光素子。

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