JP6877166B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 95
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 44
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 298
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 270
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 33
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 221
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 31
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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Description
先ず、第1の実施形態について説明する。第1の実施形態は、CMOSイメージセンサーに好適な半導体装置及びその製造方法に関する。図1A及び図1Bは、第1の実施形態に係る半導体装置を示す図である。図1A(a)は画素の配列を示す図であり、図1A(b)は画素内の構成を示す回路図であり、図1B(c)は画素内のレイアウトを示す図であり、図1B(d)は図1B(c)中のI−I線に沿った断面図である。
次に、第2の実施形態について説明する。第2の実施形態は、CMOSイメージセンサーに好適な半導体装置及びその製造方法に関する。なお、説明の便宜上、半導体装置の構造をその製造方法と共に説明する。図7A乃至図7Cは、第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。図7A乃至図7Cには、レジストパターンの開口部の寸法に設計値からのずれが生じなかった画素1と、開口部の寸法にずれが生じた画素2を図示してある。
次に、第3の実施形態について説明する。第3の実施形態は、CMOSイメージセンサーに好適な半導体装置及びその製造方法に関する。なお、説明の便宜上、半導体装置の構造をその製造方法と共に説明する。図11A乃至図11Dは、第3の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。図11A乃至図11Dには、レジストパターンの開口部の寸法に設計値からのずれが生じなかった画素1と、開口部の寸法にずれが生じた画素2を図示してある。
次に、第4の実施形態について説明する。第4の実施形態は、CMOSイメージセンサーに好適な半導体装置及びその製造方法に関する。なお、説明の便宜上、半導体装置の構造をその製造方法と共に説明する。図12A乃至図12Dは、第4の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。図12A乃至図12Dには、レジストパターンの開口部の寸法に設計値からのずれが生じなかった画素1と、開口部の寸法にずれが生じた画素2を図示してある。
次に、第5の実施形態について説明する。第5の実施形態は、CMOSイメージセンサーに好適な半導体装置及びその製造方法に関する。図13は、第5の実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
半導体基板に形成された第1のN型不純物拡散層と、
前記半導体基板の前記第1のN型不純物拡散層の上方に形成された第1のP型不純物拡散層と、
前記半導体基板の前記第1のN型不純物拡散層の上方に形成され、少なくとも一部が前記第1のP型不純物拡散層と重なる第2のN型不純物拡散層と、
を有し、
前記第2のN型不純物拡散層の電子に対するポテンシャル井戸は前記第1のN型不純物拡散層の電子に対するポテンシャル井戸より深い第1のデバイスを含むことを特徴とする半導体装置。
前記第1のP型不純物拡散層は平面視で前記第1のN型不純物拡散層の全体と重なっていることを特徴とする付記1に記載の半導体装置。
前記第1のP型不純物拡散層は平面視で前記第1のN型不純物拡散層の一部と重なっていることを特徴とする付記1に記載の半導体装置。
前記第1のP型不純物拡散層の平面形状が環状であることを特徴とする付記3に記載の半導体装置。
前記第2のN型不純物層は前記第1のN型不純物拡散層よりも大面積で形成されていることを特徴とする付記1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置。
前記半導体基板の表面に形成された第3のN型不純物拡散層と、
前記半導体基板上で平面視で前記第2のN型不純物拡散層と前記第3のN型不純物拡散層との間に形成されたゲート電極と、
を有し、
前記第3のN型不純物拡散層の電子に対するポテンシャル井戸は前記第2のN型不純物拡散層の電子に対するポテンシャル井戸より深いことを特徴とする付記1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置。
前記半導体基板に形成された第4のN型不純物拡散層と、
前記半導体基板の前記第4のN型不純物拡散層の上方に形成された第2のP型不純物拡散層と、
前記半導体基板の前記第4のN型不純物拡散層の上方に形成され、少なくとも一部が前記第2のP型不純物拡散層と重なる第5のN型不純物拡散層と、
を有し、
前記第5のN型不純物拡散層の電子に対するポテンシャル井戸は前記第4のN型不純物拡散層の電子に対するポテンシャル井戸より深く、
平面視で前記第4のN型不純物拡散層の面積は前記第1のN型不純物拡散層の面積より大きく、前記第2のP型不純物拡散層の面積は前記第1のP型不純物拡散層の面積より大きい第2のデバイスを更に含むことを特徴とする付記1に記載の半導体装置。
第1の厚さの第1のレジストパターンをマスクとした第1のN型不純物のイオン注入により、半導体基板に第1のN型不純物拡散層を形成する工程と、
前記第1のレジストパターンをマスクとしたP型不純物のイオン注入により、前記半導体基板の前記第1のN型不純物拡散層の上方にP型不純物拡散層を形成する工程と、
前記第1の厚さより薄い第2の厚さの第2のレジストパターンをマスクとした第2のN型不純物のイオン注入により、前記半導体基板の前記第1のN型不純物拡散層の上方に、少なくとも一部が前記P型不純物拡散層と重なる第2のN型不純物拡散層を形成する工程と、
を有し、
前記第2のN型不純物拡散層の電子に対するポテンシャル井戸は前記第1のN型不純物拡散層の電子に対するポテンシャル井戸より深いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記P型不純物拡散層を平面視で前記第1のN型不純物拡散層の全体と重なるように形成することを特徴とする付記8に記載の半導体装置の製造方法。
前記P型不純物の斜めイオン注入により、前記P型不純物拡散層を平面視で前記第1のN型不純物拡散層の一部と重なるように形成することを特徴とする付記8に記載の半導体装置の製造方法。
前記P型不純物拡散層の平面形状が環状であることを特徴とする付記10に記載の半導体装置の製造方法。
前記第2のN型不純物拡散層を前記第1のN型不純物拡散層より大面積で形成することを特徴とする付記8乃至11のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
前記半導体基板の表面に第3のN型不純物拡散層を形成する工程と、
前記半導体基板上で平面視で前記第2のN型不純物拡散層と前記第3の不純物拡散層との間にゲート電極を形成する工程と、
を有し、
前記第3のN型不純物拡散層の電子に対するポテンシャル井戸は前記第2のN型不純物拡散層の電子に対するポテンシャル井戸より深いことを特徴とする付記8乃至12のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
30:Pウェル
31:深いN型不純物拡散層
32:P型不純物拡散層
33:浅いN型不純物拡散層
100:シリコン基板
108:Pウェル
101:深いN型不純物拡散層
102、202:P型不純物拡散層
103:浅いN型不純物拡散層
111:厚いレジストパターン
112:薄いレジストパターン
Claims (9)
- 半導体基板に形成された複数の第1のN型不純物拡散層と、
前記半導体基板の複数の前記第1のN型不純物拡散層の上方にそれぞれ形成された複数の第1のP型不純物拡散層と、
前記半導体基板の複数の前記第1のN型不純物拡散層の上方にそれぞれ形成され、少なくとも一部がそれぞれの前記第1のP型不純物拡散層と重なり、前記第1のP型不純物拡散層の上面よりも上方に、且つ前記第1のP型不純物拡散層の下面よりも下方にそれぞれ形成された複数の第2のN型不純物拡散層と、
前記第1のN型不純物拡散層の一つ、前記第1のP型不純物拡散層の一つ、並びに前記第2のN型不純物拡散層の一つからなる第1のフォトダイオード、及び前記第1のフォトダイオードとは異なる前記第1のN型不純物拡散層の一つ、前記第1のP型不純物拡散層の一つ、並びに前記第2のN型不純物拡散層の一つからなる第2のフォトダイオードと、
を有し、
前記第1のフォトダイオードの前記第1のN型不純物拡散層の水平方向の幅が、前記第2のフォトダイオードの前記第1のN型不純物拡散層の幅よりも小さく、
前記第1のフォトダイオードの前記第1のP型不純物拡散層の水平方向の幅が、前記第2のフォトダイオードの前記第1のP型不純物拡散層の幅よりも小さく、
前記第1のフォトダイオードの前記第2のN型不純物拡散層の水平方向の幅と、前記第2のフォトダイオードの前記第2のN型不純物拡散層の幅とが等しく、
前記第2のN型不純物拡散層の電子に対するポテンシャル井戸は前記第1のN型不純物拡散層の電子に対するポテンシャル井戸より深いことを特徴とする半導体装置。 - 前記第1のP型不純物拡散層は平面視で前記第1のN型不純物拡散層の全体と重なっていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1のP型不純物拡散層は平面視で前記第1のN型不純物拡散層の一部と重なっていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1のP型不純物拡散層の平面形状が環状であることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記第2のN型不純物拡散層は前記第1のN型不純物拡散層よりも大面積で形成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 第1の厚さの第1のレジストパターンをマスクとした第1のN型不純物のイオン注入により、半導体基板に第1のN型不純物拡散層を形成する工程と、
前記第1のレジストパターンをマスクとしたP型不純物のイオン注入により、前記半導体基板の前記第1のN型不純物拡散層の上方にP型不純物拡散層を形成する工程と、
前記第1の厚さより薄い第2の厚さの第2のレジストパターンをマスクとした第2のN型不純物のイオン注入により、前記半導体基板の前記第1のN型不純物拡散層の上方に、少なくとも一部が前記P型不純物拡散層と重なり、前記P型不純物拡散層の上面よりも上方に、且つ前記P型不純物拡散層の下面よりも下方に第2のN型不純物拡散層を形成する工程と、
を有し、
前記第1のN型不純物拡散層と、前記P型不純物拡散層と、前記第2のN型不純物拡散層とがフォトダイオードとなり、
前記第2のN型不純物拡散層の電子に対するポテンシャル井戸は前記第1のN型不純物拡散層の電子に対するポテンシャル井戸より深いことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記P型不純物拡散層を平面視で前記第1のN型不純物拡散層の全体と重なるように形成することを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記P型不純物の斜めイオン注入により、前記P型不純物拡散層を平面視で前記第1のN型不純物拡散層の一部と重なるように形成することを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記P型不純物拡散層の平面形状が環状であることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017022965A JP6877166B2 (ja) | 2017-02-10 | 2017-02-10 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017022965A JP6877166B2 (ja) | 2017-02-10 | 2017-02-10 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018129461A JP2018129461A (ja) | 2018-08-16 |
JP6877166B2 true JP6877166B2 (ja) | 2021-05-26 |
Family
ID=63174531
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017022965A Active JP6877166B2 (ja) | 2017-02-10 | 2017-02-10 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6877166B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7331370B2 (ja) | 2019-02-01 | 2023-08-23 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0696054B1 (en) * | 1994-07-04 | 2002-02-20 | STMicroelectronics S.r.l. | Process for the manufacturing of high-density MOS-technology power devices |
JP2013016675A (ja) * | 2011-07-05 | 2013-01-24 | Sony Corp | 固体撮像装置、電子機器、及び、固体撮像装置の製造方法 |
JP2013069958A (ja) * | 2011-09-26 | 2013-04-18 | Sony Corp | 撮像素子、撮像装置、並びに、製造装置および方法 |
JP6127869B2 (ja) * | 2013-09-25 | 2017-05-17 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその駆動方法、並びに電子機器 |
JP2015153962A (ja) * | 2014-02-18 | 2015-08-24 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器 |
JP2016051896A (ja) * | 2014-08-29 | 2016-04-11 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法ならびにカメラ |
JP2016178145A (ja) * | 2015-03-19 | 2016-10-06 | セイコーエプソン株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
-
2017
- 2017-02-10 JP JP2017022965A patent/JP6877166B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018129461A (ja) | 2018-08-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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|
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