JP6875687B2 - 成形用材料およびそれを用いた樹脂成形体の製造方法 - Google Patents
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Description
[1]含フッ素化合物および非フッ素化合物に由来する構成単位を含むグラフト鎖を有する樹脂材料を含む成形用材料;
[2]含フッ素化合物が、式(1)
Xは、水素原子、メチル基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、CFX1X2基、シアノ基、炭素数1〜21の直鎖状若しくは分岐状のフルオロアルキル基、置換または非置換のベンジル基、または、置換若しくは非置換のフェニル基であり;
X1およびX2は、互いに独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子であり;
Yは、炭素数1〜10の脂肪族基、炭素数6〜10の芳香族基または環状脂肪族基、−CH2CH2N(R1)SO2−基、または−CH2CH(OY1)CH2−基であり;
R1は、炭素数1〜4のアルキル基であり;
Y1は、水素原子またはアセチル基であり;
Rf8は、炭素数1〜6の直鎖状または分岐状の、フルオロアルキル基もしくはフルオロアルケニル基である]
で表される含フッ素アクリレートエステル、RfjCH=CH2で表される化合物(式中、Rfjはパーフルオロアルキル基である。)、およびパーフルオロオレフィンからなる群より選ばれる少なくとも1を有する、[1]に記載の成形用材料;
[3]上記成形用材料が、ペレット形状である、[1]または[2]に記載の成形用材料;
[4]樹脂成形体の製造方法であって、
樹脂材料に放射線を照射し、含フッ素化合物に由来する構成単位および非フッ素化合物に由来する構成単位を含むグラフト鎖を樹脂材料に導入して成形用材料を得、得られた成形用材料を成形すること、を含む製造方法;
[5]樹脂成形体の製造方法であって、
上記[1]〜[3]に記載の成形用材料を、加熱処理を含む成形方法により成形することにより、グラフト鎖を樹脂成形体表面に偏析させることを含む製造方法;
を提供する。
グラフト率:Dg[%]=(W1−W0)/W0×100
[式中、W0は、グラフト重合前の樹脂材料の重量であり、W1は、グラフト重合後の樹脂材料の重量である。]
−(OC6F12)a−(OC5F10)b−(OC4F8)c−(OC3F6)d−(OC2F4)e−(OCF2)f−
で表される基である。式中、a、b、c、d、eおよびfは、それぞれ独立して0以上200以下の整数であって、a、b、c、d、eおよびfの和は少なくとも1である。好ましくは、a、b、c、d、eおよびfは、それぞれ独立して、0以上100以下の整数である。好ましくは、a、b、c、d、eおよびfの和は5以上であり、より好ましくは10以上である。好ましくは、a、b、c、d、eおよびfの和は200以下であり、より好ましくは100以下であり、例えば10以上200以下であり、より具体的には10以上100以下である。また、a、b、c、d、eまたはfを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。
(CF2CF2O−CF2CF2CF2O)、
(CF2CF2O−CF2CF2CF2CF2O)、
(CF2CF2O−CF2CF2CF2OCF2CF2CF2O)、
(CF2CF2O−CF2CF(CF3)OCF2CF2CF2O)、
(CF2CF2O−CF2CF2CF2CF2OCF(CF3)CF2O)。
Rf7−O−[(Rf1O)x1(Rf2O)x2(Rf3O)x3(Rf4O)x4(Rf5O)x5(Rf6O)x6]i−Β ・・・(1)。
ただし、式(1)中の記号は以下の通りである。
iは、1以上の整数であり、2以上の整数であることが好ましい。iの上限は45が好ましい。iは、4〜40が好ましく、5〜35が特に好ましい。
x1〜x2:それぞれ独立に0〜3の整数であり、x1+x2は1〜3の整数である。
x3〜x6:それぞれ独立に0〜3の整数であり、x3+x4+x5+x6は1〜3の整数である。
Rf1:炭素数1のペルフルオロアルキレン基。
Rf2:炭素数2のペルフルオロアルキレン基。
Rf3:炭素数3のペルフルオロアルキレン基。
Rf4:炭素数4のペルフルオロアルキレン基。
Rf5:炭素数5のペルフルオロアルキレン基。
Rf6:炭素数6のペルフルオロアルキレン基。
Rf7;炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基、エーテル性酸素原子を有する炭素数2〜6のペルフルオロアルキル基。
Rcは、水素原子、フッ素原子、あるいはフッ素原子により置換されていてもよい炭素数1〜10のアルキル基(好ましくは、炭素数1〜3のアルキル基、より好ましくはメチル基)、ラクタム基(好ましくは、β-ラクタム、γ-ラクタムまたはδ-ラクタム基、より好ましくはγ-ラクタム基)またはフェニル基を表し、好ましくは、メチル基または水素原子であり、
Reは、それぞれ独立して、水素原子、またはフッ素原子を表し、好ましくは水素原子であり、
Rdは、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、あるいはフッ素原子により置換されていてもよい炭素数1〜10のアルキル基(好ましくは、炭素数1〜3のアルキル基、より好ましくはメチル基)またはフェニル基を表し、好ましくはメチル基または水素原子であり、より好ましくは水素原子であり、
n’は、1〜5の整数であり、好ましくは1または2であり、より好ましくは1である。]
で表される基である。
Rcは、水素原子、フッ素原子、あるいはフッ素原子により置換されていてもよい炭素数1〜10のアルキル基(好ましくは、炭素数1〜3のアルキル基、より好ましくはメチル基)、ラクタム基(好ましくは、β-ラクタム、γ-ラクタムまたはδ-ラクタム基、より好ましくはγ-ラクタム基)またはフェニル基を表し、好ましくは、メチル基または水素原子であり、好ましくは、水素原子、フッ素原子、あるいはフッ素原子により置換されていてもよい炭素数1〜10のアルキル基(好ましくは、炭素数1〜3のアルキル基、より好ましくはメチル基)またはフェニル基を表し、より好ましくは、メチル基または水素原子であり、
Reは、上記と同意義である。]
で表される基である。
PFPEは、上記と同意義であり、
R1は、それぞれ独立して、中間活性種と反応性を有する基Aを表し、
Xは、2価の有機基を表し、
R2は、下記式:
−(Q)e−(CFZ)f−(CH2)g−
(式中、Qは、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子、フェニレン、カルバゾリレン、−NRa−(式中、Raは、水素原子または有機基を表す)または2価の極性基を表し、Zは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子または低級フルオロアルキル基を表し、e、fおよびgは、それぞれ独立して、0以上50以下の整数であって、e、fおよびgの和は少なくとも1であり、括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。)
で表される基であり、
R3は、それぞれ独立して、2価の有機基を表し、
R4は、各出現においてそれぞれ独立して、R4aまたはR4bを表し:ただし、少なくとも1つのR4はR4aであり、
R4aは、各出現においてそれぞれ独立して、中間活性種と反応性の基を有する2価の有機基を表し、
R4bは、各出現においてそれぞれ独立して、中間活性種と反応性の基を有しない2価の有機基を表し、
n1は、それぞれ独立して、1以上50以下の整数であり、
R5は、それぞれ独立して、−O−、−S−、−NH−または単結合を表し、
R6は、それぞれ独立して、1価の有機基または水素原子を表し、
R7は、環構造、ヘテロ原子および/または官能基を有してもよい(n2+n3)価または(n5+n6+n7)価の有機基を表し、
R8は、2価の有機基を表し、
n2は、1以上3以下の整数であり、
n3は、1以上3以下の整数であり、
R9は、3〜8価の有機基を表し、
n4は、2以上7以下の整数であり、
R11は、−R8−R1または−R9(R1)n4であり、
R12は、Siを含む基であり、
n5は、1以上3以下の整数であり、
n6は、1以上3以下の整数であり、
n7は、1以上3以下の整数である。]
で表される少なくとも1つの化合物が挙げられる。
Rcは、水素原子、フッ素原子、あるいはフッ素原子により置換されていてもよい炭素数1〜10のアルキル基(好ましくは、炭素数1〜3のアルキル基、より好ましくはメチル基)、ラクタム基(好ましくは、β-ラクタム、γ-ラクタムまたはδ-ラクタム基、より好ましくはγ-ラクタム基)またはフェニル基を表し、好ましくは、メチル基または水素原子である。]
で表される基である。
−(CFZ)x−(CH2)y−(Y)z−
[式中、Zは、フッ素原子または炭素数1〜3のパーフルオロアルキル基またはその誘導体基を表し、
Yは、−OCO−、−OCONH−または−CONH−、あるいはこれらの1種を含有する有機基を表し、
x、yおよびzは、それぞれ独立して、0〜3の整数であり、
x、yまたはzを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。]
で表される基が好ましい。
−CF2CF2CH2−
−CF2CF2CH2−OCO−
−CF2CF2CH2−CONH−
−CF2CF2CH2−OCONH−
等が挙げられる。
(a)−(CH2−CH2−O)s1−(s1は、1〜10の整数、例えば2〜10の整数を表す。)、
(b)−(CHR4h)s2−O−(s2は、1〜40の整数である繰り返し数を表す。R4hは、水素またはメチル基を表す。)、
(c)−(CH2−CH2−O)s1−CO−NH−CH2−CH2−O−(s1は、上記と同意義である。)、
(d)−CH2−CH2−O−CH2−CH2−、
(e)−(CH2)s3−(s3は1〜6の整数を表す。)、または
(f)−(CH2)s4−O−CONH−(CH2)s5−(s4は1〜8の整数、好ましくは、2または4を表す。s5は1〜6の整数、好ましくは3を表す。)、または
(g)−O−(但し、Q’は−O−ではない)
である。
(i)アルキル基
例:メチル、エチル
gは0または1であり、
hは1または2であり、
q1は1以上5以下の整数である。]
で表される少なくとも1種の化合物であってもよい。
(a)ジイソシアネートを3量体化させたトリイソシアネートに存在するNCO基と、
(b)下記式(a1)あるいは式(a1)および(a2):
で表される少なくとも1種の活性水素含有化合物、および、下記式(a3):
R30は、2価の有機基を表す。]
で表される少なくとも1種の活性水素含有化合物の活性水素を反応させることにより得られる少なくとも1種の化合物である。
−O−CH2−C(CH2−)3;または
−O−CH2−C(CH2−)2−CH2OCH2−C(CH2−)3
が挙げられる。
−O−CH2−C(CH2−OC(O)−CR2=CH2)3;または
−O−CH2−C(CH2−OC(O)−CR2=CH2)2−CH2OCH2−C(CH2−OC(O)−CR2=CH2)3
が挙げられる。
CnF2n+1−X−R1
[式中、R1およびXは、上記と同意義であり、
nは、1〜30の整数、好ましくは3〜20の整数、例えば4〜10の整数である。]
で表される化合物である。
Yは、炭素数1〜10の脂肪族基、炭素数6〜10の芳香族基または環状脂肪族基、−CH2CH2N(R1)SO2−基(但し、R1は炭素数1〜4のアルキル基である。)または−CH2CH(OY1)CH2−基(但し、Y1は水素原子またはアセチル基である。)、
Rf8は、炭素数1〜6の直鎖状または分岐状の、フルオロアルキル基もしくはフルオロアルケニル基である。]
で示される含フッ素アクリレートエステルである。
フルオロアルキル基の例は、−CF3、−CF2CF3、−CF2CF2CF3、−CF(CF3)2、−CF2CF2CF2CF3、−CF2CF(CF3)2、−C(CF3)3、−(CF2)4CF3、−(CF2)2CF(CF3)2、−CF2C(CF3)3、−CF(CF3)CF2CF2CF3、−(CF2)5CF3、−(CF2)3CF(CF3)2等である。
フルオロアルケニル基の例は、−CF=CF2、−CF2CF=CF2、−(CF2)2CF=CF2、−CF2C(CF3)=CF2、−CF(CF3)CF=CF2、−(CF2)3CF=CF2、−C(CF3)2CF=CF2、−(CF2)2C(CF3)=CF2、−(CF2)4CF=CF2、−(CF2)4CF=CF2、−(CF2)3C(CF3)=CF2、等である。
R91は、水素原子または炭素数1〜10のアルキル基、
R92は、炭素数1〜10のアルキレン基、
R93は、水素原子またはメチル基、
Arは、置換基を有することもあるアリール基、
n9は、1〜10の整数を表す。]
で示される含フッ素アクリレートエステルを挙げることができる。
R91は、水素原子または炭素数1〜10のアルキル基、
R92は、炭素数1〜10のアルキレン基、
R93は、水素原子またはメチル基、
Arは、置換基を有することもあるアリール基、
n9は、1〜10の整数であることが好ましい。
CF3(CF2)5(CH2)OCOCH=CH2、
CF3(CF2)5(CH2)OCOC(CH3)=CH2、
CF3(CF2)7(CH2)OCOCH=CH2、
CF3(CF2)7(CH2)OCOC(CH3)=CH2、
(CF3)2CF(CF2)3(CH2)2OCOCH=CH2、
CF3(CF2)3(CH2)2OCOC(CH3)=CH2、
CF3(CF2)3(CH2)2OCOCH=CH2、
CF3(CF2)5(CH2)2OCOC(CH3)=CH2、
CF3(CF2)5(CH2)2OCOCH=CH2、
CF3CF2(CH2)2OCOCH=CH2、
CF3(CF2)3SO2N(CH3)(CH2)2OCOCH=CH2、
CF3(CF2)3SO2N(C2H5)(CH2)2OCOC(CH3)=CH2、
(CF3)2CF(CF2)3CH2CH(OCOCH3)CH2OCOC(CH3)=CH2、
(CF3)2CF(CF2)3CH2CH(OH)CH2OCOCH=CH2
を例示することができる。
Rc1は、水素原子、あるいは炭素数1〜10のアルキル基(好ましくは、炭素数1〜3のアルキル基、より好ましくはメチル基)、ラクタム基(好ましくは、β-ラクタム、γ-ラクタムまたはδ-ラクタム基、より好ましくはγ-ラクタム基)またはフェニル基を表し、好ましくは、メチル基または水素原子であり、
Rd1は、それぞれ独立して、水素原子、あるいは炭素数1〜10のアルキル基(好ましくは、炭素数1〜3のアルキル基、より好ましくはメチル基)またはフェニル基を表し、好ましくはメチル基または水素原子であり、より好ましくは水素原子であり、
n1’は、1〜5の整数であり、好ましくは1または2であり、より好ましくは1である。]
で表される基である。
Rc1は、水素原子、あるいは炭素数1〜10のアルキル基(好ましくは、炭素数1〜3のアルキル基、より好ましくはメチル基)またはフェニル基を表し、好ましくは、メチル基または水素原子である。]
で表される基である。
Rc1は、水素原子、あるいは炭素数1〜10のアルキル基(好ましくは、炭素数1〜5のアルキル基、より好ましくはメチル基)またはフェニル基を表し、好ましくは、メチル基または水素原子である。]
で表される基である。
含フッ素アクリレートエステル(例えば、CH2=CHC(=O)O−(CH2)n9Rf9;Rf9は炭素数1〜10のパーフルオロアルキル基、n9は1〜10の整数;具体的には2−(パーフルオロブチル)エチルアクリレート、2−(パーフルオロヘキシル)エチルアクリレート)、および
RfjCH=CH2で表される化合物(Rfjは、F−(CF2)nで表され、nは1〜10の整数、より好ましくは、nは4〜8の整数)
よりなる群より選ばれる少なくとも1を用い;上記非フッ素化合物として、
(メタ)アクリル系モノマー類(例えば、ステアリルアクリレート)、
シクロヘキサン、
アルコール類(例えば、イソプロピルアルコール)、
1−ヘキセン、1−オクテン、1−デセン、および1−ドデセンよりなる群より選ばれる少なくとも1を用いる。
含フッ素アクリレートエステル(例えば、CH2=CHC(=O)O−(CH2)n9Rf9;Rf9は、炭素数1〜6のパーフルオロアルキル基、n9は4〜8の整数、具体的には、Rf9が炭素数4または6のパーフルオロアルキル基であり、かつn9が2、具体的には、2−(パーフルオロブチル)エチルアクリレート、2−(パーフルオロヘキシル)エチルアクリレート)、および
RfjCH=CH2で表される化合物(Rfjは、F−(CF2)nで表され、nは4〜8の整数、具体的にはnが6の整数)
よりなる群より選ばれる少なくとも1を;
上記非フッ素化合物として、
ステアリルアクリレート、
シクロヘキサン、
イソプロピルアルコール、
1−ヘキセン、1−オクテン、1−デセン、および1−ドデセンよりなる群より選ばれる少なくとも1を用いる。
金属治具としては、図1に示すように、X軸、Y軸およびZ軸を設けた場合に、Z軸に直交する断面の形状が楕円の4分の1の形状(楕円を長軸および短軸に沿って、4つに切断したものの1つ)である金属治具を用いる。上記金属治具としては、X軸方向の長さx1が10.0cm、Y軸方向の長さy1が4.0cm、Z軸方向の長さz1が1.0cmのものを用いることができる。
上記限界応力の測定は、具体的には、以下のように行うことができる。まず、断面が板状の試験用サンプル(例えば、10cm×1cm×厚み0.1cm)を用意する。上記金属治具に、上記サンプルを、金属治具の曲面(金属治具の曲率が連続的に変化する曲面)の曲率に沿わせた状態で、固定部材を用いて固定する。上記サンプルを固定した金属治具を、特定温度(例えば、25℃)に保った試験用の溶媒(例えば、イソプロピルアルコール(IPA)、メチルエチルケトン(MEK)、ミネラルオイル,ワセリン、グリセリン、n−ヘキサデカン等)に浸漬する。溶媒中に浸漬した状態で、上記金属治具を、特定時間静置する。上記短軸(Y軸)および長軸(X軸)の交点をx=0とし、クラックが発生した点のうち、最もx座標の小さな点(図1の点1)をクラック発生点1とする。クラック発生点1(x=x2)における歪みεを、以下の式により求める。ここで、tは、試験前のサンプルの厚み(cm)を表す。
ε=[0.02×(1−0.0084×(x2)2)−3/2]×t
上記式で得られた歪みε、およびフィルムの曲げ弾性率Eを用いて、x=x2における応力σを、以下の式により算出する。
σ(kgf/cm2)=E×ε
上記式により算出された応力σの値が大きい程、ソルベントクラック耐性が良好であると判断する。
耐熱性の評価は、例えば、以下のようにして算出した耐熱指標(%)が高いほど、熱分解が起こりにくい、すなわち、耐熱性が良好であると判断し得る(例えば、耐熱指標が99%以上であれば、良好な耐熱性を有すると判断する)。
上記耐熱指標は、熱重量測定(TG:thermogravimetric analysis)により算出することができる。具体的には、成形用材料の温度を一定のプログラムに従って変化させて(加熱または冷却させて)、成形用材料の重量の変化を測定する。測定結果から以下の式に基づいて、耐熱指標を求めることができる。上記熱重量測定は、例えば、Rigaku製や島津製作所製のTGA(熱重量)測定器を用いて行うことができる。
耐熱指標[%]=100−100×(M0−M1)/M0
上記式中、M0は、熱重量測定前(昇温前)の成形用材料の重量、M1は、昇温後の成形用材料の重量を意味する。
樹脂材料であるZEON社の熱可塑性樹脂COP(シクロオレフィンポリマー)のペレット(φ2mm×4mm)5gをシート状の容器(50mm×50mm×0.1mm)に入れ、該容器を減圧脱気した。ステアリルアクリレート(以下、STA)モノマーとパーフルオロアクリレート(CH2=CHC(=O)O−CH2CH2C6F13。以下、FA)モノマーとを重量比1:1で混合し、窒素ガスを用いて30分間バブリングし脱酸素処理したモノマー試薬を、当該シート状容器に2cc注入し、COPペレットを当該モノマー試薬に浸漬した。その後、35℃、酸素不在下において、低エネルギー電子加速器を用いて、ペレットの表面に低エネルギー電子線を照射した。照射条件は、加速電圧250kV、照射電子流1.2mA、コンベア速度10m/分、試料−照射窓間距離100mmとした。シート状容器の両面から低エネルギー電子線を各1pass照射し、グラフト反応(同時グラフト反応)させた。このときの吸収線量は、20kGy/passであった。低エネルギー電子線の照射後、70℃においてさらに16時間反応させることで、未反応モノマーを用いたグラフト反応(後グラフト反応)を行った(2段階のシーケンシャル・グラフト重合反応)。反応後、当該容器からペレットを大気に暴露して取り出し、アセトンとHFE7200(3M製)とを用いて、ペレットを洗浄し、グラフト用化合物のみから形成されたポリマーを完全に除去した。30分間風乾後、70℃において2時間乾燥処理を行うことで、成形用材料であるペレットが得られた。
照射電子流を4.3mAに変更した以外は合成例1−1と同様に行い、成形用材料であるペレットが得られた。このときの吸収線量は75kGy/passであった。
樹脂材料であるZEON社の熱可塑性樹脂COPペレット(φ2mm×4mm)5gをシート状の容器に入れ、該容器を減圧脱気した。このCOPペレットの表面に、25℃、酸素不在下において、低エネルギー電子加速器を用いて、ペレットの表面に低エネルギー電子線を照射した。照射条件は、加速電圧250kV、電子流1.2mA、コンベア速度10m/分、試料−照射窓間距離100mmとした。シート状容器の両面から低エネルギー電子線を各1pass照射した。このときの吸収線量は、20kGy/passであった。
照射電子流を4.3mAに変更した以外は合成例2−1と同様に行い、成形用材料であるペレットが得られた。このときの吸収線量は75kGy/passであった。
樹脂材料であるZEON社の熱可塑性樹脂COPペレット(φ2mm×4mm)5gをシート状の容器に入れ、該容器を減圧脱気した。窒素ガスで20分間バブリングして脱酸素処理したSTAモノマーを、当該シート状容器に2cc注入した。70℃において30分間COPペレットをSTAモノマーに浸漬した後、さらにFAモノマーを1.5cc注入した。その後、25℃、酸素不在下において、低エネルギー電子加速器を用いて、ペレットの表面に低エネルギー電子線を照射した。照射条件は、加速電圧250kV、照射電子流1.2mA、コンベア速度10m/分、試料−照射窓間距離100mmとした。シート状容器の両面から低エネルギー電子線を各1pass照射し、同時グラフト反応させた。このときの吸収線量は、20kGy/passであった。照射後、70℃においてさらに16時間反応させることで、未反応モノマーを用いたグラフト反応(後グラフト反応)を行った(2段階のシーケンシャル・グラフト重合反応)。反応後、当該容器からペレットを大気に暴露して取り出し、アセトンとHFE7200(3M製)とを用いて、ペレットを洗浄し、グラフト用化合物のみから形成されたポリマーを完全に除去した。30分間風乾後、70℃において2時間乾燥処理を行うことで、成形用材料であるペレットが得られた。
樹脂材料であるZEON社の熱可塑性樹脂COPペレット(φ2mm×4mm)5gをシート状の容器に入れ、該容器を減圧脱気した。STAモノマーを、当該シート状容器に2cc注入し、70℃で、30分間COPペレットをSTAモノマーに浸漬した。その後、25℃、酸素不在下において、低エネルギー電子加速器を用いてペレットに低エネルギー電子線を照射した。照射条件は、加速電圧250kV、照射電子流1.2mA、コンベア速度10m/分、試料−照射窓間距離100mmとした。シート状容器の両面から低エネルギー電子線を各1pass照射した。このときの吸収線量は、それぞれ20kGy/passであった。照射後、窒素ガスで20分間バブリングして脱酸素処理したFAモノマーを、当該シート状容器に1.5cc注入した。その後、70℃にて、16時間反応させることで、グラフト反応(後グラフト反応)を行った。反応後、当該容器からペレットを大気に暴露して取り出し、アセトンとHFE7200(3M製)とを用いて、ペレットを洗浄し、グラフト用化合物のみから形成されたポリマーを完全に除去した。30分間風乾後、70℃で2時間乾燥処理を行うことで、成形用材料であるペレットが得られた。
樹脂材料であるZEON社の熱可塑性樹脂COPのペレット(φ2mm×4mm)5gを、シクロヘキサン(キシダ化学製):イソプロピルアルコール(関東化学製)=1:9(体積比)に調整した溶液に、16時間浸漬した。その後、当該浸漬されたペレットをシート状の容器に入れ、該容器を減圧脱気した後、25℃、酸素不在下において、低エネルギー電子加速器を用いて、ペレットの表面に低エネルギー電子線を照射した。照射条件は、加速電圧250kV、照射電子流4.3mA、コンベア速度10m/分、試料−照射窓間距離100mmとした。シート状容器の両面から低エネルギー電子線を各1pass照射した。このときの吸収線量は、75kGy/passであった。照射後、窒素ガスで30分間バブリングして脱酸素処理したFAモノマーを、当該シート状容器に2cc注入した。その後、70℃、16時間反応させることで、グラフト反応(後グラフト反応)を行った。反応後、当該容器からペレットを大気に暴露して取り出し、アセトンとHFE7200(3M製)を用いて、ペレットを洗浄し、グラフト用化合物のみから形成されたポリマーを完全に除去した。30分間風乾後、70℃で2時間乾燥処理を行うことで、成形用材料であるペレットが得られた。
シクロヘキサンとイソプロピルアルコールとの混合比を2:8(体積比)に変更した以外は、合成例5−1と同様に行い、成形用材料であるペレットが得られた。
シクロヘキサンとイソプロピルアルコールとの混合比を3:7(体積比)に変更した以外は、合成例5−1と同様に行い、成形用材料であるペレットが得られた。
樹脂材料であるZEON社の熱可塑性樹脂COPのペレット(φ2mm×4mm)5gを、シクロヘキサン(キシダ化学製):イソプロピルアルコール(関東化学製)=1:9(体積比)に調整した溶液に、16時間浸漬した。その後、当該浸漬されたペレットをシート状の容器に入れ、該容器を減圧脱気した。窒素ガスで30分間バブリングして脱酸素処理されたFAモノマーを、当該シート状容器に2cc注入した。その後、25℃、酸素不在下において、低エネルギー電子加速器を用いてペレットの表面に低エネルギー電子線を照射した。照射条件は、加速電圧250kV、照射電子流4.3mA、コンベア速度10m/分、試料−照射窓間距離100mmとした。シート状容器の両面から低エネルギー電子線を各1pass照射し、グラフト反応を行った(同時グラフト反応)。このときの吸収線量は、75kGy/passであった。照射後、恒温槽に当該容器を入れて、70℃でさらに8時間反応させることで、未反応モノマーを用いたグラフト反応(後グラフト反応)を行った(2段階のシーケンシャル・グラフト重合反応)。反応後、当該容器からペレットを大気に暴露して取り出し、アセトンとHFE7200(3M)とを用いて、ペレットを洗浄し、グラフト用化合物のみから形成されたポリマーを完全に除去した。30分間風乾後、70℃で2時間乾燥処理を行うことで、成形用材料であるペレットが得られた。
シクロヘキサンとイソプロピルアルコールとの混合比を2:8(体積比)に変更した以外は、合成例6−1と同様に行い、成形用材料であるペレットが得られた。
シクロヘキサンとイソプロピルアルコールとの混合比を3:7(体積比)に変更した以外は、合成例6−2と同様に行い、成形用材料であるペレットが得られた。
本合成例では、樹脂材料として日本ポリエチレン社の直鎖型低密度ポリエチレン(LLDPE)を用いた。上記ポリエチレンの粒状の試料(ペレット、2mm×2mm×2mm)5gをシート状の容器に入れて、容器を減圧脱気した。STAモノマーおよびFAモノマーを重量比1:1で混合し、窒素ガスで30分間バブリングして脱酸素処理した。当該モノマー試薬を、当該シート状容器に2cc注入し、ポリエチレンを該試薬に浸漬した後、25℃、酸素不在下において、低エネルギー電子加速器を用いて上記ポリエチレンに低エネルギー電子線を照射した。照射条件は、加速電圧250kV、照射電子流1.2mA、コンベア速度10m/分、試料−照射窓間距離100mmとした。シート状容器の両面から電子線を各1pass照射し、同時グラフト反応させた。このときの吸収線量は、それぞれ20kGy/passであった。
電子線照射後の容器を恒温槽に入れて加熱し、未反応モノマーを用いたグラフト反応(後グラフト反応)を行った(2段階のシーケンシャル・グラフト重合反応)以外は、合成例7−1−1と同様に行い、成形用材料であるペレットを得た。後グラフト反応の重合温度および重合時間については、表2および表5のとおりである。
コンベア速度を20m/分に変更し、吸収線量を10kGy/passとした以外は、合成例7−1−1と同様に行い、成形用材料であるペレットが得られた。
コンベア速度を20m/分に変更し、吸収線量を10kGy/passとした以外は、合成例7−1−2および合成例7−1−3と同様に行い、成形用材料であるペレットが得られた。後グラフト反応の重合温度および重合時間については、表2および5のとおりである。
LLDPEに代えて低密度ポリエチレン(LDPE)を用いた以外は、合成例7−1−1と同様に行い、成形用材料であるペレットが得られた。
LLDPEに代えてLDPEを用いた以外は、合成例7−1−2と同様に行い、成形用材料であるペレットが得られた。後グラフト反応の重合温度および重合時間については、表2のとおりである。
コンベア速度を20m/分に変更し、吸収線量を10kGy/passとした以外は、合成例7−3−1と同様に行い、成形用材料であるペレットが得られた。
コンベア速度を20m/分に変更し、吸収線量を10kGy/passとした以外は、合成例7−3−2と同様に行い、成形用材料であるペレットが得られた。後グラフト反応の重合温度および重合時間については、表2のとおりである。
LLDPEに代えて高密度ポリエチレン(HDPE)を用いた以外は、合成例7−2−1と同様に行い、成形用材料であるペレットが得られた。
LLDPEに代えてHDPEを用いた以外は、合成例7−2−2と同様に行い、成形用材料であるペレットが得られた。後グラフト反応の重合温度および重合時間については、表2のとおりである。
樹脂材料としてのLLDPEを用いた。上記ポリエチレンの粒状の試料(2mm×2mm×2mm)5gをシート状の容器に入れ、該容器を減圧脱気した。その後、25℃、酸素不在下において、低エネルギー電子加速器を用いて、ポリエチレンに低エネルギー電子線を照射した。照射条件は、加速電圧250kV、照射電子流1.2mA、コンベア速度10m/分、試料−照射窓間距離100mmとした。シート状容器の両面から電子線を各1pass照射した。このときの吸収線量は、20kGy/passであった。
電子線照射後の容器を加熱することで、後グラフト反応を行う以外は、合成例8−1−1と同様に行い、成形用材料であるペレットが得られた。後グラフト反応の重合温度および重合時間については、表2のとおりである。
コンベア速度を20m/分に変更し、吸収線量を10kGy/passとした以外は、合成例8−1−1と同様に行い、成形用材料であるペレットが得られた。
コンベア速度を20m/分に変更し、吸収線量を10kGy/passとした以外は、合成例8−1−2と同様に行い、成形用材料であるペレットが得られた。後グラフト反応の重合温度および重合時間については、表2のとおりである。
LLDPEに代えてLDPEを用いた以外は、合成例8−1−1と同様に行い、成形用材料であるペレットが得られた。
LLDPEに代えてLDPEを用いた以外は、合成例8−1−2と同様に行い、成形用材料であるペレットが得られた。後グラフト反応の重合温度および重合時間については、表2のとおりである。
コンベア速度を20m/分に変更し、吸収線量を10kGy/passとした以外は、合成例8−3−1と同様に行い、成形用材料であるペレットが得られた。
コンベア速度を20m/分に変更し、吸収線量を10kGy/passとした以外は、合成例8−3−2と同様に行い、成形用材料であるペレットが得られた。後グラフト反応の重合温度および重合時間については、表2のとおりである。
LLDPEに代えてHDPEを用いた以外は、合成例8−2−1と同様に行い、成形用材料であるペレットが得られた。
LLDPEに代えてHDPEを用いた以外は、合成例8−2−2と同様に行い、成形用材料であるペレットが得られた。後グラフト反応の重合温度および重合時間については、表2のとおりである。
STAモノマーおよびFAモノマーに代えて、STAモノマーのみを使用する以外は合成例7−1−2と同様に行い、ペレットを得た。後グラフト反応において、反応温度は60℃、反応時間は16時間とした。
樹脂材料としてLLDPEに代えてCOPを用いた以外は、合成例9−1と同様に行い、ペレットを得た。
STAモノマーおよびFAモノマーに代えて、1−ヘキセンおよびパーフルオロヘキシルエチレン(CF3CF2CF2CF2CF2CF2CH=CH2)を用いた以外は合成例1−1と同様に行い、成形用材料であるペレットが得られた。
STAモノマーおよびFAモノマーに代えて、1−ヘキセンおよびパーフルオロヘキシルエチレンを用いた以外は、合成例1−2と同様に行い、成形用材料であるペレットが得られた。
STAモノマーおよびFAモノマーに代えて、1−ヘキセンおよびパーフルオロヘキシルエチレンを用い、低エネルギー電子線を2pass照射した以外は、合成例1−2と同様に行い、成形用材料であるペレットが得られた。
STAモノマーおよびFAモノマーに代えて、1−ヘキセンおよびパーフルオロヘキシルエチレンを用い、同時グラフト反応における低エネルギー電子線の照射を4Passとする一方で、低エネルギー電子線の照射後、70℃において16時間反応させないこと(すなわち、後グラフト反応を行わない)以外は合成例1−2と同様に行い、成形用材料であるペレットが得られた。
STAモノマーおよびFAモノマーに代えて、1−ヘキセンおよびパーフルオロヘキシルエチレンを用い、低エネルギー電子線を4Pass照射した以外は合成例1−2と同様に行い、成形用材料であるペレットが得られた。
STAモノマーおよびFAモノマーに代えて、1−ヘキセンおよびパーフルオロヘキシルエチレンを用い、同時グラフト反応における低エネルギー電子線の照射を6Passとする一方で、低エネルギー電子線の照射後、70℃において16時間反応させないこと(すなわち、後グラフト反応を行わないこと)以外は合成例1−2と同様に行い、成形用材料であるペレットが得られた。
STAモノマーおよびFAモノマーに代えて、1−ヘキセンおよびパーフルオロヘキシルエチレンを用い、低エネルギー電子線を6Pass照射した以外は合成例1−2と同様に行い、成形用材料であるペレットが得られた。
合成例で得られた成形用改質原料ペレットを、0.35g秤取し、4cm×2cmをくり抜いた厚さ100μmのPTFEシート枠内に入れた。これをシリコンウェハの上にPTFEシートを敷いたもので挟み、1kgの加重をかけて5分間260℃で加熱し、成形シートを成形した。
合成例で得られたペレットを、以下の条件でメルトフローレイト(MFR)装置を用いて加熱した後、吐出させて直径4mmのストランドを形成した。2回MFR装置を通したストランド2gを実施例A1−1と同様に1kgの荷重をかけて260℃で5分間加熱し、成形シートを成形した。
(MFRの条件)
MFRは、TOYOSEIKI社製(Melt Indexer G-01)を用い、ペレット約3gを5kgの加重のもとで成形温度190℃に保たれたシリンダーに投入して行った。
合成例1−1〜合成例8−5−3のそれぞれで得られたペレットを用いて、成形方法Aに基づいて成形シートをそれぞれ成形した。
合成例11−1−1〜合成例11−1−2のそれぞれで得られたペレットを用いて、成形方法Aに基づいて成形シートをそれぞれ成形した。
合成例1−1、合成例2−1、合成例3−1、合成例7−1−1〜7−2−2のそれぞれで得られたペレットを用いて、成形方法Bに基づいて成形シートをそれぞれ成形した。
合成例11−1−1〜11−1−3、12−1−1〜12−1−2、13−1−1〜13−1−2のそれぞれで得られたペレットを用いて、成形方法Bに基づいて成形シートを成形した。
合成例9−1で得られたペレットを用いて、成形方法Bに基づいて成形用シートを成形した。得られた成形シートを、ガラス転移温度よりも3℃低い温度(90℃)に設定した加熱オーブンにて、1時間加熱した。
合成例10−1で得られたペレットを用いて、成形方法Bに基づいて成形用シートを成形した。得られた成形シートをガラス転移温度よりも3℃低い温度(90℃)に設定した加熱オーブンにて1時間加熱した。
実施例および比較例で成形された成形シートにn−ヘキサデカンを滴下し、接触角を測定した。接触角の測定は、接触角測定装置(協和界面科学社製)を用いて、n−ヘキサデカン2μLにて25℃環境下で実施した。測定結果を表1〜6にそれぞれ示す。
グラフト率(Dg)は、グラフト重合反応前の樹脂材料とグラフト重合反応後の樹脂材料との重量変化を測定し、下記式により算出して求めた。
グラフト率:Dg[%]=(W1−W0)/W0×100
[式中、W0は、グラフト重合前の樹脂材料の重量であり、W1は、グラフト重合後の樹脂材料の重量である。]
共グラフト質量比(含フッ素化合物に由来する構成単位の質量比:非フッ素化合物に由来する構成単位の質量比)は、以下のように求めた。
含フッ素化合物に由来する構成単位の質量比=(含フッ素化合物のグラフト率/Dg)×100
非フッ素化合物に由来する構成単位の質量比=(非フッ素化合物のグラフト率/Dg)×100
ソルベントクラック耐久性は、限界応力の値が大きいほど溶媒に対する耐久性が良好であると判断した。
ε=[0.02×(1−0.0084×(x2)2)−3/2]×t
[式中、tは、試験前のサンプルの厚み(0.1cm)]
上記式で得られた歪みε、およびフィルムの曲げ弾性率Eを用いて、x=x2における応力σを、以下の式により算出した。
σ(kgf/cm2)=E×ε
ここで、Eとしては、COPの曲げ弾性率E=2500MPaを用いた。
耐熱性の評価は、以下のように熱重量測定の測定結果から耐熱指標(%)を算出し、得られた耐熱指標が99%以上であれば、良好な耐熱性を有する(評価A)、99%未満であれば、耐熱性が良好でない(評価B)と評価した。
上記サンプルを、示差熱熱重量同時測定装置TG/DTA7200(株式会社日立ハイテクサイエンス社製)を用いて、空気雰囲気下で以下のように昇温した。
・樹脂材料がPEの場合、25℃から600℃まで10℃/分の速度で昇温した。この場合、230℃時点での重量をM1とした。
・樹脂材料がCOPの場合、25℃から600℃まで10℃/分の速度で昇温した。この場合、290℃時点での重量をM1とした。
耐熱指標[%]=100−100×(M0−M1)/M0
2:試験用サンプル
3:固定部材
Claims (10)
- 含フッ素化合物および非フッ素化合物に由来する構成単位を含むグラフト鎖を有する樹脂材料を含む成形用材料であり、
前記含フッ素化合物は、
CF 3 (CF 2 ) 5 (CH 2 )OCOCH=CH 2 、
CF 3 (CF 2 ) 5 (CH 2 )OCOC(CH 3 )=CH 2 、
CF 3 (CF 2 ) 7 (CH 2 )OCOCH=CH 2 、
CF 3 (CF 2 ) 7 (CH 2 )OCOC(CH 3 )=CH 2 、
(CF 3 ) 2 CF(CF 2 ) 3 (CH 2 ) 2 OCOCH=CH 2 、
CF 3 (CF 2 ) 3 (CH 2 ) 2 OCOC(CH 3 )=CH 2 、
CF 3 (CF 2 ) 3 (CH 2 ) 2 OCOCH=CH 2 、
CF 3 (CF 2 ) 5 (CH 2 ) 2 OCOC(CH 3 )=CH 2 、
CF 3 (CF 2 ) 5 (CH 2 ) 2 OCOCH=CH 2 、
CF 3 CF 2 (CH 2 ) 2 OCOCH=CH 2 、
CF 3 (CF 2 ) 3 SO 2 N(CH 3 )(CH 2 ) 2 OCOCH=CH 2 、
CF 3 (CF 2 ) 3 SO 2 N(C 2 H 5 )(CH 2 ) 2 OCOC(CH 3 )=CH 2 、
(CF 3 ) 2 CF(CF 2 ) 3 CH 2 CH(OCOCH 3 )CH 2 OCOC(CH 3 )=CH 2 、および
(CF 3 ) 2 CF(CF 2 ) 3 CH 2 CH(OH)CH 2 OCOCH=CH 2
からなる群より選ばれる少なくとも1であり、
非フッ素化合物が、ラジカルと反応性を有する部分を有する化合物、分子あるいは分子鎖の一部が脱離してイオン化する化合物、および中間活性種となる部分を有する化合物からなる群より選ばれる少なくとも1であり、
上記成形用材料が、ペレット形状である、成形用材料。 - 前記非フッ素化合物は、側鎖の水素原子が離脱してアルキルラジカルまたはアリルラジカルとなる部分を有する化合物、および、側鎖のハロゲン原子が解離的電子付加反応で脱離してアルキルラジカルまたはアリルラジカルとなる部分を有する化合物からなる群より選ばれる少なくとも1である、請求項1に記載の成形用材料。
- 前記非フッ素化合物は、エステル末端に炭素原子数1〜20のアルキル基の結合した(メタ)アクリル系モノマー、ノルボルネンビニル、スチレン、および塩化ビニルからなる群より選ばれる少なくとも1である、請求項1に記載の成形用材料。
- 前記非フッ素化合物は、1−ヘキセン、1−オクテン、1−デセン、1−ドデセン、イソブテン、ペンテン、ヘプテン、ノネン、アセトフェノンン、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシ−2−メチル-フェニルプロパンやそれらの誘導体、アセトフェノンO−ベンゾイルオキシム、ニフェジピン、シクロヘキシルカルバミン酸1,2−ビス(4−メトキシフェニル)−2−オキソエチル、シクロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジル、2−(9−オキソキサンテン−2−イル)プロピオン酸1,5,7−トリアザビシクロ[4.4.0]デカ−5−エンやそれらの誘導体、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、トルエン、キシレン、ヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼン、およびテトラヒドロフランからなる群より選ばれる少なくとも1である、請求項1に記載の成形用材料。
- 樹脂成形体の製造方法であって、
電離放射線の照射前の樹脂材料に含フッ素化合物および/または非フッ素化合物を接触させ、
樹脂材料に電離放射線を照射し、含フッ素化合物に由来する構成単位および非フッ素化合物に由来する構成単位を含むグラフト鎖を樹脂材料に導入して成形用材料を得、得られた成形用材料を成形すること、を含む製造方法であり、
含フッ素化合物が、式(1):
Xは、水素原子、メチル基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、CFX1X2基、シアノ基、炭素数1〜21の直鎖状若しくは分岐状のフルオロアルキル基、置換または非置換のベンジル基、または、置換若しくは非置換のフェニル基であり;
X1およびX2は、互いに独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子であり;
Yは、炭素数1〜10の脂肪族基、炭素数6〜10の芳香族基または環状脂肪族基、−CH2CH2N(R1)SO2−基、または−CH2CH(OY1)CH2−基であり;
R1は、炭素数1〜4のアルキル基であり;
Y1は、水素原子またはアセチル基であり;
Rf8は、炭素数1〜6の直鎖状または分岐状の、フルオロアルキル基もしくはフルオロアルケニル基である]
で表される含フッ素アクリレートエステル、RfjCH=CH2で表される化合物(式中、Rfjはパーフルオロアルキル基である。)、およびパーフルオロオレフィンからなる群より選ばれる少なくとも1である、
非フッ素化合物が、ラジカルと反応性を有する部分を有する化合物、分子あるいは分子鎖の一部が脱離してイオン化する化合物、および中間活性種となる部分を有する化合物から選ばれる少なくとも1であり、
上記成形用材料が、ペレット形状である、製造方法。 - 前記非フッ素化合物は、側鎖の水素原子が離脱してアルキルラジカルまたはアリルラジカルとなる部分を有する化合物、および、側鎖のハロゲン原子が解離的電子付加反応で脱離してアルキルラジカルまたはアリルラジカルとなる部分を有する化合物からなる群より選ばれる少なくとも1である、請求項5に記載の方法。
- 前記非フッ素化合物は、エステル末端に炭素原子数1〜20のアルキル基の結合した(メタ)アクリル系モノマー、ノルボルネンビニル、スチレン、および塩化ビニルからなる群より選ばれる少なくとも1である、請求項5に記載の方法。
- 前記非フッ素化合物は、1−ヘキセン、1−オクテン、1−デセン、1−ドデセン、イソブテン、ペンテン、ヘプテン、ノネン、アセトフェノンン、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシ−2−メチル-フェニルプロパンやそれらの誘導体、アセトフェノンO−ベンゾイルオキシム、ニフェジピン、シクロヘキシルカルバミン酸1,2−ビス(4−メトキシフェニル)−2−オキソエチル、シクロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジル、2−(9−オキソキサンテン−2−イル)プロピオン酸1,5,7−トリアザビシクロ[4.4.0]デカ−5−エンやそれらの誘導体、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、トルエン、キシレン、ヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼン、およびテトラヒドロフランからなる群より選ばれる少なくとも1である、請求項5に記載の方法。
- 前記含フッ素化合物は、
CF3(CF2)5(CH2)OCOCH=CH2、
CF3(CF2)5(CH2)OCOC(CH3)=CH2、
CF3(CF2)7(CH2)OCOCH=CH2、
CF3(CF2)7(CH2)OCOC(CH3)=CH2、
(CF3)2CF(CF2)3(CH2)2OCOCH=CH2、
CF3(CF2)3(CH2)2OCOC(CH3)=CH2、
CF3(CF2)3(CH2)2OCOCH=CH2、
CF3(CF2)5(CH2)2OCOC(CH3)=CH2、
CF3(CF2)5(CH2)2OCOCH=CH2、
CF3CF2(CH2)2OCOCH=CH2、
CF3(CF2)3SO2N(CH3)(CH2)2OCOCH=CH2、
CF3(CF2)3SO2N(C2H5)(CH2)2OCOC(CH3)=CH2、
(CF3)2CF(CF2)3CH2CH(OCOCH3)CH2OCOC(CH3)=CH2、および
(CF3)2CF(CF2)3CH2CH(OH)CH2OCOCH=CH2
からなる群より選ばれる少なくとも1である、請求項5〜8のいずれか1項に記載の方法。 - 樹脂成形体の製造方法であって、
請求項1〜4のいずれか1項に記載の成形用材料を、加熱処理を含む成形方法により成形することにより、当該グラフト鎖を樹脂成形体表面に偏析させることを含む製造方法。
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