JP6869858B2 - スパッタリング装置 - Google Patents
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Description
また、成膜装置の基本性能として、早い成膜速度および良好な膜厚分布が得られることが必要とされ、さらに、半導体デバイス分野の高周波スパッタリング装置ではウェハ上に形成される薄膜には目的とする材料以外の不純物の混入を極力抑制することが求められている。
本発明は、前記コイル部品の前記誘導成分と、前記シールド板と前記接地電位の間のキャパシタンス成分とが並列接続された並列接続回路の共振周波数と、前記スパッタ電源が出力するスパッタ電圧の交流電圧成分の周波数とが一致するようにされた、スパッタリング装置である。
また、スパッタ空間を広げず真空槽の内部にコイルが配置されているから、プラズマを一層高密度にすることができる。
真空槽11の内部にはステージ12が配置されており、ステージ12と対向する位置にはターゲット装置25が配置されている。この例では真空槽11の内部には電気絶縁性の台24が配置されており、ステージ12は台24上に乗せられている。
シールド板14はリング形形状であり、ターゲット27と載置面13とが対面して形成されたスパッタ空間19を取り囲んで配置されている。
真空槽11の槽壁と、アースブロック15と、シールド板14とはそれぞれ金属製(ここではステンレス鋼製又はアルミニウム鋼製)であり、アースブロック15は真空槽11の壁面や底面と接触しており、低抵抗の電気導電性を有している。
また、シールド板14とターゲット27との間にも電気絶縁性材料16が配置されており、シールド板14とターゲット27とは直接接触せず、電気的に絶縁されている。
収容孔18の内部とその周辺の拡大図を図2に示す。
コイル部品5は導電性を有する金属線が螺旋状に巻き回されて構成されており、電気的には誘導成分が形成されている。
コイル部品5も容量成分を有しており、アースブロック15とシールド板14との間はこの容量成分でも接続されている。
また、シールド板14は、プラズマPとターゲット装置25とを介してスパッタ電源23に接続されている。
スパッタ空間19は真空排気装置21に接続されており、真空排気装置21が動作するとスパッタ空間19は真空排気される。符号28は、真空排気装置21やスパッタ電源23等を制御する制御装置である。
ターゲット27は例えばCuで構成されており、スパッタ電源23からカソード電極26に、スパッタ電圧が出力され、真空槽11の内部にスパッタリングガスのプラズマが形成される。スパッタ電源23は、直流電圧源と交流電圧源とを有しており、スパッタ電圧は、直流の負電圧のバイアス電圧に、交流電圧が重畳された電圧である。図中、スパッタ電源23とターゲット装置25との間に設けられるマッチングボックスは記載を省略した。
f0=1/(2・π)・√(1/(L・C)) ……(1)
f0×0.9≦ f ≦f0×1.1
の範囲であれば、交流電圧成分に対する並列接続回路7のインピーダンスが十分大きくなるから、並列接続回路7の共振周波数と、スパッタ電圧の交流電圧成分の周波数とが一致すると見做すことができる。
11……真空槽
12……ステージ
13……載置面
15……アースブロック
18……収容孔
19……スパッタ空間
23……スパッタ電源
26……カソード電極
27……ターゲット
Claims (2)
- 接地電位に接続された真空槽と、
基板を配置する載置面が前記真空槽の内部に配置されたステージと、
前記載置面と対面して配置されたターゲットと、
前記ターゲットが設けられたカソード電極に交流電圧成分を有するスパッタリング電圧を印加するスパッタ電源と、
を有し、前記ターゲットをスパッタリングして、前記載置面に配置された前記基板の表面に薄膜を形成するスパッタリング装置であって、
前記ターゲットと前記載置面との間のスパッタ空間を取り囲むシールド板と、
前記真空槽の壁面と前記シールド板との間の位置に配置され、前記真空槽に電気的に接続されたアースブロックと、
前記アースブロックの内部に設けられた収容孔と、
前記収容孔に配置され、誘導成分を有するコイル部品と、
を有し、前記シールド板は前記コイル部品によって前記アースブロックに電気的に接続されたスパッタリング装置。 - 前記コイル部品の前記誘導成分と、前記シールド板と前記接地電位の間のキャパシタンス成分とが並列接続された並列接続回路の共振周波数と、前記スパッタ電源が出力するスパッタ電圧の交流電圧成分の周波数とが一致するようにされた、請求項1記載のスパッタリング装置。
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