JP6851093B2 - 低誘電率を有するポリマー及びポリマーの誘電率を低下させるための分子構造設計法 - Google Patents
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- 229920000642 polymer Polymers 0.000 title claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 16
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 claims description 13
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 claims description 13
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 6
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 6
- ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-f][2]benzofuran-1,3,5,7-tetrone Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC2=C1C(=O)OC2=O ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002657 fibrous material Substances 0.000 claims description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 3
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- NSGXIBWMJZWTPY-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane Chemical compound FC(F)(F)CC(F)(F)F NSGXIBWMJZWTPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QHHKLPCQTTWFSS-UHFFFAOYSA-N 5-[2-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C(C=2C=C3C(=O)OC(=O)C3=CC=2)(C(F)(F)F)C(F)(F)F)=C1 QHHKLPCQTTWFSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 claims 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 35
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 9
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 101100046775 Arabidopsis thaliana TPPA gene Proteins 0.000 description 3
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 3
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- XZZNDPSIHUTMOC-UHFFFAOYSA-N triphenyl phosphate Chemical compound C=1C=CC=CC=1OP(OC=1C=CC=CC=1)(=O)OC1=CC=CC=C1 XZZNDPSIHUTMOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 101150100677 polo gene Proteins 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1039—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors comprising halogen-containing substituents
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1067—Wholly aromatic polyimides, i.e. having both tetracarboxylic and diamino moieties aromatically bound
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
- C08J5/18—Manufacture of films or sheets
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L79/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
- C08L79/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08L79/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2203/00—Foams characterized by the expanding agent
- C08J2203/16—Unsaturated hydrocarbons
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2379/00—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C08J2361/00 - C08J2377/00
- C08J2379/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08J2379/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L2203/00—Applications
- C08L2203/12—Applications used for fibers
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
Description
本発明は、材料科学の分野、特に、低誘電率を有するポリマー及びポリマーの誘電率を低下させるための分子構造設計法に関する。
高密度、高速、多機能、高性能の超大規模集積回路（ＵＬＳＩ）には、大きなチップ面積と小さなフィーチャサイズが必要であるため、配線密度を高め、金属ラインの幅とライン間の距離を小さくする必要がある。デバイス密度と配線密度が大幅に増加することにより、相互接続システムにおける抵抗とライン間の容量結合が急速に増加する。信号伝送の遅延、さらには歪み、干渉ノイズの増大、消費電力の増加が、高性能の超大規模集積回路（ＵＬＳＩ）のさらなる開発のボトルネックとなる。信号伝送遅延（ＲＣ）と電力（Ｐ）の算出式モデル及び関連理論によれば、集積回路のＲＣ遅延を削減し、消費電力Ｐを削減しなければならない。この問題の解決は、新規な低誘電率の層間材料の開発及びその応用に依存している。
Ｃｌａｕｓｉｕｓ・Ｍｏｓｓｏｔｔｉの式によれば、材料の誘電率を低下させる最も効果的な方法は、材料の内部空隙を増やすことである。しかしながら、材料の内部空隙を増加させる一方で、材料の他の特性（機械的特性、熱安定性及び吸湿性など）を損傷する可能性がある。ポリマー材料自体に存在する自由体積は、ポリマー固有の特性であり、ポリマー材料の固有の空隙に属する。その大きさは、サブナノメートルであり、材料内に均一に分散する。そのサイズは、ポリマーの鎖構造に密接に関連するが、材料の全体的な性能の安定性にはほとんど影響しない。
ポリマー材料の自由体積を増加させることは、その分子鎖構造に対する設計により実現することができる。例えば、中国特許ＣＮ１０５６２２８３４Ａ、ＣＮ１０５８６００７５Ａなどでは、フッ素含有成分をポリマーの分子構造に導入することにより、材料の分子間の緻密な堆積を抑制し、ポリマー材料の誘電率を効果的に減少させている。しかしながら、大量のフッ素含有成分を導入すると、材料の結合特性が低下し、高温で放出されるフッ酸が非常に強い腐食性をもち、環境適合性が悪く、精密電子機器の分野に適用できない。中国特許ＣＮ１０５４６１９２４Ａ、ＣＮ１３０２２５４などでは、高分子の分子構造に大きな体積を有する基を導入することにより、分子間の緻密な堆積を抑制し、材料の誘電率をある程度まで低下させている。しかしながら、この方法で設計された高分子の分子構造は比較的複雑であり、必然的に、材料生産プロセスの煩雑さと生産コストの大幅な増加に繋がり、大規模な工業生産を達成することは困難となる。また、ポリマー材料の誘電率の低下は、マイクロフォーミング、ポロゲンの添加などの物理的細孔形成手段によっても達成できる。しかしながら、そのような方法では、材料の機械的特性が低下したり、吸水性が増加するなど、材料の実用的な応用価値に影響を与える。
本発明は、プロセスが簡単で、低コストで、工業生産が容易である利点を有する、低誘電率を有するポリマー及びポリマーの誘電率を低下させる分子構造設計法を提供することを目的とする。
本発明の目的は、下記により達成される：低誘電率を有するポリマーであって、その分子構造は主鎖構造と側鎖構造から構成され、前記側鎖構造は主鎖構造に結合するベンゼン環又はビフェニルセグメントを有し、かつ、ベンゼン環又はビフェニル基のメタ位に剛直な直鎖構造を有する置換基を有することを特徴とする。
前記側鎖構造は、一般構般式Ｉ又はＩＩのうち一つ又は二つ以上を有する。
式中、Ｘ１は、下記構造式からなる群より選択されるいずれかであり（ただし、０≦ｎ＜１０）：
Ｙ１は、下記構造式からなる群より選択されるいずれかであり（ただし、０≦ｎ＜１０）：
Ｚは、下記構造式からなる群より選択されるいずれかであり（ただし、０≦ｍ＜１０）：
ポリマーの誘電率を低下できる分子構造設計法であって、前記方法は、ポリマーの主鎖構造に側鎖構造を導入し、前記側鎖構造は主鎖構造に結合するベンゼン環又はビフェニルセグメントを有し、かつ、ベンゼン環又はビフェニル基のメタ位に剛直な直鎖構造を有する置換基を有することを特徴とする。
本発明は、ポリマー分子鎖の側鎖の豊富な設計可能性を利用し、側鎖ベンゼン環又はビフェニルセグメント構造の間の位置に直鎖剛直基を導入し、側鎖ベンゼン環の緩和回転により材料内により大きな自由体積空隙を形成する。これにより、分子鎖の堆積を抑制し、さらにポリマー材料の誘電率を低下させる。この方法は、簡単で、一般的な高性能ポリマー材料に適用でき、得られるポリマー材料の誘電率が著しく低下し、工業的な生産を容易に実現できる。本発明による低誘電率ポリマーは、低誘電材料の製造に適用でき、エレクトロニクス、マイクロエレクトロニクス、情報工学、航空宇宙などのハイテク産業、特に超大規模集積回路の分野に適する。
本発明は、分子構造が主鎖構造と側鎖構造から構成される、低誘電率を有するポリマーであって、前記側鎖構造が主鎖構造に結合するベンゼン環又はビフェニルセグメントを有し、かつ、ベンゼン環又はビフェニル基のメタ位に剛直な直鎖構造を有する置換基を有することを特徴とする、低誘電率を有するポリマーである。
ポリマー分子鎖は、異なる温度で複数の緩和段階がある。ここで、分子の主鎖セグメントの緩和運動に対応する温度は、ガラス転移温度と呼ばれ、側鎖ベンゼン環の緩和回転は、β緩和温度となる。β緩和温度は、ガラス転移温度よりもはるかに低いため、ポリマー材料がガラス転移温度で使用される際、高分子の主鎖セグメントが凍結されても、その分子主鎖における側鎖ベンゼン環が緩和回転できる。このような動的回転を利用して構造を設計することにより、分子鎖の緻密な堆積を抑制し、より大きな自由体積を獲得することができる。
したがって、ポリマーの主鎖構造に側鎖構造を導入し、前記側鎖構造が主鎖構造に結合するベンゼン環又はビフェニルセグメントを有し、かつ、ベンゼン環又はビフェニル基のメタ位に剛直な直鎖構造を有する置換基を有することは、ポリマーの誘電率を低下できる分子構造設計法である。
前記側鎖構造は、一般構般式Ｉ又はＩＩのうち一つ又は二つ以上を有する。
Ｚは、下記構造式からなる群より選択されるいずれかであり（ただし、０≦ｍ＜１０）：
式中、Ｘ１は、下記構造式からなる群より選択されるいずれかであり（ただし、０≦ｎ＜１０）：
Ｙ１は、下記構造式からなる群より選択されるいずれかであり（ただし、０≦ｎ＜１０）：
Ｚは、下記構造式からなる群より選択されるいずれかであり（ただし、０≦ｍ＜１０）：
前記側鎖構造は、一般構般式Ｉ又はＩＩのうち一つ又は二つ以上を有する。
Ｚは、下記構造式からなる群より選択されるいずれかであり（ただし、０≦ｍ＜１０）：
前記ポリマーの主鎖構造は、すべての芳香族ポリマー構造、複素環ポリマー構造又はアルキル鎖ポリマー構造からなる群より選択されることができる。ポリマーは、粉末材料、繊維材料、又はフィルム材料であってもよく、比較的低い誘電率を有するため、低誘電ポリマー材料の製造に適用することができる。
以下の実施例は、本発明をより詳細に説明するために提供される。以下の実施例は、本発明の範囲を限定するものとして解釈されるべきではないことに留意すべきである。当業者により、上記発明の内容に基づき、本発明に対して行った非本質的な変更又は調整は、依然として本発明の保護の範囲内にある。
実施例１
本実施例におけるポリマーフィルムＴｍＢＰＰＡの分子構造は、以下の通りである。
実施例１
本実施例におけるポリマーフィルムＴｍＢＰＰＡの分子構造は、以下の通りである。
トリフェニルアミンとＰＭＤＡ構造を含むポリイミド材料の分子構造の側鎖ベンゼン環のメタ位にビフェニル置換基を導入し、インピーダンスアナライザーにより、ポリマーフィルムの誘電特性を測定し、側鎖ベンゼン環のメタ位に置換基を有しないもの（ＴＰＰＡ）及び側鎖ベンゼン環のパラ位に置換基を有するもの（ＴｐＢＰＰＡ）のポリマーフィルムと比較した（図１参照）。側鎖ベンゼン環のメタ位にあるビフェニル置換基を有するポリマーフィルムの誘電率は、他の２つのポリマーフィルムよりも著しく低く、２．２３まで低下した。
実施例２
本実施例におけるポリマーフィルムＴｍＢＰＨＦの分子構造は、以下の通りである。
本実施例におけるポリマーフィルムＴｍＢＰＨＦの分子構造は、以下の通りである。
トリフェニルアミンと６ＦＤＡ構造を含むポリイミド材料の分子構造の側鎖ベンゼン環のメタ位にビフェニル置換基を導入し、インピーダンスアナライザーにより、ポリマーフィルムの誘電特性を測定し、側鎖ベンゼン環のメタ位に置換基を有しないもの（ＴＰＡＨＦ）及び側鎖ベンゼン環のパラ位に置換基を有するもの（ＴｐＢＰＨＦ）のポリマーフィルムと比較した（図２参照）。側鎖ベンゼン環のメタ位にあるビフェニル置換基を有するポリマーフィルムの誘電率は、他の２つのポリマーフィルムよりも著しく低く、２．０９まで低下した。
実施例３
本実施例におけるポリマーフィルムＴＭ３ＢＰｈＨＦの分子構造は、以下の通りである。
本実施例におけるポリマーフィルムＴＭ３ＢＰｈＨＦの分子構造は、以下の通りである。
トリフェニルメタンと６ＦＤＡ構造を含むポリイミド材料の分子構造の側鎖ベンゼン環のメタ位にビフェニル置換基を導入し、インピーダンスアナライザーにより、ポリマーフィルムの誘電特性を測定し、側鎖ベンゼン環のメタ位に置換基を有しないもの（ＴＰＭＨＦ）及び側鎖ベンゼン環のパラ位に置換基を有するもの（ＴＭ４ＢＰｈＨＦ）のポリマーフィルムと比較した（図３参照）。側鎖ベンゼン環のメタ位にあるビフェニル置換基を有するポリマーフィルムの誘電率は、他の２つのポリマーフィルムよりも著しく低く、１．９２まで低下した。
実施例４
本実施例におけるポリマーフィルムＴＭ３５Ｐｈ２ＣＦ３ＨＦの分子構造は、以下の通りである。
本実施例におけるポリマーフィルムＴＭ３５Ｐｈ２ＣＦ３ＨＦの分子構造は、以下の通りである。
トリフェニルメタンと６ＦＤＡ構造を含むポリイミド材料の分子構造の側鎖ベンゼン環のメタ位に二つのフッ素含有置換基を導入し、インピーダンスアナライザーにより、ポリマーフィルムの誘電特性を測定し、側鎖ベンゼン環のメタ位に置換基を有しないもの（ＴＰＭＨＦ）のポリマーフィルムと比較した（図４参照）。側鎖ベンゼン環のメタ位にある二つのフッ素含有置換基を有するポリマーフィルムの誘電率は、側鎖ベンゼン環のメタ位に置換基を有しないポリマーフィルムよりも著しく低く、１．９１まで低下した。
Claims (5)
- 分子構造が主鎖構造と側鎖構造から構成される低誘電率を有するポリマーであって、前記主鎖構造は、トリフェニルアミン又はトリフェニルメタンと、６ＦＤＡ（２，２−ビス（３，４−アンヒドロジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン）又はＰＭＤＡ（ピロメリット酸無水物）構造を含むポリイミドであり、前記側鎖構造は主鎖構造に結合するベンゼン環又はビフェニルセグメントを有し、かつ、ベンゼン環又はビフェニル基のメタ位に剛直な直鎖構造を有する置換基を有し、前記側鎖構造は、一般構造式Ｉ又はＩＩのうち一つ又は二つ以上を有することを特徴とする、低誘電率を有するポリマー。
式中、Ｘ １ は、下記構造式からなる群より選択されるいずれかであり（ただし、０≦ｎ＜１０）：
Ｙ １ は、下記構造式からなる群より選択されるいずれかであり（ただし、０≦ｎ＜１０）：
Ｚは、下記構造式からなる群より選択されるいずれかであり（ただし、０≦ｍ＜１０）：
- 前記ポリマーは、粉末材料、繊維材料、又はフィルム材料であることを特徴とする、請求項１記載の低誘電率を有するポリマー。
- 低誘電ポリマー材料の製造に適用する、請求項１記載の低誘電率を有するポリマー。
- 主鎖構造がトリフェニルアミン又はトリフェニルメタンと、６ＦＤＡ（２，２−ビス（３，４−アンヒドロジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン）又はＰＭＤＡ（ピロメリット酸無水物）構造を含むポリイミドであるポリマーに側鎖構造を導入し、前記側鎖構造が主鎖構造に結合するベンゼン環又はビフェニルセグメントを有し、前記側鎖構造は、一般構造式Ｉ又はＩＩのうち一つ又は二つ以上を有し、かつ、ベンゼン環又はビフェニル基のメタ位に剛直な直鎖構造を有する置換基を有することを特徴とする、ポリマーの誘電率を低下できる分子構造設計法。
式中、Ｘ １ は、下記構造式からなる群より選択されるいずれかであり（ただし、０≦ｎ＜１０）：
Ｙ １ は、下記構造式からなる群より選択されるいずれかであり（ただし、０≦ｎ＜１０）：
Ｚは、下記構造式からなる群より選択されるいずれかであり（ただし、０≦ｍ＜１０）：
- 前記ポリマーは、粉末材料、繊維材料、又はフィルム材料であることを特徴とする、請求項４記載のポリマーの誘電率を低下できる分子構造設計法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710083465.1A CN107057065B (zh) | 2017-02-16 | 2017-02-16 | 具有低介电常数的聚合物及降低聚合物介电常数的分子结构设计方法 |
| CN201710083465.1 | 2017-02-16 | ||
| PCT/CN2018/074891 WO2018149303A1 (zh) | 2017-02-16 | 2018-02-01 | 具有低介电常数的聚合物及降低聚合物介电常数的分子结构设计方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020506277A JP2020506277A (ja) | 2020-02-27 |
| JP6851093B2 true JP6851093B2 (ja) | 2021-03-31 |
Family
ID=59622623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019543885A Active JP6851093B2 (ja) | 2017-02-16 | 2018-02-01 | 低誘電率を有するポリマー及びポリマーの誘電率を低下させるための分子構造設計法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11370886B2 (ja) |
| JP (1) | JP6851093B2 (ja) |
| KR (1) | KR102283757B1 (ja) |
| CN (1) | CN107057065B (ja) |
| WO (1) | WO2018149303A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107057065B (zh) * | 2017-02-16 | 2020-01-14 | 中山大学 | 具有低介电常数的聚合物及降低聚合物介电常数的分子结构设计方法 |
| CN111082055B (zh) * | 2019-12-12 | 2020-12-29 | 华南师范大学 | 二联三苯胺-酰亚胺聚合物在锂电池正极制备中的应用 |
| JP7438790B2 (ja) * | 2020-03-04 | 2024-02-27 | 東レ・デュポン株式会社 | 接着剤付きポリイミドフィルムおよびフラットケーブル |
| WO2021251052A1 (ja) * | 2020-06-09 | 2021-12-16 | Dic株式会社 | 硬化性樹脂、硬化性樹脂組成物、及び、硬化物 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4937165A (en) * | 1989-04-03 | 1990-06-26 | Xerox Corporation | Photoconductive imaging members with N,N-bis(biarylyl)aniline charge transport polymers |
| US4959288A (en) * | 1989-04-03 | 1990-09-25 | Xerox Corporation | Photoconductive imaging members with diaryl biarylylamine copolymer charge transport layers |
| US5403908A (en) * | 1989-10-06 | 1995-04-04 | Idemitsu Kosan Company, Limited | Aryl styrene-based copolymer |
| KR100376287B1 (ko) * | 2001-01-26 | 2003-03-17 | 광주과학기술원 | 3,6-다이(3',5'-비스(트리플로오로메틸)벤젠)피로멜리틱다이안하이드라이드 및 그 제조방법 |
| KR100872676B1 (ko) * | 2004-12-28 | 2008-12-10 | 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 | 불소 함유 디아민 및 이를 사용한 중합체 |
| JP4769242B2 (ja) * | 2007-09-25 | 2011-09-07 | 山本化成株式会社 | 高分子化合物、および該高分子化合物を含有する有機電界発光素子 |
| US8461291B2 (en) * | 2007-12-17 | 2013-06-11 | E I Du Pont De Nemours And Company | Organic electroactive materials and an organic electronic device having an electroactive layer utilizing the same material |
| CN103080116B (zh) * | 2010-09-10 | 2015-10-21 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一类苝四羧酸二酰亚胺有机半导体材料及其制备方法和应用 |
| CN104341311B (zh) * | 2013-07-31 | 2016-12-28 | 中山大学 | 二胺化合物及其制备方法和应用 |
| CN104341593B (zh) * | 2013-07-31 | 2016-12-28 | 中山大学 | 具有低介电特性的聚酰亚胺及其制备方法和应用 |
| CN107057065B (zh) | 2017-02-16 | 2020-01-14 | 中山大学 | 具有低介电常数的聚合物及降低聚合物介电常数的分子结构设计方法 |
-
2017
- 2017-02-16 CN CN201710083465.1A patent/CN107057065B/zh active Active
-
2018
- 2018-02-01 KR KR1020197023897A patent/KR102283757B1/ko active IP Right Grant
- 2018-02-01 JP JP2019543885A patent/JP6851093B2/ja active Active
- 2018-02-01 WO PCT/CN2018/074891 patent/WO2018149303A1/zh active Application Filing
- 2018-02-01 US US16/486,802 patent/US11370886B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2020506277A (ja) | 2020-02-27 |
| CN107057065A (zh) | 2017-08-18 |
| KR102283757B1 (ko) | 2021-07-29 |
| US11370886B2 (en) | 2022-06-28 |
| US20190367678A1 (en) | 2019-12-05 |
| CN107057065B (zh) | 2020-01-14 |
| WO2018149303A1 (zh) | 2018-08-23 |
| KR20190103394A (ko) | 2019-09-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210302 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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