JP6825273B2 - 発光装置 - Google Patents
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Description
表面にAgを含む金属部材と、絶縁性の基体と、を備える基板と、基板上に載置される発光素子と、金属部材の少なくとも一部、及び、発光素子を覆う封止部材と、を有し、封止部材は、発光素子を覆うジメチルシリコーン樹脂と、ジメチルシリコーン樹脂を覆う酸化ケイ素膜と、酸化ケイ素膜を覆うフェニルシリコーン樹脂と、を備える発光装置。
基板は、金属部材と絶縁性の基体と、を備える。基板は平板状又は凹部を備えていてもよい。基板は凹部を備える場合、表面にAgを含む金属部材は凹部の底面及び/又は凹部の側面に配置することができる。
発光素子は、素子基板上に積層された、発光層を含む半導体層から構成される。半導体層を構成するp層、発光層、n層としては、特に限定されるものではなく、例えば、InXAlYGa1−X−YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)等の窒化物系化合物半導体が好適に用いられる。これらの窒化物半導体層は、それぞれ単層構造でもよいが、組成及び膜厚等の異なる層の積層構造、超格子構造等であってもよい。特に、発光層は、量子効果が生ずる薄膜を積層した単一量子井戸又は多重量子井戸構造であることが好ましい。
封止部材は、発光素子等を塵芥、水分、外力などから保護する部材であり、金属部材の少なくとも一部と、発光素子とを覆う。詳細には、封止部材は、発光素子を覆うジメチルシリコーン樹脂と、ジメチルシリコーン樹脂を覆う酸化ケイ素膜と、酸化ケイ素膜を覆うフェニルシリコーン樹脂と、を備える。
図1は、実施形態1に係る発光装置100の概略断面図である。発光装置100は、凹部R1を備えた基板110と、基板110上に載置される発光素子160と、発光素子160を覆う封止部材170と、を備える。基板110は、一対の電極として機能する2つ金属部材120と、それらを保持する基体130とを備えている。金属部材120は板状であり、導電性の母材120bと、その表面のAg含有層120aとを備える。Ag含有層120aの一部は基板110の凹部R1の底面に露出されている。第1底面R1axは、基板110の上面でもある。実施形態1では、発光素子260は、電極である金属部材120の上に載置されている。
図2は、実施形態2に係る発光装置200の概略断面図である。発光装置200は、金属部材220を3つ備えている点において、実施形態1と異なる。基板210は実施形態1と同様に下方凹部R2aと上方凹部R2bとを備える凹部R2を備えている。金属部材220は、一対の電極として機能する2つの第1金属部材221と、通電には寄与しない1つの第2金属部材222と、を備える。3つの金属部材220は、同一の部材であり、それぞれ導電性の基体221b、222bと、その表面のAg含有層221a、222aと、を備える。第2金属部材222は、上面に発光素子260が載置されており、その直下の下面において外部に露出している。これにより、発光装置200を配線基板上に実装した際に、発光素子260からの熱を効率よく外部に放出することはできる放熱部材として、第2金属部材222を機能させることができる。
図3は、実施形態3に係る発光装置300の概略断面図である。発光装置300は、平板状の基体330が絶縁性であり、この絶縁性の基体330の上面に形成された金属部材320の上に発光素子360が載置されている。金属部材320は、通電に寄与する第1金属部材321と、通電に寄与しない第2金属部材322と、を備えている。発光素子360は通電に寄与しない第2金属部材322上に載置されている。第1金属部材321と発光素子360とはワイヤ350によって電気的に接続されている。第1金属部材321と第2金属部材322の間、及び第1金属部材321とワイヤ350との接続部分は、枠体340によって覆われている。枠体340で囲まれた領域には、第2金属部材322が配置されており、第1金属部材321は、枠体340に囲まれた領域には配置されていない。第1金属部材321は、一部が枠体340に埋設されると共に、一部が枠体340の外側に配置されている。枠体340の外側に配置された第1金属部材321は外部接続端子として機能する。
110、210、310…基板
120、220、320…金属部材
221、321…第1金属部材
222、322…第2金属部材
120a、221a、222a、321a、322a…Ag含有層
120b、220b…母材
130、230、330…基体
R1、R2…基板の凹部
R1a、R2a…下方凹部
R1ax…凹部の第1底面(基板の上面)
R1ay…凹部の第1側面
R1b、R2b…上方凹部
R1bx…凹部の第2底面
R1by…凹部の第2側面
R1c…凹部の側壁の上面
340…枠体
150、250、350…ワイヤ
160、260、360…発光素子
170、270、370…封止部材
172、272、372…ジメチルシリコーン樹脂
174、274、374…酸化ケイ素膜
176、276、376…フェニルシリコーン樹脂
Claims (5)
- 表面にAgを含む金属部材と、絶縁性の基体と、を備える基板と、
前記基板上に載置される発光素子と、
前記金属部材の少なくとも一部、及び、前記発光素子を覆う封止部材と、
を有し、
前記基板は、第1底面を備えた下方凹部と、前記下方凹部よりも上側に位置し第1底面よりも外側に位置する第2底面を備えた上方凹部と、を有し、
前記封止部材は、
前記下方凹部内に配置され、前記発光素子を覆うジメチルシリコーン樹脂と、
前記ジメチルシリコーン樹脂、及び、前記第2底面を覆う酸化ケイ素膜と、
前記上方凹部内に配置され、前記酸化ケイ素膜を覆うフェニルシリコーン樹脂と、
を備える発光装置。 - 前記金属部材と前記発光素子とを電気的に接続するワイヤを備え、前記ワイヤの全て、もしくは大部分は、前記ジメチルシリコーン樹脂で覆われている請求項1記載の発光装置。
- 前記ジメチルシリコーン樹脂の厚みは、150μm〜600μmである請求項1又は請求項2記載の発光装置。
- 前記酸化ケイ素膜の厚みは、30nm〜300nmである請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記フェニルシリコーン樹脂の厚みは、150μm〜600μmである請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の発光装置。
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