JP6820783B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

開示の実施形態は、基板処理装置に関する。

従来、半導体ウェハやガラス基板といった基板に対し、処理液を供給して洗浄処理等の基板処理を行う基板処理装置が知られている。

基板処理装置には、基板を保持して回転させる回転機構と、基板の外方に配置され、基板を全周に亘って囲繞する案内部材とを備えたものがある（特許文献１参照）。案内部材は、基板とともに回転し、基板処理に使用された処理液を排液のために導く役割を担う。

特開２０１１−２４３６２７号公報

しかしながら、案内部材を備えた基板処理装置においては、案内部材に近接する基板の周縁部が基板処理後にプラスに帯電することが分かった。基板の周縁部がプラスに帯電すると、基板に電気的な影響が生じるおそれがある。

実施形態の一態様は、基板の周縁部が帯電することを抑制することのできる基板処理装置を提供することを目的とする。

実施形態の一態様に係る基板処理装置は、保持部と、供給部と、案内部材と、導通経路部とを備える。保持部は、基板を保持するとともに回転可能である。供給部は、保持部に保持された基板に処理液を供給する。導電性の案内部材は、保持部に保持された基板を全周に亘って囲繞し、回転する基板から流出した処理液を上面において案内する。導通経路部は、導電性を有し、案内部材と接触する。

実施形態の一態様によれば、基板の周縁部が帯電することを抑制することができる。

図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。 図２は、処理ユニットの概略構成を示す図である。 図３は、保持部の模式拡大図である。 図４は、保持部周辺の模式平面図である。 図５は、第１ガイドリングの導通経路を説明するための図である。 図６は、支柱部から接地電位への導通経路の構成を示す図である。 図７は、導通経路の変形例を示す図である。 図８は、第１ガイドリングとウェハとの隙間を示す図である。 図９は、変形例に係る第１ガイドリングの構成を示す図である。 図１０は、処理ユニットが実行する基板処理の一例を示すフローチャートである。 図１１は、変形例に係る保持部の構成を示す図である。

以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。

図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。

図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。

搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ（以下ウェハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。

搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。

処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。

搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。

処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。

また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。

処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。

次に、処理ユニット１６について図２を参照し説明する。図２は、処理ユニット１６の概略構成を示す図である。

図２に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板保持機構３０と、処理流体供給部４０と、回収カップ５０とを備える。

チャンバ２０は、基板保持機構３０と処理流体供給部４０と回収カップ５０とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。

基板保持機構３０は、保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備える。保持部３１は、ウェハＷを水平に保持する。支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。かかる基板保持機構３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された保持部３１を回転させ、これにより、保持部３１に保持されたウェハＷを回転させる。

処理流体供給部４０は、ウェハＷに対して処理流体を供給する。処理流体供給部４０は、処理流体供給源７０に接続される。

回収カップ５０は、保持部３１を取り囲むように配置され、保持部３１の回転によってウェハＷから飛散する処理液を捕集する。回収カップ５０の底部には、排液口５１が形成されており、回収カップ５０によって捕集された処理液は、かかる排液口５１から処理ユニット１６の外部へ排出される。また、回収カップ５０の底部には、ＦＦＵ２１から供給される気体を処理ユニット１６の外部へ排出する排気口５２が形成される。

＜処理ユニットの具体的な構成例＞
次に、上述した処理ユニット１６の具体的な構成について図３および図４を参照して説明する。図３は、保持部３１の模式拡大図である。また、図４は、保持部３１周辺の模式平面図である。

図３および図４に示すように、保持部３１は、円板状のベースプレート３１１と、ベースプレート３１１の上面に設けられた複数の保持体３１２とを備える。複数の保持体３１２は、ウェハＷを側方から把持することによって、ウェハＷをベースプレート３１１から浮かせた状態で保持する。

図４に示すように、ここでは、３つの保持体３１２が、ベースプレート３１１の上面に対して６０度間隔で均等に配置される。なお、保持体３１２は、上記のようにウェハＷを把持するものに限らず、ウェハＷの下面に当接して、ウェハＷを下方から支持する支持ピン等であってもよい。また、複数の保持体３１２の個数および配置は、上記の例に限定されない。

保持部３１に保持されたウェハＷの径方向外方には、第１ガイドリング１０１および第２ガイドリング１０２が設けられている。

図４に示すように、第１ガイドリング１０１および第２ガイドリング１０２は、円環状の部材であり、ウェハＷの周縁部との間に隙間をあけて、ウェハＷを全周に亘って囲繞するように配置される。

第１ガイドリング１０１は、保持部３１に保持されたウェハＷに近接して配置される。また、第２ガイドリング１０２は、第１ガイドリング１０１よりも大径に形成され、第１ガイドリング１０１との間に隙間をあけて、第１ガイドリング１０１を全周に亘って囲繞するように配置される。

第１ガイドリング１０１および第２ガイドリング１０２は、複数の支柱部材１０３を介してベースプレート３１１に固定されており、ベースプレート３１１と共に回転する。複数の支柱部材１０３は、ベースプレート３１１に対し、周方向に互いに間隔をあけて配置され、第１ガイドリング１０１および第２ガイドリング１０２をベースプレート３１１から浮かせた状態で支持する。

第１ガイドリング１０１の上面は、保持部３１に保持されたウェハＷの上面よりも低い位置に配置されており、回転するウェハＷから流出した処理液は、第１ガイドリング１０１の上面を流れ、第１ガイドリング１０１と第２ガイドリング１０２との隙間を通って、排液口５１（図２参照）へ案内される。

本発明者らは、ガイドリングを備えた基板処理装置において、ウェハＷの周縁部が基板処理後にプラスに帯電することを発見した。そして、鋭意研究の結果、ウェハＷから飛散した処理液やミストの影響でガイドリングがマイナスに帯電すること、および、ガイドリングがマイナスに帯電することで、ガイドリングに近接するウェハＷの周縁部がプラスに帯電することを突き止めた。

そこで、本実施形態に係る処理ユニット１６では、ウェハＷの周縁部に近接配置される第１ガイドリング１０１の除電を行うことにより、ウェハＷの周縁部のプラス帯電を抑制することとした。

＜導通経路の構成＞
第１ガイドリング１０１に発生した電気の導通経路の構成について図５を参照して説明する。図５は、第１ガイドリング１０１の導通経路を説明するための図である。

本実施形態において、第１ガイドリング１０１および複数の支柱部材１０３は、導電性を有する部材で形成される。たとえば、第１ガイドリング１０１および支柱部材１０３は、ＰＥＥＫなどの導電性樹脂を用いて形成される。

なお、第１ガイドリング１０１および支柱部材１０３は、必ずしも導電性を有する部材で形成されることを要しない。たとえば、第１ガイドリング１０１および支柱部材１０３は、表面が導電性の部材でコーティングされた非導電性の部材で形成されてもよい。

図５中の矢印で示すように、第１ガイドリング１０１に生じた電気は、導電性を有する第１ガイドリング１０１から同じく導電性を有する複数の支柱部材１０３を介してベースプレート３１１の内部へ伝達される。

ベースプレート３１１の内部には、導電性部材３１１ａが設けられており、かかる導電性部材３１１ａは、支柱部材１０３と接触している。これにより、支柱部材１０３からの電気は導電性部材３１１ａへ伝達される。

導電性部材３１１ａは、支柱部３２まで延びており、導電性部材３１１ａへ導かれた電気は支柱部３２へ伝達される。支柱部３２は、導電性を有する部材で形成される。

このように、第１ガイドリング１０１に生じた電気は、第１ガイドリング１０１から複数の支柱部材１０３および導電性部材３１１ａを介して支柱部３２へ伝達される。

つづいて、支柱部３２から接地電位への導通経路の構成について図６を参照して説明する。図６は、支柱部３２から接地電位への導通経路の構成を示す図である。

図６に示すように、支柱部３２を回転させる駆動部３３は、電動機３３１と、複数（ここでは２つ）の軸受３３２とを備える。また、電動機３３１は、ハウジング３３１ａと、固定子３３１ｂと、回転子３３１ｃとを備える。

ハウジング３３１ａは、たとえば筒状に形成され、内部に固定子３３１ｂおよび回転子３３１ｃを収納する。ハウジング３３１ａは、導電性部材で形成される。固定子３３１ｂは、ハウジング３３１ａの内周面に設けられる。この固定子３３１ｂの内周側には空隙を介して回転子３３１ｃが対向配置される。回転子３３１ｃは、支柱部３２の外周面に設けられ、固定子３３１ｂと対向配置される。

軸受３３２は、ハウジング３３１ａと支柱部３２との間に設けられ、支柱部３２を回転可能に支持する。軸受３３２は、たとえば玉軸受であり、導電性部材で形成される。

接地部１５０は、たとえばアース線であり、一端部がハウジング３３１ａに接続され、他端部が接地電位に接続される。

このように、本実施形態では、支柱部３２から軸受３３２、ハウジング３３１ａおよび接地部１５０を介する導通経路が形成されている。したがって、第１ガイドリング１０１から支柱部材１０３および導電性部材３１１ａを介して支柱部３２へ伝達された電気は、支柱部３２から軸受３３２、ハウジング３３１ａおよび接地部１５０を介して接地電位へ伝達される。これにより、第１ガイドリング１０１を除電することができる。

このように、本実施形態では、支柱部３２および駆動部３３（回転機構の一例）が「導通経路部」の一例に相当するが、導通経路部は、導電性部材３１１ａと接触し、導電性を有する部材で形成されるものであればよく、上記の例に限定されない。

ここで、導通経路の変形例について図７を参照して説明する。図７は、導通経路の変形例を示す図である。

図７に示すように、処理ユニット１６は、導電性の接続部材３５と、導電性の軸受３６と、絶縁性の支持部材３７とをさらに備えた構成としてもよい。

接続部材３５は、たとえば金属で形成され、棒形状を有し、支柱部３２の反負荷側の端部に対し、支柱部３２と同軸上に接続される。

接続部材３５の他端部は、導電性の軸受３６によって回転可能に支持され、軸受３６は、絶縁性の支持部材３７によって支持される。接地部１５０は、一端部が軸受３６に接続され、他端部が接地電位に接続される。

このように、第１ガイドリング１０１に発生した電気を電動機３３１を介すことなく接続部材３５から軸受３６を介して接地部１５０へ流すこととしてもよい。

なお、電動機３３１は、導電性の軸受３３２（図６参照）に代えて、絶縁性の軸受３３２ａを備える。このように、絶縁性の軸受３３２ａを用いることで、意図しない経路での導通を防止することができる。

＜第１ガイドリングとウェハとの隙間について＞
本実施形態に係る第１ガイドリング１０１は、基板保持機構３０に保持されたウェハＷに対し、従来よりも更に近接して配置される。この点について図８を参照して説明する。図８は、第１ガイドリング１０１とウェハＷとの隙間を示す図である。

図８に示すように、第１ガイドリング１０１の内周縁部とウェハＷの周縁部との隙間Ｇの大きさは、回転するウェハＷに対して処理流体供給部４０から処理液Ｌが供給された場合に、第１ガイドリング１０１とウェハＷとに亘って処理液Ｌの液膜が形成される大きさに設定される。

ウェハＷに形成された液膜から処理液Ｌが千切れて飛散すると、千切れた処理液Ｌが帯電し、かかる帯電した処理液Ｌが第１ガイドリング１０１に付着することによって第１ガイドリング１０１が帯電するおそれがある。これに対し、本実施形態のように、第１ガイドリング１０１とウェハＷとの隙間Ｇを小さくして、隙間Ｇにも処理液Ｌの液膜Ｌｆが形成されるようにすることで、処理液Ｌが千切れることによる処理液Ｌの帯電を防止することができる。これにより、第１ガイドリング１０１の帯電を未然に防止することができるため、第１ガイドリング１０１の帯電に伴うウェハＷの帯電をより確実に抑制することができる。

なお、第１ガイドリング１０１とウェハＷとに亘る液膜を形成し易くするためには、第１ガイドリング１０１の表面は、親水性であることが好ましい。そこで、第１ガイドリング１０１の表面を親水性にしてもよい。かかる点について、図９を参照して説明する。図９は、変形例に係る第１ガイドリング１０１の構成を示す図である。

図９に示すように、第１ガイドリング１０１は、導電性を有する導電性部分１０１ａと、親水性を有する親水性部分１０１ｂとを有していてもよい。親水性部分１０１ｂは、たとえば、親水性のコーティング剤または親水性のテープにより構成される。また、親水性部分１０１ｂは、導電性部分１０１ａの表面改質を行うことにより形成されてもよい。

ここでは、親水性部分１０１ｂによって導電性部分１０１ａの表面全体が覆われる場合の例を示したが、親水性部分１０１ｂは、少なくとも導電性部分１０１ａの上面を覆うものであればよい。

このように、第１ガイドリング１０１の少なくとも上面を親水性にすることにより、処理液が千切れることによる処理液の帯電をより確実に防止することができる。

＜基板処理について＞
次に、処理ユニット１６において実行される基板処理の一例として、ドライエッチング後またはアッシング後のウェハＷを洗浄する洗浄処理の内容について図１０を参照して説明する。図１０は、処理ユニット１６が実行する基板処理の一例を示すフローチャートである。

なお、処理ユニット１６の処理流体供給部４０には、処理流体供給源７０として、ＤＩＷ（純水）を供給するＤＩＷ供給源と、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を供給するＩＰＡ供給源と、ポリマー除去液を供給するポリマー除去液供給源とが接続される。処理流体供給部４０は、複数の処理液を供給する１つのノズルを備えていてもよいし、各処理液を吐出する複数のノズルを備えていてもよい。

図１０に示すように、処理ユニット１６では、まず、ＤＩＷ供給処理が行われる（ステップＳ１０１）。ＤＩＷ供給処理では、駆動部３３が保持部３１を回転させることにより、保持部３１に保持されたウェハＷを回転させる。つづいて、処理流体供給部４０のＤＩＷを供給するノズルがウェハＷの中央上方に位置する。

その後、ＤＩＷ供給源から供給されるＤＩＷがノズルから回転するウェハＷの上面に供給される。ウェハＷへ供給されたＤＩＷは、ウェハＷの回転に伴う遠心力によってウェハＷの上面に広がる。このように、ウェハＷの上面にＤＩＷの液膜を形成しておくことにより、その後のＩＰＡ供給処理において、ウェハＷの上面にＩＰＡの液膜を形成し易い状態とすることができる。

つづいて、処理ユニット１６では、ＩＰＡ供給処理が行われる（ステップＳ１０２）。ＩＰＡ供給処理では、処理流体供給部４０のＩＰＡを供給するノズルがウェハＷの中央上方に位置する。

その後、ＩＰＡ供給源から供給されるＩＰＡがノズルから回転するウェハＷの上面に供給される。ウェハＷへ供給されたＩＰＡは、ウェハＷの回転に伴う遠心力によってウェハＷの上面に広がる。このように、ウェハＷの上面にＩＰＡの液膜を形成しておくことにより、その後のポリマー除去液供給処理において、ポリマーの除去効率を高めることができる。

つづいて、処理ユニット１６では、ポリマー除去液供給処理が行われる（ステップＳ１０３）。ポリマー除去液供給処理では、処理流体供給部４０のポリマー除去液を供給するノズルがウェハＷの中央上方に位置する。

その後、ポリマー除去液供給源から供給されるポリマー除去液がノズルから回転するウェハＷの上面に供給される。ウェハＷへ供給されたポリマー除去液は、ウェハＷの回転に伴う遠心力によってウェハＷの上面に広がる。これにより、ドライエッチング後またはアッシング後のウェハＷに付着したポリマーが除去される。

つづいて、処理ユニット１６では、ＤＩＷ供給処理が行われる（ステップＳ１０４）。ＤＩＷ供給処理では、処理流体供給部４０のＤＩＷを供給するノズルがウェハＷの中央上方に位置する。その後、ＤＩＷ供給源から供給されるＤＩＷがノズルから回転するウェハＷの上面に供給される。ウェハＷへ供給されたＤＩＷは、ウェハＷの回転に伴う遠心力によってウェハＷの上面に広がる。これにより、ウェハＷの上面に残存するポリマー除去液やポリマー除去液によって除去されたポリマー等がＤＩＷによってウェハＷから除去される。

つづいて、処理ユニット１６では、乾燥処理が行われる（ステップＳ１０５）。乾燥処理では、ウェハＷの回転数を増加させることにより、ウェハＷ上に残存するＤＩＷを振り切ってウェハＷを乾燥させる。

その後、ウェハＷの回転が停止し、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６からウェハＷが搬出されることにより、一連の基板処理が終了する。

＜他の変形例＞
上述した実施形態では、第１ガイドリング１０１を導電性を有する部材で形成して第１ガイドリング１０１の帯電を防止することとしたが、さらに、保持体３１２（図３参照）を導電性を有する部材で形成し、保持部３１の帯電を防止することとしてもよい。かかる場合の例について図１１を参照して説明する。図１１は、変形例に係る保持部３１の構成を示す図である。

保持体３１２が導電性を有する部材で形成される場合、図１１に示すように、ベースプレート３１１の内部に設けられる導電性部材３１１ａは、支柱部材１０３および保持体３１２の両方に接触するように設けられる。これにより、第１ガイドリング１０１および保持体３１２の各々に生じた電気は、導電性部材３１１ａへ伝達され、導電性部材３１１ａから支柱部３２や接地部１５０を介して接地電位へ伝達されて、第１ガイドリング１０１および保持体３１２が除電される。

このように、第１ガイドリング１０１の導通経路および保持体３１２の導通経路を共通化することで、導通経路部の構成を簡略化することができる。

なお、保持部３１はウェハＷに直接触れるため、ウェハＷに触れている箇所と触れてない箇所とで除電効果の分布にバラツキが生じる可能性がある。このため、保持体３１２による除電効果は、第１ガイドリング１０１による除電効果よりも低いことが好ましい。すなわち、第１ガイドリング１０１および保持体３１２の抵抗値は、保持体３１２＞第１ガイドリング１０１とすることが好ましい。このようにすることで、保持部３１がウェハＷに触れている箇所と触れてない箇所との間で生じる除電効果のバラツキを第１ガイドリング１０１による除電効果によって緩和させることができる。

また、保持体３１２は、必ずしも導電性を有する部材で形成されることを要さず、たとえば、表面が導電性の部材でコーティングされた非導電性の部材で形成されてもよい。

上述してきたように、実施形態に係る処理ユニット１６（基板処理装置の一例）は、保持部３１と、供給部と、導電性の案内部材と、導通経路部とを備える。保持部３１は、ウェハＷ（基板の一例）を保持するとともに回転可能である。処理流体供給部４０（供給部の一例）は、保持部３１に保持されたウェハＷに処理液Ｌを供給する。導電性の第１ガイドリング１０１（案内部材の一例）は、保持部３１に保持されたウェハＷを全周に亘って囲繞し、回転するウェハＷから流出した処理液Ｌを上面において案内する。導通経路部は、導電性を有し、第１ガイドリング１０１と接触する。

したがって、実施形態に係る基板処理装置によれば、基板の周縁部が帯電することを抑制することができる。

さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。

Ｗ ウェハ
１ 基板処理システム
１６ 処理ユニット
３０ 基板保持機構
３１ 保持部
３２ 支柱部
３３ 駆動部
１０１ 第１ガイドリング
１０２ 第２ガイドリング
１０３ 支柱部材
１５０ 接地部
３１１ ベースプレート
３１１ａ 導電性部材
３１２ 保持体

Claims (6)

1. 基板を保持するとともに回転可能な保持部と、
   前記保持部に保持された前記基板に処理液を供給する供給部と、
   前記保持部に保持された前記基板を全周に亘って囲繞し、回転する前記基板から流出した前記処理液を上面において案内する導電性の案内部材と、
   導電性を有し、前記案内部材と接触する導通経路部と
   を備え、
   前記案内部材は、
   前記保持部と共に回転する
   ことを特徴とする基板処理装置。
2. 基板を保持するとともに回転可能な保持部と、
   前記保持部に保持された前記基板に処理液を供給する供給部と、
   前記保持部に保持された前記基板を全周に亘って囲繞し、回転する前記基板から流出した前記処理液を上面において案内する導電性の案内部材と、
   導電性を有し、前記案内部材と接触する導通経路部と
   を備え、
   前記保持部は、
   ベースプレートと、
   前記ベースプレートの上面に設けられて前記基板を前記ベースプレートから離隔した状態で保持する保持体と
   を備え、
   前記案内部材は、
   導電性の支柱部材を介して前記ベースプレートに固定され、
   前記導通経路部は、
   前記ベースプレートの内部に設けられ、前記支柱部材と接触する導電性部材
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
3. 前記保持体は、導電性を有し、
   前記導電性部材は、前記支柱部材および前記保持体に接触すること
   を特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記導通経路部は、
   前記導電性部材と接触し、前記ベースプレートを回転させる回転機構を含むこと
   を特徴とする請求項２または３に記載の基板処理装置。
5. 前記案内部材の上面は、
   前記保持部に保持された前記基板の上面よりも低い位置に配置されること
   を特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
6. 前記案内部材と前記基板との隙間の大きさは、
   回転する前記基板に対して前記供給部から前記処理液が供給された場合に、前記案内部材と前記基板とに亘って前記処理液の液膜が形成される大きさに設定されること
   を特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の基板処理装置。

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