JP6813246B2 - エレクトロクロミックデバイス用の対電極 - Google Patents
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Description
本願は、それぞれがその全体として及び全ての目的のために参照により本明細書に援用される、2015年7月14日に出願され、「COUNTER ELECTRODE FOR ELECTROCHROMIC DEVICES」と題する米国仮出願第62/192,443号に対する優先権の利益を主張する。本願は、それぞれがその全体として及び全ての目的のために参照により本明細書に援用される、2009年3月31日に出願され、「ALL−SOLID−STATE ELECTROCHROMIC DEVICE」と題する米国仮特許出願第61/165,484号に対する優先権の利益を主張する、2009年12月22日に出願され、「FABRICATION OF LOW DEFECTIVITY ELECTROCHROMIC DEVICES」と題する米国特許出願第12/645,111号の一部継続出願である。また、本願は、それぞれがその全体として及び全ての目的のために参照により本明細書に援用される、2010年4月30日に出願され、「ELECTROCHROMIC DEVICES」と題する米国特許出願第12/772,055号(現在では米国特許第8,300,298号として発行されている)、及び2010年6月11日に出願され、「ELECTROCHROMIC DEVICES」と題する米国特許出願第12/814,277号(現在では米国特許第8,764,950号として発行されている)、及び2010年6月11日に出願され、「ELECTROCHROMIC DEVICES」と題する米国特許出願第12/814,279号(現在は米国特許第8,764,951号として発行されている)の一部継続出願である、2012年5月2日に出願され、「ELECTROCHROMIC DEVICES」と題する米国特許出願第13/462,725号(現在では米国特許第9,261,751号として発行されている)の継続出願である、2015年4月10日に出願され、「ELECTROCHROMIC DEVICES」と題する米国特許出願第14/683,541号の一部継続出願でもある。また、本願は、それぞれがその全体として及び全ての目的のために参照により本明細書に援用される、2014年11月26日に出願され、「COUNTER ELECTRODE FOR ELECTROCHROMIC DEVICES」と題する米国仮特許出願第62/085,096号に対する優先権、及び2015年7月14日に出願され、「COUNTER ELECTRODE FOR ELECTROCHROMIC DEVICES」と題する米国仮特許出願第62/192,443号に対する優先権の利益を主張する、2015年11月20日に出願され、「COUNTER ELECTRODE FOR ELECTROCHROMIC DEVICES」と題するPCT出願第PCT/US15/61995号の一部継続出願でもある。また、本願は、それぞれがその全体として及び全ての目的のために参照により本明細書に援用される、2011年9月30日に出願され、「OPTICAL DEVICE FABRICATION」と題される米国仮特許出願第61/541,999号に対する優先権の利益を主張する、2012年9月27日に出願され、「IMPROVED OPTICAL DEVICE FABRICATION」と題するPCT特許出案第PCT/US12/57606号の一部継続出願である、2013年2月8日に出願され、「DEFECT−MIGRATION LAYERS IN ELECTROCHROMIC DEVICES」と題する米国特許出願第13/763,505号(現在では、米国特許第9,007,674号として発行されている)の継続出願である、2015年1月20日に出願され、「DEFECT−MIGRATION LAYER IN ELECTROCHROMIC DEVICES」と題する米国特許出願第14/601,141号(現在では米国特許第9,229,291号として発行されている)の継続出願である、2015年10月16日に出願され、「DEFECT−MITIGATION LAYERS IN ELECTROCHROMIC DEVICES」と題する米国特許出願第14/885,734号の一部継続出願でもある。
一部の実施形態に係るエレクトロクロミックデバイス100の概略断面図が図1に示される。エレクトロクロミックデバイスは、基板102、導電層(CL)104、(陰極色合い付与する層または陰極色合い付与層と呼ばれることもある)エレクトロクロミック層(EC)106、イオン伝導性層(IC)108、対電極層(CE)110、及び導電層(CL)114を含む。対電極層110は陽極着色する層/陽極色合い付与する層であってよく、エレクトロクロミックデバイスが色合い付与されていないときにイオンがそこに常駐するため、「イオン貯蔵層」と呼ばれることがある。対電極層は本明細書では陽極着色する対電極層/陽極色合い付与する対電極層、または陽極着色するエレクトロクロミック層/陽極色合い付与するエレクトロクロミック層と呼ばれることもある。対電極層110が「エレクトロクロミック」層として説明されるとき、対電極層は、陽極電位により駆動されるときにイオンがこの層の中から追い出されるのにつれて色合い付与し、代わりに陰極電位により駆動されるときにイオンが再インターカレーションされるにつれ澄む、及び実質的に透明になると理解される。要素104、106、108、110、及び114は、集合的にエレクトロクロミック積層体120と呼ばれる。エレクトロクロミック積層体120全体で電位を印加するよう作動する電源116は、例えば消色状態から色合い付与状態へのエレクトロクロミックデバイスの遷移を達成する。他の実施形態では、層の順序は基板に対して逆転する。すなわち、層は以下の順序、つまり、基板、導電層、対電極層、イオン伝導性層、エレクトロクロミック材料層、導電層となる。反射素子では、例えば金属層等、導電層は反射的であってよいが、導電層は概して透明導電層である。
本明細書のいくつかの実施形態では、陽極着色する対電極層は組成または形態等の物理的特徴において異質である。係る異質対電極層は改善された色、切替え動作、耐用期間、均一性、プロセスウィンドウ等を示すことがある。
上記の説明の多くは異質な組成物を有する対電極層を含む実施形態に焦点を当てている。多くの場合、対電極の組成物はその中の金属に対して異質である。代わりにまたはさらに、対電極(またはエレクトロクロミックデバイスの別の層/領域)は、酸素等の別の元素に対して異質の組成物を含むように製造されてよい。多様な実施形態では、例えば、エレクトロクロミック層及び/または対電極層は、酸素を豊富に含む部分を含むように成膜されてよい。酸素を豊富に含む部分(一部の場合、この部分は別個の副層として提供され、一方他の場合、別個の副層は設けられない)は、他の電極層と接触してよい(例えば、エレクトロクロミック層の酸素を豊富に含む部分は、対電極層と直接的に接触して成膜されてよい、及び/または対電極層の酸素を豊富に含む部分はエレクトロクロミック層と直接接触して成膜されてよい)。エレクトロクロミック層及び/または対電極層の異質構造は、これらの2つの層の間の界面領域の形成を促進することがあり、(追加処理時)界面領域はイオンを伝導し、実質的に電子的に絶縁する領域の機能を果たす。界面領域自体は、組成及び/または形態に関して異質であってよい。
エレクトロクロミック積層体の成膜
上述したように、実施形態の一態様はエレクトロクロミック窓を製造する方法である。広義では、方法は、(a)イオン伝導性層が、陰極着色するエレクトロクロミック層及び陽極着色する対電極層を分離する、または(b)陰極着色するエレクトロクロミック層が陽極着色する対電極層と物理的に接触するかのどちらかである積層体を形成するために、基板に(i)陰極着色するエレクトロクロミック層、(ii)任意選択のイオン伝導性層、及び(iii)陽極着色する対電極層を順次成膜することを含む。多様な実施形態では、対電極層は組成及び/または形態に関して異質となるように成膜される。例えば、対電極は、一部の場合、副層を含むように成膜されてよい。一部の実施形態では、対電極層は傾斜組成物を含むように成膜される。勾配は層の表面に対して垂直な方向であってよい。
いったん積層体が成膜されると、デバイスには多段階熱化学調整(MTC)プロセスが実行されてよい。この調整プロセスは、デバイスがこのような別個のイオン伝導性層なしに成膜される実施形態で、デバイスの中でのイオン伝導性領域の形成を促進してよい。MTCプロセスは、上記に参照により援用される米国特許出願第12/645,111号にさらに説明される。
上記に説明されたように、統合成膜システムは、例えば建築用ガラス上でエケレクトロクロミックデバイスを製造するために利用されてよい。上述したように、エレクトロクロミックデバイスは、同様にエレクトロクロミック窓を作るために使用されるIGUを作るために使用される。用語「統合成膜システム」は、光学的に透明な基板及び半透明な基板上にエレクトロクロミックデバイスを製造するための装置を意味する。装置は、それぞれが、係るデバイスまたはその部分の洗浄、エッチング、及び温度制御だけではなく、エレクトロクロミックデバイスの特定の構成要素(または構成要素の一部分)を成膜する等の特定のユニット行程を専門に行う複数のステーションを有する。複数のステーションは、エレクトロクロミックデバイスが外部環境に曝露されることなく、製造されている基板があるステーションから次のステーションに移動できるように完全に統合されている。統合成膜システムは、プロセスステーションが位置するシステム内部の制御された周囲環境で動作する。完全に統合されたシステムは、成膜される層の間の界面特性のより優れた制御を可能にする。界面特性は、他の要因の中でも、層間の接着性、界面領域での汚染物質がないことを指す。用語「制御された周囲環境」は、開放大気環境またはクリーンルーム等の外部環境から分離された密閉環境を意味する。制御された周囲環境では、圧力及びガス組成の少なくとも1つは外部環境の状況とは独立して制御される。概して、必ずしもそうではないが、制御された周囲環境は、大気圧以下の圧力、例えば少なくとも不完全真空を有する。制御された周囲環境での状況は処理行程中一定のままとなることもあれば、経時的に変わることもある。例えば、エレクトロクロミックデバイスの層は制御された周囲環境の真空下で成膜されてよく、成膜行程の終わりには、環境は、パージガスまたは試薬ガスで再充填されてよく、別のステーションでの処理のために圧力を例えば大気圧まで高め、次いで次の操作のために真空が確立し直されてよい等である。
[項目1]
エレクトロクロミックデバイスであって、
基板と、
上記基板上にまたは上記基板を覆って配置され、陰極色合い付与するエレクトロクロミック材料を備えるエレクトロクロミック層と、
上記基板上にまたは上記基板を覆って同様に配置される対電極層であって、上記対電極層が(a)第1の陽極色合い付与する材料を備える第1の副層、及び(b)第2の陽極色合い付与する材料を備える第2の副層を備え、上記第1の陽極色合い付与する材料及び上記第2の陽極色合い付与する材料が異なる組成物を有するが、それぞれが少なくとも1つの遷移金属の酸化物を備え、上記第1の副層が上記エレクトロクロミック層と上記第2の副層との間に配置される、上記対電極層と、
を備える、エレクトロクロミックデバイス。
[項目2]
上記第1の陽極色合い付与する材料及び上記第2の陽極色合い付与する材料のそれぞれが、上記少なくとも1つの遷移金属及び他の非アルカリ金属を備える、項目1に記載のエレクトロクロミックデバイス。
[項目3]
上記第1の陽極色合い付与する材料及び上記第2の陽極色合い付与する材料がそれぞれニッケル及びタングステンを備える、項目2に記載のエレクトロクロミックデバイス。
[項目4]
上記第2の陽極色合い付与する材料がさらにタンタルを備える、項目3に記載のエレクトロクロミックデバイス。
[項目5]
上記第2の陽極色合い付与する材料がさらにニオブを備える、項目3または4に記載のエレクトロクロミックデバイス。
[項目6]
上記第2の陽極色合い付与する材料がさらにスズを備える、項目3から5のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
[項目7]
上記第2の陽極色合い付与する材料は、上記少なくとも1つの遷移金属、上記他の非アルカリ金属、及び第2の非アルカリ金属を備え、上記第1の陽極色合い付与する材料は上記少なくとも1つの遷移金属及び上記他の非アルカリ金属をその数少ない金属として含む、項目2から6のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
[項目8]
上記第1の陽極色合い付与する材料及び上記第2の陽極色合い付与する材料がそれぞれ、上記少なくとも1つの遷移金属、上記他の非アルカリ金属、及び第2の非アルカリ金属を備え、上記第2の陽極色合い付与する材料が、上記第1の陽極色合い付与する材料と比較して、より高い原子濃度の上記第2の非アルカリ金属を有する、項目2から7のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
[項目9]
上記少なくとも1つの遷移金属の1つが、タングステン(W)、タンタル(Ta)、クロム(Cr)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、ロジウム(Rh)、ルテニウム(Ru)、バナジウム(V)、イリジウム(Ir)、及びその組合せから成るグループから選択される、項目2から8のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
[項目10]
上記他の非アルカリ金属が、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、ヒ素(As)、金(Au)、ホウ素(B)、バリウム(Ba)、ベリリウム(Be)、ビスマス(Bi)、カルシウム(Ca)、カドミウム(Cd)、セリウム(Ce)、コバルト(Co)、クロム(Cr)、銅(Cu)、ユーロピウム(Eu)、鉄(Fe)、ガリウム(Ga)、ガドリニウム(Gd)、ゲルマニウム(Ge)、ハフニウム(Hf)、水銀(Hg)、インジウム(In)、イリジウム(Ir)、ランタン(La)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、モリブデン(Mo)、ニオブ(Nb)、ネオジム(Nd)、オスミウム(Os)、プロトアクチニウム(Pa)、鉛(Pb)、パラジウム(Pd)、プラセオジム(Pr)、プロメチウム(Pm)、ポロニウム(Po)、プラチナ(Pt)、ラジウム(Ra)、レニウム(Re)、ロジウム(Rh)、ルテニウム(Ru)、アンチモン(Sb)、スカンジウム(Sc)、セレン(Se)、ケイ素(Si)、サマリウム(Sm)、スズ(Sn)、ストロンチウム(Sr)、タンタル(Ta)、テルビウム(Tb)、テクネチウム(Tc)、テルル(Te)、トリウム(Th)、チタン(Ti)、タリウム(Tl)、ウラン(U)、バナジウム(V)、タングステン(W)、イットリウム(Y)、亜鉛(Zn)、ジルコニウム(Zr)、及びその組合せから成るグループから選択される、項目9に記載のエレクトロクロミックデバイス。
[項目11]
上記他の非アルカリ金属が、銀(Ag)、ヒ素(As)、金(Au)、ホウ素(B)、カドミウム(Cd)、銅(Cu)、ユーロピウム(Eu)、ガリウム(Ga)、ガドリニウム(Gd)、ゲルマニウム(Ge)、水銀(Hg)、オスミウム(Os)、鉛(Pb)、パラジウム(Pd)、プロメチウム(Pm)、ポロニウム(Po)、プラチナ(Pt)、ラジウム(Ra)、テルビウム(Tb)、テクネチウム(Tc)、トリウム(Th)、タリウム(Tl)、及びその組合せから成るグループから選択される、項目10に記載のエレクトロクロミックデバイス。
[項目12]
上記他の非アルカリ金属が、タンタル(Ta)、スズ(Sn)、及びニオブ(Nb)から成るグループから選択される、項目10または11に記載のエレクトロクロミックデバイス。
[項目13]
上記他の非アルカリ金属がタンタル(Ta)である、項目12に記載のエレクトロクロミックデバイス。
[項目14]
上記他の非アルカリ金属がスズ(Sn)である、項目12または13に記載のエレクトロクロミックデバイス。
[項目15]
上記他の非アルカリ金属がニオブ(Nb)である、項目12から14のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
[項目16]
上記第1の陽極色合い付与する材料及び上記第2の陽極色合い付与する材料がそれぞれ、第1の遷移金属、第2の遷移金属、及び酸素を備え、上記第1の遷移金属に対する上記第2の遷移金属の比率が上記第1の陽極色合い付与する材料及び上記第2の陽極色合い付与する材料で異なる、項目1から15のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
[項目17]
上記対電極層が、第3の陽極色合い付与するエレクトロクロミック材料を備える第3の副層をさらに備え、上記第1の陽極色合い付与する材料、上記第2の陽極色合い付与する材料、及び上記第3の陽極色合い付与する材料が異なる組成物を有するが、それぞれが上記少なくとも1つの遷移金属を備え、上記第2の副層が上記第1の副層と上記第3の副層との間に配置される、項目1から16のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
[項目18]
上記第1の陽極色合い付与する材料が、上記少なくとも1つの遷移金属、第2の遷移金属を備えるが、他の遷移金属及び酸素を備えず、上記第2の陽極色合い付与する材料が、上記少なくとも1つの遷移金属、上記第2の遷移金属、第3の遷移金属、及び酸素を備え、上記第3の陽極色合い付与する材料が、上記少なくとも1つの遷移金属、上記第2の遷移金属、上記第3の遷移金属、及び酸素を備え、上記第2の陽極色合い付与する材料及び上記第3の陽極色合い付与する材料が、上記第3の遷移金属と異なる濃度を有する、項目17に記載のエレクトロクロミックデバイス。
[項目19]
上記対電極層の上記第1の副層及び上記第2の副層が互いと物理的に接触する、項目1から18のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
[項目20]
上記対電極層の上記第1の副層及び上記第2の副層が、欠陥軽減絶縁層によって互いに分離され、上記欠陥軽減絶縁層が約1と5×10 10 オーム‐cmの間の電子抵抗を有する、項目1から19のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
[項目21]
上記第1の陽極色合い付与する材料がリチウムに対する第1の親和性を有し、上記第2の陽極色合い付与する材料がリチウムに対する第2の親和性を有し、リチウムに対する上記第1の親和性及びリチウムに対する上記第2の親和性が異なる、項目1から20のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
[項目22]
上記エレクトロクロミックデバイスの透過b * 値は、上記エレクトロクロミックデバイスがその最も澄んだ状態にあるときに約14以下である、項目1から21のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
[項目23]
上記エレクトロクロミックデバイスの透過b * 値は、上記エレクトロクロミックデバイスがその最も澄んだ状態にあるときに約10以下である、項目1から22のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
[項目24]
上記エレクトロクロミックデバイスの可視透過率が、上記エレクトロクロミックデバイスがその最も澄んだ状態にあるときに少なくとも約55%である、項目1から23のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
[項目25]
上記対電極層が約50nmと約650nmとの間の全厚を有する、項目1から24のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
[項目26]
上記対電極層が約100nmと約400nmとの間の全厚を有する、項目1から25のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
[項目27]
上記対電極層が約150nmと約300nmとの間の全厚を有する、項目1から26のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
[項目28]
上記対電極層の上記第1の副層及び上記第2の副層がそれぞれ、非晶相及びナノ結晶相の、約50nm未満の直径を有するナノ微結晶との混合物である形態を有する、項目1から27のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
[項目29]
上記第2の副層が、約1と5×10 10 オーム‐cmの間の電子抵抗を有する欠陥軽減絶縁層である、項目1から28のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
[項目30]
上記エレクトロクロミック層及び上記対電極層の上にまたは上記エレクトロクロミック層及び上記対電極層を覆って配置される透明導電層をさらに備える、項目1から29のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
[項目31]
上記透明導電層がドープ酸化インジウムを備える、項目30に記載のエレクトロクロミックデバイス。
[項目32]
上記第1の陽極色合い付与する材料及び上記第2の陽極色合い付与する材料の少なくとも1つがニッケル、アルミニウム、及び酸素を備える、項目1から31のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
[項目33]
上記第1の陽極色合い付与する材料がニッケル、タングステン、及び酸素を備え、上記第2の陽極色合い付与する材料がニッケル、アルミニウム、及び酸素を備える、項目32に記載のエレクトロクロミックデバイス。
[項目34]
上記第1の陽極色合い付与する材料及び上記第2の陽極色合い付与する材料の少なくとも1つが、ニッケル、ケイ素、及び酸素を備える、項目1から33のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
[項目35]
上記第1の陽極色合い付与する材料が、ニッケル、タングステン、及び酸素を備え、上記第2の陽極色合い付与する材料がニッケル、ケイ素、及び酸素を備える、項目34に記載のエレクトロクロミックデバイス。
[項目36]
上記対電極層の上記第1の副層が、約5nmと約100nmとの間の厚さを有する、項目1から35のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
[項目37]
上記対電極層の上記第1の副層が、約10nmと約80nmとの間の厚さを有する、項目36に記載のエレクトロクロミックデバイス。
[項目38]
上記対電極層の上記第1の副層が、約10nmと約30nmとの間の厚さを有する、項目37に記載のエレクトロクロミックデバイス。
[項目39]
エレクトロクロミックデバイスを製造する方法であって、
陰極着色するエレクトロクロミック材料を備えるエレクトロクロミック層を成膜することと、
第1の陽極色合い付与する副層を成膜すること、
上記第1の陽極色合い付与する副層をリチオ化すること、及び、
上記第1の陽極色合い付与する副層をリチオ化した後に、第2の陽極色合い付与する副層を成膜することであって、上記第1の陽極色合い付与する副層が上記エレクトロクロミック層と上記第2の陽極色合い付与する副層との間に配置され、上記第1の陽極色合い付与する副層及び上記第2の陽極色合い付与する副層が異なる組成物を有し、それぞれが少なくとも1つの遷移金属の酸化物を備える、上記第2の陽極色合い付与する副層を成膜すること、
によって対電極層を成膜することと、
を含む、方法。
[項目40]
上記対電極層を成膜することが、少なくとも1つの遷移金属の酸化物を備える第3の陽極色合い付与する副層を成膜することをさらに含み、上記第2の陽極色合い付与する副層が上記第1の陽極色合い付与する副層と上記第3の陽極色合い付与する副層との間に配置され、上記第1の陽極色合い付与する副層が酸化ニッケルタングステンから実質的に成り、上記第2の陽極色合い付与する副層及び上記第3の陽極色合い付与する副層が、ニッケルタングステンタンタル酸化物から実質的に成り、タンタルの濃度が、上記第2の陽極色合い付与する副層においてよりも上記第3の陽極色合い付与する副層においての方が高い、項目39に記載の方法。
[項目41]
上記第1の陽極色合い付与する副層が、上記第2の陽極色合い付与する副層よりも高い成膜速度で成膜される、項目39または40に記載の方法。
[項目42]
上記第1の陽極色合い付与する副層が、上記第2の陽極色合い付与する副層を成膜するために使用されるよりも低いスパッタ出力で成膜される、項目39から41のいずれか一項に記載の方法。
[項目43]
上記第1の陽極色合い付与する副層が約5〜20kW/m 2 の間のスパッタ出力で成膜され、上記第2の陽極色合い付与する副層が約20〜45kW/m 2 の間のスパッタ出力で成膜される、項目42に記載の方法。
[項目44]
部分的に製造された上記エレクトロクロミックデバイスの温度が、上記第2の陽極色合い付与する副層の成膜中よりも上記第1の陽極色合い付与する副層の成膜中の方が低い、項目39から43のいずれか一項に記載の方法。
[項目45]
上記第2の陽極色合い付与する副層の上にリチウムを成膜することと、次いで、
上記第2の陽極色合い付与する副層の上に第3の陽極色合い付与する副層を成膜することと、
をさらに含む、項目39から44のいずれか一項に記載の方法。
[項目46]
上記第2の陽極色合い付与する副層の上に第3の陽極色合い付与する副層を成膜することと、次いで、
上記第3の陽極色合い付与する副層の上にリチウムを成膜することと、
をさらに含む、項目39から44のいずれか一項に記載の方法。
[項目47]
上記対電極層の上記第1の陽極色合い付与する副層が、約5nmと約100nmとの間の厚さを有する、項目39から46のいずれか一項に記載の方法。
[項目48]
上記対電極層の上記第1の陽極色合い付与する副層が、約10nmと約80nmとの間の厚さを有する、項目47に記載の方法。
[項目49]
上記対電極層の上記第1の陽極色合い付与する副層が、約10nmと約30nmとの間の厚さを有する、項目48に記載の方法。
Claims (51)
- エレクトロクロミックデバイスであって、
基板と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って配置され、陰極色合い付与するエレクトロクロミック材料を備えるエレクトロクロミック層と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って同様に配置される対電極層であって、前記対電極層が(a)第1の陽極色合い付与する材料を備える第1の副層、及び(b)第2の陽極色合い付与する材料を備える第2の副層を備え、前記第1の陽極色合い付与する材料及び前記第2の陽極色合い付与する材料が異なる組成物を有するが、それぞれが少なくとも1つの遷移金属の酸化物を備え、前記第1の副層が前記エレクトロクロミック層と前記第2の副層との間に配置される、前記対電極層と、
を備え、
前記第2の陽極色合い付与する材料が、ニッケル(Ni)及びタンタル(Ta)を備える、
エレクトロクロミックデバイス。 - エレクトロクロミックデバイスであって、
基板と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って配置され、陰極色合い付与するエレクトロクロミック材料を備えるエレクトロクロミック層と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って同様に配置される対電極層であって、前記対電極層が(a)第1の陽極色合い付与する材料を備える第1の副層、及び(b)第2の陽極色合い付与する材料を備える第2の副層を備え、前記第1の陽極色合い付与する材料及び前記第2の陽極色合い付与する材料が異なる組成物を有するが、それぞれが少なくとも1つの遷移金属の酸化物を備え、前記第1の副層が前記エレクトロクロミック層と前記第2の副層との間に配置される、前記対電極層と、
を備え、
前記第2の陽極色合い付与する材料が、ニッケル(Ni)及びニオブ(Nb)を備える、
エレクトロクロミックデバイス。 - エレクトロクロミックデバイスであって、
基板と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って配置され、陰極色合い付与するエレクトロクロミック材料を備えるエレクトロクロミック層と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って同様に配置される対電極層であって、前記対電極層が(a)第1の陽極色合い付与する材料を備える第1の副層、及び(b)第2の陽極色合い付与する材料を備える第2の副層を備え、前記第1の陽極色合い付与する材料及び前記第2の陽極色合い付与する材料が異なる組成物を有するが、それぞれが少なくとも1つの遷移金属の酸化物を備え、前記第1の副層が前記エレクトロクロミック層と前記第2の副層との間に配置される、前記対電極層と、
を備え、
前記第2の陽極色合い付与する材料が、ニッケル(Ni)及びスズ(Sn)を備える、
エレクトロクロミックデバイス。 - 前記第1の陽極色合い付与する材料が、前記少なくとも1つの遷移金属及び他の非アルカリ金属を備え、
前記第2の陽極色合い付与する材料が、他の非アルカリ金属を備える、
請求項1から3のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。 - 前記第1の陽極色合い付与する材料が、ニッケル(Ni)及びタングステン(W)を備え、
前記第2の陽極色合い付与する材料が、タングステン(W)を備える、
請求項4に記載のエレクトロクロミックデバイス。 - エレクトロクロミックデバイスであって、
基板と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って配置され、陰極色合い付与するエレクトロクロミック材料を備えるエレクトロクロミック層と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って同様に配置される対電極層であって、前記対電極層が(a)第1の陽極色合い付与する材料を備える第1の副層、及び(b)第2の陽極色合い付与する材料を備える第2の副層を備え、前記第1の陽極色合い付与する材料及び前記第2の陽極色合い付与する材料が異なる組成物を有するが、それぞれが少なくとも1つの遷移金属の酸化物を備え、前記第1の副層が前記エレクトロクロミック層と前記第2の副層との間に配置される、前記対電極層と、
を備え、
前記第1の陽極色合い付与する材料は、他の非アルカリ金属をさらに備え、
前記第2の陽極色合い付与する材料は、前記少なくとも1つの遷移金属、前記他の非アルカリ金属、及び第2の非アルカリ金属を備え、
前記第1の陽極色合い付与する材料は、前記少なくとも1つの遷移金属及び前記他の非アルカリ金属を、その唯一の金属として含む、
エレクトロクロミックデバイス。 - エレクトロクロミックデバイスであって、
基板と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って配置され、陰極色合い付与するエレクトロクロミック材料を備えるエレクトロクロミック層と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って同様に配置される対電極層であって、前記対電極層が(a)第1の陽極色合い付与する材料を備える第1の副層、及び(b)第2の陽極色合い付与する材料を備える第2の副層を備え、前記第1の陽極色合い付与する材料及び前記第2の陽極色合い付与する材料が異なる組成物を有するが、それぞれが少なくとも1つの遷移金属の酸化物を備え、前記第1の副層が前記エレクトロクロミック層と前記第2の副層との間に配置される、前記対電極層と、
を備え、
前記第1の陽極色合い付与する材料及び前記第2の陽極色合い付与する材料が、それぞれ、前記少なくとも1つの遷移金属、他の非アルカリ金属、及び第2の非アルカリ金属を備え、
前記第2の陽極色合い付与する材料が、前記第1の陽極色合い付与する材料と比較して、より高い原子濃度の前記第2の非アルカリ金属を有する、
エレクトロクロミックデバイス。 - 前記他の非アルカリ金属が、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、ヒ素(As)、金(Au)、ホウ素(B)、バリウム(Ba)、ベリリウム(Be)、ビスマス(Bi)、カルシウム(Ca)、カドミウム(Cd)、セリウム(Ce)、コバルト(Co)、クロム(Cr)、銅(Cu)、ユーロピウム(Eu)、鉄(Fe)、ガリウム(Ga)、ガドリニウム(Gd)、ゲルマニウム(Ge)、ハフニウム(Hf)、水銀(Hg)、インジウム(In)、イリジウム(Ir)、ランタン(La)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、モリブデン(Mo)、ニオブ(Nb)、ネオジム(Nd)、オスミウム(Os)、プロトアクチニウム(Pa)、鉛(Pb)、パラジウム(Pd)、プラセオジム(Pr)、プロメチウム(Pm)、ポロニウム(Po)、プラチナ(Pt)、ラジウム(Ra)、レニウム(Re)、ロジウム(Rh)、ルテニウム(Ru)、アンチモン(Sb)、スカンジウム(Sc)、セレン(Se)、ケイ素(Si)、サマリウム(Sm)、スズ(Sn)、ストロンチウム(Sr)、タンタル(Ta)、テルビウム(Tb)、テクネチウム(Tc)、テルル(Te)、トリウム(Th)、チタン(Ti)、タリウム(Tl)、ウラン(U)、バナジウム(V)、タングステン(W)、イットリウム(Y)、亜鉛(Zn)、ジルコニウム(Zr)、及びその組合せから成るグループから選択される、請求項4から7のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
- 前記他の非アルカリ金属が、銀(Ag)、ヒ素(As)、金(Au)、ホウ素(B)、カドミウム(Cd)、銅(Cu)、ユーロピウム(Eu)、ガリウム(Ga)、ガドリニウム(Gd)、ゲルマニウム(Ge)、水銀(Hg)、オスミウム(Os)、鉛(Pb)、パラジウム(Pd)、プロメチウム(Pm)、ポロニウム(Po)、プラチナ(Pt)、ラジウム(Ra)、テルビウム(Tb)、テクネチウム(Tc)、トリウム(Th)、タリウム(Tl)、及びその組合せから成るグループから選択される、請求項8に記載のエレクトロクロミックデバイス。
- 前記他の非アルカリ金属が、タンタル(Ta)、スズ(Sn)、及びニオブ(Nb)から成るグループから選択される、請求項8または9に記載のエレクトロクロミックデバイス。
- 前記他の非アルカリ金属がタンタル(Ta)である、請求項10に記載のエレクトロクロミックデバイス。
- 前記他の非アルカリ金属がスズ(Sn)である、請求項10または11に記載のエレクトロクロミックデバイス。
- 前記他の非アルカリ金属がニオブ(Nb)である、請求項10から12のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
- 前記少なくとも1つの遷移金属の1つが、タングステン(W)、タンタル(Ta)、クロム(Cr)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、ロジウム(Rh)、ルテニウム(Ru)、バナジウム(V)、イリジウム(Ir)、及びその組合せから成るグループから選択される、請求項1から13のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
- 前記第1の陽極色合い付与する材料及び前記第2の陽極色合い付与する材料がそれぞれ、第1の遷移金属、第2の遷移金属、及び酸素を備え、前記第1の遷移金属に対する前記第2の遷移金属の比率が前記第1の陽極色合い付与する材料及び前記第2の陽極色合い付与する材料で異なる、請求項1から14のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
- エレクトロクロミックデバイスであって、
基板と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って配置され、陰極色合い付与するエレクトロクロミック材料を備えるエレクトロクロミック層と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って同様に配置される対電極層であって、前記対電極層が(a)第1の陽極色合い付与する材料を備える第1の副層、及び(b)第2の陽極色合い付与する材料を備える第2の副層を備え、前記第1の陽極色合い付与する材料及び前記第2の陽極色合い付与する材料が異なる組成物を有するが、それぞれが少なくとも1つの遷移金属の酸化物を備え、前記第1の副層が前記エレクトロクロミック層と前記第2の副層との間に配置される、前記対電極層と、
を備え、
前記対電極層が、第3の陽極色合い付与するエレクトロクロミック材料を備える第3の副層をさらに備え、
前記第1の陽極色合い付与する材料、前記第2の陽極色合い付与する材料、及び前記第3の陽極色合い付与する材料が異なる組成物を有するが、それぞれが前記少なくとも1つの遷移金属を備え、
前記第2の副層が前記第1の副層と前記第3の副層との間に配置される、
エレクトロクロミックデバイス。 - 前記第1の陽極色合い付与する材料が、前記少なくとも1つの遷移金属、第2の遷移金属を備えるが、他の遷移金属を備えず、及び酸素を備え、前記第2の陽極色合い付与する材料が、前記少なくとも1つの遷移金属、前記第2の遷移金属、第3の遷移金属、及び酸素を備え、前記第3の陽極色合い付与する材料が、前記少なくとも1つの遷移金属、前記第2の遷移金属、前記第3の遷移金属、及び酸素を備え、前記第2の陽極色合い付与する材料及び前記第3の陽極色合い付与する材料が、前記第3の遷移金属と異なる濃度を有する、請求項16に記載のエレクトロクロミックデバイス。
- 前記第1の陽極色合い付与する材料がニッケル(Ni)、タングステン(W)、及び酸素(O)を備え、
前記第2の陽極色合い付与する材料がニッケル(Ni)、アルミニウム(Al)、及び酸素(O)を備える、
請求項16または17に記載のエレクトロクロミックデバイス。 - 前記第1の陽極色合い付与する材料が、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、及び酸素(O)を備え、
前記第2の陽極色合い付与する材料がニッケル(Ni)、ケイ素(Si)、及び酸素(O)を備える、
請求項16から18のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。 - 前記第2の副層及び前記第3の副層は、ニッケルタングステンタンタル酸化物(NiWTaO)であり、
タンタル(Ta)の濃度は、前記第2の副層においてより、前記第3の副層において、より高い、
請求項16から19のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。 - 前記第2の副層及び前記第3の副層は、ニッケルタングステンスズ酸化物(NiWSnO)であり、
スズ(Sn)の濃度は、前記第2の副層においてより、前記第3の副層において、より高い、
請求項16から19のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。 - 前記対電極層の前記第1の副層及び前記第2の副層が互いと物理的に接触する、請求項1から21のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
- 前記対電極層の前記第1の副層及び前記第2の副層が、欠陥軽減絶縁層によって互いに分離され、前記欠陥軽減絶縁層が約1と5×1010オーム‐cmとの間の電子抵抗を有する、請求項1から22のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
- エレクトロクロミックデバイスであって、
基板と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って配置され、陰極色合い付与するエレクトロクロミック材料を備えるエレクトロクロミック層と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って同様に配置される対電極層であって、前記対電極層が(a)第1の陽極色合い付与する材料を備える第1の副層、及び(b)第2の陽極色合い付与する材料を備える第2の副層を備え、前記第1の陽極色合い付与する材料及び前記第2の陽極色合い付与する材料が異なる組成物を有するが、それぞれが少なくとも1つの遷移金属の酸化物を備え、前記第1の副層が前記エレクトロクロミック層と前記第2の副層との間に配置される、前記対電極層と、
を備え、
前記第1の陽極色合い付与する材料がリチウム(Li)に対する第1の親和性を有し、前記第2の陽極色合い付与する材料がリチウム(Li)に対する第2の親和性を有し、
リチウム(Li)に対する前記第1の親和性及びリチウム(Li)に対する前記第2の親和性が異なる、
エレクトロクロミックデバイス。 - 前記エレクトロクロミックデバイスの透過b*値は、前記エレクトロクロミックデバイスがその最も澄んだ状態にあるときに約14以下である、請求項1から24のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
- 前記エレクトロクロミックデバイスの透過b*値は、前記エレクトロクロミックデバイスがその最も澄んだ状態にあるときに約10以下である、請求項1から25のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
- 前記エレクトロクロミックデバイスの可視透過率が、前記エレクトロクロミックデバイスがその最も澄んだ状態にあるときに少なくとも約55%である、請求項1から26のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
- 前記対電極層が約50nmと約650nmとの間の全厚を有する、請求項1から27のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
- 前記対電極層が約100nmと約400nmとの間の全厚を有する、請求項1から28のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
- 前記対電極層が約150nmと約300nmとの間の全厚を有する、請求項1から29のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
- エレクトロクロミックデバイスであって、
基板と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って配置され、陰極色合い付与するエレクトロクロミック材料を備えるエレクトロクロミック層と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って同様に配置される対電極層であって、前記対電極層が(a)第1の陽極色合い付与する材料を備える第1の副層、及び(b)第2の陽極色合い付与する材料を備える第2の副層を備え、前記第1の陽極色合い付与する材料及び前記第2の陽極色合い付与する材料が異なる組成物を有するが、それぞれが少なくとも1つの遷移金属の酸化物を備え、前記第1の副層が前記エレクトロクロミック層と前記第2の副層との間に配置される、前記対電極層と、
を備え、
前記対電極層の前記第1の副層及び前記第2の副層がそれぞれ、非晶相及びナノ結晶相の、約50nm未満の直径を有するナノ微結晶との混合物である形態を有する、
エレクトロクロミックデバイス。 - 前記第2の副層が、約1と5×1010オーム‐cmの間の電子抵抗を有する欠陥軽減絶縁層である、請求項1から31のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
- 前記エレクトロクロミック層及び前記対電極層の上にまたは前記エレクトロクロミック層及び前記対電極層を覆って配置される透明導電層をさらに備える、請求項1から32のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
- 前記透明導電層がドープ酸化インジウムを備える、請求項33に記載のエレクトロクロミックデバイス。
- エレクトロクロミックデバイスであって、
基板と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って配置され、陰極色合い付与するエレクトロクロミック材料を備えるエレクトロクロミック層と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って同様に配置される対電極層であって、前記対電極層が(a)第1の陽極色合い付与する材料を備える第1の副層、及び(b)第2の陽極色合い付与する材料を備える第2の副層を備え、前記第1の陽極色合い付与する材料及び前記第2の陽極色合い付与する材料が異なる組成物を有するが、それぞれが少なくとも1つの遷移金属の酸化物を備え、前記第1の副層が前記エレクトロクロミック層と前記第2の副層との間に配置される、前記対電極層と、
を備え、
前記第1の陽極色合い付与する材料がニッケル(Ni)、タングステン(W)、及び酸素(O)を備え、
前記第2の陽極色合い付与する材料がニッケル(Ni)、アルミニウム(Al)、及び酸素(O)を備える、
エレクトロクロミックデバイス。 - エレクトロクロミックデバイスであって、
基板と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って配置され、陰極色合い付与するエレクトロクロミック材料を備えるエレクトロクロミック層と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って同様に配置される対電極層であって、前記対電極層が(a)第1の陽極色合い付与する材料を備える第1の副層、及び(b)第2の陽極色合い付与する材料を備える第2の副層を備え、前記第1の陽極色合い付与する材料及び前記第2の陽極色合い付与する材料が異なる組成物を有するが、それぞれが少なくとも1つの遷移金属の酸化物を備え、前記第1の副層が前記エレクトロクロミック層と前記第2の副層との間に配置される、前記対電極層と、
を備え、
前記第1の陽極色合い付与する材料が、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、及び酸素(O)を備え、
前記第2の陽極色合い付与する材料がニッケル(Ni)、ケイ素(Si)、及び酸素(O)を備える、
エレクトロクロミックデバイス。 - 前記対電極層の前記第1の副層が、約5nmと約100nmとの間の厚さを有する、請求項1から36のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
- 前記対電極層の前記第1の副層が、約10nmと約80nmとの間の厚さを有する、請求項37に記載のエレクトロクロミックデバイス。
- 前記対電極層の前記第1の副層が、約10nmと約30nmとの間の厚さを有する、請求項38に記載のエレクトロクロミックデバイス。
- エレクトロクロミックデバイスを製造する方法であって、
陰極着色するエレクトロクロミック材料を備えるエレクトロクロミック層を成膜することと、
第1の陽極色合い付与する副層を成膜すること、
前記第1の陽極色合い付与する副層をリチオ化すること、及び
前記第1の陽極色合い付与する副層をリチオ化した後に、第2の陽極色合い付与する副層を成膜することであって、前記第1の陽極色合い付与する副層が前記エレクトロクロミック層と前記第2の陽極色合い付与する副層との間に配置され、前記第1の陽極色合い付与する副層及び前記第2の陽極色合い付与する副層が異なる組成物を有し、それぞれが少なくとも1つの遷移金属の酸化物を備える、前記第2の陽極色合い付与する副層を成膜すること
によって対電極層を成膜することと、
を含み、
前記第2の陽極色合い付与する材料が、ニッケル(Ni)と、タンタル(Ta)、ニオブ(Nb)、及びスズ(Sn)の少なくとも1つと、を備える、
方法。 - 前記対電極層を成膜することが、少なくとも1つの遷移金属の酸化物を備える第3の陽極色合い付与する副層を成膜することをさらに含み、前記第2の陽極色合い付与する副層が前記第1の陽極色合い付与する副層と前記第3の陽極色合い付与する副層との間に配置され、前記第1の陽極色合い付与する副層が酸化ニッケルタングステンから実質的に成り、前記第2の陽極色合い付与する副層及び前記第3の陽極色合い付与する副層が、ニッケルタングステンタンタル酸化物から実質的に成る、請求項40に記載の方法。
- タンタル(Ta)の濃度が、前記第2の陽極色合い付与する副層においてよりも前記第3の陽極色合い付与する副層においての方が高い、請求項41に記載の方法。
- エレクトロクロミックデバイスを製造する方法であって、
陰極着色するエレクトロクロミック材料を備えるエレクトロクロミック層を成膜することと、
第1の陽極色合い付与する副層を成膜すること、
前記第1の陽極色合い付与する副層をリチオ化すること、及び
前記第1の陽極色合い付与する副層をリチオ化した後に、第2の陽極色合い付与する副層を成膜することであって、前記第1の陽極色合い付与する副層が前記エレクトロクロミック層と前記第2の陽極色合い付与する副層との間に配置され、前記第1の陽極色合い付与する副層及び前記第2の陽極色合い付与する副層が異なる組成物を有し、それぞれが少なくとも1つの遷移金属の酸化物を備える、前記第2の陽極色合い付与する副層を成膜すること
によって対電極層を成膜することと、
を含み、
前記第1の陽極色合い付与する副層が、前記第2の陽極色合い付与する副層よりも高い成膜速度で成膜される、
方法。 - エレクトロクロミックデバイスを製造する方法であって、
陰極着色するエレクトロクロミック材料を備えるエレクトロクロミック層を成膜することと、
第1の陽極色合い付与する副層を成膜すること、
前記第1の陽極色合い付与する副層をリチオ化すること、及び
前記第1の陽極色合い付与する副層をリチオ化した後に、第2の陽極色合い付与する副層を成膜することであって、前記第1の陽極色合い付与する副層が前記エレクトロクロミック層と前記第2の陽極色合い付与する副層との間に配置され、前記第1の陽極色合い付与する副層及び前記第2の陽極色合い付与する副層が異なる組成物を有し、それぞれが少なくとも1つの遷移金属の酸化物を備える、前記第2の陽極色合い付与する副層を成膜すること
によって対電極層を成膜することと、
を含み、
前記第1の陽極色合い付与する副層が、前記第2の陽極色合い付与する副層を成膜するために使用されるよりも低いスパッタ出力で成膜される、
方法。 - 前記第1の陽極色合い付与する副層が約5〜20kW/m2の間のスパッタ出力で成膜され、前記第2の陽極色合い付与する副層が約20〜45kW/m2の間のスパッタ出力で成膜される、請求項44に記載の方法。
- 部分的に製造された前記エレクトロクロミックデバイスの温度が、前記第2の陽極色合い付与する副層の成膜中よりも前記第1の陽極色合い付与する副層の成膜中の方が低い、請求項40から45のいずれか一項に記載の方法。
- エレクトロクロミックデバイスを製造する方法であって、
陰極着色するエレクトロクロミック材料を備えるエレクトロクロミック層を成膜することと、
第1の陽極色合い付与する副層を成膜すること、
前記第1の陽極色合い付与する副層をリチオ化すること、及び
前記第1の陽極色合い付与する副層をリチオ化した後に、第2の陽極色合い付与する副層を成膜することであって、前記第1の陽極色合い付与する副層が前記エレクトロクロミック層と前記第2の陽極色合い付与する副層との間に配置され、前記第1の陽極色合い付与する副層及び前記第2の陽極色合い付与する副層が異なる組成物を有し、それぞれが少なくとも1つの遷移金属の酸化物を備える、前記第2の陽極色合い付与する副層を成膜すること
によって対電極層を成膜することと、
前記第2の陽極色合い付与する副層の上にリチウムを成膜することと、次いで
前記第2の陽極色合い付与する副層の上に第3の陽極色合い付与する副層を成膜することと、
を含む、
方法。 - エレクトロクロミックデバイスを製造する方法であって、
陰極着色するエレクトロクロミック材料を備えるエレクトロクロミック層を成膜することと、
第1の陽極色合い付与する副層を成膜すること、
前記第1の陽極色合い付与する副層をリチオ化すること、及び
前記第1の陽極色合い付与する副層をリチオ化した後に、第2の陽極色合い付与する副層を成膜することであって、前記第1の陽極色合い付与する副層が前記エレクトロクロミック層と前記第2の陽極色合い付与する副層との間に配置され、前記第1の陽極色合い付与する副層及び前記第2の陽極色合い付与する副層が異なる組成物を有し、それぞれが少なくとも1つの遷移金属の酸化物を備える、前記第2の陽極色合い付与する副層を成膜すること
によって対電極層を成膜することと、
前記第2の陽極色合い付与する副層の上に第3の陽極色合い付与する副層を成膜することと、次いで
前記第3の陽極色合い付与する副層の上にリチウムを成膜することと、
を含む、
方法。 - 前記対電極層の前記第1の陽極色合い付与する副層が、約5nmと約100nmとの間の厚さを有する、請求項40から48のいずれか一項に記載の方法。
- 前記対電極層の前記第1の陽極色合い付与する副層が、約10nmと約80nmとの間の厚さを有する、請求項49に記載の方法。
- 前記対電極層の前記第1の陽極色合い付与する副層が、約10nmと約30nmとの間の厚さを有する、請求項50に記載の方法。
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