JP6802073B2 - 磁気抵抗効果装置及び磁気検出システム - Google Patents

Description

本発明は、磁気抵抗効果装置及び磁気検出システムに関する。

特許文献１には、車両のステアリングの回転角度を検出する磁気検出システムが開示されている。磁気検出システムは磁気検出装置及びセンサ電子制御ユニット（センサECU：Electrical Control Unit）を備えている。
磁気検出装置は、検出回路、増幅回路及びダイアグ（DIAG）回路を含んで構成され、チップ化されている。検出回路は、外部磁場によって電気抵抗が変化する複数の磁気抵抗効果（MR：MagnetoResistance）素子を含むブリッジ回路により構成されている。増幅回路は、検出回路の検出信号を増幅し、この増幅された検出信号を出力する。ダイアグ回路では、故障診断を行うことができる。
センサ電子制御ユニットは、処理部、判断部及び記憶部を含んで構成されている。処理部は、磁気検出装置から出力される検出信号を入力し、この検出信号を制御対象機器へ出力する。判断部は、磁気検出装置の故障診断を実行し、この故障診断の結果を制御対処機器へ出力する。記憶部には、ダイアグ回路を用いてダイアグ機能を実行する診断プログラム等のプログラムが格納されている。

上記磁気検出システムは、プリント回路基板等の実装基板上に磁気検出装置、センサ電子制御ユニットのそれぞれを実装した組立品として構成されている。磁気検出システムとして、実装基板上には更にスリープ回路及び逆接防止ダイオードが外付け素子として実装されている。
スリープ回路はトランジスタ、具体的にはｎチャネル導電型MOSFETを主体として構成されている。トランジスタのソース電極は接地端子に接続され、ドレイン電極は電源端子に接続され、ゲート電極はセンサ電子制御ユニットのスリープ端子に接続されている。ゲート電極がハイ（Ｈ）レベルのときスリープ回路はオン（ＯＮ）状態にあり、ゲート電極がロウ（Ｌ）レベルのときスリープ回路はオフ（ＯＦＦ）状態（スリープモード）にある。スリープ回路では、例えば車両走行中以外に磁気検出装置の動作をスリープモードに設定することができるので、バッテリの消耗を抑制することができる。
逆接防止ダイオードは、センサ電子制御ユニットのダイアグ信号出力端子にアノード電極を接続し、磁気検出装置のダイアグ信号入力端子にカソード電極を接続している。ダイアグ信号出力端子は、通常モード、スリープモードのそれぞれのとき、いずれもＬレベルとされる。磁気検出システムでは、逆接防止ダイオードを備えて、スリープモードのときの磁気検出装置の誤動作が防止されている。

詳しく説明すると、磁気検出装置では、ダイアグ信号入力端子と初段回路との間に静電気放電（Electro-Static Discharge）保護回路が配設されている。この保護回路はダイアグ入力端子と接地端子との間に逆方向に接続されたダイオードを含んで構成されている。スリープモードのとき、センサ電子制御ユニットのダイアグ信号出力端子がＬレベルとされ、磁気検出装置の接地端子がオープンになる。このため、磁気検出装置の保護回路のダイオード、ダイアグ信号入力端子のそれぞれを通してセンサ電子制御ユニットのダイアグ信号出力端子へ電流が回り込んで、結果的に磁気検出装置に誤動作が生じる。従って、上記の通り、逆接防止ダイオードが必要とされている。

ところで、上記磁気検出システムでは、外付け素子としてスリープ回路及び逆接防止ダイオードが実装されているので、部品点数が増加し、加えて実装基板に外付け素子の実装領域が必要とされているので、集積度が低下する。このため、改善の余地があった。

特開２０１５−１９７３９０号公報

本発明は、上記事実を考慮し、誤動作を防止しつつ、部品点数を削減し、かつ、集積度を向上させることができる磁気抵抗効果装置及び磁気検出システムを提供する。

本発明の第１実施態様に係る磁気抵抗効果装置は、一端が第１電源に接続され、他端が第１電源よりも低い電圧の第２電源に接続され、外部磁場によって電気抵抗が変化する複数の磁気抵抗効果素子を含むブリッジ回路により構成された検出回路と、検出回路から出力される検出信号を増幅して出力する増幅回路と、第１主電極が第１電源に接続され、第２主電極が検出回路の一端に接続され、第１制御電極がダイアグ信号端子、スリープ信号端子にそれぞれ接続され、ｐチャネル導電型電界効果トランジスタにより構成された第１スリープ用トランジスタと、第３主電極が第１電源に接続され、第４主電極が増幅回路に接続され、第２制御電極がダイアグ信号端子、スリープ信号端子にそれぞれ接続され、ｐチャネル導電型電界効果トランジスタにより構成された第２スリープ用トランジスタと、第１制御電極及び第２制御電極とスリープ信号端子との間に配設され、スリープ信号端子に供給されるスリープ信号を反転させる信号反転回路と、を備えている。

第１実施態様に係る磁気抵抗効果装置は、検出回路と、増幅回路と、第１スリープ用トランジスタ及び第２スリープ用トランジスタと、信号反転回路とを備える。検出回路は、外部磁場によって電気抵抗が変化する複数の磁気抵抗効果素子を含むブリッジ回路により構成される。検出回路の一端は第１電源に接続され、検出回路の他端は第１電源よりも低い電圧の第２電源に接続される。増幅回路は、検出回路から出力される検出信号を増幅して出力する。

ここで、磁気抵抗効果装置は、第１スリープ用トランジスタ、第２スリープ用トランジスタ及び信号反転回路を備える。
第１スリープ用トランジスタは、ｐチャネル導電型電界効果トランジスタにより構成され、第１主電極を第１電源に接続し、第２主電極を検出回路の一端に接続し、第１制御電極をダイアグ信号端子、スリープ信号端子にそれぞれ接続する。第２スリープ用トランジスタは、ｐチャネル導電型電界効果トランジスタにより構成され、第３主電極を第１電源に接続し、第４主電極を増幅回路に接続し、第２制御電極をダイアグ信号端子、スリープ信号端子にそれぞれ接続する。信号反転回路は、第１制御電極及び第２制御電極とスリープ信号端子との間に配設され、スリープ信号端子に供給されるスリープ信号を反転させる。
スリープモードでは、第１スリープ用トランジスタ及び第２スリープ用トランジスタがオフ状態とされ、第１電源はオープンとなる。このため、第１電源からダイアグ信号端子を通して外部、例えばダイアグ信号を供給するセンサ電子制御ユニットへ電流が回り込まないので、磁気抵抗効果装置の誤動作を防止することができる。
また、電流の回り込みを阻止することができるので、逆接防止ダイオードが外付け素子として必要無くなる。
さらに、外付け素子としたときよりも小さいサイズにおいて、第１スリープ用トランジスタ及び第２スリープ用トランジスタによりスリープ回路が構築され、このスリープ回路を磁気抵抗効果装置に内蔵させることができる。
そして、信号反転回路を備えるので、例えば、センサ電子制御ユニットからスリープ信号端子に供給される論理を変えず（信号レベルを反転させず）に、第１スリープ用トランジスタ及び第２スリープ用トランジスタを制御することができる。

本発明の第２実施態様に係る磁気抵抗効果装置は、第１実施態様に係る磁気抵抗効果装置において、スリープ信号端子と信号反転回路との間に配設され、第１電源とスリープ信号端子との間に双方向に接続された第１ダイオード及び第２ダイオードと、第１電源とスリープ信号端子との間に逆方向に接続された第３ダイオードと、第３ダイオードとスリープ信号端子との間に直列に接続された抵抗とを有する第１保護回路を更に備えている。

第２実施態様に係る磁気抵抗効果装置は、スリープ信号端子と信号反転回路との間に第１保護回路を更に備える。第１保護回路は、第１ダイオード、第２ダイオード、第３ダイオード及び抵抗を有する。
第１ダイオード及び第２ダイオードは、スリープ信号端子と信号反転回路との間に配設され、第１電源とスリープ信号端子との間に双方向に接続される。第３ダイオードは、第１電源とスリープ信号端子との間に逆方向に接続される。抵抗は第３ダイオードとスリープ信号端子との間に直列に接続される。
ここで、磁気抵抗効果装置では、例えばセンサ電子制御ユニットによって１重故障を検出できる必要がある。１重故障とは、端子をオープンにしたときに隣接端子間が短絡する故障である。１重故障の検出のとき、第１保護回路では、第１電源とスリープ信号端子との間に双方向に第１ダイオード及び第２ダイオードが接続されているので、スリープ信号端子から第１電源への電流の流れが遮断される。また、第１保護回路では、スリープ信号端子から第３ダイオードを通して第１電源へ流れる電流が抵抗の電圧降下により減衰される。このため、スリープ信号端子から第１保護回路を介して第１電源へ電流が回り込まないので、磁気抵抗効果装置の誤動作を防止し、かつ、１重故障の検出を実行することができる。

本発明の第３実施態様に係る磁気抵抗効果装置は、第１実施態様又は第２実施態様に係る磁気抵抗効果装置において、ダイアグ信号端子と第１制御電極及び第２制御電極との間に配設され、第１電源とダイアグ信号端子との間に逆方向に接続された第４ダイオードと、第２電源とダイアグ信号端子との間に逆方向に接続された第５ダイオードと、を有する第２保護回路を備え、第２電源が２重系とされている。

第３実施態様に係る磁気抵抗効果装置は、ダイアグ信号端子と第１制御電極及び第２制御電極との間に第２保護回路を備える。第２保護回路は第４ダイオードと第５ダイオードとを含んで構成される。第４ダイオードは、第１電源とダイアグ信号端子との間に逆方向に接続される。第５ダイオードは、第２電源とダイアグ信号端子との間に逆方向に接続される。
ここで、第２電源は２重系とされている。１重故障の検出において、第２電源の２重系の一方がオープンとされ、ダイアグ信号端子がロウレベルとされたとき、第２電源の２重系の他方は第２電源が維持されている。このため、第２電源から第５ダイオードを介してダイアグ信号端子に電流が流れないので、磁気抵抗効果装置の誤動作を防止しつつ、１重故障の検出を実行することができる。

本発明の第４実施態様に係る磁気検出システムは、第１実施態様〜第３実施態様のいずれか１つに係る磁気抵抗効果装置と、磁気抵抗効果装置を実装する実装基板と、実装基板に実装され、スリープ信号端子へスリープ信号が出力され、ダイアグ信号端子へダイアグ信号が出力され、かつ、増幅回路から出力された検出信号が入力されるセンサ電子制御ユニットと、を備えている。

第４実施態様に係る磁気検出システムは、実装基板と、実装基板に実装される磁気抵抗効果装置及びセンサ電子制御ユニットとを備える。センサ電子制御ユニットは、スリープ信号端子へスリープ信号を出力し、ダイアグ信号端子へダイアグ信号を出力し、かつ、増幅回路から出力された検出信号を入力する。
ここで、磁気抵抗効果装置に第１スリープ用トランジスタ、第２スリープ用トランジスタが内蔵されているので、外付け素子としてのスリープ回路を実装基板に実装する必要が無い。また、スリープモードにおいて、磁気抵抗効果装置のダイアグ信号端子からセンサ電子制御ユニットへ電流が回り込まないので、外付け素子としての逆接防止ダイオードを実装基板に実装する必要が無い。

本発明に係る磁気抵抗効果装置及び磁気検出システムは、誤動作を防止しつつ、部品点数を削減し、かつ、集積度を向上させることができるという優れた効果を有する。

本発明の第１実施の形態に係る磁気検出システムのブロック構成図である。 図１に示される磁気検出システムに実装される磁気抵抗効果装置の回路構成図である。 図２に示される磁気抵抗効果装置のスリープ信号端子、入力信号論理回路及びスリープ信号端子と入力信号論理回路との間に配設された第１保護回路（ESD保護回路）の要部回路構成図である。 図２に示される磁気抵抗効果装置のダイアグ信号端子、入力信号論理回路及びダイアグ信号端子と入力信号論理回路との間に配設された第２保護回路（ESD保護回路）の回路構成図である。 本発明の第２実施の形態に係る磁気検出システムに実装される磁気抵抗効果装置の第１保護回路の図３に対応する回路構成図である。

［第１実施の形態］
以下、図１〜図４を用いて、本発明の第１実施の形態に係る磁気検出システム及び磁気抵抗効果装置を説明する。

（磁気検出システムの構成）
図１に示されるように、本実施の形態に係る磁気検出システム１は、実装基板２の実装面上に、センサ電子制御ユニット３、第１磁気抵抗効果装置４及び第２磁気抵抗効果装置５を実装した組立品（assembly）として構成されている。磁気検出システム１は、ここでは車両のステアリングの回転角度を検出するシステムとして構築されている。

磁気検出システム１の実装基板２には、樹脂製の絶縁基板の実装面、基板内部、裏面の少なくとも１つに配線が形成されたプリント回路基板（Printed Circuit Board）が使用されている。なお、プリント回路基板に限定されるものではなく、実装基板２としては、シリコン基板、ガラス基板等が使用されてもよい。

センサ電子制御ユニット３は、本実施の形態において、少なくとも記憶部３１、判断部３２及び処理部３３を有するマイクロコンピュータを含んで構成されている。センサ電子制御ユニット３には、検出信号入力端子ＡＮ０、ＡＮ１、ＡＮ３及びＡＮ４と、ダイアグ信号出力端子ＤＯ１及びＤＯ２と、スリープ信号出力端子ＳＯと、第１電源端子Ｖ１と、第２電源端子Ｖ２とが配設されている。

センサ電子制御ユニット３の処理部３３では、第１磁気抵抗効果装置４、第２磁気抵抗効果装置５のそれぞれから出力される検出信号ＯＵＴ１、検出信号ＯＵＴ２に基づいて、ステアリング装置のステアリングの回転角度（操舵角）が演算される。この演算結果は、制御対象機器、具体的には各種車載機器ＥＣＵ（Electrical Control Unit）へ出力される。
判断部３２では、ダイアグ機能を有する故障診断プログラムに基づいて、第１磁気抵抗効果装置４、第２磁気抵抗効果装置５のそれぞれの故障診断が実行される。この故障診断の結果は制御対象機器へ出力される。制御対象機器では、例えば警告灯の点滅、警告音の発生等により、故障診断の結果が報知される。
記憶部３１には、故障診断プログラム、故障診断において故障判断のパラメータ等の情報が格納される。

第１磁気抵抗効果装置４は、図示を省略したステアリング装置の回転部材に装着されたマグネットの近傍に配設され、マグネットの移動に伴い変化する外部磁場を電気抵抗の変化として検出する。この検出結果は、π／２の位相差を有する２つの検出信号ＯＵＴ１及び検出信号ＯＵＴ２として、第１磁気抵抗効果装置４からセンサ電子制御ユニット３へ出力される。
第１磁気抵抗効果装置４と同様に、第２磁気抵抗効果装置５は、外部磁場を電気抵抗の変化として検出し、検出結果をセンサ電子制御ユニット３へ出力する。第２磁気抵抗効果装置５の検出結果は、第１磁気抵抗効果装置の検出結果と同様に、π／２の位相差を有する２つの検出信号ＯＵＴ１及び検出信号ＯＵＴ２を出力する。

第１磁気抵抗効果装置４は、検出信号出力端子Ｏ１及びＯ２と、ダイアグ信号入力端子ＤＩ１及びＤＩ２と、スリープ信号入力端子ＳＩと、第１電源端子Ｖ１と、第２電源端子Ｖ２及びＶ３とを備えている。第２磁気抵抗効果装置５は、第１磁気抵抗効果装置４と同一の各端子を備えている。

第１磁気抵抗効果装置４の第１電源端子Ｖ１には第１電源Ｖｃｃが接続されている。第１電源Ｖｃｃはシステム動作電位、例えば５Ｖに設定されている。第２電源端子Ｖ２には第２電源ＧＮＤが接続されている。第２電源ＧＮＤは、第１電源Ｖｃｃよりも低い電圧であり、システム接地電位、例えば０Ｖに設定されている。第１電源Ｖｃｃと第２電源ＧＮＤとの間には平滑コンデンサとしての容量Ｃ１が挿入されている。
また、第２電源端子Ｖ３は、第２電源端子Ｖ２に電気的に並列に接続され、第２電源ＧＮＤが供給される。第２電源端子Ｖ２、第３電源端子Ｖ３は、同一の第２電源ＧＮＤを供給する２重系とされている。
第１磁気抵抗効果装置４の検出信号出力端子Ｏ１は、抵抗Ｒ１及び容量Ｃ３を介して、センサ電子制御ユニット３の検出信号入力端子ＡＮ１に接続されている。検出信号出力端子Ｏ２は、抵抗Ｒ２及び容量Ｃ４を介して、検出信号入力端子ＡＮ０に接続されている。ダイアグ信号入力端子ＤＩ１はダイアグ信号出力端子ＤＯ１に接続されている。ダイアグ信号入力端子ＤＩ２はダイアグ信号出力端子ＤＯ２に接続されている。スリープ信号入力端子ＳＩはスリープ信号出力端子ＳＯに接続されている。

第２磁気抵抗効果装置５の第１電源端子Ｖ１には第１電源Ｖｃｃが接続され、第２電源端子Ｖ２には第２電源ＧＮＤが接続されている。第１電源Ｖｃｃと第２電源ＧＮＤとの間には平滑コンデンサとしての容量Ｃ２が挿入されている。
また、第２電源端子Ｖ２及び第２電源端子Ｖ３は同様に２重系とされている。
第２磁気抵抗効果装置５の検出信号出力端子Ｏ１は、抵抗Ｒ１及び容量Ｃ３を介して、センサ電子制御ユニット３の検出信号入力端子ＡＮ３に接続されている。検出信号出力端子Ｏ２は、抵抗Ｒ２及び容量Ｃ４を介して、検出信号入力端子ＡＮ４に接続されている。ダイアグ信号入力端子ＤＩ１はダイアグ信号出力端子ＤＯ１に接続され、ダイアグ信号入力端子ＤＩ２はダイアグ信号出力端子ＤＯ２に接続されている。スリープ信号入力端子ＳＩはスリープ信号出力端子ＳＯに接続されている。

（磁気抵抗効果装置の構成）
図２に示されるように、第１磁気抵抗効果装置４は、第１検出回路４１と、第２検出回路４２と、第１増幅回路４３と、第２増幅回路４４とを含んで構成されている。

第１検出回路４１は、一端を第１電源Ｖｃｃ（第１電源端子Ｖ１）に接続し、他端を第２電源ＧＮＤ（第２電源端子Ｖ２及びＶ３）に接続している。この第１検出回路４１は、外部磁場によって電気抵抗が変化する４個（複数）の磁気抵抗効果素子ＭＲ１〜ＭＲ４を含むブリッジ回路により構成されている。第１検出回路４１の２つの出力は第１増幅回路４３の２つの入力（非反転入力及び反転入力）に接続されている。第１検出回路４１の外部磁場による電気抵抗の変化は検出信号として第１増幅回路４３へ出力される。
第１増幅回路４３はオペアンプにより構成されている。第１増幅回路４３は入力された検出信号を増幅し、この増幅された検出信号は検出信号出力端子Ｏ１へ出力される。

第２検出回路４２は、一端を第１電源Ｖｃｃに接続し、他端を第２電源ＧＮＤに接続し、第１検出回路４１と同様に外部磁場によって電気抵抗が変化する４個の磁気抵抗効果素子ＭＲ１〜ＭＲ４を含むブリッジ回路により構成されている。第２検出回路４２では、第１検出回路４１に対してπ／２の位相差の検出信号が検出され、かつ、出力される。第２検出回路４２の２つの出力は第２増幅回路４４の２つの入力（非反転入力及び反転入力）に接続されている。第２検出回路４２の外部磁場による電気抵抗の変化は検出信号として第２増幅回路４４へ出力される。
第２増幅回路４４は第１増幅回路４３と同様にオペアンプにより構成されている。第２増幅回路４４に入力された検出信号は、増幅され、検出信号出力端子Ｏ２へ出力される。

第１磁気抵抗効果装置４は更に第１スリープ用トランジスタ４８及び第２スリープ用トランジスタ４９を備えている。本実施の形態において、第１スリープ用トランジスタ４８、第２スリープ用トランジスタはいずれもｐチャネル導電型（第１導電型）の絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（IGFET：Insulated Gate Field Effect Transistor）により構成されている。この電界効果トランジスタとしては、金属−酸化物−半導体型電界効果トランジスタ（MOSFET：Metal Oxide Semiconductor FET）と、金属−絶縁物−半導体型電界効果トランジスタ（MISFET：Metal Insulator Semiconductor FET）とが少なくとも含まれている。

第１スリープ用トランジスタ４８では、第１主電極（ソース電極）が第１電源Ｖｃｃに接続され、第２主電極（ドレイン電極）が第１検出回路４１、第２検出回路４２のそれぞれの一端（磁気抵抗効果素子ＭＲ１とＭＲ２との間）に接続されている。第１スリープ用トランジスタ４８の第１制御電極（ゲート電極）は、入力信号論理回路４０を介してダイアグ信号入力端子ＤＩ１、ＤＩ２、スリープ信号入力端子ＳＩのそれぞれに接続されている。第１スリープ用トランジスタ４８は、第１磁気抵抗効果装置４の通常動作モードにおいて、オン状態とされ、第１検出回路４１、第２検出回路４２のそれぞれを作動させる。
また、第１スリープ用トランジスタ４８は、ダイアグ信号ＤＩＡＧ１及びＤＩＡＧ２に従って第１検出回路４１、第２検出回路４２のそれぞれの作動や非作動を行い、故障診断モードを実行する。さらに、第１スリープ用トランジスタ４８は、スリープ信号ＳＬＥＥＰに基づいて第１検出回路４１、第２検出回路４２のそれぞれをスリープモードとし、図示を省略したバッテリの消耗を抑制する。

第２スリープ用トランジスタ４９では、第３主電極（ソース電極）が第１電源Ｖｃｃに接続され、第４主電極（ドレイン電極）が定電流回路５２を介して第１増幅回路４３、第２増幅回路４４のそれぞれに接続されている。第２スリープ用トランジスタ４９の第２制御電極（ゲート電極）は、第１制御電極に電気的に並列に接続され、入力信号論理回路４０を介してダイアグ信号入力端子ＤＩ１、ＤＩ２、スリープ信号入力端子ＳＩのそれぞれに接続されている。第２スリープ用トランジスタ４９の動作は第１スリープ用トランジスタ４８の動作と連動されて同一とされている。このため、第２スリープ用トランジスタ４９は、通常動作モード、故障診断モード、スリープモードのそれぞれにおいて第１増幅回路４３、第２増幅回路４４のそれぞれを適宜作動させる。

第１磁気抵抗効果装置４は、図２及び図３に示されるように、第１静電気放電保護回路（以下、単に「第１保護回路」という）４７を備えている。さらに、第１磁気抵抗効果装置４は、図２及び図４に示される第２静電気放電保護回路（以下、単に「第２保護回路」という）４５を備え、加えて図２に示される第２保護回路４６を備えている。

第１保護回路４７は、第１スリープ用トランジスタ４８の第１制御電極及び第２スリープ用トランジスタ４９の第２制御電極とスリープ信号入力端子ＳＩとの間に配設されている。より具体的には、入力信号論理回路４０とスリープ信号入力端子ＳＩとの間に第１保護回路４７が配設されている。第１保護回路４７は、図２及び図３に示されるように、第１ダイオードＤ５と、第２ダイオードＤ６と、第３ダイオードＤ７と、抵抗Ｒ６とを含んで構成されている。さらに、第１保護回路４７は、ダイオードＤ８と、抵抗Ｒ５と、抵抗Ｒ７とを含んで構成されている。

第１ダイオードＤ５及び第２ダイオードＤ６は、第１電源Ｖｃｃとスリープ信号入力端子ＳＩとの間に電気的に双方向に接続されている。詳しく説明すると、第１ダイオードＤ５のアノード電極はスリープ信号入力端子ＳＩに接続され、カソード電極は第２ダイオードＤ６のカソード電極に接続されている。第２ダイオードＤ６のアノード電極は第１電源Ｖｃｃに接続されている。
第３ダイオードＤ７のアノード電極は抵抗Ｒ６、抵抗Ｒ５のそれぞれを介してスリープ信号入力端子ＳＩに接続され、カソード電極は第１電源Ｖｃｃに接続されている。つまり、第３ダイオードＤ７は第１電源Ｖｃｃとスリープ信号入力端子ＳＩとの間に電気的に逆方向に接続されている。
ダイオードＤ８のアノード電極は第２電源ＧＮＤに接続され、カソード電極はスリープ信号入力端子ＳＩに接続されている。このダイオードＤ８はスリープ信号入力端子ＳＩと第２電源ＧＮＤとの間に電気的に逆方向に接続されている。
抵抗Ｒ６は、抵抗Ｒ５と第３ダイオードＤ７のアノード電極との間に電気的に直列に接続され、抵抗Ｒ５よりも高い抵抗値に設定されている。例えば、抵抗Ｒ５は１００Ωに設定され、抵抗Ｒ６は３０ｋΩに設定されている。抵抗Ｒ７の一端は抵抗Ｒ５と抵抗Ｒ６との間に接続され、他端は第２電源ＧＮＤに接続されている。

図２及び図４に示されるように、第２保護回路４５は、第１スリープ用トランジスタ４８の第１制御電極及び第２スリープ用トランジスタ４９の第２制御電極、具体的には入力信号論理回路４０とダイアグ信号入力端子ＤＩ１との間に配設されている。第２保護回路４５は、第４ダイオードＤ１と、第５ダイオードＤ２と、抵抗Ｒ３とを含んで構成されている。
第４ダイオードＤ１のアノード電極はダイアグ信号入力端子ＤＩ１に接続され、カソード電極は第１電源Ｖｃｃに接続されている。つまり、第４ダイオードＤ１はダイアグ信号入力端子ＤＩ１と第１電源Ｖｃｃとの間に電気的に逆方向に接続されている。第５ダイオードＤ２のアノード電極は第２電源ＧＮＤに接続され、カソード電極はダイアグ信号入力端子ＤＩ１に接続されている。この第５ダイオードＤ２はダイアグ信号入力端子ＤＩ１と第２電源ＧＮＤとの間に電気的に逆方向に接続されている。
抵抗Ｒ３はダイアグ信号入力端子ＤＩ１と入力信号論理回路４０との間に電気的に直列に接続されている。

図２に示されるように、第２保護回路４６は、第２保護回路４５と実質的に同一の回路構成により構成され、入力信号論理回路４０とダイアグ信号入力端子ＤＩ２との間に配設されている。第２保護回路４６は、第４ダイオードＤ３と、第５ダイオードＤ４と、抵抗Ｒ４とを含んで構成されている。
第４ダイオードＤ３のアノード電極はダイアグ信号入力端子ＤＩ２に接続され、カソード電極は第１電源Ｖｃｃに接続されている。つまり、第４ダイオードＤ３はダイアグ信号入力端子ＤＩ２と第１電源Ｖｃｃとの間に電気的に逆方向に接続されている。第５ダイオードＤ４のアノード電極は第２電源ＧＮＤに接続され、カソード電極はダイアグ信号入力端子ＤＩ２に接続されている。この第５ダイオードＤ４はダイアグ信号入力端子ＤＩ２と第２電源ＧＮＤとの間に電気的に逆方向に接続されている。
抵抗Ｒ４はダイアグ信号入力端子ＤＩ２と入力信号論理回路４０との間に電気的に直列に接続されている。

そして、第１磁気抵抗効果装置４では、図２及び図３に示されるように、第１スリープ用トランジスタ４８の第１制御電極及び第２スリープ用トランジスタ４９の第２制御電極と第１保護回路４７との間に信号反転回路５０が配設されている。
詳しく説明すると、信号反転回路５０は、入力信号論理回路４０の前段に配設され、図３に示されるようにインバータにより構成されている。インバータは、第１導電型電界効果トランジスタＱ１と、ｎチャネル導電型（第２導電型）電界効果トランジスタＱ２とを含んで構成され、１段とされている。なお、信号整形等を目的として、信号反転回路５０は、３段以上の多段構成としてもよい。

図１に示される第２磁気抵抗効果装置５の構成は第１磁気抵抗効果装置４の構成と同一とされているので、第２磁気抵抗効果装置５の説明は省略する。

（磁気検出システム及び磁気抵抗効果装置の動作）
前述の磁気検出システム１、第１磁気抵抗効果装置４、第２磁気抵抗効果装置５の動作について、簡単に説明する。
（１）通常動作モード
図１に示されるように、通常動作モードにおいて、磁気検出システム１は、センサ電子制御ユニット３のダイアグ信号出力端子ＤＯ１から第１磁気抵抗効果装置４及び第２磁気抵抗効果装置５のダイアグ信号入力端子ＤＩ１へダイアグ信号ＤＩＡＧ１を出力する。同様に、磁気検出システム１は、センサ電子制御ユニット３のダイアグ信号出力端子ＤＯ２から第１磁気抵抗効果装置４及び第２磁気抵抗効果装置５のダイアグ信号入力端子ＤＩ２へダイアグ信号ＤＩＡＧ２を出力する。ダイアグ信号ＤＩＡＧ１、ＤＩＡＧ２はともにロウレベル（以下、「Ｌレベル」という）である。

図２に示されるように、第１磁気抵抗効果装置４では、ダイアグ信号ＤＩＡＧ１、ＤＩＡＧ２が入力信号論理回路４０に入力される。入力信号論理回路４０は、第１スリープ用トランジスタ４８の第１制御電極及び第２スリープ用トランジスタ４９の第２制御電極をともにＬレベルとし、第１スリープ用トランジスタ４８及び第２スリープ用トランジスタ４９をオン状態とする。第１スリープ用トランジスタ４８のオン動作によって第１検出回路４１に第１電源Ｖｃｃが供給され、第１検出回路４１を用いて外部磁場が検出される。加えて、第２スリープ用トランジスタ４９のオン動作によって第１増幅回路４３がオン動作とされるので、第１検出回路４１の検出信号が、第１増幅回路４３により増幅され、検出信号出力端子Ｏ１に検出信号ＯＵＴ１として出力される。
同様に、第２検出回路４１を用いて外部磁場が検出され、この検出信号が第２増幅回路４４を用いて検出信号出力端子Ｏ２に検出信号ＯＵＴ２として出力される。図１に示されるように、検出信号ＯＵＴ１はセンサ電子制御ユニット３の検出信号入力端子ＡＮ１へ出力される。また、検出信号ＯＵＴ２は検出信号入力端子ＡＮ０に出力される。

一方、第２磁気抵抗効果装置５でも第１磁気抵抗効果装置４と同様の動作が行われる。つまり、第２磁気抵抗効果装置５の検出信号出力端子Ｏ１から出力される検出信号ＯＵＴ１はセンサ電子制御ユニット３の検出信号入力端子ＡＮ３に出力され、検出信号ＯＵＴ２は検出信号入力端子ＡＮ４に出力される。

（２）故障診断モード
故障診断モードではセンサ電子制御ユニット３のダイアグ信号出力端子ＤＯ１及びＤＯ２から第１磁気抵抗効果装置４及び第２磁気抵抗効果装置５のダイアグ信号入力端子ＤＩ１及びＤＩ２へ３つのパターンのダイアグ信号ＤＩＡＧ１及びＤＩＡＧ２が出力される。すなわち、第１パターンでは、ダイアグ信号ＤＩＡＧ１はＬレベル、ダイアグ信号ＤＩＡＧ２はハイレベル（以下、「Ｈレベル」という）である。第２パターンでは、ダイアグ信号ＤＩＡＧ１はＨレベル、ダイアグ信号ＤＩＡＧ２はＬレベルである。第３パターンでは、ダイアグ信号ＤＩＡＧ１はＨレベル、ダイアグ信号ＤＩＡＧ２はＨレベルである。

これらの３つのパターンのダイアグ信号ＤＩＡＧ１及びＤＩＡＧ２に従って出力される検出信号ＯＵＴ１及びＯＵＴ２の不適が判定される。これにより、第１磁気抵抗効果装置４、第２磁気抵抗効果装置５のそれぞれの故障診断がセンサ電子制御ユニット３において実施される。

（３）スリープモード
スリープモードでは、センサ電子制御ユニット３のスリープ信号出力端子ＳＯから第１磁気抵抗効果装置４及び第２磁気抵抗効果装置５のスリープ信号入力端子ＳＩへスリープ信号ＳＬＥＥＰが出力される（図１参照）。スリープ信号ＳＬＥＥＰはＬレベルである。
これにより、第１磁気抵抗効果装置４及び第２磁気抵抗効果装置５の動作が停止（待機）状態とされ、バッテリの消耗を抑制することができる。
詳しく説明すると、第１磁気抵抗効果装置４及び第２磁気抵抗効果装置５では、まずスリープ信号入力端子ＳＩにスリープ信号ＳＬＥＥＰが入力される。このスリープ信号ＳＬＥＥＰは信号反転回路５０により反転され、反転されたスリープ信号ＳＬＥＥＰは入力信号論理回路４０を介して第１スリープ用トランジスタ４８の第１制御電極及び第２スリープ用トランジスタ４９の第２制御電極に供給される。これにより、第１スリープ用トランジスタ４８はオフ状態とされ、第１検出回路４１及び第２検出回路４２の作動は停止される。また、第２スリープ用トランジスタ４９はオフ状態とされ、第１増幅回路４３及び第２増幅回路４４の動作は停止される。

（本実施の形態の作用及び効果）
上記第１磁気抵抗効果装置４は、図１〜図３に示されるように、第１検出回路４１及び第２検出回路４２と、第１増幅回路４３及び第２増幅回路４４と、第１スリープ用トランジスタ４８及び第２スリープ用トランジスタ４９と、信号反転回路５０とを備える。第１検出回路４１、第２検出回路４２は、いずれも外部磁場によって電気抵抗が変化する複数の磁気抵抗効果素子ＭＲ１〜ＭＲ４を含むブリッジ回路により構成される。第１検出回路４１、第２検出回路４２のそれぞれの一端は第１電源Ｖｃｃに接続され、第２検出回路４１、第２検出回路４２のそれぞれの他端は第１電源Ｖｃｃよりも低い電圧の第２電源ＧＮＤに接続される。第１増幅回路４３は、第１検出回路４１から出力される検出信号ＯＵＴ１を増幅して出力する。第２増幅回路４４は、第２検出回路４２から出力される検出信号ＯＵＴ２を増幅して出力する。

ここで、磁気抵抗効果装置４は、第１スリープ用トランジスタ４８、第２スリープ用トランジスタ４９及び信号反転回路５０を備える。
第１スリープ用トランジスタ４８は、第１導電型電界効果トランジスタにより構成される。第１スリープ用トランジスタ４８は、第１主電極を第１電源Ｖｃｃに接続し、第２主電極を第１検出回路４１、第２検出回路４２のそれぞれの一端に接続する。第１スリープ用トランジスタ４８の第１制御電極はダイアグ信号入力端子ＤＩ１及びＤＩ２、スリープ信号入力端子ＳＩにそれぞれ接続される。第２スリープ用トランジスタ４９は、第１導電型電界効果トランジスタにより構成される。第２スリープ用トランジスタ４９は、第３主電極を第１電源Ｖｃｃに接続し、第４主電極を第１増幅回路４３、第２増幅回路４４にそれぞれ接続する。第２スリープ用トランジスタ４９の第２制御電極はダイアグ信号入力端子ＤＩ１及びＤＩ２、スリープ信号入力端子ＳＩにそれぞれ接続される。
信号反転回路５０は、第１制御電極及び第２制御電極とスリープ信号入力端子ＳＩとの間、具体的には入力信号論理回路４０とスリープ信号入力端子ＳＩとの間に配設される。信号反転回路５０は、スリープ信号入力端子ＳＩに供給されるスリープ信号ＳＬＥＥＰを反転させる。

図２に示されるように、スリープモードでは、第１スリープ用トランジスタ４８及び第２スリープ用トランジスタ４９がオフ状態とされ、第１電源Ｖｃｃがオープンとなる。このため、第１電源Ｖｃｃからダイアグ信号入力端子ＤＩ１、ＤＩ２のそれぞれを通して外部、例えばダイアグ信号ＤＩＡＧ１、ＤＩＡＧ２のそれぞれを供給するセンサ電子制御ユニット３へ電流が回り込まない（図１参照）。第２保護回路４５では、第１電源Ｖｃｃとダイアグ信号入力端子ＤＩ１との間に第４ダイオードＤ１が逆方向に接続されているので、第４ダイオードＤ１を通しても電流の回り込みがない。同様に、第２保護回路４６では、第１電源Ｖｃｃとダイアグ信号入力端子ＤＩ２との間に第４ダイオードＤ３が逆方向に接続されているので、第４ダイオードＤ３を通しても電流の回り込みがない。電流の回り込みがないので、第１磁気抵抗効果装置４の誤動作を防止することができる。なお、スリープモードでは、第１検出回路４１、第２検出回路４２、第１増幅回路４３及び第２増幅回路４４の動作は停止状態にある。

また、電流の回り込みを阻止することができるので、外付け素子としての逆接防止ダイオードが必要無くなる。
さらに、外付け素子としたときよりも小さいサイズにおいて、第１スリープ用トランジスタ４８及び第２スリープ用トランジスタ４９によりスリープ回路が構築され、このスリープ回路を磁気抵抗効果装置４に内蔵させることができる。
そして、信号反転回路５０を備えるので、例えば、センサ電子制御ユニット３からスリープ信号入力端子ＳＩに供給されるスリープ信号ＳＬＥＥＰの論理を変えずに、第１スリープ用トランジスタ４８及び第２スリープ用トランジスタ４９を制御することができる。ここで、論理を変えないとは、センサ電子制御ユニット３のスリープ信号出力端子ＳＯから出力されるスリープ信号ＳＬＥＥＰの信号レベルを変えないという意味である。例えば、スリープモードへの移行がセンサ電子制御ユニット３から出力されるスリープ信号ＳＬＥＥＰを「Ｌレベル」とするとき、センサ電子制御ユニット３の回路構成を変えることなく、第１磁気抵抗効果装置４をスリープモードに移行させることができる。

従って、本実施の形態に係る第１磁気抵抗効果装置４では、スリープモードにおける誤動作を防止しつつ、外付け素子の部品点数を削減し、かつ、実装基板２における集積度を向上させることができる。なお、第２磁気抵抗効果装置５でも、第１磁気抵抗効果装置４と同様の作用及び効果を得ることができる。

また、第１磁気抵抗効果装置４は、図２及び図３に示されるように、スリープ信号入力端子ＳＩと信号反転回路５０との間に第１保護回路４７を更に備える。第１保護回路４７は、第１ダイオードＤ５、第２ダイオードＤ６、第３ダイオードＤ７及び抵抗Ｒ６を有する。
第１ダイオードＤ５及び第２ダイオードＤ６は、スリープ信号入力端子ＳＩと信号反転回路５０との間に配設され、第１電源Ｖｃｃとスリープ信号入力端子ＳＩとの間に双方向に接続される。第３ダイオードＤ７は、第１電源Ｖｃｃとスリープ信号入力端子ＳＩとの間に逆方向に接続される。抵抗Ｒ６は第３ダイオードＤ７とスリープ信号入力端子ＳＩとの間に直列に接続される。

ここで、第１磁気抵抗効果装置４では、例えばセンサ電子制御ユニット３によって１重故障を検出できる必要がある。１重故障とは、端子をオープンにしたときに隣接端子間が短絡する故障である。１重故障の検出のとき、第１保護回路４７では、第１電源Ｖｃｃとスリープ信号入力端子ＳＩとの間に双方向に第１ダイオードＤ５及び第２ダイオードＤ６が接続されているので、スリープ信号入力端子ＳＩから第１電源Ｖｃｃへの電流の流れが遮断される。また、第１保護回路４７では、スリープ信号入力端子ＳＩから第３ダイオードＤ７を通して第１電源Ｖｃｃへ流れる電流が抵抗Ｒ６の電圧降下により減衰される。
このため、スリープ信号入力端子ＳＩから第１保護回路４７を介して第１電源Ｖｃｃへ電流が回り込まないので、第１磁気抵抗効果装置４の誤動作を防止し、かつ、１重故障の検出を実行することができる。第２磁気抵抗効果装置５でも、第１磁気抵抗効果装置４と同様の作用及び効果を得ることができる。

さらに、第１磁気抵抗効果装置４は、図２及び図４に示されるように、ダイアグ信号入力端子ＤＩ１と第１制御電極及び第２制御電極との間、具体的にはダイアグ信号入力端子ＤＩ１と入力信号論理回路４０との間に第２保護回路４５を備える。第２保護回路４５は第４ダイオードＤ１と第５ダイオードＤ２とを含んで構成される。第４ダイオードＤ１は、第１電源Ｖｃｃとダイアグ信号入力端子ＤＩ１との間に逆方向に接続される。第５ダイオードＤ２は、第２電源ＧＮＤとダイアグ信号入力端子ＤＩ１との間に逆方向に接続される。
ここで、第２電源ＧＮＤは２重系とされている。詳しく説明すると、第２電源ＧＮＤは、第２電源端子Ｖ２及び第２電源端子Ｖ２に電気的に並列に接続された第２電源端子Ｖ３から供給される。
１重故障の検出において、第２電源ＧＮＤの２重系の一方（例えば第２電源端子Ｖ２）がオープンとされ、ダイアグ信号入力端子ＤＩ１がＬレベルとされたとき、第２電源ＧＮＤの２重系の他方（例えば第２電源端子Ｖ３）は第２電源ＧＮＤが維持されている。このため、第２電源ＧＮＤから第５ダイオードＤ２を介してダイアグ信号入力端子ＤＩ１に電流が流れないので、第１磁気抵抗効果装置４の誤動作を防止しつつ、１重故障の検出を実行することができる。

また、第１磁気抵抗効果装置４は、図２に示されるように、ダイアグ信号入力端子ＤＩ２と第１制御電極及び第２制御電極との間、具体的にはダイアグ信号入力端子ＤＩ２と入力信号論理回路４０との間に第２保護回路４６を備える。第２保護回路４６は第４ダイオードＤ３と第５ダイオードＤ４とを含んで構成される。
ここでも、第２電源ＧＮＤは２重系とされているので、１重故障の検出において、第１磁気抵抗効果装置４の誤動作を防止しつつ、１重故障の検出を実行することができる。
なお、第２磁気抵抗効果装置５でも、第１磁気抵抗効果装置４と同様の作用及び効果を得ることができる。

さらに、磁気検出システム１は、図１に示されるように、実装基板２と、実装基板２に実装される第１磁気抵抗効果装置４、第２磁気抵抗効果装置５及びセンサ電子制御ユニット３とを備える。
センサ電子制御ユニット３は、第１磁気抵抗効果装置４及び第２磁気抵抗効果装置５のスリープ信号入力端子ＳＩへスリープ信号ＳＬＥＥＰを出力する。また、センサ電子制御ユニット３は、ダイアグ信号入力端子ＤＩ１へダイアグ信号ＤＩＡＧ１を出力し、ダイアグ信号入力端子ＤＩ２へダイアグ信号ＤＩＡＧ２を出力する。さらに、センサ電子制御ユニット３は、図１及び図２に示されるように、第１磁気抵抗効果装置４及び第２磁気抵抗効果装置５の第１増幅回路４３から出力された検出信号ＯＵＴ１を入力し、第２増幅回路４３から出力された検出信号ＯＵＴ２を入力する。

ここで、図２に示されるように、第１磁気抵抗効果装置４及び第２磁気抵抗効果装置５にそれぞれ第１スリープ用トランジスタ４８及び第２スリープ用トランジスタ４９が内蔵されているので、外付け素子としてのスリープ回路を実装基板２に実装する必要が無い。また、スリープモードにおいて、第１磁気抵抗効果装置４及び第２磁気抵抗効果装置５のダイアグ信号入力端子ＤＩ１、ＤＩ２からセンサ電子制御ユニット３へ電流が回り込まないので、外付け素子としての逆接防止ダイオードを実装基板２に実装する必要が無い。
このため、磁気検出システム１では、誤動作を防止しつつ、部品点数を削減し、かつ、集積度を向上させることができる。

［第２実施の形態］
以下、図５を用いて、本発明の第２実施の形態に係る磁気検出システム及び磁気抵抗効果装置を説明する。なお、本実施の形態において、第１実施の形態に係る磁気検出システム及び磁気抵抗効果装置の構成要素と同一又は実質的に同一の構成要素には同一符号を付し、重複する説明は省略する。

本実施の形態に係る第１磁気抵抗効果装置４及び第２磁気抵抗効果装置５では第１保護回路４７の構成が異なるだけで、それ以外の構成は第１実施の形態に係る第１磁気抵抗効果装置４及び第２磁気抵抗効果装置５と同一である。また、図示を省略した磁気検出システム１の構成は第１実施の形態に係る磁気検出システム１の構成と同一である。このため、本実施の形態では、第１磁気抵抗効果装置４の第１保護回路４７の構成だけを説明し、第２磁気抵抗効果装置５の第１保護回路４７並びに磁気検出システム１の説明は重複するので省略する。

図５に示されるように、第１磁気抵抗効果装置４の第１保護回路４７は、第１ダイオードＤ５、第２ダイオードＤ６、第３ダイオードＤ７、ダイオードＤ８に代えて、トランジスタＱ３〜Ｑ６を備えている。トランジスタＱ３〜Ｑ５は第１導電型電界効果トランジスタにより構成されている。
トランジスタＱ４のソース電極及びゲート電極は第１電源Ｖｃｃに接続され、ドレイン電極はトランジスタＱ３のソース電極に接続されている。トランジスタＱ３のドレイン電極及びゲート電極はスリープ信号入力端子ＳＩに接続されている。トランジスタＱ５のソース電極及びゲート電極は第１電源Ｖｃｃに接続され、ドレイン電極は抵抗Ｒ６、Ｒ５のそれぞれを介してスリープ信号入力端子ＳＩに接続されている。
トランジスタＱ６は第２導電型電界効果トランジスタにより構成されている。トランジスタＱ６のソース電極及びゲート電極は第２電源ＧＮＤに接続され、ドレイン電極はスリープ信号入力端子ＳＩに接続されている。

トランジスタＱ３〜Ｑ６では、これらが形成されたウエル領域とこのウエル領域とは反対導電型の主電極とのｐｎ接合部にダイオードが生成されるので、第１実施の形態に係る第１保護回路４７の第１ダイオードＤ５等と同様の機能がある。従って、本実施の形態に係る第１磁気抵抗効果装置４、第２磁気抵抗効果装置５及び磁気検出システム１では、第１実施の形態に係る第１磁気抵抗効果装置４、第２磁気抵抗効果装置５及び磁気検出システム１により得られる作用及び効果と同様の作用及び効果を得ることができる。

［上記実施の形態の補足説明］
本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において例えば以下の通り変形可能である。例えば、本発明は、ダイアグ信号入力端子に接続される第２保護回路において、ダイオードをトランジスタに代えてもよい。また、本発明は、第１保護回路、第２保護回路のそれぞれにおいて、ダイオードとトランジスタとを混在させてもよい。
さらに、本発明では、第１検出回路、第２検出回路の磁気抵抗効果素子として、異方向性磁気抵抗効果（AMR: Anisotropic Magneto Resistive effect）素子、巨大磁気抵抗効果（GMR: Giant Magneto Resistive effect）素子、トンネル磁気抵抗効果（TMR: Tunnel Magneto Resistance effect）素子のいずれかを使用することができる。
また、本発明は、車両のステアリングの回転角度を検出するシステムに限定されるものではなく、移動位置や移動角度を検出するシステムに広く適用可能である。

１…磁気検出システム、２…実装基板、３…センサ電子制御ユニット、４…第１磁気抵抗効果装置、５…第２磁気抵抗効果装置、４０…入力信号論理回路、４１…第１検出回路、４２…第２検出回路、４３…第１増幅回路、４４…第２増幅回路、４８…第１スリープ用トランジスタ、４９…第２スリープ用トランジスタ、４５、４６…第２保護回路、４７…第１保護回路、５０…反転信号回路。

Claims (4)

1. 一端が第１電源に接続され、他端が前記第１電源よりも低い電圧の第２電源に接続され、外部磁場によって電気抵抗が変化する複数の磁気抵抗効果素子を含むブリッジ回路により構成された検出回路と、
   前記検出回路から出力される検出信号を増幅して出力する増幅回路と、
   第１主電極が前記第１電源に接続され、第２主電極が前記検出回路の一端に接続され、第１制御電極がダイアグ信号端子、スリープ信号端子にそれぞれ接続され、ｐチャネル導電型電界効果トランジスタにより構成された第１スリープ用トランジスタと、
   第３主電極が前記第１電源に接続され、第４主電極が前記増幅回路に接続され、第２制御電極が前記ダイアグ信号端子、前記スリープ信号端子にそれぞれ接続され、ｐチャネル導電型電界効果トランジスタにより構成された第２スリープ用トランジスタと、
   前記第１制御電極及び前記第２制御電極と前記スリープ信号端子との間に配設され、前記スリープ信号端子に供給されるスリープ信号を反転させる信号反転回路と、
   を備えた磁気抵抗効果装置。
2. 前記スリープ信号端子と前記信号反転回路との間に配設され、前記第１電源と前記スリープ信号端子との間に双方向に接続された第１ダイオード及び第２ダイオードと、前記第１電源と前記スリープ信号端子との間に逆方向に接続された第３ダイオードと、前記第３ダイオードと前記スリープ信号端子との間に直列に接続された抵抗とを有する第１保護回路を更に備えた請求項１に記載の磁気抵抗効果装置。
3. 前記ダイアグ信号端子と前記第１制御電極及び前記第２制御電極との間に配設され、前記第１電源と前記ダイアグ信号端子との間に逆方向に接続された第４ダイオードと、前記第２電源と前記ダイアグ信号端子との間に逆方向に接続された第５ダイオードと、を有する第２保護回路を備え、
   前記第２電源が２重系とされている請求項１又は請求項２に記載の磁気抵抗効果装置。
4. 請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の磁気抵抗効果装置と、
   前記磁気抵抗効果装置を実装する実装基板と、
   前記実装基板に実装され、前記スリープ信号端子へスリープ信号が出力され、前記ダイアグ信号端子へダイアグ信号が出力され、かつ、前記増幅回路から出力された検出信号が入力されるセンサ電子制御ユニットと、
   を備えた磁気検出システム。