JP6789048B2 - Board processing equipment - Google Patents

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Description

本発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。処理対象の基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。 The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate. The substrates to be processed include, for example, semiconductor wafers, liquid crystal display substrate, plasma display substrate, FED (Field Emission Display) substrate, optical disk substrate, magnetic disk substrate, optical magnetic disk substrate, and photomask. Includes substrates, ceramic substrates, solar cell substrates, and the like.

半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板を処理する基板処理装置が用いられる。特許文献１には、基板を一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が開示されている。
特許文献１の基板処理装置は、基板を水平に保持しながら回転させる基板回転装置を備えている。基板回転装置は、環状の回転盤と、回転盤を回転駆動する駆動機構と、回転盤上に設けられた複数の固定爪および複数の可動爪と、可動爪を動作させる可動爪動作機構とを含む。各可動爪動作機構は、可動爪を基板保持位置に保持する線状バネと、可動爪と共に鉛直軸線まわりに揺動する揺動体と、揺動体を押すことにより可動爪を基板保持解除位置に移動させる空気圧シリンダとを含む。 In the manufacturing process of semiconductor devices and liquid crystal display devices, a substrate processing device that processes substrates such as semiconductor wafers and glass substrates for liquid crystal display devices is used. Patent Document 1 discloses a single-wafer type substrate processing apparatus that processes substrates one by one.
The substrate processing apparatus of Patent Document 1 includes a substrate rotating device that rotates the substrate while holding it horizontally. The substrate rotating device includes an annular rotary disk, a drive mechanism for rotationally driving the rotary disk, a plurality of fixed claws and a plurality of movable claws provided on the rotary disk, and a movable claw operation mechanism for operating the movable claws. Including. Each movable claw operation mechanism has a linear spring that holds the movable claw at the board holding position, a rocking body that swings around the vertical axis together with the movable claw, and a rocking body that moves the movable claw to the board holding release position by pushing the rocking body. Includes a pneumatic cylinder to allow.

特許第２８９１８９４号公報Japanese Patent No. 2891894

特許文献１では、可動爪を基板保持解除位置に移動させる専用の空気圧シリンダが設けられている。さらに、空気圧シリンダは可動爪ごとに設けられるので、可動爪が複数ある場合は、空気圧シリンダを複数設ける必要がある。そのため、可動爪動作機構を簡素化することが難しい。
そこで、本発明の目的の一つは、可動チャックを開閉させる機構を簡素化することである。 In Patent Document 1, a dedicated pneumatic cylinder for moving the movable claw to the substrate holding release position is provided. Further, since the pneumatic cylinder is provided for each movable claw, it is necessary to provide a plurality of pneumatic cylinders when there are a plurality of movable claws. Therefore, it is difficult to simplify the movable claw operation mechanism.
Therefore, one of the objects of the present invention is to simplify the mechanism for opening and closing the movable chuck.

前記目的を達成するための請求項１に記載の発明は、基板の外周部に押し付けられる閉位置と前記基板の外周部に対する押付が解除される開位置との間でチャック回動軸線まわりに回動可能な可動チャックを含み、前記可動チャックの移動に伴って、前記基板を水平に把持する閉状態と前記基板の把持が解除される開状態との間で切り替わる複数のチャック部材と、前記複数のチャック部材に把持されている前記基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに前記複数のチャック部材を回転させることにより前記基板を前記回転軸線まわりに回転させる動力を発生するスピンモータと、平面視で前記複数のチャック部材を前記回転軸線まわりに取り囲む筒状のスプラッシュガードと、前記スプラッシュガードを鉛直方向に移動させるガード昇降ユニットと、前記可動チャックを前記閉位置の方に移動させる力を発生する把持力発生部材と、前記可動チャックよりも外方に位置する外端を含み、前記可動チャックと共に前記チャック回動軸線まわりに回動し、前記可動チャックと共に前記回転軸線まわりに回転する従動部と、前記従動部の外端よりも内方に位置する内端を含み、前記スプラッシュガードと共に鉛直方向に移動する駆動部と、前記スピンモータを制御することにより前記従動部を前記可動チャックと共に前記回転軸線まわりに回転させ、前記ガード昇降ユニットを制御することにより前記駆動部を前記スプラッシュガードと共に鉛直方向に移動させる制御装置と、前記基板の下方に配置されるハンドで前記基板を支持しながら、前記複数のチャック部材に前記基板を搬送する搬送ロボットとを備える、基板処理装置である。 The invention according to claim 1 for achieving the above object rotates around the chuck rotation axis between a closed position pressed against the outer peripheral portion of the substrate and an open position where the pressing against the outer peripheral portion of the substrate is released. A plurality of chuck members including a movable chuck that can be moved, and a plurality of chuck members that switch between a closed state in which the substrate is horizontally gripped and an open state in which the substrate is released from gripping as the movable chuck moves. A spin motor that generates power to rotate the substrate around the rotation axis by rotating the plurality of chuck members around a vertical rotation axis passing through the central portion of the substrate held by the chuck member, and a flat surface. A cylindrical splash guard that visually surrounds the plurality of chuck members around the rotation axis, a guard elevating unit that moves the splash guard in the vertical direction, and a force that moves the movable chuck toward the closed position are generated. A driven portion that includes a gripping force generating member and an outer end located outside the movable chuck, rotates around the chuck rotation axis together with the movable chuck, and rotates around the rotation axis together with the movable chuck. A drive unit that includes an inner end located inward from the outer end of the driven portion and moves in the vertical direction together with the splash guard, and the driven portion is moved together with the movable chuck by controlling the spin motor. While supporting the substrate with a control device that rotates around the rotation axis and controls the guard elevating unit to move the drive unit in the vertical direction together with the splash guard, and a hand arranged below the substrate. It is a substrate processing apparatus including a transfer robot that conveys the substrate to the plurality of chuck members .

前記可動チャックは、前記基板の外周部に押し付けられる把持部と、該把持部から前記回転軸線に向かって斜め下方に延びる傾斜面を含み、前記基板を下方から支持可能な支持部と、を有する。前記制御装置は、前記従動部および駆動部の少なくとも一方を移動させることにより、前記従動部および駆動部が互いに離れた状態で前記従動部および駆動部を水平または鉛直な対向方向に対向させる準備ステップと、前記準備ステップの後、前記従動部および駆動部を前記対向方向に相対的に移動させることにより、前記従動部および駆動部を互いに接触させて、前記可動チャックが前記開位置に達するまで前記駆動部に前記従動部を押させる解除ステップと、前記解除ステップの後、前記従動部および駆動部を互いに離反させて、前記把持力発生部材に前記可動チャックを前記閉位置の方に移動させる把持ステップとを実行する。前記制御装置は、前記解除ステップにおいて、前記スプラッシュガードの上端を前記ハンドよりも下方に位置させながら、前記従動部および駆動部を互いに接触させ、前記ハンドにより前記支持部に前記基板を載置する。 The movable chuck includes a grip portion pressed against an outer peripheral portion of the substrate, and an inclined surface extending obliquely downward from the grip portion toward the rotation axis, and has a support portion capable of supporting the substrate from below. .. The control device moves at least one of the driven unit and the driven unit, so that the driven unit and the driven unit face each other in a horizontal or vertically opposed direction in a state where the driven unit and the driven unit are separated from each other. After the preparation step, the driven portion and the driving portion are moved relative to each other in the opposite direction so that the driven portion and the driving portion are brought into contact with each other until the movable chuck reaches the open position. A grip that causes the drive unit to push the driven portion, and after the release step, separates the driven unit and the drive unit from each other and causes the gripping force generating member to move the movable chuck toward the closed position. Perform steps and. In the release step, the control device brings the driven portion and the driving portion into contact with each other while positioning the upper end of the splash guard below the hand, and places the substrate on the support portion by the hand. ..

この構成によれば、スピンモータが可動チャックと共に従動部を鉛直な回転軸線まわりに回転させる。ガード昇降ユニットは、スプラッシュガードと共に駆動部を鉛直方向に移動させる。スピンモータおよびガード昇降ユニットは、制御装置によって制御される。
従動部および駆動部は、互いに離れた状態で水平または鉛直な対向方向に対向する。その後、従動部および駆動部が互いに接触し、駆動部が従動部を対向方向に押す。これにより、可動チャックが開位置に配置される。その後、従動部および駆動部が互いに離れる。可動チャックは、把持力発生部材の力で閉位置の方に戻される。 According to this configuration, the spin motor rotates the driven portion together with the movable chuck around the vertical rotation axis. The guard elevating unit moves the drive unit in the vertical direction together with the splash guard. The spin motor and guard elevating unit are controlled by the control device.
The driven unit and the driving unit face each other in a horizontal or vertically opposed direction while being separated from each other. After that, the driven unit and the driving unit come into contact with each other, and the driving unit pushes the driven unit in the opposite direction. As a result, the movable chuck is arranged in the open position. After that, the driven unit and the driving unit are separated from each other. The movable chuck is returned to the closed position by the force of the gripping force generating member.

このように、スピンモータおよびガード昇降ユニットの少なくとも一方が可動チャックを開位置に方に移動させるオープン用のアクチュエータを兼ねているので、専用のオープン用のアクチュエータを設ける必要がない。そのため、可動チャックを開閉するチャック開閉機構を簡素化することができる。さらに、駆動部が従動部に接触し、従動部を押すので、磁力で可動チャックを開位置の方に移動させる場合と比較して、可動チャックを確実に開位置の方に移動させることができる。 As described above, since at least one of the spin motor and the guard elevating unit also serves as an opening actuator for moving the movable chuck toward the open position, it is not necessary to provide a dedicated opening actuator. Therefore, the chuck opening / closing mechanism for opening / closing the movable chuck can be simplified. Further, since the driving portion contacts the driven portion and pushes the driven portion, the movable chuck can be reliably moved toward the open position as compared with the case where the movable chuck is moved toward the open position by magnetic force. ..

把持力発生部材は、バネ、ゴム、および樹脂などの弾性体であってもよいし、可動チャックに連結された従動マグネットと、従動マグネットに対向する駆動マグネットとを含んでいてもよい。
前記可動チャックは、鉛直な前記チャック回動軸線まわりに回動可能であり、前記制御装置は、前記準備ステップにおいて、前記従動部および駆動部を水平に対向させ、前記解除ステップにおいて、前記従動部を前記回転軸線まわりに回動させることにより、前記従動部および駆動部を互いに接触させてもよい。 The gripping force generating member may be an elastic body such as a spring, rubber, or resin, or may include a driven magnet connected to the movable chuck and a driving magnet facing the driven magnet.
The movable chuck is rotatable around the vertical chuck rotation axis, and the control device horizontally faces the driven portion and the driving portion in the preparation step, and the driven portion in the releasing step. May be brought into contact with each other by rotating the driven portion and the driving portion around the rotation axis .

前記可動チャックは、水平な前記チャック回動軸線まわりに回動可能であり、前記制御装置は、前記準備ステップにおいて、前記従動部および駆動部を鉛直に対向させ、前記解除ステップにおいて、前記駆動部を鉛直方向に移動させることにより、前記従動部および駆動部を互いに接触させてもよい。 The movable chuck is rotatable around the horizontal chuck rotation axis, and the control device vertically faces the driven portion and the driving portion in the preparation step, and the driving portion in the releasing step. May be brought into contact with each other by moving the driven portion and the driving portion in the vertical direction .

前記可動チャックは、前記基板の外周部に押し付けられる把持部を含み、前記回転軸線を取り囲む円の接線方向に延びる水平な前記チャック回動軸線まわりに回動可能であり、前記把持部は、前記チャック回動軸線よりも上方に配置されており、前記従動部は、前記チャック回動軸線よりも下方に配置されてもよい。 The movable chuck includes a grip portion that is pressed against the outer peripheral portion of the substrate, and is rotatable around the horizontal chuck rotation axis extending in the tangential direction of a circle surrounding the rotation axis, and the grip portion is the grip portion. It is arranged above the chuck rotation axis, and the driven portion may be arranged below the chuck rotation axis .

この構成によれば、従動部は、基板の回転軸線を取り囲む円の接線方向に延びる水平なチャック回動軸線よりも下方に配置されている。その一方で、基板の外周部に押し付けられる可動チャックの把持部は、チャック回動軸線よりも上方に配置されている。把持部は、基板のまわりに配置される。従動部がチャック回動軸線よりも上方に配置されている場合、遠心力が従動部に加わると、把持部を外方に移動させる力、つまり、把持部を基板の外周部から離す力が発生する。これに対して、従動部がチャック回動軸線よりも下方に配置されている場合、遠心力が従動部に加わると、把持部を内方に移動させる力、つまり、把持部を基板の外周部に押し付ける力が発生する。そのため、基板をより確実に把持することができる。 According to this configuration, the driven portion is arranged below the horizontal chuck rotation axis extending tangentially to the circle surrounding the rotation axis of the substrate. On the other hand, the grip portion of the movable chuck pressed against the outer peripheral portion of the substrate is arranged above the chuck rotation axis. The grips are arranged around the substrate. When the driven portion is arranged above the chuck rotation axis, when a centrifugal force is applied to the driven portion, a force for moving the grip portion outward, that is, a force for separating the grip portion from the outer peripheral portion of the substrate is generated. To do. On the other hand, when the driven portion is arranged below the chuck rotation axis, when a centrifugal force is applied to the driven portion, a force that moves the grip portion inward, that is, the grip portion is moved to the outer peripheral portion of the substrate. A force is generated to press against. Therefore, the substrate can be gripped more reliably.

請求項２に記載の発明は、前記複数のチャック部材に把持されている前記基板の下方に配置され、前記スピンモータの動力を前記複数のチャック部材に伝達するスピンベースと、前記複数のチャック部材に把持されている前記基板を処理する処理流体を前記基板の上面および下面の少なくとも一方に供給する処理流体供給手段と、前記複数のチャック部材に把持されている前記基板と前記スピンベースとの間に配置された発熱部材と、前記スピンベースの下方に配置された加熱コイルと、前記加熱コイルに電力を供給することにより前記発熱部材に加わる交番磁界を発生させて前記発熱部材を発熱させるＩＨ（induction heating）回路と、を含むＩＨ加熱手段と、をさらに備える、請求項１に記載の基板処理装置である。 The invention according to claim 2 is a spin base which is arranged below the substrate held by the plurality of chuck members and transmits the power of the spin motor to the plurality of chuck members, and the plurality of chuck members. Between the processing fluid supply means for supplying the processing fluid for processing the substrate held by the substrate to at least one of the upper surface and the lower surface of the substrate, and the substrate held by the plurality of chuck members and the spin base. The heating member arranged in the above, the heating coil arranged below the spin base, and the IH (IH) that generates an alternating magnetic field applied to the heating member by supplying power to the heating coil to generate the heating member. further comprising a induction heating) circuit, and IH heating means including, a, a substrate processing apparatus according to claim 1.

この構成によれば、基板が複数のチャック部材に把持される。スピンモータの動力は、基板の下方に位置するスピンベースを介して複数のチャック部材に伝達される。これにより、基板が回転軸線まわりに回転する。ＩＨ加熱手段のＩＨ回路は、基板が回転しているときに、加熱コイルに電力を供給する。これにより、発熱部材に加わる交番磁界が発生し、発熱部材が発熱する。基板を処理する処理流体は、回転している基板に供給される。これにより、基板を均一に処理できる。 According to this configuration, the substrate is gripped by a plurality of chuck members. The power of the spin motor is transmitted to a plurality of chuck members via a spin base located below the substrate. As a result, the substrate rotates around the rotation axis. The IH circuit of the IH heating means supplies power to the heating coil when the substrate is rotating. As a result, an alternating magnetic field applied to the heat generating member is generated, and the heat generating member generates heat. The processing fluid that processes the substrate is supplied to the rotating substrate. As a result, the substrate can be uniformly processed.

発熱部材は誘導加熱によって加熱されるので、発熱部材に電力を供給する配線やコネクターを発熱部材に接続する必要がない。そのため、このような構造によって基板の回転速度が制限されることはない。さらに、基板を加熱する発熱部材は、スピンベースの内部ではなく、基板とスピンベースとの間に配置される。したがって、発熱部材がスピンベースの内部に配置されている場合と比較して、基板と発熱部材との間隔を短縮でき、基板の加熱効率を高めることができる。 Since the heat generating member is heated by induction heating, it is not necessary to connect the wiring or the connector for supplying electric power to the heat generating member to the heat generating member. Therefore, such a structure does not limit the rotation speed of the substrate. Further, the heat generating member that heats the substrate is arranged between the substrate and the spin base, not inside the spin base. Therefore, as compared with the case where the heat generating member is arranged inside the spin base, the distance between the substrate and the heat generating member can be shortened, and the heating efficiency of the substrate can be improved.

前記加熱コイルと前記スピンベースとの上下方向の間隔は、前記加熱コイルの厚みよりも狭くてもよい。前記加熱コイルの厚みは、上下方向への前記加熱コイルの長さを意味する。
この構成によれば、加熱コイルがスピンベースの近くに配置されている。つまり、加熱コイルとスピンベースとの上下方向の間隔は、加熱コイルの厚みよりも狭い。加熱コイルは、スピンベースの下方に配置されており、発熱部材は、スピンベースの上方に配置されている。加熱コイルをスピンベースに近づけると、加熱コイルから発熱部材までの距離が短縮される。これにより、発熱部材に加わる交番磁界が強くなるので、加熱コイルに供給される電力を効率的に発熱部材の熱に変換することができる。 The vertical distance between the heating coil and the spin base may be narrower than the thickness of the heating coil. The thickness of the heating coil means the length of the heating coil in the vertical direction.
According to this configuration, the heating coil is located near the spin base. That is, the vertical distance between the heating coil and the spin base is narrower than the thickness of the heating coil. The heating coil is located below the spin base and the heating member is located above the spin base. Bringing the heating coil closer to the spin base shortens the distance from the heating coil to the heating member. As a result, the alternating magnetic field applied to the heat generating member becomes stronger, so that the electric power supplied to the heating coil can be efficiently converted into the heat of the heat generating member.

前記スピンベースの厚みは、前記加熱コイルの厚みよりも小さくてもよい。
この構成によれば、スピンベースの厚みが低減されている。つまり、スピンベースの厚みは、加熱コイルの厚みよりも小さい。スピンベースが厚いと、加熱コイルから発熱部材までの距離が増加するだけなく、発熱部材に加わる交番磁界が弱まる。そのため、スピンベースの厚みを低減することにより、発熱部材を効率的に温度上昇させることができる。 The thickness of the spin base may be smaller than the thickness of the heating coil.
According to this configuration, the thickness of the spin base is reduced. That is, the thickness of the spin base is smaller than the thickness of the heating coil. If the spin base is thick, not only the distance from the heating coil to the heat generating member increases, but also the alternating magnetic field applied to the heat generating member weakens. Therefore, by reducing the thickness of the spin base, the temperature of the heat generating member can be efficiently raised.

前記スピンベースの厚みは、上下方向への前記スピンベースの長さを意味する。スピンベースの厚みは、発熱部材と加熱コイルとの間の領域でのスピンベースの厚みである。他の領域でのスピンベースの厚みは、加熱コイルの厚みと等しくてもよいし、加熱コイルの厚みより短いまたは長くてもよい。
前記発熱部材は、前記複数のチャック部材に把持されている前記基板に直接対向してもよい。 The thickness of the spin base means the length of the spin base in the vertical direction. The thickness of the spin base is the thickness of the spin base in the region between the heating member and the heating coil. The thickness of the spin base in other regions may be equal to the thickness of the heating coil or may be shorter or longer than the thickness of the heating coil.
The heat generating member may directly face the substrate held by the plurality of chuck members.

この構成によれば、基板と発熱部材との間に他の部材が介在しておらず、発熱部材が基板に直接対向している。そのため、発熱部材の熱が効率的に基板に伝達される。これにより、基板の加熱効率を高めることができる。
請求項３に記載の発明は、前記複数のチャック部材または前記発熱部材を上下方向に移動させることにより、前記複数のチャック部材に把持されている前記基板と前記発熱部材との上下方向の間隔を変更する間隔変更手段をさらに備える、請求項２に記載の基板処理装置である。 According to this configuration, no other member is interposed between the substrate and the heat generating member, and the heat generating member directly faces the substrate. Therefore, the heat of the heat generating member is efficiently transferred to the substrate. As a result, the heating efficiency of the substrate can be increased.
According to the third aspect of the present invention, by moving the plurality of chuck members or the heat generating member in the vertical direction, the distance between the substrate and the heat generating member held by the plurality of chuck members in the vertical direction is increased. The substrate processing apparatus according to claim 2 , further comprising a means for changing the interval to be changed.

この構成によれば、間隔変更手段が、複数のチャック部材と発熱部材とを上下方向に相対的に移動させる。これにより、複数のチャック部材に把持されている基板と発熱部材との上下方向の間隔が変更される。したがって、発熱部材から基板までの距離を必要に応じて変更することができる。
前記基板処理装置は、前記基板の下方に配置されるハンドで前記基板を支持しながら、前記複数のチャック部材に前記基板を搬送する搬送ロボットをさらに備えていてもよい。前記間隔変更手段は、前記複数のチャック部材に把持されている前記基板と前記発熱部材との上下方向の間隔が前記ハンドの厚みよりも広い退避位置と、前記間隔が前記ハンドの厚みよりも狭い近接位置との間で、前記複数のチャック部材または前記発熱部材を上下方向に移動させてもよい。前記ハンドの厚みは、上下方向への前記ハンドの長さを意味する。 According to this configuration, the interval changing means relatively moves the plurality of chuck members and the heat generating member in the vertical direction. As a result, the vertical distance between the substrate held by the plurality of chuck members and the heat generating member is changed. Therefore, the distance from the heat generating member to the substrate can be changed as needed.
The substrate processing device may further include a transfer robot that conveys the substrate to the plurality of chuck members while supporting the substrate with a hand arranged below the substrate. The space changing means has a retracted position in which the vertical distance between the substrate and the heat generating member held by the plurality of chuck members is wider than the thickness of the hand, and the distance is narrower than the thickness of the hand. The plurality of chuck members or the heat generating members may be moved in the vertical direction with respect to the proximity position. The thickness of the hand means the length of the hand in the vertical direction.

この構成によれば、複数のチャック部材または発熱部材が退避位置に位置している退避状態で、搬送ロボットが、ハンド上に支持された基板を複数のチャック部材の上に置く。次に、搬送ロボットは、ハンドを下降させ基板から離す。その後、搬送ロボットは、ハンドを基板と発熱部材との間から退避させる。基板が複数のチャック部材から取られるときは、退避状態でハンドが基板と発熱部材との間に差し込まれる。その後、搬送ロボットがハンドを上昇させる。これにより、基板が複数のチャック部材から離れ、ハンドに支持される。 According to this configuration, the transfer robot places the substrate supported on the hand on the plurality of chuck members in the retracted state in which the plurality of chuck members or the heat generating members are located at the retracted positions. Next, the transfer robot lowers the hand and separates it from the substrate. After that, the transfer robot retracts the hand from between the substrate and the heat generating member. When the substrate is taken from a plurality of chuck members, the hand is inserted between the substrate and the heat generating member in the retracted state. After that, the transfer robot raises the hand. As a result, the substrate is separated from the plurality of chuck members and supported by the hand.

加熱効率の観点からすると、発熱部材は、基板の近くに配置されていることが好ましい。しかしながら、発熱部材が基板に近すぎると、基板と発熱部材との間にハンドを進入させることができず、基板を複数のチャック部材に置いたり、複数のチャック部材から取ったりすることができない。前述のように、基板の受け渡しは退避状態で行われる。その一方で、基板の加熱は、複数のチャック部材または発熱部材が近接位置に位置している近接状態で行われる。したがって、基板の加熱効率を低下させずに、基板の受け渡しを行うことができる。 From the viewpoint of heating efficiency, it is preferable that the heat generating member is arranged near the substrate. However, if the heat-generating member is too close to the substrate, the hand cannot be inserted between the substrate and the heat-generating member, and the substrate cannot be placed on the plurality of chuck members or taken from the plurality of chuck members. As described above, the transfer of the substrate is performed in the retracted state. On the other hand, the heating of the substrate is performed in a close state in which a plurality of chuck members or heat generating members are located close to each other. Therefore, the substrate can be delivered without lowering the heating efficiency of the substrate.

請求項４に記載の発明は、前記間隔変更手段は、前記スピンベースに対して前記複数のチャック部材を上下方向に移動させ、前記可動チャックは、前記閉位置と前記開位置との間で前記スピンベースに対して移動可能である、請求項３に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、複数のチャック部材が、スピンベースに対して閉位置と開位置との間で移動可能な可動チャックを含む。基板と発熱部材との上下方向の間隔は、複数のチャック部材をスピンベースに対して上下方向に移動させることにより変更される。したがって、可動チャックは、スピンベースに対して閉位置と開位置との間で移動可能であるだけでなく、スピンベースに対して上下方向に移動可能である。このように、基板と発熱部材との上下方向の間隔を変更するために発熱部材を上下方向に移動させる必要がないから、発熱部材を支持する構造を簡素化できる。 According to a fourth aspect of the present invention, the interval changing means moves the plurality of chuck members in the vertical direction with respect to the spin base, and the movable chuck moves the movable chuck between the closed position and the open position. The substrate processing apparatus according to claim 3 , which is movable with respect to a spin base.
According to this configuration, a plurality of chuck members include a movable chuck that can move between a closed position and an open position with respect to the spin base. The vertical distance between the substrate and the heat generating member is changed by moving a plurality of chuck members in the vertical direction with respect to the spin base. Therefore, the movable chuck is not only movable with respect to the spin base between the closed position and the open position, but is also movable with respect to the spin base in the vertical direction. As described above, since it is not necessary to move the heat generating member in the vertical direction in order to change the vertical distance between the substrate and the heat generating member, the structure for supporting the heat generating member can be simplified.

請求項５に記載の発明は、前記間隔変更手段は、前記スピンベースに対して前記発熱部材を上下方向に移動させる、請求項３に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、基板と発熱部材との上下方向の間隔が、発熱部材をスピンベースに対して上下方向に移動させることにより変更される。このように、基板と発熱部材との上下方向の間隔を変更するために複数のチャック部材を上下方向に移動させる必要がないから、複数のチャック部材を支持する構造を簡素化できる。 The invention according to claim 5 is the substrate processing apparatus according to claim 3 , wherein the interval changing means moves the heat generating member in the vertical direction with respect to the spin base.
According to this configuration, the vertical distance between the substrate and the heat generating member is changed by moving the heat generating member in the vertical direction with respect to the spin base. As described above, since it is not necessary to move the plurality of chuck members in the vertical direction in order to change the vertical distance between the substrate and the heat generating member, the structure for supporting the plurality of chuck members can be simplified.

前記基板処理装置は、前記加熱コイルへの電力供給によって発生する交番磁界を遮断する磁気遮断部材をさらに備えていてもよい。前記磁気遮断部材は、前記加熱コイルを取り囲む筒状の外壁部と、前記加熱コイルの下方に位置する下壁部とを含む。
この構成によれば、磁気を吸収する磁気遮断部材の外壁部が、加熱コイルを取り囲んでいる。さらに、磁気を吸収する磁気遮断部材の下壁部が、加熱コイルの下方に位置している。したがって、加熱コイルのまわりに位置する部材に及ぶ交番磁界の影響を抑えるまたは無くすことができる。同様に、加熱コイルの下方に位置する部材に及ぶ交番磁界の影響を抑えるまたは無くすことができる。 The substrate processing device may further include a magnetic blocking member that blocks an alternating magnetic field generated by supplying electric power to the heating coil. The magnetic blocking member includes a tubular outer wall portion surrounding the heating coil and a lower wall portion located below the heating coil.
According to this configuration, the outer wall portion of the magnetic blocking member that absorbs magnetism surrounds the heating coil. Further, the lower wall portion of the magnetic blocking member that absorbs magnetism is located below the heating coil. Therefore, the influence of the alternating magnetic field on the members located around the heating coil can be suppressed or eliminated. Similarly, the influence of the alternating magnetic field on the member located below the heating coil can be suppressed or eliminated.

前記基板処理装置は、前記発熱部材の温度を検出する温度計と、前記温度計の検出値に基づいて前記ＩＨ加熱手段を制御する制御装置とをさらに備えていてもよい。
この構成によれば、発熱部材の温度を検出する温度計の検出値が、制御装置に入力される。制御装置は、この検出値に基づいて加熱コイルに供給される電力を制御する。これにより、発熱部材の温度を高い精度で目標温度に近づけることができる。 The substrate processing device may further include a thermometer that detects the temperature of the heat generating member and a control device that controls the IH heating means based on the detection value of the thermometer.
According to this configuration, the detection value of the thermometer that detects the temperature of the heat generating member is input to the control device. The control device controls the electric power supplied to the heating coil based on this detected value. As a result, the temperature of the heat generating member can be brought close to the target temperature with high accuracy.

温度計は、発熱部材に非接触で発熱部材の温度を検出する非接触温度計であることが好ましい。このような温度計の一例は、物体から放出される赤外線や可視光線の強度を検出することにより、物体の温度を検出する放射温度計である。
前記流体供給手段は、前記発熱部材を上下方向に貫通する貫通穴内に平面視で配置されており、前記複数のチャック部材に把持されている前記基板の下面に向けて前記処理流体を吐出する下面ノズルを含んでいてもよい。 The thermometer is preferably a non-contact thermometer that detects the temperature of the heat-generating member without contacting the heat-generating member. An example of such a thermometer is a radiation thermometer that detects the temperature of an object by detecting the intensity of infrared rays or visible light emitted from the object.
The fluid supply means is arranged in a plan view in a through hole penetrating the heat generating member in the vertical direction, and discharges the processing fluid toward the lower surface of the substrate held by the plurality of chuck members. It may include a nozzle.

この構成によれば、下面ノズルが基板の下面に向けて処理流体を吐出する。下面ノズルは、発熱部材の中央部を上下方向に貫通する貫通穴内に平面視で配置されている。したがって、下面ノズルから吐出された処理流体が発熱部材に妨げられることを抑制または防止できる。これにより、処理流体を基板の下面に確実に供給することができる。
下面ノズルが平面視で発熱部材の貫通穴内に配置されるのであれば、処理流体を吐出する下面ノズルの吐出口は、発熱部材の上面と等しい高さに配置されていてもよいし、発熱部材の上面よりも高いまたは低い位置に配置されていてもよい。 According to this configuration, the bottom surface nozzle discharges the processing fluid toward the bottom surface of the substrate. The lower surface nozzle is arranged in a plan view in a through hole that penetrates the central portion of the heat generating member in the vertical direction. Therefore, it is possible to suppress or prevent the processing fluid discharged from the lower surface nozzle from being hindered by the heat generating member. As a result, the processing fluid can be reliably supplied to the lower surface of the substrate.
If the lower surface nozzle is arranged in the through hole of the heat generating member in a plan view, the discharge port of the lower surface nozzle for discharging the processing fluid may be arranged at the same height as the upper surface of the heat generating member, or the heat generating member. It may be located higher or lower than the upper surface of the.

本発明の第１実施形態に係る基板処理装置に備えられたチャンバーの内部を水平に見た模式図である。It is a schematic diagram which looked at the inside of the chamber provided in the substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention horizontally. 図３に示すＩＩ−ＩＩ線に沿うスピンチャックの鉛直断面を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the vertical cross section of the spin chuck along the line II-II shown in FIG. スピンチャックの模式的な平面図である。It is a schematic plan view of a spin chuck. 図２に示すＩＶ−ＩＶ線に沿うスピンチャックの水平断面を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the horizontal cross section of the spin chuck along the IV-IV line shown in FIG. スピンチャックに設けられたチャック開閉機構について説明するための鉛直断面を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the vertical cross section for demonstrating the chuck opening / closing mechanism provided in the spin chuck. 従動部および駆動部が間隔を空けて回転方向に互いに対向している状態を示す模式的な平面図である。It is a schematic plan view which shows the state which the driven part and the driving part face each other in the rotation direction at a space. 可動チャックが開位置に達するまで従動部が駆動部によって水平に押された状態を示す模式的な平面図である。It is a schematic plan view which shows the state which the driven part is pushed horizontally by the driving part until the movable chuck reaches an open position. 基板の受け渡しについて説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the delivery of a substrate. 基板の受け渡しについて説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the delivery of a substrate. スピンチャックに設けられたＩＨ加熱機構について説明するための鉛直断面を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the vertical cross section for demonstrating the IH heating mechanism provided in the spin chuck. 加熱コイルの配置について説明するための模式的な平面図である。It is a schematic plan view for demonstrating the arrangement of a heating coil. 基板処理装置によって実行される基板の処理の一例について説明するための工程図である。It is a process drawing for demonstrating an example of the processing of a substrate executed by a substrate processing apparatus. 図９に示す基板の処理の一例において、ＳＰＭが基板に供給されている状態を示す模式図である。FIG. 5 is a schematic view showing a state in which SPM is supplied to the substrate in an example of the processing of the substrate shown in FIG. 図９に示す基板の処理の一例において、純水が基板に供給されている状態を示す模式図である。FIG. 5 is a schematic view showing a state in which pure water is supplied to the substrate in an example of the treatment of the substrate shown in FIG. 図９に示す基板の処理の一例において、ＳＣ１が基板に供給されている状態を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the state which SC1 is supplied to the substrate in the example of the processing of the substrate shown in FIG. 図９に示す基板の処理の一例において、ＩＰＡが基板に供給されている状態を示す模式図である。FIG. 5 is a schematic view showing a state in which IPA is supplied to the substrate in an example of the processing of the substrate shown in FIG. 図９に示す基板の処理の一例において、ＩＰＡが基板から除去されている状態を示す模式図である。FIG. 5 is a schematic view showing a state in which IPA is removed from the substrate in an example of substrate processing shown in FIG. 図９に示す基板の処理の一例において、基板を乾燥させている状態を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the state which the substrate is dried in the example of the processing of the substrate shown in FIG. 本発明の第２実施形態に係るスピンチャックの鉛直断面を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the vertical cross section of the spin chuck which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 図１１に示す矢印ＸＩＩの方向に可動チャックを見た模式的な平面図である。It is a schematic plan view which looked at the movable chuck in the direction of arrow XII shown in FIG. 可動チャックが開位置に達するまで従動部が駆動部によって鉛直に押された状態を示す模式的な断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows the state which the driven part is pushed vertically by the driving part until the movable chuck reaches an open position.

以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１に備えられたチャンバー４の内部を水平に見た模式図である。
基板処理装置１は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、処理液や処理ガスなどの処理流体で基板Ｗを処理する処理ユニット２と、処理ユニット２に基板Ｗを搬送する搬送ロボットＲ１（図３参照）と、基板処理装置１を制御する制御装置３とを含む。制御装置３は、プログラム等の情報を記憶するメモリーとメモリーに記憶された情報にしたがって基板処理装置１を制御するプロセッサーとを含むコンピュータである。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a schematic view of the inside of the chamber 4 provided in the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention as viewed horizontally.
The substrate processing device 1 is a single-wafer processing device that processes disk-shaped substrates W such as semiconductor wafers one by one. The substrate processing device 1 includes a processing unit 2 that processes the substrate W with a processing fluid such as a processing liquid or a processing gas, a transfer robot R1 (see FIG. 3) that conveys the substrate W to the processing unit 2, and a substrate processing device 1. It includes a control device 3 for controlling. The control device 3 is a computer including a memory for storing information such as a program and a processor for controlling the board processing device 1 according to the information stored in the memory.

処理ユニット２は、内部空間を有する箱形のチャンバー４と、一枚の基板Ｗをチャンバー４内で水平に保持しながら、基板Ｗの中央部を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンチャック３１と、スピンチャック３１に保持されている基板Ｗに向けて各種の流体を吐出する複数のノズルと、スピンチャック３１の周囲を取り囲む筒状のカップ２６とを含む。 The processing unit 2 is a spin chuck that rotates a box-shaped chamber 4 having an internal space and a single substrate W around a vertical rotation axis A1 passing through the central portion of the substrate W while holding the substrate W horizontally in the chamber 4. 31 includes a plurality of nozzles that discharge various fluids toward the substrate W held by the spin chuck 31, and a tubular cup 26 that surrounds the spin chuck 31.

複数のノズルは、基板Ｗの上面に向けて薬液を吐出する第１薬液ノズル５および第２薬液ノズル９を含む。第１薬液ノズル５は、第１薬液バルブ７が介装された第１薬液配管６に接続されている。同様に、第２薬液ノズル９は、第２薬液バルブ１１が介装された第２薬液配管１０に接続されている。第１薬液バルブ７が開かれると、第１薬液配管６から第１薬液ノズル５に薬液が供給され、第１薬液ノズル５から吐出される。第１薬液バルブ７が閉じられると、第１薬液ノズル５からの薬液の吐出が停止される。第２薬液バルブ１１についても同様である。 The plurality of nozzles include a first chemical solution nozzle 5 and a second chemical solution nozzle 9 that discharge the chemical solution toward the upper surface of the substrate W. The first chemical solution nozzle 5 is connected to the first chemical solution pipe 6 in which the first chemical solution valve 7 is interposed. Similarly, the second chemical solution nozzle 9 is connected to the second chemical solution pipe 10 to which the second chemical solution valve 11 is interposed. When the first chemical solution valve 7 is opened, the chemical solution is supplied from the first chemical solution pipe 6 to the first chemical solution nozzle 5 and discharged from the first chemical solution nozzle 5. When the first chemical solution valve 7 is closed, the discharge of the chemical solution from the first chemical solution nozzle 5 is stopped. The same applies to the second chemical solution valve 11.

第１薬液ノズル５から吐出される薬液（第１薬液）の具体例は、ＳＰＭ（硫酸と過酸化水素水との混合液）である。第２薬液ノズル９から吐出される薬液（第２薬液）の具体例は、ＳＣ１（アンモニア水と過酸化水素水と水との混合液）である。第１薬液は、リン酸であってもよい。第１薬液は、ＳＰＭおよびリン酸を除く、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、リン酸、酢酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえばクエン酸、蓚酸など）、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど）、界面活性剤、および腐食防止剤の少なくとも１つを含む液であってもよい。第２薬液についても同様である。 A specific example of the chemical solution (first chemical solution) discharged from the first chemical solution nozzle 5 is SPM (mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution). A specific example of the chemical solution (second chemical solution) discharged from the second chemical solution nozzle 9 is SC1 (a mixed solution of ammonia water, hydrogen peroxide solution, and water). The first chemical solution may be phosphoric acid. The first chemical solution includes sulfuric acid, acetic acid, nitric acid, hydrochloric acid, phosphoric acid, phosphoric acid, acetic acid, aqueous ammonia, hydrogen peroxide solution, organic acid (for example, citric acid, oxalic acid, etc.), and organic alkali (excluding SPM and phosphoric acid). For example, TMAH: tetramethylammonium hydroxide, etc.), a surfactant, and a solution containing at least one of an antioxidant may be used. The same applies to the second chemical solution.

第１薬液ノズル５は、第１薬液ノズル５を移動させる第１ノズル移動機構８に接続されている。第２薬液ノズル９は、第２薬液ノズル９を移動させる第２ノズル移動機構１２に接続されている。第１ノズル移動機構８は、第１薬液が基板Ｗの上面に着液する処理位置と、第１薬液ノズル５が平面視でカップ２６のまわりに位置する待機位置との間で第１薬液ノズル５を移動させる。さらに、第１ノズル移動機構８は、第１薬液ノズル５を水平に移動させることにより、第１薬液の着液位置を基板Ｗの上面内で移動させる。第２ノズル移動機構１２についても同様である。 The first chemical solution nozzle 5 is connected to a first nozzle moving mechanism 8 that moves the first chemical solution nozzle 5. The second chemical solution nozzle 9 is connected to a second nozzle moving mechanism 12 that moves the second chemical solution nozzle 9. The first nozzle moving mechanism 8 is a first chemical solution nozzle between a processing position where the first chemical solution is landed on the upper surface of the substrate W and a standby position where the first chemical solution nozzle 5 is located around the cup 26 in a plan view. Move 5. Further, the first nozzle moving mechanism 8 moves the first chemical solution nozzle 5 horizontally to move the landing position of the first chemical solution within the upper surface of the substrate W. The same applies to the second nozzle moving mechanism 12.

複数のノズルは、基板Ｗの上面中央部に向けてリンス液を下方に吐出するリンス液ノズル１３を含む。リンス液ノズル１３は、チャンバー４に対して固定されている。リンス液ノズル１３は、リンス液ノズル１３を移動させる第３ノズル移動機構に接続されていてもよい。リンス液ノズル１３は、第１リンス液バルブ１５が介装された第１リンス液配管１４に接続されている。リンス液ノズル１３から吐出されるリンス液の具体例は、純水（脱イオン水）である。リンス液は、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、および希釈濃度（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水などの純水以外のリンス液であってもよい。 The plurality of nozzles include a rinse liquid nozzle 13 that discharges the rinse liquid downward toward the center of the upper surface of the substrate W. The rinse liquid nozzle 13 is fixed to the chamber 4. The rinse liquid nozzle 13 may be connected to a third nozzle moving mechanism that moves the rinse liquid nozzle 13. The rinse liquid nozzle 13 is connected to the first rinse liquid pipe 14 to which the first rinse liquid valve 15 is interposed. A specific example of the rinse liquid discharged from the rinse liquid nozzle 13 is pure water (deionized water). The rinsing solution may be a rinsing solution other than pure water such as carbonated water, electrolytic ionized water, hydrogen water, ozone water, and hydrochloric acid water having a diluted concentration (for example, about 10 to 100 ppm).

複数のノズルは、基板Ｗの下面中央部に向けてリンス液を上方に吐出する下面ノズル１６を含む。下面ノズル１６は、チャンバー４に対して固定されている。下面ノズル１６は、第２リンス液バルブ１８が介装された第２リンス液配管１７に接続されている。下面ノズル１６から吐出されるリンス液の具体例は、純水である。リンス液は、前述の純水以外のリンス液であってもよい。また、下面ノズル１６から吐出される液体は、リンス液以外の処理液であってもよい。 The plurality of nozzles include a lower surface nozzle 16 that discharges the rinse liquid upward toward the central portion of the lower surface of the substrate W. The bottom nozzle 16 is fixed to the chamber 4. The bottom surface nozzle 16 is connected to a second rinse liquid pipe 17 interposed with a second rinse liquid valve 18. A specific example of the rinse liquid discharged from the lower surface nozzle 16 is pure water. The rinsing solution may be a rinsing solution other than the above-mentioned pure water. Further, the liquid discharged from the lower surface nozzle 16 may be a treatment liquid other than the rinsing liquid.

下面ノズル１６は、スピンベース３３の上面と基板Ｗの下面との間の高さで水平に保持された円板部１６ａと、円板部１６ａから回転軸線Ａ１に沿って下方に延びる筒状部１６ｂとを含む。円板部１６ａは、回転軸線Ａ１を取り囲む円環状であり、基板Ｗの直径よりも小さい外径を有している。筒状部１６ｂの外径は、円板部１６ａの外径よりも小さい。筒状部１６ｂは、スピンベース３３の上面中央部で開口する貫通穴に挿入されている。下面ノズル１６の吐出口は、円板部１６ａの上面中央部で開口している。下面ノズル１６の吐出口は、基板Ｗの下面中央部に上下方向に対向する。 The lower surface nozzle 16 has a disk portion 16a horizontally held at a height between the upper surface of the spin base 33 and the lower surface of the substrate W, and a tubular portion extending downward from the disk portion 16a along the rotation axis A1. Includes 16b and. The disk portion 16a has an annular shape surrounding the rotation axis A1 and has an outer diameter smaller than the diameter of the substrate W. The outer diameter of the tubular portion 16b is smaller than the outer diameter of the disc portion 16a. The tubular portion 16b is inserted into a through hole opened at the center of the upper surface of the spin base 33. The discharge port of the lower surface nozzle 16 is opened at the center of the upper surface of the disk portion 16a. The discharge port of the lower surface nozzle 16 faces the central portion of the lower surface of the substrate W in the vertical direction.

複数のノズルは、基板Ｗの上面に向けてＩＰＡ（液体）を吐出する溶剤ノズル１９と、基板Ｗの上面に向けて気体を吐出する気体ノズル２２とを含む。溶剤ノズル１９は、溶剤バルブ２１が介装された溶剤配管２０に接続されている。ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）は、水よりも沸点が低く、水よりも揮発性が高く、水よりも表面張力が小さい。気体ノズル２２は、気体バルブ２４が介装された気体配管２３に接続されている。気体ノズル２２から吐出される気体の具体例は、窒素ガスである。気体は、窒素ガス以外の不活性ガスであってもよいし、不活性ガス以外の気体であってもよい。 The plurality of nozzles include a solvent nozzle 19 that discharges IPA (liquid) toward the upper surface of the substrate W, and a gas nozzle 22 that discharges gas toward the upper surface of the substrate W. The solvent nozzle 19 is connected to the solvent pipe 20 in which the solvent valve 21 is interposed. IPA (isopropyl alcohol) has a lower boiling point than water, is more volatile than water, and has a lower surface tension than water. The gas nozzle 22 is connected to a gas pipe 23 in which a gas valve 24 is interposed. A specific example of the gas discharged from the gas nozzle 22 is nitrogen gas. The gas may be an inert gas other than the nitrogen gas, or may be a gas other than the inert gas.

溶剤ノズル１９は、処理位置と待機位置との間で溶剤ノズル１９を移動させる第４ノズル移動機構２５に接続されている。気体ノズル２２も、第４ノズル移動機構２５に接続されている。気体ノズル２２は、第４ノズル移動機構２５とは異なる第５ノズル移動機構に接続されていてもよい。第４ノズル移動機構２５は、溶剤ノズル１９および気体ノズル２２が基板Ｗの上面に近接した処理位置と、処理位置の上方の待機位置との間で溶剤ノズル１９および気体ノズル２２を昇降させる。第４ノズル移動機構２５は、溶剤ノズル１９および気体ノズル２２を水平に移動させる機構であってもよい。 The solvent nozzle 19 is connected to a fourth nozzle moving mechanism 25 that moves the solvent nozzle 19 between the processing position and the standby position. The gas nozzle 22 is also connected to the fourth nozzle moving mechanism 25. The gas nozzle 22 may be connected to a fifth nozzle moving mechanism different from the fourth nozzle moving mechanism 25. The fourth nozzle moving mechanism 25 raises and lowers the solvent nozzle 19 and the gas nozzle 22 between the processing position where the solvent nozzle 19 and the gas nozzle 22 are close to the upper surface of the substrate W and the standby position above the processing position. The fourth nozzle moving mechanism 25 may be a mechanism for horizontally moving the solvent nozzle 19 and the gas nozzle 22.

カップ２６は、基板Ｗから外方に排出された液体を受け止める複数のスプラッシュガード２８と、スプラッシュガード２８によって下方に案内された液体を受け止める複数の環状トレイ２７とを含む。複数のスプラッシュガード２８は、スピンチャック３１を取り囲んでいる。スプラッシュガード２８は、回転軸線Ａ１に向かって斜め上に延びる筒状の傾斜部２８ａと、傾斜部２８ａの下端部（外端部）から下方に延びる円筒状の案内部２８ｂとを含む。傾斜部２８ａは、基板Ｗおよびスピンベース３３よりも大きい内径を有する円環状の上端２８ｕを含む。傾斜部２８ａの上端２８ｕは、カップ２６の上端に相当する。複数の案内部２８ｂは、それぞれ、複数の環状トレイ２７の上方に配置されている。 The cup 26 includes a plurality of splash guards 28 for receiving the liquid discharged outward from the substrate W, and a plurality of annular trays 27 for receiving the liquid guided downward by the splash guard 28. A plurality of splash guards 28 surround the spin chuck 31. The splash guard 28 includes a cylindrical inclined portion 28a extending obliquely upward toward the rotation axis A1 and a cylindrical guide portion 28b extending downward from the lower end portion (outer end portion) of the inclined portion 28a. The inclined portion 28a includes an annular upper end 28u having an inner diameter larger than that of the substrate W and the spin base 33. The upper end 28u of the inclined portion 28a corresponds to the upper end of the cup 26. Each of the plurality of guide portions 28b is arranged above the plurality of annular trays 27.

ガード昇降ユニット２９は、複数のチャック部材３２に支持されている基板Ｗが配置される支持位置よりも傾斜部２８ａの上端２８ｕが上方に位置する上位置と、傾斜部２８ａの上端２８ｕが支持位置よりも下方に位置する下位置との間で、スプラッシュガード２８を鉛直方向に移動させる。薬液やリンス液などの液体が基板Ｗに供給されるとき、スプラッシュガード２８は上位置に配置される。基板Ｗから外方に飛散した液体は、傾斜部２８ａによって受け止められた後、案内部２８ｂによって環状トレイ２７内に集められる。 The guard elevating unit 29 has an upper position in which the upper end 28u of the inclined portion 28a is located above the support position where the substrates W supported by the plurality of chuck members 32 are arranged and a support position in the upper end 28u of the inclined portion 28a. The splash guard 28 is moved in the vertical direction to and from the lower position located below. When a liquid such as a chemical solution or a rinse solution is supplied to the substrate W, the splash guard 28 is arranged in the upper position. The liquid scattered outward from the substrate W is received by the inclined portion 28a and then collected in the annular tray 27 by the guide portion 28b.

ガード昇降ユニット２９は、複数のスプラッシュガード２８を個別に昇降させる。ガード昇降ユニット２９は、電動モータと、電動モータの回転を鉛直方向の運動に変換するボールネジおよびボールナットとを含む。ガード昇降ユニット２９は、エアーシリンダであってもよい。制御装置３は、ガード昇降ユニット２９を制御することにより、基板Ｗに供給される液体の種類に応じて選択されたいずれかのスプラッシュガード２８を基板Ｗの外周面に対向させる。 The guard elevating unit 29 individually elevates and elevates a plurality of splash guards 28. The guard elevating unit 29 includes an electric motor and a ball screw and a ball nut that convert the rotation of the electric motor into vertical motion. The guard elevating unit 29 may be an air cylinder. By controlling the guard elevating unit 29, the control device 3 makes any splash guard 28 selected according to the type of liquid supplied to the substrate W face the outer peripheral surface of the substrate W.

次に、スピンチャック３１について説明する。
図２は、図３に示すＩＩ−ＩＩ線に沿うスピンチャック３１の鉛直断面を示す模式図である。図３は、スピンチャック３１の模式的な平面図である。図４は、図２に示すＩＶ−ＩＶ線に沿うスピンチャック３１の水平断面を示す模式図である。図５は、スピンチャック３１に設けられたチャック開閉機構３４について説明するための鉛直断面を示す模式図である。図６Ａは、従動部５５および駆動部５６が間隔を空けて回転方向に互いに対向している状態を示す模式的な平面図である。図６Ｂは、可動チャック３２ａが開位置に達するまで従動部５５が駆動部５６によって水平に押された状態を示す模式的な平面図である。図４では、駆動マグネット６８の露出部分を黒で塗りつぶしている。図５および図６Ａは、可動チャック３２ａが閉位置に位置している状態を示している。図６Ｂは、可動チャック３２ａが開位置に位置している状態を示している。 Next, the spin chuck 31 will be described.
FIG. 2 is a schematic view showing a vertical cross section of the spin chuck 31 along the line II-II shown in FIG. FIG. 3 is a schematic plan view of the spin chuck 31. FIG. 4 is a schematic view showing a horizontal cross section of the spin chuck 31 along the IV-IV line shown in FIG. FIG. 5 is a schematic view showing a vertical cross section for explaining the chuck opening / closing mechanism 34 provided on the spin chuck 31. FIG. 6A is a schematic plan view showing a state in which the driven unit 55 and the driving unit 56 are spaced apart from each other in the rotational direction. FIG. 6B is a schematic plan view showing a state in which the driven portion 55 is horizontally pushed by the driving portion 56 until the movable chuck 32a reaches the open position. In FIG. 4, the exposed portion of the drive magnet 68 is painted black. 5 and 6A show a state in which the movable chuck 32a is located in the closed position. FIG. 6B shows a state in which the movable chuck 32a is located in the open position.

図２に示すように、スピンチャック３１は、水平に保持された円板状のスピンベース３３と、スピンベース３３の上方で基板Ｗを水平に把持する複数のチャック部材３２と、複数のチャック部材３２を開閉させるチャック開閉機構３４と、スピンベース３３およびチャック部材３２を回転軸線Ａ１まわりに回転させることにより、複数のチャック部材３２に把持されている基板Ｗを回転させるスピンモータ３６とを含む。スピンベース３３は、たとえば、基板Ｗの直径よりも大きい外径を有する中実の円板である。 As shown in FIG. 2, the spin chuck 31 includes a disk-shaped spin base 33 held horizontally, a plurality of chuck members 32 for horizontally holding the substrate W above the spin base 33, and a plurality of chuck members. It includes a chuck opening / closing mechanism 34 that opens / closes 32, and a spin motor 36 that rotates a substrate W held by a plurality of chuck members 32 by rotating a spin base 33 and a chuck member 32 around a rotation axis A1. The spin base 33 is, for example, a solid disk having an outer diameter larger than the diameter of the substrate W.

スピンモータ３６は、ロータ３６ｂおよびステータ３６ａを含むサーボモータである。ロータ３６ｂは、スピンベース３３から下方に延びるスピン軸３５を介してスピンベース３３に連結されている。ステータ３６ａは、ロータ３６ｂを取り囲んでいる。ロータ３６ｂおよびステータ３６ａは、チャックハウジング３７内に配置されている。スピンモータ３６およびチャックハウジング３７は、スピンベース３３の下方に配置されている。チャックハウジング３７は、チャンバー４の底部４ａから上方に延びる筒状の下側筒状部３７ａと、下側筒状部３７ａの上端部から内方に延びる環状部３７ｂと、環状部３７ｂの内端から上方に延びる上側筒状部３７ｃとを含む。 The spin motor 36 is a servomotor including a rotor 36b and a stator 36a. The rotor 36b is connected to the spin base 33 via a spin shaft 35 extending downward from the spin base 33. The stator 36a surrounds the rotor 36b. The rotor 36b and the stator 36a are arranged in the chuck housing 37. The spin motor 36 and the chuck housing 37 are arranged below the spin base 33. The chuck housing 37 includes a tubular lower tubular portion 37a extending upward from the bottom 4a of the chamber 4, an annular portion 37b extending inward from the upper end portion of the lower tubular portion 37a, and an inner end of the annular portion 37b. Includes an upper tubular portion 37c extending upward from.

チャック部材３２は、スピンベース３３の上面から上方に突出している。図３に示すように、複数のチャック部材３２は、回転軸線Ａ１まわりに間隔を空けて配置されている。複数のチャック部材３２は、後述する昇降部材６２に対して移動可能な複数の可動チャック３２ａと、昇降部材６２に固定された複数の固定チャック３２ｂとを含む。複数の可動チャック３２ａは、それらの間に固定チャック３２ｂを挟まずに周方向に並んでいる。可動チャック３２ａは、把持部３８ａが基板Ｗの外周部に押し付けられる閉位置と、把持部３８ａが基板Ｗの外周部から離れる開位置との間で、鉛直なチャック回動軸線Ａ２まわりにスピンベース３３および昇降部材６２に対して回転可能である。 The chuck member 32 projects upward from the upper surface of the spin base 33. As shown in FIG. 3, the plurality of chuck members 32 are arranged around the rotation axis A1 at intervals. The plurality of chuck members 32 include a plurality of movable chucks 32a movable with respect to the elevating member 62 described later, and a plurality of fixed chucks 32b fixed to the elevating member 62. The plurality of movable chucks 32a are arranged in the circumferential direction without sandwiching the fixed chucks 32b between them. The movable chuck 32a has a spin base around the vertical chuck rotation axis A2 between the closed position where the grip portion 38a is pressed against the outer peripheral portion of the substrate W and the open position where the grip portion 38a is separated from the outer peripheral portion of the substrate W. It is rotatable with respect to 33 and the elevating member 62.

図５に示すように、可動チャック３２ａは、基板Ｗに接触するチャックヘッド３８と、チャックヘッド３８から下方に延びるベースシャフト３９とを含む。固定チャック３２ｂについても同様である（図７Ａ参照）。チャックヘッド３８およびベースシャフト３９は、別々の部材であってもよいし、一体の部材であってもよい。チャックヘッド３８は、基板Ｗを下方から支持する支持部３８ｂと、基板Ｗの外周部に押し付けられる把持部３８ａとを含む。把持部３８ａは、内方に開いた断面Ｖ字状の収容溝を形成する２つの溝内面を含む。支持部３８ｂは、回転軸線Ａ１に向かって把持部３８ａから斜め下方に延びる傾斜面を含む。支持部３８ｂおよび把持部３８ａは、スピンベース３３の上方に配置されている。把持部３８ａは、基板Ｗのまわりに配置される。支持部３８ｂは、基板Ｗの下方に配置される。 As shown in FIG. 5, the movable chuck 32a includes a chuck head 38 that contacts the substrate W and a base shaft 39 that extends downward from the chuck head 38. The same applies to the fixed chuck 32b (see FIG. 7A). The chuck head 38 and the base shaft 39 may be separate members or may be an integral member. The chuck head 38 includes a support portion 38b that supports the substrate W from below, and a grip portion 38a that is pressed against the outer peripheral portion of the substrate W. The grip portion 38a includes two groove inner surfaces that form an inwardly open V-shaped accommodating groove. The support portion 38b includes an inclined surface extending obliquely downward from the grip portion 38a toward the rotation axis A1. The support portion 38b and the grip portion 38a are arranged above the spin base 33. The grip portion 38a is arranged around the substrate W. The support portion 38b is arranged below the substrate W.

ベースシャフト３９は、上下方向に延びる円柱状である。ベースシャフト３９は、スピンベース３３を上下方向に貫通する貫通部３３ｐに挿入されている。貫通部３３ｐへの液体の進入は、チャック部材３２を取り囲む環状シール４１によって防止される。ベースシャフト３９は、貫通部３３ｐ内に配置された滑り軸受４２を介してスピンベース３３に支持されている。可動チャック３２ａおよび固定チャック３２ｂのいずれのベースシャフト３９も、スピンベース３３に対して上下方向に移動可能である。固定チャック３２ｂのベースシャフト３９は、昇降部材６２に固定されている。可動チャック３２ａのベースシャフト３９は、昇降部材６２に対してチャック回動軸線Ａ２まわりに回転可能である。 The base shaft 39 is a columnar shape extending in the vertical direction. The base shaft 39 is inserted into a penetrating portion 33p that penetrates the spin base 33 in the vertical direction. The ingress of liquid into the penetrating portion 33p is prevented by the annular seal 41 surrounding the chuck member 32. The base shaft 39 is supported by the spin base 33 via a slide bearing 42 arranged in the penetration portion 33p. Both the base shaft 39 of the movable chuck 32a and the fixed chuck 32b can move in the vertical direction with respect to the spin base 33. The base shaft 39 of the fixed chuck 32b is fixed to the elevating member 62. The base shaft 39 of the movable chuck 32a is rotatable around the chuck rotation axis A2 with respect to the elevating member 62.

可動チャック３２ａのベースシャフト３９は、昇降部材６２を上下方向に貫通する貫通部６２ｐに挿入されている。可動チャック３２ａのベースシャフト３９は、昇降部材６２から下方に突出している。可動チャック３２ａのベースシャフト３９は、貫通部６２ｐ内に配置された転がり軸受４４を介して昇降部材６２に支持されている。可動チャック３２ａは、チャック回動軸線Ａ２に相当するベースシャフト３９の中心線まわりに昇降部材６２に対して回転可能である。昇降部材６２を上下方向に移動させる力は、転がり軸受４４を介して可動チャック３２ａに伝達される。可動チャック３２ａは、昇降部材６２と共に上下方向に移動する。 The base shaft 39 of the movable chuck 32a is inserted into a penetrating portion 62p that penetrates the elevating member 62 in the vertical direction. The base shaft 39 of the movable chuck 32a projects downward from the elevating member 62. The base shaft 39 of the movable chuck 32a is supported by the elevating member 62 via a rolling bearing 44 arranged in the penetrating portion 62p. The movable chuck 32a is rotatable with respect to the elevating member 62 around the center line of the base shaft 39 corresponding to the chuck rotation axis A2. The force for moving the elevating member 62 in the vertical direction is transmitted to the movable chuck 32a via the rolling bearing 44. The movable chuck 32a moves in the vertical direction together with the elevating member 62.

搬送ロボットＲ１は、各可動チャック３２ａが開位置に位置している状態で、ハンドＨ１上の基板Ｗを各チャック部材３２の支持部３８ｂの上に置く。この状態でチャック開閉機構３４が各可動チャック３２ａを閉位置の方に移動させると、複数の支持部３８ｂによって基板Ｗが持ち上げられながら、複数の把持部３８ａが基板Ｗの外周部に近づく。これにより、全てのチャック部材３２の支持部３８ｂが基板Ｗから離れ、全てのチャック部材３２の把持部３８ａが基板Ｗの外周部に押し付けられる。この状態でチャック開閉機構３４が各可動チャック３２ａを開位置の方に移動させると、全てのチャック部材３２の把持部３８ａが基板Ｗから離れ、全てのチャック部材３２の支持部３８ｂが基板Ｗの外周部に接する。 The transfer robot R1 places the substrate W on the hand H1 on the support portion 38b of each chuck member 32 in a state where each movable chuck 32a is located in the open position. When the chuck opening / closing mechanism 34 moves each movable chuck 32a toward the closed position in this state, the plurality of grip portions 38a approach the outer peripheral portion of the substrate W while the substrate W is lifted by the plurality of support portions 38b. As a result, the support portions 38b of all the chuck members 32 are separated from the substrate W, and the grip portions 38a of all the chuck members 32 are pressed against the outer peripheral portion of the substrate W. When the chuck opening / closing mechanism 34 moves each movable chuck 32a toward the open position in this state, the grip portions 38a of all the chuck members 32 are separated from the substrate W, and the support portions 38b of all the chuck members 32 are on the substrate W. It touches the outer circumference.

図５に示すように、チャック開閉機構３４は、複数の可動チャック３２ａを開位置の方に移動させるオープン機構と、複数の可動チャック３２ａを閉位置の方に移動させるクローズ機構とを含む。オープン機構は、可動チャック３２ａと共にチャック回動軸線Ａ２まわりに回動する従動部５５と、従動部５５を周方向（回転軸線Ａ１まわりの方向）に押すことにより可動チャック３２ａを開位置の方に移動させる駆動部５６とを含む。クローズ機構は、複数の可動チャック３２ａにそれぞれ巻き付けられた複数のコイルバネ５１を含む。 As shown in FIG. 5, the chuck opening / closing mechanism 34 includes an open mechanism for moving the plurality of movable chucks 32a toward the open position and a closing mechanism for moving the plurality of movable chucks 32a toward the closed position. The open mechanism pushes the driven portion 55 that rotates around the chuck rotating axis A2 together with the movable chuck 32a and the driven portion 55 in the circumferential direction (direction around the rotating axis A1) to push the movable chuck 32a toward the open position. Includes a drive unit 56 to be moved. The closing mechanism includes a plurality of coil springs 51 wound around each of the plurality of movable chucks 32a.

コイルバネ５１は、可動チャック３２ａのベースシャフト３９に巻き付けられている。コイルバネ５１は、昇降部材６２の下方に配置されている。コイルバネ５１は、昇降部材６２に取り付けられたケーシング５２に収容されている。コイルバネ５１の一端部は、昇降部材６２に対して固定された保持部５３の差込穴に挿入されている。コイルバネ５１の他端部は、可動チャック３２ａの外周面で開口する保持穴５４に挿入されている。コイルバネ５１の一端部は、昇降部材６２に対する移動が規制されている。コイルバネ５１の他端部は、可動チャック３２ａに対する移動が規制されている。 The coil spring 51 is wound around the base shaft 39 of the movable chuck 32a. The coil spring 51 is arranged below the elevating member 62. The coil spring 51 is housed in a casing 52 attached to the elevating member 62. One end of the coil spring 51 is inserted into the insertion hole of the holding portion 53 fixed to the elevating member 62. The other end of the coil spring 51 is inserted into a holding hole 54 opened on the outer peripheral surface of the movable chuck 32a. The movement of one end of the coil spring 51 with respect to the elevating member 62 is restricted. The other end of the coil spring 51 is restricted from moving with respect to the movable chuck 32a.

コイルバネ５１は、可動チャック３２ａを原点位置に保持する。図５は、可動チャック３２ａが閉位置に位置している状態を示している。原点位置、開位置、および閉位置は、チャック回動軸線Ａ２まわりの回転角が異なる別々の位置である。閉位置は、可動チャック３２ａの回転方向に関して原点位置および開位置の間の位置である。可動チャック３２ａを原点位置から開位置に回動させると、コイルバネ５１が弾性変形し、可動チャック３２ａを原点位置に戻す復元力が発生する。これにより、可動チャック３２ａを閉位置の方に移動させる力が発生する。 The coil spring 51 holds the movable chuck 32a at the origin position. FIG. 5 shows a state in which the movable chuck 32a is located in the closed position. The origin position, the open position, and the closed position are different positions having different rotation angles around the chuck rotation axis A2. The closed position is a position between the origin position and the open position with respect to the rotation direction of the movable chuck 32a. When the movable chuck 32a is rotated from the origin position to the open position, the coil spring 51 is elastically deformed, and a restoring force for returning the movable chuck 32a to the origin position is generated. As a result, a force for moving the movable chuck 32a toward the closed position is generated.

図２に示すように、スピンチャック３１は、複数のチャック部材３２をスピンベース３３に対して昇降させることにより、複数のチャック部材３２に把持されている基板Ｗと後述する発熱部材７２との上下方向の間隔を変更する間隔変更機構６１を含む。間隔変更機構６１は、複数のチャック部材３２を支持する昇降部材６２と、昇降部材６２を上下方向に案内する複数のガイド部材６４と、昇降部材６２を上下方向に移動させる動力を発生する昇降駆動ユニット６６とを含む。 As shown in FIG. 2, the spin chuck 31 raises and lowers the substrate W held by the plurality of chuck members 32 and the heat generating member 72 described later by moving the plurality of chuck members 32 up and down with respect to the spin base 33. The interval changing mechanism 61 for changing the interval in the direction is included. The interval changing mechanism 61 includes an elevating member 62 that supports a plurality of chuck members 32, a plurality of guide members 64 that guide the elevating member 62 in the vertical direction, and an elevating drive that generates power to move the elevating member 62 in the vertical direction. Includes unit 66.

昇降部材６２は、回転軸線Ａ１を取り囲む円環状である。昇降部材６２は、チャックハウジング３７を取り囲んでいる。昇降部材６２は、スピンベース３３の下方に配置されている。昇降部材６２は、スピンベース３３に固定された筒状のスカート６３に取り囲まれている。昇降部材６２は、チャンクハウジングの環状部３７ｂの上方に配置されている。複数のチャック部材３２は、昇降部材６２の上面から上方に突出している。昇降部材６２が上下方向に移動すると、全てのチャック部材３２が昇降部材６２と共に上下方向に移動する。 The elevating member 62 is an annular shape that surrounds the rotation axis A1. The elevating member 62 surrounds the chuck housing 37. The elevating member 62 is arranged below the spin base 33. The elevating member 62 is surrounded by a tubular skirt 63 fixed to the spin base 33. The elevating member 62 is arranged above the annular portion 37b of the chunk housing. The plurality of chuck members 32 project upward from the upper surface of the elevating member 62. When the elevating member 62 moves in the vertical direction, all the chuck members 32 move in the vertical direction together with the elevating member 62.

図４に示すように、複数のガイド部材６４は、間隔を空けて周方向に並んでいる。ガイド部材６４は、上下方向に延びるガイドシャフト６４ａと、平面視でガイドシャフト６４ａよりも大きいガイドストッパー６４ｂとを含む。ガイドシャフト６４ａは、昇降部材６２を上下方向に貫通する貫通穴６５に挿入されている。ガイドストッパー６４ｂは、昇降部材６２の下方に配置されている。ガイドストッパー６４ｂは、平面視で昇降部材６２の貫通穴６５よりも大きい。 As shown in FIG. 4, the plurality of guide members 64 are arranged in the circumferential direction at intervals. The guide member 64 includes a guide shaft 64a extending in the vertical direction and a guide stopper 64b larger than the guide shaft 64a in a plan view. The guide shaft 64a is inserted into a through hole 65 that penetrates the elevating member 62 in the vertical direction. The guide stopper 64b is arranged below the elevating member 62. The guide stopper 64b is larger than the through hole 65 of the elevating member 62 in a plan view.

図２に示すように、ガイドシャフト６４ａは、スピンベース３３から下方に延びている。ガイドシャフト６４ａは、スピンベース３３に固定されている。ガイドストッパー６４ｂは、ガイドシャフト６４ａに固定されている。昇降部材６２は、スピンベース３３とガイドストッパー６４ｂとの間に配置されている。昇降部材６２は、昇降部材６２の下面がガイドストッパー６４ｂに接する下位置と、昇降部材６２がガイドストッパー６４ｂから上方に離れた上位置との間で、スピンベース３３に対して上下方向に移動可能である。 As shown in FIG. 2, the guide shaft 64a extends downward from the spin base 33. The guide shaft 64a is fixed to the spin base 33. The guide stopper 64b is fixed to the guide shaft 64a. The elevating member 62 is arranged between the spin base 33 and the guide stopper 64b. The elevating member 62 can move in the vertical direction with respect to the spin base 33 between a lower position where the lower surface of the elevating member 62 is in contact with the guide stopper 64b and an upper position where the elevating member 62 is separated upward from the guide stopper 64b. Is.

昇降駆動ユニット６６は、たとえば、磁力で昇降部材６２を昇降させる磁力発生ユニットである。磁力発生ユニットは、昇降部材６２に固定された従動マグネット６７と、従動マグネット６７を上昇させることにより昇降部材６２を上昇させる駆動マグネット６８と、駆動マグネット６８を上下方向に移動させることにより従動マグネット６７と駆動マグネット６８との間に働く磁力の強さを変更する昇降アクチュエータ６９とを含む。 The elevating drive unit 66 is, for example, a magnetic force generating unit that elevates and elevates the elevating member 62 by a magnetic force. The magnetic force generating unit includes a driven magnet 67 fixed to the elevating member 62, a driving magnet 68 that raises the elevating member 62 by raising the driven magnet 67, and a driven magnet 67 that raises the driving magnet 68 in the vertical direction. Includes an elevating actuator 69 that changes the strength of the magnetic force acting between the and the drive magnet 68.

従動マグネット６７は、昇降部材６２に固定されている。従動マグネット６７は、昇降部材６２と共に上下方向に移動する。従動マグネット６７は、チャックハウジング３７の外に配置されている。駆動マグネット６８および昇降アクチュエータ６９は、チャックハウジング３７の中に配置されている。駆動マグネット６８は、チャックハウジング３７によって従動マグネット６７から隔てられている。 The driven magnet 67 is fixed to the elevating member 62. The driven magnet 67 moves in the vertical direction together with the elevating member 62. The driven magnet 67 is arranged outside the chuck housing 37. The drive magnet 68 and the elevating actuator 69 are arranged in the chuck housing 37. The drive magnet 68 is separated from the driven magnet 67 by a chuck housing 37.

駆動マグネット６８は、スピンモータ３６よりも外方に配置されている。駆動マグネット６８は、従動マグネット６７よりも下方に配置されている。駆動マグネット６８は、チャックハウジング３７を介して上下方向に従動マグネット６７に対向している。駆動マグネット６８は、平面視で従動マグネット６７の少なくとも一部に重なっている。駆動マグネット６８は、平面視で従動マグネット６７に重なっていなくてもよい。 The drive magnet 68 is arranged outside the spin motor 36. The drive magnet 68 is arranged below the driven magnet 67. The drive magnet 68 faces the driven magnet 67 in the vertical direction via the chuck housing 37. The drive magnet 68 overlaps at least a part of the driven magnet 67 in a plan view. The drive magnet 68 does not have to overlap the driven magnet 67 in a plan view.

図４に示すように、従動マグネット６７および駆動マグネット６８は、いずれも、回転軸線Ａ１を取り囲む円に沿って配置されている。従動マグネット６７は、平面視で円弧状である。駆動マグネット６８は、平面視で環状である。駆動マグネット６８は、全周に亘って連続したリングであってもよいし、回転軸線Ａ１を取り囲む円周上に配置された複数のマグネットを含んでいてもよい。 As shown in FIG. 4, both the driven magnet 67 and the driving magnet 68 are arranged along a circle surrounding the rotation axis A1. The driven magnet 67 has an arc shape in a plan view. The drive magnet 68 is annular in a plan view. The drive magnet 68 may be a continuous ring over the entire circumference, or may include a plurality of magnets arranged on the circumference surrounding the rotation axis A1.

図２に示すように、昇降アクチュエータ６９は、エアーシリンダである。昇降アクチュエータ６９は、エアーシリンダの代わりに、電動モータと、電動モータの回転を上下方向への駆動マグネット６８の移動に変換するボールネジおよびボールナットとを備えていてもよい。昇降アクチュエータ６９は、エアーシリンダの軸方向に延びるロッドと、ロッドに連結されたピストンと、ロッドおよびピストンを取り囲む筒状のシリンダチューブとを含む。駆動マグネット６８は、エアーシリンダのロッドに連結されている。駆動マグネット６８は、エアーシリンダのロッドと共に上下方向に移動する。 As shown in FIG. 2, the elevating actuator 69 is an air cylinder. The elevating actuator 69 may include an electric motor and a ball screw and a ball nut that convert the rotation of the electric motor into the movement of the drive magnet 68 in the vertical direction instead of the air cylinder. The elevating actuator 69 includes a rod extending in the axial direction of the air cylinder, a piston connected to the rod, and a tubular cylinder tube surrounding the rod and the piston. The drive magnet 68 is connected to the rod of the air cylinder. The drive magnet 68 moves in the vertical direction together with the rod of the air cylinder.

昇降アクチュエータ６９は、上位置（図２で二点鎖線で示す位置）と下位置（図２で実線で示す位置）との間で駆動マグネット６８を上下方向に移動させる。駆動マグネット６８が上位置の方に上昇すると、従動マグネット６７は、従動マグネット６７と駆動マグネット６８との間に働く磁力（反力）によって持ち上げられる。それに伴って、昇降部材６２が上昇する。駆動マグネット６８が上位置に達すると、昇降部材６２は上位置に配置される。駆動マグネット６８が上位置から下位置まで下降すると、各ガイド部材６４のガイドストッパー６４ｂが昇降部材６２に接触し、昇降部材６２が下位置に配置される。 The elevating actuator 69 moves the drive magnet 68 in the vertical direction between the upper position (the position indicated by the alternate long and short dash line in FIG. 2) and the lower position (the position indicated by the solid line in FIG. 2). When the drive magnet 68 rises toward the upper position, the driven magnet 67 is lifted by the magnetic force (reaction force) acting between the driven magnet 67 and the drive magnet 68. Along with this, the elevating member 62 rises. When the drive magnet 68 reaches the upper position, the elevating member 62 is arranged in the upper position. When the drive magnet 68 descends from the upper position to the lower position, the guide stopper 64b of each guide member 64 comes into contact with the elevating member 62, and the elevating member 62 is arranged at the lower position.

全てのチャック部材３２は、昇降部材６２の昇降に伴って上位置と下位置との間で移動する。後述する発熱部材７２は、複数のチャック部材３２の支持部３８ｂに支持される基板Ｗの下方に配置される。チャック部材３２の上位置は、基板Ｗおよび発熱部材７２が互いに離れた退避位置である。チャック部材３２の下位置は、基板Ｗおよび発熱部材７２が互いに近接した近接位置である。 All the chuck members 32 move between the upper position and the lower position as the elevating member 62 moves up and down. The heat generating member 72, which will be described later, is arranged below the substrate W supported by the support portions 38b of the plurality of chuck members 32. The upper position of the chuck member 32 is a retracted position where the substrate W and the heat generating member 72 are separated from each other. The lower position of the chuck member 32 is a close position where the substrate W and the heat generating member 72 are close to each other.

複数のチャック部材３２が近接位置に対応する下位置に位置しているとき、発熱部材７２の上面から複数のチャック部材３２に把持されている基板Ｗの下面までの距離Ｄ１（図８Ａ参照）は、基板Ｗをその下から支持する搬送ロボットＲ１のハンドＨ１の厚みＴ１よりも小さい。当該距離Ｄ１は、たとえば、０．１〜１０ｍｍである。そのため、このとき、搬送ロボットＲ１は、複数のチャック部材３２の上に基板Ｗを置いたり、複数のチャック部材３２から基板Ｗを取ったりすることができない。 When the plurality of chuck members 32 are located at lower positions corresponding to the proximity positions, the distance D1 (see FIG. 8A) from the upper surface of the heat generating member 72 to the lower surface of the substrate W gripped by the plurality of chuck members 32 is , It is smaller than the thickness T1 of the hand H1 of the transfer robot R1 that supports the substrate W from below. The distance D1 is, for example, 0.1 to 10 mm. Therefore, at this time, the transfer robot R1 cannot place the substrate W on the plurality of chuck members 32 or take the substrate W from the plurality of chuck members 32.

前述のように、チャック開閉機構３４は、可動チャック３２ａと共にチャック回動軸線Ａ２まわりに回動する従動部５５と、従動部５５を周方向に押すことにより可動チャック３２ａを開位置の方に移動させる駆動部５６とを含む。図３に示すように、従動部５５は、可動チャック３２ａごとに設けられている。駆動部５６は、従動部５５ごとに設けられている。図３は、３つの従動部５５がそれぞれ３つの可動チャック３２ａに設けられており、３つの駆動部５６がそれぞれ３つの従動部５５に回転方向に対向している例を示している。 As described above, the chuck opening / closing mechanism 34 moves the movable chuck 32a toward the open position by pushing the driven portion 55 that rotates around the chuck rotation axis A2 together with the movable chuck 32a and the driven portion 55 in the circumferential direction. Includes a drive unit 56 to be driven. As shown in FIG. 3, the driven portion 55 is provided for each movable chuck 32a. The drive unit 56 is provided for each driven unit 55. FIG. 3 shows an example in which three driven portions 55 are provided on each of the three movable chucks 32a, and the three driving portions 56 each face the three driven portions 55 in the rotational direction.

図５に示すように、従動部５５は、チャック部材３２に固定されている。従動部５５は、チャック部材３２と共にチャック回動軸線Ａ２まわりに回動する。従動部５５は、チャック部材３２から外方に延びている。従動部５５は、スピンベース３３の上方に配置されている。従動部５５は、スピンベース３３の上面から上方に離れている。従動部５５の外端５５ｏは、スピンベース３３の外周面よりも内方に配置されている。従動部５５の外端５５ｏは、駆動部５６の内端５６ｉよりも外方に配置されている。 As shown in FIG. 5, the driven portion 55 is fixed to the chuck member 32. The driven portion 55 rotates around the chuck rotation axis A2 together with the chuck member 32. The driven portion 55 extends outward from the chuck member 32. The driven portion 55 is arranged above the spin base 33. The driven portion 55 is separated upward from the upper surface of the spin base 33. The outer end 55o of the driven portion 55 is arranged inward with respect to the outer peripheral surface of the spin base 33. The outer end 55o of the driven portion 55 is arranged outside the inner end 56i of the driving portion 56.

駆動部５６は、一番上のスプラッシュガード２８Ａに固定されている。駆動部５６は、スプラッシュガード２８Ａと共に鉛直方向に移動する。駆動部５６は、スプラッシュガード２８Ａから内方に延びている。駆動部５６は、スプラッシュガード２８Ａから上方に延びる縦部５６ａと、縦部５６ａの上端部から内方に延びる横部５６ｂとを含む。横部５６ｂは、スプラッシュガード２８Ａの上端２８ｕよりも上方に位置している。横部５６ｂの内端は、駆動部５６の内端５６ｉに相当する。駆動部５６の内端５６ｉは、スプラッシュガード２８Ａの上端２８ｕよりも内方で、かつ、チャック部材３２の外端よりも外方の位置に配置されている。 The drive unit 56 is fixed to the top splash guard 28A. The drive unit 56 moves in the vertical direction together with the splash guard 28A. The drive unit 56 extends inward from the splash guard 28A. The drive unit 56 includes a vertical portion 56a extending upward from the splash guard 28A and a horizontal portion 56b extending inward from the upper end portion of the vertical portion 56a. The lateral portion 56b is located above the upper end 28u of the splash guard 28A. The inner end of the lateral portion 56b corresponds to the inner end 56i of the drive portion 56. The inner end 56i of the drive unit 56 is arranged at a position inside the upper end 28u of the splash guard 28A and outside the outer end of the chuck member 32.

図６Ａに示すように、スピンベース３３の回転角が準備角度であるとき、従動部５５および駆動部５６は平面視で互いに重ならない。このとき、従動部５５および駆動部５６は、平面視において、間隔を空けて回転方向に互いに対向している。ガード昇降ユニット２９は、駆動部５６がスピンベース３３に接触しない範囲内でスプラッシュガード２８Ａを昇降させる。駆動部５６の少なくとも一部が従動部５５と等しい高さに配置される受渡位置にスプラッシュガード２８Ａが配置されると、従動部５５および駆動部５６は、回転方向に互いに水平に対向する。この状態で、スピンモータ３６がスピンベース３３を回転させると、図６Ｂに示すように、可動チャック３２ａと共に従動部５５が回転軸線Ａ１まわりに回転し、従動部５５が駆動部５６に接触する。これにより、従動部５５が駆動部５６に水平に押される。 As shown in FIG. 6A, when the rotation angle of the spin base 33 is the preparation angle, the driven portion 55 and the driving portion 56 do not overlap each other in a plan view. At this time, the driven unit 55 and the driving unit 56 face each other in the rotational direction at intervals in a plan view. The guard elevating unit 29 raises and lowers the splash guard 28A within a range in which the drive unit 56 does not come into contact with the spin base 33. When the splash guard 28A is arranged at a delivery position where at least a part of the driving unit 56 is arranged at the same height as the driven unit 55, the driven unit 55 and the driving unit 56 face each other horizontally in the rotational direction. In this state, when the spin motor 36 rotates the spin base 33, as shown in FIG. 6B, the driven portion 55 rotates around the rotation axis A1 together with the movable chuck 32a, and the driven portion 55 comes into contact with the driving portion 56. As a result, the driven unit 55 is pushed horizontally by the driving unit 56.

次に、スピンチャック３１と搬送ロボットＲ１との間での基板Ｗの受け渡しについて説明する。
図７Ａ〜図７Ｂは、スピンチャック３１と搬送ロボットＲ１との間での基板Ｗの受け渡しについて説明するための模式図である。以下の各工程は、制御装置３が基板処理装置１を制御することにより実行される。言い換えると、制御装置３は、以下の各工程を実行するようにプログラムされている。 Next, the transfer of the substrate W between the spin chuck 31 and the transfer robot R1 will be described.
7A to 7B are schematic views for explaining the transfer of the substrate W between the spin chuck 31 and the transfer robot R1. Each of the following steps is executed by the control device 3 controlling the substrate processing device 1. In other words, the control device 3 is programmed to perform each of the following steps.

搬送ロボットＲ１が複数のチャック部材３２の上に基板Ｗを置くとき、スピンモータ３６は、スピンベース３３の回転角が準備角度に一致する準備位置までスピンベース３３を回転させる。準備位置は、従動部５５および駆動部５６が平面視で重ならない位置である。昇降アクチュエータ６９は、スピンベース３３が準備位置に位置している状態で、複数のチャック部材３２を受渡位置としての上位置まで上昇させる。さらに、ガード昇降ユニット２９が一番上のスプラッシュガード２８Ａを受渡位置まで上昇させる。 When the transfer robot R1 places the substrate W on the plurality of chuck members 32, the spin motor 36 rotates the spin base 33 to a preparation position where the rotation angle of the spin base 33 matches the preparation angle. The preparation position is a position where the driven unit 55 and the driving unit 56 do not overlap in a plan view. The elevating actuator 69 raises a plurality of chuck members 32 to an upper position as a delivery position while the spin base 33 is located at the preparation position. Further, the guard elevating unit 29 raises the top splash guard 28A to the delivery position.

スプラッシュガード２８Ａの受渡位置は、駆動部５６の少なくとも一部が従動部５５と等しい高さに配置される高さである。したがって、スプラッシュガード２８Ａが受渡位置に配置されると、図６Ａに示すように、駆動部５６は、従動部５５に対して間隔を空けて回転方向に水平に対向する。また、このとき、スプラッシュガード２８Ａの上端２８ｕは、複数のチャック部材３２の支持部３８ｂに支持されている基板Ｗが配置される支持位置よりも下方に位置している。そのため、搬送ロボットＲ１が複数のチャック部材３２の支持部３８ｂに基板Ｗを置いたり、複数の支持部３８ｂに支持されている基板Ｗを取ったりするときに、搬送ロボットＲ１のハンドＨ１がスプラッシュガード２８Ａに接触しない。 The delivery position of the splash guard 28A is a height at which at least a part of the drive unit 56 is arranged at the same height as the driven unit 55. Therefore, when the splash guard 28A is arranged at the delivery position, the drive unit 56 faces the driven unit 55 horizontally at intervals in the rotational direction, as shown in FIG. 6A. At this time, the upper end 28u of the splash guard 28A is located below the support position where the substrate W supported by the support portions 38b of the plurality of chuck members 32 is arranged. Therefore, when the transfer robot R1 places the substrate W on the support portions 38b of the plurality of chuck members 32 or takes the substrate W supported by the plurality of support portions 38b, the hand H1 of the transfer robot R1 is a splash guard. Does not contact 28A.

スプラッシュガード２８Ａが受渡位置に配置された後は、準備位置に位置するスピンベース３３をスピンモータ３６が解除位置まで回転させる。つまり、スピンモータ３６は、スピンベース３３の回転角を準備角度から解除角度に変化させる。図６Ｂに示すように、スピンベース３３が解除位置に向かって回転する過程で、駆動部５６が従動部５５に接触し、従動部５５が駆動部５６によって回転方向に押される。それに伴って、コイルバネ５１が弾性変形し、可動チャック３２ａが開位置の方にチャック回動軸線Ａ２まわりに回動する。スピンベース３３が解除位置に配置されると、全ての可動チャック３２ａが開位置に配置される。 After the splash guard 28A is placed in the delivery position, the spin motor 36 rotates the spin base 33 located in the preparation position to the release position. That is, the spin motor 36 changes the rotation angle of the spin base 33 from the preparation angle to the release angle. As shown in FIG. 6B, in the process of rotating the spin base 33 toward the release position, the drive unit 56 comes into contact with the driven unit 55, and the driven unit 55 is pushed in the rotational direction by the drive unit 56. Along with this, the coil spring 51 is elastically deformed, and the movable chuck 32a rotates around the chuck rotation axis A2 toward the open position. When the spin base 33 is arranged in the release position, all the movable chucks 32a are arranged in the open position.

図７Ａに示すように、搬送ロボットＲ１は、スピンベース３３が解除位置に位置している状態で、ハンドＨ１に支持されている基板Ｗが発熱部材７２の上方に位置する上位置にハンドＨ１を移動させる。その後、搬送ロボットＲ１は、ハンドＨ１が発熱部材７２およびスプラッシュガード２８Ａに接触しない下位置までハンドＨ１を下降させる。図７Ｂに示すように、ハンドＨ１が上位置から下位置に下降する過程で、基板Ｗは、複数のチャック部材３２の支持部３８ｂの上に置かれ、ハンドＨ１から離れる。その後、搬送ロボットＲ１は、ハンドＨ１を基板Ｗと発熱部材７２との間から退避させる。 As shown in FIG. 7A, the transfer robot R1 places the hand H1 at an upper position where the substrate W supported by the hand H1 is located above the heat generating member 72 while the spin base 33 is located at the release position. Move. After that, the transfer robot R1 lowers the hand H1 to a lower position where the hand H1 does not come into contact with the heat generating member 72 and the splash guard 28A. As shown in FIG. 7B, in the process of the hand H1 descending from the upper position to the lower position, the substrate W is placed on the support portions 38b of the plurality of chuck members 32 and separated from the hand H1. After that, the transfer robot R1 retracts the hand H1 from between the substrate W and the heat generating member 72.

スピンモータ３６は、搬送ロボットＲ１のハンドＨ１が基板Ｗの下方から退避した後、スピンモータ３６を解除位置から準備位置まで回転させる。これにより、従動部５５および駆動部５６が互いに離れる。それに伴って、可動チャック３２ａは、コイルバネ５１の復元力で原点位置の方に移動する。基板Ｗが複数の支持部３８ｂに支持されているので、可動チャック３２ａは、原点位置に達することなく、原点位置の手前の位置である閉位置で止まる。これにより、可動チャック３２ａの把持部３８ａがコイルバネ５１の復元力で基板Ｗの外周部に押し付けられる。それに伴って、固定チャック３２ｂの把持部３８ａも基板Ｗの外周部に押し付けられる。これにより、基板Ｗが複数のチャック部材３２に把持される。 The spin motor 36 rotates the spin motor 36 from the release position to the preparation position after the hand H1 of the transfer robot R1 retracts from below the substrate W. As a result, the driven unit 55 and the driving unit 56 are separated from each other. Along with this, the movable chuck 32a moves toward the origin position by the restoring force of the coil spring 51. Since the substrate W is supported by the plurality of support portions 38b, the movable chuck 32a stops at the closed position, which is a position before the origin position, without reaching the origin position. As a result, the grip portion 38a of the movable chuck 32a is pressed against the outer peripheral portion of the substrate W by the restoring force of the coil spring 51. Along with this, the grip portion 38a of the fixed chuck 32b is also pressed against the outer peripheral portion of the substrate W. As a result, the substrate W is gripped by the plurality of chuck members 32.

搬送ロボットＲ１が複数のチャック部材３２から基板Ｗを取るときは、スピンモータ３６がスピンベース３３を準備位置に位置させ、昇降アクチュエータ６９が複数のチャック部材３２を上位置に位置させる。さらに、ガード昇降ユニット２９が一番上のスプラッシュガード２８Ａを受渡位置に位置させる。この状態で、スピンモータ３６がスピンベース３３を準備位置から解除位置まで回転させる。これにより、全てのチャック部材３２の把持部３８ａが基板Ｗの外周部から離れ、全てのチャック部材３２の支持部３８ｂが基板Ｗの外周部に接する。 When the transfer robot R1 takes the substrate W from the plurality of chuck members 32, the spin motor 36 positions the spin base 33 in the prepared position, and the elevating actuator 69 positions the plurality of chuck members 32 in the upper position. Further, the guard elevating unit 29 positions the top splash guard 28A at the delivery position. In this state, the spin motor 36 rotates the spin base 33 from the prepared position to the released position. As a result, the gripping portions 38a of all the chuck members 32 are separated from the outer peripheral portion of the substrate W, and the support portions 38b of all the chuck member 32 are in contact with the outer peripheral portion of the substrate W.

搬送ロボットＲ１は、基板Ｗが複数のチャック部材３２の支持部３８ｂに支持されている状態で、基板Ｗと発熱部材７２との間にハンドＨ１を差し込む。その後、搬送ロボットＲ１は、ハンドＨ１を上方に移動させる。基板Ｗは、ハンドＨ１が上方に移動しているときに、全てのチャック部材３２の支持部３８ｂから離れ、ハンドＨ１に支持される。その後、スピンモータ３６は、スピンベース３３を回転させ、従動部５５および駆動部５６を互いに離反させる。そのため、可動チャック３２ａは、コイルバネ５１の復元力で原点位置に戻る。 The transfer robot R1 inserts the hand H1 between the substrate W and the heat generating member 72 while the substrate W is supported by the support portions 38b of the plurality of chuck members 32. After that, the transfer robot R1 moves the hand H1 upward. When the hand H1 is moving upward, the substrate W separates from the support portions 38b of all the chuck members 32 and is supported by the hand H1. After that, the spin motor 36 rotates the spin base 33 and separates the driven unit 55 and the driving unit 56 from each other. Therefore, the movable chuck 32a returns to the origin position by the restoring force of the coil spring 51.

次に、基板Ｗを下方から加熱するＩＨ加熱機構７１について説明する。
図８Ａは、スピンチャック３１に設けられたＩＨ加熱機構７１について説明するための鉛直断面を示す模式図である。図８Ｂは、加熱コイル７３の配置について説明するための模式的な平面図である。図８Ａ〜図８Ｂでは、従動部５５および駆動部５６の図示を省略している。 Next, the IH heating mechanism 71 that heats the substrate W from below will be described.
FIG. 8A is a schematic view showing a vertical cross section for explaining the IH heating mechanism 71 provided in the spin chuck 31. FIG. 8B is a schematic plan view for explaining the arrangement of the heating coil 73. In FIGS. 8A to 8B, the driven unit 55 and the driving unit 56 are not shown.

図８Ａに示すように、スピンチャック３１は、複数のチャック部材３２に保持されている基板Ｗを加熱するＩＨ加熱機構７１を含む。ＩＨ加熱機構７１は、基板Ｗを加熱する発熱部材７２と、電力が供給される加熱コイル７３と、加熱コイル７３に電力を供給することにより発熱部材７２に加わる交番磁界を発生させて発熱部材７２を発熱させるＩＨ回路７４とを含む。ＩＨ加熱機構７１は、さらに、発熱部材７２以外の部材を交番磁界から保護する磁気遮断部材７７と、加熱コイル７３を支持する支持部材７８とを含む。 As shown in FIG. 8A, the spin chuck 31 includes an IH heating mechanism 71 that heats the substrate W held by the plurality of chuck members 32. The IH heating mechanism 71 generates a heating member 72 for heating the substrate W, a heating coil 73 to which electric power is supplied, and an alternating magnetic field applied to the heating member 72 by supplying electric power to the heating coil 73 to generate the heating member 72. Includes an IH circuit 74 that generates heat. The IH heating mechanism 71 further includes a magnetic blocking member 77 that protects members other than the heat generating member 72 from an alternating magnetic field, and a support member 78 that supports the heating coil 73.

発熱部材７２は、交番磁界に起因する渦電流の発生に伴ってジュール熱を発生する導体である。発熱部材７２は、サセプターとも呼ばれる。発熱部材７２の少なくとも表面は、耐薬品性を有する材料で形成されている。同様に、スピンベース３３の少なくとも表面は、耐薬品性を有する材料で形成されている。すなわち、薬液に接する全ての部分は、耐薬品性を有する材料で形成されている。これは、チャック部材３２等の発熱部材７２およびスピンベース３３以外の部材についても同様である。 The heat generating member 72 is a conductor that generates Joule heat with the generation of eddy currents caused by an alternating magnetic field. The heat generating member 72 is also called a susceptor. At least the surface of the heat generating member 72 is made of a material having chemical resistance. Similarly, at least the surface of the spin base 33 is made of a chemical resistant material. That is, all the parts in contact with the chemical solution are made of a material having chemical resistance. This also applies to members other than the heat generating member 72 such as the chuck member 32 and the spin base 33.

発熱部材７２は、一体化された複数の部材であってもよいし、単一の一体の部材であってもよい。たとえば、発熱部材７２は、カーボン製の芯材と芯材の表面を覆う炭化ケイ素（ＳｉＣ）製のコーティング層とを含んでいてもよいし、ガラス状炭素(Glassy carbon)で形成されていてもよい。発熱部材７２は、金属などのこれら以外の材料で形成されていてもよい。また、交番磁界の影響が基板Ｗの表面に形成されたデバイスに及ぶことを防止するために、磁界を遮断する鉄などの軟磁性材料で発熱部材７２の少なくとも一部を形成してもよい。 The heat generating member 72 may be a plurality of integrated members, or may be a single integrated member. For example, the heat generating member 72 may include a carbon core material and a silicon carbide (SiC) coating layer covering the surface of the core material, or may be formed of glassy carbon. Good. The heat generating member 72 may be made of a material other than these, such as metal. Further, in order to prevent the influence of the alternating magnetic field from affecting the device formed on the surface of the substrate W, at least a part of the heat generating member 72 may be formed of a soft magnetic material such as iron that blocks the magnetic field.

発熱部材７２は、基板Ｗとスピンベース３３との間に配置された板状部７２ａを含む。板状部７２ａは、たとえば、回転軸線Ａ１を取り囲む円環状である。板状部７２ａの厚み（上下方向の長さ）は、スピンベース３３の厚みＴ３よりも小さい。板状部７２ａの上面および下面は、基板Ｗの上面および下面と平行である。板状部７２ａの下面は、空間を介してスピンベース３３の上面に平行に対向している。スピンベース３３の上面から板状部７２ａの下面までの距離は、板状部７２ａの上面から基板Ｗの下面までの距離Ｄ１と等しくてもよいし、当該距離Ｄ１よりも長いまたは短くてもよい。 The heat generating member 72 includes a plate-shaped portion 72a arranged between the substrate W and the spin base 33. The plate-shaped portion 72a is, for example, an annular shape surrounding the rotation axis A1. The thickness (length in the vertical direction) of the plate-shaped portion 72a is smaller than the thickness T3 of the spin base 33. The upper and lower surfaces of the plate-shaped portion 72a are parallel to the upper and lower surfaces of the substrate W. The lower surface of the plate-shaped portion 72a faces parallel to the upper surface of the spin base 33 via a space. The distance from the upper surface of the spin base 33 to the lower surface of the plate-shaped portion 72a may be equal to the distance D1 from the upper surface of the plate-shaped portion 72a to the lower surface of the substrate W, or may be longer or shorter than the distance D1. ..

複数のチャック部材３２が基板Ｗを把持しており、下位置に位置しているとき、板状部７２ａの上面は、基板Ｗの下面に近接する。このとき、板状部７２ａの上面から基板Ｗの下面までの上下方向の距離Ｄ１は、搬送ロボットＲ１のハンドＨ１の厚みＴ１よりも短い。その一方で、複数のチャック部材３２が基板Ｗを把持しており、上位置に位置しているとき、板状部７２ａの上面から基板Ｗの下面までの上下方向の距離Ｄ１は、搬送ロボットＲ１のハンドＨ１の厚みＴ１よりも長い。したがって、複数のチャック部材３２が上位置に位置しているときであれば、搬送ロボットＲ１は、複数のチャック部材３２に基板Ｗを置いたり、複数のチャック部材３２から基板Ｗを取ったりすることができる。 When the plurality of chuck members 32 grip the substrate W and are located at a lower position, the upper surface of the plate-shaped portion 72a is close to the lower surface of the substrate W. At this time, the vertical distance D1 from the upper surface of the plate-shaped portion 72a to the lower surface of the substrate W is shorter than the thickness T1 of the hand H1 of the transfer robot R1. On the other hand, when the plurality of chuck members 32 grip the substrate W and are located at the upper position, the vertical distance D1 from the upper surface of the plate-shaped portion 72a to the lower surface of the substrate W is the transfer robot R1. It is longer than the thickness T1 of the hand H1. Therefore, when the plurality of chuck members 32 are located at the upper positions, the transfer robot R1 may place the substrate W on the plurality of chuck members 32 or take the substrate W from the plurality of chuck members 32. Can be done.

発熱部材７２は、板状部７２ａから下方に延びる複数の脚部７２ｂを含む。脚部７２ｂは、スピンベース３３の一部であってもよい。すなわち、スピンベース３３は、基板Ｗの直径よりも大きい外径を有する円板部と、円板部の水平な上面から上方に延びる複数の脚部７２ｂとを含んでいてもよい。脚部７２ｂは、板状部７２ａの下面からスピンベース３３の上面に延びている。板状部７２ａは、複数の脚部７２ｂによって支持されている。発熱部材７２は、スピンベース３３に固定されている。発熱部材７２は、スピンベース３３と共に回転軸線Ａ１まわりに回転する。 The heat generating member 72 includes a plurality of legs 72b extending downward from the plate-shaped portion 72a. The legs 72b may be part of the spin base 33. That is, the spin base 33 may include a disk portion having an outer diameter larger than the diameter of the substrate W, and a plurality of leg portions 72b extending upward from the horizontal upper surface of the disk portion. The leg portion 72b extends from the lower surface of the plate-shaped portion 72a to the upper surface of the spin base 33. The plate-shaped portion 72a is supported by a plurality of leg portions 72b. The heat generating member 72 is fixed to the spin base 33. The heat generating member 72 rotates around the rotation axis A1 together with the spin base 33.

図３に示すように、複数のチャック部材３２は、それぞれ、発熱部材７２の複数の貫通部７２ｐに挿入されている。貫通部７２ｐは、発熱部材７２の外周部を上下方向に貫通している。貫通部７２ｐは、板状部７２ａの外周面で開口する切欠きであってもよいし、全周が閉じた貫通穴であってもよい。板状部７２ａの外周面は、チャック部材３２の内端よりも外方に位置している。板状部７２ａの外径、つまり、発熱部材７２の外径は、スピンベース３３の外径よりも小さく、基板Ｗの外径よりも大きい。発熱部材７２の外径は、基板Ｗの外径と等しくてもよいし、基板Ｗの外径よりも小さくてもよい。 As shown in FIG. 3, each of the plurality of chuck members 32 is inserted into the plurality of penetrating portions 72p of the heat generating member 72. The penetrating portion 72p penetrates the outer peripheral portion of the heat generating member 72 in the vertical direction. The penetrating portion 72p may be a notch that opens on the outer peripheral surface of the plate-shaped portion 72a, or may be a through hole that is closed all around. The outer peripheral surface of the plate-shaped portion 72a is located outside the inner end of the chuck member 32. The outer diameter of the plate-shaped portion 72a, that is, the outer diameter of the heat generating member 72 is smaller than the outer diameter of the spin base 33 and larger than the outer diameter of the substrate W. The outer diameter of the heat generating member 72 may be equal to the outer diameter of the substrate W, or may be smaller than the outer diameter of the substrate W.

図８Ａに示すように、加熱コイル７３は、支持部材７８とスピンベース３３との間に配置されている。加熱コイル７３は、スピンベース３３の下面から下方に離れている。加熱コイル７３は、平面視で発熱部材７２に重なるよう配置されている。加熱コイル７３は、発熱部材７２から離れており、物理的には発熱部材７２に接続されていない。加熱コイル７３は、径方向に間隔を空けてスピン軸３５を取り囲んでいる。複数のチャック部材３２は、加熱コイル７３のまわりに配置されている。加熱コイル７３は、チャック部材３２から径方向に離れている。加熱コイル７３の外端は、スピンモータ３６の外周面よりも外方に配置されている。 As shown in FIG. 8A, the heating coil 73 is arranged between the support member 78 and the spin base 33. The heating coil 73 is separated downward from the lower surface of the spin base 33. The heating coil 73 is arranged so as to overlap the heat generating member 72 in a plan view. The heating coil 73 is separated from the heat generating member 72 and is not physically connected to the heat generating member 72. The heating coil 73 surrounds the spin shaft 35 at intervals in the radial direction. The plurality of chuck members 32 are arranged around the heating coil 73. The heating coil 73 is radially separated from the chuck member 32. The outer end of the heating coil 73 is arranged outside the outer peripheral surface of the spin motor 36.

図８Ｂに示すように、加熱コイル７３は、回転軸線Ａ１を取り囲む環状領域に配置されている。図８Ｂは、互いに独立した２つの加熱コイル７３がそれぞれ２つの環状領域に配置されている例を示している。２つの加熱コイル７３は、回転軸線Ａ１を取り囲む内側環状領域ＲＩに配置された内コイル７３Ｉと、内側環状領域ＲＩを同心円状に取り囲む外側環状領域ＲＯに配置された外コイル７３Ｏとを含む。２つの加熱コイル７３は、それぞれ、２つのＩＨ回路７４に接続されている。２つの加熱コイル７３を流れる交流電流の周波数は、２つのＩＨ回路７４によって個別に変更される。 As shown in FIG. 8B, the heating coil 73 is arranged in an annular region surrounding the rotation axis A1. FIG. 8B shows an example in which two independent heating coils 73 are arranged in two annular regions, respectively. The two heating coils 73 include an inner coil 73I arranged in the inner annular region RI surrounding the rotation axis A1 and an outer coil 73O arranged in the outer annular region RO concentrically surrounding the inner annular region RI. Each of the two heating coils 73 is connected to two IH circuits 74. The frequency of the alternating current flowing through the two heating coils 73 is individually changed by the two IH circuits 74.

発熱部材７２は、加熱コイル７３の近傍に発生する交番磁界内に配置される。加熱コイル７３を流れる交流電流の周波数は、ＩＨ回路７４によって変更される。発熱部材７２の温度は、加熱コイル７３を流れる交流電流の周波数により変更される。ＩＨ回路７４は、制御装置３に制御される。互いに独立した２つの加熱コイル７３が設けられているので、制御装置３は、発熱部材７２の温度が均一になるように発熱部材７２を発熱させることもできるし、径方向の温度勾配が発熱部材７２に発生するように発熱部材７２を発熱させることもできる。 The heat generating member 72 is arranged in an alternating magnetic field generated in the vicinity of the heating coil 73. The frequency of the alternating current flowing through the heating coil 73 is changed by the IH circuit 74. The temperature of the heat generating member 72 is changed by the frequency of the alternating current flowing through the heating coil 73. The IH circuit 74 is controlled by the control device 3. Since the two heating coils 73 that are independent of each other are provided, the control device 3 can also heat the heat generating member 72 so that the temperature of the heat generating member 72 becomes uniform, and the temperature gradient in the radial direction is the heat generating member. The heat generating member 72 can also be heated so as to be generated in 72.

発熱部材７２の温度は、温度計７５によって検出される。図８Ｂは、回転軸線Ａ１からの距離が異なる２つの位置で発熱部材７２の温度を検出する２つの温度計７５が設けられている例を示している。温度計７５の数は、１つであってもよいし、３つ以上であってもよい。温度計７５の検出値は、制御装置３に入力される。制御装置３は、温度計７５の検出値に基づいてＩＨ回路７４を制御することにより、発熱部材７２の温度を目標温度に近づける。これにより、発熱部材７２が高精度で目標温度に維持される。 The temperature of the heat generating member 72 is detected by the thermometer 75. FIG. 8B shows an example in which two thermometers 75 for detecting the temperature of the heat generating member 72 are provided at two positions having different distances from the rotation axis A1. The number of thermometers 75 may be one or three or more. The detected value of the thermometer 75 is input to the control device 3. The control device 3 controls the IH circuit 74 based on the detected value of the thermometer 75 to bring the temperature of the heat generating member 72 closer to the target temperature. As a result, the heat generating member 72 is maintained at the target temperature with high accuracy.

図８Ａに示すように、温度計７５は、加熱コイル７３の下方に配置されている。温度計７５は、加熱コイル７３の隙間を介してスピンベース３３に対向している。温度計７５は、物体から放出される赤外線や可視光線の強度を検出することにより、物体の温度を検出する放射温度計である。温度計７５は、発熱部材７２に非接触で発熱部材７２の温度を検出する非接触温度計である。温度計７５は、複数の透明部材７６で塞がれたスピンベース３３の複数の検出窓を介して発熱部材７２の温度を検出する。検出窓は、スピンベース３３を上下方向に貫通している。透明部材７６は、赤外線を含む光を透過する透明な材料で形成されている。 As shown in FIG. 8A, the thermometer 75 is located below the heating coil 73. The thermometer 75 faces the spin base 33 through the gap of the heating coil 73. The thermometer 75 is a radiation thermometer that detects the temperature of an object by detecting the intensity of infrared rays or visible light emitted from the object. The thermometer 75 is a non-contact thermometer that detects the temperature of the heat generating member 72 without contacting the heat generating member 72. The thermometer 75 detects the temperature of the heat generating member 72 through the plurality of detection windows of the spin base 33 closed by the plurality of transparent members 76. The detection window penetrates the spin base 33 in the vertical direction. The transparent member 76 is made of a transparent material that transmits light including infrared rays.

温度計７５は、支持部材７８に支持されている。発熱部材７２がスピンベース３３と共に回転したとしても、温度計７５は回転しない。その一方で、スピンベース３３が回転すると、スピンベース３３に設けられた複数の検出窓も回転する。図８Ｂに示すように、スピンベース３３の複数の検出窓は、回転軸線Ａ１を取り囲む円周上で周方向に配列されている。したがって、スピンベース３３が回転している殆ど全ての期間、複数の検出窓のいずれかが温度計７５に対向する。そのため、温度計７５は、スピンベース３３が回転しているときであっても、発熱部材７２の温度を検出することができる。 The thermometer 75 is supported by a support member 78. Even if the heat generating member 72 rotates together with the spin base 33, the thermometer 75 does not rotate. On the other hand, when the spin base 33 rotates, the plurality of detection windows provided on the spin base 33 also rotate. As shown in FIG. 8B, the plurality of detection windows of the spin base 33 are arranged in the circumferential direction on the circumference surrounding the rotation axis A1. Therefore, one of the plurality of detection windows faces the thermometer 75 during almost the entire period during which the spin base 33 is rotating. Therefore, the thermometer 75 can detect the temperature of the heat generating member 72 even when the spin base 33 is rotating.

図８Ａに示すように、磁気遮断部材７７は、加熱コイル７３を取り囲む筒状の外壁部７７ａと、加熱コイル７３の下方に位置する下壁部７７ｂとを含む。磁気遮断部材７７は、鉄などの軟磁性材料で形成されている。下壁部７７ｂは、上下方向における加熱コイル７３と支持部材７８との間に位置している。下壁部７７ｂは、回転軸線Ａ１を取り囲む円環状である。外壁部７７ａは、下壁部７７ｂの外周部から上方に延びている。外壁部７７ａは、径方向における加熱コイル７３とチャック部材３２との間に位置している。チャック部材３２などの加熱コイル７３の近傍に位置する部材は、磁気遮断部材７７によって交番磁界から遮断される。 As shown in FIG. 8A, the magnetic blocking member 77 includes a tubular outer wall portion 77a surrounding the heating coil 73 and a lower wall portion 77b located below the heating coil 73. The magnetic blocking member 77 is made of a soft magnetic material such as iron. The lower wall portion 77b is located between the heating coil 73 and the support member 78 in the vertical direction. The lower wall portion 77b is an annular shape surrounding the rotation axis A1. The outer wall portion 77a extends upward from the outer peripheral portion of the lower wall portion 77b. The outer wall portion 77a is located between the heating coil 73 and the chuck member 32 in the radial direction. Members located in the vicinity of the heating coil 73, such as the chuck member 32, are blocked from the alternating magnetic field by the magnetic blocking member 77.

支持部材７８は、チャンバー４の底部４ａに対して固定されている。図８Ａは、支持部材７８がスピンモータ３６のステータ３６ａに支持されている例を示している。支持部材７８は、スピンモータ３６よりも上方に配置されている。支持部材７８は、回転軸線Ａ１を取り囲む円環状である。支持部材７８の外径は、スピンモータ３６の外径よりも大きい。支持部材７８の外周部は、チャックハウジング３７の上側筒状部３７ｃの上方に位置している。スピン軸３５は、支持部材７８の中央部を上下方向に貫通する貫通穴に挿入されている。支持部材７８は、径方向に間隔を空けてスピン軸３５を取り囲んでいる。 The support member 78 is fixed to the bottom 4a of the chamber 4. FIG. 8A shows an example in which the support member 78 is supported by the stator 36a of the spin motor 36. The support member 78 is arranged above the spin motor 36. The support member 78 is an annular shape that surrounds the rotation axis A1. The outer diameter of the support member 78 is larger than the outer diameter of the spin motor 36. The outer peripheral portion of the support member 78 is located above the upper tubular portion 37c of the chuck housing 37. The spin shaft 35 is inserted into a through hole that penetrates the central portion of the support member 78 in the vertical direction. The support member 78 surrounds the spin shaft 35 at intervals in the radial direction.

制御装置３が加熱コイル７３への電力供給を開始すると、交番磁界が加熱コイル７３の近傍に発生し、発熱部材７２が発熱する。それに伴って、発熱部材７２の温度が急速に上昇し、発熱部材７２の目標温度またはその付近に維持される。これにより、基板Ｗの温度が急速に上昇し、基板Ｗの目標温度またはその付近に維持される。スピンモータ３６の回転は、スピン軸３５およびスピンベース３３を介して発熱部材７２に伝達される。したがって、制御装置３が発熱部材７２を発熱させているときに、スピンモータ３６が回転すると、発熱部材７２は、基板Ｗを加熱しながら、基板Ｗと共に回転する。 When the control device 3 starts supplying electric power to the heating coil 73, an alternating magnetic field is generated in the vicinity of the heating coil 73, and the heat generating member 72 generates heat. Along with this, the temperature of the heat generating member 72 rises rapidly and is maintained at or near the target temperature of the heat generating member 72. As a result, the temperature of the substrate W rises rapidly and is maintained at or near the target temperature of the substrate W. The rotation of the spin motor 36 is transmitted to the heat generating member 72 via the spin shaft 35 and the spin base 33. Therefore, when the spin motor 36 rotates while the control device 3 generates heat for the heat generating member 72, the heat generating member 72 rotates together with the substrate W while heating the substrate W.

前述のように、発熱部材７２の板状部７２ａの厚みＴ１は、スピンベース３３の厚みＴ３よりも小さい。このように、発熱部材７２が薄いので、発熱部材７２の体積を減らすことができ、発熱部材７２の熱容量を減らすことができる。これにより、発熱部材７２を直ぐに目標温度に到達させることができる。さらに、発熱部材７２の少なくとも一部が炭素などの熱伝導率の大きい材料で形成されている場合には、発熱部材７２が目標温度に到達するまでの時間をさらに短縮できる。加えて、発熱部材７２の温度のむらを低減することもできる。 As described above, the thickness T1 of the plate-shaped portion 72a of the heat generating member 72 is smaller than the thickness T3 of the spin base 33. Since the heat generating member 72 is thin as described above, the volume of the heat generating member 72 can be reduced, and the heat capacity of the heat generating member 72 can be reduced. As a result, the heat generating member 72 can be brought to the target temperature immediately. Further, when at least a part of the heat generating member 72 is made of a material having a high thermal conductivity such as carbon, the time required for the heat generating member 72 to reach the target temperature can be further shortened. In addition, the temperature unevenness of the heat generating member 72 can be reduced.

次に、基板処理装置１によって実行される基板Ｗの処理の一例について説明する。
図９は、基板処理装置１によって実行される基板Ｗの処理の一例について説明するための工程図である。図１０Ａ〜図１０Ｆは、図９に示す基板Ｗの処理の一例に含まれる各工程が実行されているときの基板Ｗの状態を示す模式図である。図１０Ａ〜図１０Ｆでは、従動部５５および駆動部５６の図示を省略している。以下の各工程は、制御装置３が基板処理装置１を制御することにより実行される。言い換えると、制御装置３は、以下の各工程を実行するようにプログラムされている。 Next, an example of the processing of the substrate W executed by the substrate processing apparatus 1 will be described.
FIG. 9 is a process diagram for explaining an example of processing of the substrate W executed by the substrate processing apparatus 1. 10A to 10F are schematic views showing a state of the substrate W when each step included in the example of the processing of the substrate W shown in FIG. 9 is executed. In FIGS. 10A to 10F, the driven unit 55 and the driving unit 56 are not shown. Each of the following steps is executed by the control device 3 controlling the substrate processing device 1. In other words, the control device 3 is programmed to perform each of the following steps.

基板処理装置１で基板Ｗを処理するときは、チャンバー４内に基板Ｗを搬入する搬入工程が行われる（図９のステップＳ１）。
具体的には、基板Ｗがチャンバー４内に搬入される前に、全てのスプラッシュガード２８が下位置に配置され、第１薬液ノズル５を含む全ての可動ノズルが待機位置に配置される。さらに、全てのチャック部材３２が上位置に配置される。この状態で、前述のように、全ての可動チャック３２ａが開位置に配置される。その後、搬送ロボットＲ１は、ハンドＨ１をチャンバー４内に進入させ、ハンドＨ１上の基板Ｗを複数のチャック部材３２の上に置く。これにより、基板Ｗがチャンバー４内に搬入され、複数のチャック部材３２の支持部３８ｂに支持される。 When the substrate W is processed by the substrate processing apparatus 1, a carry-in step of carrying the substrate W into the chamber 4 is performed (step S1 in FIG. 9).
Specifically, before the substrate W is carried into the chamber 4, all the splash guards 28 are arranged in the lower position, and all the movable nozzles including the first chemical solution nozzle 5 are arranged in the standby position. Further, all the chuck members 32 are arranged in the upper position. In this state, as described above, all the movable chucks 32a are arranged in the open position. After that, the transfer robot R1 causes the hand H1 to enter the chamber 4 and places the substrate W on the hand H1 on the plurality of chuck members 32. As a result, the substrate W is carried into the chamber 4 and supported by the support portions 38b of the plurality of chuck members 32.

その後、搬送ロボットＲ１がハンドＨ１をチャンバー４の内部から退避させる。続いて、前述のように、全ての可動チャック３２ａが閉位置に配置される。これにより、基板Ｗが、複数のチャック部材３２の支持部３８ｂから離れ、複数のチャック部材３２の把持部３８ａに把持される。その後、昇降アクチュエータ６９が全てのチャック部材３２を下位置に移動させる。続いて、スピンモータ３６が回転を開始する。スピンモータ３６の回転は、スピンベース３３およびチャック部材３２を介して基板Ｗに伝達される。これにより、基板Ｗが回転軸線Ａ１まわりに回転する。 After that, the transfer robot R1 retracts the hand H1 from the inside of the chamber 4. Subsequently, as described above, all the movable chucks 32a are arranged in the closed position. As a result, the substrate W is separated from the support portions 38b of the plurality of chuck members 32 and gripped by the grip portions 38a of the plurality of chuck members 32. After that, the elevating actuator 69 moves all the chuck members 32 to the lower position. Subsequently, the spin motor 36 starts rotating. The rotation of the spin motor 36 is transmitted to the substrate W via the spin base 33 and the chuck member 32. As a result, the substrate W rotates around the rotation axis A1.

次に、図１０Ａに示すように、薬液の一例であるＳＰＭを基板Ｗの上面に供給する第１薬液供給工程（図９のステップＳ２）と、基板Ｗと基板Ｗ上のＳＰＭとを加熱する第１加熱工程（図９のステップＳ３）とが、並行して行われる。
第１薬液供給工程に関しては、第１ノズル移動機構８が、第１薬液ノズル５を待機位置から処理位置に移動させ、ガード昇降ユニット２９が、いずれかのスプラッシュガード２８を基板Ｗの外周部に対向させる。その後、第１薬液バルブ７が開かれ、第１薬液ノズル５がＳＰＭの吐出を開始する。第１薬液ノズル５は、室温よりも高温（たとえば、１４０℃）のＳＰＭを回転している基板Ｗの上面に向けて吐出する。この状態で、第１ノズル移動機構８は、第１薬液ノズル５を移動させることにより、基板Ｗの上面に対するＳＰＭの着液位置を中央部と外周部との間で移動させる。第１薬液バルブ７が開かれてから所定時間が経過すると、第１薬液バルブ７が閉じられ、ＳＰＭの吐出が停止される。その後、第１ノズル移動機構８が、第１薬液ノズル５を待機位置に退避させる。 Next, as shown in FIG. 10A, the first chemical solution supply step (step S2 in FIG. 9) of supplying SPM, which is an example of the chemical solution, to the upper surface of the substrate W, and the substrate W and the SPM on the substrate W are heated. The first heating step (step S3 in FIG. 9) is performed in parallel.
Regarding the first chemical solution supply step, the first nozzle moving mechanism 8 moves the first chemical solution nozzle 5 from the standby position to the processing position, and the guard elevating unit 29 puts one of the splash guards 28 on the outer peripheral portion of the substrate W. Make them face each other. After that, the first chemical solution valve 7 is opened, and the first chemical solution nozzle 5 starts discharging SPM. The first chemical solution nozzle 5 discharges SPM having a temperature higher than room temperature (for example, 140 ° C.) toward the upper surface of the rotating substrate W. In this state, the first nozzle moving mechanism 8 moves the first chemical solution nozzle 5 to move the liquid landing position of the SPM with respect to the upper surface of the substrate W between the central portion and the outer peripheral portion. When a predetermined time elapses after the first chemical solution valve 7 is opened, the first chemical solution valve 7 is closed and the discharge of SPM is stopped. After that, the first nozzle moving mechanism 8 retracts the first chemical solution nozzle 5 to the standby position.

第１薬液ノズル５から吐出されたＳＰＭは、基板Ｗの上面に着液した後、遠心力によって基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。そのため、ＳＰＭが基板Ｗの上面全域に供給され、基板Ｗの上面全域を覆うＳＰＭの液膜が基板Ｗ上に形成される。これにより、レジスト膜などの異物がＳＰＭによって基板Ｗから除去される。さらに、第１ノズル移動機構８は、基板Ｗが回転している状態で、基板Ｗの上面に対するＳＰＭの着液位置を中央部と外周部との間で移動させるので、ＳＰＭの着液位置が基板Ｗの上面全域を通過し、基板Ｗの上面全域が走査される。そのため、ＳＰＭが基板Ｗの上面全域に直接吹き付けられ、基板Ｗの上面全域が均一に処理される。 The SPM discharged from the first chemical solution nozzle 5 is deposited on the upper surface of the substrate W and then flows outward along the upper surface of the substrate W by centrifugal force. Therefore, SPM is supplied to the entire upper surface of the substrate W, and a liquid film of SPM covering the entire upper surface of the substrate W is formed on the substrate W. As a result, foreign matter such as a resist film is removed from the substrate W by SPM. Further, since the first nozzle moving mechanism 8 moves the liquid landing position of the SPM with respect to the upper surface of the substrate W between the central portion and the outer peripheral portion while the substrate W is rotating, the liquid landing position of the SPM is changed. It passes through the entire upper surface of the substrate W and is scanned over the entire upper surface of the substrate W. Therefore, SPM is directly sprayed on the entire upper surface of the substrate W, and the entire upper surface of the substrate W is uniformly processed.

第１加熱工程に関しては、制御装置３が加熱コイル７３への電力供給を開始する。基板Ｗと基板Ｗ上のＳＰＭとが発熱部材７２によって加熱されるのであれば、電力供給の開始は、第１薬液バルブ７が開かれるのと同時であってもよいし、第１薬液バルブ７が開かれる前または後であってもよい。加熱コイル７３への電力供給が開始されると、交番磁界が加熱コイル７３の近傍に発生し、発熱部材７２が発熱する。そして、電力供給の開始から所定時間が経過すると、加熱コイル７３への電力供給が停止される。電力供給の停止は、第１薬液バルブ７が閉じられるのと同時であってもよいし、第１薬液バルブ７が閉じられる前または後であってもよい。 Regarding the first heating step, the control device 3 starts supplying electric power to the heating coil 73. If the substrate W and the SPM on the substrate W are heated by the heat generating member 72, the power supply may be started at the same time as the first chemical solution valve 7 is opened, or the first chemical solution valve 7 may be started. May be before or after the opening. When the power supply to the heating coil 73 is started, an alternating magnetic field is generated in the vicinity of the heating coil 73, and the heat generating member 72 generates heat. Then, when a predetermined time elapses from the start of the power supply, the power supply to the heating coil 73 is stopped. The power supply may be stopped at the same time as the first chemical solution valve 7 is closed, or before or after the first chemical solution valve 7 is closed.

加熱コイル７３への電力供給が開始されると、発熱部材７２が直ぐに所定の高温に達する。発熱部材７２は、たとえば、第１薬液（ＳＰＭ）の沸点よりも高い高温に維持される。発熱部材７２の上面は、基板Ｗの下面から下方に離れているものの、搬送ロボットＲ１のハンドＨ１が基板Ｗと発熱部材７２との間に進入できないほど基板Ｗの下面に近接している。さらに、基板Ｗの全域またはほぼ全域が平面視で発熱部材７２に重なっている。そのため、基板Ｗと基板Ｗ上のＳＰＭとが均一に加熱され、ＳＰＭの処理能力が高まる。これにより、基板ＷがＳＰＭによって効率的に処理される。 When the power supply to the heating coil 73 is started, the heat generating member 72 immediately reaches a predetermined high temperature. The heat generating member 72 is maintained at a high temperature higher than the boiling point of the first chemical solution (SPM), for example. Although the upper surface of the heat generating member 72 is separated downward from the lower surface of the substrate W, it is so close to the lower surface of the substrate W that the hand H1 of the transfer robot R1 cannot enter between the substrate W and the heat generating member 72. Further, the entire area or almost the entire area of the substrate W overlaps the heat generating member 72 in a plan view. Therefore, the substrate W and the SPM on the substrate W are uniformly heated, and the processing capacity of the SPM is increased. As a result, the substrate W is efficiently processed by the SPM.

次に、図１０Ｂに示すように、リンス液の一例である純水を基板Ｗの上面および下面の両方に供給する第１リンス液供給工程が行われる（図９のステップＳ４）。
具体的には、第１リンス液バルブ１５が開かれ、リンス液ノズル１３が純水の吐出を開始する。これにより、純水が、回転している基板Ｗの上面中央部に向けてリンス液ノズル１３から吐出される。基板Ｗの上面に着液した純水は、基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。基板Ｗ上のＳＰＭは、リンス液ノズル１３から吐出された純水によって洗い流される。これにより、基板Ｗの上面全域を覆う純水の液膜が形成される。第１リンス液バルブ１５が開かれてから所定時間が経過すると、第１リンス液バルブ１５が閉じられ、純水の吐出が停止される。 Next, as shown in FIG. 10B, a first rinse liquid supply step of supplying pure water, which is an example of the rinse liquid, to both the upper surface and the lower surface of the substrate W is performed (step S4 in FIG. 9).
Specifically, the first rinse liquid valve 15 is opened, and the rinse liquid nozzle 13 starts discharging pure water. As a result, pure water is discharged from the rinse liquid nozzle 13 toward the center of the upper surface of the rotating substrate W. The pure water that has landed on the upper surface of the substrate W flows outward along the upper surface of the substrate W. The SPM on the substrate W is washed away by the pure water discharged from the rinse liquid nozzle 13. As a result, a liquid film of pure water covering the entire upper surface of the substrate W is formed. When a predetermined time elapses after the first rinse liquid valve 15 is opened, the first rinse liquid valve 15 is closed and the discharge of pure water is stopped.

その一方で、第２リンス液バルブ１８が開かれ、下面ノズル１６が純水の吐出を開始する。これにより、純水が、回転している基板Ｗの下面中央部に向けて下面ノズル１６から吐出される。第２リンス液バルブ１８は、第１リンス液バルブ１５と同時に開かれてもよいし、第１リンス液バルブ１５が開かれる前または後に開かれてもよい。基板Ｗの下面に着液した純水は、基板Ｗの下面に沿って外方に流れる。基板Ｗの下面に付着したＳＰＭのミスト等は、下面ノズル１６から吐出された純水によって洗い流される。第２リンス液バルブ１８が開かれてから所定時間が経過すると、第２リンス液バルブ１８が閉じられ、純水の吐出が停止される。 On the other hand, the second rinse liquid valve 18 is opened, and the lower surface nozzle 16 starts discharging pure water. As a result, pure water is discharged from the lower surface nozzle 16 toward the central portion of the lower surface of the rotating substrate W. The second rinse liquid valve 18 may be opened at the same time as the first rinse liquid valve 15, or may be opened before or after the first rinse liquid valve 15 is opened. The pure water that has landed on the lower surface of the substrate W flows outward along the lower surface of the substrate W. The SPM mist and the like adhering to the lower surface of the substrate W are washed away by the pure water discharged from the lower surface nozzle 16. When a predetermined time elapses after the second rinse liquid valve 18 is opened, the second rinse liquid valve 18 is closed and the discharge of pure water is stopped.

次に、図１０Ｃに示すように、薬液の一例であるＳＣ１を基板Ｗの上面に供給する第２薬液供給工程が行われる（図９のステップＳ５）。
具体的には、第２ノズル移動機構１２が、第２薬液ノズル９を待機位置から処理位置に移動させ、ガード昇降ユニット２９が、第１薬液供給工程のときとは異なるスプラッシュガード２８を基板Ｗの外周部に対向させる。その後、第２薬液バルブ１１が開かれ、第２薬液ノズル９がＳＣ１の吐出を開始する。この状態で、第２ノズル移動機構１２は、第２薬液ノズル９を移動させることにより、基板Ｗの上面に対するＳＣ１の着液位置を中央部と外周部との間で移動させる。第２薬液バルブ１１が開かれてから所定時間が経過すると、第２薬液バルブ１１が閉じられ、ＳＣ１の吐出が停止される。その後、第２ノズル移動機構１２が、第２薬液ノズル９を待機位置に退避させる。 Next, as shown in FIG. 10C, a second chemical solution supply step of supplying SC1 which is an example of the chemical solution to the upper surface of the substrate W is performed (step S5 in FIG. 9).
Specifically, the second nozzle moving mechanism 12 moves the second chemical solution nozzle 9 from the standby position to the processing position, and the guard elevating unit 29 attaches a splash guard 28 different from that in the first chemical solution supply step to the substrate W. Facing the outer peripheral part of. After that, the second chemical solution valve 11 is opened, and the second chemical solution nozzle 9 starts discharging SC1. In this state, the second nozzle moving mechanism 12 moves the second chemical solution nozzle 9 to move the liquid landing position of SC1 with respect to the upper surface of the substrate W between the central portion and the outer peripheral portion. When a predetermined time elapses after the second chemical solution valve 11 is opened, the second chemical solution valve 11 is closed and the discharge of SC1 is stopped. After that, the second nozzle moving mechanism 12 retracts the second chemical solution nozzle 9 to the standby position.

第２薬液ノズル９から吐出されたＳＣ１は、基板Ｗの上面に着液した後、遠心力によって基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。そのため、ＳＣ１が基板Ｗの上面全域に供給され、基板Ｗの上面全域を覆うＳＣ１の液膜が基板Ｗ上に形成される。これにより、パーティクルなどの異物がＳＣ１によって基板Ｗから除去される。さらに、第２ノズル移動機構１２は、基板Ｗが回転している状態で、基板Ｗの上面に対するＳＣ１の着液位置を中央部と外周部との間で移動させるので、ＳＣ１の着液位置が基板Ｗの上面全域を通過し、基板Ｗの上面全域が走査される。そのため、ＳＣ１が基板Ｗの上面全域に直接吹き付けられ、基板Ｗの上面全域が均一に処理される。 The SC1 discharged from the second chemical solution nozzle 9 lands on the upper surface of the substrate W and then flows outward along the upper surface of the substrate W by centrifugal force. Therefore, SC1 is supplied to the entire upper surface of the substrate W, and a liquid film of SC1 covering the entire upper surface of the substrate W is formed on the substrate W. As a result, foreign matter such as particles is removed from the substrate W by SC1. Further, since the second nozzle moving mechanism 12 moves the liquid landing position of the SC1 with respect to the upper surface of the board W between the central portion and the outer peripheral portion while the substrate W is rotating, the liquid landing position of the SC1 is changed. It passes through the entire upper surface of the substrate W and is scanned over the entire upper surface of the substrate W. Therefore, SC1 is directly sprayed on the entire upper surface of the substrate W, and the entire upper surface of the substrate W is uniformly processed.

次に、図１０Ｂに示すように、リンス液の一例である純水を基板Ｗの上面および下面の両方に供給する第２リンス液供給工程が行われる（図９のステップＳ６）。
具体的には、第１リンス液バルブ１５が開かれ、リンス液ノズル１３が純水の吐出を開始する。これにより、純水が、回転している基板Ｗの上面中央部に向けてリンス液ノズル１３から吐出される。基板Ｗの上面に着液した純水は、基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。基板Ｗ上のＳＣ１は、リンス液ノズル１３から吐出された純水によって洗い流される。これにより、基板Ｗの上面全域を覆う純水の液膜が形成される。第１リンス液バルブ１５が開かれてから所定時間が経過すると、第１リンス液バルブ１５が閉じられ、純水の吐出が停止される。 Next, as shown in FIG. 10B, a second rinse liquid supply step of supplying pure water, which is an example of the rinse liquid, to both the upper surface and the lower surface of the substrate W is performed (step S6 in FIG. 9).
Specifically, the first rinse liquid valve 15 is opened, and the rinse liquid nozzle 13 starts discharging pure water. As a result, pure water is discharged from the rinse liquid nozzle 13 toward the center of the upper surface of the rotating substrate W. The pure water that has landed on the upper surface of the substrate W flows outward along the upper surface of the substrate W. The SC1 on the substrate W is washed away by the pure water discharged from the rinse liquid nozzle 13. As a result, a liquid film of pure water covering the entire upper surface of the substrate W is formed. When a predetermined time elapses after the first rinse liquid valve 15 is opened, the first rinse liquid valve 15 is closed and the discharge of pure water is stopped.

その一方で、第２リンス液バルブ１８が開かれ、下面ノズル１６が純水の吐出を開始する。これにより、純水が、回転している基板Ｗの下面中央部に向けて下面ノズル１６から吐出される。第２リンス液バルブ１８は、第１リンス液バルブ１５と同時に開かれてもよいし、第１リンス液バルブ１５が開かれる前または後に開かれてもよい。基板Ｗの下面に着液した純水は、基板Ｗの下面に沿って外方に流れる。基板Ｗの下面に付着したＳＣ１のミスト等は、下面ノズル１６から吐出された純水によって洗い流される。第２リンス液バルブ１８が開かれてから所定時間が経過すると、第２リンス液バルブ１８が閉じられ、純水の吐出が停止される。 On the other hand, the second rinse liquid valve 18 is opened, and the lower surface nozzle 16 starts discharging pure water. As a result, pure water is discharged from the lower surface nozzle 16 toward the central portion of the lower surface of the rotating substrate W. The second rinse liquid valve 18 may be opened at the same time as the first rinse liquid valve 15, or may be opened before or after the first rinse liquid valve 15 is opened. The pure water that has landed on the lower surface of the substrate W flows outward along the lower surface of the substrate W. The SC1 mist and the like adhering to the lower surface of the substrate W are washed away by the pure water discharged from the lower surface nozzle 16. When a predetermined time elapses after the second rinse liquid valve 18 is opened, the second rinse liquid valve 18 is closed and the discharge of pure water is stopped.

次に、図１０Ｄに示すように、有機溶剤の一例であるＩＰＡ（液体）を基板Ｗに供給する溶剤供給工程（図９のステップＳ７）と、基板Ｗ上のＩＰＡと基板Ｗとを加熱する第２加熱工程（図９のステップＳ８）とが、並行して行われる。
溶剤供給工程に関しては、第４ノズル移動機構２５が、溶剤ノズル１９を待機位置から処理位置に移動させ、ガード昇降ユニット２９が、第１および第２薬液供給工程のときとは異なるスプラッシュガード２８を基板Ｗの外周部に対向させる。その後、溶剤バルブ２１が開かれ、溶剤ノズル１９がＩＰＡの吐出を開始する。これにより、ＩＰＡが、回転している基板Ｗの上面中央部に向けて溶剤ノズル１９から吐出される。基板Ｗの上面に着液したＩＰＡは、基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。基板Ｗ上の純水の液膜は、基板Ｗの上面全域を覆うＩＰＡの液膜に置換される。溶剤バルブ２１が開かれてから所定時間が経過すると、溶剤バルブ２１が閉じられ、溶剤の吐出が停止される。 Next, as shown in FIG. 10D, a solvent supply step of supplying IPA (liquid), which is an example of an organic solvent, to the substrate W (step S7 in FIG. 9), and heating the IPA and the substrate W on the substrate W. The second heating step (step S8 in FIG. 9) is performed in parallel.
Regarding the solvent supply step, the fourth nozzle moving mechanism 25 moves the solvent nozzle 19 from the standby position to the processing position, and the guard elevating unit 29 provides a splash guard 28 different from that in the first and second chemical supply steps. It faces the outer peripheral portion of the substrate W. After that, the solvent valve 21 is opened, and the solvent nozzle 19 starts discharging IPA. As a result, the IPA is discharged from the solvent nozzle 19 toward the center of the upper surface of the rotating substrate W. The IPA that has landed on the upper surface of the substrate W flows outward along the upper surface of the substrate W. The liquid film of pure water on the substrate W is replaced with the liquid film of IPA that covers the entire upper surface of the substrate W. When a predetermined time elapses after the solvent valve 21 is opened, the solvent valve 21 is closed and the discharge of the solvent is stopped.

第２加熱工程に関しては、制御装置３が加熱コイル７３への電力供給を開始する。基板Ｗと基板Ｗ上のＩＰＡとが発熱部材７２によって加熱されるのであれば、電力供給の開始は、溶剤バルブ２１が開かれるのと同時であってもよいし、溶剤バルブ２１が開かれる前または後であってもよい。加熱コイル７３への電力供給が開始されると、交番磁界が加熱コイル７３の近傍に発生し、発熱部材７２が発熱する。これにより、基板Ｗの加熱が開始される。そして、電力供給の開始から所定時間が経過すると、加熱コイル７３への電力供給が停止される。加熱コイル７３への電力供給は、たとえば、後述する乾燥工程において基板Ｗが乾燥するまで継続される。 Regarding the second heating step, the control device 3 starts supplying electric power to the heating coil 73. If the substrate W and the IPA on the substrate W are heated by the heat generating member 72, the power supply may be started at the same time as the solvent valve 21 is opened, or before the solvent valve 21 is opened. Or it may be later. When the power supply to the heating coil 73 is started, an alternating magnetic field is generated in the vicinity of the heating coil 73, and the heat generating member 72 generates heat. As a result, heating of the substrate W is started. Then, when a predetermined time elapses from the start of the power supply, the power supply to the heating coil 73 is stopped. The power supply to the heating coil 73 is continued until, for example, the substrate W is dried in the drying step described later.

加熱コイル７３への電力供給が開始されると、発熱部材７２が直ぐに所定の高温に達する。発熱部材７２の各部は、ＩＰＡの沸点以上の温度に維持される。基板Ｗの温度は、基板Ｗの上面全域がＩＰＡの液膜で覆われた状態で、ＩＰＡの沸点以上の値に達する。これにより、ＩＰＡと基板Ｗの上面との界面でＩＰＡが蒸発し、ＩＰＡの液膜と基板Ｗの上面との間に気体層が形成される。このとき、ＩＰＡの液膜は基板Ｗの上面から浮上するので、基板Ｗ上のＩＰＡの液膜に働く摩擦抵抗は、零と見なせるほど小さい。そのため、ＩＰＡの液膜は、基板Ｗの上面に沿って滑り易い状態にある。ＩＰＡの液膜は、以下に述べるＩＰＡ除去工程で基板Ｗから除去される。 When the power supply to the heating coil 73 is started, the heat generating member 72 immediately reaches a predetermined high temperature. Each part of the heat generating member 72 is maintained at a temperature equal to or higher than the boiling point of IPA. The temperature of the substrate W reaches a value equal to or higher than the boiling point of IPA in a state where the entire upper surface of the substrate W is covered with the liquid film of IPA. As a result, the IPA evaporates at the interface between the IPA and the upper surface of the substrate W, and a gas layer is formed between the liquid film of the IPA and the upper surface of the substrate W. At this time, since the liquid film of IPA floats from the upper surface of the substrate W, the frictional resistance acting on the liquid film of IPA on the substrate W is so small that it can be regarded as zero. Therefore, the liquid film of IPA is in a slippery state along the upper surface of the substrate W. The liquid film of IPA is removed from the substrate W in the IPA removing step described below.

溶剤供給工程が行われた後は、図１０Ｅに示すように、基板Ｗの上からＩＰＡを除去するＩＰＡ除去工程が行われる（図９のステップＳ９）。
具体的には、気体ノズル２２は、溶剤供給工程において既に処理位置に配置されている。この状態で、気体バルブ２４が開かれ、気体ノズル２２が窒素ガスの吐出を開始する。気体ノズル２２は、ＩＰＡの液膜で覆われた基板Ｗの上面に向けて窒素ガスを吐出する。また、スピンモータ３６が基板Ｗを回転方向に加速させ、ＩＰＡ供給工程のときよりも大きい除去回転速度で基板Ｗを回転させる。気体ノズル２２が窒素ガスを吐出しているときに、除去回転速度で基板Ｗが回転するのであれば、基板Ｗの加速は、気体バルブ２４が開かれるのと同時であってもよいし、気体バルブ２４が開かれる前または後であってもよい。窒素ガスの吐出は、後述する乾燥工程において基板Ｗが乾燥するまで継続される。 After the solvent supply step is performed, as shown in FIG. 10E, the IPA removal step of removing the IPA from the top of the substrate W is performed (step S9 in FIG. 9).
Specifically, the gas nozzle 22 is already arranged at the processing position in the solvent supply step. In this state, the gas valve 24 is opened and the gas nozzle 22 starts discharging nitrogen gas. The gas nozzle 22 discharges nitrogen gas toward the upper surface of the substrate W covered with the liquid film of IPA. Further, the spin motor 36 accelerates the substrate W in the rotation direction, and rotates the substrate W at a removal rotation speed larger than that in the IPA supply process. If the substrate W rotates at the removal rotation speed when the gas nozzle 22 is discharging nitrogen gas, the acceleration of the substrate W may be performed at the same time as the gas valve 24 is opened, or the gas. It may be before or after the valve 24 is opened. The discharge of nitrogen gas is continued until the substrate W is dried in the drying step described later.

気体ノズル２２は、ＩＰＡの液膜と基板Ｗの上面との間に気体層が形成されている状態で、基板Ｗの上面内の吹き付け位置に向けて窒素ガスを吐出する。吹き付け位置にあるＩＰＡは、窒素ガスの供給によってその周囲に押し退けられる。これにより、乾燥領域が吹き付け位置に形成される。さらに、窒素ガスに押されたＩＰＡが吹き付け位置からその周囲に移動するので、窒素ガスの供給をきっかけに、基板Ｗの外周部に向かう外向きの流れがＩＰＡの液膜に形成される。さらに、窒素ガスの供給と並行して基板Ｗが回転方向に加速されるので、この流れが遠心力で促進される。これにより、基板Ｗ上のＩＰＡの液膜は、多数の小滴に分裂することなく、塊のまま基板Ｗから排除される。そのため、基板Ｗから浮上するＩＰＡの液膜を基板Ｗから素早く短時間で排除できる。 The gas nozzle 22 discharges nitrogen gas toward a spraying position in the upper surface of the substrate W in a state where a gas layer is formed between the liquid film of the IPA and the upper surface of the substrate W. The IPA in the spray position is pushed around by the supply of nitrogen gas. As a result, a dry area is formed at the spraying position. Further, since the IPA pushed by the nitrogen gas moves from the spraying position to the surroundings, an outward flow toward the outer peripheral portion of the substrate W is formed on the liquid film of the IPA, triggered by the supply of the nitrogen gas. Further, since the substrate W is accelerated in the rotational direction in parallel with the supply of nitrogen gas, this flow is promoted by centrifugal force. As a result, the liquid film of IPA on the substrate W is removed from the substrate W as a lump without splitting into a large number of droplets. Therefore, the liquid film of IPA floating from the substrate W can be quickly and quickly removed from the substrate W.

次に、図１０Ｆに示すように、基板Ｗに付着している液体を遠心力で振り切ることにより基板Ｗを乾燥させる乾燥工程が行われる（図９のステップＳ１０）。
具体的には、スピンモータ３６が基板Ｗを回転方向に加速させ、除去回転速度よりも大きい高回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）で基板Ｗを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板Ｗに付着している液体に加わり、液体が基板Ｗからその周囲に振り切られる。さらに、発熱部材７２が発熱を続けているので、基板Ｗ上の液体の蒸発が促進される。同様に、気体ノズル２２が窒素ガスの吐出を続けているので、基板Ｗ上の液体の蒸発が促進される。これにより、基板Ｗが短時間で乾燥する。基板Ｗの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、スピンモータ３６が回転を停止する。また、加熱コイル７３への電力供給が停止され、気体バルブ２４が閉じられる。 Next, as shown in FIG. 10F, a drying step of drying the substrate W by shaking off the liquid adhering to the substrate W by centrifugal force is performed (step S10 in FIG. 9).
Specifically, the spin motor 36 accelerates the substrate W in the rotational direction and rotates the substrate W at a high rotational speed (for example, several thousand rpm) higher than the removal rotational speed. As a result, a large centrifugal force is applied to the liquid adhering to the substrate W, and the liquid is shaken off from the substrate W to its surroundings. Further, since the heat generating member 72 continues to generate heat, evaporation of the liquid on the substrate W is promoted. Similarly, since the gas nozzle 22 continues to discharge nitrogen gas, evaporation of the liquid on the substrate W is promoted. As a result, the substrate W dries in a short time. When a predetermined time elapses from the start of high-speed rotation of the substrate W, the spin motor 36 stops rotating. Further, the power supply to the heating coil 73 is stopped, and the gas valve 24 is closed.

次に、基板Ｗをチャンバー４から搬出する搬出工程が行われる（図９のステップＳ１１）。
具体的には、全てのスプラッシュガード２８が下位置に配置され、第１薬液ノズル５を含む全ての可動ノズルが待機位置に配置される。さらに、全てのチャック部材３２が上位置に配置される。この状態で、前述のように、全ての可動チャック３２ａが開位置に配置される。可動チャック３２ａが開位置に移動すると、基板Ｗは、チャック部材３２の把持部３８ａから離れ、チャック部材３２の支持部３８ｂに支持される。この状態で、搬送ロボットＲ１は、ハンドＨ１を基板Ｗと発熱部材７２との間に進入させ、ハンドＨ１を上昇させる。ハンドＨ１が上昇する過程で、基板Ｗは、全てのチャック部材３２の支持部３８ｂから離れ、搬送ロボットＲ１のハンドＨ１に支持される。その後、搬送ロボットＲ１は、基板ＷをハンドＨ１で支持しながら、ハンドＨ１をチャンバー４の内部から退避させる。これにより、基板Ｗがチャンバー４から搬出される。 Next, a unloading step of unloading the substrate W from the chamber 4 is performed (step S11 in FIG. 9).
Specifically, all the splash guards 28 are arranged in the lower position, and all the movable nozzles including the first chemical solution nozzle 5 are arranged in the standby position. Further, all the chuck members 32 are arranged in the upper position. In this state, as described above, all the movable chucks 32a are arranged in the open position. When the movable chuck 32a moves to the open position, the substrate W separates from the grip portion 38a of the chuck member 32 and is supported by the support portion 38b of the chuck member 32. In this state, the transfer robot R1 causes the hand H1 to enter between the substrate W and the heat generating member 72, and raises the hand H1. In the process of raising the hand H1, the substrate W separates from the support portions 38b of all the chuck members 32 and is supported by the hand H1 of the transfer robot R1. After that, the transfer robot R1 retracts the hand H1 from the inside of the chamber 4 while supporting the substrate W with the hand H1. As a result, the substrate W is carried out of the chamber 4.

以上のように本実施形態では、スピンモータ３６が可動チャック３２ａと共に従動部５５を基板Ｗの回転軸線Ａ１まわりに回転させる。ガード昇降ユニット２９は、スプラッシュガード２８Ａと共に駆動部５６を鉛直方向に移動させる。スピンモータ３６およびガード昇降ユニット２９は、制御装置３によって制御される。
従動部５５および駆動部５６は、互いに離れた状態で水平または鉛直な対向方向に対向する。その後、従動部５５および駆動部５６が互いに接触し、駆動部５６が従動部５５を対向方向に押す。これにより、可動チャック３２ａが開位置に配置される。その後、従動部５５および駆動部５６が互いに離れる。可動チャック３２ａは、把持力発生部材の一例であるコイルバネ５１の力で閉位置の方に戻される。 As described above, in the present embodiment, the spin motor 36 rotates the driven portion 55 together with the movable chuck 32a around the rotation axis A1 of the substrate W. The guard elevating unit 29 moves the drive unit 56 in the vertical direction together with the splash guard 28A. The spin motor 36 and the guard elevating unit 29 are controlled by the control device 3.
The driven unit 55 and the driving unit 56 face each other in a horizontally or vertically opposed direction while being separated from each other. After that, the driven unit 55 and the driven unit 56 come into contact with each other, and the driven unit 56 pushes the driven unit 55 in the opposite direction. As a result, the movable chuck 32a is arranged in the open position. After that, the driven unit 55 and the driving unit 56 are separated from each other. The movable chuck 32a is returned to the closed position by the force of the coil spring 51, which is an example of the gripping force generating member.

このように、スピンモータ３６が可動チャック３２ａを開位置に方に移動させるオープン用のアクチュエータを兼ねているので、専用のオープン用のアクチュエータを設ける必要がない。そのため、可動チャック３２ａを開閉するチャック開閉機構３４を簡素化することができる。さらに、駆動部５６が従動部５５に接触し、従動部５５を押すので、磁力で可動チャック３２ａを開位置の方に移動させる場合と比較して、可動チャック３２ａを確実に開位置の方に移動させることができる。 As described above, since the spin motor 36 also serves as an opening actuator for moving the movable chuck 32a toward the open position, it is not necessary to provide a dedicated opening actuator. Therefore, the chuck opening / closing mechanism 34 for opening / closing the movable chuck 32a can be simplified. Further, since the driving unit 56 comes into contact with the driven unit 55 and pushes the driven unit 55, the movable chuck 32a is surely moved toward the open position as compared with the case where the movable chuck 32a is moved toward the open position by magnetic force. Can be moved.

本実施形態では、ＩＨ加熱機構７１のＩＨ回路７４は、基板Ｗが回転しているときに、加熱コイル７３に電力を供給する。これにより、発熱部材７２に加わる交番磁界が発生し、発熱部材７２が発熱する。基板Ｗを処理する処理流体は、回転している基板Ｗに供給される。これにより、基板Ｗを均一に処理できる。
発熱部材７２は誘導加熱によって加熱されるので、発熱部材７２に電力を供給する配線やコネクターを発熱部材７２に接続する必要がない。そのため、このような構造によって基板Ｗの回転速度が制限されることはない。さらに、基板Ｗを加熱する発熱部材７２は、スピンベース３３の内部ではなく、基板Ｗとスピンベース３３との間に配置される。したがって、発熱部材７２がスピンベース３３の内部に配置されている場合と比較して、基板Ｗと発熱部材７２との間隔を短縮でき、基板Ｗの加熱効率を高めることができる。 In the present embodiment, the IH circuit 74 of the IH heating mechanism 71 supplies electric power to the heating coil 73 when the substrate W is rotating. As a result, an alternating magnetic field applied to the heat generating member 72 is generated, and the heat generating member 72 generates heat. The processing fluid for processing the substrate W is supplied to the rotating substrate W. As a result, the substrate W can be uniformly processed.
Since the heat generating member 72 is heated by induction heating, it is not necessary to connect the wiring or the connector for supplying electric power to the heat generating member 72 to the heat generating member 72. Therefore, the rotation speed of the substrate W is not limited by such a structure. Further, the heat generating member 72 that heats the substrate W is arranged between the substrate W and the spin base 33, not inside the spin base 33. Therefore, as compared with the case where the heat generating member 72 is arranged inside the spin base 33, the distance between the substrate W and the heat generating member 72 can be shortened, and the heating efficiency of the substrate W can be improved.

本実施形態では、加熱コイル７３がスピンベース３３の近くに配置されている。つまり、図８Ａに示すように、加熱コイル７３とスピンベース３３との上下方向の間隔Ｄ２は、加熱コイル７３の厚みＴ２よりも狭い。加熱コイル７３は、スピンベース３３の下方に配置されており、発熱部材７２は、スピンベース３３の上方に配置されている。加熱コイル７３をスピンベース３３に近づけると、加熱コイル７３から発熱部材７２までの距離が短縮される。これにより、発熱部材７２に加わる交番磁界が強くなるので、加熱コイル７３に供給される電力を効率的に発熱部材７２の熱に変換することができる。 In this embodiment, the heating coil 73 is arranged near the spin base 33. That is, as shown in FIG. 8A, the vertical distance D2 between the heating coil 73 and the spin base 33 is narrower than the thickness T2 of the heating coil 73. The heating coil 73 is arranged below the spin base 33, and the heat generating member 72 is arranged above the spin base 33. When the heating coil 73 is brought closer to the spin base 33, the distance from the heating coil 73 to the heat generating member 72 is shortened. As a result, the alternating magnetic field applied to the heat generating member 72 becomes stronger, so that the electric power supplied to the heating coil 73 can be efficiently converted into the heat of the heat generating member 72.

本実施形態では、スピンベース３３の厚みＴ３が低減されている。つまり、スピンベース３３の厚みＴ３は、加熱コイル７３の厚みＴ２よりも小さい。スピンベース３３が厚いと、加熱コイル７３から発熱部材７２までの距離が増加するだけなく、発熱部材７２に加わる交番磁界が弱まる。そのため、スピンベース３３の厚みＴ３を低減することにより、発熱部材７２を効率的に温度上昇させることができる。 In this embodiment, the thickness T3 of the spin base 33 is reduced. That is, the thickness T3 of the spin base 33 is smaller than the thickness T2 of the heating coil 73. When the spin base 33 is thick, not only the distance from the heating coil 73 to the heat generating member 72 increases, but also the alternating magnetic field applied to the heat generating member 72 weakens. Therefore, by reducing the thickness T3 of the spin base 33, the temperature of the heat generating member 72 can be efficiently raised.

本実施形態では、基板Ｗと発熱部材７２との間に他の部材が介在しておらず、発熱部材７２が基板Ｗに直接対向している。そのため、発熱部材７２の熱が効率的に基板Ｗに伝達される。これにより、基板Ｗの加熱効率を高めることができる。
本実施形態では、間隔変更機構６１が、複数のチャック部材３２と発熱部材７２とを上下方向に相対的に移動させる。これにより、複数のチャック部材３２に把持されている基板Ｗと発熱部材７２との上下方向の間隔が変更される。したがって、発熱部材７２から基板Ｗまでの距離を必要に応じて変更することができる。 In the present embodiment, no other member is interposed between the substrate W and the heat generating member 72, and the heat generating member 72 directly faces the substrate W. Therefore, the heat of the heat generating member 72 is efficiently transferred to the substrate W. Thereby, the heating efficiency of the substrate W can be increased.
In the present embodiment, the interval changing mechanism 61 relatively moves the plurality of chuck members 32 and the heat generating member 72 in the vertical direction. As a result, the vertical distance between the substrate W gripped by the plurality of chuck members 32 and the heat generating member 72 is changed. Therefore, the distance from the heat generating member 72 to the substrate W can be changed as needed.

本実施形態では、複数のチャック部材３２が退避位置としての上位置に位置している退避状態で、搬送ロボットＲ１が、ハンドＨ１上に支持された基板Ｗを複数のチャック部材３２の上に置く。次に、搬送ロボットＲ１は、ハンドＨ１を下降させ基板Ｗから離す。その後、搬送ロボットＲ１は、ハンドＨ１を基板Ｗと発熱部材７２との間から退避させる。基板Ｗが複数のチャック部材３２から取られるときは、退避状態でハンドＨ１が基板Ｗと発熱部材７２との間に差し込まれる。その後、搬送ロボットＲ１がハンドＨ１を上昇させる。これにより、基板Ｗが複数のチャック部材３２から離れ、ハンドＨ１に支持される。 In the present embodiment, the transfer robot R1 places the substrate W supported on the hand H1 on the plurality of chuck members 32 in the retracted state in which the plurality of chuck members 32 are located at the upper positions as the evacuation positions. .. Next, the transfer robot R1 lowers the hand H1 and separates it from the substrate W. After that, the transfer robot R1 retracts the hand H1 from between the substrate W and the heat generating member 72. When the substrate W is taken from the plurality of chuck members 32, the hand H1 is inserted between the substrate W and the heat generating member 72 in the retracted state. After that, the transfer robot R1 raises the hand H1. As a result, the substrate W is separated from the plurality of chuck members 32 and supported by the hand H1.

加熱効率の観点からすると、発熱部材７２は、基板Ｗの近くに配置されていることが好ましい。しかしながら、発熱部材７２が基板Ｗに近すぎると、基板Ｗと発熱部材７２との間にハンドＨ１を進入させることができず、基板Ｗを複数のチャック部材３２に置いたり、複数のチャック部材３２から取ったりすることができない。前述のように、基板Ｗの受け渡しは退避状態で行われる。その一方で、基板Ｗの加熱は、複数のチャック部材３２が近接位置としての下位置に位置している近接状態で行われる。したがって、基板Ｗの加熱効率を低下させずに、基板Ｗの受け渡しを行うことができる。 From the viewpoint of heating efficiency, it is preferable that the heat generating member 72 is arranged near the substrate W. However, if the heat generating member 72 is too close to the substrate W, the hand H1 cannot enter between the substrate W and the heat generating member 72, and the substrate W may be placed on the plurality of chuck members 32 or the plurality of chuck members 32. Can't be taken from. As described above, the transfer of the substrate W is performed in the retracted state. On the other hand, the heating of the substrate W is performed in a proximity state in which the plurality of chuck members 32 are located at lower positions as proximity positions. Therefore, the substrate W can be delivered without lowering the heating efficiency of the substrate W.

本実施形態では、複数のチャック部材３２が、スピンベース３３に対して閉位置と開位置との間で移動可能な可動チャック３２ａを含む。基板Ｗと発熱部材７２との上下方向の間隔は、複数のチャック部材３２をスピンベース３３に対して上下方向に移動させることにより変更される。したがって、可動チャック３２ａは、スピンベース３３に対して閉位置と開位置との間で移動可能であるだけでなく、スピンベース３３に対して上下方向に移動可能である。このように、基板Ｗと発熱部材７２との上下方向の間隔を変更するために発熱部材７２を上下方向に移動させる必要がないから、発熱部材７２を支持する構造を簡素化できる。 In this embodiment, the plurality of chuck members 32 include a movable chuck 32a that can move between a closed position and an open position with respect to the spin base 33. The vertical distance between the substrate W and the heat generating member 72 is changed by moving the plurality of chuck members 32 in the vertical direction with respect to the spin base 33. Therefore, the movable chuck 32a is not only movable with respect to the spin base 33 between the closed position and the open position, but is also movable with respect to the spin base 33 in the vertical direction. As described above, since it is not necessary to move the heat generating member 72 in the vertical direction in order to change the vertical distance between the substrate W and the heat generating member 72, the structure for supporting the heat generating member 72 can be simplified.

本実施形態では、磁気を吸収する磁気遮断部材７７の外壁部７７ａが、加熱コイル７３を取り囲んでいる。さらに、磁気を吸収する磁気遮断部材７７の下壁部７７ｂが、加熱コイル７３の下方に位置している。したがって、加熱コイル７３のまわりに位置する部材に及ぶ交番磁界の影響を抑えるまたは無くすことができる。同様に、加熱コイル７３の下方に位置する部材に及ぶ交番磁界の影響を抑えるまたは無くすことができる。 In the present embodiment, the outer wall portion 77a of the magnetic blocking member 77 that absorbs magnetism surrounds the heating coil 73. Further, the lower wall portion 77b of the magnetic blocking member 77 that absorbs magnetism is located below the heating coil 73. Therefore, the influence of the alternating magnetic field affecting the members located around the heating coil 73 can be suppressed or eliminated. Similarly, the influence of the alternating magnetic field affecting the member located below the heating coil 73 can be suppressed or eliminated.

本実施形態では、発熱部材７２の温度を検出する温度計７５の検出値が、制御装置３に入力される。制御装置３は、この検出値に基づいて加熱コイル７３に供給される電力を制御する。これにより、発熱部材７２の温度を高い精度で目標温度に近づけることができる。
本実施形態では、下面ノズル１６が基板Ｗの下面に向けて処理流体を吐出する。下面ノズル１６は、発熱部材７２の中央部を上下方向に貫通する貫通穴７２ｃ内に平面視で配置されている。したがって、下面ノズル１６から吐出された処理流体が発熱部材７２に妨げられることを抑制または防止できる。これにより、処理流体を基板Ｗの下面に確実に供給することができる。 In the present embodiment, the detection value of the thermometer 75 that detects the temperature of the heat generating member 72 is input to the control device 3. The control device 3 controls the electric power supplied to the heating coil 73 based on this detected value. As a result, the temperature of the heat generating member 72 can be brought close to the target temperature with high accuracy.
In the present embodiment, the lower surface nozzle 16 discharges the processing fluid toward the lower surface of the substrate W. The lower surface nozzle 16 is arranged in a plan view in a through hole 72c that penetrates the central portion of the heat generating member 72 in the vertical direction. Therefore, it is possible to suppress or prevent the processing fluid discharged from the lower surface nozzle 16 from being hindered by the heat generating member 72. As a result, the processing fluid can be reliably supplied to the lower surface of the substrate W.

本実施形態では、可動チャック３２ａが鉛直なチャック回動軸線Ａ２まわりに回動する。この場合、チャック回動軸線Ａ２が水平な直線である場合と比較して、可動チャック３２ａが通過する通過空間の体積を減らし易い。特に、チャック回動軸線Ａ２が可動チャック３２ａの中心線に一致する場合は、通過空間の体積を可動チャック３２ａの体積に一致またはほぼ一致させることができる。 In this embodiment, the movable chuck 32a rotates around the vertical chuck rotation axis A2. In this case, it is easy to reduce the volume of the passing space through which the movable chuck 32a passes, as compared with the case where the chuck rotation axis A2 is a horizontal straight line. In particular, when the chuck rotation axis A2 coincides with the center line of the movable chuck 32a, the volume of the passing space can coincide with or substantially coincide with the volume of the movable chuck 32a.

第２実施形態
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第１実施形態に対する第２実施形態の主要な相違点は、複数のチャック部材３２ではなく、発熱部材７２が昇降することと、可動チャック３２ａが水平なチャック回動軸線Ａ２まわりに回動可能であることである。
図１１は、本発明の第２実施形態に係るスピンチャック３１の鉛直断面を示す模式図である。図１２は、図１１に示す矢印ＸＩＩの方向に可動チャック３２ａを見た模式的な平面図である。図１３は、可動チャック３２ａが開位置に達するまで従動部が駆動部によって鉛直に押された状態を示す模式的な断面図である。図１１は、可動チャック３２ａが閉位置に位置している状態を示しており、図１３は、可動チャック３２ａが閉位置に位置している状態を示している。図１１〜図１３において、前述の図１〜図１０Ｆに示された各部と同等の構成については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。 Second Embodiment Next, the second embodiment of the present invention will be described. The main difference between the first embodiment and the second embodiment is that the heat generating member 72 moves up and down instead of the plurality of chuck members 32, and the movable chuck 32a can rotate around the horizontal chuck rotation axis A2. There is.
FIG. 11 is a schematic view showing a vertical cross section of the spin chuck 31 according to the second embodiment of the present invention. FIG. 12 is a schematic plan view of the movable chuck 32a in the direction of arrow XII shown in FIG. FIG. 13 is a schematic cross-sectional view showing a state in which the driven portion is vertically pushed by the driving portion until the movable chuck 32a reaches the open position. FIG. 11 shows a state in which the movable chuck 32a is located in the closed position, and FIG. 13 shows a state in which the movable chuck 32a is located in the closed position. In FIGS. 11 to 13, the same reference numerals as those in FIGS. 1 and the like are added to the same configurations as those shown in FIGS. 1 to 10F, and the description thereof will be omitted.

固定チャック３２ｂ（図３参照）は、スピンベース３３に固定されている。可動チャック３２ａは、水平なチャック回動軸線Ａ２まわりに回動可能にスピンベース３３に保持されている。
図１２に示すように、可動チャック３２ａは、水平に延びる支持軸２８１と支持軸２８１が挿入された支持穴２８２とを介して、スピンベース３３に支持されている。支持軸２８１は、可動チャック３２ａに設けられており、支持穴２８２は、スピンベース３３に設けられている。支持軸２８１がスピンベース３３に設けられ、支持穴２８２が可動チャック３２ａに設けられてもよい。 The fixed chuck 32b (see FIG. 3) is fixed to the spin base 33. The movable chuck 32a is rotatably held by the spin base 33 around the horizontal chuck rotation axis A2.
As shown in FIG. 12, the movable chuck 32a is supported by the spin base 33 via a horizontally extending support shaft 281 and a support hole 282 into which the support shaft 281 is inserted. The support shaft 281 is provided on the movable chuck 32a, and the support hole 282 is provided on the spin base 33. The support shaft 281 may be provided on the spin base 33 and the support hole 282 may be provided on the movable chuck 32a.

一対の支持軸２８１は、可動チャック３２ａから互いに反対の方に延びている。一対の支持軸２８１は、同一の直線上に位置している。支持軸２８１は、回転軸線Ａ１（図１１参照）を取り囲む円の接線方向に水平に延びている。支持穴２８２は、スピンベース３３に設けられた貫通部３３ｐの内面から凹んでいる。一対の支持軸２８１は、それぞれ、一対の支持穴２８２に挿入されている。 The pair of support shafts 281 extend in opposite directions from the movable chuck 32a. The pair of support shafts 281 are located on the same straight line. The support shaft 281 extends horizontally in the tangential direction of the circle surrounding the rotation axis A1 (see FIG. 11). The support hole 282 is recessed from the inner surface of the penetration portion 33p provided in the spin base 33. Each of the pair of support shafts 281 is inserted into the pair of support holes 282.

可動チャック３２ａは、支持軸２８１の中心線に相当する水平なチャック回動軸線Ａ２まわりにスピンベース３３に対して移動可能である。図１１に示すように、チャック回動軸線Ａ２は、スピンベース３３の上面よりも下方に配置されている。可動チャック３２ａの上端部は、チャック回動軸線Ａ２まわりの可動チャック３２ａの回動に伴って径方向に移動する。スピンベース３３の貫通部３３ｐは、スピンベース３３の外周面から内方に延びる切欠きである。スピンベース３３の貫通部３３ｐは、スカート６３の貫通部６３ｐに連通している。スカート６３の貫通部６３ｐは、スカート６３を径方向に貫通している。スカート６３の貫通部６３ｐは、スカート６３の上面から下方に延びる切欠きである。 The movable chuck 32a is movable with respect to the spin base 33 around the horizontal chuck rotation axis A2 corresponding to the center line of the support shaft 281. As shown in FIG. 11, the chuck rotation axis A2 is arranged below the upper surface of the spin base 33. The upper end of the movable chuck 32a moves in the radial direction as the movable chuck 32a rotates around the chuck rotation axis A2. The penetrating portion 33p of the spin base 33 is a notch extending inward from the outer peripheral surface of the spin base 33. The penetrating portion 33p of the spin base 33 communicates with the penetrating portion 63p of the skirt 63. The penetrating portion 63p of the skirt 63 penetrates the skirt 63 in the radial direction. The penetrating portion 63p of the skirt 63 is a notch extending downward from the upper surface of the skirt 63.

図１３に示すように、コイルバネ５１は、可動チャック３２ａの内方に配置されている。コイルバネ５１の一端部（外端部）は、可動チャック３２ａに保持されている。コイルバネ５１の他端部（内端部）は、スピンベース３３に設けられた保持部５３に保持されている。コイルバネ５１は、チャック回動軸線Ａ２よりも下方に配置されている。コイルバネ５１は、チャック回動軸線Ａ２よりも内方に配置されている。コイルバネ５１は、可動チャック３２ａを原点位置に保持する。可動チャック３２ａが原点位置から開位置の方に回動すると、コイルバネ５１が弾性変形し、可動チャック３２ａを原点位置に戻す復元力が発生する。図１３は、可動チャック３２ａが開位置に位置している状態を示している。 As shown in FIG. 13, the coil spring 51 is arranged inside the movable chuck 32a. One end (outer end) of the coil spring 51 is held by the movable chuck 32a. The other end (inner end) of the coil spring 51 is held by a holding portion 53 provided on the spin base 33. The coil spring 51 is arranged below the chuck rotation axis A2. The coil spring 51 is arranged inward of the chuck rotation axis A2. The coil spring 51 holds the movable chuck 32a at the origin position. When the movable chuck 32a rotates from the origin position to the open position, the coil spring 51 elastically deforms, and a restoring force for returning the movable chuck 32a to the origin position is generated. FIG. 13 shows a state in which the movable chuck 32a is located in the open position.

従動部５５は、チャック部材３２に固定されている。従動部５５は、チャック部材３２と共にチャック回動軸線Ａ２まわりに回動する。従動部５５は、チャック部材３２から外方に延びている。従動部５５は、チャック回動軸線Ａ２よりも下方に配置されている。従動部５５は、チャック回動軸線Ａ２よりも外方に配置されている。従動部５５の一部は、スカート６３の貫通部６３ｐ内に配置されている。従動部５５は、スカート６３の外周面から外方に突出している。従動部５５の外端５５ｏは、スカート６３よりも外方に配置されている。従動部５５は、駆動部５６よりも下方に配置されている。 The driven portion 55 is fixed to the chuck member 32. The driven portion 55 rotates around the chuck rotation axis A2 together with the chuck member 32. The driven portion 55 extends outward from the chuck member 32. The driven portion 55 is arranged below the chuck rotation axis A2. The driven portion 55 is arranged outside the chuck rotation axis A2. A part of the driven portion 55 is arranged in the penetrating portion 63p of the skirt 63. The driven portion 55 projects outward from the outer peripheral surface of the skirt 63. The outer end 55o of the driven portion 55 is arranged outside the skirt 63. The driven unit 55 is arranged below the drive unit 56.

昇降部材６２は、ケーシング５２の下方に配置されている。昇降部材６２の上位置は、ケーシング５２から下方に離れた位置である。昇降部材６２は、複数のガイド部材６４と共に昇降する。ガイドストッパー６４ｂは、昇降部材６２の上面から上方に延びており、ガイドシャフト６４ａは、ガイドストッパー６４ｂから上方に延びている。ガイドシャフト６４ａは、スピンベース３３を上下方向に貫通する貫通穴に挿入されている。ガイドストッパー６４ｂは、スピンベース３３の下方に配置されている。スピンベース３３に対する上方向への昇降部材６２の移動は、ガイドストッパー６４ｂとスピンベース３３との接触によって規制される。 The elevating member 62 is arranged below the casing 52. The upper position of the elevating member 62 is a position separated downward from the casing 52. The elevating member 62 moves up and down together with the plurality of guide members 64. The guide stopper 64b extends upward from the upper surface of the elevating member 62, and the guide shaft 64a extends upward from the guide stopper 64b. The guide shaft 64a is inserted into a through hole that penetrates the spin base 33 in the vertical direction. The guide stopper 64b is arranged below the spin base 33. The upward movement of the elevating member 62 with respect to the spin base 33 is restricted by the contact between the guide stopper 64b and the spin base 33.

発熱部材７２は、ガイドシャフト６４ａに支持されている。発熱部材７２は、ガイドシャフト６４ａの上端部に固定されている。発熱部材７２は、昇降部材６２と共に昇降する。発熱部材７２の板状部７２ａとスピンベース３３との間に介在する脚部７２ｂ（図２参照）は、発熱部材７２から省略されている。昇降部材６２、ガイド部材６４、および発熱部材７２は、スピンベース３３に対して上下方向に移動可能である。 The heat generating member 72 is supported by the guide shaft 64a. The heat generating member 72 is fixed to the upper end of the guide shaft 64a. The heat generating member 72 moves up and down together with the elevating member 62. The leg portion 72b (see FIG. 2) interposed between the plate-shaped portion 72a of the heat generating member 72 and the spin base 33 is omitted from the heat generating member 72. The elevating member 62, the guide member 64, and the heat generating member 72 can move in the vertical direction with respect to the spin base 33.

発熱部材７２は、昇降部材６２の昇降に伴って上位置（図１１で二点鎖線で示す位置）と下位置（図１１で実線で示す位置）との間で上下方向に移動する。発熱部材７２が上位置に位置しているとき、発熱部材７２の上面から複数のチャック部材３２の把持部３８ａに把持されている基板Ｗの下面までの距離Ｄ１は、搬送ロボットＲ１のハンドＨ１の厚みＴ１（図８Ａ参照）よりも短い。これとは反対に、発熱部材７２が下位置に位置しているとき、当該距離Ｄ１は、ハンドＨ１の厚みＴ１よりも長い。 The heat generating member 72 moves in the vertical direction between the upper position (the position indicated by the alternate long and short dash line in FIG. 11) and the lower position (the position indicated by the solid line in FIG. 11) as the elevating member 62 moves up and down. When the heat generating member 72 is located at the upper position, the distance D1 from the upper surface of the heat generating member 72 to the lower surface of the substrate W gripped by the gripping portions 38a of the plurality of chuck members 32 is the hand H1 of the transfer robot R1. It is shorter than the thickness T1 (see FIG. 8A). On the contrary, when the heat generating member 72 is located at the lower position, the distance D1 is longer than the thickness T1 of the hand H1.

次に、スピンチャック３１と搬送ロボットＲ１との間での基板Ｗの受け渡しについて説明する。
搬送ロボットＲ１（図３参照）が複数のチャック部材３２に基板Ｗを置くときは、昇降アクチュエータ６９が発熱部材７２を退避位置としての下位置に位置させる。その後、スピンモータ３６は、スピンベース３３の回転角が受渡角度に一致する受渡位置にスピンベース３３に位置させる。スピンベース３３の受渡位置は、駆動部５６が平面視で従動部５５に重なる位置である。図１２は、スピンベース３３が受渡位置に位置している状態を示している。 Next, the transfer of the substrate W between the spin chuck 31 and the transfer robot R1 will be described.
When the transfer robot R1 (see FIG. 3) places the substrate W on the plurality of chuck members 32, the elevating actuator 69 positions the heat generating member 72 at a lower position as a retracted position. After that, the spin motor 36 positions the spin base 33 at a delivery position where the rotation angle of the spin base 33 matches the delivery angle. The delivery position of the spin base 33 is a position where the drive unit 56 overlaps the driven unit 55 in a plan view. FIG. 12 shows a state in which the spin base 33 is located at the delivery position.

ガード昇降ユニット２９は、スピンベース３３が受渡位置に配置された後、一番上のスプラッシュガード２８Ａを準備位置から解除位置まで下降させる。図１３に示すように、スプラッシュガード２８Ａが解除位置の方に移動する過程で、駆動部５６が従動部５５に接触し、従動部５５が駆動部５６によって下方に押される。それに伴って、コイルバネ５１が弾性変形し、可動チャック３２ａが開位置の方に移動する。スプラッシュガード２８Ａが解除位置に配置されると、可動チャック３２ａが開位置に配置される。これにより、全ての可動チャック３２ａが開位置に配置される。 The guard elevating unit 29 lowers the top splash guard 28A from the preparation position to the release position after the spin base 33 is arranged at the delivery position. As shown in FIG. 13, in the process of moving the splash guard 28A toward the release position, the driving unit 56 comes into contact with the driven unit 55, and the driven unit 55 is pushed downward by the driving unit 56. Along with this, the coil spring 51 is elastically deformed, and the movable chuck 32a moves toward the open position. When the splash guard 28A is placed in the release position, the movable chuck 32a is placed in the open position. As a result, all the movable chucks 32a are arranged in the open position.

搬送ロボットＲ１は、スプラッシュガード２８Ａが解除位置に位置している状態で、ハンドＨ１に支持されている基板Ｗが発熱部材７２の上方に位置する上位置にハンドＨ１を移動させる。その後、搬送ロボットＲ１は、ハンドＨ１が発熱部材７２およびスプラッシュガード２８Ａに接触しない下位置までハンドＨ１を下降させる。ハンドＨ１が上位置から下位置に下降する過程で、基板Ｗは、複数のチャック部材３２の支持部３８ｂの上に置かれ、ハンドＨ１から離れる。その後、搬送ロボットＲ１は、ハンドＨ１を基板Ｗと発熱部材７２との間から退避させる。 The transfer robot R1 moves the hand H1 to an upper position where the substrate W supported by the hand H1 is located above the heat generating member 72 while the splash guard 28A is located at the release position. After that, the transfer robot R1 lowers the hand H1 to a lower position where the hand H1 does not come into contact with the heat generating member 72 and the splash guard 28A. In the process of the hand H1 descending from the upper position to the lower position, the substrate W is placed on the support portions 38b of the plurality of chuck members 32 and separated from the hand H1. After that, the transfer robot R1 retracts the hand H1 from between the substrate W and the heat generating member 72.

ガード昇降ユニット２９は、搬送ロボットＲ１のハンドＨ１が基板Ｗの下方から退避した後、スプラッシュガード２８Ａを解除位置から上昇させる。これにより、従動部５５および駆動部５６が互いに離れる。それに伴って、可動チャック３２ａは、コイルバネ５１の復元力で原点位置の方に移動する。基板Ｗが複数の支持部３８ｂに支持されているので、可動チャック３２ａは、原点位置に達することなく、原点位置の手前の位置である閉位置で止まる。これにより、可動チャック３２ａの把持部３８ａがコイルバネ５１の復元力で基板Ｗの外周部に押し付けられる。昇降アクチュエータ６９は、ハンドＨ１が発熱部材７２の上方から退避した後、発熱部材７２を近接位置としての上位置に移動させる。 The guard elevating unit 29 raises the splash guard 28A from the release position after the hand H1 of the transfer robot R1 retracts from below the substrate W. As a result, the driven unit 55 and the driving unit 56 are separated from each other. Along with this, the movable chuck 32a moves toward the origin position by the restoring force of the coil spring 51. Since the substrate W is supported by the plurality of support portions 38b, the movable chuck 32a stops at the closed position, which is a position before the origin position, without reaching the origin position. As a result, the grip portion 38a of the movable chuck 32a is pressed against the outer peripheral portion of the substrate W by the restoring force of the coil spring 51. After the hand H1 retracts from above the heat generating member 72, the elevating actuator 69 moves the heat generating member 72 to an upper position as a proximity position.

搬送ロボットＲ１が複数のチャック部材３２から基板Ｗを取るときは、昇降アクチュエータ６９が発熱部材７２を退避位置としての下位置に位置させ、スピンモータ３６がスピンベース３３を受渡位置に位置させる。ガード昇降ユニット２９は、駆動部５６が従動部５５に対して間隔を空けて鉛直に対向している状態で、一番上のスプラッシュガード２８Ａを解除位置まで下降させる。これにより、全てのチャック部材３２の把持部３８ａが基板Ｗの外周部から離れ、全てのチャック部材３２の支持部３８ｂが基板Ｗの外周部に接する。 When the transfer robot R1 takes the substrate W from the plurality of chuck members 32, the elevating actuator 69 positions the heat generating member 72 in the lower position as the retracting position, and the spin motor 36 positions the spin base 33 in the delivery position. The guard elevating unit 29 lowers the top splash guard 28A to the release position in a state where the drive unit 56 is vertically opposed to the driven unit 55 at intervals. As a result, the gripping portions 38a of all the chuck members 32 are separated from the outer peripheral portion of the substrate W, and the support portions 38b of all the chuck member 32 are in contact with the outer peripheral portion of the substrate W.

搬送ロボットＲ１は、基板Ｗが複数のチャック部材３２の支持部３８ｂに支持されている状態で、基板Ｗと発熱部材７２との間にハンドＨ１を差し込み、ハンドＨ１を上方に移動させる。この過程で、基板Ｗは、全てのチャック部材３２の支持部３８ｂから離れ、搬送ロボットＲ１のハンドＨ１に支持される。その後、ガード昇降ユニット２９は、スプラッシュガード２８Ａを上昇させ、駆動部５６を従動部５５から離す。これにより、可動チャック３２ａは、コイルバネ５１の復元力で原点位置に戻る。 The transfer robot R1 inserts the hand H1 between the substrate W and the heat generating member 72 in a state where the substrate W is supported by the support portions 38b of the plurality of chuck members 32, and moves the hand H1 upward. In this process, the substrate W is separated from the support portions 38b of all the chuck members 32 and supported by the hand H1 of the transfer robot R1. After that, the guard elevating unit 29 raises the splash guard 28A and separates the drive unit 56 from the driven unit 55. As a result, the movable chuck 32a returns to the origin position by the restoring force of the coil spring 51.

搬送ロボットＲ１は、基板Ｗが複数のチャック部材３２の支持部３８ｂに支持されている状態で、基板Ｗと発熱部材７２との間にハンドＨ１を差し込む。その後、搬送ロボットＲ１は、ハンドＨ１を上方に移動させる。基板Ｗは、ハンドＨ１が上方に移動しているときに、全てのチャック部材３２の支持部３８ｂから離れ、ハンドＨ１に支持される。その後、ガード昇降ユニット２９は、スプラッシュガード２８Ａを解除位置から上昇させ、駆動部５６を従動部５５から上方に離す。これにより、可動チャック３２ａは、コイルバネ５１の復元力で原点位置に戻る。 The transfer robot R1 inserts the hand H1 between the substrate W and the heat generating member 72 while the substrate W is supported by the support portions 38b of the plurality of chuck members 32. After that, the transfer robot R1 moves the hand H1 upward. When the hand H1 is moving upward, the substrate W separates from the support portions 38b of all the chuck members 32 and is supported by the hand H1. After that, the guard elevating unit 29 raises the splash guard 28A from the release position and separates the drive unit 56 upward from the driven unit 55. As a result, the movable chuck 32a returns to the origin position by the restoring force of the coil spring 51.

以上のように本実施形態では、ガード昇降ユニット２９が可動チャック３２ａを開位置に方に移動させるオープン用のアクチュエータを兼ねているので、専用のオープン用のアクチュエータを設ける必要がない。そのため、可動チャック３２ａを開閉するチャック開閉機構３４を簡素化することができる。さらに、駆動部５６が従動部５５に接触し、従動部５５を押すので、磁力で可動チャック３２ａを開位置の方に移動させる場合と比較して、可動チャック３２ａを確実に開位置の方に移動させることができる。 As described above, in the present embodiment, since the guard elevating unit 29 also serves as an opening actuator for moving the movable chuck 32a toward the open position, it is not necessary to provide a dedicated opening actuator. Therefore, the chuck opening / closing mechanism 34 for opening / closing the movable chuck 32a can be simplified. Further, since the driving unit 56 comes into contact with the driven unit 55 and pushes the driven unit 55, the movable chuck 32a is surely moved toward the open position as compared with the case where the movable chuck 32a is moved toward the open position by magnetic force. Can be moved.

本実施形態では、従動部５５は、基板Ｗの回転軸線Ａ１を取り囲む円の接線方向に延びる水平なチャック回動軸線Ａ２よりも下方に配置されている。その一方で、可動チャック３２ａの把持部３８ａは、チャック回動軸線Ａ２よりも上方に配置されている。把持部３８ａは、基板Ｗのまわりに配置される。従動部５５がチャック回動軸線Ａ２よりも上方に配置されている場合、遠心力が従動部５５に加わると、把持部３８ａを外方に移動させる力、つまり、把持部３８ａを基板Ｗの外周部から離す力が発生する。これに対して、従動部５５がチャック回動軸線Ａ２よりも下方に配置されている場合、遠心力が従動部５５に加わると、把持部３８ａを内方に移動させる力、つまり、把持部３８ａを基板Ｗの外周部に押し付ける力が発生する。そのため、基板Ｗをより確実に把持することができる。 In the present embodiment, the driven portion 55 is arranged below the horizontal chuck rotating axis A2 extending in the tangential direction of the circle surrounding the rotating axis A1 of the substrate W. On the other hand, the grip portion 38a of the movable chuck 32a is arranged above the chuck rotation axis A2. The grip portion 38a is arranged around the substrate W. When the driven portion 55 is arranged above the chuck rotation axis A2, when a centrifugal force is applied to the driven portion 55, a force that moves the grip portion 38a outward, that is, the grip portion 38a is moved to the outer circumference of the substrate W. A force is generated to separate it from the part. On the other hand, when the driven portion 55 is arranged below the chuck rotation axis A2, when a centrifugal force is applied to the driven portion 55, a force that moves the grip portion 38a inward, that is, the grip portion 38a Is generated against the outer peripheral portion of the substrate W. Therefore, the substrate W can be gripped more reliably.

他の実施形態
本発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、本発明の範囲内において種々の変更が可能である。
たとえば、加熱コイル７３とスピンベース３３との上下方向の間隔Ｄ２は、加熱コイル７３の厚みＴ２と等しくてもよいし、加熱コイル７３の厚みＴ２より広くてもよい。 Other Embodiments The present invention is not limited to the contents of the above-described embodiments, and various modifications can be made within the scope of the present invention.
For example, the vertical distance D2 between the heating coil 73 and the spin base 33 may be equal to the thickness T2 of the heating coil 73, or may be wider than the thickness T2 of the heating coil 73.

スピンベース３３の厚みＴ３は、加熱コイル７３の厚みＴ２と等しくてもよいし、加熱コイル７３の厚みＴ２より大きくてもよい。
発熱部材７２の板状部７２ａの厚みは、スピンベース３３の厚みＴ３と等しくてもよいし、スピンベース３３の厚みＴ３より大きくてもよい。
発熱部材７２は、複数のチャック部材３２に把持されている基板Ｗに間接的に対向していてもよい。すなわち、他の部材が、発熱部材７２と基板Ｗとの間に配置されていてもよい。 The thickness T3 of the spin base 33 may be equal to the thickness T2 of the heating coil 73, or may be larger than the thickness T2 of the heating coil 73.
The thickness of the plate-shaped portion 72a of the heat generating member 72 may be equal to the thickness T3 of the spin base 33, or may be larger than the thickness T3 of the spin base 33.
The heat generating member 72 may indirectly face the substrate W held by the plurality of chuck members 32. That is, another member may be arranged between the heat generating member 72 and the substrate W.

基板Ｗと発熱部材７２との間隔を変更する間隔変更機構６１が省略されてもよい。すなわち、複数のチャック部材３２に把持されている基板Ｗが配置される把持位置と発熱部材７２との間隔は一定であってもよい。
チャック開閉機構３４などの加熱コイル７３以外の部材に影響がないのであれば、交番磁界を遮断する磁気遮断部材７７が省略されてもよい。 The interval changing mechanism 61 for changing the interval between the substrate W and the heat generating member 72 may be omitted. That is, the distance between the gripping position where the substrate W gripped by the plurality of chuck members 32 is arranged and the heat generating member 72 may be constant.
If the members other than the heating coil 73 such as the chuck opening / closing mechanism 34 are not affected, the magnetic blocking member 77 that blocks the alternating magnetic field may be omitted.

制御装置３は、発熱部材７２の温度を目標温度に一致させるために、温度計７５の検出値を参照することなく、加熱コイル７３を流れる交流電流の指令値を変更してもよい。すなわち、温度計７５が省略されてもよい。
基板Ｗの下面に処理流体を供給する必要がなければ、下面ノズル１６を省略してもよい。この場合、発熱部材７２の中央部を上下方向に貫通する貫通穴が省略されてもよい。同様に、スピンベース３３の中央部を上下方向に貫通する貫通穴が省略されてもよい。 In order to match the temperature of the heat generating member 72 with the target temperature, the control device 3 may change the command value of the alternating current flowing through the heating coil 73 without referring to the detected value of the thermometer 75. That is, the thermometer 75 may be omitted.
If it is not necessary to supply the processing fluid to the lower surface of the substrate W, the lower surface nozzle 16 may be omitted. In this case, the through hole that penetrates the central portion of the heat generating member 72 in the vertical direction may be omitted. Similarly, a through hole that penetrates the central portion of the spin base 33 in the vertical direction may be omitted.

昇降駆動ユニット６６の駆動マグネット６８は、平面視で円弧状であってもよい。この場合、昇降部材６２の昇降は、駆動マグネット６８が従動マグネット６７の下方に位置する受渡位置（受渡角度）にスピンベース３３が位置しているときに行われる。
前述の基板Ｗの処理の一例では、第１加熱工程（図９のステップＳ３）および第２加熱工程（図９のステップＳ８）の両方が実行される場合について説明したが、第１加熱工程および第２加熱工程の一方を省略してもよい。 The drive magnet 68 of the elevating drive unit 66 may have an arc shape in a plan view. In this case, the elevating member 62 is moved up and down when the spin base 33 is located at the delivery position (delivery angle) where the drive magnet 68 is located below the driven magnet 67.
In the above-mentioned example of the treatment of the substrate W, the case where both the first heating step (step S3 in FIG. 9) and the second heating step (step S8 in FIG. 9) are executed has been described, but the first heating step and One of the second heating steps may be omitted.

第１実施形態において、従動部５５および駆動部５６が回転方向に互いに対向する位置関係であれば、従動部５５は、スピンベース３３から外方に突出していてもよいし、突出していなくてもよい。
第１実施形態において、チャック部材３２の代わりに、発熱部材７２を昇降させてもよい。この場合、可動チャック３２ａは、鉛直なチャック回動軸線Ａ２まわりに回動可能にスピンベース３３に保持される。固定チャック３２ｂは、スピンベース３３に固定される。 In the first embodiment, the driven portion 55 may or may not protrude outward from the spin base 33 as long as the driven portion 55 and the driving portion 56 face each other in the rotational direction. Good.
In the first embodiment, the heat generating member 72 may be moved up and down instead of the chuck member 32. In this case, the movable chuck 32a is rotatably held by the spin base 33 around the vertical chuck rotation axis A2. The fixed chuck 32b is fixed to the spin base 33.

第２実施形態において、従動部５５は、チャック回動軸線Ａ２よりも上方に配置されていてもよい。
支持部３８ｂをチャック部材３２から省略してもよい。この場合、搬送ロボットＲ１のハンドＨ１とチャック部材３２の把持部３８ａとの間で直接基板Ｗの受け渡しを行えばよい。 In the second embodiment, the driven portion 55 may be arranged above the chuck rotation axis A2.
The support portion 38b may be omitted from the chuck member 32. In this case, the substrate W may be directly delivered between the hand H1 of the transfer robot R1 and the grip portion 38a of the chuck member 32.

ＩＨ加熱機構７１を省略してもよい。
基板処理装置１は、多角形の基板Ｗを処理する装置であってもよい。
前述の全ての構成の２つ以上が組み合わされてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。 The IH heating mechanism 71 may be omitted.
The substrate processing device 1 may be a device that processes a polygonal substrate W.
Two or more of all the above configurations may be combined.
In addition, various design changes can be made within the scope of the matters described in the claims.

１ ：基板処理装置
３ ：制御装置
５ ：第１薬液ノズル（処理流体供給手段）
９ ：第２薬液ノズル（処理流体供給手段）
１３ ：リンス液ノズル（処理流体供給手段）
１６ ：下面ノズル（処理流体供給手段）
１９ ：溶剤ノズル（処理流体供給手段）
２２ ：気体ノズル（処理流体供給手段）
３２ ：チャック部材
３２ａ ：可動チャック
３２ｂ ：固定チャック
３３ ：スピンベース
３４ ：チャック開閉機構（チャック開閉手段）
３６ ：スピンモータ
３８ａ ：把持部
３８ｂ ：支持部
５１ ：コイルバネ（把持力発生部材）
５５ ：従動部
５５ｏ ：従動部の外端
５６ ：駆動部
５６ａ ：駆動部の縦部
５６ｂ ：駆動部の横部
５６ｉ ：駆動部の内端
６１ ：間隔変更機構（間隔変更手段）
６２ ：昇降部材
６６ ：昇降駆動ユニット
６７ ：従動マグネット
６８ ：駆動マグネット
６９ ：昇降アクチュエータ
７１ ：ＩＨ加熱機構（ＩＨ加熱手段）
７２ ：発熱部材
７３ ：加熱コイル
７４ ：ＩＨ回路
Ａ１ ：回転軸線
Ａ２ ：チャック回動軸線
Ｈ１ ：ハンド
Ｒ１ ：搬送ロボット
Ｗ ：基板 1: Substrate processing device 3: Control device 5: First chemical solution nozzle (processing fluid supply means)
9: Second chemical solution nozzle (processing fluid supply means)
13: Rinse liquid nozzle (processing fluid supply means)
16: Bottom nozzle (processing fluid supply means)
19: Solvent nozzle (processing fluid supply means)
22: Gas nozzle (processing fluid supply means)
32: Chuck member 32a: Movable chuck 32b: Fixed chuck 33: Spin base 34: Chuck opening / closing mechanism (chuck opening / closing means)
36: Spin motor 38a: Grip portion 38b: Support portion 51: Coil spring (grip force generating member)
55: Driven unit 55o: Outer end of driven unit 56: Drive unit 56a: Vertical part of drive unit 56b: Horizontal part of drive unit 56i: Inner end of drive unit 61: Interval changing mechanism (interval changing means)
62: Elevating member 66: Elevating drive unit 67: Driven magnet 68: Drive magnet 69: Elevating actuator 71: IH heating mechanism (IH heating means)
72: Heat generating member 73: Heating coil 74: IH circuit A1: Rotating axis A2: Chuck rotating axis H1: Hand R1: Conveying robot W: Substrate

Claims (5)

基板の外周部に押し付けられる閉位置と前記基板の外周部に対する押付が解除される開位置との間でチャック回動軸線まわりに回動可能な可動チャックを含み、前記可動チャックの移動に伴って、前記基板を水平に把持する閉状態と前記基板の把持が解除される開状態との間で切り替わる複数のチャック部材と、
前記複数のチャック部材に把持されている前記基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに前記複数のチャック部材を回転させることにより前記基板を前記回転軸線まわりに回転させる動力を発生するスピンモータと、
平面視で前記複数のチャック部材を前記回転軸線まわりに取り囲む筒状のスプラッシュガードと、
前記スプラッシュガードを鉛直方向に移動させるガード昇降ユニットと、
前記可動チャックを前記閉位置の方に移動させる力を発生する把持力発生部材と、
前記可動チャックよりも外方に位置する外端を含み、前記可動チャックと共に前記チャック回動軸線まわりに回動し、前記可動チャックと共に前記回転軸線まわりに回転する従動部と、
前記従動部の外端よりも内方に位置する内端を含み、前記スプラッシュガードと共に鉛直方向に移動する駆動部と、
前記スピンモータを制御することにより前記従動部を前記可動チャックと共に前記回転軸線まわりに回転させ、前記ガード昇降ユニットを制御することにより前記駆動部を前記スプラッシュガードと共に鉛直方向に移動させる制御装置と、
前記基板の下方に配置されるハンドで前記基板を支持しながら、前記複数のチャック部材に前記基板を搬送する搬送ロボットと、を備え、
前記可動チャックは、
前記基板の外周部に押し付けられる把持部と、
該把持部から前記回転軸線に向かって斜め下方に延びる傾斜面を含み、前記基板を下方から支持可能な支持部と、を有し、
前記制御装置は、
前記従動部および駆動部の少なくとも一方を移動させることにより、前記従動部および駆動部が互いに離れた状態で前記従動部および駆動部を水平または鉛直な対向方向に対向させる準備ステップと、
前記準備ステップの後、前記従動部および駆動部を前記対向方向に相対的に移動させることにより、前記従動部および駆動部を互いに接触させて、前記可動チャックが前記開位置に達するまで前記駆動部に前記従動部を押させる解除ステップと、
前記解除ステップの後、前記従動部および駆動部を互いに離反させて、前記把持力発生部材に前記可動チャックを前記閉位置の方に移動させる把持ステップと、を実行し、
前記制御装置は、前記解除ステップにおいて、前記スプラッシュガードの上端を前記ハンドよりも下方に位置させながら、前記従動部および駆動部を互いに接触させ、前記ハンドにより前記支持部に前記基板を載置する、基板処理装置。 A movable chuck that can rotate around the chuck rotation axis between a closed position that is pressed against the outer peripheral portion of the substrate and an open position that is released from being pressed against the outer peripheral portion of the substrate is included, and is accompanied by movement of the movable chuck. A plurality of chuck members that switch between a closed state in which the substrate is gripped horizontally and an open state in which the substrate is released from gripping.
A spin motor that generates power to rotate the substrate around the rotation axis by rotating the plurality of chuck members around a vertical rotation axis passing through a central portion of the substrate held by the plurality of chuck members. ,
A tubular splash guard that surrounds the plurality of chuck members around the rotation axis in a plan view,
A guard elevating unit that moves the splash guard in the vertical direction,
A gripping force generating member that generates a force for moving the movable chuck toward the closed position,
A driven portion that includes an outer end located outside the movable chuck, rotates around the chuck rotation axis together with the movable chuck, and rotates around the rotation axis together with the movable chuck.
A drive unit that includes an inner end located inward of the outer end of the driven portion and moves in the vertical direction together with the splash guard.
A control device that rotates the driven portion together with the movable chuck around the rotation axis by controlling the spin motor, and moves the driving portion in the vertical direction together with the splash guard by controlling the guard elevating unit .
A transfer robot that transfers the substrate to the plurality of chuck members while supporting the substrate with a hand arranged below the substrate is provided.
The movable chuck is
A grip portion pressed against the outer peripheral portion of the substrate and a grip portion
It has an inclined surface extending obliquely downward from the grip portion toward the rotation axis, and has a support portion capable of supporting the substrate from below.
The control device is
A preparatory step of moving at least one of the driven unit and the driven unit so that the driven unit and the driven unit face each other in a horizontal or vertically opposed direction while the driven unit and the driven unit are separated from each other.
After the preparatory step, the driven portion and the driving portion are moved relative to each other in the opposite direction to bring the driven portion and the driving portion into contact with each other until the movable chuck reaches the open position. And the release step to push the driven part
After the release step, a gripping step of separating the driven portion and the driving portion from each other and moving the movable chuck toward the closed position on the gripping force generating member is executed .
In the release step, the control device brings the driven portion and the driving portion into contact with each other while positioning the upper end of the splash guard below the hand, and places the substrate on the support portion by the hand. , Substrate processing equipment. 前記複数のチャック部材に把持されている前記基板の下方に配置され、前記スピンモータの動力を前記複数のチャック部材に伝達するスピンベースと、
前記複数のチャック部材に把持されている前記基板を処理する処理流体を前記基板の上面および下面の少なくとも一方に供給する処理流体供給手段と、
前記複数のチャック部材に把持されている前記基板と前記スピンベースとの間に配置された発熱部材と、前記スピンベースの下方に配置された加熱コイルと、前記加熱コイルに電力を供給することにより前記発熱部材に加わる交番磁界を発生させて前記発熱部材を発熱させるＩＨ回路と、を含むＩＨ加熱手段と、をさらに備える、請求項１に記載の基板処理装置。 A spin base, which is arranged below the substrate held by the plurality of chuck members and transmits the power of the spin motor to the plurality of chuck members,
A processing fluid supply means for supplying a processing fluid for processing the substrate held by the plurality of chuck members to at least one of an upper surface and a lower surface of the substrate.
By supplying electric power to the heating member arranged between the substrate and the spin base held by the plurality of chuck members, the heating coil arranged below the spin base, and the heating coil. further comprising, a IH heating means including, a IH circuit for heating the heating member by generating an alternating magnetic field applied to the heating member, the substrate processing apparatus according to claim 1. 前記複数のチャック部材または前記発熱部材を上下方向に移動させることにより、前記複数のチャック部材に把持されている前記基板と前記発熱部材との上下方向の間隔を変更する間隔変更手段をさらに備える、請求項２に記載の基板処理装置。 Further provided is an interval changing means for changing the vertical interval between the substrate and the heat generating member held by the plurality of chuck members by moving the plurality of chuck members or the heat generating member in the vertical direction. The substrate processing apparatus according to claim 2 . 前記間隔変更手段は、前記スピンベースに対して前記複数のチャック部材を上下方向に移動させ、
前記可動チャックは、前記閉位置と前記開位置との間で前記スピンベースに対して移動可能である、請求項３に記載の基板処理装置。 The interval changing means moves the plurality of chuck members in the vertical direction with respect to the spin base.
The substrate processing apparatus according to claim 3 , wherein the movable chuck is movable with respect to the spin base between the closed position and the open position. 前記間隔変更手段は、前記スピンベースに対して前記発熱部材を上下方向に移動させる、請求項３に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 3 , wherein the interval changing means moves the heat generating member in the vertical direction with respect to the spin base.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11262380B2 (en) * 2018-01-19 2022-03-01 Semics Inc. Wafer prober
CN111063652B (en) * 2018-10-16 2022-08-30 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 Substrate clamping bearing table
JP2022143176A (en) * 2021-03-17 2022-10-03 芝浦メカトロニクス株式会社 Measurement tool, substrate processing apparatus and substrate manufacturing method
CN113467199B (en) * 2021-09-06 2021-11-12 宁波润华全芯微电子设备有限公司 Device convenient to dismantle and capable of preventing wafer from being polluted by splashing liquid

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63153839A (en) * 1986-08-13 1988-06-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Rotary holding device for substrate
JP2891894B2 (en) 1995-03-30 1999-05-17 大陽東洋酸素株式会社 Substrate rotating device
JP3322630B2 (en) * 1998-03-03 2002-09-09 東京エレクトロン株式会社 Rotary processing device
JP3657173B2 (en) * 2000-06-02 2005-06-08 株式会社荏原製作所 Substrate plating equipment
JP4050505B2 (en) * 2001-12-07 2008-02-20 芝浦メカトロニクス株式会社 Spin processing apparatus and processing method
EP1718420A1 (en) * 2004-02-24 2006-11-08 Ebara Corporation Substrate processing apparatus and method
JP2007335709A (en) * 2006-06-16 2007-12-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing apparatus
DE112011102705A5 (en) * 2010-08-13 2013-05-29 Tesa Se Method for encapsulating an electronic device
WO2015115239A1 (en) * 2014-01-28 2015-08-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing device
JP2016072428A (en) * 2014-09-30 2016-05-09 株式会社ディスコ Holding method for wafer

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