JP6782849B2 - 分光測定装置 - Google Patents
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Description
本技術分野の背景技術として、たとえば特開2014−173967がある。特許文献1には課題として「テラヘルツ波の散乱による検出精度の低下を抑制することができる標本検査装置を提供する」と記載があり、解決手段として「本発明に係る標本検査装置は、テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生部と、被検査物としての標本が載置される搬送面を有し、前記搬送面の面内方向に前記標本を搬送可能に構成された搬送部と、前記テラヘルツ波発生部から射出され、前記搬送面に載置された前記標本に照射されるテラヘルツ波の照射方向を変更する照射方向変更部と、前記搬送面に載置された前記標本に照射されて透過または反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出部と、を備え、前記照射方向変更部は、前記テラヘルツ波発生部の位置を変更することによって、前記照射方向を変更する。」と記載されている。
特許文献1の方法では測定対象物の形状や配置状態による電磁波の散乱のみを扱っており、測定対象物を構成する粒子による散乱の除去は考慮されていない。さらに、測定点数が多くなる上、ランダムな散乱成分は除去できるが、周波数に比例した散乱成分は除去できない可能性もある。
上記した以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。
テラヘルツ波発生部1から出射したテラヘルツ波T1は集光素子111により測定対象物101に集光される。測定対象物101を構成する物質に吸収または散乱された透過テラヘルツ波T2は検出用非線形光学結晶102に入射する。
ここで、ビーム径調整部20でプローブ光ビーム径Bを変更する方法の具体例の一つを示す。図3に本実施例におけるプローブ光ビーム径調整部20の模式図を示す。本実施例ではプローブ光ビーム径調整部20に凹レンズ201と、焦点可変光学系をなす凸レンズ202、203が含まれる場合を示す。このほか、ビーム径A,Bの比が可変ならばどのようなレンズ、光学素子の組み合わせでも良い。これらのレンズはレール211上に配置され、コントローラー212により駆動され、プローブ光L1、L2の光軸上を平行に移動可能である。本実施例では、レンズ202の屈折率をf1、レンズ203の屈折率をf2、レンズ間の距離をd2とした場合、レンズ202と203を組み合わせたとき、焦点距離fの凸レンズとみなせる。焦点距離fは式1のように書き表せる。
ここで、焦点距離Fは複合レンズ202、203の主点Pから焦点までの距離である。主点Pはレンズ202から距離h1、レンズ203から距離h2の位置にある。h1とh2の比は式2で表される。
さらに凹レンズ201の焦点距離をf3として、複合レンズ202、203の主点pから凹レンズ201までの距離d1は式3で表される位置とする。
結果、プローブ光L1とL2のビーム径の比A/Bは、式3のように書き表せる。
まとめると、プローブ光L1とL2のビーム径の比A/Bが所望の値となるようfの値を決め、そのFの値を得られるようコントローラー212に制御信号が送られ、レール211上のレンズ201〜203の位置を調整してD2を変更し、さらに式3を満たすようD1を変更する。
本実施例では、計測部321に入力された信号からテラヘルツ波T2の電場または強度に比例した検出強度を計算し、このテラヘルツ波検出強度が大きくなるようにプローブ光ビーム径Bをビーム径調整部20により調整する。S21ではプローブ光ビーム径Bとテラへルツ波検出強度(演算値)の対応関係を求める。図5の曲線601はプローブ光ビーム径Bとテラへルツ波検出強度(演算値)の対応関係を示す曲線である。手順S22については詳細を後に示す。
S22ではS21で求めた対応関係から、演算部322で計算された演算値が最大かつビーム径が小さくなるような図5のプローブ光ビーム径603を求める。ここで、例えば、プローブ光ビーム径Bを制御するビーム径調整部20の制御精度を加味して、演算値が最大値に対して±20%のばらつきを許容するなど幅を持っても良い。
S23ではS22で求めたプローブ光ビーム径603に近づけるように制御部323からプローブ光ビーム形調整部20に制御信号を出力し、プローブ光ビーム系を変更する。以上の手順により、プローブ光ビーム径の調整を行なった後に測定を行うことで、測定対象物101を構成する物質で生じる散乱の影響を低減または除去した分光測定が可能になる。
さらに、入力部325で測定条件(例えば測定対象物名、プローブ光ビーム径など)を演算部322に入力し、演算部は前記リストを基に過去の測定結果を検索し、過去の測定条件(例えばビーム径調整部20に含まれるレンズ位置等)を今回の測定に適用してもよい。
さらに、プローブ光ビーム径調整用の測定を行なう例を次に示す。本構成によれば、散乱の影響の低減を確認したうえで分光測定が可能である。
本実施例では測定対象物101として、本来の測定対象物(対象サンプル)と同様の成分で散乱の少ない、参照となる測定対象物(参照サンプル)を別途用意する。これは例えば、対象サンプルと同じ錠剤を乳鉢ですりつぶし、ふるいにかけて粒径を十分小さくし、再び打錠したものである。
本実施例では、実施例1との差分について説明を行う。
テラヘルツ波T2が検出用非線形光学結晶102に入射すると電気光学効果が生じ、検出用非線形光学結晶102の複屈折率が入射テラヘルツ波T2の振幅に応じて変化する。検出用非線形光学結晶102を透過または反射したプローブ光は複屈折率変化に対応して偏光状態が変化する。
S12ではイメージセンサ305に入射したプローブ光を処理部3の計測部321で撮像し、検出イメージとして出力する。実施例1に記載の方法と同様に、演算部322で前記検出イメージからテラヘルツ波の電場または強度の検出用非線形光学結晶102上の空間分布T3を算出する。
ここで、例えば図10のS13において、テラヘルツ波の空間分布T3を撮影し、その結果、テラヘルツ波の空間分布T3の大きさがプローブ光のビーム径Bの最大値604より大きいことが推測された場合に、検出用非線形光学結晶102を測定対象物101に近づけるよう調整を行ない、テラヘルツ波の空間分布T3の大きさを小さくする例を示す
図11は、この例におけるテラヘルツ分光測定装置を模式的に示す構成図である。図9と異なる点は、制御部323からの制御信号により、ビーム径調整部20のほかに、検出用非線形光学結晶102の位置を制御している点である。検出用非線形光学結晶102はモーター1021により駆動され、その位置情報はモーター1021に保持される。
本実施例では、実施例1との差分について説明を行う。
本実施例では、実施例1との差分について説明を行う。
テラヘルツ時間領域分光法など、位相測定つまり電場の時間波形の測定を行なう場合は、各ピクセルで電場の時間波形E1(t)、E2(t)・・・を測定してから各ピクセルでそれぞれ時間的フーリエ変換を行い、波長ごとの強度を得てから積算を行なう。
本実施例では、実施例1との差分について説明を行う。
本実施例では、実施例1との差分について説明を行う。
また、プローブ光の光軸または強度分布の調整結果を実施例2または4と同様の構成でイメージセンサ305を用いて結晶102上のプローブ光のビームスポットT2のイメージングを行い、確認しても良い。その際、例えば補償子302または偏光子301、303の向きによりプローブ光が減衰され、プローブ光ビームスポットL3全体がイメージセンサに映らない場合、補償子302もしくは偏光子301または303を制御部323からの信号または手動で回転させ、プローブ光ビームスポットL3全体が映るようにしてから撮像する。
なお、本発明は分光測定以外の測定に応用されうる。応用先として、たとえばテラヘルツCTスキャンや吸収率、反射率によるイメージング等、散乱光の影響を受ける測定がある。また、はじめに述べたように、測定に使用する入射光の波長はテラヘルツ波に限らず、例えば赤外線や、赤外線より短い波長の電磁波であっても良いし、ミリ波や、ミリ波よりも長い波長の電磁波でも良い。この場合、以上の説明において、テラヘルツ波を電磁波と読み替えれば、以上の説明がそのまま適合する。したがって、ここでは、テラヘルツ波以外の電磁波については説明を省略する。
T1・・・入射テラヘルツ波、T2・・・出射テラヘルツ波、L1・・・プローブ光、L2・・・調整済みプローブ光
Claims (12)
- 電磁波を照射する電磁波照射部と、
電磁波を受光する受光部と、
プローブ光を照射するプローブ光照射部と、
前記プローブ光を検出し検出信号を出力するプローブ光検出部と、
前記検出信号から電磁波の検出強度を算出する演算部と、
前記プローブ光のビーム径を調整するビーム径調整部と、を備え、
前記電磁波照射部は前記電磁波を測定対象物に照射し、
前記受光部は前記測定対象物に照射された前記電磁波を受光し、
前記プローブ光照射部は前記プローブ光を前記受光部に照射し、
前記プローブ光検出部は前記受光部に照射された前記プローブ光を検出し、検出信号を出力し、
前記演算部は前記検出信号と前記プローブ光のビーム径に基づき、前記検出強度を算出し、
算出された前記検出強度に基づき、前記ビーム径調整部はプローブ光のビーム径を制御することを特徴とする分光測定装置。 - 請求項1に記載の分光測定装置であって、
前記プローブ光検出部は前記受光部に照射されたプローブ光の偏光状態または強度の変化に相当する検出信号を出力することを特徴とする分光測定装置。 - 請求項2に記載の分光測定装置であって、
測定に関わるデータを記憶する記憶部と、
測定パラメーターを前記演算部に入力する入力部を備え、
演算部に入力された前記記憶部に記憶された測定条件情報に基づき、前記演算部は前記測定パラメーターに対応した測定条件を選択し、
選択された前記測定条件を今回の測定に適用することを特徴とする分光測定装置。 - 請求項2に記載の分光測定装置であって、
前記プローブ光の偏光状態または強度の変化の空間分布の検出イメージを出力するイメージセンサを有し、
前記演算部は前記検出イメージから前記受光部に照射される電磁波の空間分布の広がり幅と、前記ビーム径調整部から得られるプローブ光のビーム径との差を算出し、
前記差に基づき、前記ビーム径調整部はプローブ光のビーム径を制御することを特徴とする分光測定装置。 - 請求項2に記載の分光測定装置であって、
前記受光部は非線形光学結晶であることを特徴とする分光測定装置。 - 請求項2に記載の分光測定装置であって、
前記プローブ光照射部は前記プローブ光のビーム面内強度分布を調整する強度分布調整部及び前記プローブ光の光軸を変更する光軸調整部を備え、
前記強度分布調整部はプローブ光のビーム面内強度分布が一様になる方向に強度分布を制御し、
前記光軸調整部は前記プローブ光検出部から出力される前記検出信号に基づき前記プローブ光の光軸を制御することを特徴とする分光測定装置。 - 請求項3に記載の分光測定装置であって、
前記測定パラメーターは前記測定対象物に含まれる粒子の粒径と屈折率とを含み、
前記演算部は、前記受光部における前記電磁波の電場または強度の空間分布の広がり幅に基づいて、電磁波の検出強度を算出し、算出された前記検出強度に基づき前記測定条件を更新することを特徴とする分光測定装置。 - 請求項2に記載の分光測定装置であって、
第一の測定対象物で分光測定した第一の結果を記録する記憶部と、
第二の測定対象物で分光測定した第二の結果と前記記憶部に記憶された第一の結果との差を前記演算部により算出し、前記演算部の算出結果に基づいて前記ビーム径調整部の制御を行なう制御部と、を備え
前記算出結果の差分が小さくなるようにビーム径調整部が制御されることを特徴とする分光測定装置。 - 請求項2に記載の分光測定装置であって、
参照光を発生させる参照光発生部と、
前記プローブ光と前記参照光を干渉させる干渉光学系と、を備え、
参照光発生部から発生した参照光と、前記プローブ光検出部に入射するプローブ光とを干渉光学系で干渉させ、前記検出信号を増幅することを特徴とする分光測定装置。 - 請求項2に記載の分光測定装置であって、
前記測定対象物と前記受光部との距離を取得する距離測定部と、
前記測定対象物と前記受光部との距離を調整する距離調整部と、
を備え、
前記受光部における前記電磁波の電場または強度の空間分布の広がり幅を小さくして、前記検出信号が上がるように、
前記距離測定部からの出力に基づいて、前記距離調整部は前記測定対象物と前記受光部との距離を小さくするよう制御することを特徴とする分光測定装置。 - 請求項2に記載の分光測定装置であって、
前記測定対象物に照射され、前記測定対象物を透過または反射した電磁波を前記受光部に集光する集光素子を備え、
散乱で広がった前記電磁波を集光して前記検出信号が大きくなるように前記集光素子が配置されていることを特徴とする分光測定装置。 - 請求項2に記載の分光測定装置であって、
前記プローブ光検出部は、前記受光部を透過または透過および反射したプローブ光の偏光状態または強度の変化の空間分布の検出イメージを出力するイメージセンサを有し、
前記演算部は前記イメージセンサの各ピクセルで前記電磁波の電場を算出し、各ピクセルで電場から強度を計算し、少なくとも電磁波電場の情報が存在しているピクセルでの前記強度を積算し、電磁波の検出強度が上がるように測定を行なうことを特徴とする分光測定装置。
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