JP6779322B2 - トランス−１，４−二置換シクロヘキサン誘導体の製造方法 - Google Patents

トランス−１，４−二置換シクロヘキサン誘導体の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、液晶化合物として有用なトランス−１，４−二置換シクロヘキサン誘導体の製造方法に関する。
トランス−１，４−二置換シクロヘキサン誘導体は良好な電気的及び光学的特性を有することから、液晶化合物として有用である。トランス−１，４−二置換シクロヘキサン誘導体の製造方法としては、１，４−二置換シクロヘキセン誘導体又は１−アルキリデン−４−置換シクロヘキサン誘導体を水素添加により還元し、シス及びトランス体の混合物である１，４−二置換シクロヘキサン誘導体を得、再結晶、蒸留又はカラムクロマトグラフィー等の方法により分離精製し、所望のトランス体を得る方法が報告されている（特許文献１及び２）。
不要なシス体を有効に利用するために、シス及びトランス混合物である１，４−二置換シクロヘキサン誘導体を異性化してトランス−１，４−二置換シクロヘキサン誘導体を製造する方法が報告されている。ヘテロポリ酸（特許文献３）、ハロゲン化アルキル及び塩化アルミニウムを用いる方法（特許文献４）、トリフルオロメタンスルホン酸（特許文献５）を用いる方法が報告されている一方、触媒量のトリフルオロメタンスルホン酸とアダマンタノール等の第３級アルコール存在下、シス及びトランス混合物である１，４−二置換シクロヘキサン誘導体をトランス−１，４−二置換シクロヘキサン誘導体に異性化する方法が開示されている（特許文献６）。
特開２０１３−２３４６０号公報 特開昭５８−１８９１２４号公報 特開平７−４１４３５号公報 特開平９−１００２８６号公報 特開２００４−２５６４９０号公報 欧州特許出願公開第２５３２６３７号明細書
従来報告されている、シス及びトランス混合物である１，４−二置換シクロヘキサン誘導体を異性化してトランス−１，４−二置換シクロヘキサン誘導体を得る製造方法は、高温反応、等量以上の酸の利用、複数の反応試薬の利用が必要であり、また、多量の副生物の生成や高分子量体の副生が起こり、効率的な製造法ではなかった。より具体的には、特許文献１および２の方法では煩雑な分離作業を必要とし、不要なシス体は廃棄されることになり、収率が低く効率的な方法ではない。また、特許文献３から５に記載の方法では、それぞれ高温反応条件、複数の反応試薬、等量以上の酸を必要とし効率的な方法とは言い難かった。また、等量以上の酸を用いると多量の副生成物が生成してしまうという問題点がある（比較例１）。一方、特許文献６に記載の方法では、第３級アルコール等の添加物の添加が必須であり、その除去等煩雑な工程を含み効率的な方法とは言い難い。また、高分子量の副生物が生成してしまうという問題点がある（比較例２及び３）。
本発明の課題は、液晶化合物として有用なトランス−１，４−二置換シクロヘキサン誘導体を高分子量体の副生を少なくして効率的に製造する方法を提供することにある。
本発明者らは、上記課題を鑑み鋭意検討を重ねた結果、シス及びトランス混合物である１，４−二置換シクロヘキサン誘導体を、スルホン酸の存在下異性化させることにより、トランス−１，４−二置換シクロヘキサン誘導体を高分子量体の副生を少なくして製造できることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち本発明は、一般式（１）で表されるシス及びトランス混合物である１，４−二置換シクロヘキサン誘導体を、一般式（１）で表されるシス及びトランス混合物である１，４−二置換シクロヘキサン誘導体に対して８０モル％以下の一般式（４）で表されるスルホン酸のみの存在下、異性化させることを特徴とする、一般式（１ａ）で表されるトランス−１，４−二置換シクロヘキサン誘導体の製造方法に関するものである。
（式中、Ｒ１は炭素数１から１０のアルキル基、炭素数２から１０のアルケニル基又は一般式（２）で表されるシクロへキシル基を表す。Ｒ２は炭素数１から１０のアルキル基、炭素数２から１０のアルケニル基又は一般式（３）で表されるフェニル基を表す。）
（式中、Ｒ３は水素原子、炭素数１から１０のアルキル基又は炭素数２から１０のアルケニル基を表す。）
（式中、Ｒ４、Ｒ５及びＲ７は各々独立に水素原子又はフッ素原子を表し、Ｒ６は水素原子、炭素数１から１０のアルキル基、炭素数２から１０のアルケニル基、炭素数１から１０のハロアルキル基、炭素数１から１０のアルコキシ基、炭素数１から１０のハロアルコキシ基又はフッ素原子を表し、Ａは単結合又はフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基を表す。）
（式中、Ｒ８は炭素数１から１２のフルオロアルキル基又はハロゲン原子を表す。）
（式中、Ｒ１及びＲ２は前記と同じ定義を表す。）
本発明の製造方法によって液晶化合物として有用なトランス−１，４−二置換シクロヘキサン誘導体（１ａ）を高分子量体の副生を少なくして製造できる。
以下に、本発明をさらに詳細に説明する。本明細書におけるＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ６、Ｒ８及びＡの定義について説明する。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ６で表される炭素数１から１０のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等を例示することができる。取り扱いが容易な点で、炭素数１から５の直鎖のアルキル基を用いることが好ましい。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ６で表される炭素数２から１０のアルケニル基としては、ビニル基、１−プロペニル基、アリル基、２−メチル−２−プロペニル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、１−ペンテニル基、２−ペンテニル基、３−ペンテニル基、４−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、２−ヘキセニル基、３−ヘキセニル基、４−ヘキセニル基、５−ヘキセニル基、１−ヘプテニル基、６−ヘプテニル基、１−オクテニル基、７−オクテニル基、１−ノネニル基、８−ノネニル基、１−デセニル基、９−デセニル基等を例示することができる。取り扱いが容易な点で、炭素数２から５の直鎖のアルケニル基を用いることが好ましい。
Ｒ６で表される炭素数１から１０のハロアルキル基としては、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルフルオロヘプチル基、ペルフルオロオクチル基、ペルフルオロノニル基、ペルフルオロデシル基等を例示することができる。
Ｒ６で表される炭素数１から１０のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基等を例示することができる。
Ｒ６で表される炭素数１から１０のハロアルコキシ基としては、トリフルオロメトキシ基、２，２，２−トリフルオロエトキシ基、ペルフルオロプロピルオキシ基、ペルフルオロブチルオキシ基、ペルフルオロペンチルオキシ基、ペルフルオロヘキシルオキシ基、ペルフルオロヘプチルオキシ基、ペルフルオロオクチルオキシ基、ペルフルオロノニルオキシ基、ペルフルオロデシルオキシ基等を例示することができる。
Ｒ８で表される炭素数１から１２のフルオロアルキル基としては、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルフルオロヘプチル基、ペルフルオロオクチル基、ペルフルオロノニル基、ペルフルオロデシル基、ペルフルオロウンデシル基、ペルフルオロドデシル基等を例示することができる。
Ｒ８で表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を例示することができる。反応の効率が良い点で、Ｒ８はトリフルオロメチル基又は塩素原子であることが好ましい。
一般式（１）において、Ｒ１は一般式（２）で表されるシクロへキシル基であり、Ｒ２は炭素数１から１０のアルキル基又は炭素数２から１０のアルケニル基であることが好ましい。
Ａは単結合又はフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基を表す。Ａで表されるフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基としては、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基等を例示することができる。
本発明の原料である１，４−二置換シクロヘキサン誘導体としては、１−イソプロピル−４−メチルシクロヘキサン、１−エチル−４−イソプロピルシクロヘキサン、１−プロピル−４−ビニルシクロヘキサン、１−アリル−４−プロピルシクロヘキサン、１−エチル−４−プロピルシクロヘキサン、１−ブチル−４−プロピルシクロヘキサン、１−ブチル−４−ペンチルシクロヘキサン、１−（３−ブテニル）−４−プロピルシクロヘキサン、１−（３−ブテニル）−４−ペンチルシクロヘキサン、１−へキシル−４−ペンチルシクロヘキサン、１−オクチル−４−ペンチルシクロヘキサン、１−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）−４−メチルシクロヘキサン、１−エチル−４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）−４−プロピルシクロヘキサン、１−ブチル−４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）−４−ペンチルシクロヘキサン、１−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）−４−へキシルシクロヘキサン、１−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）−４−オクチルシクロヘキサン、１−デシル−４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１−アリル−４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１−(３−ブテニル)−４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）−４−（４−ペンテニル）シクロヘキサン、１−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）−４−（５−へキセニル）シクロヘキサン、１−メチル−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１−エチル−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１−プロピル−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１−ブチル−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１−ペンチル−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１−へキシル−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１−オクチル−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１−デシル−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１−アリル−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１−（３−ブテニル）−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１−（４−ペンテニル）−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１−（５−ヘキセニル）−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）−４−メチルシクロヘキサン、１−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）−４−エチルシクロヘキサン、１−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）−４−プロピルシクロヘキサン、１−ブチル−４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）−４−ペンチルシクロヘキサン、１−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）−４−へキシルシクロヘキサン、１−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）−４−オクチルシクロヘキサン、１−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）−４−デシルシクロヘキサン、１−アリル−４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１−（３−ブテニル）−４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）−４−（４−ペンテニル）シクロヘキサン、１−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）−４−（５−ヘキセニル）シクロヘキサン、１−メチル−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１−エチル−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−４−プロピルシクロヘキサン、１−ブチル−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１−ペンチル−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１−へキシル−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１−オクチル−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１−デシル−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１−アリル−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１−（３−ブテニル）−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１−（４−ペンテニル）−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１−（５−ヘキセニル）−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１−フェニル−４−プロピルシクロヘキサン、１−ブチル−４−フェニルシクロヘキサン、１−ペンチル−４−フェニルシクロヘキサン、１−へキシル−４−フェニルシクロヘキサン、１−（４−エトキシフェニル）−４−プロピルシクロヘキサン、１−（４−エチルフェニル）−４−プロピルシクロヘキサン、１−（４−アリルフェニル）−４−プロピルシクロヘキサン、１−（４−エトキシフェニル）−４−ペンチルシクロヘキサン、１−（４−エチルフェニル）−４−ペンチルシクロヘキサン、１−（４−アリルフェニル）−４−ペンチルシクロヘキサン、１−プロピル−４−（４−（トリフルオロメチル）フェニル）シクロヘキサン、１−プロピル−４−（４−（トリフルオロメトキシ）フェニル）シクロヘキサン、１−ペンチル−４−（４−（トリフルオロメチル）フェニル）シクロヘキサン、１−ペンチル−４−（４−（トリフルオロメトキシ）フェニル）シクロヘキサン、１−へキシル−４−（４−（トリフルオロメチル）フェニル）シクロヘキサン、１−へキシル−４−（４−（トリフルオロメトキシ）フェニル）シクロヘキサン、１−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−４−プロピルシクロヘキサン、１−ブチル−４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）シクロヘキサン、１−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−４−ペンチルシクロヘキサン、１−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−４−へキシルシクロヘキサン、１−エチル−４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキサン、１−プロピル−４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキサン、１−ブチル−４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキサン、１−ペンチル−４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキサン、１−へキシル−４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキサン、１−フェニル−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）−４−フェニルシクロヘキサン、１−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−４−フェニルシクロヘキサン、１−（トランス−４−へキシルシクロヘキシル）−４−フェニルシクロヘキサン、１−（４−エトキシフェニル）−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）−４−（４−エトキシフェニル）シクロヘキサン、１−（４−エトキシフェニル）−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１−（４−エトキシフェニル）−４−（トランス−４−へキシルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）−４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）シクロヘキサン、１−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−４−（トランス−４−へキシルシクロヘキシル）シクロヘキサン、１−（３−フルオロフェニル）−４−プロピルシクロヘキサン、１−（４−フルオロフェニル）−４−プロピルシクロヘキサン、１−（２−フルオロ−４−トリル）−４−プロピルシクロヘキサン、１−（３−フルオロ−４−トリル）−４−プロピルシクロヘキサン、１−（３−フルオロ−４−アニシル）−４−プロピルシクロヘキサン、１−（４−ブチル−３，５−ジフルオロフェニル）−４−プロピルシクロヘキサン、１−（３，４−ジフルオロフェニル）−４−プロピルシクロヘキサン、１−（４−ビフェニリル）−４−プロピルシクロヘキサン、１−（４−ビフェニリル）−４−ブチルシクロヘキサン、１−（４−ビフェニリル）−４−ペンチルシクロヘキサン、１−（４−ビフェニリル）−４−ヘキシルシクロヘキサン、１−ブチル−４−（４−（４−エチルフェニル）フェニル）シクロヘキサン、１−（４−（４−ブチルフェニル）フェニル）−４−プロピルシクロヘキサン、１−（４−（４−エトキシフェニル）フェニル）−４−プロピルシクロヘキサン、１−ブチル−４−（４−（４−（トリフルオロメチル）フェニル）フェニル）シクロヘキサン、１−ペンチル−４−（４−（４−（トリフルオロメトキシ）フェニル）フェニル）シクロヘキサン、１−（４−（３，４−ジフルオロフェニル）フェニル）−４−プロピルシクロヘキサン、１−プロピル−４−（４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）フェニル）シクロヘキサン、１−（４−（３，４−ジフルオロフェニル）−３−フルオロフェニル）−４−プロピルシクロヘキサン、１−（３−フルオロ−４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）フェニル）−４−プロピルシクロヘキサン、１−（４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）フェニル）−４−プロピルシクロヘキサン、１−（４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−３−フルオロフェニル）−４−プロピルシクロヘキサン、１−（４−ビフェニリル）−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサン等を例示することができるが、これらに限定されるものではない。
次に、本発明の製造方法について詳しく述べる。本発明のトランス−１，４−二置換シクロヘキサン誘導体（１ａ）の製造方法は、下記スキームに示す通りである。
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ８は前記と同じ意味を表す。）
本発明の製造方法は、シス及びトランス混合物である１，４−二置換シクロヘキサン誘導体（１）を、１，４−二置換シクロヘキサン誘導体（１）に対して８０モル％以下のスルホン酸（４）のみの存在下、異性化させ、トランス−１，４−二置換シクロヘキサン誘導体（１ａ）を製造する方法である。
なお、上記の「スルホン酸（４）のみの存在下」とは、スルホン酸（４）以外には、異性化の反応速度に影響する働きをする物質が存在しないという意味であり、溶媒やごく微量の不純物等の存在を排除するものではない。
本発明の製造方法の原料であるシス及びトランス混合物である１，４−二置換シクロヘキサン誘導体（１）は、文献記載（特許文献１及び２）の方法で調製することができる。
本発明の製造方法の原料であるシス及びトランス混合物である１，４−二置換シクロヘキサン誘導体（１）とトランス体：シス体の比率は特に限定はないが、例えば、トランス体：シス体＝１：９９〜９０：１０程度の範囲から選択できる。本発明の製造方法により、原料である１，４−二置換シクロヘキサン誘導体（１）のトランス体：シス体の比率と比較して、トランス体の割合を増大させてトランス−１，４−二置換シクロヘキサン誘導体（１ａ）が得られる。
本発明の製造法に用いることのできる溶媒は、反応を阻害しない溶媒であればよく、具体的には、ジエチルエーテル、１，４−ジオキサン、１，２−ジメトキシエタン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、ヘキサン、メチルシクロヘキサン、へプタン等の脂肪族炭化水素系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等の塩素系溶媒、２，２，２−トリフルオロエタノール、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパノール等のフッ素系溶媒を挙げることができ、適宜これらを組み合わせて用いてもよい。効率が良い点で、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、２−クロロプロパン又は１，２−ジクロロプロパンを用いることが好ましい。
本発明の製造法では、触媒量のスルホン酸（４）を用いることが必須である。その使用量は、シス及びトランス混合物である１，４−二置換シクロヘキサン誘導体（１）に対していわゆる触媒量でよく、具体的には８０モル％以下である。一方でその下限値としては、０．１モル％以上を挙げることができる。本発明の製造法においては、０．１モル％から８０モル％の範囲から選ばれた量を用いることができるが、反応の効率が良い点で１モル％から４０モル％の範囲から選ばれた使用量であることがより好ましい。これに対し、特許文献５には、フェニルシクロヘキサン誘導体に対して、過剰量の酸を用いることが記載されており、最低でも２モル当量以上用いることが好ましいことが記載されている。
また、本発明の製造法において、異性化を行う際に、スルホン酸（４）以外の物質、例えば特許文献６に記載の第二級もしくは第三級のアルキルハライド、スルホン酸の第二級もしくは第三級のアルキルエステル、および第二級もしくは第三級のアルコールを触媒として用いない。
反応温度は、−１１０℃から１５０℃までの範囲で適宜選ばれた温度で行うことができる。収率が良い点で−７８℃から−１０℃の範囲から選ばれた温度が好ましい。反応時間に特に制限はない。
反応後の溶液からトランス−１，４−二置換シクロヘキサン誘導体（１ａ）を単離する方法に特に限定はないが、溶媒抽出、カラムクロマトグラフィー、分取薄層クロマトグラフィー、分取液体クロマトグラフィー、再結晶又は昇華等の汎用的な方法で目的物を得ることができる。
次に本発明を実施例によってさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
得られた化合物は、１Ｈ ＮＭＲ、１９Ｆ｛１Ｈ｝ ＮＭＲおよび１３Ｃ ＮＭＲ分析で得られる核磁気共鳴スペクトルにより同定した。１，４−二置換シクロヘキサン誘導体のトランス体、シス体の比率は、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）分析で得られるガスクロマトグラムの面積値、１Ｈ ＮＭＲ分析又は１９Ｆ｛１Ｈ｝ ＮＭＲ分析で得られる核磁気共鳴スペクトルの積分値から算出した。高分子量不純物は、サイズ排除クロマトグラフィー分析により測定した。まず分析方法について説明する。
＜１Ｈ ＮＭＲ分析＞
測定装置は、Ａｓｃｅｎｄ−４００（ブルカーバイオスピン（株）社製）を用いた。測定は、実施例等で製造したサンプルを、ＣＤＣｌ３に溶解し、室温で、４００ＭＨｚ、積算回数１６回の条件で行った。化学シフトδ値のゼロ点の基準物質としてはテトラメチルシラン（ＴＭＳ）を用いた。
＜１９Ｆ｛１Ｈ｝ ＮＭＲ分析＞
測定装置は、Ａｓｃｅｎｄ−４００（ブルカーバイオスピン（株）社製）を用いた。測定は、実施例等で製造したサンプルを、ＣＤＣｌ３に溶解し、室温で、３７６ＭＨｚ、積算回数１６回、１Ｈデカップリングの条件で行った。
＜１３Ｃ ＮＭＲ分析＞
測定装置は、ＵＬＴＲＡＳＨＩＥＬＤ ＰＬＵＳ−４００（ブルカーバイオスピン（株）社製）を用いた。測定は、実施例等で製造したサンプルを、ＣＤＣｌ３に溶解し、室温で、１００ＭＨｚ、積算回数１２８回の条件で行った。化学シフトδ値のゼロ点の基準物質としてはテトラメチルシラン（ＴＭＳ）を用いた。
＜ＧＣ分析＞
測定装置は、島津製作所製のＧＣ−１７Ａ型ガスクロマトグラフを用いた。カラムは、アジレント・テクノロジー（株）社製のキャピラリーカラムＤＢ−５ＭＳ（長さ３０ｍ、内径０．２５ｍｍ、膜厚０．２５μｍ；固定液相はフェニルアリーレンポリマー；無極性）を用いた。キャリアーガスとしてはヘリウムを用い、流量は９０ｍＬ／分に調整した。
試料気化室の温度を２８０℃、検出器（ＦＩＤ）部分の温度を２８０℃に設定した。
試料はヘキサンに溶解して、１重量％の溶液となるように調製し、得られた溶液１μＬを試料気化室に注入した。
記録計としては島津製作所製のＣ−Ｒ６Ａ型Ｃｈｒｏｍａｔｏｐａｃを用いた。得られたガスクロマトグラムには、成分化合物に対応するピークの保持時間およびピークの面積値が示されている。
ガスクロマトグラムにおけるピークの面積比は成分化合物の割合に相当する。一般には、分析サンプルの成分化合物の重量％は、分析サンプルの各ピークの面積％と完全に同一ではないが、本発明において上述したカラムを用いる場合には、実質的に補正係数は１であるので、分析サンプル中の成分化合物の重量％は、分析サンプル中の各ピークの面積％に対応をしている。
＜サイズ排除クロマトグラフィー分析＞
測定装置は、ジーエルサイエンス（株）社製のＧＬ−７４００型高速液体クロマトグラフを用いた。カラムは、東ソー（株）社製のカラムＴＳＫｇｅｌ ｓｕｐｅｒＨ５０００（長さ１５ｃｍ、内径６ｍｍ、粒径３μｍ、孔径６．５ｎｍ）、ＴＳＫｇｅｌ ｓｕｐｅｒＨ３０００（長さ１５ｃｍ、内径６ｍｍ、粒径３μｍ、孔径７．５ｎｍ）、ＴＳＫｇｅｌ ｓｕｐｅｒＨ２０００（長さ１５ｃｍ、内径６ｍｍ、粒径３μｍ、孔径２．０ｎｍ）およびＴＳＫｇｅｌ ｓｕｐｅｒＨ１０００（長さ１５ｃｍ、内径６ｍｍ、粒径３μｍ、孔径１．５ｎｍ）各１本をこの順で直列に連結して用い、カラム温度を４０℃に設定した。移動相としてはテトラヒドロフランを用い、流量は０．４ｍＬ／分に調整した。検出器はジーエルサイエンス（株）社製のＲＩ検出器ＧＬ−７４５４を用いた。
試料はテトラヒドロフランに溶解して、１０ｍｇ／ｍＬの溶液となるように調製し、得られた溶液２０μＬをカラムに注入した。
＜実施例−１＞
アルゴン雰囲気下、トリフルオロメタンスルホン酸（９０．０ｍｇ，０．６ｍｍｏｌ）とジクロロメタン（２．０ｍＬ）との混合液を−２０℃に冷却した。この混合液に１−ブチル−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサン（５２９ｍｇ，２．０ｍｍｏｌ，トランス体：シス体＝２１．５３：７８．４７）を滴下し、同温で三時間撹拌し、反応させた。この反応液に飽和重曹水（２ｍＬ）およびヘキサン（４ｍＬ）を加えて室温下で５分間撹拌し、得られたヘキサン層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濃縮したところトランス−１−ブチル−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサン（５２４ｍｇ、９９％）を得た。生成物をガスクロマトグラフィーにて分析したところ、トランス体：シス体＝９５．６７：４．３３であった。サイズ排除クロマトグラフィーにて分析したところ、高分子量不純物を１．９５％含んでいた。１３Ｃ ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：４３．６（２Ｃ），３９．９，３８．０，３７．７，３７．３，３３．７（４Ｃ），３０．１（４Ｃ)，２９．３，２３．１，２０．１，１４．４，１４．２。
＜実施例−２〜１８＞
下表の条件（表中、ＴｆＯＨはトリフルオロメタンスルホン酸を、ＮｆＯＨはノナフルオロブタン−１−スルホン酸を、ＣｌＳＯ３Ｈはクロロスルホン酸を、ＤＣＭはジクロロメタンを、ＣＨＣｌ３はクロロホルムを、ＤＣＥは１，２−ジクロロエタンを表す）を用いたこと以外は実施例−１と同様の手順で反応および分析を行った。
＜実施例−１９＞
アルゴン雰囲気下、トリフルオロメタンスルホン酸（９０．０ｍｇ，０．６ｍｍｏｌ）とジクロロメタン（２．０ｍＬ）との混合液を−２０℃に冷却した。この混合液に１−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）−４−プロピルシクロヘキサン（４７３ｍｇ，２．０ｍｍｏｌ，トランス体：シス体＝７９．３８：２０．６２）のジクロロメタン溶液（２ｍＬ）を滴下し、同温で３時間撹拌し、反応させた。この反応液に飽和重曹水（２ｍＬ）およびヘキサン（４ｍＬ）を加えて室温下で５分間撹拌し、ヘキサン層をガスクロマトグラフィーにて分析したところ、トランス体：シス体＝＞９９．９：＜０．１であった。
＜実施例−２０＞
アルゴン雰囲気下、トリフルオロメタンスルホン酸（９０．０ｍｇ，０．６ｍｍｏｌ）とジクロロメタン（２．０ｍＬ）との混合液を−２０℃に冷却した。この混合液に１−ペンチル−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサン（５５７ｍｇ，２ｍｍｏｌ，トランス体：シス体＝８０．５５：１９．４５）のジクロロメタン溶液（２ｍＬ）を滴下し、同温で３時間撹拌し、反応させた。この反応液に飽和重曹水（２ｍＬ）およびヘキサン（４ｍＬ）を加えて室温下で５分間撹拌し、ヘキサン層をガスクロマトグラフィーにて分析したところ、トランス体：シス体＝＞９９．９：＜０．１であった。
＜実施例−２１＞
反応基質を１−イソプロピル−４−メチルシクロヘキサン（２８１ｍｇ，２ｍｍｏｌ，トランス体：シス体＝５１．４４：４８．５６）へと変更した以外は実施例−１と同様に反応および分析を行ったところ、トランス体：シス体＝９５．７８：４．２２であった。
＜実施例−２２＞
トリフルオロメタンスルホン酸をクロロスルホン酸（６９．９ｍｇ，０．６ｍｍｏｌ）へと変更した以外は実施例−２１と同様に反応および分析を行ったところ、トランス体：シス体＝９５．８９：４．１１であった。
＜実施例−２３＞
トリフルオロメタンスルホン酸をノナフルオロブタン−１−スルホン酸（１８０ｍｇ，０．６ｍｍｏｌ）へと変更した以外は実施例−２１と同様に反応および分析を行ったところ、トランス体：シス体＝９５．８９：４．１１であった。
＜実施例−２４＞
反応基質を１−フェニル−４−プロピルシクロヘキサン（４０５ｍｇ，２ｍｍｏｌ，トランス体：シス体＝４０．８９：５９．１１）に変更した以外は実施例−１と同様に反応および分析を行ったところ、トランス体：シス体＝９８．４７：１．５３であった。１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．２８−７．１５（５Ｈ，ｍ），２．４６（１Ｈ，ｔｔ，Ｊ＝１２．２Ｈｚ，３．２Ｈｚ），１．９１−１．８４（４Ｈ，ｍ），１．５１−１．１８（７Ｈ，ｍ），１．１０−０．９９（２Ｈ，ｍ），０．９０（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ）．
＜実施例−２５＞
反応温度を−５０℃へと変更した以外は実施例−２４と同様に反応および分析を行ったところ、トランス体：シス体＝９８．８３：１．１７であった。
＜実施例−２６＞
反応時間を１８時間へと変更した以外は実施例−２４と同様に反応および分析を行ったところ、トランス体：シス体＝９８．６２：１．３８であった。
＜実施例−２７＞
反応基質を１−（４−エトキシフェニル）−４−プロピルシクロヘキサン（４９３ｍｇ，２ｍｍｏｌ，トランス体：シス体＝２９．７６：７０．２４）に変更し、反応時間を１８時間へと変更した以外は実施例−１と同様に反応および分析を行ったところ、トランス体：シス体＝８９．４７：１０．５３であった。１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．１１（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ），６．８２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ），４．０１（１Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．０Ｈｚ），２．４０（１Ｈ，ｔｔ，Ｊ＝１２．２Ｈｚ，３．３Ｈｚ），１．８８−１．８２（４Ｈ，ｍ），１．４６−１．１７（１０Ｈ，ｍ），１．０８−０．９８（２Ｈ，ｍ），０．９０（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ）．
＜実施例−２８＞
反応基質を１−フェニル−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサン（５６９ｍｇ，２ｍｍｏｌ，トランス体：シス体＝４１．３７：５８．６３）に変更した以外は実施例−１と同様に反応および分析を行ったところ、トランス体：シス体＝９８．８０：１．２０であった。１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．２７−７．２４（２Ｈ，ｍ），７．２１−７．１６（３Ｈ，ｍ），２．４４（１Ｈ，ｔｔ，Ｊ＝１２．２Ｈｚ，３．４Ｈｚ），１．９３−１．９０（２Ｈ，ｍ），１．８５−１．８３（２Ｈ，ｍ），１．７８−１．７２（４Ｈ，ｍ），１．４７−１．３８（２Ｈ，ｍ），１．３６−１．２６（２Ｈ，ｍ），１．１６−１．１３（６Ｈ，ｍ），１．０７−０．９５（３Ｈ，ｍ），０．８９−０．８６（５Ｈ，ｍ）．
＜実施例−２９＞
反応基質を１−（３−フルオロフェニル）−４−プロピルシクロヘキサン（４４１ｍｇ，２ｍｍｏｌ，トランス体：シス体＝３２．９２：６７．０８）に変更し、反応時間を１２０時間へと変更した以外は実施例−１と同様に反応および分析を行ったところ、トランス体：シス体＝９５．１３：４．８７であった。１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．２３（１Ｈ，ｄｔ，Ｊ＝６．２Ｈｚ，７．９Ｈｚ），６．９７（１Ｈ，ｍ），６．９０（１Ｈ，ｄｔ，Ｊ＝１０．５Ｈｚ，２．２Ｈｚ），６．８５（１Ｈ，ｄｄｔ，Ｊ＝０．８Ｈｚ，２．６Ｈｚ，１０．７Ｈｚ），２．４６（１Ｈ，ｔｔ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，１２．２Ｈｚ），１．９０−１．８４（４Ｈ，ｍ），１．４７−１．１８（７Ｈ，ｍ），１．０９−１．０２（２Ｈ，ｍ），０．９０（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ）．１９Ｆ｛１Ｈ｝ ＮＭＲ（３７７ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：−１１３．９（１Ｆ，ｓ）．
＜実施例−３０＞
反応基質を１−（４−フルオロフェニル）−４−プロピルシクロヘキサン（４４１ｍｇ，２ｍｍｏｌ，トランス体：シス体＝４７．９７：５２．０３）に変更した以外は実施例−１と同様に反応および分析を行ったところ、トランス体：シス体＝９７．２６：２．７４であった。１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．１５（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，５．６Ｈｚ），７．００（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝８．８Ｈｚ），２．４４（１Ｈ，ｔｔ，Ｊ＝１２．１Ｈｚ，３．２Ｈｚ），１．８７−１．８４（４Ｈ，ｍ），１．４５−１．１８（７Ｈ，ｍ），１．０９−１．０２（２Ｈ，ｍ），０．９０（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ）．１９Ｆ｛１Ｈ｝ ＮＭＲ（３７７ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：−１１８．０（１Ｆ，ｓ）．
＜実施例−３１＞
反応基質を１−（２−フルオロ−４−トリル）−４−プロピルシクロヘキサン（４６９ｍｇ，２ｍｍｏｌ，トランス体：シス体＝３９．５７：６０．６３）に変更し、反応時間を１８時間へと変更した以外は実施例−１と同様に反応および分析を行ったところ、トランス体：シス体＝９６．５７：３．４３であった。１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．０９（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．８Ｈｚ），６．８８（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ），６．８１（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１１．５Ｈｚ），２．７７（１Ｈ，ｔｔ，Ｊ＝１２．３Ｈｚ，２．７Ｈｚ），２．３０（３Ｈ，ｓ），１．８６−１．８３（４Ｈ，ｍ），１．６４−１．０４（９Ｈ，ｍ），０．９０（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ）．１９Ｆ｛１Ｈ｝ ＮＭＲ（３７７ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：−１２０．５（１Ｆ，ｓ）
＜実施例−３２＞
反応基質を１−（３−フルオロ−４−トリル）−４−プロピルシクロヘキサン（４６９ｍｇ，２ｍｍｏｌ，トランス体：シス体＝３４．６３：６５．３７）に変更した以外は実施例−１と同様に反応および分析を行ったところ、トランス体：シス体＝９７．５８：２．４２であった。１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．０７（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝８．１Ｈｚ），６．８８−６．８３（２Ｈ，ｍ），２．４２（１Ｈ，ｔｔ，Ｊ＝１２．２Ｈｚ，３．３Ｈｚ），２．２２（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝１．６Ｈｚ），１．８９−１．８３（４Ｈ，ｍ），１．４５−１．１９（７Ｈ，ｍ），１．０８−０．９７（２Ｈ，ｍ），０．９０（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ）．１９Ｆ｛１Ｈ｝ ＮＭＲ（３７７ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：−１１８．２（１Ｆ，ｓ）．
＜実施例−３３＞
反応基質を１−（３−フルオロ−４−アニシル）−４−プロピルシクロヘキサン（５０１ｍｇ，２ｍｍｏｌ，トランス体：シス体＝６０．０６：３９．９４）に変更した以外は実施例−１と同様に反応および分析を行ったところ、トランス体：シス体＝９３．４７：６．５３であった。１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：６．９５−６．８５（３Ｈ，ｍ），３．８６（３Ｈ，ｓ），２．３９（１Ｈ，ｔｔ，Ｊ＝１２．２Ｈｚ，３．２Ｈｚ），１．８７−１．８４（４Ｈ，ｍ），１．４３−１．２５（７Ｈ，ｍ），１．２３−０．９７（２Ｈ，ｍ），０．９０（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ）．１９Ｆ｛１Ｈ｝ ＮＭＲ（３７７ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：−１３５．８（１Ｆ，ｓ）．
＜実施例−３４＞
反応基質を１−（４−ブチル−３，５−ジフルオロフェニル）−４−プロピルシクロヘキサン（５８９ｍｇ，２ｍｍｏｌ，トランス体：シス体＝４３．０１：５６．９９）に変更し、反応時間を１２０時間へと変更した以外は実施例−１と同様に反応および分析を行ったところ、トランス体：シス体＝８２．０９：１７．９１であった。１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：６．７０−６．６４（２Ｈ，ｍ），２．６１（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ），２．４０（１Ｈ，ｔｔ，Ｊ＝１２．２Ｈｚ，３．２Ｈｚ），１．８７−１．８４（４Ｈ，ｍ），１．６３−１．５０（４Ｈ，ｍ），１．４２−１．１７（７Ｈ，ｍ），１．０７−０．８８（８Ｈ，ｍ）．１９Ｆ｛１Ｈ｝ ＮＭＲ（３７７ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：−１１７．１（２Ｆ，ｓ）．
＜実施例−３５＞
反応基質を１−（３，４−ジフルオロフェニル）−４−プロピルシクロヘキサン（４７７ｍｇ，２ｍｍｏｌ，トランス体：シス体＝２５．１５：７４．８６）に変更し、反応温度を室温へ、反応時間を１２０時間へとそれぞれ変更した以外は実施例−１と同様に反応および分析を行ったところ、トランス体：シス体＝７２．６０：２７．４０であった。１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．０８−６．９６（２Ｈ，ｍ），６．９１（１Ｈ，ｍ），２．４２（１Ｈ，ｔｔ，Ｊ＝１２．３Ｈｚ，３．１Ｈｚ），１．８８−１．８４（４Ｈ，ｍ），１．４４−１．１７（７Ｈ，ｍ），１．０９−０．９６（２Ｈ，ｍ），０．９０（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ）．１９Ｆ｛１Ｈ｝ ＮＭＲ（３７７ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：−１３８．８（１Ｆ，ｄ，Ｊ＝２０．８Ｈｚ），−１４２．７（１Ｆ，ｄ，Ｊ＝２１．８Ｈｚ）．
＜実施例−３６＞
アルゴン雰囲気下、トリフルオロメタンスルホン酸（４５．０ｍｇ，０．３ｍｍｏｌ）とジクロロメタン（１．０ｍＬ）との混合液を−２０℃に冷却した。この混合液に１−（４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）フェニル）−４−プロピルシクロヘキサン（３５８ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ，トランス体：シス体＝３６．３８：６３．６２）のジクロロメタン溶液（１．２ｍＬ）を滴下し、同温で３時間撹拌し、反応させた。この反応液に飽和重曹水（２ｍＬ）を加えて室温下で５分間撹拌し、ジクロロメタン層を１Ｈ ＮＭＲにて分析したところ、トランス体：シス体＝９３．５８：６．４２であった。１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．４３（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，１．６Ｈｚ），７．２７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ），７．０８（１Ｈ，ｔｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２．４Ｈｚ），６．７８（１Ｈ，ｔｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，１．９Ｈｚ）４．１５（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．０Ｈｚ），２．５０（１Ｈ，ｔｔ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ，２．９Ｈｚ），１．９５−１．８６（４Ｈ，ｍ），１．５３−１．４４（５Ｈ，ｍ），１．３９−１．３３（３Ｈ，ｍ），１．３１−１．２９（２Ｈ，ｍ），１．２５−１．０２（２Ｈ，ｍ），０．９１（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ）．１９Ｆ｛１Ｈ｝ ＮＭＲ（３７７ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：−１４１．９（１Ｆ，ｄ，Ｊ＝１９．９Ｈｚ），−１５８．９（１Ｆ，ｄ，Ｊ＝１９．６Ｈｚ）．
＜比較例−１＞
トリフルオロメタンスルホン酸を（３６０ｍｇ，２．４ｍｍｏｌ）用いたこと以外は実施例−１と同様に反応を行ったところ、１−ブチル−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサン（トランス体：シス体＝９５．５９：４．４１）以外に多数の副生成物の生成を確認した。
＜比較例−２＞
アルゴン雰囲気下、トリフルオロメタンスルホン酸（９０．０ｍｇ，０．６ｍｍｏｌ）とジクロロメタン（１．６ｍＬ）との混合液を−２０℃に冷却した。この混合液に１−アダマンタノールのジクロロメタン溶液（０．４ｍＬ，０．１２ｍｍｏｌ）を滴下し、次いで１−ブチル−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサン（５２９ｍｇ，２ｍｍｏｌ，トランス体：シス体＝２１．５３：７８．４７）を滴下し、同温で３時間撹拌し、反応させた。この反応液に飽和重曹水（２ｍＬ）およびヘキサン（４ｍＬ）を加えて室温下で５分間撹拌し、得られたヘキサン層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濃縮したところトランス−１−ブチル−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサン（トランス体：シス体＝９８．１６：１．８４）を得た。また、アダマンタンの生成を確認した。サイズ排除クロマトグラフィーにて分析したところ、高分子量不純物を６．００％含んでいた。
＜比較例−３＞
アルゴン雰囲気下、トリフルオロメタンスルホン酸（９０．０ｍｇ，０．６ｍｍｏｌ）とジクロロメタン（１．０ｍＬ）との混合液を−２０℃に冷却した。この混合液に１−アダマンタノールのジクロロメタン溶液（１．０ｍＬ，０．３０ｍｍｏｌ）を滴下し、次いで１−ブチル−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサン（５２９ｍｇ，２ｍｍｏｌ，トランス体：シス体＝２１．５３：７８．４７）を滴下し、同温で３時間撹拌し、反応させた。この反応液に飽和重曹水（２ｍＬ）およびヘキサン（４ｍＬ）を加えて室温下で５分間撹拌し、得られたヘキサン層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濃縮したところトランス−１−ブチル−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサン（トランス体：シス体＝５３．４６：４６．５４）を得た。また、アダマンタンの生成を確認した。サイズ排除クロマトグラフィーにて分析したところ、高分子量不純物を１２．０３％含んでいた。

Claims (5)

  1. 一般式（１）で表されるシス及びトランス混合物である１，４−二置換シクロヘキサン誘導体を、一般式（１）で表されるシス及びトランス混合物である１，４−二置換シクロヘキサン誘導体に対して８０モル％以下の一般式（４）で表されるスルホン酸のみの存在下、−７８℃から−１０℃の範囲から選ばれた温度で異性化させることを特徴とする、一般式（１ａ）で表されるトランス−１，４−二置換シクロヘキサン誘導体の製造方法。
    （式中、Ｒ１は炭素数１から１０のアルキル基、炭素数２から１０のアルケニル基又は一般式（２）で表されるシクロへキシル基を表す。Ｒ２は炭素数１から１０のアルキル基、炭素数２から１０のアルケニル基又は一般式（３）で表されるフェニル基を表す。）
    （式中、Ｒ３は水素原子、炭素数１から１０のアルキル基又は炭素数２から１０のアルケニル基を表す。）
    （式中、Ｒ４、Ｒ５及びＲ７は各々独立に水素原子又はフッ素原子を表し、Ｒ６は水素原子、炭素数１から１０のアルキル基、炭素数２から１０のアルケニル基、炭素数１から１０のハロアルキル基、炭素数１から１０のアルコキシ基、炭素数１から１０のハロアルコキシ基又はフッ素原子を表し、Ａは単結合又はフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基を表す。）
    （式中、Ｒ８は炭素数１から１２のフルオロアルキル基又はハロゲン原子を表す。）
    （式中、Ｒ１及びＲ２は前記と同じ定義を表す。）
  2. Ｒ１が一般式（２）で表されるシクロへキシル基であり、Ｒ２は炭素数１から１０のアルキル基又は炭素数２から１０のアルケニル基である請求項１に記載の製造方法。
  3. Ｒ８がトリフルオロメチル基又は塩素原子である請求項１又は２に記載の製造方法。
  4. ジクロロメタン、クロロホルム及び１，２−ジクロロエタンからなる群から選択される１種以上の溶媒中で異性化を行うことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の製造方法。
  5. 一般式（４）で表されるスルホン酸の使用量が、一般式（１）で表されるシス及びトランス混合物である１，４−二置換シクロヘキサン誘導体に対して、１モル％から４０モル％の範囲から選ばれた使用量である請求項１から４のいずれか一項に記載の製造方法。
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