JP6778439B2 - 金属化合物膜の成膜方法及び反応性スパッタ装置 - Google Patents
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Description
成膜室に放電ガスを導入した状態で、前記第1ターゲットが装着されたスパッタ電極に、前記パルス制御信号パターンにより設定された第1スパッタ目標電力を供給するとともに、前記パルス制御信号パターンにより設定された目標導入タイミングだけ前記反応ガス導入機から前記成膜室への反応ガスの導入を停止して、前記基板に前記第1ターゲットの金属超薄膜を形成する第1の工程と、
前記成膜室に放電ガスを導入した状態で、前記第2ターゲットが装着されたスパッタ電極に、前記パルス制御信号パターンにより設定された第2スパッタ目標電力を供給するとともに、前記パルス制御信号パターンにより設定された目標導入タイミングだけ前記反応ガス導入機から前記成膜室へ反応ガスを導入し、前記基板に前記第2ターゲットの金属超薄膜を形成する第2の工程と、を少なくとも備える金属化合物膜の成膜方法により、上記課題を解決する。
前記成膜室に放電ガスを導入した状態で、前記第1ターゲットが装着されたスパッタ電極に、前記パルス制御信号パターンにより設定された第1スパッタ目標電力を供給するとともに、前記パルス制御信号パターンにより設定された目標導入タイミングだけ前記反応ガス導入機から前記成膜室へ反応ガスを導入しないで、前記基板に前記第1ターゲットの金属超薄膜を形成する第1の工程と、
前記成膜室に放電ガスを導入した状態で、前記第2ターゲットが装着されたスパッタ電極に、前記パルス制御信号パターンにより設定された第2スパッタ目標電力を供給するとともに、前記パルス制御信号パターンにより設定された目標導入タイミングだけ前記反応ガス導入機から前記成膜室へ反応ガスを導入しないで、前記基板に前記第2ターゲットの金属超薄膜を形成する第2の工程と、
前記成膜室に放電ガスを導入した状態で、前記第1ターゲットが装着されたスパッタ電極に、前記パルス制御信号パターンにより設定された第1スパッタ目標電力を供給するとともに、前記パルス制御信号パターンにより設定された目標導入タイミングだけ前記反応ガス導入機から前記成膜室へ反応ガスを導入し、前記基板に前記第1ターゲットの金属超薄膜を形成する第3の工程と、
前記成膜室に放電ガスを導入した状態で、前記第2ターゲットが装着されたスパッタ電極に、前記パルス制御信号パターンにより設定された第2スパッタ目標電力を供給するとともに、前記パルス制御信号パターンにより設定された目標導入タイミングだけ前記反応ガス導入機から前記成膜室へ反応ガスを導入し、前記基板に前記第2ターゲットの金属超薄膜を形成する第4の工程と、を少なくとも備える金属化合物膜の成膜方法により、上記課題を解決する。
前記成膜室を所定圧力に減圧する減圧機と、
前記成膜室に放電ガスを導入する放電ガス導入機と、
成膜材料となるターゲットをそれぞれ備え、一つの前記基板に対して対向する複数のスパッタ電極と、
前記成膜室に反応ガスを導入する反応ガス導入機と、
前記複数のスパッタ電極に電力を供給する直流電源と、
前記直流電源と前記複数のスパッタ電極との間に接続され、それぞれのスパッタ電極に印加する直流電圧をパルス波電圧に変換する複数のパルス波変換スイッチと、
前記反応ガス導入機から前記成膜室への反応ガスの導入を制御する反応ガス導入制御器と、
前記複数のスパッタ電極に供給するそれぞれのスパッタ目標電力と、前記反応ガスの目標導入タイミングとに応じたパルス制御信号パターンがプログラム可能とされ、プログラムされたパルス制御信号パターンにしたがって、前記複数のパルス波変換スイッチのそれぞれと、前記ガス導入制御器とを制御するプログラマブル発信器と、を備え、
前記反応ガス導入機は、
反応ガス供給源と、
前記反応ガス供給源から供給する反応ガス流量を調節する流量調節器と、
前記流量調節器から分岐して前記成膜室へ反応ガスを導く第1ガス流路と、
前記流量調節器から分岐して前記減圧機の排気系へ反応ガスを導く第2ガス流路と、
前記第1ガス流路を開閉する第1開閉弁と、
前記第2ガス流路を開閉する第2開閉弁と、を備え、
前記反応ガス導入制御器は、前記プログラマブル発信器からのパルス制御信号パターンに基づいて、前記第1開閉弁と前記第2開閉弁を排他的に開閉制御する反応性スパッタ装置によっても、上記課題を解決する。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図1Aは、本発明の反応性スパッタ装置の一実施の形態を示すブロック図、図1Bは、図1Aの反応ガス導入機16の細部を示すブロック図である。本実施形態の反応性スパッタ装置1は、実質的に密閉空間を形成する成膜室11を備え、当該成膜室11に、成膜される基板Sを保持する基板ホルダ12と、成膜材料となるターゲット(本例では第1ターゲットT1と第2ターゲットT2)をそれぞれ備え、一つの基板Sに対して対向する複数のスパッタ電極(本例では第1スパッタ電極18と,第2スパッタ電極19)とが設けられている。また、成膜室11には、当該成膜室11を所定圧力に減圧する減圧機13と、減圧機13により減圧される成膜室11の圧力を制御する、仕切バルブ(メインバルブ)を兼ねたコンダクタンスバルブ14と、成膜室11に放電ガスを導入する放電ガス導入機15と、成膜室11に反応ガスを導入する反応ガス導入機16と、反応ガス導入機16による反応ガス量を制御する反応ガス導入制御器17と、が設けられている。なお、成膜室11と減圧機13との間の配管に、成膜室11側から順にコンダクタンスバルブと、これとは別の仕切バルブ(メインバルブ)を設けてもよい。
このような本実施形態の反応性スパッタ装置1を用いると、種々の成膜形態でのスパッタ処理が可能となる。特に複数の異種金属をターゲットとして金属酸化膜や金属窒化膜などの複合金属化合物膜、混合膜又は多層膜を形成する場合に、成膜速度の低下を可能な限り抑制しつつ成膜できる方法が可能となる。複合金属化合物膜及び混合膜を含めて金属化合物膜という。
図4Aに示す成膜方法は、成膜室11に不活性ガスなどの放電ガスを導入した状態で、第1ターゲットT1(たとえばジルコニアZr)が装着された第1スパッタ電極18に対して所定時間幅Pt1のスパッタマスクパルスを印加して第1ターゲットT1による超薄膜を形成する。次いで、第2スパッタ電極19に対して所定時間幅Pt2のスパッタマスクパルスを印加して第2ターゲットT2(たとえばイットリウムY)による超薄膜を形成すると同時に、反応ガス(たとえば酸素O2)を成膜室11に導入する。すなわち、反応ガス流量に対する成膜速度の影響度が相対的に敏感である第1ターゲットT1をスパッタ処理するタイミングでは、反応ガスを成膜室11に導入せず、反応ガス流量に対する成膜速度の影響度が相対的に鈍感で成膜速度が得られる第2ターゲットT2をスパッタ処理するタイミングでは、反応ガスを成膜室11に導入する。
図4Bに示す成膜方法は、成膜室11に不活性ガスなどの放電ガスを導入した状態で、第2スパッタ電極19に対して所定時間幅Pt2のスパッタマスクパルスを印加して第2ターゲットT2(たとえばイットリウムY)による超薄膜を形成すると同時に、反応ガス(たとえば酸素O2)を成膜室11に導入する。次いで、第1ターゲットT1(たとえばジルコニアZr)が装着された第1スパッタ電極18に対して所定時間幅Pt1のスパッタマスクパルスを印加して第1ターゲットT1による超薄膜を形成する。すなわち、この成膜方法においても、反応ガス流量に対する成膜速度の影響度が相対的に敏感である第1ターゲットT1をスパッタ処理するタイミングでは、反応ガスを成膜室11に導入せず、反応ガス流量に対する成膜速度の影響度が相対的に鈍感である第2ターゲットT2をスパッタ処理するタイミングでは、反応ガスを成膜室11に導入する。
図4Cに示す成膜方法は、成膜室11に不活性ガスなどの放電ガスを導入した状態で、第1ターゲットT1(たとえばジルコニアZr)が装着された第1スパッタ電極18に対して所定時間幅Pt1のスパッタマスクパルスを印加して第1ターゲットT1による超薄膜を形成する。次いで、第2スパッタ電極19に対して所定時間幅Pt2のスパッタマスクパルスを印加して第2ターゲットT2(たとえばイットリウムY)による超薄膜を形成する。これら所定時間幅Pt1,Pt2のパルスを印加する間は、反応ガスを成膜室11に導入せず、金属モードによるスパッタ処理を行う。次いで、第1ターゲットT1が装着された第1スパッタ電極18に対して所定時間幅Pt3のパルスを印加して第1ターゲットT1による超薄膜を形成する。次いで、第2スパッタ電極19に対して所定時間幅Pt4のパルスを印加して第2ターゲットT2による超薄膜を形成すると同時に、反応ガス(たとえば酸素O2)を成膜室11に導入する。すなわち、この成膜方法においても、少なくとも反応ガス流量に対する成膜速度の影響度が相対的に敏感である第1ターゲットT1をスパッタ処理するタイミングでは、反応ガスを成膜室11に導入しない。
図4Dに示す成膜方法は、成膜室11に不活性ガスなどの放電ガスを導入した状態で、第1ターゲットT1(たとえばシリコンSi)が装着された第1スパッタ電極18に対して所定時間幅Pt1のスパッタマスクパルスを印加して第1ターゲットT1による超薄膜を形成する。次いで、第2スパッタ電極19に対して所定時間幅Pt2のスパッタマスクパルスを印加して第2ターゲットT2(たとえばイットリウムY又はエルビウムEr/イットリウムY)による超薄膜を形成する。これら所定時間幅Pt1,Pt2のパルスを印加する間は、反応ガスを成膜室11に導入せず、金属モードによるスパッタ処理を行う。反応ガスを導入しないスパッタ処理をすることにより、ターゲット表面にある酸化物を一度スパッタで除去する時間を設け、ターゲット表面に金属面を取り戻す再生を行う。このサイクルを繰り返すことにより、金属モードでの高い成膜速度を取り戻すことができる。次いで、第1ターゲットT1が装着された第1スパッタ電極18に対して所定時間幅Pt3のパルスを印加して第1ターゲットT1による超薄膜を形成する。次いで、同じく反応ガス(たとえば酸素O2)を成膜室11に導入した状態で、第2スパッタ電極19に対して所定時間幅Pt4のパルスを印加して第2ターゲットT2による超薄膜を形成する。
図4Eに示す成膜方法は、図4Dに示す成膜方法の変形例である。すなわち、図4Eに示す成膜方法は、成膜室11に不活性ガスなどの放電ガスを導入した状態で、第1ターゲットT1(たとえばシリコンSi)が装着された第1スパッタ電極18に対して所定時間幅Pt1のスパッタマスクパルスを印加して第1ターゲットT1による超薄膜を形成する。次いで、第2スパッタ電極19に対して所定時間幅Pt2のスパッタマスクパルスを印加して第2ターゲットT2(たとえばイットリウムY又はエルビウムEr/イットリウムY)による超薄膜を形成する。これら所定時間幅Pt1,Pt2のパルスを印加する間は、反応ガスを成膜室11に導入し、酸化モードによるスパッタ処理を行う。次いで、反応ガスの成膜室11への導入を停止し、第1ターゲットT1が装着された第1スパッタ電極18に対して所定時間幅Pt3のパルスを印加して第1ターゲットT1による超薄膜を形成する。次いで、同じく反応ガス(たとえば酸素O2)を成膜室11に導入しない状態で、第2スパッタ電極19に対して所定時間幅Pt4のパルスを印加して第2ターゲットT2による超薄膜を形成する。この成膜方法によっても、図4Dに示す成膜方法と同様の作用効果を奏する。
図4Fに示す成膜方法は、図4Dに示す成膜方法の変形例である。すなわち、図4Fに示す成膜方法は、成膜室11に不活性ガスなどの放電ガスを導入した状態で、第1ターゲットT1(たとえばシリコンSi)が装着された第1スパッタ電極18に対して所定時間幅Pt1のスパッタマスクパルスを印加して第1ターゲットT1による超薄膜を形成する。この所定時間幅Pt1のパルスを印加する間は、反応ガスを成膜室11に導入しないで、金属モードによるスパッタ処理を行う。次いで、第2スパッタ電極19に対して所定時間幅Pt2のスパッタマスクパルスを印加して第2ターゲットT2(たとえばイットリウムY又はエルビウムEr/イットリウムY)による超薄膜を形成する。この所定時間幅Pt2のパルスを印加する間は、反応ガスを成膜室11に導入し、酸化モードによるスパッタ処理を行う。次いで、反応ガスの成膜室11への導入を継続し、第1ターゲットT1が装着された第1スパッタ電極18に対して所定時間幅Pt3のパルスを印加し、酸化モードにて第1ターゲットT1による超薄膜を形成する。次いで、反応ガス(たとえば酸素O2)を成膜室11に導入しない状態で、第2スパッタ電極19に対して所定時間幅Pt4のパルスを印加し、金属モードにて第2ターゲットT2による超薄膜を形成する。この成膜方法によっても、図4Dに示す成膜方法と同様の作用効果を奏する。
図4Gに示す成膜方法は、図4Dに示す成膜方法の変形例である。すなわち、図4Gに示す成膜方法は、成膜室11に不活性ガスなどの放電ガスを導入した状態で、第1ターゲットT1(たとえばシリコンSi)が装着された第1スパッタ電極18に対して所定時間幅Pt1のスパッタマスクパルスを印加して第1ターゲットT1による超薄膜を形成する。この所定時間幅Pt1のパルスを印加する間は、反応ガスを成膜室11に導入し、酸化モードによるスパッタ処理を行う。次いで、第2スパッタ電極19に対して所定時間幅Pt2のスパッタマスクパルスを印加して第2ターゲットT2(たとえばイットリウムY又はエルビウムEr/イットリウムY)による超薄膜を形成する。この所定時間幅Pt2のパルスを印加する間は、反応ガスを成膜室11に導入しないで、金属モードによるスパッタ処理を行う。次いで、反応ガスを成膜室11へ導入しないで、第1ターゲットT1が装着された第1スパッタ電極18に対して所定時間幅Pt3のパルスを印加し、金属モードにて第1ターゲットT1による超薄膜を形成する。次いで、反応ガス(たとえば酸素O2)を成膜室11に導入し、第2スパッタ電極19に対して所定時間幅Pt4のパルスを印加し、酸化モードにて第2ターゲットT2による超薄膜を形成する。この成膜方法によっても、図4Dに示す成膜方法と同様の作用効果を奏する。
11…成膜室
12…基板ホルダ
13…減圧機
14…コンダクタンスバルブ
15…放電ガス導入機
16…反応ガス導入機
161…反応ガスボンベ
162…流量調節器
163…第1開閉弁
164…第2開閉弁
165…ガス流路
166…第1ガス流路
167…第2ガス流路
17…反応ガス導入制御器
18…第1スパッタ電極
19…第2スパッタ電極
20…直流電源
201…第1直流電源
202…第2直流電源
21…バイアス直流電源
211…第1バイアス直流電源
212…第2バイアス直流電源
22…第1パルス波変換スイッチ
23…第2パルス波変換スイッチ
24…プログラマブル発信器
25…装置制御器
26…成膜制御器
27…第3スパッタ電極
28…第4スパッタ電極
T1…第1ターゲット
T2…第2ターゲット
T3…第3ターゲット
T4…第4ターゲット
S…基板
Claims (6)
- 成膜される基板が投入される成膜室と、
前記成膜室を所定圧力に減圧する減圧機と、
前記成膜室に放電ガスを導入する放電ガス導入機と、
成膜材料となるターゲットをそれぞれ備え、一つの前記基板に対して対向する、少なくとも2つのスパッタ電極と、
前記成膜室に反応ガスを導入する反応ガス導入機と、
前記少なくとも2つのスパッタ電極のそれぞれに電力を供給する直流電源と、
前記直流電源と前記少なくとも2つのスパッタ電極との間に接続され、それぞれのスパッタ電極に印加する直流電圧をパルス波電圧に変換する、すくなくとも2つのパルス波変換スイッチと、
前記反応ガス導入機から前記成膜室への反応ガスの導入を制御する反応ガス導入制御器と、
前記少なくとも2つのスパッタ電極に供給するそれぞれのスパッタ目標電力と、前記反応ガスの目標導入タイミングとに応じたパルス制御信号パターンがプログラム可能とされ、プログラムされたパルス制御信号パターンにしたがって、前記少なくとも2つのパルス波変換スイッチのそれぞれと、前記反応ガス導入制御器とを制御するプログラマブル発信器と、を備える反応性スパッタ装置を用い、前記基板に成膜処理を施す金属化合物膜の成膜方法であって、
所定の反応性スパッタ条件において、前記反応ガスの流量に対する成膜速度の変化率の絶対値の極大値が相対的に大きい第1ターゲットと、相対的に小さい第2ターゲットとを、前記少なくとも2つのスパッタ電極のそれぞれに装着したのち、
前記成膜室に放電ガスを導入した状態で、前記第1ターゲットが装着されたスパッタ電極に、前記パルス制御信号パターンにより設定された第1スパッタ目標電力を供給するとともに、前記パルス制御信号パターンにより設定された目標導入タイミングだけ前記反応ガス導入機から前記成膜室へ反応ガスを導入しないで、前記基板に前記第1ターゲットの金属超薄膜を形成する第1の工程と、
前記成膜室に放電ガスを導入した状態で、前記第2ターゲットが装着されたスパッタ電極に、前記パルス制御信号パターンにより設定された第2スパッタ目標電力を供給するとともに、前記パルス制御信号パターンにより設定された目標導入タイミングだけ前記反応ガス導入機から前記成膜室へ反応ガスを導入し、前記基板に前記第2ターゲットの金属超薄膜を形成する第2の工程と、を少なくとも備え、
前記第1ターゲットと前記第2ターゲットとを前記少なくとも2つのスパッタ電極のそれぞれに装着した後の成膜工程の1周期において、
前記第1の工程を実施した後に前記第2の工程を実施するか、又は、
前記第2の工程を実施した後に前記第1の工程を実施する金属化合物膜の成膜方法。 - 前記成膜工程の1周期において、
前記第1の工程を実施した後に前記第2の工程を実施する場合には、前記第1の工程を実施する前又は前記第2の工程を実施した後に、
前記第2の工程を実施した後に前記第1の工程を実施する場合には、前記第2の工程を実施する前又は前記第1の工程を実施した後に、
前記成膜室に放電ガスを導入した状態で、前記第1ターゲットが装着されたスパッタ電極に、前記パルス制御信号パターンにより設定された第1スパッタ目標電力を供給するとともに、前記パルス制御信号パターンにより設定された目標導入タイミングだけ前記反応ガス導入機から前記成膜室へ反応ガスを導入しないで、前記基板に前記第1ターゲットの金属超薄膜を形成する第3の工程と、
前記成膜室に放電ガスを導入した状態で、前記第2ターゲットが装着されたスパッタ電極に、前記パルス制御信号パターンにより設定された第2スパッタ目標電力を供給するとともに、前記パルス制御信号パターンにより設定された目標導入タイミングだけ前記反応ガス導入機から前記成膜室へ反応ガスを導入しないで、前記基板に前記第2ターゲットの金属超薄膜を形成する第4の工程と、を備える請求項1に記載の金属化合物膜の成膜方法。 - 前記第1ターゲットは、Zr,Ti,Alであり、前記第2ターゲットは、Y,Er/Y又はSiである請求項1又は2に記載の金属化合物膜の成膜方法。
- 成膜される基板が投入される成膜室と、
前記成膜室を所定圧力に減圧する減圧機と、
前記成膜室に放電ガスを導入する放電ガス導入機と、
成膜材料となるターゲットをそれぞれ備え、一つの前記基板に対して対向する、少なくとも2つのスパッタ電極と、
前記成膜室に反応ガスを導入する反応ガス導入機と、
前記少なくとも2つのスパッタ電極のそれぞれに電力を供給する直流電源と、
前記直流電源と前記少なくとも2つのスパッタ電極との間に接続され、それぞれのスパッタ電極に印加する直流電圧をパルス波電圧に変換する、すくなくとも2つのパルス波変換スイッチと、
前記反応ガス導入機から前記成膜室への反応ガスの導入を制御する反応ガス導入制御器と、
前記少なくとも2つのスパッタ電極に供給するそれぞれのスパッタ目標電力と、前記反応ガスの目標導入タイミングとに応じたパルス制御信号パターンがプログラム可能とされ、プログラムされたパルス制御信号パターンにしたがって、前記少なくとも2つのパルス波変換スイッチのそれぞれと、前記反応ガス導入制御器とを制御するプログラマブル発信器と、を備える反応性スパッタ装置を用い、前記基板に成膜処理を施す金属化合物膜の成膜方法であって、
第1ターゲットと第2ターゲットとを、前記少なくとも2つのスパッタ電極のそれぞれに装着したのち、
前記成膜室に放電ガスを導入した状態で、前記第1ターゲットが装着されたスパッタ電極に、前記パルス制御信号パターンにより設定された第1スパッタ目標電力を供給するとともに、前記パルス制御信号パターンにより設定された目標導入タイミングだけ前記反応ガス導入機から前記成膜室へ反応ガスを導入しないで、前記基板に前記第1ターゲットの金属超薄膜を形成する第1の工程と、
前記成膜室に放電ガスを導入した状態で、前記第2ターゲットが装着されたスパッタ電極に、前記パルス制御信号パターンにより設定された第2スパッタ目標電力を供給するとともに、前記パルス制御信号パターンにより設定された目標導入タイミングだけ前記反応ガス導入機から前記成膜室へ反応ガスを導入しないで、前記基板に前記第2ターゲットの金属超薄膜を形成する第2の工程と、
前記成膜室に放電ガスを導入した状態で、前記第1ターゲットが装着されたスパッタ電極に、前記パルス制御信号パターンにより設定された第1スパッタ目標電力を供給するとともに、前記パルス制御信号パターンにより設定された目標導入タイミングだけ前記反応ガス導入機から前記成膜室へ反応ガスを導入し、前記基板に前記第1ターゲットの金属超薄膜を形成する第3の工程と、
前記成膜室に放電ガスを導入した状態で、前記第2ターゲットが装着されたスパッタ電極に、前記パルス制御信号パターンにより設定された第2スパッタ目標電力を供給するとともに、前記パルス制御信号パターンにより設定された目標導入タイミングだけ前記反応ガス導入機から前記成膜室へ反応ガスを導入し、前記基板に前記第2ターゲットの金属超薄膜を形成する第4の工程と、を少なくとも備え、
前記第1の工程、前記第2の工程、前記第3の工程及び前記第4の工程を、この順序で実施するか、
前記第3の工程、前記第4の工程、前記第1の工程及び前記第2の工程を、この順序で実施するか、
前記第1の工程、前記第4の工程、前記第3の工程及び前記第2の工程を、この順序で実施するか、又は、
前記第3の工程、前記第2の工程、前記第1の工程及び前記第4の工程を、この順序で実施する金属化合物膜の成膜方法。 - 前記第1ターゲット及び前記第2ターゲットは、Y,Er/Y又はSiのいずれかである請求項4に記載の金属化合物膜の成膜方法。
- 成膜される基板が投入される成膜室と、
前記成膜室を所定圧力に減圧する減圧機と、
前記成膜室に放電ガスを導入する放電ガス導入機と、
成膜材料となるターゲットをそれぞれ備え、一つの前記基板に対して対向する複数のスパッタ電極と、
前記成膜室に反応ガスを導入する反応ガス導入機と、
前記複数のスパッタ電極に電力を供給する直流電源と、
前記直流電源と前記複数のスパッタ電極との間に接続され、それぞれのスパッタ電極に印加する直流電圧をパルス波電圧に変換する複数のパルス波変換スイッチと、
前記反応ガス導入機から前記成膜室への反応ガスの導入を制御する反応ガス導入制御器と、
前記複数のスパッタ電極に供給するそれぞれのスパッタ目標電力と、前記反応ガスの目標導入タイミングとに応じたパルス制御信号パターンがプログラム可能とされ、プログラムされたパルス制御信号パターンにしたがって、前記複数のパルス波変換スイッチのそれぞれと前記反応ガス導入制御器とを制御するプログラマブル発信器と、を備え、
前記反応ガス導入機は、
反応ガス供給源と、
前記反応ガス供給源から供給する反応ガス流量を調節する流量調節器と、
前記流量調節器から分岐して前記成膜室へ反応ガスを導く第1ガス流路と、
前記流量調節器から分岐して前記減圧機の排気系へ反応ガスを導く第2ガス流路と、
前記第1ガス流路を開閉する第1開閉弁と、
前記第2ガス流路を開閉する第2開閉弁と、を備え、
前記反応ガス導入制御器は、前記プログラマブル発信器からのパルス制御信号パターンに基づいて、前記第1開閉弁と前記第2開閉弁を排他的に開閉制御する反応性スパッタ装置。
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