JP6778361B2 - フィラグリン遺伝子発現促進剤 - Google Patents
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Description
本発明の他の目的は、ストレス曝露により、上皮/内皮電気抵抗が低下すること、すなわち皮膚のバリア機能が低下すること、を抑制する効果を有する上皮/内皮電気抵抗低下抑制剤を提供することにある。
本発明のフィラグリン遺伝子発現促進剤は、有効成分として、下記式(1)で表される化合物、及び/又はその塩を、1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて含むことを特徴とする。
[1] カルボキシル基に保護基を導入する
[2] アミノ基に保護基を導入する
[3] リン酸基の2つのヒドロキシル基をハロゲン原子で置換する
[4] 2−(3−ヒドロキシフェニル)酢酸を反応させて、リン原子に結合するハロゲン原子の一方を3−(カルボキシメチル)フェニルオキシ基と置換する
[5] メタノールを反応させて、リン原子に結合するハロゲン原子の他方をメトキシ基と置換する
[6] カルボキシル基とアミノ基を脱保護する
本発明のストレス曝露による上皮/内皮電気抵抗低下抑制剤(若しくは、ストレス曝露による皮膚バリア機能低下抑制剤)は、有効成分として、上記式(1)で表される化合物、及び/又はその塩を、1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて含むことを特徴とする。
式(1)で表される化合物(商品名「GGsTop」、和光純薬工業(株)製)をフィラグリン遺伝子発現促進剤(1)として使用した。
12ウェルプレートに、マウス表皮角化細胞株(KERA308;mouse epidermal keratinocytes)を24時間培養し(10.0×104cells/3.8cm2)、フィラグリン遺伝子発現促進剤(1)を添加(式(1)で表される化合物の添加量:10μM、30μM、又は50μM)した。
フィラグリン遺伝子発現促進剤(1)を添加してから24時間後に、細胞を回収し、RNAを抽出した。
抽出したRNAを逆転写し、生成したcDNAを鋳型とする、ポリメラーゼ連鎖反応(PCR)による増幅を経時的(リアルタイム)に測定することで、鋳型となるDNAの定量を行った。結果を図1に示す。フィラグリン遺伝子発現促進剤(1)を添加(10μM、30μM、又は50μM)した場合のフィラグリン遺伝子の発現量を、コントロール(フィラグリン遺伝子発現促進剤(1)の添加量ゼロの場合)のフィラグリン遺伝子発現量を1として、相対値で示した。
トランスウェル(2重構造を有する培養プレート)に、マウス表皮角化細胞株(KERA308;mouse epidermal keratinocytes)を24時間培養した(5.0×104cells/0.33cm2)。
培養開始後24時間から、24時間毎に7日後まで、フィラグリン遺伝子発現促進剤(1)を添加(式(1)で表される化合物の添加量:10μM、30μM、又は50μM)して、TER値を、電気抵抗値測定システム(商品名「ミリセルERS抵抗値測定システム」、ミリポア社製)を使用して測定した。結果を図2に示す。
式(1)で表される化合物(商品名「GGsTop」、和光純薬工業(株)製)をTER低下抑制剤(1)として使用した。
トランスウェルに、マウス表皮角化細胞株(KERA308;mouse epidermal keratinocytes)を培養して単層を形成した。形成された単層のTER値、及びヘムオキシゲナーゼ(ho-1)遺伝子の発現量を測定した(照射前)。
また、形成された単層にTER低下抑制剤(1)を50μM添加し、添加3時間後、又は24時間後に紫外線B波(302nm)を照射(50mJ/cm2)し、紫外線B波照射の3時間後にTER値、及びヘムオキシゲナーゼ遺伝子(ho-1)の発現量を測定した(照射後)。尚、TER低下抑制剤(1)を添加せずに紫外線B波(302nm)を照射(50mJ/cm2)した場合をコントロールとした。結果を図3、4に示す。
図3では、紫外線B波照射後の残存TER率を、照射後のTER値/照射前のTER値(%)で示した。
図4では、照射後のヘムオキシゲナーゼ(ho-1)遺伝子の発現量を、照射前のヘムオキシゲナーゼ(ho-1)遺伝子の発現量を1として、相対値で示した。
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