JP6778080B2 - レーザ加工装置およびレーザ加工方法 - Google Patents
レーザ加工装置およびレーザ加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6778080B2 JP6778080B2 JP2016205773A JP2016205773A JP6778080B2 JP 6778080 B2 JP6778080 B2 JP 6778080B2 JP 2016205773 A JP2016205773 A JP 2016205773A JP 2016205773 A JP2016205773 A JP 2016205773A JP 6778080 B2 JP6778080 B2 JP 6778080B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- substrate
- laser light
- laser processing
- rigid substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 17
- 238000003754 machining Methods 0.000 title description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 151
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 65
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 42
- 230000009975 flexible effect Effects 0.000 claims description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- 239000002648 laminated material Substances 0.000 claims description 18
- 230000013011 mating Effects 0.000 claims description 18
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 5
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 4
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
アニーラチャンバ100内には、XY方向に移動可能なステージ110を有しており、アニーラチャンバ100外部には、レーザ発振器120が設置されている。レーザ発振器120の出力側には、ラインビーム整形光学系121が配置されており、レーザ光125の出射側にはミラー122が配置されて、ミラー122で反射されたレーザ光125がアニーラチャンバ100内に照射される。
レーザ加工に際しては、ガラス基板30上に複数のプラスチック基板31が固着され、各プラスチック基板31の上層に電極等32Aを含むディスプレイ構造部32が設けられた合わせ材が用意される。ガラス基板30は分断されて、ガラス基板30を上方側、ディスプレイ構造部32が下方側になるようにして搬送プレート130上に設置されて抑え金具130Aで保護される。前記したレーザ光125は、ステージ110で移動するガラス基板30上から照射されてガラス基板30を透過しプラスチック基板31にアブレーションを生じさせてガラス基板30の剥離を可能にする。
以上のように従来のフレキシブルディスプレイ製造方法においては、ガラス基板の切断の問題、ガラスの再利用が不可能な問題などがある。
前記支持部の下方から前記支持部で支持された前記剛性基板に向けてラインビーム形状のレーザ光を照射するレーザ光照射部と、
前記ラインビーム形状のレーザ光を前記パネル合わせ材に対し、少なくとも前記ラインブーム形状の長軸方向と交差する方向に相対的に移動させる移動装置と、を有し、前記レーザ光は、前記剛性基板と前記フレキシブル基板とを剥離させるために、前記剛性基板と前記フレキシブル基板との界面近傍に照射されることを特徴とする。
支持された前記剛性基板の下方から前記剛性基板に向けてラインブーム形状のレーザ光を照射し、
前記ラインビーム形状のレーザ光の照射に際し、前記ラインビーム形状のレーザ光を前記パネル合わせ材に対し、少なくとも前記ラインブーム形状の長軸方向と交差する方向に相対的に移動させて、前記剛性基板と前記フレキシブル基板とを剥離可能にすることを特徴とする。
以下、この発明の一実施形態を図1に基づいて説明する。
レーザ加工装置1は、縦壁となる中空土台3A、3Bによって囲まれたアニーラチャンバ2を有している。中空土台3A、3Bは、中空土台3Aを下段、中空土台3Bを上段にして上下に積み重ねられており、中空土台3Aの内壁が中空土台3Bの内壁よりも内側に位置するようにして段差3Cを有している。この段差3Cに載置されるように所定の高さで支持台4が設置されている。支持台4は、石英で構成されており、本発明の支持部に相当する。支持台4の設置方法は上記に限定されるものではなく、アニーラチャンバ2内で支持台4が安定して保持されているものであればよい。
準備工程として、ガラス基板21にプラスチック基板22を固着する。固着方法は、ガラス基板21にプラスチック基板22を接着などによって固着してもよく、ガラス基板21上にプラスチック基板22を形成するようにして固着をするものであってもよい。本発明としては、ガラス基板とプラスチック基板との固着の方法は特に限定されない。ガラス基板21は、レーザ光が透過する剛性基板に相当する。プラスチック基板22は、フレキシブル基板に相当する。剛性基板は、フレキシブル基板に対し、高い剛性を有するものであり、レーザ光が透過する性質を有している。代表的にはガラス基板が挙げられる。
レーザ光9は、支持台4を透過し、さらにガラス基板21を透過してプラスチック基板22に照射される。ガラス基板21は、レーザ光が透過することが必要であり、レーザ光の波長に従ってレーザ光が透過するものであってもよい。
ステージ8は、レーザ光9の照射中にX方向およびY方向に移動させることで、ガラス基板21とプラスチック基板22の固着面全体にレーザ光9を照射することができ、両者の分離作業が確実かつ容易になされる。パネル合わせ材20は、アニーラチャンバ2から取り出され、ガラス基板21を剥離したパネル材を用いてディスプレイ装置を製造することができる。
上記実施形態では、パネル合わせ材に対し、レーザ光側を移動させるものとしたが、レーザ光に対し、パネル合わせ材側を移動させるものとしてもよい。この実施形態を図2に基づいて説明する。
なお、前記実施形態と同様の構成については同一の符号を付してその説明を省略または簡略化する。なお、本発明としては、レーザ光とパネル合わせ材の両方を移動させるものであってもよい。
また、アニーラチャンバ10の外側には、レーザ発振器5が設置されており、レーザ発振器5のレーザ光の出力方向には、前記頂板11Aの下方側位置において、ラインビーム整形光学系12が配置されており、ラインビーム整形光学系12の出射方向にミラー13が配置されている。ミラー13の反射方向に前記空洞部11Bが位置している。アニーラチャンバ10内でレーザ光が移動する光路は、レーザ光伝送部に相当する。
なお、パネル合わせ材の移動は、1軸(X軸)方向の駆動のみで済むようにするのが望ましく、このため、後述するように、レーザ光の形状はガラス基板ほどの長さを持ったラインビーム形状が好ましい。
準備工程として、実施形態1と同様にパネル合わせ材20を用意する。
パネル合わせ材20は、ガラス基板22を下にして、流体膜形成部16によって噴出されるガスによって浮上支持する。
(1)ガラス基板とプラスチック基板との二枚の基板をカットさせなければならないために、基板のカットが容易ではないという問題点、(2)ガラスを切断するため、ガラスが使い捨てになる問題点、(3)精度の問題で、電極等をあらかじめディスプレイにつける必要があり、この電極はガラス基板を飛び出すため、保護用の抑え金が必要となる問題点、(4)ディスプレイの凹凸に伴う剥離の困難さ、を解決することができる。
加えて、(5)剥離後のガラス基板を、剥離後もキャリアとして用いることができ、特殊な搬送装置を必要としないという効果がある。
1A レーザ加工装置
2 アニーラチャンバ
3A 中空土台
3B 中空土台
4 支持台
5 レーザ発振器
6 光ファイバ
7 レーザ光照射部
8 ステージ
9 レーザ光
10 アニーラチャンバ
11 支柱
11A 頂板
11B 空洞部
16 流体膜形成部
17 移動部
20 パネル合わせ材
21 ガラス基板
22 プラスチック基板
23 ディスプレイ構造部
23A 電極等
Claims (9)
- レーザ光が透過する剛性基板上に、素子構造部が上層に設けられたフレキシブル基板が固着されたパネル合わせ材を、前記剛性基板を下側にして支持する支持部と、
前記支持部の下方から前記支持部で支持された前記剛性基板に向けてラインビーム形状のレーザ光を照射するレーザ光照射部と、
前記ラインビーム形状のレーザ光を前記パネル合わせ材に対し、少なくとも前記ラインビーム形状の長軸方向と交差する方向に相対的に移動させる移動装置と、を有し、前記レーザ光は、前記剛性基板と前記フレキシブル基板とを剥離させるために、前記剛性基板と前記フレキシブル基板との界面近傍に照射されることを特徴とするレーザ加工装置。 - 前記剛性基板がガラス基板であり、前記フレキシブル基板がプラスチック基板であることを特徴とする請求項1記載のレーザ加工装置。
- 前記支持部が、前記レーザ光の波長に対し透明な物質であることを特徴とする請求項1または2に記載のレーザ加工装置。
- 前記支持部に前記レーザ光が通過する空洞部を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のレーザ加工装置。
- 前記移動装置が、前記レーザ光照射部の照射位置を移動させるものであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のレーザ加工装置。
- 前記移動装置が、前記パネル合わせ材を移動させるものである請求項1〜5のいずれか1項に記載のレーザ加工装置。
- 前記支持部が、前記パネル合わせ材の下方からガスを吹き出すことで前記パネル合わせ材を浮上させて支持するものであり、前記移動装置が、前記支持部で浮上した前記パネル合わせ材を浮上したままで移動させるものであることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のレーザ加工装置。
- レーザ発振器を有し、該レーザ発振器から出力されたレーザ光を前記レーザ光照射部に伝送するレーザ光伝送部を有することを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載のレーザ加工装置。
- レーザ光が透過する剛性基板上に、素子構造部が上層に設けられたフレキシブル基板が固着されたパネル合わせ材を、前記剛性基板を下側にして支持し、
支持された前記剛性基板の下方から前記剛性基板に向けてラインビーム形状のレーザ光を照射し、
前記ラインビーム形状のレーザ光の照射に際し、前記ラインビーム形状のレーザ光を前記パネル合わせ材に対し、少なくとも前記ラインビーム形状の長軸方向と交差する方向に相対的に移動させて、前記剛性基板と前記フレキシブル基板とを剥離可能にすることを特徴とするレーザ加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016205773A JP6778080B2 (ja) | 2016-10-20 | 2016-10-20 | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016205773A JP6778080B2 (ja) | 2016-10-20 | 2016-10-20 | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018065179A JP2018065179A (ja) | 2018-04-26 |
JP6778080B2 true JP6778080B2 (ja) | 2020-10-28 |
Family
ID=62085415
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016205773A Active JP6778080B2 (ja) | 2016-10-20 | 2016-10-20 | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6778080B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06326337A (ja) * | 1993-04-16 | 1994-11-25 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | レーザ加工装置 |
CN101785086B (zh) * | 2007-09-20 | 2012-03-21 | 夏普株式会社 | 显示装置的制造方法和叠层构造体 |
JP2012055966A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Disco Corp | レーザー加工装置 |
AU2013222069A1 (en) * | 2012-02-26 | 2014-10-16 | Solexel, Inc. | Systems and methods for laser splitting and device layer transfer |
JP2014048619A (ja) * | 2012-09-04 | 2014-03-17 | Panasonic Corp | フレキシブルデバイスの製造方法 |
-
2016
- 2016-10-20 JP JP2016205773A patent/JP6778080B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018065179A (ja) | 2018-04-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7544587B2 (en) | Wafer dividing method and wafer dividing apparatus | |
US7887712B2 (en) | Laser machining system and method | |
US7232741B2 (en) | Wafer dividing method | |
EP2646194B1 (en) | Method of separating surface layer of semiconductor crystal using a laser beam perpendicular to the separating plane | |
US20070141810A1 (en) | Wafer dividing method | |
JP2009182178A (ja) | デバイスの製造方法 | |
US20120299219A1 (en) | Laser processing method | |
CN109202308A (zh) | 激光加工装置和激光加工方法 | |
JP2010205900A (ja) | レーザ加工方法および化合物半導体発光素子の製造方法 | |
CN105722798A (zh) | 将玻璃板与载体分离的方法 | |
KR20150056597A (ko) | 작업물들을 분리하는 방법 및 장치 및 이에 의해 제조된 물품 | |
KR20160006109A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
JP6012186B2 (ja) | 加工対象物切断方法 | |
JP2007242787A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
US10978651B2 (en) | Method and apparatus for producing flexible OLED device | |
JP2011100920A (ja) | チップ間隔拡張方法 | |
JP2012164974A (ja) | レーザー加工装置、及びレーザー加工方法 | |
JP6050002B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
JP6778080B2 (ja) | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 | |
KR20220067486A (ko) | 척 테이블 및 레이저 가공 장치 | |
JP7218056B2 (ja) | チップ及び枠体の少なくともいずれかを製造する方法 | |
KR102611268B1 (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
JP2012240107A (ja) | レーザ加工方法 | |
JP2008062547A (ja) | レーザ照射による脆性材板割断の方法および装置。 | |
JP2006140230A (ja) | レーザ照射装置及びレーザ照射方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190422 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200312 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200331 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20200529 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200730 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201006 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201009 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6778080 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |