JP6771383B2 - 低反射コーティング、低反射コーティングを製造する方法、ガラス板、ガラス基板、及び光電変換装置 - Google Patents
低反射コーティング、低反射コーティングを製造する方法、ガラス板、ガラス基板、及び光電変換装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6771383B2 JP6771383B2 JP2016551529A JP2016551529A JP6771383B2 JP 6771383 B2 JP6771383 B2 JP 6771383B2 JP 2016551529 A JP2016551529 A JP 2016551529A JP 2016551529 A JP2016551529 A JP 2016551529A JP 6771383 B2 JP6771383 B2 JP 6771383B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- low
- reflection coating
- glass plate
- coating
- mass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 303
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims description 130
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 90
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 291
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 145
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 71
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 64
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 55
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 53
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 36
- -1 aluminum compound Chemical class 0.000 claims description 31
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 29
- 125000001165 hydrophobic group Chemical group 0.000 claims description 25
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 21
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 17
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 16
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 11
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims description 9
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 9
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 125000003668 acetyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(=O)O[*] 0.000 claims description 4
- 125000003302 alkenyloxy group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 4
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims description 4
- BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M (3-methylphenyl)methyl-triphenylphosphanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC1=CC=CC(C[P+](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 claims description 2
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 2
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 32
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 27
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 21
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical group Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 12
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 11
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 7
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 7
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229940063656 aluminum chloride Drugs 0.000 description 6
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 description 6
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 5
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 5
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 5
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 238000007602 hot air drying Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 2
- 239000006103 coloring component Substances 0.000 description 2
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 2
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 2
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 2
- 150000007519 polyprotic acids Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBIUWALDKXACEA-UHFFFAOYSA-N 3-[bis(2,4-dioxopentan-3-yl)alumanyl]pentane-2,4-dione Chemical compound CC(=O)C(C(C)=O)[Al](C(C(C)=O)C(C)=O)C(C(C)=O)C(C)=O XBIUWALDKXACEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- JGDITNMASUZKPW-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride hexahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.Cl[Al](Cl)Cl JGDITNMASUZKPW-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229940009861 aluminum chloride hexahydrate Drugs 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940092714 benzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 1
- KQAHMVLQCSALSX-UHFFFAOYSA-N decyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC KQAHMVLQCSALSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N dihydroxy(oxo)silane Chemical compound O[Si](O)=O IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N ethoxysilane Chemical compound CCO[SiH3] CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- GEVPUGOOGXGPIO-UHFFFAOYSA-N oxalic acid;dihydrate Chemical compound O.O.OC(=O)C(O)=O GEVPUGOOGXGPIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M sodium;oxocalcium;hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+].[Ca]=O HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N tetrapropan-2-yl silicate Chemical compound CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003609 titanium compounds Chemical class 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 150000003755 zirconium compounds Chemical class 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/006—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with materials of composite character
- C03C17/007—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with materials of composite character containing a dispersed phase, e.g. particles, fibres or flakes, in a continuous phase
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B5/00—Layered products characterised by the non- homogeneity or physical structure, i.e. comprising a fibrous, filamentary, particulate or foam layer; Layered products characterised by having a layer differing constitutionally or physically in different parts
- B32B5/16—Layered products characterised by the non- homogeneity or physical structure, i.e. comprising a fibrous, filamentary, particulate or foam layer; Layered products characterised by having a layer differing constitutionally or physically in different parts characterised by features of a layer formed of particles, e.g. chips, powder or granules
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
- C03C17/3417—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials all coatings being oxide coatings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/02—Polysilicates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/04—Polysiloxanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
- C09D7/40—Additives
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/11—Anti-reflection coatings
- G02B1/111—Anti-reflection coatings using layers comprising organic materials
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/18—Coatings for keeping optical surfaces clean, e.g. hydrophobic or photo-catalytic films
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/211—SnO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/213—SiO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/24—Doped oxides
- C03C2217/241—Doped oxides with halides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/70—Properties of coatings
- C03C2217/73—Anti-reflective coatings with specific characteristics
- C03C2217/732—Anti-reflective coatings with specific characteristics made of a single layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/90—Other aspects of coatings
- C03C2217/94—Transparent conductive oxide layers [TCO] being part of a multilayer coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/11—Deposition methods from solutions or suspensions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
- C03C2218/32—After-treatment
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Description
基板の主表面の少なくとも片方に施され得る低反射コーティングであって、
当該低反射コーティングは、平均粒径が80〜600nmである中実な球状のシリカ微粒子が、シリカを主成分として含み、かつ、疎水基を含むバインダによって固定されてなる、80〜800nmの膜厚を有する多孔質膜であり、
質量%表示で、
前記シリカ微粒子 35〜70%
前記バインダに含まれるシリカ 25〜64%
前記バインダにおける疎水基 0.2〜10%を含み、
当該低反射コーティングを前記基板に施すことによって得られる透過率ゲインが1.5%以上である、
低反射コーティングを提供する。
ここで、透過率ゲインは、波長域380〜850nmにおける平均透過率に関し、前記低反射コーティングを施す前の前記基板の平均透過率に対する、前記低反射コーティングを施した前記基板の平均透過率の増分である。
上記の低反射コーティングが形成されたガラス板を提供する。
上記の低反射コーティングが形成されたガラス基板であって、前記低反射コーティングが形成されている主面とは反対側の主面に透明導電膜が形成された、ガラス基板を提供する。
ガラス板を有し、
光を入射させるべき前記ガラス板の主表面に上記の低反射コーティングが形成された、
光電変換装置を提供する。
RSiY3 (II)
SiX4 (I)
分光光度計(UV−3100PC、株式会社島津製作所製)を用い、低反射コーティングの形成前後における基板の透過率曲線(透過スペクトル)をそれぞれ測定した。平均透過率は、波長380〜850nmにおける透過率を平均化して算出した。低反射コーティングを施した基板の平均透過率の、低反射コーティングを施す前の基板の平均透過率に対する増分を透過率ゲインとした。実施例1〜11及び比較例2に関する結果を表1に示す。
汚れ落ち特性は、低反射コーティング表面に形成させた所定の擬似汚れを、乾布で擦った後、擬似汚れを拭い去ることができたかを肉眼で観察し、さらに低反射コーティングに傷が生じたかどうかを100倍の倍率で光学顕微鏡を用いて観察した。上記の擬似汚れは、所定の擬似ダストを懸濁させた水を塗布し乾燥させて形成した。擬似ダストにはJIS Z8901(試験用粉体および試験用粒子)に規定される試験用粉体1のうち第7種「関東ローム」(一般社団法人 日本粉体工業技術協会製)を用い、その懸濁水は擬似ダストをその質量の4倍の水に懸濁させたものを用いた。擬似汚れはその懸濁水の0.5mlを、水平に保持した被試験体に滴下し、大気中で16時間放置することで形成した。各実施例及び各比較例に関する結果を表1に示す。
汚れ付着性は、ダスト懸濁水を流下させ乾燥させたときに、低反射コーティング表面に残存する擬似汚れの有無を肉眼で観察して行なった。ダスト懸濁水には上述の汚れ落ち特性の評価に用いたものと同じものを用い、45°に傾斜させた被試験体に対し1mLをスポイトで流下させ、大気中で16時間放置した後に観察した。各実施例及び各比較例に関する結果を表1に示す。
接触角は、協和界面科学社製の接触角計(型式:CA−A)を用いて約4μLの水滴を表面に滴下し、実施例若しくは比較例2に係る低反射コーティング又は比較例1のガラス基板の表面におけるその水滴の接触角を測定した。各実施例及び各比較例に関する結果を表1に示す。
大栄科学精器製作所社製の往復摩耗試験機を用いて実施例4〜11及び比較例2に係る低反射コーティングが形成された基板について往復摩耗試験を行った。具体的に、低反射コーティング側を上向きにして低反射コーティングが形成された基板を治具で固定した。次に、直径19mmの円板状の摩耗子CS−10Fの円形面を低反射コーティングに接触させて4Nの荷重を加えた。このとき、摩耗子CS−10Fと低反射コーティングとの接触面積は、284mm2であった。この状態で摩耗子CS−10Fを低反射コーティングに対して50回直線的に往復運動させた。このときの摩耗子の速度は、120mm/秒に設定し、摩耗子のストローク幅は120mmに設定した。
実施例4、5、及び9並びに比較例2に係る低反射コーティングが形成された基板の低反射コーティングの化学的耐久性を以下のようにして評価した。まず、35℃の温度を有する5質量%の塩化ナトリウム水溶液を準備した。この塩化ナトリウム水溶液を低反射コーティングが形成された基板の低反射コーティングに192時間噴霧することによって、JIS C8917:2005付属書4に準拠した塩水噴霧試験を行った。この塩水噴霧試験の前後のそれぞれにおいて、分光光度計(UV−3100PC、株式会社島津製作所製)を用いて、低反射コーティングが形成された基板における380〜850nmの波長の光の平均透過率を求めた。その後、塩水噴霧試験を行った後の、低反射コーティングが施された基板における380〜850nmの波長の光の平均透過率と、塩水噴霧試験を行う前の、低反射コーティングが施された基板における380〜850nmの波長の光の平均透過率との差の絶対値を算出した。結果を表1に示す。
各実施例及び各比較例に係る低反射コーティングを電界放射型走査型電子顕微鏡(FE−SEM)(日立製作所社製、型式:S‐4500)を用いて観察した。低反射コーティングの30°斜め上方からの断面におけるFE−SEM写真から、測定点5点における低反射コーティングの厚みの平均値を、低反射コーティングの膜厚(平均膜厚)として算出した。実施例4に係る低反射コーティング付ガラス板のFE−SEM写真を図1に示す。
(コーティング液の調製)
シリカ微粒子分散液(クォートロンPL−7、平均粒径125nmの略球状の一次粒子、固形分濃度23重量%、扶桑化学工業株式会社製)56.2質量部、1−メトキシ−2−プロパノール(溶媒)23.3質量部、1N塩酸(加水分解触媒)1質量部を撹拌混合し、さらに撹拌しながらテトラエトキシシラン(正珪酸エチル、多摩化学工業株式会社製)12.1質量部、メチルトリエトキシシラン(信越化学工業株式会社製)7.1質量部を添加し、引き続き40℃に保温しながら8時間撹拌してテトラエトキシシランおよびメチルトリエトキシシランを加水分解し、原液Aを得た。原液Aにおいて、シリカ微粒子の質量と、バインダに含まれる加水分解性シリコン化合物の加水分解縮合生成物の質量との比は、67.7:32.3であり、加水分解性シリコン化合物の加水分解縮合生成物100質量部に対する、疎水基を有する加水分解性シリコン化合物の加水分解縮合生成物は、43.4質量部であった。
透明導電膜付きガラス板の、透明導電膜が形成されていない方の主面に低反射コーティングを形成した。この透明導電膜付きガラス板は、通常のソーダライムシリケート組成からなるガラス板の片方の主面にオンラインCVD法を用いて透明導電層を含む透明導電膜が形成されている、厚み3.2mmの日本板硝子株式会社製のガラス板であった。このガラス板はオンラインCVD法によって透明導電膜が形成されているので、透明導電膜が被着されているガラス板はフロート法により形成されたガラス板であった。また、透明導電膜は、フロートバスにおいて熔融スズに触れていなかったガラスによって形成されたガラス板の主面であるトップ面に形成されていた。この透明導電膜付きガラス板を200mm×300mmに切断し、アルカリ溶液(アルカリ性洗浄液LBC−1、レイボルド株式会社製)に浸漬させた後超音波洗浄機を用いて洗浄し、さらに脱イオン水で水洗した後常温で乾燥させた。このようにして、低反射コーティングを形成するためのガラス板(基板)を作製した。低反射コーティングを施す前のこの基板の光透過特性を前述のとおり評価したところ、平均透過率80.0%であった。
(コーティング液の調製)
実施例1で用いたシリカ微粒子分散液28.3質量部、1−メトキシ−2−プロパノール(溶媒)58.6質量部、1N塩酸(加水分解触媒)1質量部を撹拌混合し、さらに撹拌しながらテトラエトキシシラン(正珪酸エチル、多摩化学工業株式会社製)12.1重量部を添加し、引き続き40℃に保温しながら8時間撹拌してテトラエトキシシランを加水分解し、原液Bを得た。原液Bにおいて、シリカ微粒子をSiO2に換算した質量と、バインダに含まれる酸化ケイ素成分をSiO2に換算した質量の比は、65:35であり、SiO2に換算した固形分濃度は10質量%であった。原液Bには、疎水基が含まれていなかった。
コーティング液A1の代わりに、前述のコーティング液B2を用いた以外は実施例1と同じ手順で、ガラス板に低反射コーティングを施し、前述の各特性を評価した。その結果を表1に示す。
比較例1として、実施例1及び2で用いた透明導電膜付きガラス板を、透明導電膜が形成されていない方の主面に低反射コーティングを施すことなく使用した。評価に先立ち、実施例1及び2と同様に洗浄し乾燥させた。評価結果を表1に示す。
シリカ微粒子分散液(クォートロンPL−7、平均粒径125nmの略球状の一次粒子、固形分濃度23重量%、扶桑化学工業株式会社製)21.7質量部、1−メトキシ−2−プロパノール(溶媒)64.5質量部、1N塩酸(加水分解触媒)1質量部を撹拌混合し、さらに撹拌しながらテトラエトキシシランの部分加水分解縮合物(コルコート株式会社製、商品名:エチルシリケート40、略称:ES−40、平均5量体のオリゴマー)7.7質量部、メチルトリエトキシシラン(信越化学工業株式会社製)5.1質量部を添加し、引き続き40℃に保温しながら8時間撹拌してES−40およびメチルトリエトキシシランを加水分解し、原液Cを得た。
シリカ微粒子 47.1質量%
バインダに含まれるシリカ 43.0質量%
疎水基 4.0質量%
Al2O3に換算したアルミニウム化合物 5.9質量%
低反射コーティングにおける、シリカ微粒子、バインダに含まれるシリカ、疎水基、及びAl2O3に換算したアルミニウム化合物の含有率が表1に示す通りになるように、各原料の添加量を調整した以外は、実施例4と同様にして実施例3、5〜8に係るコーティング液を調製した。なお、実施例3、5〜8に係るコーティング液における固形分の濃度は、7質量%であった。また、コーティング液A1の代わりに、実施例3、5〜8に係るコーティング液を用いた以外は、実施例1と同様にして実施例3、5〜8に係る低反射コーティング付ガラス板を作製した。
実施例1で用いたシリカ微粒子分散液26.1質量部と、1−メトキシ−2−プロパノール(溶媒)58.7質量部と、リン酸水溶液(リン酸(東京化成工業社製、濃度89質量%以上)を脱イオン水に溶解させて9.0質量%の水溶液を調製)5.0質量部とを攪拌混合し、さらに攪拌しながら6.2質量部の前述のES−40及びメチルトリエトキシシラン4.0質量部を添加して原液Dを得た。原液Cの代わりに原液Dを用いた以外は実施例4と同様にしてコーティング液D1を得た。コーティング液A1の代わりにコーティング液D1を用いた以外は、実施例1と同様にしてガラス板に低反射コーティングを施し、実施例9に係る低反射コーティング付ガラス板を作製した。
1−メトキシ−2−プロパノール(溶媒)の添加量を62.7質量部に変更し、リン酸水溶液に代えてトリフルオロ酢酸水溶液(トリフルオロ酢酸(東京化成工業社製)10gを90gの脱イオン水に溶解させて調製)1.0質量部を用いた以外は、実施例9と同様にして原液Eを得た。原液Cの代わりに原液Eを用いた以外は実施例4と同様にしてコーティング液E1を得た。コーティング液A1の代わりにコーティング液E1を用いた以外は、実施例1と同様にしてガラス板に低反射コーティングを施し、実施例10に係る低反射コーティング付ガラス板を作製した。
トリフルオロ酢酸水溶液に代えてしゅう酸水溶液(しゅう酸二水和物(関東化学株式会社製)10gを90gの脱イオン水に溶解させて調製、しゅう酸の濃度:7.1質量%)1.0質量部を用いた以外は、実施例10と同様にして原液Fを得た。原液Cの代わりに原液Fを用いた以外は実施例4と同様にしてコーティングF1を得た。コーティング液A1の代わりにコーティング液F1を用いた以外は、実施例1と同様にしてガラス板に低反射コーティングを施し、実施例11に係る低反射コーティング付ガラス板を作製した。
メチルトリエトキシシランを用いず、比較例2に係るコーティング液の固形分における各成分の含有率が表1に示す通りになるように各原料の添加量を調整した以外は、実施例4と同様にして比較例2に係るコーティング液を調製した。なお、比較例2に係るコーティング液における固形分の濃度は7質量%であった。また、コーティング液A1の代わりに、比較例2に係るコーティング液を用いた以外は、実施例1と同様にして比較例2に係る低反射コーティング付ガラス板を作製した。
Claims (20)
- ガラス基板と、
前記ガラス基板の主面の少なくとも片方に形成された低反射コーティングと、を備え、
前記低反射コーティングは、平均粒径が80〜600nmである中実な球状のシリカ微粒子が、シリカを主成分として含み、かつ、炭素数1〜3の鎖状アルキル基である疎水基を含むバインダによって固定されてなる、80〜800nmの膜厚を有する多孔質膜であり、
前記低反射コーティングは、質量%表示で、
前記シリカ微粒子 35〜70%
前記バインダに含まれるシリカ 25〜64%
前記バインダにおける前記疎水基 0.2〜10%を含み、
前記低反射コーティングを前記ガラス基板に施すことによって得られる透過率ゲインが1.5%以上である、
低反射コーティング付ガラス板。
ここで、前記透過率ゲインは、波長域380〜850nmにおける平均透過率に関し、前記低反射コーティングを施す前の前記ガラス基板の平均透過率に対する、前記低反射コーティングを施した当該低反射コーティング付ガラス板の平均透過率の増分である。 - ガラス基板と、
前記ガラス基板の主面の少なくとも片方に形成された低反射コーティングと、を備え、
前記低反射コーティングは、平均粒径が80〜600nmである中実な球状のシリカ微粒子が、シリカを主成分として含み、かつ、疎水基を含むバインダによって固定されてなる、80〜800nmの膜厚を有する多孔質膜であり、
前記低反射コーティングは、質量%表示で、
前記シリカ微粒子 35〜70%
前記バインダに含まれるシリカ 25〜64%
前記バインダにおける前記疎水基 0.2〜10%を含み、
前記低反射コーティングを前記ガラス基板に施すことによって得られる透過率ゲインが1.5%以上であり、
前記低反射コーティングは、アルミニウム化合物を、Al2O3に換算して、質量%表示で2〜7%含む、
低反射コーティング付ガラス板。
ここで、前記透過率ゲインは、波長域380〜850nmにおける平均透過率に関し、前記低反射コーティングを施す前の前記ガラス基板の平均透過率に対する、前記低反射コーティングを施した当該低反射コーティング付ガラス板の平均透過率の増分である。 - 前記低反射コーティングは、
質量%表示で、
前記シリカ微粒子 50〜70%
前記バインダに含まれるシリカ 25〜40%を含む、
請求項1又は2に記載の低反射コーティング付ガラス板。 - 前記低反射コーティングは、
質量%表示で、
前記シリカ微粒子 35〜55%
前記バインダに含まれるシリカ 35〜60%を含む、
請求項1又は2に記載の低反射コーティング付ガラス板。 - 前記低反射コーティングは、アルミニウム化合物を、Al2O3に換算して、質量%表示で2〜7%含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載の低反射コーティング付ガラス板。
- 前記アルミニウム化合物は、前記低反射コーティングを形成するためのコーティング液に添加されたハロゲン化アルミニウムに由来する、請求項5に記載の低反射コーティング付ガラス板。
- 前記アルミニウム化合物は、前記低反射コーティングを形成するためのコーティング液に添加された硝酸アルミニウムに由来する、請求項5に記載の低反射コーティング付ガラス板。
- 前記低反射コーティングは、リン化合物を、P2O5に換算して、質量%表示で0.1〜5質量%含む、請求項1〜7のいずれか1項に記載の低反射コーティング付ガラス板。
- 35℃の温度を有する5質量%の塩化ナトリウム水溶液を前記低反射コーティングに192時間噴霧することによって、JIS C8917:2005付属書4に準拠した塩水噴霧試験を行った後の、当該低反射コーティング付ガラス板における380〜850nmの波長の光の平均透過率と、前記塩水噴霧試験を行う前の、当該低反射コーティング付ガラス板における380〜850nmの波長の光の平均透過率との差の絶対値が、0.25%以下である、請求項3又は4に記載の低反射コーティング付ガラス板。
- 前記低反射コーティングが施されていない前記ガラス基板における360〜740nmの範囲の波長の光の平均反射率から、前記低反射コーティングに摩耗子CS−10Fを接触させて往復摩耗試験(荷重:4N、往復回数:50回)を行った後の当該低反射コーティング付ガラス板における360〜740nmの範囲の波長の光の平均反射率を差し引いて求められる反射率ロスが1.6%以上である、請求項3又は4に記載の低反射コーティング付ガラス板。
- 前記低反射コーティングは、質量%表示で、前記疎水基を0.5〜8%含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載の低反射コーティング付ガラス板。
- 前記疎水基が、当該低反射コーティングを形成するためのコーティング液に添加された、シリコンに直接結合した疎水基を有する、加水分解性シリコン化合物又は加水分解性シリコン化合物の加水分解物に由来し、
前記加水分解性シリコン化合物が、下記式(II)に示す化合物を含む、請求項2に記載の低反射コーティング付ガラス板。
RSiY3 (II)
ここで、Yは、アルコキシル基、アセトキシ基、アルケニルオキシ基、アミノ基、及びハロゲン原子からなる群から選ばれる少なくとも1つであり、
Rは疎水基であって、水素原子の少なくとも一部がフッ素原子によって置換されていてもよい炭素数1〜30の鎖状又は環状のアルキル基である。 - 式(II)における疎水基Rが、鎖状のアルキル基である、請求項12に記載の低反射コーティング付ガラス板。
- 前記バインダに含まれるシリカが、当該低反射コーティングを形成するためのコーティング液に添加された、加水分解性シリコン化合物又は加水分解性シリコン化合物の加水分解物に由来し、
前記加水分解性シリコン化合物が、下記式(I)に示す化合物を含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載の低反射コーティング付ガラス板。
SiX4 (I)
ここで、Xは、アルコキシル基、アセトキシ基、アルケニルオキシ基、アミノ基、及びハロゲン原子からなる群から選ばれる少なくとも1つである。 - 擬似ダストを懸濁させた水を当該低反射コーティング付ガラス板に塗布し、かつ、乾燥させて形成された擬似汚れを乾布で擦ることによって、肉眼では認識できないように前記擬似汚れを拭い去ることができる、請求項1〜4のいずれか1項に記載の低反射コーティング付ガラス板。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の低反射コーティング付ガラス板を製造する方法であって、
前記低反射コーティングを形成するためのコーティング液をガラス基板に塗布した後で、前記ガラス基板の最高温度が200℃以上かつ350℃以下であり、かつ、前記ガラス基板の温度が200℃以上である時間が5分以下であるように加熱されることによって、前記低反射コーティングを形成する、方法。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の低反射コーティング付ガラス板を製造する方法であって、
前記低反射コーティングを形成するためのコーティング液をガラス基板に塗布した後で、前記ガラス基板の最高温度が120℃以上かつ250℃以下であり、かつ、前記ガラス基板の温度が120℃以上である時間が3分以下であるように加熱されることによって、前記低反射コーティングを形成する、方法。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の低反射コーティング付ガラス板を製造する方法であって、
前記低反射コーティングを形成するためのコーティング液をガラス基板に塗布した後で、前記ガラス基板の最高温度が100℃以上かつ250℃以下であり、かつ、前記ガラス基板の温度が100℃以上である時間が2分以下であるように加熱されることによって、前記低反射コーティングを形成する、方法。 - 前記低反射コーティングが形成されている主面とは反対側の主面に形成された透明導電膜をさらに備えた、請求項1〜4のいずれか1項に記載の低反射コーティング付ガラス板。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の低反射コーティング付ガラス板を備え、
光を入射させるべき前記ガラス板の主面に前記低反射コーティングが形成された、
光電変換装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020096138A JP6989650B2 (ja) | 2014-09-30 | 2020-06-02 | 低反射コーティング付ガラス基板、低反射コーティング付ガラス基板を製造する方法、及び光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014201590 | 2014-09-30 | ||
JP2014201590 | 2014-09-30 | ||
JP2015015991 | 2015-01-29 | ||
JP2015015991 | 2015-01-29 | ||
PCT/JP2015/004893 WO2016051750A1 (ja) | 2014-09-30 | 2015-09-25 | 低反射コーティング、ガラス板、ガラス基板、及び光電変換装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020096138A Division JP6989650B2 (ja) | 2014-09-30 | 2020-06-02 | 低反射コーティング付ガラス基板、低反射コーティング付ガラス基板を製造する方法、及び光電変換装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016051750A1 JPWO2016051750A1 (ja) | 2017-08-31 |
JP6771383B2 true JP6771383B2 (ja) | 2020-10-21 |
Family
ID=55629819
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016551529A Active JP6771383B2 (ja) | 2014-09-30 | 2015-09-25 | 低反射コーティング、低反射コーティングを製造する方法、ガラス板、ガラス基板、及び光電変換装置 |
JP2020096138A Active JP6989650B2 (ja) | 2014-09-30 | 2020-06-02 | 低反射コーティング付ガラス基板、低反射コーティング付ガラス基板を製造する方法、及び光電変換装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020096138A Active JP6989650B2 (ja) | 2014-09-30 | 2020-06-02 | 低反射コーティング付ガラス基板、低反射コーティング付ガラス基板を製造する方法、及び光電変換装置 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10600923B2 (ja) |
EP (1) | EP3203273B1 (ja) |
JP (2) | JP6771383B2 (ja) |
CN (1) | CN107076876B (ja) |
ES (1) | ES2900831T3 (ja) |
MY (1) | MY183225A (ja) |
PL (1) | PL3203273T3 (ja) |
SA (1) | SA517381194B1 (ja) |
TW (1) | TWI701456B (ja) |
WO (1) | WO2016051750A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6650368B2 (ja) * | 2016-07-28 | 2020-02-19 | 日本板硝子株式会社 | 低反射コーティング付ガラス板、低反射コーティング付基材を製造する方法、及び低反射コーティング付基材の低反射コーティングを形成するためのコーティング液 |
CN108732655B (zh) * | 2017-04-17 | 2020-06-30 | 法国圣戈班玻璃公司 | 光学组件及制造方法,光伏器件 |
TWI753154B (zh) * | 2017-04-18 | 2022-01-21 | 荷蘭商科思創荷蘭有限公司 | 塗層及塗料調配物 |
JP7213177B2 (ja) * | 2017-04-27 | 2023-01-26 | 日本板硝子株式会社 | 被膜付き透明基板、被膜付き透明基板の被膜を形成するための塗工液及び被膜付き透明基板の製造方法 |
JP7083342B2 (ja) * | 2017-04-27 | 2022-06-10 | 日本板硝子株式会社 | 低反射膜付き透明基板、光電変換装置、低反射膜付き透明基板の低反射膜を形成するための塗工液及び低反射膜付き透明基板の製造方法 |
JP6503128B1 (ja) | 2018-02-13 | 2019-04-17 | 日本板硝子株式会社 | 膜、液状組成物、光学素子、及び撮像装置 |
US10793727B2 (en) | 2018-12-21 | 2020-10-06 | Eastman Kodak Company | Matte paint composition |
US11118070B2 (en) | 2018-12-21 | 2021-09-14 | Eastman Kodak Company | Low specular reflectance surface |
CN117425632A (zh) * | 2021-08-23 | 2024-01-19 | 福美化学工业株式会社 | 防反射玻璃 |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5626750A (en) * | 1979-08-13 | 1981-03-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Bleeding preventing method for contained component from solid surface |
JPS58126502A (ja) * | 1982-01-25 | 1983-07-28 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 反射防止プラスチツク光学部品 |
JP2881847B2 (ja) * | 1988-12-15 | 1999-04-12 | 日産化学工業株式会社 | コーティング用組成物及びその製造法 |
JPH078900A (ja) * | 1993-06-22 | 1995-01-13 | Sekisui Chem Co Ltd | 高撥水性材料の製造方法 |
JP3635692B2 (ja) * | 1994-10-20 | 2005-04-06 | 日産化学工業株式会社 | 低屈折率反射防止膜 |
JP4527272B2 (ja) * | 1999-12-13 | 2010-08-18 | 日本板硝子株式会社 | 低反射ガラス物品 |
JP4107050B2 (ja) * | 2001-10-25 | 2008-06-25 | 松下電工株式会社 | コーティング材組成物及びそれにより形成された被膜を有する物品 |
US7294405B2 (en) * | 2004-08-26 | 2007-11-13 | 3M Innovative Properties Company | Antiglare coating and articles |
JP4993242B2 (ja) * | 2004-10-07 | 2012-08-08 | 大日本印刷株式会社 | 撥水・撥油性及び耐擦傷性が向上した反射防止フィルム |
TW200630716A (en) * | 2004-12-24 | 2006-09-01 | Matsushita Electric Works Ltd | Liquid crystal display apparatus |
KR101182002B1 (ko) * | 2005-02-16 | 2012-09-11 | 코니카 미놀타 어드밴스드 레이어즈 인코포레이티드 | 반사 방지 필름, 반사 방지 필름의 제조 방법, 편광판 및표시 장치 |
WO2006093156A1 (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-08 | Matsushita Electric Works, Ltd. | コーティング材組成物及び塗装品 |
JP2006257244A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Matsushita Electric Works Ltd | 防曇防汚性材料及びその製造方法 |
JP2007121786A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | コーティング液の製造方法、およびそのコーティング液を用いた反射防止膜の製造方法 |
FR2908406B1 (fr) * | 2006-11-14 | 2012-08-24 | Saint Gobain | Couche poreuse, son procede de fabrication et ses applications. |
WO2008117652A1 (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-02 | Konica Minolta Opto, Inc. | 反射防止フィルム、及び反射防止フィルムの製造方法、それを用いた偏光板、及び表示装置 |
US9206335B2 (en) * | 2008-10-10 | 2015-12-08 | 3M Innovation Properties Company | Silica coating for enhanced hydrophilicity |
US8864897B2 (en) * | 2009-04-30 | 2014-10-21 | Enki Technology, Inc. | Anti-reflective and anti-soiling coatings with self-cleaning properties |
KR101021659B1 (ko) * | 2009-12-07 | 2011-03-17 | 주식회사 에이치와이티씨 | 태양전지 모듈용 글래스에 사용하기 위하여 광투과율을 증대시켜 주는 코팅액을 제조하는 방법과 이에 의하여 제조된 코팅액 조성물 |
CN102782528B (zh) * | 2009-12-11 | 2015-02-25 | 日本板硝子株式会社 | 光电转换装置用玻璃罩及其制造方法 |
EA201390299A1 (ru) | 2010-09-01 | 2013-08-30 | Агк Гласс Юроп | Стеклянная подложка, покрытая антибликовым слоем |
JP5903848B2 (ja) * | 2011-11-25 | 2016-04-13 | 三菱マテリアル株式会社 | 反射防止膜付きガラス基材 |
KR101273789B1 (ko) * | 2012-04-19 | 2013-06-11 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 방현성 필름, 편광판 및 화상 표시 장치 |
JP2014015543A (ja) | 2012-07-09 | 2014-01-30 | Nissan Chem Ind Ltd | 低屈折率コーティング組成物 |
JP6039962B2 (ja) | 2012-08-01 | 2016-12-07 | 日本板硝子株式会社 | 光電変換装置用カバーガラス |
US20140178657A1 (en) * | 2012-12-21 | 2014-06-26 | Intermolecular Inc. | Antireflection coatings |
US20140182670A1 (en) * | 2012-12-27 | 2014-07-03 | Intermolecular Inc. | Light trapping and antireflective coatings |
KR20140095863A (ko) * | 2013-01-25 | 2014-08-04 | 도레이첨단소재 주식회사 | 터치패널용 전자파쉴드 반사방지필름 |
US20140272125A1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | Guardian Industries Corp | Anti-reflection glass made from aged sol including mixture of tri-alkoxysilane and tetra-alkoxysilane |
JP6153093B2 (ja) * | 2013-09-03 | 2017-06-28 | 株式会社豊田中央研究所 | 反射防止膜及びその製造方法 |
TWI753154B (zh) * | 2017-04-18 | 2022-01-21 | 荷蘭商科思創荷蘭有限公司 | 塗層及塗料調配物 |
-
2015
- 2015-09-25 MY MYPI2017701147A patent/MY183225A/en unknown
- 2015-09-25 PL PL15845953T patent/PL3203273T3/pl unknown
- 2015-09-25 ES ES15845953T patent/ES2900831T3/es active Active
- 2015-09-25 WO PCT/JP2015/004893 patent/WO2016051750A1/ja active Application Filing
- 2015-09-25 US US15/515,492 patent/US10600923B2/en active Active
- 2015-09-25 EP EP15845953.7A patent/EP3203273B1/en active Active
- 2015-09-25 CN CN201580052163.7A patent/CN107076876B/zh active Active
- 2015-09-25 JP JP2016551529A patent/JP6771383B2/ja active Active
- 2015-09-30 TW TW104132075A patent/TWI701456B/zh active
-
2017
- 2017-03-26 SA SA517381194A patent/SA517381194B1/ar unknown
-
2020
- 2020-06-02 JP JP2020096138A patent/JP6989650B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
MY183225A (en) | 2021-02-18 |
ES2900831T3 (es) | 2022-03-18 |
US10600923B2 (en) | 2020-03-24 |
SA517381194B1 (ar) | 2021-03-15 |
EP3203273A4 (en) | 2018-05-30 |
EP3203273A1 (en) | 2017-08-09 |
JPWO2016051750A1 (ja) | 2017-08-31 |
PL3203273T3 (pl) | 2022-03-14 |
CN107076876B (zh) | 2019-05-07 |
JP2020170171A (ja) | 2020-10-15 |
EP3203273B1 (en) | 2021-11-17 |
WO2016051750A1 (ja) | 2016-04-07 |
JP6989650B2 (ja) | 2022-01-05 |
CN107076876A (zh) | 2017-08-18 |
TWI701456B (zh) | 2020-08-11 |
TW201625986A (zh) | 2016-07-16 |
US20170243989A1 (en) | 2017-08-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6989650B2 (ja) | 低反射コーティング付ガラス基板、低反射コーティング付ガラス基板を製造する方法、及び光電変換装置 | |
US11442200B2 (en) | Low-reflection coated glass sheet, method for producing low-reflection coated substrate, and coating liquid for forming low-reflection coating of low-reflection coated substrate | |
KR101939871B1 (ko) | 광전 변환 장치용 커버 유리 | |
JP7242720B2 (ja) | コーティング膜付きガラス板及びその製造方法 | |
JP6771388B2 (ja) | 低反射コーティング付ガラス板及び低反射コーティング付ガラス板を製造する方法 | |
US10329430B2 (en) | Low-reflection coated glass sheet, method for producing low-reflection coated substrate, and coating liquid for forming low-reflection coating of low-reflection coated substrate | |
JP6560210B2 (ja) | 低反射コーティング、低反射コーティング付き基板および光電変換装置 | |
JP5156393B2 (ja) | 被膜を備える車両用ガラス板及びその製造方法 | |
JP6487933B2 (ja) | 低反射コーティング、低反射コーティング付ガラス板、低反射コーティングを有するガラス板、ガラス基板、光電変換装置、及び低反射コーティングを製造する方法 | |
US11661519B2 (en) | Low-reflection film-coated transparent substrate, photoelectric conversion device, coating liquid for forming low-reflection film of low-reflection film-coated transparent substrate, and method for producing low-reflection film-coated transparent substrate | |
JP7153638B2 (ja) | 低反射コーティング付きガラス物品 | |
JP7213177B2 (ja) | 被膜付き透明基板、被膜付き透明基板の被膜を形成するための塗工液及び被膜付き透明基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180420 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190702 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190902 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20200303 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200602 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20200602 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20200611 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20200616 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200901 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200929 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6771383 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |