JP6748524B2 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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Description

本発明の実施形態は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。 Embodiments of the present invention relate to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

基板処理装置は、半導体ウェーハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶用ガラス基板など各種基板に対して種々の表面処理（エッチング処理や洗浄処理、リンス処理、乾燥処理など）を行う装置である。この基板処理装置では、処理の均一性や再現性の面から、基板を１枚ずつ専用処理室内で処理する枚葉方式を用いることが多くなっている。また、処理対象の基板は専用ケース、例えば基板が半導体ウェーハである場合には、ＦＯＵＰ（フープ）に収納されている。このため、専用ケースからの基板の取り出しと収納を行う専用ユニットが設けられる。この専用ユニットとしては、例えば、ＥＦＥＭ（ＦＯＵＰオープナーと搬送ロボットの組合せ）が用いられる。 The substrate processing apparatus is an apparatus that performs various surface treatments (etching treatment, cleaning treatment, rinsing treatment, drying treatment, etc.) on various substrates such as semiconductor wafers, photomask glass substrates, and liquid crystal glass substrates. In this substrate processing apparatus, from the viewpoint of processing uniformity and reproducibility, a single-wafer method is often used in which substrates are processed one by one in a dedicated processing chamber. The substrate to be processed is stored in a dedicated case, for example, a FOUP (hoop) when the substrate is a semiconductor wafer. For this reason, a dedicated unit for taking out and storing the substrate from the dedicated case is provided. As this dedicated unit, for example, EFEM (combination of FOUP opener and transfer robot) is used.

専用ケース内の基板は、専用ユニットの搬送ロボットによって専用ケースから取り出され、処理室内に搬送されて処理室内で処理される。この処理には薬液が使用されるため、処理室雰囲気が周囲に広がらないように、通常、処理室内は周囲よりも陰圧に維持されている。処理としては、常温の薬液処理だけではなく、加熱を伴う薬液処理などもある。また、処理済の基板に別の処理を行う必要がある場合には、その基板は次の処理室に搬送されて処理される。最終的に基板は洗浄及び乾燥され、搬送ロボットにより元の専用ケースに収納され、その後、基板処理装置から払い出される。 The substrate in the special case is taken out from the special case by the transfer robot of the special unit, transferred into the processing chamber, and processed in the processing chamber. Since a chemical solution is used for this treatment, the inside of the treatment chamber is usually kept at a negative pressure more than the surroundings so that the atmosphere of the treatment chamber does not spread to the surroundings. The treatment includes not only the chemical treatment at room temperature but also the chemical treatment accompanied by heating. When the processed substrate needs to be processed differently, the substrate is transferred to the next processing chamber and processed. Finally, the substrate is washed and dried, stored in the original special case by the transfer robot, and then discharged from the substrate processing apparatus.

基板処理装置は、用いられる専用ケースや専用ユニットの幅や高さ等の大きさが規格で決まっているため、各処理室の大きさは同じになる傾向がある。このため、処理室数に応じて、各処理室と搬送ロボットとの配置組合せ形態も類似になる傾向がある。処理室が２つある場合には、ＥＦＥＭに直接処理室を接続する形態が多い。また、処理室が４つある場合には、ＥＦＥＭに基板受渡台（バッファ台）を設置し、処理室への基板搬送を専門に行うもう１台の搬送ロボットを設け、その搬送ロボット周辺に処理室を配置する形態が多い。 In the substrate processing apparatus, the sizes of the dedicated case and the dedicated unit used, such as width and height, are determined by the standard, so that the sizes of the processing chambers tend to be the same. Therefore, the arrangement and combination form of each processing chamber and the transfer robot tend to be similar depending on the number of processing chambers. When there are two processing chambers, it is often the case that the processing chamber is directly connected to the EFEM. If there are four processing chambers, a substrate transfer table (buffer table) is installed in the EFEM, and another transfer robot that specializes in transferring the substrate to the processing chamber is installed, and processing is performed around the transfer robot. There are many forms of arranging rooms.

また、処理室をさらに増加させる場合には、前述のもう一台の搬送ロボットを直線移動機構により直線移動させ、その搬送ロボットが移動するロボット移動路の両側に処理室を配置することが多い。ただし、この構成の場合、直線移動する搬送ロボットの移動速度の制限、あるいは、基板処理装置が設置されるクリーンルームの奥行き制限から、処理室の数は８つ（ロボット移動路の両側に４つずつ）程度になる。なお、さらなる処理室増加のためには、処理室を積み重ね、基板搬送に各階層への搬送方式を追加することも可能である。つまり、処理室の配置を平面配置ではなく、立体配置にすることが可能である。 Further, when the number of processing chambers is further increased, it is often the case that the other transfer robot described above is linearly moved by a linear movement mechanism and the processing chambers are arranged on both sides of the robot moving path on which the transfer robot moves. However, in the case of this configuration, the number of processing chambers is eight (four on each side of the robot moving path) due to the limitation of the moving speed of the transfer robot that moves linearly or the depth of the clean room in which the substrate processing apparatus is installed. ) It will be about. In order to further increase the processing chambers, it is possible to stack the processing chambers and add a transfer method to each layer for transferring substrates. That is, it is possible to arrange the processing chambers in a three-dimensional arrangement instead of a two-dimensional arrangement.

同じ処理液を用いる処理を複数の処理室で個別に行う場合には、各処理室の処理時間が同じになるため、搬送効率の高いシステムが採用されることになる。一方、異なる処理液を用いる複数の処理を複数の処理室で順次行う場合には、各処理室間で基板を搬送する必要が生じる。このとき、各処理室で処理時間が異なると、ある処理工程で基板搬送待ちが発生する。通常、基板搬送待ちの発生を避けるため、全処理工程が同一の処理時間で終了するようにプロセスが調整される。ところが、各処理室間で基板を搬送する必要があるため、この基板搬送によって処理が中断し、基板処理効率が低下する。そこで、前述の異なる処理液を用いる複数の処理を一つの処理室で実施することができれば、各処理室間での基板搬送が不要となる。これにより、基板搬送による処理の中断を回避することが可能となる。 When processing using the same processing liquid is individually performed in a plurality of processing chambers, the processing time in each processing chamber is the same, so a system with high transport efficiency is adopted. On the other hand, when a plurality of treatments using different treatment liquids are sequentially performed in a plurality of treatment chambers, it becomes necessary to transfer the substrate between the treatment chambers. At this time, if the processing time differs in each processing chamber, a substrate transfer wait occurs in a certain processing step. Normally, in order to avoid waiting for substrate transfer, the process is adjusted so that all processing steps are completed in the same processing time. However, since it is necessary to transfer the substrate between the processing chambers, the transfer of the substrate interrupts the processing, and the substrate processing efficiency decreases. Therefore, if a plurality of treatments using different treatment liquids described above can be carried out in one treatment chamber, the substrate transfer between the treatment chambers becomes unnecessary. This makes it possible to avoid interruption of processing due to substrate transfer.

国際公開第２０１１／０９０１４１号International Publication No. 2011/090141

しかしながら、前述の異なる処理液を用いる複数の処理を一つの処理室で実施しようとしても、処理液の種類による処理雰囲気の違いなどから処理室を分ける必要がある。例えば、エッチング処理を行う処理室では、基板の上方に位置するヒータユニットにより、基板に供給された薬液（例えばリン酸液）を加熱し、高温の薬液によって基板をエッチングする。この処理室において、次工程として基板にリンス薬液（例えばＡＰＭ：アンモニア過酸化水素水）をかけるリンス処理が行われる。このとき、処理雰囲気中の薬液とリンス薬液が反応すると、パーティクルが発生し、ヒータユニットに付着することがある。また、ヒータユニットにパーティクルが付着することで、基板の処理中にパーティクルが基板に付着し、製品不良を起こすことがある。このパーティクルの除去は困難であることが多く、ヒータユニットのメンテナンス時間（例えばヒータ洗浄時間）が長くなる傾向にある。これを避けるためには、各処理室を分けることが有効であるが、各処理室間の基板搬送が必須となるため、基板処理効率が低下する。 However, even if an attempt is made to carry out a plurality of treatments using different treatment liquids in one treatment chamber, it is necessary to divide the treatment chambers due to the difference in the treatment atmosphere depending on the type of treatment liquid. For example, in a processing chamber for performing an etching process, a heater unit located above a substrate heats a chemical solution (for example, phosphoric acid solution) supplied to the substrate, and the substrate is etched by the high-temperature chemical solution. In this process chamber, a rinse process of applying a rinse chemical liquid (for example, APM: ammonia hydrogen peroxide solution) to the substrate is performed as the next step. At this time, when the chemical liquid in the processing atmosphere reacts with the rinse chemical liquid, particles may be generated and adhere to the heater unit. In addition, when particles adhere to the heater unit, the particles may adhere to the substrate during processing of the substrate, causing a product defect. It is often difficult to remove the particles, and the maintenance time of the heater unit (for example, heater cleaning time) tends to be long. In order to avoid this, it is effective to divide each processing chamber, but since substrate transfer between each processing chamber is essential, substrate processing efficiency is reduced.

本発明が解決しようとする課題は、基板処理効率を向上させることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。 The problem to be solved by the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of improving the substrate processing efficiency.

実施形態に係る基板処理装置は、退避室と、前記退避室を間にして設けられた一対の処理室と、前記退避室内及び前記一対の処理室内にわたって移動可能に設けられ、前記処理室内の基板上に処理液を供給し、かつ、その基板上の処理液を加熱する処理部と、前記退避室内及び前記一対の処理室内にわたって前記処理部を移動させる移動機構と、を備え、
前記移動機構は、前記退避室内及び前記一対の処理室内にわたって前記処理部を揺動さ せる揺動機構であり、前記処理部は、前記基板上の処理液に接触して前記基板上の処理液 を加熱するヒータであり、前記ヒータは、前記基板に前記処理液を供給するノズルを有し 、前記一対の処理室には、前記基板を保持して回転させるスピン保持機構がそれぞれ設け られ、前記ノズルと、前記ヒータの揺動中心との距離をｒ１、前記ヒータの揺動中心と、 前記一対の処理室がそれぞれ備える前記スピン保持機構の回転中心との距離をそれぞれｒ ２、ｒ３としたとき、ｒ１＝ｒ２＝ｒ３が成立することを特徴とする A substrate processing apparatus according to an embodiment is provided with a retreat chamber, a pair of process chambers provided with the retreat chamber in between, a movably provided in the retreat chamber and the pair of process chambers, and a substrate in the process chamber. A processing unit that supplies the processing liquid onto the substrate and heats the processing liquid on the substrate; and a moving mechanism that moves the processing unit over the evacuation chamber and the pair of processing chambers ,
The moving mechanism is a swinging mechanism that swings the processing unit over the evacuation chamber and the pair of processing chambers , and the processing unit is in contact with the processing liquid on the substrate and the processing liquid on the substrate. A heater for heating the substrate, the heater has a nozzle that supplies the processing liquid to the substrate, and a spin holding mechanism that holds and rotates the substrate is provided in each of the pair of processing chambers. When the distance between the nozzle and the swing center of the heater is r1, and the distance between the swing center of the heater and the rotation center of the spin holding mechanism provided in each of the pair of processing chambers is r2 and r3 , respectively. , R1=r2=r3 holds.

実施形態に係る基板処理方法は、退避室と、前記退避室を間にして設けられた一対の処理室と、前記処理室内の基板上に処理液を供給し、かつ、その基板上の処理液に接触して 前記基板上の処理液を加熱するヒータとを備え、前記ヒータは、前記基板に前記処理液を 供給するノズルを有し、前記一対の処理室には、前記基板を保持して回転させるスピン保 持機構がそれぞれ設けられた基板処理装置を用いて、前記処理室内の基板を処理する基板処理方法であって、前記退避室内及び前記一対の処理室内にわたって前記ヒータを揺動さ せ、この際、前記ノズルと前記ヒータの揺動中心との距離をｒ１、前記ヒータの揺動中心 と前記一対の処理室がそれぞれ備える前記スピン保持機構の回転中心との距離をそれぞれ ｒ２、ｒ３としたとき、ｒ１＝ｒ２＝ｒ３が成立するように揺動させることを特徴とする。

A substrate processing method according to an embodiment includes a retreat chamber, a pair of process chambers provided with the retreat chamber in between, a treatment liquid supplied onto a substrate in the treatment chamber, and a treatment liquid on the substrate. A heater for heating the processing liquid on the substrate by contacting the substrate, the heater having a nozzle for supplying the processing liquid to the substrate, and holding the substrate in the pair of processing chambers. spin hold mechanism for rotating with the substrate processing apparatus is provided respectively, the substrate processing method of processing a substrate in the processing chamber, thereby oscillating the heater over the retracted chamber and the pair of processing chamber At this time, the distance between the nozzle and the swing center of the heater is r1, and the distance between the swing center of the heater and the rotation centers of the spin holding mechanisms provided in the pair of processing chambers is r2 and r3 , respectively. When this is done, the rocking is performed so that r1=r2=r3 holds .

本発明の実施形態によれば、基板処理効率を向上させることができる。 According to the embodiments of the present invention, substrate processing efficiency can be improved.

第１の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure of the substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施形態に係る基板処理ユニットの概略構成を示す斜視図である。It is a perspective view showing a schematic structure of a substrate processing unit concerning a 1st embodiment. 第１の実施形態に係るヒータ、ヒータ移動機構及び洗浄部の概略構成を示す断面図（図１の３−３線断面図）である。It is sectional drawing (3-3 sectional view of FIG. 1) which shows schematic structure of the heater which concerns on 1st Embodiment, a heater moving mechanism, and a washing|cleaning part. 第１の実施形態に係る基板処理装置の比較例を示す平面図である。It is a top view which shows the comparative example of the substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施形態に係る基板処理装置と比較例との基板処理工程の流れを示すタイミングチャートである。6 is a timing chart showing the flow of substrate processing steps of the substrate processing apparatus according to the first embodiment and a comparative example. 第２の実施形態に係るヒータ、ヒータ移動機構及び洗浄部の概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the heater which concerns on 2nd Embodiment, a heater moving mechanism, and a washing|cleaning part.

（第１の実施形態）
第１の実施形態について図１から図５を参照して説明する。 (First embodiment)
The first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 5.

（基本構成）
図１に示すように、第１の実施形態に係る基板処理装置１０は、複数の開閉ユニット１１と、第１の搬送ロボット１２と、バッファユニット１３と、第２の搬送ロボット１４と、複数の基板処理ユニット１５と、装置付帯ユニット１６とを備えている。 (Basic configuration)
As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 10 according to the first embodiment includes a plurality of opening/closing units 11, a first transfer robot 12, a buffer unit 13, a second transfer robot 14, and a plurality of transfer units. A substrate processing unit 15 and a device auxiliary unit 16 are provided.

各開閉ユニット１１は、一列に並べられて設けられている。これらの開閉ユニット１１は搬送容器として機能する専用ケース（例えばＦＯＵＰ）のドアを開閉する。なお、専用ケースがＦＯＵＰである場合、開閉ユニット１１はＦＯＵＰオープナーと呼ばれる。 The opening/closing units 11 are arranged in a line. These opening/closing units 11 open/close the door of a special case (for example, FOUP) that functions as a transport container. When the exclusive case is a FOUP, the opening/closing unit 11 is called a FOUP opener.

第１の搬送ロボット１２は、各開閉ユニット１１が並ぶ第１の搬送方向に沿って移動するように各開閉ユニット１１の列の隣に設けられている。この第１の搬送ロボット１２は、開閉ユニット１１によりドアが開けられた専用ケースから基板Ｗを取り出す。そして、第１の搬送ロボット１２は、必要に応じてバッファユニット１３付近まで第１の搬送方向に移動し、停止場所で旋回して基板Ｗをバッファユニット１３に搬入する。また、第１の搬送ロボット１２は、バッファユニット１３から処理済みの基板Ｗを取り出し、必要に応じて所望の開閉ユニット１１付近まで第１の搬送方向に移動し、停止場所で旋回して処理済みの基板Ｗを所望の専用ケースに搬入する。なお、第１の搬送ロボット１２は、移動せずに旋回し、基板Ｗをバッファユニット１３に、あるいは、処理済みの基板Ｗを所望の専用ケースに搬入する場合もある。第１の搬送ロボット１２としては、例えば、ロボットアームやロボットハンド、移動機構などを有するロボットを用いることが可能である。 The first transfer robot 12 is provided next to the row of the opening/closing units 11 so as to move along the first transfer direction in which the opening/closing units 11 are lined up. The first transfer robot 12 takes out the substrate W from the special case whose door is opened by the opening/closing unit 11. Then, the first transfer robot 12 moves to the vicinity of the buffer unit 13 in the first transfer direction as needed, and turns at the stop location to load the substrate W into the buffer unit 13. In addition, the first transfer robot 12 takes out the processed substrate W from the buffer unit 13, moves it to the vicinity of the desired opening/closing unit 11 in the first transfer direction as necessary, and swivels at the stop location to complete the processing. Substrate W is carried into a desired exclusive case. The first transfer robot 12 may rotate without moving and may carry the substrate W into the buffer unit 13 or the processed substrate W into a desired exclusive case. As the first transfer robot 12, for example, a robot having a robot arm, a robot hand, a moving mechanism, or the like can be used.

バッファユニット１３は、第１の搬送ロボット１２が移動する第１のロボット移動路の中央付近に位置付けられ、その第１のロボット移動路の片側、すなわち各開閉ユニット１１と反対の片側に設けられている。このバッファユニット１３は、第１の搬送ロボット１２と第２の搬送ロボット１４との間で基板Ｗの持ち替えを行うためのバッファ台（基板受渡台）として機能する。 The buffer unit 13 is positioned near the center of the first robot moving path on which the first transfer robot 12 moves, and is provided on one side of the first robot moving path, that is, on one side opposite to each opening/closing unit 11. There is. The buffer unit 13 functions as a buffer table (substrate transfer table) for holding the substrate W between the first transfer robot 12 and the second transfer robot 14.

第２の搬送ロボット１４は、バッファユニット１３付近から前述の第１の搬送方向に直交する第２の搬送方向（第１の搬送方向に交差する方向の一例）に移動するように設けられている。この第２の搬送ロボット１４は、バッファユニット１３から基板Ｗを取り出し、必要に応じて所望の基板処理ユニット１５付近まで第２の搬送方向に沿って移動し、停止場所で旋回して基板Ｗを所望の基板処理ユニット１５に搬入する。また、第２の搬送ロボット１４は、基板処理ユニット１５から処理済みの基板Ｗを取り出し、必要に応じてバッファユニット１３付近まで第２の搬送方向に移動し、停止場所で旋回して処理済みの基板Ｗをバッファユニット１３に搬入する。なお、第２の搬送ロボット１４は、移動せずに旋回し、基板Ｗを所望の基板処理ユニット１５に、あるいは、処理済みの基板Ｗをバッファユニット１３に搬入する場合もある。第２の搬送ロボット１４としては、例えば、ロボットアームやロボットハンド、移動機構などを有するロボットを用いることが可能である。 The second transfer robot 14 is provided so as to move from the vicinity of the buffer unit 13 in a second transfer direction orthogonal to the above-described first transfer direction (an example of a direction intersecting the first transfer direction). .. The second transfer robot 14 takes out the substrate W from the buffer unit 13, moves it along the second transfer direction to the vicinity of the desired substrate processing unit 15 if necessary, and swivels the substrate W at the stop place. It is carried into the desired substrate processing unit 15. Further, the second transfer robot 14 takes out the processed substrate W from the substrate processing unit 15, moves it to the vicinity of the buffer unit 13 in the second transfer direction as necessary, and turns at the stop place to process the processed substrate W. The substrate W is carried into the buffer unit 13. The second transfer robot 14 may rotate without moving and may carry the substrate W into the desired substrate processing unit 15 or the processed substrate W into the buffer unit 13. As the second transfer robot 14, for example, a robot having a robot arm, a robot hand, a moving mechanism, or the like can be used.

基板処理ユニット１５は、第２の搬送ロボット１４が移動する第２のロボット移動路の両側に例えば二つずつ設けられている。基板処理ユニット１５は、一対のスピン処理ユニット１５ａ及び１５ｂと、ヒータ処理ユニット１５ｃとを有する。ヒータ処理ユニット１５ｃは、一対のスピン処理ユニット１５ａ及び１５ｂの間に設けられており、一対のスピン処理ユニット１５ａ及び１５ｂに共通の処理ユニットとして機能する（詳しくは、後述する）。 For example, two substrate processing units 15 are provided on each side of the second robot moving path along which the second transfer robot 14 moves. The substrate processing unit 15 has a pair of spin processing units 15a and 15b and a heater processing unit 15c. The heater processing unit 15c is provided between the pair of spin processing units 15a and 15b, and functions as a processing unit common to the pair of spin processing units 15a and 15b (details will be described later).

装置付帯ユニット１６は、第２のロボット移動路の一端、すなわちバッファユニット１３と反対側の端に設けられている。この装置付帯ユニット１６は、液供給ユニット１６ａと、制御ユニット１６ｂとを収納する。液供給ユニット１６ａは、一対のスピン処理ユニット１５ａ及び１５ｂ、ヒータ処理ユニット１５ｃに各種の処理液（例えば、薬液やリンス薬液、リンス液など）や洗浄液を供給する。制御ユニット１６ｂは、各部を集中的に制御するマイクロコンピュータと、基板処理に関する基板処理情報や各種プログラムなどを記憶する記憶部（いずれも図示せず）を具備する。この制御ユニット１６ｂは、基板処理情報や各種プログラムに基づき、各開閉ユニット１１や第１の搬送ロボット１２、第２の搬送ロボット１４、各基板処理ユニット１５などの各部を制御する。 The device attachment unit 16 is provided at one end of the second robot moving path, that is, at the end opposite to the buffer unit 13. This device-attached unit 16 houses a liquid supply unit 16a and a control unit 16b. The liquid supply unit 16a supplies various processing liquids (for example, a chemical liquid, a rinse chemical liquid, a rinse liquid, etc.) and a cleaning liquid to the pair of spin processing units 15a and 15b and the heater processing unit 15c. The control unit 16b includes a microcomputer that centrally controls each unit, and a storage unit (not shown) that stores substrate processing information regarding substrate processing and various programs. The control unit 16b controls each unit such as each opening/closing unit 11, the first transfer robot 12, the second transfer robot 14, each substrate processing unit 15 based on the substrate processing information and various programs.

（基板処理ユニット）
次に、前述の基板処理ユニット１５、すなわち一対のスピン処理ユニット１５ａ及び１５ｂ、ヒータ処理ユニット１５ｃについて図２及び図３を参照して説明する。図２においては、基板処理ユニット１５の内部構造が見えるように示されている。なお、スピン処理ユニット１５ａ及び１５ｂは基本的に同じ構造であるため、代表としてスピン処理ユニット１５ａについて説明する。 (Substrate processing unit)
Next, the substrate processing unit 15 described above, that is, the pair of spin processing units 15a and 15b and the heater processing unit 15c will be described with reference to FIGS. In FIG. 2, the internal structure of the substrate processing unit 15 is shown so that it can be seen. Since the spin processing units 15a and 15b have basically the same structure, the spin processing unit 15a will be described as a representative.

（スピン処理ユニット）
図２に示すように、スピン処理ユニット１５ａは、処理室２１と、スピン保持機構２２と、カップ２３と、第１のノズルヘッド２４と、第１のノズルヘッド移動機構２５と、第２のノズルヘッド２６と、第２のノズルヘッド移動機構２７と、処理制御部２８とを有する。スピン保持機構２２、カップ２３、第１のノズルヘッド２４、第１のノズルヘッド移動機構２５、第２のノズルヘッド２６、第２のノズルヘッド移動機構２７は、処理室２１内に設けられている。 (Spin processing unit)
As shown in FIG. 2, the spin processing unit 15a includes a processing chamber 21, a spin holding mechanism 22, a cup 23, a first nozzle head 24, a first nozzle head moving mechanism 25, and a second nozzle. It has a head 26, a second nozzle head moving mechanism 27, and a processing controller 28. The spin holding mechanism 22, the cup 23, the first nozzle head 24, the first nozzle head moving mechanism 25, the second nozzle head 26, and the second nozzle head moving mechanism 27 are provided in the processing chamber 21. ..

処理室２１は、例えば直方体形状に形成され、基板シャッタ２１ａと、メンテナンス扉２１ｂとを有する。基板シャッタ２１ａは、処理室２１における第２のロボット移動路側の壁面に開閉可能に形成されている。メンテナンス扉２１ｂは、処理室２１における基板シャッタ２１ａと反対側の壁面に開閉可能に形成されている。なお、処理室２１内は、ダウンフロー（垂直層流）によって清浄に保たれており、また、外部よりも陰圧に保持されている。 The processing chamber 21 is formed in, for example, a rectangular parallelepiped shape, and has a substrate shutter 21a and a maintenance door 21b. The substrate shutter 21a is formed on the wall surface of the processing chamber 21 on the second robot movement path side so as to be openable and closable. The maintenance door 21b is formed to be openable and closable on the wall surface of the processing chamber 21 opposite to the substrate shutter 21a. The inside of the processing chamber 21 is kept clean by downflow (vertical laminar flow), and is maintained at a negative pressure more than the outside.

スピン保持機構２２は、基板Ｗの被処理面を上方に向けて基板Ｗを水平状態に保持し、基板Ｗの被処理面の略中央に垂直に交わる軸（基板Ｗの被処理面に交わる軸の一例）を回転中心として基板Ｗを水平面内で回転させる機構である。例えば、スピン保持機構２２は、複数の支持部材（図示せず）により基板Ｗをカップ２３内で水平状態に保持し、回転軸やモータなどを有する回転機構（図示せず）によりその保持状態の基板Ｗを回転させる。 The spin holding mechanism 22 holds the substrate W in a horizontal state with the surface to be processed of the substrate W facing upward, and intersects with the center of the surface to be processed of the substrate W vertically (axis that intersects with the surface to be processed of the substrate W. Is a rotation center, and the substrate W is rotated in a horizontal plane. For example, the spin holding mechanism 22 holds the substrate W in a horizontal state inside the cup 23 by a plurality of supporting members (not shown), and the holding state is held by a rotating mechanism (not shown) having a rotating shaft, a motor, and the like. The substrate W is rotated.

カップ２３は、スピン保持機構２２により保持された基板Ｗを周囲から囲むように円筒形状に形成されている。カップ２３の上部はスピン保持機構２２上の基板Ｗが露出するように開口しており、その上部の周壁は径方向の内側に向かって傾斜している。このカップ２３は、回転する基板Ｗから飛散した処理液や流れ落ちた処理液（例えば、薬液やリンス薬液、リンス液など）を受け取る。なお、カップ２３の底面には、受け取った処理液を排出するための排出口（図示せず）が形成されている。排出口から排出された処理液は回収部（図示せず）によって回収される。 The cup 23 is formed in a cylindrical shape so as to surround the substrate W held by the spin holding mechanism 22 from the periphery. The upper portion of the cup 23 is opened so that the substrate W on the spin holding mechanism 22 is exposed, and the peripheral wall of the upper portion is inclined inward in the radial direction. The cup 23 receives the processing liquid scattered from the rotating substrate W or the processing liquid that has flowed down (for example, a chemical liquid, a rinse chemical liquid, a rinse liquid, etc.). A discharge port (not shown) for discharging the received processing liquid is formed on the bottom surface of the cup 23. The processing liquid discharged from the discharge port is collected by a collecting unit (not shown).

第１のノズルヘッド２４は、スピン保持機構２２上の基板Ｗの被処理面にリンス薬液（例えばＡＰＭ：アンモニア過酸化水素水）を供給する。この第１のノズルヘッド２４は、スピン保持機構２２上の基板Ｗの被処理面に沿って第１のノズルヘッド移動機構２５により揺動可能に形成されている。なお、第１のノズルヘッド２４には、リンス薬液が液供給ユニット１６ａから配管（図示せず）を介して供給される。 The first nozzle head 24 supplies a rinse chemical liquid (for example, APM: ammonia hydrogen peroxide solution) to the surface to be processed of the substrate W on the spin holding mechanism 22. The first nozzle head 24 is formed to be swingable by the first nozzle head moving mechanism 25 along the surface to be processed of the substrate W on the spin holding mechanism 22. The rinse chemical is supplied to the first nozzle head 24 from the liquid supply unit 16a through a pipe (not shown).

第１のノズルヘッド移動機構２５は、スピン保持機構２２上の基板Ｗの被処理面に沿って第１のノズルヘッド２４を揺動させる機構である。この第１のノズルヘッド移動機構２５は、可動アーム２５ａと、回転機構２５ｂとを有する。可動アーム２５ａは、水平状態で先端に第１のノズルヘッド２４を保持する。回転機構２５ｂは、カップ２３の周囲に設けられており、可動アーム２５ａの末端を支持し、その末端を回転中心として可動アーム２５ａを回転させる。可動アーム２５ａの回転中心、つまり第１のノズルヘッド２４の揺動中心は、処理室２１内において、処理室２１における隣接する退避室３１（ヒータ処理ユニット１５ｃ）側の壁に対し、スピン保持機構２２を挟んで反対側の壁側に設けられる。より具体的には、第１のノズルヘッド２４の揺動中心は、処理室２１における隣接するヒータ処理ユニット１５ｃ側の壁とは反対側で、かつメンテナンス扉２１ｂに近い箇所に設けられる。回転機構２５ｂは、一例として、回転軸やモータなどにより構成されている。例えば、第１のノズルヘッド移動機構２５は、第１のノズルヘッド２４をスピン保持機構２２上の基板Ｗの被処理面の中央付近に対向させる液供給位置と、その液供給位置から退避させて基板Ｗの搬入や搬出、基板Ｗに対するヒータ処理を可能とする退避位置とに移動させる。 The first nozzle head moving mechanism 25 is a mechanism that swings the first nozzle head 24 along the surface to be processed of the substrate W on the spin holding mechanism 22. The first nozzle head moving mechanism 25 has a movable arm 25a and a rotating mechanism 25b. The movable arm 25a holds the first nozzle head 24 at its tip in a horizontal state. The rotating mechanism 25b is provided around the cup 23, supports the end of the movable arm 25a, and rotates the movable arm 25a with the end as the center of rotation. The rotation center of the movable arm 25a, that is, the swing center of the first nozzle head 24, is set in the processing chamber 21 with respect to the wall of the processing chamber 21 adjacent to the evacuation chamber 31 (heater processing unit 15c). It is provided on the opposite wall side across 22. More specifically, the swing center of the first nozzle head 24 is provided on the opposite side of the wall of the processing chamber 21 on the adjacent heater processing unit 15c side and near the maintenance door 21b. The rotating mechanism 25b is composed of, for example, a rotating shaft and a motor. For example, the first nozzle head moving mechanism 25 causes the first nozzle head 24 to face the vicinity of the center of the processing target surface of the substrate W on the spin holding mechanism 22, and to withdraw from the liquid supplying position. The substrate W is moved into and out of the substrate W so that the substrate W can be carried in and out and a heater process for the substrate W can be performed.

第２のノズルヘッド２６は、スピン保持機構２２上の基板Ｗの被処理面にリンス液（例えば純水）を供給する。この第２のノズルヘッド２６は、スピン保持機構２２上の基板Ｗの被処理面に沿って第２のノズルヘッド移動機構２７により揺動可能に形成されている。なお、第２のノズルヘッド２６には、リンス液が液供給ユニット１６ａから配管（図示せず）を介して供給される。 The second nozzle head 26 supplies a rinse liquid (for example, pure water) to the surface of the substrate W on the spin holding mechanism 22 to be processed. The second nozzle head 26 is formed so as to be swingable by the second nozzle head moving mechanism 27 along the surface to be processed of the substrate W on the spin holding mechanism 22. The rinse liquid is supplied to the second nozzle head 26 from the liquid supply unit 16a via a pipe (not shown).

第２のノズルヘッド移動機構２７は、スピン保持機構２２上の基板Ｗの被処理面に沿って第２のノズルヘッド２６を揺動させる機構である。この第２のノズルヘッド移動機構２７は、第１のノズルヘッド移動機構２５と同じように、可動アーム２７ａと、回転機構２７ｂとを有する。可動アーム２７ａは、水平状態で先端に第２のノズルヘッド２６を保持する。回転機構２７ｂは、カップ２３の周囲に設けられており、可動アーム２７ａの末端を支持し、その末端を回転中心として可動アーム２７ａを回転させる。可動アーム２７ａの回転中心、つまり第２のノズルヘッド２６の揺動中心は、処理室２１内において、処理室２１における隣接する退避室３１（ヒータ処理ユニット１５ｃ）側の壁に対し、スピン保持機構２２を挟んで反対側の壁側に設けられる。より具体的には、第２のノズルヘッド２６の揺動中心は、処理室２１における隣接するヒータ処理ユニット１５ｃ側の壁とは反対側で、かつ基板シャッタ２１ａに近い箇所に設けられる。回転機構２７ｂは、一例として、回転軸やモータなどにより構成されている。例えば、第２のノズルヘッド移動機構２７は、第２のノズルヘッド２６をスピン保持機構２２上の基板Ｗの被処理面の中央付近に対向させる液供給位置と、その液供給位置から退避させて基板Ｗの搬入や搬出、基板Ｗに対するヒータ処理を可能とする退避位置とに移動させる。 The second nozzle head moving mechanism 27 is a mechanism for swinging the second nozzle head 26 along the surface to be processed of the substrate W on the spin holding mechanism 22. Like the first nozzle head moving mechanism 25, the second nozzle head moving mechanism 27 has a movable arm 27a and a rotating mechanism 27b. The movable arm 27a holds the second nozzle head 26 at its tip in a horizontal state. The rotating mechanism 27b is provided around the cup 23, supports the end of the movable arm 27a, and rotates the movable arm 27a with the end as the center of rotation. The rotation center of the movable arm 27a, that is, the swing center of the second nozzle head 26, is set in the processing chamber 21 with respect to the wall of the processing chamber 21 adjacent to the evacuation chamber 31 (heater processing unit 15c) on the spin holding mechanism. It is provided on the opposite wall side across 22. More specifically, the swing center of the second nozzle head 26 is provided on the opposite side of the wall of the processing chamber 21 on the adjacent heater processing unit 15c side and near the substrate shutter 21a. The rotating mechanism 27b is composed of, for example, a rotating shaft and a motor. For example, the second nozzle head moving mechanism 27 causes the second nozzle head 26 to face the vicinity of the center of the surface to be processed of the substrate W on the spin holding mechanism 22, and to withdraw from the liquid supplying position. The substrate W is moved into and out of the substrate W so that the substrate W can be carried in and out and a heater process for the substrate W can be performed.

処理制御部２８は、スピン保持機構２２や第１のノズルヘッド２４、第１のノズルヘッド移動機構２５、第２のノズルヘッド２６、第２のノズルヘッド移動機構２７などに電気的に接続されている。この処理制御部２８は、制御ユニット１６ｂの命令に応じ（制御ユニット１６ｂの制御の下に）、スピン保持機構２２による基板Ｗの保持や回転、第１のノズルヘッド２４による液供給、第１のノズルヘッド移動機構２５によるノズルヘッド移動、第２のノズルヘッド２６による液供給、第２のノズルヘッド移動機構２７によるノズルヘッド移動などを制御する。 The processing control unit 28 is electrically connected to the spin holding mechanism 22, the first nozzle head 24, the first nozzle head moving mechanism 25, the second nozzle head 26, the second nozzle head moving mechanism 27, and the like. There is. In response to a command from the control unit 16b (under the control of the control unit 16b), the processing control unit 28 holds and rotates the substrate W by the spin holding mechanism 22, supplies the liquid by the first nozzle head 24, and controls the first nozzle head 24. The nozzle head movement mechanism 25 controls the nozzle head movement, the second nozzle head 26 supplies liquid, the second nozzle head movement mechanism 27 controls the nozzle head movement, and the like.

（ヒータ処理ユニット）
ヒータ処理ユニット１５ｃは、退避室３１と、ヒータ３２と、ヒータ移動機構３３と、洗浄部３４と、洗浄制御部３５とを有する。ヒータ３２、ヒータ移動機構３３、洗浄部３４は退避室３１内に設けられている。 (Heater processing unit)
The heater processing unit 15c includes a retreat chamber 31, a heater 32, a heater moving mechanism 33, a cleaning unit 34, and a cleaning control unit 35. The heater 32, the heater moving mechanism 33, and the cleaning unit 34 are provided inside the retreat chamber 31.

退避室３１は、例えば直方体形状に形成され、複数のヒータシャッタ３１ａと、メンテナンス扉３１ｂとを有する。この退避室３１は、隣接する処理室２１と壁により仕切られている。各ヒータシャッタ３１ａは、退避室３１において対向する二つの壁面、すなわち退避室３１における二つの処理室２１側の壁面に個別に開閉可能に形成されている。例えば、ヒータシャッタ３１ａは上下方向にスライド移動して開閉する。メンテナンス扉３１ｂは、退避室３１における第２のロボット移動路と反対側の壁面に開閉可能に形成されている。退避室３１内は、ダウンフローによって清浄に保たれている。 The evacuation chamber 31 is formed in, for example, a rectangular parallelepiped shape and has a plurality of heater shutters 31a and a maintenance door 31b. The evacuation chamber 31 is separated from the adjacent processing chamber 21 by a wall. Each heater shutter 31a is formed so as to be individually openable and closable on two wall surfaces facing each other in the evacuation chamber 31, that is, wall surfaces on the two processing chambers 21 side in the evacuation chamber 31. For example, the heater shutter 31a slides vertically to open and close. The maintenance door 31b is formed to be openable and closable on the wall surface of the evacuation chamber 31 on the side opposite to the second robot moving path. The interior of the evacuation chamber 31 is kept clean by downflow.

ヒータ３２は、スピン保持機構２２により保持された基板Ｗ上の処理液（例えば薬液）を加熱するものである。ヒータ３２における、基板Ｗの被処理面との対向面は、基板Ｗにおける被処理面の形状と相似形を有し、その対向面の大きさは、被処理面を全て覆う大きさであることが好ましい。例えば基板が円形ウェーハである場合、ヒータ３２における基板Ｗとの対向面を、円形ウェーハの直径より大なる円形とすることが好ましい。そして、ヒータ３２における基板Ｗとの対向面は、水平面とされる。このヒータ３２は、ノズル３２ａを有する。このノズル３２ａは、ヒータ３２の下面の中央に位置するように形成されており、スピン保持機構２２上の基板Ｗの被処理面に処理液（例えば薬液）を供給する。 The heater 32 heats the processing liquid (for example, a chemical liquid) on the substrate W held by the spin holding mechanism 22. The surface of the heater 32 facing the surface to be processed of the substrate W has a shape similar to the shape of the surface to be processed of the substrate W, and the size of the surface of the facing surface is a size that covers the entire surface to be processed. Is preferred. For example, when the substrate is a circular wafer, the surface of the heater 32 facing the substrate W is preferably a circle having a diameter larger than the diameter of the circular wafer. The surface of the heater 32 facing the substrate W is a horizontal surface. The heater 32 has a nozzle 32a. The nozzle 32a is formed so as to be located at the center of the lower surface of the heater 32, and supplies a processing liquid (for example, a chemical liquid) to the surface to be processed of the substrate W on the spin holding mechanism 22.

ヒータ移動機構３３は、ヒータ３２を支持し、そのヒータ３２を揺動方向Ｆ１、上下方向（昇降方向）Ｆ２及び左右方向（横方向）Ｆ３に移動させる機構である。このヒータ移動機構３３は、ヒータアーム３３ａと、アーム移動機構３３ｂとを有する。ヒータ移動機構３３は、退避室３１内及び一対の処理室２１内にわたって、すなわち退避室３１内及び一対の処理室２１内の範囲でヒータ３２を移動させる移動機構（一例として揺動機構）として機能する。 The heater moving mechanism 33 is a mechanism that supports the heater 32 and moves the heater 32 in a swinging direction F1, a vertical direction (elevating direction) F2, and a horizontal direction (lateral direction) F3. The heater moving mechanism 33 has a heater arm 33a and an arm moving mechanism 33b. The heater moving mechanism 33 functions as a moving mechanism (as an example, a swinging mechanism) that moves the heater 32 within the evacuation chamber 31 and the pair of processing chambers 21, that is, within the evacuation chamber 31 and the pair of processing chambers 21. To do.

ヒータアーム３３ａは、先端側の下面にヒータ３２を保持する。このヒータアーム３３ａは、アーム移動機構３３ｂにより水平状態で移動可能に形成されている。また、ヒータアーム３３ａは、液供給流路３３ａ１を有する。液供給流路３３ａ１の一端はノズル３２ａに接続されており、その他端は液供給ユニット１６ａに配管（図示せず）を介して接続されている。ノズル３２ａには、例えば、高温の薬液（例えばリン酸液）が液供給ユニット１６ａから液供給流路３３ａ１及び配管を介して供給される。これにより、高温の薬液がノズル３２ａから吐出され、基板Ｗの被処理面上に供給される。基板Ｗの被処理面上に供給された高温の薬液は、ヒータ３２による加熱により高温が維持された状態でエッチング処理が行われる。ヒータ３２は、処理室２１内の基板Ｗ上に処理液を供給し、かつ、その基板Ｗ上の処理液を加熱する処理部として機能する。 The heater arm 33a holds the heater 32 on the lower surface on the tip side. The heater arm 33a is horizontally movable by an arm moving mechanism 33b. Further, the heater arm 33a has a liquid supply flow path 33a1. One end of the liquid supply flow path 33a1 is connected to the nozzle 32a, and the other end is connected to the liquid supply unit 16a via a pipe (not shown). For example, a high-temperature chemical liquid (for example, phosphoric acid liquid) is supplied to the nozzle 32a from the liquid supply unit 16a through the liquid supply flow path 33a1 and a pipe. As a result, the high temperature chemical liquid is ejected from the nozzle 32a and supplied onto the surface of the substrate W to be processed. The high temperature chemical liquid supplied onto the surface to be processed of the substrate W is subjected to the etching process while being kept at a high temperature by being heated by the heater 32. The heater 32 functions as a processing unit that supplies the processing liquid onto the substrate W in the processing chamber 21 and heats the processing liquid on the substrate W.

アーム移動機構３３ｂは、ヒータアーム３３ａの末端を支持し、ヒータアーム３３ａを揺動方向Ｆ１、上下方向Ｆ２及び左右方向Ｆ３に移動させる機構である。このアーム移動機構３３ｂは、一例として、回転機構や上下移動機構、左右移動機構などが組み合わされて構成されている。例えば、アーム移動機構３３ｂは、ヒータシャッタ３１ａが開けられた状態でヒータアーム３３ａを揺動方向Ｆ１に移動させ、ヒータ３２をスピン保持機構２２上の基板Ｗの被処理面に対向させる対向位置（ヒータ処理位置）と、そのヒータ処理位置から退避させて退避室３１内に位置付ける退避位置とに移動させる。なお、ヒータ３２は、アーム移動機構３３ｂによるヒータアーム３３ａの揺動により、アーム移動機構３３ｂの軸を旋回軸とし、その旋回軸周りに旋回することになる。 The arm moving mechanism 33b is a mechanism that supports the end of the heater arm 33a and moves the heater arm 33a in the swinging direction F1, the vertical direction F2, and the horizontal direction F3. For example, the arm moving mechanism 33b is configured by combining a rotating mechanism, a vertical moving mechanism, a horizontal moving mechanism, and the like. For example, the arm moving mechanism 33b moves the heater arm 33a in the swinging direction F1 with the heater shutter 31a opened, and the heater 32 faces the processed surface of the substrate W on the spin holding mechanism 22 at a facing position ( The heater processing position) and the retreat position for retreating from the heater processing position and positioned in the retreat chamber 31 are moved. The heater 32 swings around the turning axis with the axis of the arm moving mechanism 33b as the turning axis by swinging the heater arm 33a by the arm moving mechanism 33b.

ここで、本実施形態のように、ヒータアーム３３ａの先端側にヒータ３２が保持され、ヒータアーム３３ａの回転によりヒータ３２が揺動するタイプにおいて、図１、図３に示すように、ヒータ３２の中央に設けたノズル３２ａと、ヒータ３２の揺動中心（ヒータアーム３３ａの回転中心であり、アーム移動機構３３の旋回軸の中心でもある。）との距離をｒ１、ヒータ３２の揺動中心と、１対のスピン処理ユニット１５ａ、１５ｂがそれぞれ備えるスピン保持機構２２の回転中心までの距離をそれぞれｒ２、ｒ３としたとき、ｒ１＝ｒ２＝ｒ３が成立するようにアーム移動機構３３を構成することが好ましい。 Here, in the type in which the heater 32 is held on the tip side of the heater arm 33a and the heater 32 swings by the rotation of the heater arm 33a as in the present embodiment, as shown in FIGS. The distance between the nozzle 32a provided in the center of the heater 32 and the center of swing of the heater 32 (the center of rotation of the heater arm 33a and also the center of the swivel axis of the arm moving mechanism 33) is r1, and the center of swing of the heater 32 is When the distances to the rotation centers of the spin holding mechanisms 22 included in the pair of spin processing units 15a and 15b are r2 and r3, respectively, the arm moving mechanism 33 is configured such that r1=r2=r3. It is preferable.

洗浄部３４は、退避位置に存在するヒータ３２の下方に設けられている。洗浄部３４は、退避位置に存在するヒータ３２の下面に向けて洗浄液（例えば純水）を吐出し、ヒータ３２の下面に付着した薬液などの処理液を洗浄液により洗浄する。この洗浄部３４は、図３に示すように、液受け部３４ａと、散布部３４ｂとを有する。 The cleaning unit 34 is provided below the heater 32 existing at the retracted position. The cleaning unit 34 discharges a cleaning liquid (for example, pure water) toward the lower surface of the heater 32 existing at the retracted position, and cleans the processing liquid such as the chemical liquid adhered to the lower surface of the heater 32 with the cleaning liquid. As shown in FIG. 3, the cleaning section 34 has a liquid receiving section 34a and a spraying section 34b.

液受け部３４ａは、上部が開口する箱形状に形成されている。液受け部３４ａの開口は、ヒータ３２の下面、つまり被洗浄面の形状と相似形で、被洗浄面を全て覆う大きさを有することが好ましい。ヒータ３２の下面が円形である場合、液受け部３４ａは、平面形状が円形で、その直径はヒータ３２の直径より大とされる。液受け部３４ａは、退避位置に存在するヒータ３２から落下した洗浄液や散布により飛散した洗浄液などを受け取る。液受け部３４ａの底部には、液供給流路４１が形成されている。この液供給流路４１は、液供給ユニット１６ａに配管（図示せず）を介して接続されている。また、液受け部３４ａの底面の隅には、排液口４２が形成されている。この排液口４２から排出された洗浄液は回収部（図示せず）によって回収される。 The liquid receiving portion 34a is formed in a box shape having an open top. It is preferable that the opening of the liquid receiving portion 34a has a size similar to the shape of the lower surface of the heater 32, that is, the surface to be cleaned, and covers the entire surface to be cleaned. When the lower surface of the heater 32 is circular, the liquid receiving portion 34 a has a circular planar shape and its diameter is larger than the diameter of the heater 32. The liquid receiving portion 34a receives the cleaning liquid dropped from the heater 32 existing at the retracted position, the cleaning liquid scattered by the spraying, and the like. A liquid supply channel 41 is formed at the bottom of the liquid receiving portion 34a. The liquid supply channel 41 is connected to the liquid supply unit 16a via a pipe (not shown). A drain port 42 is formed at a corner of the bottom surface of the liquid receiving portion 34a. The cleaning liquid discharged from the liquid discharge port 42 is collected by a collecting unit (not shown).

散布部３４ｂは、排液口４２を避けて液受け部３４ａの底面に設けられている。この散布部３４ｂには、複数のノズル４３が形成されている。これらのノズル４３は、平面内に行列状に並べられ、液供給流路４１につながっている。なお、各ノズル４３が、円形状に配置されていても良い。各ノズル４３には、洗浄液（例えば純水）が液供給ユニット１６ａから液供給流路４１及び配管（図示せず）を介して供給される。この散布部３４ｂは、液供給ユニット１６ａから供給された洗浄液を各ノズル４３から上方に向けて吐出する。なお、ノズル４３から洗浄液が吐出される前段階で、ヒータ３２はヒータ移動機構３３により下降し、散布部３４ｂに対する離間距離（ギャップ）が所定値となる洗浄位置で停止している。このため、ギャップが所定値より大きい場合に比べ、洗浄効率を向上させることができる。 The spraying part 34b is provided on the bottom surface of the liquid receiving part 34a while avoiding the drainage port 42. A plurality of nozzles 43 are formed in the spraying portion 34b. These nozzles 43 are arranged in a matrix in a plane and are connected to the liquid supply channel 41. The nozzles 43 may be arranged in a circular shape. A cleaning liquid (for example, pure water) is supplied to each nozzle 43 from the liquid supply unit 16a via a liquid supply flow path 41 and a pipe (not shown). The spraying unit 34b discharges the cleaning liquid supplied from the liquid supply unit 16a from each nozzle 43 upward. It should be noted that before the cleaning liquid is discharged from the nozzle 43, the heater 32 is lowered by the heater moving mechanism 33 and stopped at the cleaning position where the separation distance (gap) from the spray portion 34b becomes a predetermined value. Therefore, the cleaning efficiency can be improved as compared with the case where the gap is larger than the predetermined value.

なお、ヒータ洗浄後、退避室３１内の処理雰囲気の排気を行うため、退避室３１には、隣接する処理室２１の排気系とは別の排気系（いずれも図示せず）が接続されている。この排気系によって、ヒータ洗浄後、ヒータ洗浄により生じた退避室３１内の処理雰囲気を排気することができる。 Since the processing atmosphere in the evacuation chamber 31 is exhausted after cleaning the heater, an evacuation system (not shown) different from the exhaust system of the adjacent processing chamber 21 is connected to the evacuation chamber 31. There is. By this exhaust system, after the heater is cleaned, the processing atmosphere in the evacuation chamber 31 generated by the heater cleaning can be exhausted.

図２に戻り、洗浄制御部３５は、ヒータ３２やヒータ移動機構３３、洗浄部３４などに電気的に接続されている。この洗浄制御部３５は、制御ユニット１６ｂの命令に応じ（制御ユニット１６ｂの制御の下に）、ヒータ３２の駆動やヒータ温度、ヒータ移動機構３３によるヒータ移動、洗浄部３４によるヒータ洗浄などを制御する。 Returning to FIG. 2, the cleaning control unit 35 is electrically connected to the heater 32, the heater moving mechanism 33, the cleaning unit 34, and the like. The cleaning control unit 35 controls the driving of the heater 32, the heater temperature, the movement of the heater by the heater moving mechanism 33, the cleaning of the heater by the cleaning unit 34, etc. in response to a command from the control unit 16b (under the control of the control unit 16b). To do.

（基板処理動作）
次に、前述の基板処理装置１０の基板処理動作について説明する。説明の関係上、スピン処理ユニット１５ａの処理室２１を第１の処理室２１とし、スピン処理ユニット１５ｂの処理室２１を第２の処理室２１として説明する。 (Substrate processing operation)
Next, the substrate processing operation of the above-described substrate processing apparatus 10 will be described. For the sake of explanation, the processing chamber 21 of the spin processing unit 15a will be described as a first processing chamber 21, and the processing chamber 21 of the spin processing unit 15b will be described as a second processing chamber 21.

まず、基板Ｗが開閉ユニット１１内の専用ケースから第１の搬送ロボット１２により取り出される。このとき、専用ケースのドアは開けられている。第１の搬送ロボット１２は、必要に応じて第１のロボット移動路に沿って移動し、停止場所で旋回して基板Ｗをバッファユニット１３に搬入する。あるいは、第１の搬送ロボット１２は、移動せずに旋回して基板Ｗをバッファユニット１３に搬入する。その後、バッファユニット１３内の基板Ｗは、第２の搬送ロボット１４により取り出される。第２の搬送ロボット１４は、必要に応じて所望のスピン処理ユニット１５ａの第１の処理室２１付近まで、第２のロボット移動路に沿って移動し、停止場所で旋回して基板Ｗを所望の第１の処理室２１に搬入する。あるいは、第２の搬送ロボット１４は、移動せずに旋回して基板Ｗを所望の第１の処理室２１に搬入する。このとき、第１の処理室２１の基板シャッタ２１ａは開けられている。 First, the substrate W is taken out from the special case inside the opening/closing unit 11 by the first transfer robot 12. At this time, the door of the special case is open. The first transfer robot 12 moves along the first robot moving path as required, and turns at the stop location to load the substrate W into the buffer unit 13. Alternatively, the first transfer robot 12 swivels without moving and carries the substrate W into the buffer unit 13. After that, the substrate W in the buffer unit 13 is taken out by the second transfer robot 14. The second transfer robot 14 moves along the second robot moving path to the vicinity of the first processing chamber 21 of the desired spin processing unit 15a as necessary, and swirls at the stopping place to obtain the substrate W. Are loaded into the first processing chamber 21. Alternatively, the second transfer robot 14 swirls without moving and carries the substrate W into the desired first processing chamber 21. At this time, the substrate shutter 21a of the first processing chamber 21 is opened.

第１の処理室２１に搬入された基板Ｗは、スピン保持機構２２により保持される。その後、第２の搬送ロボット１４は第１の処理室２１から退避し、基板シャッタ２１ａが閉じられ、退避室３１における第１の処理室２１側のヒータシャッタ３１ａが開けられる。退避室３１内のヒータ３２がヒータ移動機構３３により揺動方向Ｆ１に移動し、第１の処理室２１内にヒータアーム３３ａと共に侵入してスピン保持機構２２上の基板Ｗの被処理面に対向して停止する。そして、ヒータ３２は、ヒータ移動機構３３により下降し、スピン保持機構２２上の基板Ｗの被処理面に対する離間距離が所定値（例えば１ｍｍ程度）となる位置で停止する。この状態で、基板Ｗがスピン保持機構２２により低速（例えば、５００ｒｐｍ以下）で回転し、ヒータ３２のノズル３２ａから高温の薬液（例えばリン酸液）が、予め設定した時間、基板Ｗの被処理面に吐出され、エッチング処理が行われる。なお、ヒータ３２は処理前に予め駆動しており、つまり、エッチング処理が行われる前段階である退避室３１に位置付けられている時から加熱状態とされ、ヒータ温度は所定温度（例えば１００度以上）に維持されている。 The substrate W loaded into the first processing chamber 21 is held by the spin holding mechanism 22. After that, the second transfer robot 14 retracts from the first processing chamber 21, the substrate shutter 21a is closed, and the heater shutter 31a on the first processing chamber 21 side in the retracting chamber 31 is opened. The heater 32 in the evacuation chamber 31 is moved in the swinging direction F1 by the heater moving mechanism 33, enters the first processing chamber 21 together with the heater arm 33a, and opposes the processed surface of the substrate W on the spin holding mechanism 22. And stop. Then, the heater 32 is lowered by the heater moving mechanism 33 and stopped at a position where the separation distance of the substrate W on the spin holding mechanism 22 from the surface to be processed becomes a predetermined value (for example, about 1 mm). In this state, the substrate W is rotated at a low speed (for example, 500 rpm or less) by the spin holding mechanism 22, and the high-temperature chemical liquid (for example, phosphoric acid liquid) from the nozzle 32a of the heater 32 is processed on the substrate W for a preset time. It is discharged onto the surface and an etching process is performed. It should be noted that the heater 32 is driven in advance before the processing, that is, it is in a heating state from the time it is positioned in the evacuation chamber 31 which is a stage before the etching processing is performed, and the heater temperature is a predetermined temperature (for example, 100 degrees or more) ) Is maintained.

ノズル３２ａから吐出された高温の薬液は、ヒータ３２の下面と基板Ｗの被処理面との間に供給され、基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの外周に向かって広がっていく。これにより、ヒータ３２の下面と基板Ｗの被処理面との間が薬液により満たされた状態となる。このとき、ヒータ３２は、回転中の基板Ｗの被処理面上の薬液に接触して直接薬液を加熱する。なお、ヒータ３２は、基板Ｗの被処理面上の薬液に接触して直接薬液を加熱するが、それだけではなく、基板Ｗの被処理面を非接触で加熱して間接的にも薬液を加熱することになる。ただし、基板Ｗの被処理面上の薬液を加熱することが可能であれば、直接加熱及び間接加熱の両方ではなく、それらのどちらか一方だけを用いることも可能である。 The high temperature chemical liquid discharged from the nozzle 32a is supplied between the lower surface of the heater 32 and the surface to be processed of the substrate W, and spreads toward the outer periphery of the substrate W by the centrifugal force generated by the rotation of the substrate W. As a result, the space between the lower surface of the heater 32 and the surface to be processed of the substrate W is filled with the chemical liquid. At this time, the heater 32 comes into contact with the chemical liquid on the surface to be processed of the rotating substrate W to directly heat the chemical liquid. The heater 32 directly contacts the chemical liquid on the surface to be processed of the substrate W to directly heat the chemical liquid. However, the heater 32 also heats the surface to be processed of the substrate W in a non-contact manner to indirectly heat the chemical liquid. Will be done. However, if it is possible to heat the chemical liquid on the surface to be processed of the substrate W, it is possible to use only one of them instead of both direct heating and indirect heating.

エッチング処理が終了すると、ヒータ３２はヒータ移動機構３３により上昇し、基板Ｗの被処理面から上方に退避する。そして、ヒータ３２はヒータ移動機構３３により揺動方向Ｆ１に移動し、ヒータアーム３３ａと共に退避室３１内に戻って洗浄部３４に対向して停止する。ヒータ３２が洗浄部３４の上方で停止すると、第１の処理室２１側のヒータシャッタ３１ａが閉じられる。また、ヒータ３２はヒータ移動機構３３により下降し、液受け部３４ａ内の散布部３４ｂに対する離間距離が所定値となる位置で停止する。この状態で、散布部３４ｂから洗浄液が上方に向けて予め設定した時間、噴射され、ヒータ３２の下面が洗浄液により洗浄される。ヒータ３２の下面から落下した洗浄液や噴射により拡散した洗浄液は液受け部３４ａにより受けられ、排液口４２から排出されて回収部により回収される。ヒータ３２の洗浄が終了すると、ヒータ３２はヒータ移動機構３３によって上昇し、待機位置に位置付けられる。ヒータ３２のヒータ温度は前述の所定温度に維持されている。このため、洗浄後のヒータ３２は直ぐに乾燥するので、次の処理にヒータ３２を迅速に用いることができる。 When the etching process is completed, the heater 32 is raised by the heater moving mechanism 33 and retracts upward from the surface to be processed of the substrate W. Then, the heater 32 is moved in the swinging direction F1 by the heater moving mechanism 33, returns to the inside of the retreat chamber 31 together with the heater arm 33a, and stops facing the cleaning unit 34. When the heater 32 stops above the cleaning unit 34, the heater shutter 31a on the first processing chamber 21 side is closed. Further, the heater 32 is lowered by the heater moving mechanism 33, and is stopped at a position where the distance between the spray receiving portion 34a and the spraying portion 34b becomes a predetermined value. In this state, the cleaning liquid is sprayed upward from the spraying portion 34b for a preset time, and the lower surface of the heater 32 is cleaned with the cleaning liquid. The cleaning liquid dropped from the lower surface of the heater 32 or the cleaning liquid diffused by the jet is received by the liquid receiving portion 34a, discharged from the liquid outlet 42, and collected by the collecting portion. When the cleaning of the heater 32 is completed, the heater 32 is raised by the heater moving mechanism 33 and is positioned at the standby position. The heater temperature of the heater 32 is maintained at the above-mentioned predetermined temperature. Therefore, the heater 32 after cleaning is immediately dried, so that the heater 32 can be promptly used for the next process.

なお、１枚の基板Ｗに対するエッチング処理が終了するごとに、必ずヒータ３２の下面を洗浄する必要はない。例えば、予め設定した枚数の基板Ｗに対するエッチング処理が終了するまでは、ヒータ３２の洗浄を行わずに、連続してエッチング処理を行い、予め設定した枚数の基板Ｗに対するエッチング処理が終了した段階でヒータ３２の洗浄を行うようにしても良い。 It is not always necessary to clean the lower surface of the heater 32 each time the etching process for one substrate W is completed. For example, until the etching process for the preset number of substrates W is completed, the etching process is continuously performed without cleaning the heater 32, and the etching process for the preset number of substrates W is completed. The heater 32 may be cleaned.

一方、第２の搬送ロボット１４は、退避室３１でのヒータ３２の洗浄が終了するまでに、スピン処理ユニット１５ｂの第２の処理室２１に未処理の基板Ｗを搬送する。この搬送時には、第２の処理室２１の基板シャッタ２１ａは開かれており、基板Ｗはスピン保持機構２２により保持される。第２の搬送ロボット１４は、搬送完了後、第２の処理室２１から退避し、基板シャッタ２１ａは閉じられる。前述のヒータ３２の洗浄が完了すると、退避室３１における第２の処理室２１側のヒータシャッタ３１ａが開けられる。退避室３１内のヒータ３２がヒータ移動機構３３により揺動方向Ｆ１に移動し、第２の処理室２１内にヒータアーム３３ａと共に侵入してスピン保持機構２２上の基板Ｗの被処理面に対向して停止する。そして、ヒータ３２は、ヒータ移動機構３３により下降し、スピン保持機構２２上の基板Ｗの被処理面に対する離間距離が所定値となる位置で停止する。この状態で、基板Ｗがスピン保持機構２２により低速（例えば、５００ｒｐｍ以下）で回転し、ヒータ３２のノズル３２ａから高温の薬液（例えばリン酸液）が予め設定した時間、基板Ｗの被処理面に吐出され、エッチング処理が行われる。なお、ヒータ３２のヒータ温度は前述の所定温度に維持されている。 On the other hand, the second transfer robot 14 transfers the unprocessed substrate W to the second processing chamber 21 of the spin processing unit 15b until the cleaning of the heater 32 in the evacuation chamber 31 is completed. At the time of this transfer, the substrate shutter 21a of the second processing chamber 21 is opened, and the substrate W is held by the spin holding mechanism 22. After the transfer is completed, the second transfer robot 14 retracts from the second processing chamber 21 and the substrate shutter 21a is closed. When the cleaning of the heater 32 is completed, the heater shutter 31a on the second processing chamber 21 side in the evacuation chamber 31 is opened. The heater 32 in the evacuation chamber 31 is moved in the swinging direction F1 by the heater moving mechanism 33, enters the second processing chamber 21 together with the heater arm 33a, and faces the surface to be processed of the substrate W on the spin holding mechanism 22. And stop. Then, the heater 32 is lowered by the heater moving mechanism 33 and stopped at a position where the separation distance of the substrate W on the spin holding mechanism 22 from the surface to be processed becomes a predetermined value. In this state, the substrate W is rotated at a low speed (for example, 500 rpm or less) by the spin holding mechanism 22, and the high temperature chemical liquid (for example, phosphoric acid liquid) is preset from the nozzle 32a of the heater 32 for a preset time. Is discharged to the substrate and etching processing is performed. The heater temperature of the heater 32 is maintained at the above-mentioned predetermined temperature.

第１の処理室２１において、前述のエッチング処理の終了後、前述のヒータ３２の退避にあわせて、基板Ｗの上方の液供給位置に第１のノズルヘッド２４が第１のノズルヘッド移動機構２５により移動し、第１のノズルヘッド２４からリンス薬液（例えばＡＰＭ）が予め設定した時間、吐出される（第１のリンス処理）。このとき、基板Ｗの回転は維持されている。なお、この第１のリンス処理中、第１のノズルヘッド２４が第１のノズルヘッド移動機構２５により揺動するようにしてもよい。 In the first processing chamber 21, after the above-described etching processing is completed, the first nozzle head 24 is moved to the liquid supply position above the substrate W in accordance with the retreat of the heater 32 and the first nozzle head moving mechanism 25. And the rinse chemical liquid (for example, APM) is discharged from the first nozzle head 24 for a preset time (first rinse process). At this time, the rotation of the substrate W is maintained. The first nozzle head 24 may be swung by the first nozzle head moving mechanism 25 during the first rinse process.

第１の処理室２１において、第１のリンス処理が終了すると、第１のノズルヘッド２４が第１のノズルヘッド移動機構２５により基板Ｗの上方から退避し、第２のノズルヘッド２６が第２のノズルヘッド移動機構２７により基板Ｗの上方の液供給位置に移動する。この状態で、第２のノズルヘッド２６からリンス液（例えば純水）が予め設定した時間、吐出される（第２のリンス処理）。このとき、基板Ｗの回転は維持されている。なお、この第２のリンス処理中、第２のノズルヘッド２６が第２のノズルヘッド移動機構２７により揺動するようにしてもよい。 In the first processing chamber 21, when the first rinsing processing is completed, the first nozzle head 24 is retracted from above the substrate W by the first nozzle head moving mechanism 25, and the second nozzle head 26 is moved to the second nozzle head 26. The nozzle head moving mechanism 27 moves the substrate W to the liquid supply position above the substrate W. In this state, the rinse liquid (for example, pure water) is discharged from the second nozzle head 26 for a preset time (second rinse treatment). At this time, the rotation of the substrate W is maintained. The second nozzle head 26 may be swung by the second nozzle head moving mechanism 27 during the second rinse process.

第１の処理室２１において、第２のリンス処理が終了すると、第２のノズルヘッド２６が第２のノズルヘッド移動機構２７により基板Ｗの上方から退避する。その後、基板Ｗはスピン保持機構２２により予め設定した時間、高速回転し、基板Ｗからリンス液が回転の遠心力により飛ばされ、基板Ｗが乾燥する。基板Ｗの乾燥処理が終わると、基板Ｗの回転は停止する。第１の処理室２１の基板シャッタ２１ａが開けられ、処理済の基板Ｗは第２の搬送ロボット１４により取り出される。第２の搬送ロボット１４は、必要に応じて第２のロボット移動路に沿って移動し、停止場所で旋回して処理済みの基板Ｗをバッファユニット１３に搬入する。あるいは、第２の搬送ロボット１４は、移動せずに旋回して処理済みの基板Ｗをバッファユニット１３に搬入する。その後、バッファユニット１３内の基板Ｗは、第１の搬送ロボット１２により取り出される。第１の搬送ロボット１２は、必要に応じて第１のロボット移動路に沿って移動し、停止場所で旋回して処理済みの基板Ｗを所望の専用ケースに搬入する。あるいは、第１の搬送ロボット１２は、移動せずに旋回だけして処理済みの基板Ｗを所望の専用ケースに搬入する。このとき、専用ケースのドアは開けられている。 When the second rinse process is completed in the first process chamber 21, the second nozzle head 26 is retracted from above the substrate W by the second nozzle head moving mechanism 27. After that, the substrate W is rotated at a high speed for a preset time by the spin holding mechanism 22, the rinse liquid is blown from the substrate W by the centrifugal force of the rotation, and the substrate W is dried. When the drying process of the substrate W is completed, the rotation of the substrate W is stopped. The substrate shutter 21a of the first processing chamber 21 is opened, and the processed substrate W is taken out by the second transfer robot 14. The second transfer robot 14 moves along the second robot moving path as necessary, turns at the stop location, and loads the processed substrate W into the buffer unit 13. Alternatively, the second transfer robot 14 swirls without moving and carries the processed substrate W into the buffer unit 13. After that, the substrate W in the buffer unit 13 is taken out by the first transfer robot 12. The first transfer robot 12 moves along the first robot moving path as required, and turns at a stop location to carry the processed substrate W into a desired dedicated case. Alternatively, the first transfer robot 12 simply swivels without moving and carries the processed substrate W into a desired exclusive case. At this time, the door of the special case is open.

なお、第２の処理室２１においても、エッチング処理（例えばリン酸処理）が終了すると、第１の処理室２１と同様に第１のリンス処理（例えばＡＰＭ処理）が行われる。この第１のリンス処理が終了すると、第１の処理室２１と同様に第２のリンス処理（例えば純水処理）が行われる。第２のリンス処理が終了すると、第１の処理室２１と同様に乾燥処理及び基板搬送処理が行われる。なお、上記した実施形態においては、必要に応じて、リン酸液による基板Ｗのエッチングの前に、フッ酸液を用いて基板Ｗを洗浄したり、リン酸液を用いた処理と、ＡＰＭを用いた処理との間に、例えば純水を用いた洗浄処理を行ったりするようにしても良い。 Note that, also in the second processing chamber 21, when the etching processing (for example, phosphoric acid processing) is completed, the first rinsing processing (for example, APM processing) is performed similarly to the first processing chamber 21. When the first rinsing process is completed, the second rinsing process (for example, pure water process) is performed similarly to the first processing chamber 21. When the second rinse process is completed, the drying process and the substrate transfer process are performed as in the first process chamber 21. In the above-described embodiment, the substrate W may be washed with a hydrofluoric acid solution or treated with a phosphoric acid solution and APM before the etching of the substrate W with the phosphoric acid solution, if necessary. A cleaning process using pure water, for example, may be performed between the used processes.

このような基板処理動作では、ヒータ３２は第１の処理室２１及び第２の処理室２１に交互に移動するため、ヒータ３２を用いるエッチング処理（薬液処理）は第１の処理室２１及び第２の処理室２１で交互に行われることになる。例えば、第１の処理室２１において、ヒータ３２を用いるエッチング処理が行われるとき、第２の処理室２１では、第１のノズルヘッド２４による第１のリンス処理、第２のノズルヘッド２６による第２のリンス処理、基板Ｗのスピン乾燥処理などが行われる。逆に、第１の処理室２１において、第１のノズルヘッド２４による第１のリンス処理、第２のノズルヘッド２６による第２のリンス処理、基板Ｗのスピン乾燥処理などが行われるとき、第２の処理室２１では、ヒータ３２を用いるエッチング処理が行われる。 In such a substrate processing operation, since the heater 32 moves alternately to the first processing chamber 21 and the second processing chamber 21, the etching processing (chemical solution processing) using the heater 32 is performed in the first processing chamber 21 and the second processing chamber 21. The two processing chambers 21 are alternately performed. For example, when the etching process using the heater 32 is performed in the first processing chamber 21, the first rinsing process by the first nozzle head 24 and the first rinsing process by the second nozzle head 26 are performed in the second processing chamber 21. 2 rinse treatment, spin drying treatment of the substrate W, etc. are performed. On the contrary, when the first rinse treatment by the first nozzle head 24, the second rinse treatment by the second nozzle head 26, the spin dry treatment of the substrate W, etc. are performed in the first treatment chamber 21, In the second processing chamber 21, an etching process using the heater 32 is performed.

このように、どちらの処理室２１でも、基板Ｗを移動させずに薬液処理から乾燥処理までの処理を連続して行うことが可能である。これにより、異なる処理液を用いる複数の処理を二つの処理室で順次行う場合に比べ、二つの処理室間での基板搬送を不要とし、基板搬送時間を省略することができる。また、二つの処理室で異なる処理を連続して行う場合には、液染み（例えばウォーターマーク）の防止のため、基板Ｗは濡れた状態で搬送される必要があり、高速搬送を行うことが不可能である。このため、搬送ロボットによる基板Ｗの移載回数が多いだけでなく、低速搬送を行うため、基板搬送時間は長くなる。前述の基板処理動作では、その基板搬送時間を省略することが可能となるので、基板処理効率を大幅に向上させることができる。また、ヒータ３２は一対の処理室２１に共通の処理ユニットとして機能する。これにより、処理室２１ごとにヒータ３２及びヒータ移動機構３３を設ける場合に比べ、装置構成の簡略化及び低コスト化を実現することができる。 In this way, in either processing chamber 21, it is possible to continuously perform the processing from the chemical solution processing to the drying processing without moving the substrate W. As a result, compared to a case where a plurality of processes using different process liquids are sequentially performed in two processing chambers, the substrate transfer between the two processing chambers is unnecessary and the substrate transfer time can be omitted. Further, when different treatments are successively performed in the two treatment chambers, the substrate W needs to be transported in a wet state in order to prevent liquid stain (for example, watermark), and high-speed transportation can be performed. It is impossible. For this reason, not only the number of times the substrate W is transferred by the transfer robot is large, but also low-speed transfer is performed, so that the substrate transfer time becomes long. In the above-described substrate processing operation, the substrate transfer time can be omitted, so that the substrate processing efficiency can be significantly improved. Further, the heater 32 functions as a processing unit common to the pair of processing chambers 21. Thereby, as compared with the case where the heater 32 and the heater moving mechanism 33 are provided for each processing chamber 21, it is possible to realize simplification of the apparatus configuration and cost reduction.

（基板処理工程）
次に、前述の基板処理装置１０が行う基板処理工程について説明する。なお、前述の基板処理装置１０の基板処理工程を説明する前に、比較例としての基板処理装置１００について図４を参照して説明し、その後、比較例の基板処理装置１００と前述の基板処理装置１０との基板処理工程について図５を参照して説明する。 (Substrate processing process)
Next, the substrate processing process performed by the above-described substrate processing apparatus 10 will be described. Before describing the substrate processing process of the substrate processing apparatus 10 described above, a substrate processing apparatus 100 as a comparative example will be described with reference to FIG. 4, and thereafter, the substrate processing apparatus 100 of the comparative example and the substrate processing described above. The substrate processing process with the apparatus 10 will be described with reference to FIG.

（比較例の基本構成）
図４に示すように、比較例の基板処理装置１００は、前述の基板処理装置１０に係る複数の基板処理ユニット１５に替えて、複数のリン酸処理室１０１と、複数のＡＰＭ処理室１０２とを備えている。なお、ここでは、前述の基板処理装置１０との相違点（各リン酸処理室１０１及び各ＡＰＭ処理室１０２）について説明し、その他の説明は省略する。 (Basic configuration of comparative example)
As shown in FIG. 4, the substrate processing apparatus 100 of the comparative example includes a plurality of phosphoric acid processing chambers 101 and a plurality of APM processing chambers 102 instead of the plurality of substrate processing units 15 of the substrate processing apparatus 10 described above. Equipped with. Note that, here, differences from the substrate processing apparatus 10 described above (each phosphoric acid processing chamber 101 and each APM processing chamber 102) will be described, and other description will be omitted.

各リン酸処理室１０１は、リン酸を用いる処理室であり、第２のロボット移動路に沿って一列に並べられている。これらのリン酸処理室１０１は、基板シャッタ１０１ａと、スピン保持機構１０１ｂと、カップ１０１ｃと、ヒータ１０１ｄと、ヒータアーム１０１ｅと、アーム昇降機構１０１ｆとを有する。なお、ヒータ１０１ｄは、基板の搬入や搬出時、ヒータアーム１０１ｅと共にアーム昇降機構１０１ｆにより、例えば、スピン保持機構１０１ｂの上方の退避位置に移動して退避する。 The phosphoric acid processing chambers 101 are processing chambers that use phosphoric acid and are arranged in a line along the second robot moving path. These phosphoric acid processing chambers 101 have a substrate shutter 101a, a spin holding mechanism 101b, a cup 101c, a heater 101d, a heater arm 101e, and an arm lifting mechanism 101f. When the substrate is loaded or unloaded, the heater 101d is moved by the arm elevating mechanism 101f together with the heater arm 101e to, for example, a retracted position above the spin holding mechanism 101b and retracted.

なお、基本的に、基板シャッタ１０１ａは前述の基板シャッタ２１ａと同様であり、スピン保持機構１０１ｂも前述のスピン保持機構２２と同様であり、カップ１０１ｃも前述のカップ２３と同様である。また、ヒータ１０１ｄも前述のヒータ３２と同様であり、ヒータアーム１０１ｅも前述のヒータアーム３３ａと同様である。 Basically, the substrate shutter 101a is similar to the substrate shutter 21a described above, the spin holding mechanism 101b is similar to the spin holding mechanism 22 described above, and the cup 101c is similar to the cup 23 described above. The heater 101d is also similar to the above-mentioned heater 32, and the heater arm 101e is also similar to the above-mentioned heater arm 33a.

各ＡＰＭ処理室１０２は、ＡＰＭを用いる処理室であり、一列に並ぶ各リン酸処理室１０１に対して第２のロボット移動路を間にして対向するように位置付けられ、第２のロボット移動路に沿って一列に設けられている。これらのＡＰＭ処理室１０２は、基板シャッタ１０２ａと、スピン保持機構１０２ｂと、カップ１０２ｃと、第１のノズルヘッド１０２ｄと、第１のノズルヘッド移動機構１０２ｅと、第２のノズルヘッド１０２ｆと、第２のノズルヘッド移動機構１０２ｇとを有する。 Each APM processing chamber 102 is a processing chamber that uses APM, and is positioned so as to face each phosphoric acid processing chamber 101 arranged in a line with a second robot moving path in between. Are provided in a line along the line. The APM processing chamber 102 includes a substrate shutter 102a, a spin holding mechanism 102b, a cup 102c, a first nozzle head 102d, a first nozzle head moving mechanism 102e, a second nozzle head 102f, and a second nozzle head 102f. And two nozzle head moving mechanisms 102g.

なお、基本的に、基板シャッタ１０２ａは前述の基板シャッタ２１ａと同様であり、スピン保持機構１０２ｂも前述のスピン保持機構２２と同様であり、カップ１０２ｃも前述のカップ２３と同様である。また、第１のノズルヘッド１０２ｄも前述の第１のノズルヘッド２４と同様であり、第１のノズルヘッド移動機構１０２ｅも前述の第１のノズルヘッド移動機構２５と同様であり、第２のノズルヘッド１０２ｆも前述の第２のノズルヘッド２６と同様であり、第２のノズルヘッド移動機構１０２ｇも前述の第２のノズルヘッド移動機構２７と同様である。 Basically, the substrate shutter 102a is similar to the substrate shutter 21a described above, the spin holding mechanism 102b is similar to the spin holding mechanism 22 described above, and the cup 102c is similar to the cup 23 described above. The first nozzle head 102d is also similar to the above-mentioned first nozzle head 24, the first nozzle head moving mechanism 102e is also similar to the above-mentioned first nozzle head moving mechanism 25, and the second nozzle The head 102f is similar to the above-mentioned second nozzle head 26, and the second nozzle head moving mechanism 102g is also similar to the above-mentioned second nozzle head moving mechanism 27.

ここで、ヒータ１０１ｄを有するリン酸処理室１０１と、ＡＰＭ処理室１０２とは、処理液の種類によって分けられており、異なる処理を連続して行う二つの処理室である。基板搬送効率を向上させるためには、リン酸処理室１０１からＡＰＭ処理室１０２への基板搬送を、第２の搬送ロボット１４を水平方向には移動させずに第２の搬送ロボット１４の旋回動作だけで行うことが有効である。このため、第２のロボット移動路を介して向かい合うリン酸処理室１０１及びＡＰＭ処理室１０２間で基板搬送が行われる。バッファユニット１３内の未処理の基板Ｗは、第２の搬送ロボット１４によって、バッファユニット１３→リン酸処理室１０１→ＡＰＭ処理室１０２→バッファユニット１３という順番で搬送される。このとき、リン酸処理室１０１及びＡＰＭ処理室１０２間の基板搬送は必須となるため、基板搬送によって処理が中断し、基板処理効率が低下する。 Here, the phosphoric acid processing chamber 101 having the heater 101d and the APM processing chamber 102 are divided according to the type of the processing liquid, and are two processing chambers that continuously perform different processing. In order to improve the substrate transfer efficiency, the substrate transfer from the phosphoric acid processing chamber 101 to the APM processing chamber 102 does not move the second transfer robot 14 in the horizontal direction, but the second transfer robot 14 swings. It is effective to do it alone. Therefore, the substrate is transferred between the phosphoric acid processing chamber 101 and the APM processing chamber 102 that face each other via the second robot moving path. The unprocessed substrate W in the buffer unit 13 is transferred by the second transfer robot 14 in the order of buffer unit 13→phosphoric acid processing chamber 101→APM processing chamber 102→buffer unit 13. At this time, since the substrate transfer between the phosphoric acid processing chamber 101 and the APM processing chamber 102 is essential, the processing is interrupted by the substrate transfer, and the substrate processing efficiency is reduced.

（基板処理工程の比較）
図５では、経過時間が横軸とされ、図５中の上図には、比較例の基板処理装置１００の基板処理工程（処理順序及び処理時間）が示されており、図５中の下図には、前述の基板処理装置１０の基板処理工程（処理順序及び処理時間）が示されている。なお、図５中の上図及び下図を比較することで、比較例の基板処理装置１００と前述の基板処理装置１０の両者の処理能力を比較することが可能である。説明の便宜上、前述の基板処理装置１０の処理室２１をリン酸＋ＡＰＭ処理室２１とする。 (Comparison of substrate processing process)
In FIG. 5, the elapsed time is plotted on the horizontal axis, and the upper diagram in FIG. 5 shows the substrate processing steps (treatment order and treatment time) of the substrate processing apparatus 100 of the comparative example. In the figure, the substrate processing steps (processing order and processing time) of the substrate processing apparatus 10 described above are shown. By comparing the upper diagram and the lower diagram in FIG. 5, it is possible to compare the processing capacities of the substrate processing apparatus 100 of the comparative example and the substrate processing apparatus 10 described above. For convenience of explanation, the processing chamber 21 of the substrate processing apparatus 10 is referred to as a phosphoric acid+APM processing chamber 21.

図５に示すように、比較例において、リン酸処理室１０１では、前処理工程Ａ１、リン酸液供給工程Ａ２、基板及びヒータ洗浄工程Ａ３、基板交換工程Ａ４の一連の処理工程が繰り返し行われる。また、ＡＰＭ処理室１０２では、基板交換後、リンス液供給工程Ｂ１、ＡＰＭ供給工程Ｂ２、リンス液供給工程Ｂ３、スピン乾燥工程Ｂ４、基板交換工程Ｂ５の一連の処理工程が繰り返し行われる。ここで、前処理工程Ａ１、リン酸液供給工程Ａ２、基板及びヒータ洗浄工程Ａ３の処理工程がリン酸処理である。また、リンス液供給工程Ｂ１、ＡＰＭ供給工程Ｂ２、リンス液供給工程Ｂ３、スピン乾燥工程Ｂ４の処理工程がＡＰＭ処理である。このように比較例では、リン酸処理室１０１からＡＰＭ処理室１０２に基板Ｗ（例えば半導体ウェーハ）が搬送され、リン酸処理とＡＰＭ処理の二つの処理が異なる処理室で連続して行われる。 As shown in FIG. 5, in the comparative example, in the phosphoric acid treatment chamber 101, a series of treatment steps including a pretreatment step A1, a phosphoric acid solution supply step A2, a substrate and heater cleaning step A3, and a substrate exchange step A4 are repeatedly performed. .. Further, in the APM processing chamber 102, after the substrate is exchanged, a series of processing steps including a rinse liquid supply step B1, an APM supply step B2, a rinse liquid supply step B3, a spin drying step B4, and a substrate exchange step B5 are repeatedly performed. Here, the pretreatment process A1, the phosphoric acid solution supply process A2, and the substrate and heater cleaning process A3 are phosphoric acid treatments. The processing steps of the rinse liquid supply step B1, the APM supply step B2, the rinse liquid supply step B3, and the spin drying step B4 are APM processing. As described above, in the comparative example, the substrate W (for example, a semiconductor wafer) is transferred from the phosphoric acid treatment chamber 101 to the APM treatment chamber 102, and two treatments of phosphoric acid treatment and APM treatment are continuously performed in different treatment chambers.

リン酸処理室１０１では、処理前にヒータ１０１ｄが予め駆動しており、つまり、エッチング処理が行われる前段階の時から加熱状態とされ、ヒータ温度は所定温度になっている。まず、前処理工程Ａ１において、基板Ｗの被処理面上にフッ酸液がヒータ１０１ｄのノズル又は図示しない処理液ノズルから供給され、基板Ｗがフッ酸液により洗浄される。また、リン酸液供給工程Ａ２においては、基板Ｗの被処理面上に高温のリン酸液がヒータ１０１ｄのノズルから供給され、基板Ｗが高温のリン酸液によって処理される。基板及びヒータ洗浄工程Ａ３においては、リン酸処理終了後、処理に使用したヒータ１０１ｄが基板Ｗと一緒に洗浄され、次の基板Ｗの搬入を待つことになる。この洗浄では、リン酸液に替えてリンス液（例えば純水）がヒータ１０１ｄのノズルからヒータ１０１ｄと基板Ｗとの間に供給され、ヒータ１０１ｄ及び基板Ｗが洗浄される。基板交換工程Ａ４においては、リン酸液を用いた処理の終了した基板Ｗがリン酸未処理の基板Ｗと交換され、処理済みの基板Ｗは、次工程のＡＰＭ処理室１０２に搬送される。この搬送時、基板Ｗは濡れた状態で搬送される。すなわち、基板Ｗは、搬送準備として、搬送中も被処理面が濡れた状態が維持されるようにリンス液が液盛りされた状態にされる。 In the phosphoric acid treatment chamber 101, the heater 101d has been driven in advance before the treatment, that is, the heater has been in a heating state from the time before the etching treatment is performed, and the heater temperature is a predetermined temperature. First, in the pretreatment step A1, the hydrofluoric acid solution is supplied onto the surface to be processed of the substrate W from the nozzle of the heater 101d or a processing solution nozzle (not shown), and the substrate W is washed with the hydrofluoric acid solution. Further, in the phosphoric acid solution supply step A2, the high temperature phosphoric acid solution is supplied from the nozzle of the heater 101d onto the surface of the substrate W to be processed, and the substrate W is processed with the high temperature phosphoric acid solution. In the substrate/heater cleaning step A3, after the phosphoric acid treatment is completed, the heater 101d used for the treatment is cleaned together with the substrate W, and the next substrate W is waited for loading. In this cleaning, a rinse liquid (for example, pure water) is supplied in place of the phosphoric acid liquid from the nozzle of the heater 101d between the heater 101d and the substrate W, and the heater 101d and the substrate W are cleaned. In the substrate exchanging step A4, the substrate W that has been treated with the phosphoric acid solution is exchanged with the substrate W that has not been treated with phosphoric acid, and the treated substrate W is transferred to the APM processing chamber 102 of the next step. During this transfer, the substrate W is transferred in a wet state. That is, the substrate W is put into a state in which the rinse liquid is filled in such a manner that the surface to be processed is kept wet during the preparation for the transfer.

ＡＰＭ処理室１０２では、リンス液供給工程Ｂ１において、ＡＰＭ供給工程Ｂ２の前に基板Ｗの被処理面上にリンス液（例えば純水）が第２のノズルヘッド１０２ｆから供給される。これは、リン酸処理室１０１からＡＰＭ処理室１０２へ基板Ｗを搬送する途中で、基板Ｗ上のリンス液に付着したパーティクルや基板Ｗに付着したパーティクルをＡＰＭ処理の前に除去するためである。ＡＰＭ供給工程Ｂ２においては、基板Ｗの被処理面上にＡＰＭが第１のノズルヘッド１０２ｄから供給され、基板ＷがＡＰＭによって処理される。リンス液供給工程Ｂ３においては、ＡＰＭ処理済の基板Ｗの被処理面上にリンス液（例えば純水）が第２のノズルヘッド１０２ｆから供給され、ＡＰＭ処理済の基板Ｗがリンス液により洗浄される。スピン乾燥工程Ｂ４においては、洗浄済の基板Ｗがスピン乾燥により乾燥される。基板交換工程Ｂ５においては、乾燥済の基板ＷがＡＰＭ未処理の基板Ｗと交換され、バッファユニット１３に搬送される。 In the rinse solution supply step B1 in the APM processing chamber 102, the rinse solution (for example, pure water) is supplied from the second nozzle head 102f onto the surface to be processed of the substrate W before the APM supply step B2. This is to remove particles adhering to the rinse liquid on the substrate W or particles adhering to the substrate W before the APM processing while the substrate W is being transferred from the phosphoric acid processing chamber 101 to the APM processing chamber 102. .. In the APM supply step B2, APM is supplied onto the surface of the substrate W to be processed from the first nozzle head 102d, and the substrate W is processed by the APM. In the rinse liquid supply step B3, the rinse liquid (for example, pure water) is supplied from the second nozzle head 102f onto the surface to be processed of the APM-processed substrate W, and the APM-processed substrate W is washed with the rinse liquid. It In the spin drying step B4, the cleaned substrate W is dried by spin drying. In the substrate exchanging step B5, the dried substrate W is exchanged for the APM unprocessed substrate W and is transported to the buffer unit 13.

一方、リン酸＋ＡＰＭ処理室２１では、前処理工程Ａ１、リン酸液供給工程Ａ２、基板洗浄工程Ｃ１、ＡＰＭ供給工程Ｂ２、リンス液供給工程Ｂ３、スピン乾燥工程Ｂ４、基板交換工程Ｂ５が行われる。退避室３１では、ヒータ洗浄工程Ｃ２が行われる。なお、前処理工程Ａ１、リン酸液供給工程Ａ２、ＡＰＭ供給工程Ｂ２、リンス液供給工程Ｂ３、基板交換工程Ｂ５は比較例と同様の処理である。 On the other hand, in the phosphoric acid+APM processing chamber 21, a pretreatment step A1, a phosphoric acid solution supply step A2, a substrate cleaning step C1, an APM supply step B2, a rinse solution supply step B3, a spin drying step B4, and a substrate exchange step B5 are performed. .. In the evacuation chamber 31, the heater cleaning process C2 is performed. The pretreatment process A1, the phosphoric acid solution supply process A2, the APM supply process B2, the rinse solution supply process B3, and the substrate replacement process B5 are the same as those of the comparative example.

リン酸＋ＡＰＭ処理室２１では、前処理工程Ａ１及びリン酸液供給工程Ａ２の終了後、基板洗浄工程Ｃ１において、リンス液（例えば純水）が第２のノズルヘッド２６から基板Ｗの被処理面上に供給され、基板Ｗの被処理面が洗浄される。基板洗浄工程Ｃ１の終了後、ＡＰＭ供給工程Ｂ２において、前述と同じように、基板Ｗの被処理面上にＡＰＭが第１のノズルヘッド２４から供給され、基板ＷがＡＰＭによって処理される。リンス液供給工程Ｂ３においては、ＡＰＭ処理済の基板Ｗの被処理面上にリンス液（例えば純水）が第２のノズルヘッド２６から供給され、ＡＰＭ処理済の基板Ｗがリンス液により洗浄される。その後、スピン乾燥工程Ｂ４及び基板交換工程Ｂ５が行われる。 In the phosphoric acid+APM processing chamber 21, after the pretreatment process A1 and the phosphoric acid liquid supply process A2 are completed, in the substrate cleaning process C1, the rinse liquid (for example, pure water) flows from the second nozzle head 26 to the surface of the substrate W to be processed. The surface of the substrate W to be processed is supplied to the above and cleaned. After the substrate cleaning step C1 is completed, in the APM supply step B2, APM is supplied from the first nozzle head 24 onto the surface to be processed of the substrate W, and the substrate W is processed by the APM, as described above. In the rinse liquid supply step B3, a rinse liquid (for example, pure water) is supplied from the second nozzle head 26 onto the surface to be processed of the APM-processed substrate W, and the APM-processed substrate W is washed with the rinse liquid. It Then, a spin drying step B4 and a substrate exchange step B5 are performed.

退避室３１では、リン酸液供給工程Ａ２の終了後、ヒータ洗浄工程Ｃ２において、ヒータ３２が洗浄部３４により洗浄される。このヒータ３２は、退避室３１を挟む二つの処理室２１間を移動するが、二つの処理室２１のいずれにおいても、ヒータ３２がリン酸液供給工程Ａ２の加熱処理に用いられない間に、退避室３１内の退避位置（中間位置）で洗浄部３４により洗浄される。このケースとしては、二つの処理室２１において、ＡＰＭ処理が行われている時が考えられる。 In the evacuation chamber 31, the heater 32 is cleaned by the cleaning unit 34 in the heater cleaning process C2 after the phosphoric acid solution supply process A2 is completed. The heater 32 moves between the two processing chambers 21 that sandwich the evacuation chamber 31, but in any of the two processing chambers 21, while the heater 32 is not used for the heat treatment of the phosphoric acid solution supply step A2, Cleaning is performed by the cleaning unit 34 at the retracted position (intermediate position) in the retractable chamber 31. In this case, it is possible that the two processing chambers 21 are performing the APM process.

このように前述の基板処理装置１０では、リン酸処理とＡＰＭ処理の二つの処理が同じリン酸＋ＡＰＭ処理室２１で実施可能にされている。つまり、比較例のように二つの処理室（リン酸処理室１０１及びＡＰＭ処理室１０２）に分ける原因になっている２つの処理（リン酸処理及びＡＰＭ処理）を同じリン酸＋ＡＰＭ処理室２１で連続して行うことが可能である。これにより、二つの処理室間での基板搬送が不要となるため、基板搬送時間を省略し、基板処理効率を向上させることができる。 As described above, in the substrate processing apparatus 10 described above, two processes, the phosphoric acid process and the APM process, can be performed in the same phosphoric acid+APM process chamber 21. That is, as in the comparative example, the two processes (phosphoric acid treatment and APM treatment) that are the cause of division into two treatment chambers (phosphoric acid treatment chamber 101 and APM treatment chamber 102) are performed in the same phosphoric acid+APM treatment chamber 21. It is possible to carry out continuously. This eliminates the need to transfer the substrate between the two processing chambers, so that the substrate transfer time can be omitted and the substrate processing efficiency can be improved.

また、比較例のように、二つの処理室間で基板Ｗを搬送する場合には、基板Ｗの搬送中に、被処理面が露出すると、露出した部分にパーティクルが付着して製品不良が生じる。このため、基板Ｗの被処理面に洗浄液を液盛りした状態で搬送することになるが、液盛りした洗浄液が、例えば搬送ロボット等の振動で基板Ｗの被処理面からこぼれて、液盛り状態が維持できなくなることもある。ところが、本実施形態のように、処理室間での搬送が不要となると、液盛りをする必要がないので、基板処理の途中（搬送中）で製品不良を起こすことを防止できる。 Further, when the substrate W is transferred between the two processing chambers as in the comparative example, if the surface to be processed is exposed during the transfer of the substrate W, particles adhere to the exposed portion to cause a product defect. .. For this reason, the cleaning liquid is transported in a state of being puddle on the surface to be processed of the substrate W. However, the cleaning liquid that has been puddle is spilled from the surface of the substrate W to be processed due to vibration of, for example, a transfer robot or the like, and is in a puddle state. May not be maintained. However, when the transfer between the processing chambers is not required as in the present embodiment, it is not necessary to fill the liquid, so that it is possible to prevent a product defect during the substrate processing (during the transfer).

さらに、比較例では、基板及びヒータ洗浄工程Ａ３の終了後、基板交換工程Ａ４及びリンス液供給工程Ｂ１を行ってから、ＡＰＭ供給工程Ｂ２を開始する。一方、リン酸＋ＡＰＭ処理室２１では、基板洗浄工程Ｃ１の終了後、直ぐにＡＰＭ供給工程Ｂ２を開始することが可能であり、比較例に比べ、大幅に処理時間を短縮することができる。また、比較例の基板処理装置１００には、リン酸処理室１０１及びＡＰＭ処理室１０２の一組が四つ存在しているが、前述の基板処理装置１０には、リン酸＋ＡＰＭ処理室２１が八つ存在している。このように一連の処理を行う処理室２１を増加させることが可能となり、基板処理効率をさらに向上させることができる。 Further, in the comparative example, after the substrate and heater cleaning process A3 is completed, the substrate replacement process A4 and the rinse liquid supply process B1 are performed, and then the APM supply process B2 is started. On the other hand, in the phosphoric acid+APM processing chamber 21, the APM supply step B2 can be started immediately after the completion of the substrate cleaning step C1, and the processing time can be significantly shortened as compared with the comparative example. Further, in the substrate processing apparatus 100 of the comparative example, there are four sets of the phosphoric acid processing chamber 101 and the APM processing chamber 102, but in the substrate processing apparatus 10 described above, the phosphoric acid+APM processing chamber 21 is provided. There are eight. In this way, it is possible to increase the number of processing chambers 21 that perform a series of processing, and it is possible to further improve the substrate processing efficiency.

また、ヒータ３２は退避室３１内で洗浄部３４により洗浄される。このとき、ヒータ３２はリン酸＋ＡＰＭ処理室２１内に存在していないため、リン酸＋ＡＰＭ処理室２１では、基板洗浄工程Ｃ１において基板Ｗだけを洗浄すればよく、比較例の基板及びヒータ洗浄工程Ａ３でのヒータ洗浄時間を省略することができる。これにより、比較例に比べ、リン酸＋ＡＰＭ処理室２１での処理時間を短縮することが可能であり、基板処理効率をより向上させることができる。さらに、リン酸＋ＡＰＭ処理室２１での処理中に（処理に並行して）、洗浄部３４によりヒータ３２を洗浄することができる。 Further, the heater 32 is cleaned by the cleaning unit 34 in the evacuation chamber 31. At this time, since the heater 32 is not present in the phosphoric acid+APM processing chamber 21, only the substrate W needs to be cleaned in the substrate cleaning step C1 in the phosphoric acid+APM processing chamber 21, and the substrate and heater cleaning step of the comparative example is performed. The heater cleaning time at A3 can be omitted. As a result, the processing time in the phosphoric acid+APM processing chamber 21 can be shortened as compared with the comparative example, and the substrate processing efficiency can be further improved. Further, the heater 32 can be cleaned by the cleaning unit 34 during the processing in the phosphoric acid+APM processing chamber 21 (in parallel with the processing).

また、ヒータ３２及びノズル３２ａをリン酸＋ＡＰＭ処理室２１外の退避室３１内に退避させることで、ＡＰＭ処理前にリン酸＋ＡＰＭ処理室２１のダウンフローにより、リン酸＋ＡＰＭ処理室２１内に存在するリン酸雰囲気を排除することが可能である。これにより、ＡＰＭ処理を行う時に、リン酸＋ＡＰＭ処理室２１内でリン酸雰囲気とＡＰＭとが混在することを防止できるので、リン酸とＡＰＭとの反応によってできるパーティクルが、リン酸＋ＡＰＭ処理室２１内で発生することを抑えることができる。 In addition, by retracting the heater 32 and the nozzle 32a into the retreat chamber 31 outside the phosphoric acid+APM processing chamber 21, the phosphoric acid+APM processing chamber 21 is downflowed before the APM processing, and thus exists in the phosphoric acid+APM processing chamber 21. It is possible to eliminate the phosphoric acid atmosphere. Accordingly, when the APM process is performed, it is possible to prevent the phosphoric acid atmosphere and the APM from being mixed in the phosphoric acid+APM process chamber 21. It is possible to suppress the occurrence inside.

なお、図５では、一例として、リン酸処理時間とＡＰＭ処理時間を同じにしているが、これに限るものではなく、それらに多少の差があってもよい。ただし、比較例において、リン酸処理室１０１でのリン酸処理時間とＡＰＭ処理室１０２でのＡＰＭ処理時間が異なる場合には、処理時間の違いによって基板搬送の待ち時間が発生するため、基板処理効率が低下することになる。 In FIG. 5, as an example, the phosphoric acid treatment time and the APM treatment time are the same, but the present invention is not limited to this, and they may have some differences. However, in the comparative example, when the phosphoric acid processing time in the phosphoric acid processing chamber 101 and the APM processing time in the APM processing chamber 102 are different, a substrate transfer waiting time occurs due to the difference in the processing time. The efficiency will be reduced.

以上説明したように、第１の実施形態によれば、ヒータ３２が一対の処理室２１内及び退避室３１内にわたって移動可能に設けられており、ヒータ移動機構３３により一対の処理室２１内及び退避室３１内にわたって移動する。例えば、異なる二つの処理（例えばリン酸処理及びＡＰＭ処理）を一つの処理室２１で行う場合、第１の処理（例えばリン酸処理）ではヒータ３２が処理室２１内に存在し、次の第２の処理（例えばＡＰＭ処理）ではヒータ３２が処理室２１内から退避する。これにより、第１の処理及び第２の処理に起因して処理室２１内でパーティクルが発生しても、第２の処理時にはヒータ３２は退避室３１内に存在する。このため、処理室２１内で発生したパーティクルが退避室３１内のヒータ３２に付着することを抑えることが可能となり、異なる処理液を用いる二つの処理を一つの処理室２１で行うことができる。したがって、各処理室間での基板搬送を省くことが可能となり、基板処理効率を向上させることができる。 As described above, according to the first embodiment, the heater 32 is provided so as to be movable within the pair of processing chambers 21 and the evacuation chamber 31, and the heater moving mechanism 33 allows the inside of the pair of processing chambers 21 and It moves across the evacuation chamber 31. For example, when two different treatments (for example, phosphoric acid treatment and APM treatment) are performed in one treatment chamber 21, the heater 32 exists in the treatment chamber 21 in the first treatment (for example, phosphoric acid treatment), and In the second processing (for example, the APM processing), the heater 32 is retracted from the processing chamber 21. Accordingly, even if particles are generated in the processing chamber 21 due to the first processing and the second processing, the heater 32 is present in the retreat chamber 31 during the second processing. Therefore, it is possible to prevent particles generated in the processing chamber 21 from adhering to the heater 32 in the retreat chamber 31, and two processings using different processing liquids can be performed in one processing chamber 21. Therefore, it becomes possible to omit the substrate transfer between the processing chambers, and it is possible to improve the substrate processing efficiency.

また、ヒータ３２は一対の処理室２１に共通の処理ユニットとして機能するので、処理室２１ごとにヒータ３２及びヒータ移動機構３３を設ける場合に比べ、装置構成の簡略化及び低コスト化を実現することができる。さらに、ヒータ３２にパーティクルが付着することを抑えることで、ヒータ３２によって基板Ｗを処理している間、ヒータ３２に付着したパーティクルが基板Ｗに付着することを抑えることができ、基板Ｗの製品不良の発生を防ぐことができる。 Further, since the heater 32 functions as a processing unit common to the pair of processing chambers 21, the device configuration can be simplified and the cost can be reduced as compared with the case where the heater 32 and the heater moving mechanism 33 are provided for each processing chamber 21. be able to. Further, by suppressing the particles from adhering to the heater 32, it is possible to suppress the particles adhering to the heater 32 from adhering to the substrate W while the substrate W is being processed by the heater 32. It is possible to prevent the occurrence of defects.

（第２の実施形態）
第２の実施形態について図６を参照して説明する。なお、第２の実施形態では、第１の実施形態との相違点（洗浄部）について説明し、その他の説明を省略する。 (Second embodiment)
The second embodiment will be described with reference to FIG. In the second embodiment, the difference (cleaning unit) from the first embodiment will be described, and the other description will be omitted.

図６に示すように、第２の実施形態に係る洗浄部３４は、液受け部３４ａ及び散布部３４ｂに加え、ブラシ３４ｃと、ブラシ回転機構３４ｄとを有する。 As shown in FIG. 6, the cleaning unit 34 according to the second embodiment has a brush 34c and a brush rotating mechanism 34d in addition to the liquid receiving unit 34a and the spraying unit 34b.

ブラシ３４ｃは、例えばロールブラシであり、液受け部３４ａ内にその半径方向に沿うように水平状態で設けられている。このブラシ３４ｃは、その延伸方向の軸を回転軸として回転可能にブラシ回転機構３４ｄに取り付けられている。ブラシ３４ｃの長さは、退避位置に存在するヒータ３２の下面の半径以上である。 The brush 34c is, for example, a roll brush, and is provided in the liquid receiving portion 34a in a horizontal state along the radial direction thereof. The brush 34c is rotatably attached to the brush rotation mechanism 34d with the axis in the extending direction as a rotation axis. The length of the brush 34c is greater than or equal to the radius of the lower surface of the heater 32 existing in the retracted position.

ブラシ回転機構３４ｄは、回転部５１と、回転機構５２とを有する。回転部５１は、ブラシ３４ｃの一端を支持し、モータなどの駆動源（図示せず）によりブラシ３４ｃをその軸周りに回転させる。回転機構５２は、回転部５１を支持し、その回転部５１を水平面内で回転させる。この回転機構５２は、液受け部３４ａの底部を貫通するように、その底部の略中央に設けられている。回転機構５２は、例えば、回転軸やモータなどにより構成されている。回転部５１が回転機構５２により水平面内で回転すると、回転部５１により支持されているブラシ３４ｃも水平面内で回転することになる。 The brush rotating mechanism 34d includes a rotating portion 51 and a rotating mechanism 52. The rotating portion 51 supports one end of the brush 34c and rotates the brush 34c around its axis by a drive source (not shown) such as a motor. The rotating mechanism 52 supports the rotating portion 51 and rotates the rotating portion 51 in a horizontal plane. The rotating mechanism 52 is provided at a substantially central portion of the bottom of the liquid receiving portion 34a so as to penetrate the bottom. The rotating mechanism 52 is composed of, for example, a rotating shaft and a motor. When the rotating unit 51 rotates in the horizontal plane by the rotating mechanism 52, the brush 34c supported by the rotating unit 51 also rotates in the horizontal plane.

各ノズル４３は、ブラシ回転機構３４ｄを避けて液受け部３４ａの底面に配置されている。これらのノズル４３は、退避位置に存在するヒータ３２の下面の中央付近に向けて洗浄液を吐出するように形成されている。例えば、ノズル４３は円柱状に形成されており、そのノズル４３は、退避位置に存在するヒータ３２の下面の中央領域に向かって傾斜するように形成されている。 Each nozzle 43 is arranged on the bottom surface of the liquid receiving portion 34a while avoiding the brush rotating mechanism 34d. These nozzles 43 are formed so as to eject the cleaning liquid toward the vicinity of the center of the lower surface of the heater 32 existing at the retracted position. For example, the nozzle 43 is formed in a cylindrical shape, and the nozzle 43 is formed so as to be inclined toward the central region of the lower surface of the heater 32 existing at the retracted position.

このような洗浄部３４において、ヒータ３２はヒータ移動機構３３により下降し、液受け部３４ａ内のブラシ３４ｃに接触する位置で停止する。この状態で、洗浄液が散布部３４ｂから上方に向けて噴射されると、洗浄液により濡れた状態のブラシ３４ｃがその軸周りに回転し始める。洗浄液の噴射は継続され、回転部５１が回転機構５２により回転し始めると、洗浄液により濡れた状態のブラシ３４ｃは、軸周りに回転しながら、回転部５１の回転によりヒータ３２の下面に対して周方向に相対移動し、ヒータ３２の下面を擦って洗浄していく。このようにして、ヒータ３２の下面の全域がブラシ３４ｃ及び洗浄液によって洗浄されることになる。ヒータ３２の下面から落下した洗浄液やブラッシングによって拡散した洗浄液は、液受け部３４ａにより受けられ、排液口４２から排出されて回収部により回収される。 In such a cleaning unit 34, the heater 32 descends by the heater moving mechanism 33 and stops at a position where it contacts the brush 34c in the liquid receiving unit 34a. In this state, when the cleaning liquid is sprayed upward from the spraying portion 34b, the brush 34c wet with the cleaning liquid starts to rotate around its axis. When the rotating unit 51 starts rotating by the rotating mechanism 52, the brush 34c wet with the cleaning liquid rotates about the axis while rotating the rotating unit 51 against the lower surface of the heater 32 by the rotation of the rotating unit 51. Relative movement in the circumferential direction is performed by rubbing the lower surface of the heater 32 for cleaning. In this way, the entire lower surface of the heater 32 is cleaned with the brush 34c and the cleaning liquid. The cleaning liquid dropped from the lower surface of the heater 32 or the cleaning liquid diffused by the brushing is received by the liquid receiving portion 34a, discharged from the liquid outlet 42, and collected by the collecting portion.

以上説明したように、第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、洗浄部３４のブラシ３４ｃが洗浄液により濡れた状態で直接ヒータ３２に接触し、ヒータ３２を擦って洗浄する。これにより、洗浄部３４のヒータ洗浄能力が上がるため、ヒータ洗浄時間を短縮することが可能であり、基板処理効率をより向上させることができる。 As described above, according to the second embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained. Further, the brush 34c of the cleaning unit 34 is in direct contact with the heater 32 while being wet with the cleaning liquid, and the heater 32 is rubbed for cleaning. As a result, the heater cleaning capability of the cleaning unit 34 is increased, so that the heater cleaning time can be shortened and the substrate processing efficiency can be further improved.

（他の実施形態）
前述の各実施形態においては、処理部としてヒータ３２を例示したが、これに限るものではなく、例えば、ランプやＩＨ（誘導加熱）ヒータなどの加熱器を用いることが可能である。さらに、ランプの形状も直管形や丸形、球形など各種の形状を採用することが可能である。なお、ランプやＩＨヒータは、どちらも電磁波（光も電磁波に含まれる）により基板Ｗや処理液（例えば薬液）を加熱する加熱器である。 (Other embodiments)
Although the heater 32 is illustrated as the processing unit in each of the above-described embodiments, the present invention is not limited to this, and a heater such as a lamp or an IH (induction heating) heater can be used. Further, it is possible to adopt various shapes such as a straight tube shape, a round shape, and a spherical shape for the lamp. The lamp and the IH heater are both heaters that heat the substrate W and the processing liquid (for example, chemical liquid) by electromagnetic waves (light is also included in the electromagnetic waves).

また、前述の各実施形態においては、ヒータ面を洗浄する洗浄機能として図３又は図６の洗浄方式の洗浄部３４を例示したが、これに限るものではなく、洗浄液（例えば高温の純水）を液受け部３４ａに溜めてヒータ面を洗浄液にディップする方式なども有効である。また、ヒータ３２、ヒータ移動機構３３及び洗浄部３４の各部を一体として退避室３１から第２のロボット移動路と反対側に引き出し可能にする引出機構を追加してもよい。この場合には、前述の各部が引出機構により退避室３１から引き出され、ヒータ３２の周面が露出するため、ヒータ３２のメンテナンス作業を容易に行うことができる。 Further, in each of the above-described embodiments, the cleaning unit 34 of the cleaning method of FIG. 3 or 6 is illustrated as the cleaning function of cleaning the heater surface, but the cleaning function is not limited to this, and a cleaning liquid (for example, high-temperature pure water) is used. It is also effective to store the liquid in the liquid receiving portion 34a and dip the heater surface in the cleaning liquid. In addition, a drawer mechanism may be added that allows the heater 32, the heater movement mechanism 33, and the cleaning unit 34 to be integrally drawn out from the retreat chamber 31 to the side opposite to the second robot movement path. In this case, the above-mentioned respective parts are pulled out from the retreat chamber 31 by the pulling-out mechanism and the peripheral surface of the heater 32 is exposed, so that the maintenance work of the heater 32 can be easily performed.

また、前述の各実施形態においては、ヒータアーム３３ａの長さが一定であるが、これに限るものではなく、例えば、ヒータアーム３３ａの長さを変える機構（例えばヒータアーム３３ａを伸縮させる伸縮機構）を設けるようにしても良い。ヒータアーム３３ａの長さが変わることで、処理室２１が３つや４つに増えても、それらの処理室２１に１つのヒータ３２で対応することができる。 Further, in each of the above-described embodiments, the length of the heater arm 33a is constant, but the length is not limited to this. For example, a mechanism for changing the length of the heater arm 33a (for example, a telescopic mechanism for expanding and contracting the heater arm 33a). ) May be provided. By changing the length of the heater arm 33a, even if the number of the processing chambers 21 is increased to three or four, one heater 32 can handle the processing chambers 21.

また、前述の各実施形態においては、処理工程の一例を説明したが、これに限るものではなく、各種の処理工程に前述の各実施形態に係る基板処理装置１０を適用することが可能である。一つの処理室２１において、処理雰囲気や温度などを切り換える必要がある連続処理に対して基板処理効率を向上させることができる。 Further, in each of the above-described embodiments, an example of the processing step has been described, but the present invention is not limited to this, and the substrate processing apparatus 10 according to each of the above-described embodiments can be applied to various processing steps. .. In one processing chamber 21, the substrate processing efficiency can be improved for continuous processing in which the processing atmosphere, temperature, etc. need to be switched.

以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。 Although some embodiments of the present invention have been described above, these embodiments are presented as examples and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the spirit of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and the gist of the invention, and are also included in the invention described in the claims and the scope equivalent thereto.

１０ 基板処理装置
２１ 処理室
２２ スピン保持機構
２４ 第１のノズルヘッド
２５ 第１のノズルヘッド移動機構
２６ 第２のノズルヘッド
２７ 第２のノズルヘッド移動機構
３１ 退避室
３２ ヒータ
３２ａ ノズル
３３ ヒータ移動機構
３４ 洗浄部
Ｗ 基板 10 Substrate Processing Device 21 Processing Chamber 22 Spin Holding Mechanism 24 First Nozzle Head 25 First Nozzle Head Moving Mechanism 26 Second Nozzle Head 27 Second Nozzle Head Moving Mechanism 31 Evacuation Chamber 32 Heater 32a Nozzle 33 Heater Moving Mechanism 34 Cleaning unit W substrate

Claims (8)

退避室と、
前記退避室を間にして設けられた一対の処理室と、
前記退避室内及び前記一対の処理室内にわたって移動可能に設けられ、前記処理室内の基板上に処理液を供給し、かつ、その基板上の処理液を加熱する処理部と、
前記退避室内及び前記一対の処理室内にわたって前記処理部を移動させる移動機構と、
を備え、
前記移動機構は、前記退避室内及び前記一対の処理室内にわたって前記処理部を揺動させる揺動機構であり、
前記処理部は、前記基板上の処理液に接触して前記基板上の処理液を加熱するヒータであり、
前記ヒータは、前記基板に前記処理液を供給するノズルを有し、
前記一対の処理室には、前記基板を保持して回転させるスピン保持機構がそれぞれ設けられ、
前記ノズルと前記ヒータの揺動中心との距離をｒ１、前記ヒータの揺動中心と前記一対の処理室がそれぞれ備える前記スピン保持機構の回転中心との距離をそれぞれｒ２、ｒ３としたとき、ｒ１＝ｒ２＝ｒ３が成立することを特徴とする基板処理装置。 An evacuation room,
A pair of processing chambers provided with the evacuation chamber in between,
A processing unit that is provided movably over the evacuation chamber and the pair of processing chambers, supplies a processing liquid onto a substrate in the processing chamber, and heats the processing liquid on the substrate;
A moving mechanism that moves the processing unit over the evacuation chamber and the pair of processing chambers;
Equipped with
The moving mechanism is a swinging mechanism that swings the processing unit across the retreat chamber and the pair of processing chambers,
The processing unit is a heater that contacts the processing liquid on the substrate to heat the processing liquid on the substrate,
The heater has a nozzle that supplies the processing liquid to the substrate,
Spin holding mechanisms for holding and rotating the substrate are respectively provided in the pair of processing chambers,
When the distance between the nozzle and the swing center of the heater is r1, and the distance between the swing center of the heater and the rotation centers of the spin holding mechanisms provided in the pair of processing chambers is r2 and r3, respectively, r1 =r2=r3 holds, The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned. 前記移動機構は、前記一対の処理室に交互に前記処理部を移動させることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the moving mechanism alternately moves the processing section to the pair of processing chambers. 前記退避室内に設けられ、前記処理部を洗浄する洗浄部を備えることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2, further comprising a cleaning unit that is provided in the evacuation chamber and cleans the processing unit. 前記ヒータにおける前記基板の被処理面との対向面は、前記基板における前記被処理面の形状と相似形で、前記被処理面を全て覆う大きさを有し、
前記ノズルは、前記対向面の中央に設けられていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The surface of the heater facing the surface to be processed of the substrate has a size similar to the shape of the surface to be processed of the substrate and has a size to cover the entire surface to be processed,
The said nozzle is provided in the center of the said opposing surface, The substrate processing apparatus as described in any one of Claim 1 to 3 characterized by the above-mentioned. 前記処理室には、前記基板を保持して回転させるスピン保持機構と、このスピン保持機
構により保持される前記基板に処理液を供給するノズルヘッドと、このノズルヘッドを前
記基板の被処理面に沿って揺動させるノズルヘッド移動機構が設けられ、
前記ノズルヘッドの揺動中心は、前記処理室内において、前記処理室における隣接する
前記退避室側の壁に対し、前記スピン保持機構を挟んで反対側の壁側に設けられることを
特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の基板処理装置。 In the processing chamber, a spin holding mechanism that holds and rotates the substrate, a nozzle head that supplies a processing liquid to the substrate held by the spin holding mechanism, and the nozzle head on the surface to be processed of the substrate. A nozzle head moving mechanism that swings along is provided,
The swing center of the nozzle head is provided in the processing chamber on a wall side opposite to an adjacent wall of the processing chamber on the side of the evacuation chamber with the spin holding mechanism interposed therebetween. Item 5. The substrate processing apparatus according to any one of items 1 to 4. 退避室と、前記退避室を間にして設けられた一対の処理室と、前記処理室内の基板上に処理液を供給し、かつ、その基板上の処理液に接触して前記基板上の処理液を加熱するヒータとを備え、前記ヒータは、前記基板に前記処理液を供給するノズルを有し、前記一対の処理室には、前記基板を保持して回転させるスピン保持機構がそれぞれ設けられた基板処理装置を用いて、前記処理室内の基板を処理する基板処理方法であって、
前記退避室内及び前記一対の処理室内にわたって前記ヒータを揺動させ、この際、前記ノズルと前記ヒータの揺動中心との距離をｒ１、前記ヒータの揺動中心と前記一対の処理室がそれぞれ備える前記スピン保持機構の回転中心との距離をそれぞれｒ２、ｒ３としたとき、ｒ１＝ｒ２＝ｒ３が成立するように揺動させることを特徴とする基板処理方法。 An evacuation chamber, a pair of treatment chambers provided between the evacuation chamber, and a treatment liquid supplied to the substrate in the treatment chamber and contacting the treatment liquid on the substrate to treat the substrate. A heater for heating the liquid, the heater has a nozzle for supplying the processing liquid to the substrate, and a spin holding mechanism for holding and rotating the substrate is provided in each of the pair of processing chambers. A substrate processing method for processing a substrate in the processing chamber by using the substrate processing apparatus
The heater is swung in the evacuation chamber and the pair of processing chambers. At this time, the distance between the nozzle and the swing center of the heater is r1, and the swing center of the heater and the pair of processing chambers are respectively provided. A substrate processing method, wherein the spin holding mechanism is swung so that r1=r2=r3 holds, where r2 and r3 are distances from the rotation center. 前記一対の処理室に交互に前記ヒータを移動させることを特徴とする請求項６に記載の基板処理方法。 7. The substrate processing method according to claim 6, wherein the heater is alternately moved to the pair of processing chambers. 前記退避室内に前記ヒータを移動させ、前記退避室内で前記ヒータを洗浄することを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の基板処理方法。 8. The substrate processing method according to claim 6, wherein the heater is moved into the retreat chamber and the heater is cleaned in the retreat chamber.
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