JP2002110609A - Cleaning apparatus - Google Patents

Cleaning apparatus

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JP2002110609A
JP2002110609A JP2000302099A JP2000302099A JP2002110609A JP 2002110609 A JP2002110609 A JP 2002110609A JP 2000302099 A JP2000302099 A JP 2000302099A JP 2000302099 A JP2000302099 A JP 2000302099A JP 2002110609 A JP2002110609 A JP 2002110609A
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Japan
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cleaning
wafer
substrate
unit
units
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JP2000302099A
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Japanese (ja)
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Hidetomo Kamiko
秀朋 上向
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cleaning apparatus having a small footprint which copes with the upsizing of substrates. SOLUTION: The cleaning device 1 for giving prescribed cleaning operations to substrates, such as semiconductor wafers W, is provided with a cleaning section 3 which has several treating units for giving prescribed treatments to the wafers W and a carrying section 2 which carries the wafers W in and out from the cleaning section 3. The cleaning section 3 is provided with four scrub cleaning units which are placed in two stages, a wafer inverting unit 14b for causing the side of the wafers W to be inverted, a wafer delivery unit 14a on which the wafers W are temporarily placed for passing or receiving the wafers W to or from the carrying section 2 and a main wafer transfer mechanism 15, which has access to all the units and passes or receives the wafers W to and from each of the units.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハやL
CD基板等の基板に所定の洗浄処理を施す洗浄処理装置
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention
The present invention relates to a cleaning apparatus for performing a predetermined cleaning process on a substrate such as a CD substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば、半導体デバイスの製造工程にお
いては、半導体ウエハ(ウエハ)の表裏両面、特に半導
体デバイスが形成されるウエハの表面の清浄度を高く維
持する必要があり、このため、種々の製造プロセスの前
後でウエハの表面の洗浄が行われている。特に、フォト
リソグラフィ工程においては、ウエハの表面の洗浄は不
可欠であり、従来より、回転するウエハの表面に洗浄液
を供給しながら、回転するブラシをウエハの表面に当接
しつつウエハの中心部と周縁部との間で往復移動させる
ことで、ウエハの表面に付着したパーティクル等の汚染
物質を除去するスクラブ洗浄が行われている。
2. Description of the Related Art In a semiconductor device manufacturing process, for example, it is necessary to maintain a high degree of cleanliness on both the front and back surfaces of a semiconductor wafer (wafer), particularly on the surface of a wafer on which semiconductor devices are formed. Before and after the manufacturing process, the surface of the wafer is cleaned. In particular, in the photolithography process, cleaning the surface of the wafer is indispensable. Conventionally, while supplying a cleaning liquid to the surface of the rotating wafer, the rotating brush abuts against the surface of the wafer and the center of the wafer and the peripheral edge thereof. Scrub cleaning is performed to remove contaminants such as particles attached to the surface of the wafer by reciprocating the wafer with a unit.

【0003】このようなスクラブ洗浄を行う洗浄処理装
置においては、従来、スクラブ洗浄を行う複数のスクラ
ブ洗浄ユニットは平面的に配置されていた。
In such a cleaning apparatus for performing scrub cleaning, conventionally, a plurality of scrub cleaning units for performing scrub cleaning have been arranged in a plane.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年で
はウエハの大径化が進んでおり、これに対応するため
に、スクラブ洗浄ユニットをはじめとして、洗浄処理装
置に配設されるその他のユニット、例えばウエハの乾燥
等を行う加熱ユニットやウエハの両面をスクラブ洗浄す
るためにウエハを反転する反転ユニット等の各ユニッ
ト、ならびにウエハの搬送機構をウエハの大きさに合わ
せて大型化した場合には、洗浄処理装置のフットプリン
トが極めて大きくなる。
However, in recent years, the diameter of wafers has been increasing, and in order to cope with this, other units provided in the cleaning apparatus, such as a scrub cleaning unit, for example, When each unit such as a heating unit for drying the wafer, a reversing unit for reversing the wafer to scrub clean both surfaces of the wafer, and a wafer transfer mechanism are enlarged to match the size of the wafer, cleaning is performed. The footprint of the processing equipment becomes very large.

【0005】この場合には、洗浄処理装置を既存のクリ
ーンルーム内へ配設することが困難となって、クリーン
ルームを拡張または新設する等の必要が生じ、設備負担
が増大することが予想される。そこで、洗浄処理装置の
フットプリントの増大は不可避ではあっても、その増大
を最小限に止めることが切望される。
[0005] In this case, it becomes difficult to dispose the cleaning apparatus in the existing clean room, and it is necessary to extend or newly install the clean room, and it is expected that the facility load will increase. Therefore, although it is inevitable to increase the footprint of the cleaning apparatus, it is desired to minimize the increase.

【0006】本発明はこのような問題に鑑みてなされた
ものであり、基板の大型化に対応したフットプリントの
小さい洗浄処理装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to provide a cleaning apparatus having a small footprint corresponding to an increase in the size of a substrate.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明によれ
ば、基板に所定の洗浄処理を施す洗浄処理装置であっ
て、多段に積み重ねられて配設された複数のスクラブ洗
浄ユニットと、前記複数のスクラブ洗浄ユニットの全て
にアクセス可能な基板搬送機構と、を具備することを特
徴とする洗浄処理装置、が提供される。
That is, according to the present invention, there is provided a cleaning apparatus for performing a predetermined cleaning process on a substrate, comprising a plurality of scrub cleaning units stacked and arranged in multiple stages; And a substrate transport mechanism capable of accessing all of the scrub cleaning units.

【0008】また、本発明によれば、基板に所定の洗浄
処理を施す洗浄処理装置であって、多段に積み重ねられ
て配設された複数のスクラブ洗浄ユニットを有する洗浄
処理部と、前記洗浄処理部に対して基板を搬入出する基
板搬入出部と、前記複数のスクラブ洗浄ユニットの全て
にアクセス可能な基板搬送機構と、を具備することを特
徴とする洗浄処理装置、が提供される。
Further, according to the present invention, there is provided a cleaning processing apparatus for performing a predetermined cleaning processing on a substrate, comprising: a cleaning processing section having a plurality of scrub cleaning units stacked and arranged in multiple stages; A cleaning processing apparatus comprising: a substrate loading / unloading unit for loading / unloading a substrate into / from a unit; and a substrate transfer mechanism capable of accessing all of the plurality of scrub cleaning units.

【0009】さらに、本発明によれば、基板に所定の洗
浄処理を施す洗浄処理装置であって、前記基板に所定の
処理を施す複数の処理ユニットを有する洗浄処理部と、
前記洗浄処理部に対して基板を搬入出する基板搬入出部
と、を具備し、前記洗浄処理部は、少なくとも上下2段
に配設された複数のスクラブ洗浄ユニットと、前記基板
の表裏を反転させる基板反転ユニットと、前記基板搬入
出部との間で基板の受け渡しを行うために前記基板を一
時的に載置する基板受渡ユニットと、前記各ユニットの
全てにアクセス可能であり、前記各ユニットとの間で基
板の受け渡しを行う基板搬送機構と、を有することを特
徴とする洗浄処理装置、が提供される。
Further, according to the present invention, there is provided a cleaning processing apparatus for performing a predetermined cleaning processing on a substrate, the cleaning processing unit having a plurality of processing units for performing a predetermined processing on the substrate;
A substrate loading / unloading unit for loading / unloading a substrate to / from the cleaning processing unit, wherein the cleaning processing unit is a plurality of scrub cleaning units disposed at least in upper and lower two stages, and the substrate is turned upside down. A substrate reversing unit to be carried out, a substrate delivery unit for temporarily placing the substrate in order to transfer a substrate between the substrate loading / unloading section, and all of the units, and And a substrate transport mechanism for transferring the substrate between the two.

【0010】このような洗浄処理装置においては、従来
は平面的に配設されていたスクラブ洗浄ユニットが多段
に重ねられて配設されていることから、基板の大型化に
対応してスクラブ洗浄ユニットが大型化されても、フッ
トプリントの増大を最小限に抑えることが可能となる。
また、スクラブ洗浄ユニットを多段に配設することで、
1つの洗浄処理装置に配設するスクラブ洗浄ユニットの
数を増やして、スループットの短縮を実現することがで
きる。
In such a cleaning apparatus, the scrub cleaning unit, which was conventionally arranged in a plane, is arranged in a multi-tiered arrangement. Even if the size is increased, the increase in the footprint can be minimized.
In addition, by arranging scrub cleaning units in multiple stages,
The throughput can be reduced by increasing the number of scrub cleaning units provided in one cleaning apparatus.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について具体的に説明する。本実施形態
では、半導体ウエハ(ウエハ)の搬入、洗浄、乾燥、搬
出をバッチ式に一貫して行うように構成された洗浄処理
装置について説明することとする。
Embodiments of the present invention will be specifically described below with reference to the accompanying drawings. In the present embodiment, a description will be given of a cleaning apparatus configured to consistently carry in, clean, dry, and carry out a semiconductor wafer (wafer) in a batch manner.

【0012】図1は洗浄処理装置1の概略構造を示す平
面図であり、図2はその側面図である。これら図1およ
び図2に示されるように、洗浄処理装置1は、ウエハW
に洗浄処理を施す洗浄処理部3と、洗浄処理部3に対し
てウエハWを搬入出する搬入出部2から構成されてい
る。
FIG. 1 is a plan view showing a schematic structure of a cleaning apparatus 1, and FIG. 2 is a side view thereof. As shown in FIGS. 1 and 2, the cleaning apparatus 1
And a loading / unloading unit 2 for loading / unloading a wafer W from / to the cleaning processing unit 3.

【0013】洗浄処理装置1においては、搬入出部2
は、複数枚、例えば26枚のウエハWが所定の間隔で水
平に収容されているキャリアCを載置するための載置台
11が設けられたイン・アウトポート4と、キャリアC
と洗浄処理部3との間でウエハの搬送を行うウエハ搬送
機構13が備えられたウエハ搬送部5とから構成されて
いる。なお、搬入出部2としては、前工程より搬送され
たウエハWが洗浄処理部3へ搬出され、また、洗浄処理
部3において洗浄処理が終了したウエハWを次工程へ搬
出するインターフェイスを配設することも好ましい。
In the cleaning apparatus 1, the loading / unloading section 2
Is an in / out port 4 provided with a mounting table 11 for mounting a carrier C in which a plurality of, for example, 26 wafers W are horizontally stored at predetermined intervals, and a carrier C
And a wafer transfer section 5 provided with a wafer transfer mechanism 13 for transferring a wafer between the cleaning section 3 and the cleaning section 3. The loading / unloading unit 2 is provided with an interface for unloading the wafer W transferred from the previous process to the cleaning unit 3 and unloading the wafer W after the cleaning process in the cleaning unit 3 to the next process. It is also preferable to do so.

【0014】イン・アウトポート4に配設された載置台
11上には、例えば、3個のキャリアを水平面のY方向
に並べて所定位置に載置することができるようになって
いる。また、イン・アウトポート4とウエハ搬送部5と
の境界壁91において、キャリアCの載置場所に対応す
る位置には窓部92が形成されており、窓部92のウエ
ハ搬送部5側には窓部92をシャッター等により開閉す
る窓部開閉機構12が設けられている。
On the mounting table 11 provided in the in / out port 4, for example, three carriers can be arranged at a predetermined position in a row in the Y direction on the horizontal plane. A window 92 is formed at a position corresponding to the place where the carrier C is placed on a boundary wall 91 between the in / out port 4 and the wafer transfer unit 5. Is provided with a window opening / closing mechanism 12 for opening and closing the window 92 with a shutter or the like.

【0015】使用されるキャリアCの構造に限定はない
が、キャリアCとしては、例えば、ウエハWの搬入出口
に搬入出口を開閉する蓋体を設けたものを用いることが
できる。この場合には、窓部開閉機構12にキャリアC
の蓋体を開閉する機能を持たせて、窓部92にキャリア
Cの搬入出口側を向けてキャリアCを載置台11に載置
した際に、窓部開閉機構12が窓部92およびキャリア
Cの蓋体の開閉を行うことができる構造とする。こうし
て窓部開閉機構12によって、窓部92とキャリアCの
蓋体が開いた状態とすれば、ウエハ搬送部5に設けられ
たウエハ搬送機構13がキャリアCにアクセス可能とな
り、ウエハWの搬送を行うことができるようになる。
The structure of the carrier C to be used is not limited, but the carrier C may be, for example, one provided with a lid for opening / closing the loading / unloading port at the loading / unloading port of the wafer W. In this case, the carrier C is attached to the window opening / closing mechanism 12.
When the carrier C is placed on the mounting table 11 with the carrier C facing the window 92 with the function of opening and closing the lid, the window opening and closing mechanism 12 causes the window 92 and the carrier C The lid can be opened and closed. When the window 92 and the cover of the carrier C are opened by the window opening / closing mechanism 12 in this manner, the wafer transport mechanism 13 provided in the wafer transport unit 5 can access the carrier C, and transport the wafer W. Will be able to do it.

【0016】なお、窓部92には窓部92を開閉するシ
ャッターのみを配設し、キャリアCの搬入出口に備えら
れた蓋体は、載置台11へ載置する際に、例えば、手動
により操作して搬入出口を開口する方法を用いてもよ
い。また、キャリアCに蓋体を設けない場合には、当然
に蓋体の開閉機構を設ける必要はない。このように窓部
92の構造はキャリアCの構造に対応させて適宜好適に
設計することができる。
The window 92 is provided with only a shutter for opening and closing the window 92, and the lid provided at the loading / unloading port of the carrier C is, for example, manually mounted on the mounting table 11 when the carrier C is mounted on the mounting table 11. A method of opening the loading / unloading port by operating may be used. When the cover is not provided on the carrier C, it is not necessary to provide an opening / closing mechanism for the cover. As described above, the structure of the window portion 92 can be appropriately designed appropriately in accordance with the structure of the carrier C.

【0017】窓部開閉機構12には、さらにキャリアC
内におけるウエハWの収容状態、例えば、所定枚数のウ
エハWが収容されているかどうか、ウエハWが前後(X
方向)に飛び出したりして収容されていないかどうか、
または、ウエハWが高さ方向に斜めに収容されていない
か等を検知するセンサを設けることも好ましい。このよ
うなセンサによりウエハWの収容状態を検査した後に洗
浄処理を開始することで、例えば、所定枚数の同一条件
処理が必要とされるバッチ処理を確実に行うことが可能
となる。
The window opening / closing mechanism 12 further includes a carrier C
Of the wafer W in the inside, for example, whether or not a predetermined number of wafers W are accommodated,
To see if it has been contained
Alternatively, it is also preferable to provide a sensor for detecting whether or not the wafer W is accommodated obliquely in the height direction. By starting the cleaning process after inspecting the accommodation state of the wafer W by such a sensor, for example, a batch process in which a predetermined number of the same condition processes are required can be reliably performed.

【0018】ウエハ搬送部5には、キャリアCと洗浄処
理部3との間でウエハWの受け渡しを行うウエハ搬送機
構13が配設されている。ウエハ搬送機構13は、Y方
向に移動可能であり、載置台11に載置された全てのキ
ャリアCにアクセス可能となっている。また、ウエハ搬
送機構13のウエハ保持アーム13aは水平面のX方向
にスライド自在であり、かつ、X−Y平面内(θ方向)
で回転自在に構成されており、窓部92を通してキャリ
アCとの間でウエハWの受け渡しを行い、また、後述す
る洗浄処理部3に配設されたウエハ受渡ユニット(TR
S)14aにアクセス可能である。こうして、ウエハ搬
送機構13は、イン・アウトポート4側から洗浄処理部
3側へ、逆に洗浄処理部3側からイン・アウトポート4
側へウエハWを搬送することができる。さらに、ウエハ
搬送機構13は鉛直方向であるZ方向に昇降自在であ
り、キャリアC内の任意の高さ位置においてウエハWの
受け渡しをすることが可能となっている。
The wafer transfer section 5 is provided with a wafer transfer mechanism 13 for transferring a wafer W between the carrier C and the cleaning section 3. The wafer transfer mechanism 13 is movable in the Y direction and can access all carriers C mounted on the mounting table 11. Further, the wafer holding arm 13a of the wafer transfer mechanism 13 is slidable in the X direction on the horizontal plane, and within the XY plane (θ direction).
To transfer the wafer W to / from the carrier C through the window 92, and to a wafer delivery unit (TR) provided in the cleaning unit 3 to be described later.
S) 14a is accessible. Thus, the wafer transfer mechanism 13 moves from the in-out port 4 side to the cleaning processing unit 3 side, and conversely, from the cleaning processing unit 3 side to the in-out port 4
The wafer W can be transferred to the side. Further, the wafer transfer mechanism 13 can move up and down in the vertical Z direction, and can transfer the wafer W at an arbitrary height position in the carrier C.

【0019】次に、洗浄処理部3について説明する。洗
浄処理部3には、ウエハWの表裏を反転させるウエハ反
転ユニット(RVS)14bとウエハ搬送部5との間で
基板の受け渡しを行うためにウエハWを一時的に載置す
るウエハ受渡ユニット(TRS)14aとからなる受渡
/反転部14と、洗浄処理後のウエハWを乾燥等する加
熱/冷却部(HP/COL)16が設けられ、また、ウ
エハWにスクラブ洗浄を施すスクラブ洗浄ユニット(S
CR)21a〜21dと、これらのウエハ反転ユニット
(RVS)14b、ウエハ受渡ユニット(TRS)14
a、スクラブ洗浄ユニット(SCR)21a〜21d、
加熱/冷却部(HP/COL)16の全てにアクセス可
能に配設され、これら各部または各ユニットとの間でウ
エハWの受け渡しを行う主ウエハ搬送機構(PRA)1
5が配設されている。
Next, the cleaning section 3 will be described. The cleaning processing unit 3 includes a wafer transfer unit (RVS) 14b for reversing the front and back of the wafer W and a wafer transfer unit (temporarily placing the wafer W thereon) for transferring the substrate between the wafer transfer unit 5 and the wafer transfer unit (RVS). A transfer / reversal unit 14 comprising a TRS (transformer) (TRS) 14a and a heating / cooling unit (HP / COL) 16 for drying the wafer W after the cleaning process are provided. S
CR) 21a to 21d, a wafer reversing unit (RVS) 14b, and a wafer transfer unit (TRS) 14
a, scrub cleaning units (SCR) 21a to 21d,
A main wafer transfer mechanism (PRA) 1 which is provided so as to be accessible to all of the heating / cooling units (HP / COL) 16 and transfers a wafer W to or from each of these units or units.
5 are provided.

【0020】また、洗浄処理部3には、洗浄処理装置1
全体の動作・制御を行うための電装ユニット(EB)1
8と機械制御ユニット(MB)19が配設され、スクラ
ブ洗浄ユニット(SCR)21a〜21dに送液する所
定の洗浄液を貯蔵する薬液貯蔵ユニット(CTB)17
が配設されている。さらに、洗浄処理部3の天井部に
は、ウエハWを取り扱う各ユニットおよび主ウエハ搬送
機構(PRA)15に、清浄な空気をダウンフローする
ためのフィルターファンユニット(FFU)22が配設
されている。なお、薬液貯蔵ユニット(CTB)17
は、スクラブ洗浄ユニット(SCR)21a〜21dの
下方に設けることも可能である。
The cleaning unit 3 includes a cleaning apparatus 1.
Electrical unit (EB) 1 for overall operation and control
8 and a machine control unit (MB) 19, a chemical solution storage unit (CTB) 17 for storing a predetermined cleaning solution to be sent to scrub cleaning units (SCR) 21a to 21d.
Are arranged. Further, a filter fan unit (FFU) 22 for down-flowing clean air is disposed on each unit for handling the wafer W and the main wafer transfer mechanism (PRA) 15 on the ceiling of the cleaning processing unit 3. I have. The chemical storage unit (CTB) 17
Can be provided below the scrub cleaning units (SCR) 21a to 21d.

【0021】図3は受渡/反転部14におけるウエハ反
転ユニット(RVS)14bとウエハ受渡ユニット(T
RS)14aの配設状態をX方向に隣接する主ウエハ搬
送機構(PRA)15および加熱/冷却部(HP/CO
L)16とともに示した断面図である。受渡/反転部1
4においては、下側にウエハ受渡ユニット(TRS)1
4aが2段に積み重ねられ、ウエハ受渡ユニット(TR
S)14a上にウエハ反転ユニット(RVS)14bが
さらに2段ほど積み重ねられて配設されている。
FIG. 3 shows a wafer reversing unit (RVS) 14b and a wafer delivery unit (T
RS) 14a to the main wafer transfer mechanism (PRA) 15 and the heating / cooling unit (HP / CO) adjacent in the X direction.
L) is a sectional view shown together with 16; Delivery / Reversal unit 1
4, the wafer transfer unit (TRS) 1
4a are stacked in two stages, and a wafer delivery unit (TR
S) A wafer reversing unit (RVS) 14b is further stacked and arranged on two levels on the 14a.

【0022】ウエハ受渡ユニット(TRS)14aにお
ける主ウエハ搬送機構(PRA)15側の側面には、主
ウエハ搬送機構(PRA)15の主ウエハ搬送アーム5
5〜57が挿入可能なように開口部95aが設けられて
いる。また、洗浄処理部3とウエハ搬送部5との間には
壁部93が設けられているが、壁部93においてウエハ
受渡ユニット(TRS)14aとウエハ搬送部5との境
界にあたる部分には窓部94aが形成されており、窓部
94aを通じてウエハ搬送機構13とウエハ受渡ユニッ
ト(TRS)14aとの間でのウエハWの搬送が可能と
なっている。
On the side of the wafer transfer unit (TRS) 14a on the side of the main wafer transfer mechanism (PRA) 15, a main wafer transfer arm 5 of the main wafer transfer mechanism (PRA) 15 is provided.
An opening 95a is provided so that 5-57 can be inserted. A wall 93 is provided between the cleaning unit 3 and the wafer transfer unit 5, and a window is provided in a portion of the wall 93 corresponding to a boundary between the wafer transfer unit (TRS) 14 a and the wafer transfer unit 5. A portion 94a is formed, and the wafer W can be transferred between the wafer transfer mechanism 13 and the wafer transfer unit (TRS) 14a through the window portion 94a.

【0023】図4は図3と同じ断面図であり、フィルタ
ーファンユニット(FFU)22からのダウンフローの
流れを示した説明図であり、図4においては主ウエハ搬
送機構(PRA)15の配置部分はダウンフローの流れ
を示すために空白で示されている。図4に示すように、
フィルターファンユニット(FFU)22からのダウン
フローの一部は、開口部95aからウエハ受渡ユニット
(TRS)14a内に導かれ、窓部94aからウエハ搬
送部5に向けて流出する構造となっている。
FIG. 4 is the same sectional view as FIG. 3, and is an explanatory view showing the flow of the down flow from the filter fan unit (FFU) 22. In FIG. 4, the arrangement of the main wafer transfer mechanism (PRA) 15 is shown. Portions are shown blank to show the flow of the downflow. As shown in FIG.
Part of the down flow from the filter fan unit (FFU) 22 is guided into the wafer transfer unit (TRS) 14a from the opening 95a and flows out from the window 94a toward the wafer transfer unit 5. .

【0024】このような構造とすることで、ウエハ搬送
部5から洗浄処理部3へのパーティクル等の侵入が防止
され、洗浄処理部3の清浄度が保持されるようになって
いる。また、ウエハ搬送部5に導かれたダウンフロー
は、イン・アウトポート4からウエハ搬送部5へのパー
ティクル等の侵入を防止して、ウエハ搬送部5の清浄度
保持にも効果を示す。こうして、洗浄処理装置1は全体
的にウエハWへのパーティクル等の付着が防止される構
造となっている。
With such a structure, intrusion of particles and the like from the wafer transfer section 5 to the cleaning section 3 is prevented, and the cleanliness of the cleaning section 3 is maintained. Further, the down flow guided to the wafer transfer unit 5 prevents particles or the like from entering the wafer transfer unit 5 from the in / out port 4 and has an effect of maintaining the cleanliness of the wafer transfer unit 5. Thus, the cleaning apparatus 1 has a structure in which particles and the like are prevented from adhering to the wafer W as a whole.

【0025】窓部94aや開口部95aは、シャッター
等により開閉自在に形成されていてもよいが、その場合
には、フィルターファンユニット(FFU)22の動作
中はウエハ受渡ユニット(TRS)14aが使用されい
るといないとにかかわらずに開口した状態としておくこ
とが好ましく、フィルターファンユニット(FFU)2
2の動作状態にかかわらず、中窓部94aや開口部95
aは常に開口した状態であってもよい。
The window 94a and the opening 95a may be formed to be openable and closable by a shutter or the like. In this case, the wafer transfer unit (TRS) 14a is operated while the filter fan unit (FFU) 22 is in operation. It is preferable to keep it open regardless of whether it is used or not, and a filter fan unit (FFU) 2
2, regardless of the operating state of the second window 94a and the opening 95
a may be always open.

【0026】ウエハ受渡ユニット(TRS)14aの底
面の所定位置には、上部に向かって突出したピン25が
設けられており、例えば、ウエハWを保持したウエハ搬
送機構13のウエハ保持アーム13aをピン25より上
方に挿入して、その後にウエハWがウエハ保持アーム1
3aから離れてピン25上に載置されるようにウエハ保
持アーム13aを降下させて引き戻すことで、ウエハW
がピン25上に載置される。なお、ピン25によってウ
エハWを載置する方法を用いた場合には、基本的に1ユ
ニットに1枚のウエハWを保持することとなるが、例え
ば、キャリアCにウエハWを収容するように、多段に配
設されたガイドにウエハWを保持するようにすると、1
ユニットに複数枚のウエハWを載置することが可能とな
る。
At a predetermined position on the bottom surface of the wafer transfer unit (TRS) 14a, a pin 25 protruding upward is provided. For example, the wafer holding arm 13a of the wafer transfer mechanism 13 holding the wafer W is 25, and then the wafer W is
By lowering and pulling back the wafer holding arm 13a so as to be placed on the pins 25 apart from the wafer 3a, the wafer W
Is placed on the pin 25. When the method of placing the wafer W by the pins 25 is used, one wafer W is basically held in one unit. For example, the wafer W is stored in the carrier C. When the wafer W is held by guides arranged in multiple stages,
A plurality of wafers W can be placed on the unit.

【0027】上下2段に配設されたウエハ受渡ユニット
(TRS)14aは、種々に使い分けをして用いること
が可能である。例えば、下段のウエハ受渡ユニット(T
RS)14aはウエハ搬送部5から洗浄処理部3へ搬送
される洗浄処理が行われていないウエハWのみが載置さ
れ、上段のウエハ受渡ユニット(TRS)14aは洗浄
処理部3からウエハ搬送部5へ搬送する洗浄処理済みの
ウエハWのみが載置されるように用いることができる。
この場合には、未処理のウエハWからピン25に付着し
たパーティクル等が、洗浄処理後のウエハWに再付着す
るといったウエハWの汚染が低減され、ウエハWが清浄
に保たれるようになる。
The wafer transfer units (TRS) 14a arranged in two upper and lower stages can be used in various ways. For example, the lower wafer transfer unit (T
RS) 14a is mounted with only the wafer W that has not been subjected to the cleaning process and is transferred from the wafer transfer unit 5 to the cleaning processing unit 3, and the upper wafer transfer unit (TRS) 14a is connected to the wafer transfer unit 3 from the cleaning processing unit 3. 5 can be used so that only the cleaned wafer W to be transported to the wafer 5 is placed.
In this case, contamination of the wafer W such that particles or the like adhering to the pins 25 from the unprocessed wafer W adhere to the wafer W after the cleaning process is reduced, and the wafer W is kept clean. .

【0028】また、全くランダムに洗浄処理の進行状況
に合わせて、ある時には2段ともに洗浄処理部3へ搬送
する未処理のウエハWを載置し、また別の時には2段と
もにウエハ搬送部5へ搬送する洗浄処理済みのウエハW
を載置するように用いることもできる。この場合にはス
ループットが向上し、生産性が高められる。
In some cases, unprocessed wafers W to be transported to the cleaning section 3 are placed in both stages at one time in accordance with the progress of the cleaning process. Wafer W that has been cleaned and transferred to
Can also be used. In this case, throughput is improved and productivity is improved.

【0029】次に、受渡/反転部14に配設されたウエ
ハ反転ユニット(RVS)14bについて説明する。図
3に示すように、ウエハ反転ユニット(RVS)14b
における主ウエハ搬送機構(PRA)15側の側面下部
には、主ウエハ搬送機構(PRA)15の主ウエハ搬送
アーム55〜57が挿入可能なように開口部95bが設
けられており、その側面上部にはフィルターファンユニ
ット(FFU)22からのダウンフローの一部を取り込
むための窓部95cが形成されている。ここで、ウエハ
反転ユニット(RVS)14bにおける主ウエハ搬送機
構(PRA)15側の側面は全体が開口した状態となっ
ていてもよい。また、洗浄処理部3とウエハ搬送部5と
の間には壁部93が設けられているが、壁部93におい
てウエハ反転ユニット(RVS)14bとウエハ搬送部
5との境界にあたる部分には窓部94bが形成されてい
る。
Next, the wafer reversing unit (RVS) 14b provided in the transfer / reversal unit 14 will be described. As shown in FIG. 3, the wafer reversing unit (RVS) 14b
An opening 95b is provided at a lower portion of the side surface on the side of the main wafer transfer mechanism (PRA) 15 so that the main wafer transfer arms 55 to 57 of the main wafer transfer mechanism (PRA) 15 can be inserted. Is formed with a window 95c for taking in a part of the down flow from the filter fan unit (FFU) 22. Here, the side surface of the wafer reversing unit (RVS) 14b on the side of the main wafer transfer mechanism (PRA) 15 may be entirely open. A wall 93 is provided between the cleaning unit 3 and the wafer transfer unit 5, and a window at a portion of the wall 93 corresponding to a boundary between the wafer reversing unit (RVS) 14 b and the wafer transfer unit 5. A portion 94b is formed.

【0030】従って、図4に示すように、前述したウエ
ハ受渡ユニット(TRS)14aの場合と同様に、フィ
ルターファンユニット(FFU)22からのダウンフロ
ーの一部は開口部95b・95cからウエハ反転ユニッ
ト(RVS)14b内に導かれ、窓部94bからウエハ
搬送部5に向けて流出する構造となっており、ウエハ搬
送部5から洗浄処理部3へのパーティクル等の侵入防止
を図り、洗浄処理部3の清浄度が保持され、ひいてはウ
エハ搬送部5の清浄度も保持されるようになっている。
Therefore, as shown in FIG. 4, as in the case of the wafer transfer unit (TRS) 14a, a part of the downflow from the filter fan unit (FFU) 22 is partially reversed from the openings 95b and 95c. It is guided into the unit (RVS) 14b and flows out of the window 94b toward the wafer transfer unit 5. The cleaning process is performed to prevent particles and the like from entering the cleaning unit 3 from the wafer transfer unit 5. The cleanliness of the section 3 is maintained, and thus the cleanliness of the wafer transfer section 5 is also maintained.

【0031】ウエハ反転ユニット(RVS)14bの概
略構造を図5の平面図と図6の側面図に示す。ウエハ反
転ユニット(RVS)14bは、後に詳細に説明する主
ウエハ搬送機構(PRA)15との間でウエハWの受け
渡しを行うウエハ中継部26と、ウエハ中継部26を昇
降させる昇降機構27と、ウエハ中継部26に保持され
たウエハWを把持して受け取り、回転により把持したウ
エハWを反転させ、再びウエハ中継部26にウエハWを
渡すウエハ反転機構28とを有している。
The schematic structure of the wafer reversing unit (RVS) 14b is shown in a plan view of FIG. 5 and a side view of FIG. The wafer reversing unit (RVS) 14b includes a wafer relay unit 26 for transferring a wafer W to and from a main wafer transfer mechanism (PRA) 15, which will be described later in detail, an elevating mechanism 27 for moving the wafer relay unit 26 up and down, It has a wafer reversing mechanism 28 that grips and receives the wafer W held by the wafer relay unit 26, turns the gripped wafer W by rotation, and transfers the wafer W to the wafer relay unit 26 again.

【0032】ウエハ中継部26は、図5・図6に示すよ
うに、略H型の支持台31と支持台31を水平に保持す
る2本の支持アーム32a・32bを有しており、支持
台31の端部4点には脚部31bが配設され、さらに、
脚部31b上に断面略L字型に形成された保持部材31
aが配設されている。保持部材31aは、その底部上に
ウエハWの周縁部が接し、垂直壁がウエハを保持した際
のガイドとなるように外側に位置しており、ウエハWを
保持することができるようになっている。
As shown in FIGS. 5 and 6, the wafer relay unit 26 has a substantially H-shaped support table 31 and two support arms 32a and 32b for horizontally holding the support table 31. Legs 31b are provided at four ends of the base 31, and furthermore,
Holding member 31 formed on leg 31b with a substantially L-shaped cross section
a is provided. The holding member 31a is located on the outside so that the peripheral edge of the wafer W contacts the bottom thereof and the vertical wall serves as a guide when holding the wafer, and can hold the wafer W. I have.

【0033】支持アーム32a・32bの基端部は昇降
機構27に取り付けられたブロック33に固定されてお
り、ブロック33はZ方向に伸縮するエアーシリンダ3
4と連結されて、エアーシリンダ34の昇降動作に従っ
て、Z方向に延在して設けられたガイド35に案内され
て昇降される。なお、昇降機構27はこのようなエアー
シリンダ34を用いた構造に限定されるものではなく、
モータ等の回転駆動機構を用いた回転をプーリーおよび
ベルト等を用いてブロック33に伝達することにより、
昇降動作を行う機構等を用いてもよい。
The base ends of the support arms 32a and 32b are fixed to a block 33 attached to the lifting mechanism 27, and the block 33 is an air cylinder 3 that expands and contracts in the Z direction.
4 and is guided by a guide 35 extending in the Z direction to move up and down in accordance with the elevating operation of the air cylinder 34. In addition, the lifting mechanism 27 is not limited to the structure using such an air cylinder 34,
By transmitting rotation using a rotation drive mechanism such as a motor to the block 33 using a pulley, a belt, and the like,
A mechanism for performing a lifting operation may be used.

【0034】ウエハ反転機構28は、X方向に開閉自在
に設けられた2本1組のウエハ把持アーム36a・36
bを有しており、その先端部には底部がウエハWの側面
に沿ったV溝を有する把持部材36cが配設されてい
る。ウエハ把持アーム36a・36bを閉脚させた際に
は、ウエハWの周縁部がV溝に挟持され、ウエハWは直
径方向においてウエハ把持アーム36a・36bに把持
される。なお、図6においては、水平方向でウエハWを
把持したウエハ把持アーム36a・36bを90°ほど
回転させて垂直に保持した状態が点線で示されている。
The wafer reversing mechanism 28 includes a pair of wafer gripping arms 36a and 36
The holding member 36c having a V-groove whose bottom is along the side surface of the wafer W is provided at the tip of the holding member 36c. When the wafer gripping arms 36a and 36b are closed, the peripheral portion of the wafer W is sandwiched by the V-grooves, and the wafer W is gripped by the wafer gripping arms 36a and 36b in the diameter direction. In FIG. 6, a dotted line shows a state in which the wafer gripping arms 36a and 36b that grip the wafer W in the horizontal direction are rotated by about 90 ° and held vertically.

【0035】図7(a)〜(c)は、ウエハ把持アーム
36a・36bのX方向開閉機構29を矢視方向を変え
て示した説明図である。図7(a)と図7(c)はとも
にZ方向矢視図であるが、図7(a)はウエハ反転ユニ
ット(RVS)14bの上方から下方へ、図7(b)は
下方から上方へ向けての矢視図である。
FIGS. 7A to 7C are explanatory views showing the X-direction opening / closing mechanism 29 of the wafer gripping arms 36a and 36b in different directions as viewed from the arrow. 7 (a) and 7 (c) are views as viewed in the direction of the arrow Z. FIG. 7 (a) shows the wafer reversing unit (RVS) 14b from above to below, and FIG. 7 (b) shows the view from below to above. It is an arrow view toward.

【0036】ウエハ把持アーム36a・36bの基端部
はガイドブロック37a・37bのZ−X端面に固定さ
れており、ガイドブロック37a・37bは、X方向に
延在して設けられたガイド38と嵌合しており、X方向
にスライド自在となっている。ガイドブロック37a
は、また、X方向に平行に配設されたプーリー49a・
49b間に架設された1本のワイヤ39のY方向上側
(図7(c))に固定され、一方、ガイドブロック37
bはワイヤ39のY方向下側(図7(c))に、それぞ
れ接続されている。さらに、ガイドブロック37aは、
X方向に伸縮自在なエアーシリンダ41の先端と固定さ
れている。なお、ワイヤ39を連結しているバネ42
は、ワイヤ39のテンションを一定に保つ機能を有す
る。
The base ends of the wafer gripping arms 36a and 36b are fixed to the ZX end faces of the guide blocks 37a and 37b, and the guide blocks 37a and 37b are provided with a guide 38 extending in the X direction. It is fitted and is slidable in the X direction. Guide block 37a
Is a pulley 49a arranged in parallel with the X direction.
49b, is fixed to the upper side in the Y direction (FIG. 7 (c)) of one wire 39 provided between the guide blocks 37.
“b” is connected to the lower side of the wire 39 in the Y direction (FIG. 7C). Further, the guide block 37a
It is fixed to the tip of an air cylinder 41 that can expand and contract in the X direction. The spring 42 connecting the wire 39
Has a function of keeping the tension of the wire 39 constant.

【0037】このような図7(a)〜(c)に示した構
造において、エアーシリンダ41をX方向右側に向けて
伸張させた場合、ガイドブロック37aは同じX方向右
側へ移動する。このとき、ガイドブロック37aはワイ
ヤ39のY方向上側にあった部分がX方向右側へ移動す
るようにワイヤ39を回転させるので、ワイヤ39のY
方向下側にあった部分はX方向左へ移動し、このような
ワイヤ39の動きに従って、ワイヤ39のY方向下側に
あった部分に取り付けられていたガイドブロック37b
はX方向左へ移動する。こうして、エアーシリンダ41
の伸張によりガイドブロック37a・37b間の距離が
開き、ウエハ把持アーム36a・36bが開脚するよう
に動作する。逆に、エアーシリンダ41の長さを縮めた
場合にはウエハ把持アーム36a・36bは閉脚するよ
うに動作する。
In the structure shown in FIGS. 7A to 7C, when the air cylinder 41 is extended rightward in the X direction, the guide block 37a moves rightward in the same X direction. At this time, the guide block 37a rotates the wire 39 so that the portion of the wire 39 located on the upper side in the Y direction moves rightward in the X direction.
The portion which was on the lower side in the direction moves to the left in the X direction, and the guide block 37b attached to the portion which was on the lower side in the Y direction of the wire 39 in accordance with such movement of the wire 39.
Moves left in the X direction. Thus, the air cylinder 41
As a result, the distance between the guide blocks 37a and 37b increases, and the wafer gripping arms 36a and 36b operate to open their legs. Conversely, when the length of the air cylinder 41 is reduced, the wafer gripping arms 36a and 36b operate to close their legs.

【0038】ウエハ把持アーム36a・36bとX方向
開閉機構29は回転駆動機構30によってY方向に平行
な回転軸44回りに180°反転できるようになってい
る。これにより、ウエハWの上下面の反転が行われる。
図5および図7に示されるように、X方向開閉機構29
のX方向端に突出して設けられた突起部43aは、この
X方向開閉機構29が反転した際にウエハWが水平に保
持されるように、ウエハ把持アーム36a・36bとX
方向開閉機構29の位置を制御するものであり、例え
ば、図5に示されるように、別体で配設された突起保持
部43bに当接して水平位置が定められる。
The wafer gripping arms 36a and 36b and the X-direction opening / closing mechanism 29 can be turned 180 ° around a rotation axis 44 parallel to the Y-direction by a rotation driving mechanism 30. Thereby, the upper and lower surfaces of the wafer W are inverted.
As shown in FIG. 5 and FIG.
The protruding portion 43a protruding from the X-direction end of the wafer holding arms 36a and 36b is provided with the wafer gripping arms 36a and 36b so that the wafer W is held horizontally when the X-direction opening / closing mechanism 29 is inverted.
The position of the direction opening / closing mechanism 29 is controlled. For example, as shown in FIG. 5, the horizontal position is determined by abutting on a separately provided projection holding portion 43b.

【0039】回転駆動機構30の構造としては、例え
ば、Y方向に平行かつY方向の一端がX方向開閉機構2
9に取り付けられた回転軸44と回転軸44に固定され
たプーリー44aならびに回転モータ45と回転モータ
45の回転軸に固定されたプーリー45aを有し、回転
モータ45の回転をプーリー45aとプーリー44aと
の間に架けられたベルト46を通じて回転軸44へ伝達
する構造を用いることができる。なお、回転駆動機構3
0において発生するパーティクルのウエハWへの付着を
防止するために、回転駆動機構30は壁部47により、
ウエハWが反転処理される空間と隔離されている。
As the structure of the rotary drive mechanism 30, for example, one end in the Y direction parallel to the Y direction is
9, a rotary shaft 44 and a pulley 44a fixed to the rotary shaft 44, and a rotary motor 45 and a pulley 45a fixed to the rotary shaft of the rotary motor 45, and the rotation of the rotary motor 45 is controlled by the pulley 45a and the pulley 44a. A structure for transmitting the rotation to the rotation shaft 44 through the belt 46 stretched between the rotation shaft 44 and the rotation shaft 44 can be used. The rotation drive mechanism 3
In order to prevent particles generated at 0 from adhering to the wafer W, the rotation driving mechanism 30 is
The wafer W is isolated from the space where the reversal processing is performed.

【0040】ウエハ反転ユニット(RVS)14bにお
いては、上述した構造により、例えば、裏面(ウエハW
において半導体デバイスが形成されない面をいうものと
する)の洗浄が終了したウエハWは、裏面が上面(ウエ
ハWを水平に保持した場合に上側となっている面をいう
ものとする)となっている状態で主ウエハ搬送機構(P
RA)15からウエハ反転ユニット(RVS)14b内
に挿入され、一旦、下方に位置された支持台31上の保
持部材31aに保持されるように移し替えられる。そし
て、ウエハWが載置された支持台31を昇降機構27に
より開脚状態で水平に保持されたウエハ把持アーム36
a・36bの位置まで上昇させてウエハ把持アーム36
a・36bを閉脚することにより、ウエハWはウエハ把
持アーム36a・36bに把持される。
In the wafer reversing unit (RVS) 14b, for example, the rear surface (wafer W)
Of the wafer W after the cleaning of the wafer W is completed, the back surface of the wafer W has an upper surface (refers to the upper surface when the wafer W is held horizontally). The main wafer transfer mechanism (P
RA) 15 is inserted into the wafer reversing unit (RVS) 14b, and is once transferred so as to be held by the holding member 31a on the support table 31 located below. Then, the support table 31 on which the wafer W is mounted is held horizontally by the elevating mechanism 27 in an open state by the lifting mechanism 27.
a to the position of the wafer gripping arm 36
By closing the legs a and 36b, the wafer W is gripped by the wafer gripping arms 36a and 36b.

【0041】次に、ウエハWを反転動作時にウエハ把持
アーム36a・36bが支持台31や保持部材31aに
衝突しないように支持台31を下方に待避させて、回転
駆動機構30を駆動してウエハWを180°反転させ
る。その後、ウエハWが180°反転した状態で再び支
持台31を上昇させてウエハ把持アーム36a・36b
を開脚することにより、ウエハWを支持台31に移し替
える。続いて、ウエハWが載置された支持台31を下方
へ降下させ、主ウエハ搬送機構(PRA)15にウエハ
Wを移し替えることにより、上下反転して表面(裏面に
対しウエハWにおいて半導体デバイスが形成される面を
いうものとする)が上面となったウエハWは、例えば、
スクラブ洗浄ユニット21a〜21dに搬送され、表面
の洗浄処理に供される。
Next, during the reversing operation of the wafer W, the support table 31 is retracted downward so that the wafer gripping arms 36a and 36b do not collide with the support table 31 and the holding member 31a, and the rotation drive mechanism 30 is driven to drive the wafer W. Invert W by 180 °. Thereafter, the support table 31 is raised again in a state where the wafer W is turned 180 °, and the wafer holding arms 36a and 36b
The wafer W is transferred to the support table 31 by opening the legs. Subsequently, the support table 31 on which the wafer W is mounted is lowered, and the wafer W is transferred to the main wafer transfer mechanism (PRA) 15 so that the wafer W is turned upside down. Is formed on the upper surface of the wafer W, for example,
It is transported to the scrub cleaning units 21a to 21d, and is subjected to a surface cleaning process.

【0042】洗浄処理装置1のように、上述したウエハ
反転ユニット(RVS)14bを2台配設した場合に
は、それぞれのウエハ反転ユニット(RVS)14bを
目的別に使い分けることができる。例えば、下段のウエ
ハ反転ユニット(RVS)14bは、後述するウエハ搬
送アーム55〜57によって表面が上面となって搬送さ
れてきたウエハWを裏面が上面となるように反転するた
めに用い、一方、上段のウエハ反転ユニット(RVS)
14bは、ウエハ搬送アーム55〜57によって裏面が
上面となって搬送されてきたウエハWを表面が上面とな
るように反転するために用いるものとすることができ
る。
When two wafer reversing units (RVS) 14b are provided as in the case of the cleaning apparatus 1, each of the wafer reversing units (RVS) 14b can be used for different purposes. For example, the lower wafer reversing unit (RVS) 14b is used for reversing the wafer W transported with the upper surface on the upper surface by the wafer transport arms 55 to 57 described later so that the lower surface on the upper surface. Upper stage wafer reversing unit (RVS)
14b can be used to invert the wafer W transported by the wafer transport arms 55 to 57 with the back surface facing upward so that the front surface is facing upward.

【0043】また、洗浄処理装置1には4台のスクラブ
洗浄ユニット(SCR)21a〜21dが配設されてい
るので、上段のウエハ反転ユニット(RVS)14bは
上段のスクラブ洗浄ユニット(SCR)21c・21d
での処理を終了したウエハWの反転処理について用い、
下段のウエハ反転ユニット(RVS)14bは下段のス
クラブ洗浄ユニット(SCR)21a・21bでの処理
を終了したウエハWの反転処理について用いるものとす
ることもできる。
Since four scrub cleaning units (SCR) 21a to 21d are provided in the cleaning apparatus 1, the upper wafer reversing unit (RVS) 14b is replaced with the upper scrub cleaning unit (SCR) 21c.・ 21d
Used for the reversal process of the wafer W that has finished the process in
The lower wafer reversing unit (RVS) 14b may be used for the reversal processing of the wafer W that has been processed by the lower scrub cleaning units (SCR) 21a and 21b.

【0044】さらに、全くランダムに洗浄処理の進行状
況に合わせて、つまり、全く未処理のウエハW、裏面の
みの洗浄が終了したウエハW、表面のみ洗浄が終了した
ウエハW、表裏両面の洗浄処理が終了したウエハWにつ
いて、次の処理が行える状態となるように空いているウ
エハ反転ユニット(RVS)14bへ逐次搬送して反転
処理させるように用いることもでき、後述する主ウエハ
搬送機構(PRA)15に設けられた主ウエハ搬送アー
ム55〜57は、このように予め定められて機械制御ユ
ニット(MB)19のコントローラにセット、記憶され
た処理レシピに従って、ウエハWを所定のウエハ反転ユ
ニット(RVS)14bに搬入し、または、所定のウエ
ハ反転ユニット(RVS)14bからウエハWを搬出す
るように制御される。
Further, in accordance with the progress of the cleaning process at all at random, that is, a completely unprocessed wafer W, a wafer W for which only the back surface has been cleaned, a wafer W for which only the front surface has been cleaned, and a cleaning process for both the front and back surfaces. Can be used to sequentially transfer the wafer W to the vacant wafer reversing unit (RVS) 14b so that the next processing can be performed, and perform the reversing process. The main wafer transfer arms 55 to 57 provided on the 15) are set in the controller of the machine control unit (MB) 19 determined in advance as described above, and transfer the wafer W to a predetermined wafer reversing unit ( RVS) 14b, or is controlled to carry out the wafer W from a predetermined wafer reversing unit (RVS) 14b. .

【0045】なお、上述したウエハ反転ユニット(RV
S)14bには、ウエハWの状態、例えば、ウエハWが
正確な位置において支持台31上に載置されているか、
また、確実にウエハ把持アーム36a・36bに把持さ
れているか、等を検知する光学センサ等のセンサ48を
設けて、ウエハWの移動が確実に行われているかどうか
を監視することが好ましい。これによりウエハWの反転
動作時のウエハWの落下、破損等が防止される。
The above-described wafer reversing unit (RV
S) The state of the wafer W, for example, whether the wafer W is placed on the support table 31 at an accurate position,
Further, it is preferable to provide a sensor 48 such as an optical sensor for detecting whether the wafer W is securely gripped by the wafer gripping arms 36a and 36b, and to monitor whether the movement of the wafer W is surely performed. This prevents the wafer W from being dropped or damaged during the reversing operation of the wafer W.

【0046】次に、主ウエハ搬送機構(PRA)15の
構造について説明する。主ウエハ搬送機構(PRA)1
5は、Z方向に延在し、垂直壁51a・51bおよびこ
れらの間の側面開口部51cを有する筒状支持体51
と、その内側に筒状支持体51に沿ってZ方向に昇降自
在に設けられたウエハ搬送体52とを有している。筒状
支持体51はモータ53の回転駆動力によって回転可能
となっており、それに伴ってウエハ搬送体52も一体的
に回転されるようになっている。
Next, the structure of the main wafer transfer mechanism (PRA) 15 will be described. Main wafer transfer mechanism (PRA) 1
5 is a cylindrical support 51 extending in the Z direction and having vertical walls 51a and 51b and side openings 51c therebetween.
And a wafer carrier 52 provided inside the cylindrical carrier 51 so as to be able to move up and down in the Z direction along the cylindrical support 51. The cylindrical support 51 is rotatable by the rotational driving force of a motor 53, and accordingly, the wafer carrier 52 is also integrally rotated.

【0047】ウエハ搬送体52は、搬送基台54と、搬
送基台54に沿って前後に移動可能な3本の主ウエハ搬
送アーム55・56・57とを備えており、主ウエハ搬
送アーム55〜57は、筒状支持体51の側面開口部5
1cを通過可能な大きさを有している。これら主ウエハ
搬送アーム55〜57は、搬送基台54内に内蔵された
モータおよびベルト機構によりそれぞれ独立して進退移
動することが可能となっている。ウエハ搬送体52は、
モータ58によってベルト59を駆動させることにより
昇降するようになっている。なお、符号60は駆動プー
リー、61は従動プーリーである。
The wafer transfer body 52 includes a transfer base 54 and three main wafer transfer arms 55, 56 and 57 movable back and forth along the transfer base 54. 57 are the side openings 5 of the cylindrical support 51.
1c. The main wafer transfer arms 55 to 57 can be independently advanced and retracted by a motor and a belt mechanism built in the transfer base 54. The wafer carrier 52 is
The belt 59 is moved up and down by driving a belt 59 by a motor 58. Reference numeral 60 denotes a driving pulley, and 61 denotes a driven pulley.

【0048】図3に示すように、主ウエハ搬送機構(P
RA)15を挟んで、受渡/反転部14の反対側には加
熱/冷却部(HP/COL)16が設けられている。加
熱/冷却部(HP/COL)16には、強制冷却を行う
冷却ユニット(COL)16bが1台配設され、その上
に強制加熱/自然冷却を行うホットプレートユニット
(HP)16aが3台積み重ねられて配設されている。
これら各ユニットの主ウエハ搬送機構(PRA)15側
には、主ウエハ搬送アーム55〜57の挿入退出が可能
なように開閉窓部96が形成されている。
As shown in FIG. 3, the main wafer transfer mechanism (P
A heating / cooling unit (HP / COL) 16 is provided on the opposite side of the delivery / reversal unit 14 with the RA) 15 interposed therebetween. The heating / cooling unit (HP / COL) 16 is provided with one cooling unit (COL) 16b for performing forced cooling, and three hot plate units (HP) 16a for performing forced heating / natural cooling thereon. They are arranged in a stack.
An opening / closing window 96 is formed on the main wafer transfer mechanism (PRA) 15 side of each of these units so that the main wafer transfer arms 55 to 57 can be inserted and withdrawn.

【0049】冷却ユニット(COL)16bは、例え
ば、上面に近接してウエハWを保持するための複数のピ
ン62aが突出して設けられた載置テーブル62に、下
方から窒素ガス等の冷却ガスを噴射して載置テーブル6
2を冷却することでウエハWを均一に冷却することがで
きる構造のものを用いることができる。一方、加熱ユニ
ット(HP)16aは、ヒータ63aを内蔵して所定温
度に保持されたホットプレート63の上面に近接してウ
エハWを保持することで、ウエハWを均一に加熱するこ
とができるものが好適に用いられる。加熱/冷却部(H
P/COL)16は、スクラブ洗浄後の表面または裏面
が完全には乾燥していない状態のウエハWの乾燥処理に
主に用いられる。
The cooling unit (COL) 16b supplies a cooling gas such as nitrogen gas from below to a mounting table 62 provided with a plurality of pins 62a for holding the wafer W protruding in proximity to the upper surface. Spray and place table 6
2 can be used to cool the wafer W uniformly by cooling it. On the other hand, the heating unit (HP) 16a has a built-in heater 63a, and can hold the wafer W close to the upper surface of the hot plate 63 held at a predetermined temperature, thereby uniformly heating the wafer W. Is preferably used. Heating / cooling unit (H
The P / COL (P / COL) 16 is mainly used for drying the wafer W in a state where the front or back surface after scrub cleaning is not completely dried.

【0050】続いてスクラブ洗浄ユニット(SCR)2
1a〜21dについて説明する。図1、2に示されるよ
うに、洗浄処理装置1においては、上下2段に積み重ね
て配設され、各段に2台ずつ計4台のスクラブ洗浄ユニ
ット(SCR)21a〜21dが配設されている。
Subsequently, a scrub cleaning unit (SCR) 2
1a to 21d will be described. As shown in FIGS. 1 and 2, in the cleaning apparatus 1, four scrub cleaning units (SCRs) 21a to 21d are arranged in two vertically stacked stages, two in each stage. ing.

【0051】スクラブ洗浄ユニット(SCR)21a〜
21dは、主ウエハ搬送機構(PRA)15の主ウエハ
搬送アーム55〜57が挿入退出可能なように、ウエハ
搬送部5側に配置されているスクラブ洗浄ユニット(S
CR)21bと同段隣に配設されているスクラブ洗浄ユ
ニット(SCR)21aとでは、これらの境界壁97a
(後述するシンク68の1側面)について対称な構造と
なっており、スクラブ洗浄ユニット(SCR)21cと
同段隣のスクラブ洗浄ユニット(SCR)21dについ
ても境界壁97bについて対称な構造となっている。
Scrub cleaning unit (SCR) 21a-
Reference numeral 21d denotes a scrub cleaning unit (S) disposed on the wafer transfer unit 5 side so that the main wafer transfer arms 55 to 57 of the main wafer transfer mechanism (PRA) 15 can be inserted and withdrawn.
CR) 21b and the scrub cleaning unit (SCR) 21a arranged next to the same stage, these boundary walls 97a
(One side surface of the sink 68 described later) is symmetrical, and the scrub cleaning unit (SCR) 21c adjacent to the same stage as the scrub cleaning unit (SCR) 21c is also symmetrical about the boundary wall 97b. .

【0052】つまり、後に詳細に図8・図9に示すよう
に、スクラブ洗浄ユニット(SCR)21a〜21dに
おいて主ウエハ搬送アーム55〜57との間でウエハW
の受け渡しを行い、またウエハWを略水平に保持するス
ピンチャック71は、全てのスクラブ洗浄ユニット(S
CR)21a〜21dにおいて主ウエハ搬送機構(PR
A)15に近接した位置に設けられ、スピンチャック7
1上に保持されたウエハWの上面にブラシ76a・76
bが当接するように駆動されるブラシ保持アーム77a
・77bの待避位置は、主ウエハ搬送機構(PRA)1
5から離れた位置に設けられる。こうして、スクラブ洗
浄ユニット(SCR)21a・21bはその境界である
壁面97aについて互いに対称な構造を有し、スクラブ
洗浄ユニット(SCR)21c・21dはその境界であ
る壁面97bについて互いに対称な構造を有する(図1
参照)。
In other words, as shown in detail in FIGS. 8 and 9, the scrub cleaning units (SCR) 21a to 21d communicate with the wafer W between the main wafer transfer arms 55 to 57.
And the spin chuck 71 that holds the wafer W substantially horizontally is provided in all the scrub cleaning units (S
CR) 21a to 21d and a main wafer transfer mechanism (PR)
A) The spin chuck 7 is provided at a position close to 15.
Brushes 76a and 76a on the upper surface of the wafer W held on
b, a brush holding arm 77a driven to abut
The retract position of 77b is the main wafer transfer mechanism (PRA) 1
5 is provided at a position distant from 5. Thus, the scrub cleaning units (SCR) 21a and 21b have a symmetrical structure with respect to the boundary wall surface 97a, and the scrub cleaning units (SCR) 21c and 21d have a symmetrical structure with respect to the boundary wall surface 97b. (Figure 1
reference).

【0053】これらスクラブ洗浄ユニット(SCR)2
1a〜21dの用い方としては、同ウエハWの表裏面を
考慮せずに、ランダムに空いているユニットへ逐次ウエ
ハWを搬送して洗浄処理を始めるような処理レシピに従
って用いる方法が挙げられるが、ここで、上段に設けら
れたスクラブ洗浄ユニット(SCR)21c・21d
は、直上に設けられたフィルターファンユニット(FF
U)22から直接に清浄な空気を取り込むことができ、
内部のクリーン度を高く保つことが可能であるのに対
し、下段に設けられたスクラブ洗浄ユニット(SCR)
21a・21bについては、洗浄処理装置1の壁面を利
用して配管を設ける等してフィルターファンユニット
(FFU)22から内部に清浄な空気を引き込む必要が
あるため、通常、下段に設けられたスクラブ洗浄ユニッ
ト(SCR)21a・21bのクリーン度は上段に設け
られたスクラブ洗浄ユニット(SCR)21c・21d
ほどは高くはならないと考えられる。
The scrub cleaning unit (SCR) 2
As a method of using 1a to 21d, a method is used in which a cleaning process is started by sequentially transporting wafers W to randomly vacant units without considering the front and back surfaces of the wafer W and starting a cleaning process. Here, the scrub cleaning units (SCR) 21c and 21d provided in the upper stage
Is the filter fan unit (FF
U) can take in clean air directly from 22;
While it is possible to maintain a high degree of internal cleanliness, the scrub cleaning unit (SCR) provided at the lower stage
Regarding 21a and 21b, since it is necessary to draw clean air into the inside from the filter fan unit (FFU) 22 by providing piping using the wall surface of the cleaning apparatus 1, the scrub provided in the lower stage is usually used. The cleanliness of the cleaning units (SCR) 21a and 21b is determined by the scrub cleaning units (SCR) 21c and 21d provided in the upper stage.
It is not expected to be as high.

【0054】そこで、洗浄処理装置1においては、より
清浄度の高い環境での処理が好ましいウエハWの表面の
洗浄を上段に設けられたスクラブ洗浄ユニット(SC
R)21c・21dで行い、下段に設けられたスクラブ
洗浄ユニット(SCR)21a・21bを用いてウエハ
Wの裏面の洗浄を行うように、用途を区別して用いるこ
とが好ましい。なお、下段のスクラブ洗浄ユニット(S
CR)21a・21bの上部にフィルターユニットを設
けて、フィルターファンユニット(FFU)22から配
管を通じて供給された空気は、このフィルターユニット
により濾過されてスクラブ洗浄ユニット(SCR)21
a・21b内に供給されるように構成すると、スクラブ
洗浄ユニット(SCR)21a・21b内のクリーン度
が高く保たれ、好ましい。
Therefore, in the cleaning apparatus 1, the scrub cleaning unit (SC) provided on the upper stage performs cleaning of the surface of the wafer W, which is preferably processed in an environment with higher cleanliness.
R) It is preferable to use differently for different purposes such that the cleaning is performed in 21c and 21d, and the back surface of the wafer W is cleaned using the scrub cleaning units (SCR) 21a and 21b provided in the lower stage. The lower scrub cleaning unit (S
A filter unit is provided above the CR) 21a and 21b, and air supplied from a filter fan unit (FFU) 22 through a pipe is filtered by the filter unit and the scrub cleaning unit (SCR) 21 is provided.
If it is configured to be supplied into the a.21b, the cleanliness in the scrub cleaning units (SCR) 21a and 21b is preferably kept high.

【0055】この場合、裏面洗浄用のスクラブ洗浄ユニ
ット(SCR)21a・21bにおいては、ウエハWを
スピンチャック71上に水平に保持した場合には表面が
下面(ウエハWを水平に保持した場合に下側となってい
る面をいうものとする)となっているので、ウエハWの
表面にスピンチャック71に保持された場合の痕跡が残
らないように、スピンチャック71としては、機械的に
ウエハWの周縁部を保持する機構を有するものを用いる
ことが好ましい。
In this case, in the scrub cleaning units (SCR) 21a and 21b for back surface cleaning, when the wafer W is horizontally held on the spin chuck 71, the front surface is lower (when the wafer W is horizontally held). The lower surface of the wafer W is mechanically controlled so that no trace is left on the surface of the wafer W when it is held by the spin chuck 71. It is preferable to use one having a mechanism for holding the peripheral portion of W.

【0056】一方、表面洗浄用のスクラブ洗浄ユニット
(SCR)21c・21dにおいては、ウエハWをスピ
ンチャック71上に略水平に保持した場合には裏面が下
面となっているので、例えば、スピンチャック71とし
て真空吸着によりウエハWを保持する機構を有するもの
を用いることができる。
On the other hand, in the scrub cleaning units (SCR) 21c and 21d for cleaning the front surface, when the wafer W is held substantially horizontally on the spin chuck 71, the back surface is the lower surface. As the component 71, a component having a mechanism for holding the wafer W by vacuum suction can be used.

【0057】上述したように、スクラブ洗浄ユニット
(SCR)21a〜21dを、ウエハWの裏面洗浄用と
表面洗浄用とに分けて用いた場合には、スピンチャック
71の構造は異なっても、その他の部品構成等は同じで
あることから、以下、裏面洗浄用のスクラブ洗浄ユニッ
ト(SCR)21aを例としてその構造について説明す
る。
As described above, when the scrub cleaning units (SCR) 21a to 21d are separately used for cleaning the back surface of the wafer W and for cleaning the front surface of the wafer W, the structure of the spin chuck 71 is different. Since the parts configuration and the like are the same, the structure of the scrub cleaning unit (SCR) 21a for back surface cleaning will be described below as an example.

【0058】図8はスクラブ洗浄ユニット(SCR)2
1cの概略構造を示す平面図、図9はその断面図であ
る。スクラブ洗浄ユニット(SCR)21aの各部材は
シンク68内に配設されており、シンク68の主ウエハ
搬送機構(PRA)15との境界部分には開閉窓69が
配設されており、開閉窓69を通して主ウエハ搬送アー
ム55〜57が進退出する。このため、ウエハWを保持
するスピンチャック71は、主ウエハ搬送機構(PR
A)15に近い位置に配設されている。
FIG. 8 shows a scrub cleaning unit (SCR) 2
FIG. 9 is a plan view showing a schematic structure of 1c, and FIG. 9 is a sectional view thereof. Each member of the scrub cleaning unit (SCR) 21a is provided in the sink 68, and an opening / closing window 69 is provided at a boundary portion of the sink 68 with the main wafer transfer mechanism (PRA) 15, and an opening / closing window 69 is provided. The main wafer transfer arms 55 to 57 advance and retreat through 69. For this reason, the spin chuck 71 that holds the wafer W uses the main wafer transfer mechanism (PR).
A) It is arranged at a position close to 15.

【0059】スピンチャック71は、主に、チャックプ
レート71aとチャックプレート71aを支持する支持
柱71b、支持柱71bを回転させる回転駆動機構71
cから構成されている。チャックプレート71aの表面
には、例えば、図示しない支持ピンが複数個ほど適所に
配設されており、このウエハWはこの支持ピンの頂点に
接して載置される。
The spin chuck 71 mainly includes a chuck plate 71a, a support column 71b for supporting the chuck plate 71a, and a rotation driving mechanism 71 for rotating the support column 71b.
c. On the surface of the chuck plate 71a, for example, a plurality of support pins (not shown) are provided at appropriate positions, and the wafer W is placed in contact with the apex of the support pins.

【0060】また、チャックプレート71aの周縁の3
箇所には、ウエハWの脱着機構71dが配設されてい
る。ここで、図9の左側には脱着機構71dがウエハW
を保持した状態が示されており、図9の右側には脱着機
構71dがウエハWを保持していない状態が示されてい
る。昇降機構72により昇降自在な1枚の連結テーブル
72a上には脱着機構71dの配設位置に従って3箇所
に当接治具72bが配設されており、昇降機構72を上
昇させると3箇所に配設された当接治具72bは、同時
に脱着機構71dの内周端をそれぞれチャックプレート
71aの裏面に押し付け、これにより、脱着機構71d
の外周端が外側下方へ傾いてウエハWの保持状態が解除
されるようになっている。反対に昇降機構72を降下さ
せ、当接治具72bが脱着機構71dから離隔すると、
脱着機構71dの外周端は内側上方に傾いて、自然にウ
エハWが脱着機構71dに保持される。
Further, the peripheral edge of the chuck plate 71a
A detachment mechanism 71d for the wafer W is provided at the location. Here, on the left side of FIG.
9 is shown, and the right side of FIG. 9 shows a state where the detachment mechanism 71d does not hold the wafer W. Contact jigs 72b are arranged at three places on one connection table 72a which can be moved up and down by the elevating mechanism 72 in accordance with the arrangement position of the detachable mechanism 71d. When the elevating mechanism 72 is raised, it is arranged at three places. The provided contact jig 72b simultaneously presses the inner peripheral end of the detachment mechanism 71d against the back surface of the chuck plate 71a, and thereby the detachment mechanism 71d
Is tilted outward and downward so that the holding state of the wafer W is released. Conversely, when the elevating mechanism 72 is lowered and the contact jig 72b is separated from the detaching mechanism 71d,
The outer peripheral end of the detachment mechanism 71d is inclined inward and upward, and the wafer W is naturally held by the detachment mechanism 71d.

【0061】チャックプレート71aの周囲を囲繞する
ように配設されたカップ73は、昇降機構74により昇
降自在となっている。図9では下段位置および上段位置
が同時に示されており、ウエハWの搬入出時にはカップ
73は下段位置に保持され、洗浄処理中は、上段位置に
保持されてウエハWの外周から外部へ飛散する洗浄液を
カップ73の内周下方へ導かれる。なお、カップ73に
は上下2箇所にテーパー部73aが形成されており、洗
浄液が外部へ飛散し難い構造となっている。また、カッ
プ73の内周側底部にはドレイン75が形成されてお
り、カップ73内の排気および洗浄液の排出が行われる
ようになっている。
The cup 73 disposed so as to surround the periphery of the chuck plate 71a can be moved up and down by an elevating mechanism 74. FIG. 9 shows the lower position and the upper position at the same time. The cup 73 is held at the lower position when the wafer W is loaded and unloaded, and is held at the upper position during the cleaning process and scatters from the outer periphery of the wafer W to the outside. The cleaning liquid is guided downward inside the cup 73. The cup 73 is formed with two tapered portions 73a at upper and lower portions, so that the cleaning liquid is hardly scattered to the outside. Further, a drain 75 is formed at the inner peripheral bottom of the cup 73 so that the inside of the cup 73 is exhausted and the cleaning liquid is exhausted.

【0062】スクラブ洗浄ユニット(SCR)21aに
は、ウエハWの上面に当接してスクラブ洗浄を行う2本
のブラシ76a・76bが配設されている。ブラシ76
a・76bはそれぞれブラシ保持アーム77a・77b
の先端に保持されており、ブラシ保持アーム77a・7
7bの先端に配設された図示しない回転駆動機構によ
り、Z方向に平行な回転軸78a・78b回りに回転自
在に構成されている。図8では、2本のブラシ保持アー
ム77a・77bがカップ73外の待避位置にある状態
が示されており、ブラシ76a・76bは待避位置にお
いて、ブラシバス67上に位置し、ブラシバス67にブ
ラシ76a・76bから垂れ落ちる洗浄液が捕集され
る。
The scrub cleaning unit (SCR) 21a is provided with two brushes 76a and 76b for performing scrub cleaning by contacting the upper surface of the wafer W. Brush 76
a and 76b are brush holding arms 77a and 77b, respectively.
Of the brush holding arm 77a.
A rotary drive mechanism (not shown) provided at the end of the rotary shaft 7b is configured to be rotatable around rotary shafts 78a and 78b parallel to the Z direction. FIG. 8 shows a state in which the two brush holding arms 77a and 77b are in the retracted position outside the cup 73, and the brushes 76a and 76b are located on the brush bus 67 in the retracted position. The cleaning liquid dripping from the brushes 76a and 76b is collected.

【0063】なお、ブラシ保持アーム77a・77bの
先端には、ブラシ76a・76bに所定の洗浄液を供給
する洗浄液供給ノズル(図示せず)が設けられており、
ブラシ76a・76bを用いたスクラブ洗浄中にはブラ
シ76a・76bに所定量の洗浄液が供給されるように
なっている。
A cleaning liquid supply nozzle (not shown) for supplying a predetermined cleaning liquid to the brushes 76a and 76b is provided at the tips of the brush holding arms 77a and 77b.
During scrub cleaning using the brushes 76a and 76b, a predetermined amount of cleaning liquid is supplied to the brushes 76a and 76b.

【0064】ブラシ保持アーム77aの基端部は駆動機
構79aと連結され、駆動機構79aによりガイド81
aに沿ってX方向に平行にスライド自在となっており、
ブラシ保持アーム77bの基端部は駆動機構79bと連
結され、駆動機構79bによりガイド81bに沿ってX
方向に平行にスライド自在となっている。このように、
スクラブ洗浄ユニット(SCR)21aでは、2本のブ
ラシ保持アーム77a・77bは独立して駆動すること
が可能となっている。また、これらの駆動機構79a・
79bはブラシ保持アーム77a・77bをZ方向に上
下させる昇降機構をも兼ね備え、この昇降機構によりブ
ラシ76a・76bの高さ調節を行うことができるよう
になっている。なお、ブラシ76a・76bが配設され
ているブラシ保持アーム77a・77bの先端部分にブ
ラシ76a・76bをZ方向に昇降させる機構を設ける
ことも可能である。
The base end of the brush holding arm 77a is connected to a drive mechanism 79a, and the guide 81 is driven by the drive mechanism 79a.
It is slidable parallel to the X direction along a,
The base end of the brush holding arm 77b is connected to the drive mechanism 79b, and the drive mechanism 79b moves the guide X along the guide 81b.
It is slidable parallel to the direction. in this way,
In the scrub cleaning unit (SCR) 21a, the two brush holding arms 77a and 77b can be driven independently. In addition, these drive mechanisms 79a.
79b also has a lifting mechanism for raising and lowering the brush holding arms 77a and 77b in the Z direction, and the height of the brushes 76a and 76b can be adjusted by the lifting mechanism. It is also possible to provide a mechanism for raising and lowering the brushes 76a and 76b in the Z direction at the end portions of the brush holding arms 77a and 77b on which the brushes 76a and 76b are provided.

【0065】こうしてスクラブ洗浄ユニット(SCR)
21aにおいては、例えば、スピンチャック71を回転
させた状態で、カップ73の外側近傍に配設されたリン
スノズル86a・86bからウエハWの表面の所定位置
に洗浄液を供給してウエハW上に均一な液膜を形成しつ
つ、2本のブラシ保持アーム77a・77bを同時に駆
動してブラシ76a・76bをウエハWの異なる位置に
当接させながらX方向にスキャンさせて洗浄処理を行う
ことができ、この場合には、1枚のウエハWの洗浄処理
時間を短縮することが可能となる。
Thus, the scrub cleaning unit (SCR)
In 21a, for example, while the spin chuck 71 is rotated, the cleaning liquid is supplied to a predetermined position on the surface of the wafer W from the rinsing nozzles 86a and 86b disposed near the outside of the cup 73 to uniformly spread the cleaning liquid on the wafer W. The cleaning process can be performed by simultaneously driving the two brush holding arms 77a and 77b and scanning the brushes 76a and 76b in different directions on the wafer W while scanning the wafer W while forming a liquid film. In this case, it is possible to reduce the cleaning processing time for one wafer W.

【0066】また、例えば、ブラシ76a・76bのウ
エハWと当接する部分の材質を異なるものとして、一方
を粗洗浄用、他方を仕上げ用として用いて、より精密な
洗浄を行うこともできる。さらに、一方のブラシを他方
のブラシが故障等やブラシの摩耗等により使用に不適と
なった場合に対処するための予備ブラシとして用いるこ
とも可能である。
Further, for example, the materials of the portions of the brushes 76a and 76b that come into contact with the wafer W may be different, and one of the brushes 76a and 76b may be used for rough cleaning, and the other may be used for finishing to perform more precise cleaning. Further, it is also possible to use one brush as a spare brush for dealing with a case where the other brush becomes unusable due to a failure or abrasion of the brush.

【0067】なお、図8に示すように、シンク68は壁
部98によって、カップ73が配設された洗浄処理室8
2aと、ブラシ保持アーム77a・77bの駆動機構7
9a・79bが配設された駆動機構配設室82bとに仕
切られており、ブラシ保持アーム77a・77bは、こ
の壁部98に設けられた図示しない窓部を通してその先
端側が洗浄処理室82aに位置するように配設されてい
る。この窓部は、ブラシ保持アーム77a・77bのZ
方向での昇降とX方向でのスキャンに支障がないように
Z方向に所定幅を有し、X方向に延在して設けられてい
る。
As shown in FIG. 8, the sink 68 is divided by a wall 98 into a cleaning processing chamber 8 in which a cup 73 is disposed.
2a and drive mechanism 7 for brush holding arms 77a and 77b
The brush holding arms 77a and 77b are separated from a drive mechanism installation chamber 82b in which the brush holding arms 9a and 79b are disposed. It is arranged to be located. This window is provided with the Z of the brush holding arms 77a and 77b.
It has a predetermined width in the Z direction and extends in the X direction so as not to hinder vertical movement in the direction and scanning in the X direction.

【0068】このようにシンク68内を洗浄処理室82
aと駆動機構配設室82bとに分割することにより、駆
動機構79a・79bで発生することが予想されるパー
ティクル等のスクラブ洗浄ユニット(SCR)21a内
での拡散を防止して、ウエハWに付着することを回避す
ることができる。また、カップ73外へ飛散する洗浄液
があった場合に、このような洗浄液が駆動機構79a・
79bに付着して、駆動機構79a・79bに動作障害
を生じさせるといった問題が回避される。
As described above, the interior of the sink 68 is
a and the drive mechanism installation chamber 82b, the diffusion of particles and the like expected to be generated in the drive mechanisms 79a and 79b in the scrub cleaning unit (SCR) 21a is prevented, and the wafer W Adherence can be avoided. Further, when there is a cleaning liquid scattered outside the cup 73, such a cleaning liquid is supplied to the driving mechanism 79a.
The problem of causing the drive mechanisms 79a and 79b to malfunction due to adhesion to the drive mechanism 79b is avoided.

【0069】スクラブ洗浄ユニット(SCR)21aに
は、ブラシ76a・76bを用いたスクラブ洗浄の他
に、高速ジェット洗浄水または超音波を印加した洗浄水
による洗浄処理を行うための洗浄液吐出ノズル83が配
設されている。この洗浄液吐出ノズル83は、ガイド8
1aに沿って駆動機構79cによりX方向にスキャン可
能であり、かつ、Z方向に昇降可能であるノズル保持ア
ーム84の先端に取り付けられている。また、洗浄液吐
出ノズル83は高さ/方向調節機構85により、Z方向
高さおよびリンス液の吐出角度を変えることが可能とな
っている。このように、スクラブ洗浄ユニット(SC
R)21aには、異なる洗浄手段が配設されているの
で、ウエハWの種類に応じていずれか一方のみを用いた
洗浄処理を行ってもよく、また、両方の洗浄手段を前後
して用いる洗浄処理を行うことも可能である。
The scrub cleaning unit (SCR) 21a includes a cleaning liquid discharge nozzle 83 for performing cleaning processing using high-speed jet cleaning water or cleaning water to which ultrasonic waves have been applied, in addition to scrub cleaning using the brushes 76a and 76b. It is arranged. The cleaning liquid discharge nozzle 83 is
It is attached to the tip of a nozzle holding arm 84 that can be scanned in the X direction by the driving mechanism 79c along the direction 1a and can be moved up and down in the Z direction. The height / direction adjusting mechanism 85 of the cleaning liquid discharge nozzle 83 can change the height in the Z direction and the discharge angle of the rinse liquid. Thus, the scrub cleaning unit (SC
Since different cleaning means are provided in the R) 21a, a cleaning process using only one of them may be performed according to the type of the wafer W, and both cleaning means are used before and after. A cleaning process can be performed.

【0070】なお、駆動機構79cは駆動機構配設室8
2bに配設され、ノズル保持アーム84は、ブラシ保持
アーム77a・77bと同様に壁部98に設けられた図
示しない前記窓部を通してその先端側が洗浄処理室82
aに位置するように設けられている。こうして、駆動機
構79cで発生するパーティクルが洗浄処理室82aに
飛散することが防止され、一方、カップ73から洗浄液
が駆動機構配設室82bに飛散して駆動機構79cに付
着し、駆動機構79cの動作不良を生じさせるといった
問題が回避される。
The drive mechanism 79c is provided in the drive mechanism installation room 8
The nozzle holding arm 84 is disposed in the cleaning processing chamber 82 through the not-shown window provided on the wall 98 similarly to the brush holding arms 77a and 77b.
a. In this way, particles generated by the drive mechanism 79c are prevented from scattering into the cleaning processing chamber 82a, while the cleaning liquid from the cup 73 scatters into the drive mechanism installation chamber 82b and adheres to the drive mechanism 79c, and the cleaning mechanism 79c The problem of causing a malfunction is avoided.

【0071】次に、上述した洗浄処理装置1におけるウ
エハWの洗浄処理工程について、洗浄処理の順序として
ウエハWの表面の洗浄を行った後に裏面の洗浄を行うこ
ととする処理レシピに従った場合について説明する。こ
こで、前提として、2台配設されたウエハ受渡ユニット
(TRS)14aのうち、下段をウエハ搬送部5から洗
浄処理部3へのウエハWの搬送用として用い、上段を洗
浄処理部3からウエハ搬送部5への搬送用として用いる
こととする。
Next, the cleaning process of the wafer W in the above-described cleaning apparatus 1 is performed according to a processing recipe in which the front surface of the wafer W is cleaned and then the back surface is cleaned in the order of the cleaning process. Will be described. Here, as a premise, of the two wafer transfer units (TRS) 14a provided, the lower stage is used for transporting the wafer W from the wafer transport unit 5 to the cleaning processing unit 3, and the upper stage is transmitted from the cleaning processing unit 3. It is used for transfer to the wafer transfer section 5.

【0072】また、2台配設されたウエハ反転ユニット
(RVS)14bのうち、下段をウエハWの表面が上面
である状態から裏面が上面となる状態にウエハWを反転
させることに用い、上段をウエハWの裏面が上面である
状態から表面が上面となる状態にウエハWを反転させる
ことに用いることとする。
Further, of the two wafer reversing units (RVS) 14b provided, the lower stage is used for reversing the wafer W from the state where the front surface of the wafer W is the upper surface to the state where the rear surface is the upper surface. Is used to invert the wafer W from the state where the back surface of the wafer W is the upper surface to the state where the front surface is the upper surface.

【0073】さらに、4台配設されたスクラブ洗浄ユニ
ット(SCR)21a〜21dのうち、下段に配設され
たスクラブ洗浄ユニット(SCR)21a・21bをウ
エハWの裏面洗浄用として用い、上段に配設されたスク
ラブ洗浄ユニット(SCR)21c・21dをウエハW
の表面洗浄用として用いることとする。主ウエハ搬送機
構(PRA)15の主ウエハ搬送アーム55〜57は、
機械制御ユニット(MB)19のコントローラに予めセ
ット、記憶された処理レシピに従って動作するように制
御され、上述のように処理内容が割り付けされた各ユニ
ット間におけるウエハWの搬送を行う。
Further, among the four scrub cleaning units (SCR) 21a to 21d, the lower scrub cleaning units (SCR) 21a and 21b are used for cleaning the back surface of the wafer W, and The scrub cleaning units (SCR) 21c and 21d provided
Shall be used for surface cleaning. The main wafer transfer arms 55 to 57 of the main wafer transfer mechanism (PRA) 15
The wafer W is controlled to operate in accordance with a processing recipe set and stored in advance in the controller of the machine control unit (MB) 19, and the wafer W is transferred between the units to which the processing contents are allocated as described above.

【0074】まず、所定枚数のウエハWが収容されたキ
ャリアCを、ウエハWの搬入出口がウエハ搬送部5側と
なるようにして、載置台11上の所定位置に載置する。
窓部開閉機構12により、窓部92を開口するとともに
搬入出口に蓋体が取り付けられている場合には蓋体を移
動させてキャリアCの内部とウエハ搬送部5とを連通さ
せ、さらにセンサを用いてキャリアC内のウエハWの収
容状態を確認する。ウエハWの収容状態に異常があった
場合には処理を中断し、例えば、別のキャリアCの処理
作業に移行する。
First, the carrier C containing a predetermined number of wafers W is mounted at a predetermined position on the mounting table 11 such that the loading / unloading port of the wafer W is on the wafer transfer section 5 side.
When the window 92 is opened by the window opening / closing mechanism 12 and a lid is attached to the loading / unloading port, the lid is moved to allow the inside of the carrier C to communicate with the wafer transport unit 5 and further the sensor is Then, the accommodation state of the wafer W in the carrier C is confirmed. If there is an abnormality in the accommodation state of the wafer W, the processing is interrupted, and for example, the processing shifts to the processing operation of another carrier C.

【0075】ウエハWの収容状態に異常がない場合に
は、キャリアC内の所定高さ位置にウエハ搬送機構13
のウエハ保持アーム13aを挿入して、1枚のウエハW
を取り出す。こうしてウエハ保持アーム13aに保持さ
れたウエハWは下段のウエハ受渡ユニット(TRS)1
4aに搬送され、ウエハ受渡ユニット(TRS)14a
内の所定位置に載置される。このとき、ウエハWは表面
が上面となった状態にある。その後、ウエハ搬送機構1
3は別のウエハWの取り出し等の作業を引き続き行う。
When there is no abnormality in the accommodation state of the wafer W, the wafer transfer mechanism 13 is moved to a predetermined height position in the carrier C.
Is inserted, and one wafer W
Take out. The wafer W thus held by the wafer holding arm 13a is transferred to the lower wafer transfer unit (TRS) 1
Wafer transfer unit (TRS) 14a
It is placed at a predetermined position inside. At this time, the surface of the wafer W is in an upper surface. Then, the wafer transfer mechanism 1
3 continues the work such as taking out another wafer W.

【0076】主ウエハ搬送機構(PRA)15の主ウエ
ハ搬送アーム55〜57のうちの1つ、例えば、主ウエ
ハ搬送アーム55をウエハWが載置された下段のウエハ
受渡ユニット(TRS)14aに挿入してウエハWを取
り出す。ウエハWは表面が上面となっている状態で主ウ
エハ搬送アーム55に保持されているので、処理レシピ
に従ってウエハWを上段のスクラブ処理ユニット(SC
R)21c・21dのいずれか一方に搬送する。
One of the main wafer transfer arms 55 to 57 of the main wafer transfer mechanism (PRA) 15, for example, the main wafer transfer arm 55 is transferred to the lower wafer transfer unit (TRS) 14a on which the wafer W is mounted. The wafer W is inserted and taken out. Since the wafer W is held by the main wafer transfer arm 55 with the front surface facing upward, the wafer W is transferred to the upper scrub processing unit (SC) according to the processing recipe.
R) Convey to one of 21c and 21d.

【0077】例えば、スクラブ洗浄ユニット(SCR)
21cを用いるとすると、カップ73が下段位置に保持
された状態で開閉窓69を開け、主ウエハ搬送アーム5
5をスピンチャック71の位置まで挿入してスピンチャ
ック71上にウエハWを載置し、固定する。その後に主
ウエハ搬送アーム55をスクラブ洗浄ユニット(SC
R)21c内から退出させて開閉窓69を閉じる。
For example, a scrub cleaning unit (SCR)
21c, the opening / closing window 69 is opened with the cup 73 held at the lower position, and the main wafer transfer arm 5 is opened.
5 is inserted to the position of the spin chuck 71, and the wafer W is mounted on the spin chuck 71 and fixed. Thereafter, the main wafer transfer arm 55 is moved to the scrub cleaning unit (SC).
R) Exit from inside 21c and close opening / closing window 69.

【0078】なお、スクラブ洗浄ユニット(SCR)2
1cでは、スピンチャック71として真空吸着によりウ
エハWが保持する機構を有するものが好適に用いられる
が、このときウエハWの下面のスピンチャック71との
接触部分に、真空吸着による吸着痕が残る。しかし、こ
のような吸着痕は後にスクラブ洗浄ユニット(SCR)
21a・21bを用いた裏面洗浄により除去される。
The scrub cleaning unit (SCR) 2
In 1c, a spin chuck having a mechanism for holding the wafer W by vacuum suction is preferably used as the spin chuck 71. At this time, a suction mark due to the vacuum suction is left on the lower surface of the wafer W in contact with the spin chuck 71. However, such an adsorbing mark is later found in a scrub cleaning unit (SCR).
It is removed by back surface cleaning using 21a and 21b.

【0079】スクラブ洗浄ユニット(SCR)21cに
おいて、ブラシ76a・76bの両方を用いてスクラブ
洗浄を行うとすると、先ずブラシ保持アーム77a・7
7bの両方をブラシ76a・76bがウエハW上に位置
するようにスライド移動させ、また、カップ73を所定
位置まで上昇させて保持する。続いてスピンチャック7
1を回転させてウエハWが面内回転している状態とし、
洗浄液をリンスノズル86a・86bからウエハWに供
給してウエハW上に液膜を形成した後に、引き続きリン
スノズル86a・86bからウエハWに洗浄液を供給し
つつ、ブラシ76a・76bを回転させながらウエハW
に当接させ、所定速度でブラシ保持アーム77a・77
bをスキャンさせる。こうしてスクラブ洗浄が行われ
る。
In the scrub cleaning unit (SCR) 21c, if scrub cleaning is performed using both the brushes 76a and 76b, first, the brush holding arms 77a and 77b are used.
7b are slid so that the brushes 76a and 76b are positioned on the wafer W, and the cup 73 is raised and held at a predetermined position. Then spin chuck 7
1 to make the wafer W rotate in-plane,
After the cleaning liquid is supplied to the wafer W from the rinsing nozzles 86a and 86b to form a liquid film on the wafer W, the cleaning liquid is supplied to the wafer W from the rinsing nozzles 86a and 86b while rotating the brushes 76a and 76b. W
To the brush holding arms 77a and 77a at a predetermined speed.
Scan b. Thus, scrub cleaning is performed.

【0080】なお、このようなスクラブ洗浄において
は、ウエハWの中心部では回転の線速度が小さく、周縁
部で線速度が大きくなっているので、ブラシ保持アーム
77a・77bをX方向にスキャンさせる際には、例え
ば、ウエハWの中心部でスキャン速度を速くし、一方、
ウエハWの周縁部でスキャン速度を遅くする等して、ブ
ラシ76a・76bがウエハWの任意の単位面積に接す
る時間をウエハW全体で同等とすることで、ウエハWの
全面にわたって均一な洗浄処理を行うことができる。
In such scrub cleaning, since the linear velocity of rotation is low at the center of the wafer W and high at the peripheral edge, the brush holding arms 77a and 77b are scanned in the X direction. In this case, for example, the scan speed is increased at the center of the wafer W, while
A uniform cleaning process over the entire surface of the wafer W by reducing the scanning speed at the peripheral portion of the wafer W, for example, so that the time during which the brushes 76a and 76b contact an arbitrary unit area of the wafer W is equalized over the entire wafer W. It can be performed.

【0081】ブラシ76a・76bを用いたスクラブ洗
浄の終了後には、ブラシ76a・76bがブラシバス6
7上に位置するようにカップ73から待避させ、代わり
に、ノズル保持アーム84をカップ内に移動させて、回
転するウエハWの上面に向かって洗浄液吐出ノズル83
から高速ジェット洗浄水または超音波を印加した洗浄水
を吐出させながら、ノズル保持アーム84をX方向にス
キャンする洗浄処理を行う。但し、必ずしも、ブラシ7
6a・76bを用いたスクラブ洗浄と洗浄液吐出ノズル
83を用いた洗浄の両方を行う必要はない。
After the scrub cleaning using the brushes 76a and 76b is completed, the brushes 76a and 76b
The cleaning liquid discharge nozzle 83 is moved toward the upper surface of the rotating wafer W by moving the nozzle holding arm 84 into the cup instead of being retracted from the cup 73 so as to be positioned above the nozzle 73.
The cleaning process of scanning the nozzle holding arm 84 in the X direction is performed while discharging high-speed jet cleaning water or cleaning water to which ultrasonic waves are applied. However, the brush 7
It is not necessary to perform both scrub cleaning using 6a and 76b and cleaning using the cleaning liquid discharge nozzle 83.

【0082】こうして、洗浄処理が終了した後には、ノ
ズル保持アーム84をカップ73外に待避させ、ウエハ
Wを所定の回転数で回転させることにより、ウエハWに
付着した洗浄液を振り切るスピン乾燥を行う。なお、ス
ピン乾燥の前に、リンスノズル86a・86bから所定
のリンス液を回転するウエハWの表面に供給して、ウエ
ハWのリンス処理を行うことが好ましい。
After the cleaning process is completed, the nozzle holding arm 84 is retracted out of the cup 73, and the wafer W is rotated at a predetermined number of revolutions, thereby spin-drying off the cleaning liquid attached to the wafer W. . It is preferable that a predetermined rinsing liquid is supplied to the surface of the rotating wafer W from the rinsing nozzles 86a and 86b to perform a rinsing process on the wafer W before the spin drying.

【0083】スピン乾燥後にはカップ73を降下させ、
また、スピンチャック71の真空吸着機構を解除する。
そして開閉窓69を開いて、例えば、主ウエハ搬送アー
ム55を挿入し、ウエハWを主ウエハ搬送アーム55に
受け渡す。こうして表面洗浄用のスクラブ洗浄ユニット
(SCR)21cから搬出されたウエハWは、例えば、
3台のうちのいずれかのホットプレートユニット(H
P)16a内に搬送されて乾燥され、必要に応じて主ウ
エハ搬送アーム55により冷却ユニット(COL)16
bに搬送されて冷却され、再び主ウエハ搬送アーム55
に戻される。
After the spin drying, the cup 73 is lowered,
Further, the vacuum suction mechanism of the spin chuck 71 is released.
Then, the opening / closing window 69 is opened, for example, the main wafer transfer arm 55 is inserted, and the wafer W is transferred to the main wafer transfer arm 55. The wafer W carried out of the scrub cleaning unit (SCR) 21c for surface cleaning in this manner is, for example,
One of the three hot plate units (H
P) The wafer is transferred to the inside of the cooling unit (COL) 16a and dried by the main wafer transfer arm 55 if necessary.
b and cooled, and the main wafer transfer arm 55
Is returned to.

【0084】次に、ウエハWの裏面の洗浄を行うために
は、ウエハWを裏面が上面となるように反転させる必要
があるので、ウエハWを保持したウエハ搬送アーム55
を下段のウエハ反転ユニット(RVS)14bに搬送
し、ウエハWを支持台31に受け渡す。ウエハWが載置
された支持台31を昇降機構27を駆動させてウエハ把
持アーム36a・36bが開脚された状態で待機してい
る位置まで上昇させた後、ウエハ把持アーム36a・3
6bを閉脚する。ウエハWがウエハ把持アーム36a・
36bに把持されたことをセンサ48により確認し、そ
の後に支持台31をウエハWの反転動作に支障を生じな
い位置まで降下させ、ウエハ把持アーム36a・36b
を回転駆動機構30により180°反転させる。こうし
てウエハWの裏面が上面となった状態で再び支持台31
をウエハWの受け渡しが可能な位置まで上昇させ、ウエ
ハ把持アーム36a・36bを開脚すると、ウエハWは
支持台31上に再び載置される。
Next, in order to clean the back surface of the wafer W, it is necessary to invert the wafer W so that the back surface is on the upper surface.
Is transferred to the lower wafer reversing unit (RVS) 14b, and the wafer W is transferred to the support table 31. The support table 31 on which the wafer W is placed is moved up to a position where the wafer holding arms 36a and 36b are on standby by driving the elevating mechanism 27 and the wafer holding arms 36a and 36b are opened.
6b is closed. When the wafer W is in the wafer holding arm 36a
The sensor 48 confirms that the wafer W has been gripped by the sensor 48, and then lowers the support table 31 to a position where the reversing operation of the wafer W is not hindered.
Is rotated 180 ° by the rotation drive mechanism 30. With the back surface of the wafer W facing up, the support 31
Is raised to a position where the wafer W can be delivered and the wafer gripping arms 36a and 36b are opened, the wafer W is mounted on the support table 31 again.

【0085】支持台31を降下させて、ウエハ反転ユニ
ット(RVS)14b内に、例えば、主ウエハ搬送アー
ム55を挿入し、主ウエハ搬送アーム55にウエハWを
受け渡す。主ウエハ搬送アーム55は、裏面が上面とな
ったウエハWをスクラブ洗浄ユニット(SCR)21a
・21bのいずれか一方へ搬送する。スクラブ洗浄ユニ
ット(SCR)21a・21bでは、スピンチャック7
1として前述した脱着機構71dを用いてウエハWの保
持/解除が行われる他は、前述した表面洗浄用のスクラ
ブ洗浄ユニット(SCR)21cを用いた場合と同様の
方法を用いて洗浄処理が行われる。
The support table 31 is lowered, and for example, the main wafer transfer arm 55 is inserted into the wafer reversing unit (RVS) 14b, and the wafer W is transferred to the main wafer transfer arm 55. The main wafer transfer arm 55 cleans the wafer W, the back surface of which is the top surface, with the scrub cleaning unit (SCR) 21a.
・ Transport to either one of 21b. In the scrub cleaning units (SCR) 21a and 21b, the spin chuck 7
The cleaning process is performed using the same method as that using the above-described scrub cleaning unit (SCR) 21c for surface cleaning, except that the wafer W is held / released by using the above-described detaching mechanism 71d as 1. Will be

【0086】このようにして表裏両面の洗浄処理が終了
し、乾燥処理されたウエハWは裏面が上面となっている
状態にあるため、キャリアCへ戻すためにウエハWの表
面が上面となるように反転処理を行う必要がある。そこ
で、次にウエハWは、例えば、主ウエハ搬送アーム55
を用いて上段のウエハ反転ユニット(RVS)14bに
搬送される。上段のウエハ反転ユニット(RVS)14
bにおいては、前述した下段のウエハ反転ユニット(R
VS)14bにおける反転動作と同様の動作によってウ
エハWの上下を反転させる。こうして、ウエハWはその
表面が上面となった状態で、例えば、主ウエハ搬送アー
ム55に戻される。
Since the cleaning process on both the front and back surfaces has been completed in this way, and the dried wafer W is in a state in which the back surface is on the upper surface, the wafer W is returned to the carrier C so that the front surface of the wafer W is on the upper surface. Needs to be inverted. Therefore, next, the wafer W is transferred to the main wafer transfer arm 55, for example.
Is transferred to the upper wafer reversing unit (RVS) 14b using the Upper stage wafer reversing unit (RVS) 14
b, the lower wafer reversing unit (R
VS) The wafer W is turned upside down by the same operation as the inversion operation in 14b. In this way, the wafer W is returned to, for example, the main wafer transfer arm 55 with the surface of the wafer W facing up.

【0087】表面が上面となって主ウエハ搬送アーム5
5に保持されたウエハWは、上段のウエハ受渡ユニット
(TRS)14aへ搬送され、さらにこのウエハ受渡ユ
ニット(TRS)14a内からウエハ保持アーム13a
によってウエハ搬送部5内へ搬送された後、キャリアC
内の所定位置に収容される。このような1枚のウエハW
の処理作業をキャリアC内に収容された全てのウエハW
について終了した後は、ウエハWが収容されたキャリア
Cは次工程へと送られる。
The main wafer transfer arm 5
The wafer W held by the wafer transfer unit 5 is transported to the upper wafer transfer unit (TRS) 14a, and further from the wafer transfer unit (TRS) 14a to the wafer holding arm 13a.
Transported into the wafer transport unit 5 by the carrier C
It is housed in a predetermined position inside. Such a single wafer W
Processing of all wafers W accommodated in the carrier C
Is completed, the carrier C containing the wafer W is sent to the next step.

【0088】なお、上述した処理工程では、洗浄処理部
3内における1枚のウエハWの搬送工程において、常に
同じ主ウエハ搬送アーム55を用いて説明したが、ウエ
ハWの搬送工程には、適宜、主ウエハ搬送アーム55〜
57のうち使用していないものを選択して使用すること
が可能である。
In the above-described processing steps, the same main wafer transfer arm 55 has always been used in the transfer step of one wafer W in the cleaning processing unit 3. , Main wafer transfer arm 55
It is possible to select an unused one of the 57 and use it.

【0089】以上、本発明の洗浄処理装置について説明
してきたが、本発明は上述した実施形態に限定されるも
のではない。例えば、載置台11に配設可能なキャリア
Cは4個以上であってもよく、逆に2個以下であっても
よい。ウエハ搬送機構13は1台のみ配設されている
が、2台以上を配設して用いてもよい。また、基板とし
て半導体ウエハに限定されるものではなく、例えば、ガ
ラス基板、CD基板等にも用いることができる。
Although the cleaning apparatus of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above embodiment. For example, the number of carriers C that can be disposed on the mounting table 11 may be four or more, or conversely, two or less. Although only one wafer transfer mechanism 13 is provided, two or more wafer transfer mechanisms 13 may be used. Further, the substrate is not limited to a semiconductor wafer, but may be used for a glass substrate, a CD substrate, or the like.

【0090】[0090]

【発明の効果】上述の通り、本発明の洗浄処理装置によ
れば、スクラブ洗浄ユニットを多段に配設することで、
処理すべき基板が大型化した場合にも、フットプリント
の増大を最小限に抑えることが可能となる。これによっ
て既存のクリーンルームへの配設も容易となり、また、
クリーンルームの改装、増築を行う必要がある場合に
も、洗浄処理装置の配設スペースが小さいために、その
設備費用が低減される。また、スクラブ洗浄ユニットを
表面洗浄用と裏面洗浄用とに分けて用いることによっ
て、基板の品質をより高いものとすることが可能とな
る。さらに、複数のスクラブ洗浄ユニットに加えて、受
渡ユニットや反転ユニット、加熱/冷却ユニット等の他
の処理を行うユニットについても同種のユニットを複数
台配設することで、スループットを短縮させることが容
易である。さらにまた、これら複数のユニットを処理工
程に従って使い分けることによって、基板へのパーティ
クルの付着等を低減して、基板の品質を高く保つことが
可能となる等、本発明は種々の効果を奏する。
As described above, according to the cleaning apparatus of the present invention, the scrub cleaning unit is provided in multiple stages,
Even when the substrate to be processed becomes large, the increase in the footprint can be suppressed to a minimum. This facilitates installation in existing clean rooms,
Even when the clean room needs to be renovated or expanded, the installation cost of the cleaning apparatus is reduced because the space for disposing the cleaning apparatus is small. Further, by using the scrub cleaning unit separately for the front surface cleaning and the back surface cleaning, the quality of the substrate can be further improved. Furthermore, in addition to a plurality of scrub cleaning units, a plurality of units of the same type, such as a delivery unit, a reversing unit, and a heating / cooling unit, which perform other processing, can easily reduce the throughput. It is. Furthermore, the present invention has various effects, for example, by properly using these plural units in accordance with the processing steps, it is possible to reduce the adhesion of particles to the substrate and to keep the quality of the substrate high.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の洗浄処理装置の一実施形態を示す平面
図。
FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of a cleaning apparatus according to the present invention.

【図2】図1記載の洗浄処理装置の側面図。FIG. 2 is a side view of the cleaning apparatus shown in FIG. 1;

【図3】受渡/反転部、主ウエハ搬送機構および加熱/
冷却ユニットの配設形態を示す断面図。
FIG. 3 shows a delivery / reversal unit, a main wafer transfer mechanism, and a heating /
Sectional drawing which shows the arrangement form of a cooling unit.

【図4】図4におけるフィルターファンユニット(FF
U)からのダウンフローの流れを示した説明図。
FIG. 4 shows a filter fan unit (FF) shown in FIG.
Explanatory drawing which showed the flow of the down flow from U).

【図5】ウエハ反転ユニット(RVS)の概略構造を示
す平面図。
FIG. 5 is a plan view showing a schematic structure of a wafer reversing unit (RVS).

【図6】ウエハ反転ユニット(RVS)の概略構造を示
す側面図。
FIG. 6 is a side view showing a schematic structure of a wafer reversing unit (RVS).

【図7】ウエハ把持アームのX方向開閉機構を示す説明
図。
FIG. 7 is an explanatory diagram showing an X-direction opening / closing mechanism of a wafer gripping arm.

【図8】スクラブ洗浄ユニット(SCR)の概略構造を
示す平面図。
FIG. 8 is a plan view showing a schematic structure of a scrub cleaning unit (SCR).

【図9】スクラブ洗浄ユニット(SCR)の概略構造を
示す断面図。
FIG. 9 is a sectional view showing a schematic structure of a scrub cleaning unit (SCR).

【符号の説明】 1;洗浄処理装置 2;搬入出部 3;洗浄処理部 4;イン・アウトポート 5;ウエハ搬送部 13;ウエハ搬送機構 14;受渡/反転部 14a;ウエハ受渡ユニット 14b;ウエハ反転ユニット 15;主ウエハ搬送機構(PRA) 16;加熱/冷却部 21a〜21d;スクラブ洗浄ユニット 22;フィルターファンユニット 26;ウエハ中継部 27;昇降機構 28;ウエハ反転機構 55〜57;主ウエハ搬送アーム 67a・67b;ブラシ 71;スピンチャック 73;カップ W;半導体ウエハ(基板) C;キャリア(基板収容容器)DESCRIPTION OF SYMBOLS 1; cleaning processing apparatus 2; loading / unloading section 3: cleaning processing section 4: in / out port 5; wafer transport section 13; wafer transport mechanism 14; delivery / reversal section 14a; wafer delivery unit 14b; Reversing unit 15; Main wafer transfer mechanism (PRA) 16; Heating / cooling units 21a to 21d; Scrub cleaning unit 22; Filter fan unit 26; Wafer relay unit 27; Lifting mechanism 28; Wafer reversing mechanism 55 to 57; Main wafer transfer Arms 67a, 67b; brush 71; spin chuck 73; cup W; semiconductor wafer (substrate) C; carrier (substrate container)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) B08B 3/12 B08B 3/12 C 7/04 7/04 A H01L 21/68 H01L 21/68 A Fターム(参考) 3B116 AA03 AB23 AB27 AB34 AB47 BA02 BA13 BA33 BB22 BB44 CC01 CC03 3B201 AA03 AB24 AB27 AB34 AB47 BA02 BA13 BA33 BB22 BB44 BB92 CB25 CC01 CC13 5F031 CA02 CA05 FA01 FA02 FA11 FA12 FA15 FA21 HA13 HA25 MA02 MA06 MA23 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) B08B 3/12 B08B 3/12 C 7/04 7/04 A H01L 21/68 H01L 21/68 A F term (Reference) 3B116 AA03 AB23 AB27 AB34 AB47 BA02 BA13 BA33 BB22 BB44 CC01 CC03 3B201 AA03 AB24 AB27 AB34 AB47 BA02 BA13 BA33 BB22 BB44 BB92 CB25 CC01 CC13 5F031 CA02 CA05 FA01 FA02 FA11 FA12 FA15 FA21 HA13 HA23 MA02 MA06

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板に所定の洗浄処理を施す洗浄処理装
置であって、 多段に積み重ねられて配設された複数のスクラブ洗浄ユ
ニットと、 前記複数のスクラブ洗浄ユニットの全てにアクセス可能
な基板搬送機構と、 を具備することを特徴とする洗浄処理装置。
1. A cleaning apparatus for performing a predetermined cleaning process on a substrate, comprising: a plurality of scrub cleaning units stacked and arranged in a plurality of stages; and a substrate transporter capable of accessing all of the plurality of scrub cleaning units. A cleaning treatment device comprising: a mechanism.
【請求項2】 基板に所定の洗浄処理を施す洗浄処理装
置であって、 多段に積み重ねられて配設された複数のスクラブ洗浄ユ
ニットを有する洗浄処理部と、 前記洗浄処理部に対して基板を搬入出する基板搬入出部
と、 前記複数のスクラブ洗浄ユニットの全てにアクセス可能
な基板搬送機構と、 を具備することを特徴とする洗浄処理装置。
2. A cleaning processing apparatus for performing a predetermined cleaning processing on a substrate, comprising: a cleaning processing unit having a plurality of scrub cleaning units stacked and arranged in multiple stages; A cleaning apparatus, comprising: a substrate loading / unloading section for loading / unloading; and a substrate transport mechanism capable of accessing all of the plurality of scrub cleaning units.
【請求項3】 基板に所定の洗浄処理を施す洗浄処理装
置であって、 前記基板に所定の処理を施す複数の処理ユニットを有す
る洗浄処理部と、 前記洗浄処理部に対して基板を搬入出する基板搬入出部
と、 を具備し、 前記洗浄処理部は、 少なくとも上下2段に配設された複数のスクラブ洗浄ユ
ニットと、 前記基板の表裏を反転させる基板反転ユニットと、 前記基板搬入出部との間で基板の受け渡しを行うために
前記基板を一時的に載置する基板受渡ユニットと、 前記各ユニットの全てにアクセス可能であり、前記各ユ
ニットとの間で基板の受け渡しを行う基板搬送機構と、 を有することを特徴とする洗浄処理装置。
3. A cleaning apparatus for performing a predetermined cleaning process on a substrate, comprising: a cleaning processing unit having a plurality of processing units for performing a predetermined processing on the substrate; A substrate loading / unloading unit, wherein the cleaning processing unit comprises: a plurality of scrub cleaning units disposed at least in upper and lower two stages; a substrate reversing unit for reversing the front and back of the substrate; and the substrate loading / unloading unit. A substrate transfer unit for temporarily placing the substrate to transfer the substrate to and from a substrate transfer unit that can access all of the units and transfer the substrate to and from each unit A cleaning treatment device comprising: a mechanism.
【請求項4】 2台以上の前記基板受渡ユニットが積み
重ねられて配設されていることを特徴とする請求項3に
記載の洗浄処理装置。
4. The cleaning apparatus according to claim 3, wherein two or more of the substrate delivery units are stacked and disposed.
【請求項5】 2台以上の前記基板反転ユニットが積み
重ねられて配設されていることを特徴とする請求項3ま
たは請求項4に記載の洗浄処理装置。
5. The cleaning apparatus according to claim 3, wherein two or more of the substrate reversing units are stacked and disposed.
【請求項6】 積み重ねられて配設された2台以上の前
記基板受渡ユニット上に2台以上の前記基板反転ユニッ
トが積み重ねられて配設されていることを特徴とする請
求項3から請求項5のいずれか1項に記載の洗浄処理装
置。
6. The apparatus according to claim 3, wherein two or more substrate reversing units are stacked and disposed on two or more substrate transfer units stacked and disposed. The cleaning treatment apparatus according to any one of claims 5 to 13.
【請求項7】 前記基板反転ユニットは、 前記基板搬送機構との間で基板の受け渡しを行う基板中
継部と、 前記基板中継部を昇降させる昇降機構と、 前記基板中継部に保持された基板を把持して受け取り、
回転により把持した基板を反転させ、前記基板中継部に
基板を渡す基板反転機構と、 を具備することを特徴とする請求項3から請求項6のい
ずれか1項に記載の洗浄処理装置。
7. The substrate reversing unit includes: a substrate relay unit that transfers a substrate to and from the substrate transfer mechanism; an elevating mechanism that moves the substrate relay unit up and down; and a substrate held by the substrate relay unit. Hold and receive,
The cleaning apparatus according to any one of claims 3 to 6, further comprising: a substrate reversing mechanism that reverses the substrate held by rotation and transfers the substrate to the substrate relay unit.
【請求項8】 清浄な空気をダウンフローするフィルタ
ーファンユニットが前記洗浄処理部の上部に配設され、
かつ、前記基板受渡ユニットと前記基板反転ユニットが
前記基板搬入出部に接して配設されており、 前記清浄な空気のダウンフローの一部が、前記基板搬送
機構の配設スペースから前記基板受渡ユニットを通して
前記基板搬入出部へ流れ出す構造となっていることを特
徴とする請求項3から請求項7のいずれか1項に記載の
洗浄処理装置。
8. A filter fan unit for down-flowing clean air is provided above the cleaning unit,
The substrate delivery unit and the substrate reversing unit are disposed in contact with the substrate carrying-in / out portion, and a part of the downflow of the clean air is transferred from the space for disposing the substrate transfer mechanism to the substrate delivery unit. The cleaning apparatus according to any one of claims 3 to 7, wherein the cleaning apparatus has a structure of flowing out to the substrate loading / unloading section through a unit.
【請求項9】 前記スクラブ洗浄ユニットは上段および
下段に2台ずつ重ねられて配設されていることを特徴と
する請求項3から請求項8のいずれか1項に記載の洗浄
処理装置。
9. The cleaning apparatus according to claim 3, wherein two scrub cleaning units are arranged in an upper stage and a lower stage, respectively.
【請求項10】 前記上段に配設されたスクラブ洗浄ユ
ニットは前記基板の表面洗浄に用いられ、前記下段に配
設されたスクラブ洗浄ユニットは前記基板の裏面洗浄に
用いられることを特徴とする請求項3から請求項9のい
ずれか1項に記載の洗浄処理装置。
10. The scrub cleaning unit disposed in the upper stage is used for cleaning the front surface of the substrate, and the scrub cleaning unit disposed in the lower stage is used for cleaning the back surface of the substrate. The cleaning treatment device according to any one of items 3 to 9.
【請求項11】 前記基板の表面洗浄用のスクラブ洗浄
ユニットにおいては前記基板を保持するチャックに真空
吸着機構が用いられており、前記基板の裏面洗浄用のス
クラブ洗浄ユニットにおいては前記基板を保持するチャ
ックに機械的保持機構が用いられていることを特徴とす
る請求項10に記載の洗浄処理装置。
11. The scrub cleaning unit for cleaning the front surface of the substrate uses a vacuum suction mechanism for a chuck for holding the substrate, and the scrub cleaning unit for cleaning the back surface of the substrate holds the substrate. The cleaning apparatus according to claim 10, wherein a mechanical holding mechanism is used for the chuck.
【請求項12】 清浄な空気をダウンフローするフィル
ターファンユニットが前記洗浄処理部の上部に配設され
ており、前記清浄な空気の一部が配管を通して前記フィ
ルターファンユニットから直接に前記下段に配設された
スクラブ処理ユニットに前記下段のスクラバ洗浄ユニッ
トの上部に設けられたフィルタユニットを介して送風さ
れることを特徴とする請求項8から請求項11のいずれ
か1項に記載の洗浄処理装置。
12. A filter fan unit for down-flowing clean air is provided at an upper portion of the cleaning section, and a part of the clean air is directly provided from the filter fan unit to the lower stage through a pipe. The cleaning apparatus according to any one of claims 8 to 11, wherein air is blown to the provided scrub processing unit via a filter unit provided above the lower scrubber cleaning unit. .
【請求項13】 前記洗浄処理部に加熱/冷却ユニット
が配設されていることを特徴とする請求項1から請求項
12のいずれか1項に記載の洗浄処理装置。
13. The cleaning apparatus according to claim 1, wherein a heating / cooling unit is provided in the cleaning section.
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