JP2002110609A - Cleaning apparatus - Google Patents

Cleaning apparatus

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JP2002110609A
JP2002110609A JP2000302099A JP2000302099A JP2002110609A JP 2002110609 A JP2002110609 A JP 2002110609A JP 2000302099 A JP2000302099 A JP 2000302099A JP 2000302099 A JP2000302099 A JP 2000302099A JP 2002110609 A JP2002110609 A JP 2002110609A
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wafer
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JP2000302099A
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Japanese (ja)
Inventor
Hidetomo Kamiko
秀朋 上向
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
東京エレクトロン株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cleaning apparatus having a small footprint which copes with the upsizing of substrates.
SOLUTION: The cleaning device 1 for giving prescribed cleaning operations to substrates, such as semiconductor wafers W, is provided with a cleaning section 3 which has several treating units for giving prescribed treatments to the wafers W and a carrying section 2 which carries the wafers W in and out from the cleaning section 3. The cleaning section 3 is provided with four scrub cleaning units which are placed in two stages, a wafer inverting unit 14b for causing the side of the wafers W to be inverted, a wafer delivery unit 14a on which the wafers W are temporarily placed for passing or receiving the wafers W to or from the carrying section 2 and a main wafer transfer mechanism 15, which has access to all the units and passes or receives the wafers W to and from each of the units.
COPYRIGHT: (C)2002,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハやL BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a semiconductor wafer and L
CD基板等の基板に所定の洗浄処理を施す洗浄処理装置に関する。 The substrate of the CD substrate concerning cleaning apparatus for performing a predetermined cleaning process.

【0002】 [0002]

【従来の技術】例えば、半導体デバイスの製造工程においては、半導体ウエハ(ウエハ)の表裏両面、特に半導体デバイスが形成されるウエハの表面の清浄度を高く維持する必要があり、このため、種々の製造プロセスの前後でウエハの表面の洗浄が行われている。 BACKGROUND ART For example, in a manufacturing process of a semiconductor device, the front and back surfaces of the semiconductor wafer (wafer), it is necessary to maintain particularly high cleanliness of the surface of the wafer on which the semiconductor devices are formed, Accordingly, various cleaning of the surface of the wafer is being carried out before and after the manufacturing process. 特に、フォトリソグラフィ工程においては、ウエハの表面の洗浄は不可欠であり、従来より、回転するウエハの表面に洗浄液を供給しながら、回転するブラシをウエハの表面に当接しつつウエハの中心部と周縁部との間で往復移動させることで、ウエハの表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去するスクラブ洗浄が行われている。 Particularly, in the photolithography process, cleaning of the surface of the wafer is essential, conventionally, while supplying a cleaning liquid to the surface of the rotating wafer, a central portion of the contact with the wafer to a rotating brush on the surface of the wafer edge by reciprocally moved between the parts, scrub cleaning for removing contaminants such as particles adhering to the surface of the wafer is performed.

【0003】このようなスクラブ洗浄を行う洗浄処理装置においては、従来、スクラブ洗浄を行う複数のスクラブ洗浄ユニットは平面的に配置されていた。 [0003] In the cleaning apparatus for performing such scrubbing is conventionally a plurality of scrubbing unit for scrubbing were arranged in a plane.

【0004】 [0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年ではウエハの大径化が進んでおり、これに対応するために、スクラブ洗浄ユニットをはじめとして、洗浄処理装置に配設されるその他のユニット、例えばウエハの乾燥等を行う加熱ユニットやウエハの両面をスクラブ洗浄するためにウエハを反転する反転ユニット等の各ユニット、ならびにウエハの搬送機構をウエハの大きさに合わせて大型化した場合には、洗浄処理装置のフットプリントが極めて大きくなる。 However [0005] In recent years progressed large diameter wafers, in order to cope with this, including the scrubbing unit, other units that are arranged in the cleaning apparatus, for example, If each unit, such as reversing unit for reversing a wafer, and the transport mechanism of the wafer was large in accordance with the size of the wafer to scrubbing both sides of the heating unit and the wafer for performing drying of the wafer, washed footprint of the processing apparatus becomes extremely large.

【0005】この場合には、洗浄処理装置を既存のクリーンルーム内へ配設することが困難となって、クリーンルームを拡張または新設する等の必要が生じ、設備負担が増大することが予想される。 [0005] In this case, it becomes difficult to arrange the cleaning apparatus into the existing clean room, it becomes necessary, such as to extend or newly established clean room, it is expected that the equipment burden increases. そこで、洗浄処理装置のフットプリントの増大は不可避ではあっても、その増大を最小限に止めることが切望される。 Therefore, the increase in the footprint of the cleaning device even in unavoidable, is anxious to stop the increase in the minimum.

【0006】本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであり、基板の大型化に対応したフットプリントの小さい洗浄処理装置を提供することを目的とする。 [0006] The present invention has been made in view of such problems, and an object thereof is to provide a small cleaning apparatus footprint corresponding to a larger substrate.

【0007】 [0007]

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明によれば、基板に所定の洗浄処理を施す洗浄処理装置であって、多段に積み重ねられて配設された複数のスクラブ洗浄ユニットと、前記複数のスクラブ洗浄ユニットの全てにアクセス可能な基板搬送機構と、を具備することを特徴とする洗浄処理装置、が提供される。 Means for Solving the Problems That is, according to the present invention, there is provided a cleaning apparatus for performing a predetermined cleaning process on the substrate, a plurality of scrubbing units arranged stacked in multiple stages, said plurality cleaning apparatus, characterized by comprising: a substrate transfer mechanism accessible to all, the scrubbing unit, is provided.

【0008】また、本発明によれば、基板に所定の洗浄処理を施す洗浄処理装置であって、多段に積み重ねられて配設された複数のスクラブ洗浄ユニットを有する洗浄処理部と、前記洗浄処理部に対して基板を搬入出する基板搬入出部と、前記複数のスクラブ洗浄ユニットの全てにアクセス可能な基板搬送機構と、を具備することを特徴とする洗浄処理装置、が提供される。 [0008] Also, according to the present invention, there is provided a cleaning apparatus for performing a predetermined cleaning process on the substrate, and a cleaning section having a plurality of scrubbing units arranged stacked in multiple stages, the washing process a substrate transfer portion to transfer substrates into and out of the parts, cleaning apparatus, characterized by comprising: a substrate transfer mechanism accessible to all of the plurality of scrubbing unit, is provided.

【0009】さらに、本発明によれば、基板に所定の洗浄処理を施す洗浄処理装置であって、前記基板に所定の処理を施す複数の処理ユニットを有する洗浄処理部と、 Furthermore, according to the present invention, and a cleaning apparatus for performing a predetermined cleaning process on the substrate, the cleaning unit having a plurality of processing units for performing a predetermined process on the substrate,
前記洗浄処理部に対して基板を搬入出する基板搬入出部と、を具備し、前記洗浄処理部は、少なくとも上下2段に配設された複数のスクラブ洗浄ユニットと、前記基板の表裏を反転させる基板反転ユニットと、前記基板搬入出部との間で基板の受け渡しを行うために前記基板を一時的に載置する基板受渡ユニットと、前記各ユニットの全てにアクセス可能であり、前記各ユニットとの間で基板の受け渡しを行う基板搬送機構と、を有することを特徴とする洗浄処理装置、が提供される。 Anda substrate transfer portion to transfer substrates into and out of the said cleaning section, the cleaning section includes a plurality of scrubbing unit disposed in at least two upper and lower stages, the front and back of the substrate reversing a substrate reversing unit for a substrate transfer unit for temporarily placing the substrate in order to perform the transfer of the substrate between the substrate transfer portion, is accessible to all of the units, each unit cleaning apparatus, characterized by having a substrate transport mechanism for transferring the substrate between are provided.

【0010】このような洗浄処理装置においては、従来は平面的に配設されていたスクラブ洗浄ユニットが多段に重ねられて配設されていることから、基板の大型化に対応してスクラブ洗浄ユニットが大型化されても、フットプリントの増大を最小限に抑えることが可能となる。 [0010] In such cleaning devices, since the conventional scrubbing cleaning units being arranged in a plane are arranged in multi-tiered, scrubbing unit corresponding in size of the substrate There also are large, it is possible to minimize the increase in footprint.
また、スクラブ洗浄ユニットを多段に配設することで、 Further, by disposing the scrubbing unit in multiple stages,
1つの洗浄処理装置に配設するスクラブ洗浄ユニットの数を増やして、スループットの短縮を実現することができる。 Increase the number of scrub cleaning units arranged in a single cleaning apparatus, it is possible to realize a shortening of throughput.

【0011】 [0011]

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について具体的に説明する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, will be described in detail embodiments of the present invention. 本実施形態では、半導体ウエハ(ウエハ)の搬入、洗浄、乾燥、搬出をバッチ式に一貫して行うように構成された洗浄処理装置について説明することとする。 In the present embodiment, loading of the semiconductor wafer (wafer), washing, drying, unloading the cleaning apparatus configured to perform consistently in batchwise and be described.

【0012】図1は洗浄処理装置1の概略構造を示す平面図であり、図2はその側面図である。 [0012] Figure 1 is a plan view showing the schematic structure of a cleaning apparatus 1, FIG. 2 is a side view thereof. これら図1および図2に示されるように、洗浄処理装置1は、ウエハW As shown in FIGS. 1 and 2, the cleaning device 1, the wafer W
に洗浄処理を施す洗浄処理部3と、洗浄処理部3に対してウエハWを搬入出する搬入出部2から構成されている。 Cleaning the cleaning section 3 for performing, and a transfer portion 2 for loading and unloading the wafer W to the cleaning part 3.

【0013】洗浄処理装置1においては、搬入出部2 [0013] In the cleaning apparatus 1, carry-out section 2
は、複数枚、例えば26枚のウエハWが所定の間隔で水平に収容されているキャリアCを載置するための載置台11が設けられたイン・アウトポート4と、キャリアC Includes a plurality, in-out port 4 for example 26 wafers W are mounting table 11 for mounting the carrier C which is horizontally accommodated at a predetermined interval are provided, the carrier C
と洗浄処理部3との間でウエハの搬送を行うウエハ搬送機構13が備えられたウエハ搬送部5とから構成されている。 Wafer transfer mechanism 13 to transfer wafers between the cleaning section 3 is constituted by a wafer transport portion 5 which is provided with. なお、搬入出部2としては、前工程より搬送されたウエハWが洗浄処理部3へ搬出され、また、洗浄処理部3において洗浄処理が終了したウエハWを次工程へ搬出するインターフェイスを配設することも好ましい。 As the transfer portion 2, before the transported wafer W from the process is carried out to the cleaning section 3, also provided an interface for unloading the wafer W to the cleaning process is completed to the next step in the cleaning process unit 3 it is also preferable to.

【0014】イン・アウトポート4に配設された載置台11上には、例えば、3個のキャリアを水平面のY方向に並べて所定位置に載置することができるようになっている。 [0014] On the mounting table 11 disposed in the in-out port 4 is, for example, by arranging three carriers in the Y direction of the horizontal plane so that it can be placed at a predetermined position. また、イン・アウトポート4とウエハ搬送部5との境界壁91において、キャリアCの載置場所に対応する位置には窓部92が形成されており、窓部92のウエハ搬送部5側には窓部92をシャッター等により開閉する窓部開閉機構12が設けられている。 Further, in the boundary wall 91 of the in-out port 4 and the wafer transport portion 5, the position corresponding to the local disks mounting of the carrier C has a window portion 92 is formed, the wafer transport portion 5 side of the window portion 92 the window opening and closing mechanism 12 for opening and closing the shutter or the like a window 92 is provided.

【0015】使用されるキャリアCの構造に限定はないが、キャリアCとしては、例えば、ウエハWの搬入出口に搬入出口を開閉する蓋体を設けたものを用いることができる。 [0015] not limited to the structure of the carrier C to be used, as the carrier C, for example, can be used provided with a lid for opening and closing the transfer port to transfer port of the wafer W. この場合には、窓部開閉機構12にキャリアC In this case, the carrier C to the window opening and closing mechanism 12
の蓋体を開閉する機能を持たせて、窓部92にキャリアCの搬入出口側を向けてキャリアCを載置台11に載置した際に、窓部開閉機構12が窓部92およびキャリアCの蓋体の開閉を行うことができる構造とする。 Have the function of opening and closing the lid, when placed on the mounting table 11 and carrier C toward the transfer port side of the carrier C to the window portion 92, the window portion 92 a window opening and closing mechanism 12 and the carrier C a structure capable of opening and closing the lid. こうして窓部開閉機構12によって、窓部92とキャリアCの蓋体が開いた状態とすれば、ウエハ搬送部5に設けられたウエハ搬送機構13がキャリアCにアクセス可能となり、ウエハWの搬送を行うことができるようになる。 By way window opening and closing mechanism 12, if the lid of the window portion 92 and the carrier C is opened, the wafer transfer mechanism 13 provided on the wafer transfer unit 5 becomes accessible to the carrier C, the transfer of the wafer W it will be able to be performed.

【0016】なお、窓部92には窓部92を開閉するシャッターのみを配設し、キャリアCの搬入出口に備えられた蓋体は、載置台11へ載置する際に、例えば、手動により操作して搬入出口を開口する方法を用いてもよい。 [0016] Incidentally, disposed only shutter for opening and closing the window portion 92 in the window portion 92, the lid provided in the transfer port of the carrier C, at the time of placing the mounting table 11, for example, manually how to open the transfer port by operating may be used. また、キャリアCに蓋体を設けない場合には、当然に蓋体の開閉機構を設ける必要はない。 Also, the case without the lid to the carrier C does not have to naturally provide a closing mechanism of the lid. このように窓部92の構造はキャリアCの構造に対応させて適宜好適に設計することができる。 The structure of the window 92 so that can be suitably designed appropriately so as to correspond to the structure of the carrier C.

【0017】窓部開閉機構12には、さらにキャリアC [0017] The window opening and closing mechanism 12 further carrier C
内におけるウエハWの収容状態、例えば、所定枚数のウエハWが収容されているかどうか、ウエハWが前後(X Receiving state of the wafer W in the inner, for instance, whether predetermined number of wafers W are housed, the wafer W is longitudinal (X
方向)に飛び出したりして収容されていないかどうか、 Whether or not housed in or jump out in the direction),
または、ウエハWが高さ方向に斜めに収容されていないか等を検知するセンサを設けることも好ましい。 Or, it is also preferable to provide a sensor for detecting whether the wafer W is not received in the obliquely in the height direction and the like. このようなセンサによりウエハWの収容状態を検査した後に洗浄処理を開始することで、例えば、所定枚数の同一条件処理が必要とされるバッチ処理を確実に行うことが可能となる。 By starting the cleaning process after checking the accommodation state of the wafer W by such a sensor, for example, it is possible to reliably perform the batch processing same condition processing a predetermined number is required.

【0018】ウエハ搬送部5には、キャリアCと洗浄処理部3との間でウエハWの受け渡しを行うウエハ搬送機構13が配設されている。 [0018] wafer transfer unit 5, the wafer transfer mechanism 13 for transferring the wafer W is disposed between the carrier C and the cleaning section 3. ウエハ搬送機構13は、Y方向に移動可能であり、載置台11に載置された全てのキャリアCにアクセス可能となっている。 Wafer transfer mechanism 13 is movable in the Y direction, and can access all of the carrier C placed on the stage 11. また、ウエハ搬送機構13のウエハ保持アーム13aは水平面のX方向にスライド自在であり、かつ、X−Y平面内(θ方向) Further, the wafer retaining arm 13a of the wafer transfer mechanism 13 is slidable in the X direction of the horizontal plane, and, X-Y plane (theta direction)
で回転自在に構成されており、窓部92を通してキャリアCとの間でウエハWの受け渡しを行い、また、後述する洗浄処理部3に配設されたウエハ受渡ユニット(TR In is rotatably configure, and transfer the wafer W between the carrier C through the window portion 92, The wafer transfer unit disposed in the cleaning section 3 to be described later (TR
S)14aにアクセス可能である。 It is accessible to the S) 14a. こうして、ウエハ搬送機構13は、イン・アウトポート4側から洗浄処理部3側へ、逆に洗浄処理部3側からイン・アウトポート4 Thus, the wafer transfer mechanism 13 to the cleaning unit 3 side from the in-out port 4 side, in-out port 4 from the cleaning unit 3 side in the opposite
側へウエハWを搬送することができる。 It is possible to transfer the wafer W to the side. さらに、ウエハ搬送機構13は鉛直方向であるZ方向に昇降自在であり、キャリアC内の任意の高さ位置においてウエハWの受け渡しをすることが可能となっている。 Further, the wafer transfer mechanism 13 is movable up and down in the Z direction is the vertical direction, it is possible to transfer the wafer W at any height position in the carrier C.

【0019】次に、洗浄処理部3について説明する。 [0019] Next, the cleaning processing unit 3 will be described. 洗浄処理部3には、ウエハWの表裏を反転させるウエハ反転ユニット(RVS)14bとウエハ搬送部5との間で基板の受け渡しを行うためにウエハWを一時的に載置するウエハ受渡ユニット(TRS)14aとからなる受渡/反転部14と、洗浄処理後のウエハWを乾燥等する加熱/冷却部(HP/COL)16が設けられ、また、ウエハWにスクラブ洗浄を施すスクラブ洗浄ユニット(S The cleaning section 3, a wafer transfer unit for temporarily mounting a wafer W in order to perform the transfer of the substrate between the wafer reversal unit (RVS) 14b and the wafer transfer section 5 that inverts the front and back of the wafer W ( a transfer / inversion section 14 composed of the TRS) 14a, the wafer W after the cleaning process heating / cooling unit for drying (HP / COL) 16 is provided, also, scrubbing unit for performing scrub cleaning wafer W ( S
CR)21a〜21dと、これらのウエハ反転ユニット(RVS)14b、ウエハ受渡ユニット(TRS)14 CR) and 21a to 21d, the wafers reversal unit (RVS) 14b, a wafer transfer unit (TRS) 14
a、スクラブ洗浄ユニット(SCR)21a〜21d、 a, scrub cleaning units (SCR) 21a to 21d,
加熱/冷却部(HP/COL)16の全てにアクセス可能に配設され、これら各部または各ユニットとの間でウエハWの受け渡しを行う主ウエハ搬送機構(PRA)1 Are all accessible disposed heating / cooling unit (HP / COL) 16, the main wafer transfer mechanism for transferring the wafer W between the respective units or units (PRA) 1
5が配設されている。 5 is disposed.

【0020】また、洗浄処理部3には、洗浄処理装置1 Further, the cleaning section 3, the cleaning apparatus 1
全体の動作・制御を行うための電装ユニット(EB)1 Electrical unit for performing the overall operation and control (EB) 1
8と機械制御ユニット(MB)19が配設され、スクラブ洗浄ユニット(SCR)21a〜21dに送液する所定の洗浄液を貯蔵する薬液貯蔵ユニット(CTB)17 8 and the machine control unit (MB) 19 is disposed, the chemical liquid storing unit for storing a predetermined cleaning liquid for feeding the scrubbing unit (SCR) 21a~21d (CTB) 17
が配設されている。 There has been arranged. さらに、洗浄処理部3の天井部には、ウエハWを取り扱う各ユニットおよび主ウエハ搬送機構(PRA)15に、清浄な空気をダウンフローするためのフィルターファンユニット(FFU)22が配設されている。 Further, the ceiling portion of the cleaning unit 3, the units and the main wafer transfer mechanism handling wafer W (PRA) 15, a filter fan unit (FFU) 22 for downflow clean air is disposed there. なお、薬液貯蔵ユニット(CTB)17 Incidentally, the chemical liquid storing unit (CTB) 17
は、スクラブ洗浄ユニット(SCR)21a〜21dの下方に設けることも可能である。 It may also be provided beneath the scrub cleaning units (SCR) 21a to 21d.

【0021】図3は受渡/反転部14におけるウエハ反転ユニット(RVS)14bとウエハ受渡ユニット(T [0021] Figure 3 is a wafer reversal unit in transfer / inversion section 14 (RVS) 14b and the wafer transfer unit (T
RS)14aの配設状態をX方向に隣接する主ウエハ搬送機構(PRA)15および加熱/冷却部(HP/CO The main wafer transfer mechanism adjacent the positional states of the RS) 14a in the X direction (PRA) 15 and the heating / cooling unit (HP / CO
L)16とともに示した断面図である。 L) 16 is a cross-sectional view showing with. 受渡/反転部1 Delivery / reversing section 1
4においては、下側にウエハ受渡ユニット(TRS)1 In 4, the wafer transfer unit on the lower side (TRS) 1
4aが2段に積み重ねられ、ウエハ受渡ユニット(TR 4a are stacked in two stages, the wafer transfer unit (TR
S)14a上にウエハ反転ユニット(RVS)14bがさらに2段ほど積み重ねられて配設されている。 S) wafer reversal unit (RVS) 14b on the 14a are disposed stacked as two more stages.

【0022】ウエハ受渡ユニット(TRS)14aにおける主ウエハ搬送機構(PRA)15側の側面には、主ウエハ搬送機構(PRA)15の主ウエハ搬送アーム5 [0022] the side surface of the wafer transfer unit (TRS) the main wafer transfer mechanism in 14a (PRA) 15 side, the main wafer transfer of the main wafer transfer mechanism (PRA) 15 Arm 5
5〜57が挿入可能なように開口部95aが設けられている。 5-57 are opening 95a is provided so as to be inserted. また、洗浄処理部3とウエハ搬送部5との間には壁部93が設けられているが、壁部93においてウエハ受渡ユニット(TRS)14aとウエハ搬送部5との境界にあたる部分には窓部94aが形成されており、窓部94aを通じてウエハ搬送機構13とウエハ受渡ユニット(TRS)14aとの間でのウエハWの搬送が可能となっている。 Although the wall portion 93 between the cleaning section 3 and the wafer transfer unit 5 is provided, at a portion corresponding to the boundary between the wafer transfer unit (TRS) 14a and the wafer transfer unit 5 in the wall 93 the window part 94a is formed, transfer of the wafer W between the wafer transfer mechanism 13 and the wafer transfer unit (TRS) 14a is enabled through the window portion 94a.

【0023】図4は図3と同じ断面図であり、フィルターファンユニット(FFU)22からのダウンフローの流れを示した説明図であり、図4においては主ウエハ搬送機構(PRA)15の配置部分はダウンフローの流れを示すために空白で示されている。 [0023] Figure 4 is the same sectional view as FIG. 3 is an explanatory diagram showing a flow of the down flow from the filter fan unit (FFU) 22, the arrangement of the main wafer transfer mechanism (PRA) 15 in FIG. 4 parts are designated by spaces to show the flow of downflow. 図4に示すように、 As shown in FIG. 4,
フィルターファンユニット(FFU)22からのダウンフローの一部は、開口部95aからウエハ受渡ユニット(TRS)14a内に導かれ、窓部94aからウエハ搬送部5に向けて流出する構造となっている。 Some of the down flow from the filter fan unit (FFU) 22 is guided from the opening 95a in the wafer transfer unit (TRS) in 14a, and has a structure which flows out toward the window portion 94a in the wafer transfer unit 5 .

【0024】このような構造とすることで、ウエハ搬送部5から洗浄処理部3へのパーティクル等の侵入が防止され、洗浄処理部3の清浄度が保持されるようになっている。 [0024] With such a structure, penetration of particles or the like from the wafer transfer unit 5 to the cleaning unit 3 is prevented, cleanliness of the cleaning unit 3 is adapted to be held. また、ウエハ搬送部5に導かれたダウンフローは、イン・アウトポート4からウエハ搬送部5へのパーティクル等の侵入を防止して、ウエハ搬送部5の清浄度保持にも効果を示す。 Moreover, downflow guided to the wafer transfer unit 5, to prevent entry of particles or the like from the in-out port 4 to the wafer transfer unit 5 also shows the effect on the cleanliness holding of the wafer transfer unit 5. こうして、洗浄処理装置1は全体的にウエハWへのパーティクル等の付着が防止される構造となっている。 Thus, the cleaning apparatus 1 has a structure adhered is prevented such as particles of the whole wafer W.

【0025】窓部94aや開口部95aは、シャッター等により開閉自在に形成されていてもよいが、その場合には、フィルターファンユニット(FFU)22の動作中はウエハ受渡ユニット(TRS)14aが使用されいるといないとにかかわらずに開口した状態としておくことが好ましく、フィルターファンユニット(FFU)2 The window portion 94a and the opening 95a may be opened and closed freely formed by the shutter or the like, but in that case, during operation of the filter fan unit (FFU) 22 wafer transfer unit (TRS) 14a is preferably to keep a state of being opened irrespective of the as not the have been used, a filter fan unit (FFU) 2
2の動作状態にかかわらず、中窓部94aや開口部95 Regardless second operating state, Chumado portion 94a and openings 95
aは常に開口した状態であってもよい。 a is always be a state where the opening.

【0026】ウエハ受渡ユニット(TRS)14aの底面の所定位置には、上部に向かって突出したピン25が設けられており、例えば、ウエハWを保持したウエハ搬送機構13のウエハ保持アーム13aをピン25より上方に挿入して、その後にウエハWがウエハ保持アーム1 [0026] predetermined position of the bottom surface of the wafer transfer unit (TRS) 14a, a pin 25 projecting towards the top is provided, for example, pin wafer holding arm 13a of the wafer transfer mechanism 13 holding the wafer W insert from above 25, after which the wafer W is a wafer holding arm 1
3aから離れてピン25上に載置されるようにウエハ保持アーム13aを降下させて引き戻すことで、ウエハW By pulling back to the wafer holding arm 13a is lowered to be placed on the pin 25 away from 3a, the wafer W
がピン25上に載置される。 There is placed on the pin 25. なお、ピン25によってウエハWを載置する方法を用いた場合には、基本的に1ユニットに1枚のウエハWを保持することとなるが、例えば、キャリアCにウエハWを収容するように、多段に配設されたガイドにウエハWを保持するようにすると、1 In the case of using a method of mounting the wafer W by the pin 25 is so that the holding one wafer W essentially one unit, for example, to accommodate the wafer W in the carrier C and so as to hold the wafer W on the guide arranged in multiple stages, 1
ユニットに複数枚のウエハWを載置することが可能となる。 It is possible to mount a plurality of wafers W to the unit.

【0027】上下2段に配設されたウエハ受渡ユニット(TRS)14aは、種々に使い分けをして用いることが可能である。 The upper and lower disposed in two stages has been wafer transfer unit (TRS) 14a may be used to selectively used in various. 例えば、下段のウエハ受渡ユニット(T For example, the lower wafer transfer unit (T
RS)14aはウエハ搬送部5から洗浄処理部3へ搬送される洗浄処理が行われていないウエハWのみが載置され、上段のウエハ受渡ユニット(TRS)14aは洗浄処理部3からウエハ搬送部5へ搬送する洗浄処理済みのウエハWのみが載置されるように用いることができる。 RS) 14a only wafer W cleaning process to be carried from the wafer transfer unit 5 to the cleaning unit 3 is not being performed is placed, the wafer transfer unit upper wafer transfer unit (TRS) 14a from the cleaning unit 3 only cleaning processed wafers W to be transported to 5 can be used as is placed.
この場合には、未処理のウエハWからピン25に付着したパーティクル等が、洗浄処理後のウエハWに再付着するといったウエハWの汚染が低減され、ウエハWが清浄に保たれるようになる。 In this case, particles and the like adhering the unprocessed wafers W on the pin 25, contamination of the wafer W such that redeposition is reduced to a wafer W after the cleaning process, so that the wafer W is kept clean .

【0028】また、全くランダムに洗浄処理の進行状況に合わせて、ある時には2段ともに洗浄処理部3へ搬送する未処理のウエハWを載置し、また別の時には2段ともにウエハ搬送部5へ搬送する洗浄処理済みのウエハW Further, in accordance with the totally progress of the cleaning process at random, the wafer transfer unit 5 places the unprocessed wafer W to be transported to the cleaning section 3 in both two-stage at some time, also in two stages both at the time of another washing the treated wafer W to be conveyed to the
を載置するように用いることもできる。 It can also be used to put. この場合にはスループットが向上し、生産性が高められる。 In this case, throughput is improved, the productivity is enhanced.

【0029】次に、受渡/反転部14に配設されたウエハ反転ユニット(RVS)14bについて説明する。 Next, delivery / disposed inverted portion 14 wafer reversal unit (RVS) 14b will be described. 図3に示すように、ウエハ反転ユニット(RVS)14b As shown in FIG. 3, a wafer reversal unit (RVS) 14b
における主ウエハ搬送機構(PRA)15側の側面下部には、主ウエハ搬送機構(PRA)15の主ウエハ搬送アーム55〜57が挿入可能なように開口部95bが設けられており、その側面上部にはフィルターファンユニット(FFU)22からのダウンフローの一部を取り込むための窓部95cが形成されている。 In the lower side of the main wafer transfer mechanism (PRA) 15 side, a main wafer transfer mechanism (PRA) 15 main wafer transfer arm 55-57 has openings 95b to allow insertion of are provided, the upper side surface window 95c for taking a part of the down-flow from the filter fan unit (FFU) 22 is formed on. ここで、ウエハ反転ユニット(RVS)14bにおける主ウエハ搬送機構(PRA)15側の側面は全体が開口した状態となっていてもよい。 Here, the side surface of the wafer main wafer transfer mechanism in the reversing unit (RVS) 14b (PRA) 15 side may be in a state which is entirely open. また、洗浄処理部3とウエハ搬送部5との間には壁部93が設けられているが、壁部93においてウエハ反転ユニット(RVS)14bとウエハ搬送部5との境界にあたる部分には窓部94bが形成されている。 Although the wall portion 93 between the cleaning section 3 and the wafer transfer unit 5 is provided, at a portion corresponding to the boundary between the wafer reversal unit (RVS) 14b and the wafer transfer unit 5 in the wall 93 the window part 94b is formed.

【0030】従って、図4に示すように、前述したウエハ受渡ユニット(TRS)14aの場合と同様に、フィルターファンユニット(FFU)22からのダウンフローの一部は開口部95b・95cからウエハ反転ユニット(RVS)14b内に導かれ、窓部94bからウエハ搬送部5に向けて流出する構造となっており、ウエハ搬送部5から洗浄処理部3へのパーティクル等の侵入防止を図り、洗浄処理部3の清浄度が保持され、ひいてはウエハ搬送部5の清浄度も保持されるようになっている。 [0030] Therefore, as shown in FIG. 4, as in the case of the wafer transfer unit (TRS) 14a described above, a filter fan unit (FFU) part of the down flow from 22 is the wafer reversed from the opening 95b · 95c led to the unit (RVS) in 14b, it has a structure which flows out from the window 94b in the wafer transfer unit 5, aims to intrusion prevention such as particles from the wafer transfer unit 5 to the cleaning unit 3, the cleaning process held cleanliness parts 3, adapted to be retained and thus cleanliness of the wafer transfer unit 5.

【0031】ウエハ反転ユニット(RVS)14bの概略構造を図5の平面図と図6の側面図に示す。 [0031] showing the schematic structure of a wafer reversal unit (RVS) 14b in a plan view and a side view of FIG. 6 in FIG. ウエハ反転ユニット(RVS)14bは、後に詳細に説明する主ウエハ搬送機構(PRA)15との間でウエハWの受け渡しを行うウエハ中継部26と、ウエハ中継部26を昇降させる昇降機構27と、ウエハ中継部26に保持されたウエハWを把持して受け取り、回転により把持したウエハWを反転させ、再びウエハ中継部26にウエハWを渡すウエハ反転機構28とを有している。 Wafer reversal unit (RVS) 14b includes a wafer relay unit 26 for transferring the wafer W between the main wafer transfer mechanism (PRA) 15 which will be described later in detail, a lifting mechanism 27 for raising and lowering the wafer relay section 26, It receives the wafer W held by the wafer relay section 26 grasped by inverts the wafer W gripped by the rotation, and a wafer inverting mechanism 28 to pass the wafer W to the wafer relay unit 26 again.

【0032】ウエハ中継部26は、図5・図6に示すように、略H型の支持台31と支持台31を水平に保持する2本の支持アーム32a・32bを有しており、支持台31の端部4点には脚部31bが配設され、さらに、 The wafer relay unit 26, as shown in FIGS. 5 and 6, has two support arms 32a-32 b for holding the support base 31 and the support base 31 of substantially H-shaped horizontal support leg 31b is disposed on the end 4 points of the platform 31, further
脚部31b上に断面略L字型に形成された保持部材31 Holding member 31 formed in a substantially L-shaped on the legs 31b
aが配設されている。 a is disposed. 保持部材31aは、その底部上にウエハWの周縁部が接し、垂直壁がウエハを保持した際のガイドとなるように外側に位置しており、ウエハWを保持することができるようになっている。 Holding member 31a, the bottom peripheral portion of the wafer W is in contact on, located on the outside so that the vertical wall serves as a guide at the time of holding the wafer, so that it can hold the wafer W there.

【0033】支持アーム32a・32bの基端部は昇降機構27に取り付けられたブロック33に固定されており、ブロック33はZ方向に伸縮するエアーシリンダ3 The proximal end portion of the support arm 32a · 32 b is fixed to the block 33 attached to the elevating mechanism 27, the block 33 is an air cylinder 3 to expand and contract in the Z direction
4と連結されて、エアーシリンダ34の昇降動作に従って、Z方向に延在して設けられたガイド35に案内されて昇降される。 4 is connected with, in accordance with vertical movement of the air cylinder 34, is raised and lowered while being guided by the guide 35 provided to extend in the Z direction. なお、昇降機構27はこのようなエアーシリンダ34を用いた構造に限定されるものではなく、 Incidentally, the lift mechanism 27 is not limited to the structure using such an air cylinder 34,
モータ等の回転駆動機構を用いた回転をプーリーおよびベルト等を用いてブロック33に伝達することにより、 Rotation with the rotation driving mechanism such as a motor with a pulley and a belt or the like by transmitting the block 33,
昇降動作を行う機構等を用いてもよい。 It may be used a mechanism for performing the lifting operation.

【0034】ウエハ反転機構28は、X方向に開閉自在に設けられた2本1組のウエハ把持アーム36a・36 The wafer inverting mechanism 28, two were openably provided in the X direction a pair of wafer holding arms 36a · 36
bを有しており、その先端部には底部がウエハWの側面に沿ったV溝を有する把持部材36cが配設されている。 Has a b, gripping member 36c is arranged to have a V-groove bottom along the sides of the wafer W at its distal end. ウエハ把持アーム36a・36bを閉脚させた際には、ウエハWの周縁部がV溝に挟持され、ウエハWは直径方向においてウエハ把持アーム36a・36bに把持される。 The wafer holding arms 36a · 36b when allowed to 閉脚 the peripheral portion of the wafer W is sandwiched V grooves, the wafer W is gripped by the wafer holding arms 36a · 36b in the diameter direction. なお、図6においては、水平方向でウエハWを把持したウエハ把持アーム36a・36bを90°ほど回転させて垂直に保持した状態が点線で示されている。 In FIG. 6, the wafer holding arms 36a · 36b gripping the wafer W is rotated about 90 ° in a state of being held vertically is shown dotted in the horizontal direction.

【0035】図7(a)〜(c)は、ウエハ把持アーム36a・36bのX方向開閉機構29を矢視方向を変えて示した説明図である。 FIG. 7 (a) ~ (c) is an explanatory view showing the X-direction opening and closing mechanism 29 of the wafer holding arms 36a · 36b by changing the palm direction. 図7(a)と図7(c)はともにZ方向矢視図であるが、図7(a)はウエハ反転ユニット(RVS)14bの上方から下方へ、図7(b)は下方から上方へ向けての矢視図である。 Although FIGS. 7 (a) and FIG. 7 (c) are both Z-direction arrow view, FIG. 7 (a) downwards from above the wafer reversal unit (RVS) 14b, FIG. 7 (b) above from below it is an arrow view of the towards.

【0036】ウエハ把持アーム36a・36bの基端部はガイドブロック37a・37bのZ−X端面に固定されており、ガイドブロック37a・37bは、X方向に延在して設けられたガイド38と嵌合しており、X方向にスライド自在となっている。 The proximal end portion of the wafer holding arms 36a · 36b is fixed to the Z-X end face of the guide block 37a · 37b, guide blocks 37a · 37b includes a guide 38 which extend in the X direction fitted and are slidable in the X direction. ガイドブロック37a Guide block 37a
は、また、X方向に平行に配設されたプーリー49a・ Also, the pulley 49a · disposed parallel to the X direction
49b間に架設された1本のワイヤ39のY方向上側(図7(c))に固定され、一方、ガイドブロック37 It is fixed to the Y-direction above the single wire 39 which is extended between 49b (FIG. 7 (c)), whereas, the guide block 37
bはワイヤ39のY方向下側(図7(c))に、それぞれ接続されている。 b in the Y direction lower side of the wire 39 (FIG. 7 (c)), are connected. さらに、ガイドブロック37aは、 In addition, the guide block 37a is,
X方向に伸縮自在なエアーシリンダ41の先端と固定されている。 It is fixed with the tip of the telescopic air cylinder 41 in the X direction. なお、ワイヤ39を連結しているバネ42 Incidentally, a spring 42 which connects the wire 39
は、ワイヤ39のテンションを一定に保つ機能を有する。 Has a function of keeping the tension of the wire 39 constant.

【0037】このような図7(a)〜(c)に示した構造において、エアーシリンダ41をX方向右側に向けて伸張させた場合、ガイドブロック37aは同じX方向右側へ移動する。 [0037] In the structure shown in this FIG. 7 (a) ~ (c), when is extended toward the air cylinder 41 in the X direction right guide block 37a moves in the same X direction right. このとき、ガイドブロック37aはワイヤ39のY方向上側にあった部分がX方向右側へ移動するようにワイヤ39を回転させるので、ワイヤ39のY At this time, since the guide block 37a to rotate the wire 39 so that the Y-direction upper side a portion of the wire 39 is moved in the X direction right, Y of the wire 39
方向下側にあった部分はX方向左へ移動し、このようなワイヤ39の動きに従って、ワイヤ39のY方向下側にあった部分に取り付けられていたガイドブロック37b Portions were in direction lower side is moved in the X-direction left, according to the movement of such a wire 39, a guide block 37b which is attached to a portion in the Y-direction lower side of the wire 39
はX方向左へ移動する。 It is moved in the X direction left. こうして、エアーシリンダ41 In this way, the air cylinder 41
の伸張によりガイドブロック37a・37b間の距離が開き、ウエハ把持アーム36a・36bが開脚するように動作する。 By stretching the opening distance between the guide blocks 37a · 37b, operate as a wafer holding arms 36a · 36b are open leg. 逆に、エアーシリンダ41の長さを縮めた場合にはウエハ把持アーム36a・36bは閉脚するように動作する。 Conversely, if the shortened length of the air cylinder 41 is a wafer holding arms 36a · 36b operates to 閉脚.

【0038】ウエハ把持アーム36a・36bとX方向開閉機構29は回転駆動機構30によってY方向に平行な回転軸44回りに180°反転できるようになっている。 The wafer holding arms 36a · 36b and the X-direction switching mechanism 29 is adapted to be inverted 180 ° to the rotation axis 44 about parallel to the Y direction by a rotation drive mechanism 30. これにより、ウエハWの上下面の反転が行われる。 Thus, the inversion of the upper and lower surfaces of the wafer W is performed.
図5および図7に示されるように、X方向開閉機構29 As shown in FIGS. 5 and 7, X-direction switching mechanism 29
のX方向端に突出して設けられた突起部43aは、このX方向開閉機構29が反転した際にウエハWが水平に保持されるように、ウエハ把持アーム36a・36bとX Protrusion 43a that protrudes in the X-direction end of, as the wafer W in the X-direction opening and closing mechanism 29 is inverted is held horizontally, the wafer holding arms 36a · 36b and X
方向開閉機構29の位置を制御するものであり、例えば、図5に示されるように、別体で配設された突起保持部43bに当接して水平位置が定められる。 Is for controlling the position of the direction switching mechanism 29, for example, as shown in FIG. 5, is defined a horizontal position in contact with the protrusion supporting portion 43b disposed separately.

【0039】回転駆動機構30の構造としては、例えば、Y方向に平行かつY方向の一端がX方向開閉機構2 [0039] As the structure of the rotary drive mechanism 30, for example, one end of the parallel and Y-direction in the Y direction X direction opening and closing mechanism 2
9に取り付けられた回転軸44と回転軸44に固定されたプーリー44aならびに回転モータ45と回転モータ45の回転軸に固定されたプーリー45aを有し、回転モータ45の回転をプーリー45aとプーリー44aとの間に架けられたベルト46を通じて回転軸44へ伝達する構造を用いることができる。 A pulley 44a and the rotation motor 45 and the rotary shaft 44 which is mounted fixed to the rotating shaft 44 to 9 has a pulley 45a fixed to the rotary shaft of the rotary motor 45, the rotation of the rotary motor 45 pulley 45a and the pulley 44a structure for transmission to the rotary shaft 44 through a belt 46 hung between can be used. なお、回転駆動機構3 The rotation driving mechanism 3
0において発生するパーティクルのウエハWへの付着を防止するために、回転駆動機構30は壁部47により、 To prevent adhesion to the wafer W of particles generated in 0, the rotation driving mechanism 30 by the wall portion 47,
ウエハWが反転処理される空間と隔離されている。 Wafer W is separated from the space to be reversal processing.

【0040】ウエハ反転ユニット(RVS)14bにおいては、上述した構造により、例えば、裏面(ウエハW [0040] In the wafer reversal unit (RVS) 14b is by the above-described structure, for example, the back surface (wafer W
において半導体デバイスが形成されない面をいうものとする)の洗浄が終了したウエハWは、裏面が上面(ウエハWを水平に保持した場合に上側となっている面をいうものとする)となっている状態で主ウエハ搬送機構(P Wafer W cleaning is completed semiconductor device is assumed to refer to not formed) in, it becomes backside top (intended to refer to a surface that is the upper when holding the wafer W horizontally) the main wafer transfer mechanism (P in a state in which there
RA)15からウエハ反転ユニット(RVS)14b内に挿入され、一旦、下方に位置された支持台31上の保持部材31aに保持されるように移し替えられる。 Inserted from RA) 15 to a wafer reversal unit (RVS) in 14b, once is transferred to be held by the holding member 31a on the support table 31 which is located below. そして、ウエハWが載置された支持台31を昇降機構27により開脚状態で水平に保持されたウエハ把持アーム36 Then, the wafer gripper arms 36 which are horizontally held by the open leg state support table 31 on which the wafer W is placed by the elevating mechanism 27
a・36bの位置まで上昇させてウエハ把持アーム36 It is raised to the position of a · 36b wafer gripper arms 36
a・36bを閉脚することにより、ウエハWはウエハ把持アーム36a・36bに把持される。 By 閉脚 a a · 36b, the wafer W is gripped by the wafer holding arms 36a · 36b.

【0041】次に、ウエハWを反転動作時にウエハ把持アーム36a・36bが支持台31や保持部材31aに衝突しないように支持台31を下方に待避させて、回転駆動機構30を駆動してウエハWを180°反転させる。 Next, the support table 31 as the wafer holding arms 36a · 36b of the wafer W during the inversion operation does not collide to the support 31 and the holding member 31a and is retracted downward to drive the rotary drive mechanism 30 wafers W is allowed to 180 ° inverted. その後、ウエハWが180°反転した状態で再び支持台31を上昇させてウエハ把持アーム36a・36b Thereafter, the wafer W is increased the support table 31 again while 180 ° inverted wafer holding arms 36a · 36b
を開脚することにより、ウエハWを支持台31に移し替える。 By open leg, and transfer the wafer W to the support table 31. 続いて、ウエハWが載置された支持台31を下方へ降下させ、主ウエハ搬送機構(PRA)15にウエハWを移し替えることにより、上下反転して表面(裏面に対しウエハWにおいて半導体デバイスが形成される面をいうものとする)が上面となったウエハWは、例えば、 Subsequently, the support table 31 on which the wafer W is mounted is lowered down, by transferring the wafer W to the main wafer transfer mechanism (PRA) 15, semiconductor devices in wafer W to upside down surface (back surface wafer W but shall refer to a plane formed) becomes the upper surface, for example,
スクラブ洗浄ユニット21a〜21dに搬送され、表面の洗浄処理に供される。 Is conveyed to scrubbing units 21a to 21d, it is subjected to a cleaning treatment of the surface.

【0042】洗浄処理装置1のように、上述したウエハ反転ユニット(RVS)14bを2台配設した場合には、それぞれのウエハ反転ユニット(RVS)14bを目的別に使い分けることができる。 [0042] As the cleaning device 1, when two disposed wafer reversal unit (RVS) 14b described above can be selectively used each wafer reversal unit (RVS) 14b by purpose. 例えば、下段のウエハ反転ユニット(RVS)14bは、後述するウエハ搬送アーム55〜57によって表面が上面となって搬送されてきたウエハWを裏面が上面となるように反転するために用い、一方、上段のウエハ反転ユニット(RVS) For example, the lower wafer reversal unit (RVS) 14b is used to invert the wafer W whose surface is conveyed in a top surface by the wafer transfer arm 55-57 to be described later so backside is top, whereas, the upper part of the wafer reversal unit (RVS)
14bは、ウエハ搬送アーム55〜57によって裏面が上面となって搬送されてきたウエハWを表面が上面となるように反転するために用いるものとすることができる。 14b may be the wafer W back surface is conveyed in a top surface by the wafer transfer arm 55 to 57 the surface shall be used to reverse so that the upper surface.

【0043】また、洗浄処理装置1には4台のスクラブ洗浄ユニット(SCR)21a〜21dが配設されているので、上段のウエハ反転ユニット(RVS)14bは上段のスクラブ洗浄ユニット(SCR)21c・21d [0043] Also, since the four scrubbing unit for cleaning apparatus 1 (SCR) 21a to 21d are arranged, the upper wafer reversal unit (RVS) 14b upper scrubbing units (SCR) 21c · 21d
での処理を終了したウエハWの反転処理について用い、 Using the process for the inversion processing of the wafer W has been completed in,
下段のウエハ反転ユニット(RVS)14bは下段のスクラブ洗浄ユニット(SCR)21a・21bでの処理を終了したウエハWの反転処理について用いるものとすることもできる。 Lower wafer reversal unit (RVS) 14b may also be made using the inversion processing of the wafer W have been processed at the lower scrubbing units (SCR) 21a · 21b.

【0044】さらに、全くランダムに洗浄処理の進行状況に合わせて、つまり、全く未処理のウエハW、裏面のみの洗浄が終了したウエハW、表面のみ洗浄が終了したウエハW、表裏両面の洗浄処理が終了したウエハWについて、次の処理が行える状態となるように空いているウエハ反転ユニット(RVS)14bへ逐次搬送して反転処理させるように用いることもでき、後述する主ウエハ搬送機構(PRA)15に設けられた主ウエハ搬送アーム55〜57は、このように予め定められて機械制御ユニット(MB)19のコントローラにセット、記憶された処理レシピに従って、ウエハWを所定のウエハ反転ユニット(RVS)14bに搬入し、または、所定のウエハ反転ユニット(RVS)14bからウエハWを搬出するように制御され [0044] Further, completely in accordance with the progress of the cleaning process at random, that is, the wafer W completely untreated wafer W cleaning of the back surface only is completed, the wafer W to cleaning only the surface is finished, the cleaning process of both sides for wafer W but ended, and sequentially conveyed to the wafer reversal unit (RVS) 14b vacant so that the state in which the next processing can be performed can be used to reverse the process, described later main wafer transfer mechanism (PRA ) main wafer transfer arm 55-57 provided 15 is thus predetermined by set in the controller of the machine control unit (MB) 19, according to a stored process recipe, a wafer W to a predetermined wafer reversal unit ( RVS) is carried into 14b, or are controlled so as to carry the wafer W from the predetermined wafer reversal unit (RVS) 14b .

【0045】なお、上述したウエハ反転ユニット(RV [0045] It should be noted that the above-mentioned wafer reversing unit (RV
S)14bには、ウエハWの状態、例えば、ウエハWが正確な位置において支持台31上に載置されているか、 The S) 14b, the state of the wafer W, for example, whether the wafer W is placed on the support table 31 at a precise location,
また、確実にウエハ把持アーム36a・36bに把持されているか、等を検知する光学センサ等のセンサ48を設けて、ウエハWの移動が確実に行われているかどうかを監視することが好ましい。 Also, certainly if it is gripped by the wafer holding arms 36a · 36b, etc., a sensor 48 such as an optical sensor for detecting, it is preferable to monitor whether the movement of the wafer W is being carried out reliably. これによりウエハWの反転動作時のウエハWの落下、破損等が防止される。 Thus dropping of the wafer W during the inversion operation of the wafer W, damage can be prevented.

【0046】次に、主ウエハ搬送機構(PRA)15の構造について説明する。 [0046] Next, the structure of the main wafer transfer mechanism (PRA) 15. 主ウエハ搬送機構(PRA)1 The main wafer transfer mechanism (PRA) 1
5は、Z方向に延在し、垂直壁51a・51bおよびこれらの間の側面開口部51cを有する筒状支持体51 5 extends in the Z-direction, the cylindrical support 51 having vertical walls 51a · 51b and the side opening 51c between these
と、その内側に筒状支持体51に沿ってZ方向に昇降自在に設けられたウエハ搬送体52とを有している。 When, and a wafer transfer body 52 which is provided vertically movably in the Z direction along the cylindrical support member 51 therein. 筒状支持体51はモータ53の回転駆動力によって回転可能となっており、それに伴ってウエハ搬送体52も一体的に回転されるようになっている。 Cylindrical support member 51 is adapted to have become rotatable by a rotational driving force of the motor 53, even the wafer transfer body 52 with it being rotated integrally.

【0047】ウエハ搬送体52は、搬送基台54と、搬送基台54に沿って前後に移動可能な3本の主ウエハ搬送アーム55・56・57とを備えており、主ウエハ搬送アーム55〜57は、筒状支持体51の側面開口部5 The wafer transfer member 52 includes a transfer base 54, and a main wafer transfer arm 55, 56, 57 of the three movable back and forth along the transfer base 54, the main wafer transfer arm 55 to 57, the side opening 5 of the tubular support 51
1cを通過可能な大きさを有している。 It has a size capable of passing through the 1c. これら主ウエハ搬送アーム55〜57は、搬送基台54内に内蔵されたモータおよびベルト機構によりそれぞれ独立して進退移動することが可能となっている。 These main wafer transfer arm 55-57 is made possible to move forward and backward independently by built-in motor and belt mechanism within transfer base 54. ウエハ搬送体52は、 Wafer transfer member 52,
モータ58によってベルト59を駆動させることにより昇降するようになっている。 It is adapted to lift by driving the belt 59 by a motor 58. なお、符号60は駆動プーリー、61は従動プーリーである。 Reference numeral 60 is a drive pulley, 61 is a driven pulley.

【0048】図3に示すように、主ウエハ搬送機構(P [0048] As shown in FIG. 3, the main wafer transfer mechanism (P
RA)15を挟んで、受渡/反転部14の反対側には加熱/冷却部(HP/COL)16が設けられている。 Across the RA) 15, a heating / cooling unit on the opposite side of the transfer / inversion section 14 (HP / COL) 16 is provided. 加熱/冷却部(HP/COL)16には、強制冷却を行う冷却ユニット(COL)16bが1台配設され、その上に強制加熱/自然冷却を行うホットプレートユニット(HP)16aが3台積み重ねられて配設されている。 The heating / cooling unit (HP / COL) 16 is the cooling unit (COL) 16b is 1 Taihai set of forced cooling, the hot plate unit (HP) 16a is three of forced heating / natural cooling thereon stacked and are disposed.
これら各ユニットの主ウエハ搬送機構(PRA)15側には、主ウエハ搬送アーム55〜57の挿入退出が可能なように開閉窓部96が形成されている。 These main wafer transfer mechanism (PRA) 15 side of each unit, and the main wafer transfer opening window 96 so that insertion exit capable of arms 55 to 57 are formed.

【0049】冷却ユニット(COL)16bは、例えば、上面に近接してウエハWを保持するための複数のピン62aが突出して設けられた載置テーブル62に、下方から窒素ガス等の冷却ガスを噴射して載置テーブル6 The cooling unit (COL) 16b, for example, the mounting table 62 in which a plurality of pins 62a are provided to protrude to hold the wafer W in close proximity to the upper surface, the cooling gas such as nitrogen gas from below injection to placing table 6
2を冷却することでウエハWを均一に冷却することができる構造のものを用いることができる。 It can be used as the structure capable of uniformly cooling the wafer W by 2 is cooled. 一方、加熱ユニット(HP)16aは、ヒータ63aを内蔵して所定温度に保持されたホットプレート63の上面に近接してウエハWを保持することで、ウエハWを均一に加熱することができるものが好適に用いられる。 On the other hand, the heating unit (HP) 16a, by holding the wafer W in close proximity to the upper surface of the hot plate 63 which is held at a predetermined temperature by a heater 63a, which can be uniformly heat the wafer W It is preferably used. 加熱/冷却部(H Heating / cooling unit (H
P/COL)16は、スクラブ洗浄後の表面または裏面が完全には乾燥していない状態のウエハWの乾燥処理に主に用いられる。 P / COL) 16 is mainly used for drying the wafers W in a state where not dry completely the surface or back surface after scrubbing.

【0050】続いてスクラブ洗浄ユニット(SCR)2 [0050] Then scrub cleaning unit (SCR) 2
1a〜21dについて説明する。 It will be described 1a~21d. 図1、2に示されるように、洗浄処理装置1においては、上下2段に積み重ねて配設され、各段に2台ずつ計4台のスクラブ洗浄ユニット(SCR)21a〜21dが配設されている。 As shown in FIGS. 1 and 2, the cleaning apparatus 1 is arranged stacked in upper and lower stages, each two in total four scrub cleaning units (SCR) 21a to 21d are arranged in each stage ing.

【0051】スクラブ洗浄ユニット(SCR)21a〜 The scrub cleaning unit (SCR) 21a~
21dは、主ウエハ搬送機構(PRA)15の主ウエハ搬送アーム55〜57が挿入退出可能なように、ウエハ搬送部5側に配置されているスクラブ洗浄ユニット(S 21d, as the main wafer transfer arm 55-57 of the main wafer transfer mechanism (PRA) 15 can be inserted exit, scrub cleaning unit disposed in the wafer transfer unit 5 side (S
CR)21bと同段隣に配設されているスクラブ洗浄ユニット(SCR)21aとでは、これらの境界壁97a In the CR) 21b and scrubbing unit which is disposed in the stage next (SCR) 21a, these boundary wall 97a
(後述するシンク68の1側面)について対称な構造となっており、スクラブ洗浄ユニット(SCR)21cと同段隣のスクラブ洗浄ユニット(SCR)21dについても境界壁97bについて対称な構造となっている。 It has a has a symmetrical structure about the scrub cleaning units (SCR) 21c the stage next to the scrubbing unit and (SCR) structure symmetrical about the boundary wall 97b also 21d (1 side below sinks 68) .

【0052】つまり、後に詳細に図8・図9に示すように、スクラブ洗浄ユニット(SCR)21a〜21dにおいて主ウエハ搬送アーム55〜57との間でウエハW [0052] That is, as shown later in FIG. 8 and 9 in detail, the wafer W between the main wafer transfer arm 55-57 in scrub cleaning unit (SCR) 21a to 21d
の受け渡しを行い、またウエハWを略水平に保持するスピンチャック71は、全てのスクラブ洗浄ユニット(S Perform the transfer, also spin chuck 71 for substantially horizontally holding the wafer W, all scrubbing unit (S
CR)21a〜21dにおいて主ウエハ搬送機構(PR The main wafer transfer mechanism in the CR) 21a~21d (PR
A)15に近接した位置に設けられ、スピンチャック7 Provided at a position close to A) 15, the spin chuck 7
1上に保持されたウエハWの上面にブラシ76a・76 Brush 76a · 76 on the upper surface of the wafer W held on 1
bが当接するように駆動されるブラシ保持アーム77a Brush holding arms 77a to be driven so b abuts
・77bの待避位置は、主ウエハ搬送機構(PRA)1 · 77b retracted position of, the main wafer transfer mechanism (PRA) 1
5から離れた位置に設けられる。 Provided at a position away from the 5. こうして、スクラブ洗浄ユニット(SCR)21a・21bはその境界である壁面97aについて互いに対称な構造を有し、スクラブ洗浄ユニット(SCR)21c・21dはその境界である壁面97bについて互いに対称な構造を有する(図1 Thus, scrub cleaning units (SCR) 21a · 21b has a symmetrical structure to each other about the wall 97a which is a boundary, scrub cleaning units (SCR) 21c · 21d has a symmetrical structure to each other about the wall 97b which is the boundary (Fig. 1
参照)。 reference).

【0053】これらスクラブ洗浄ユニット(SCR)2 [0053] These scrub cleaning unit (SCR) 2
1a〜21dの用い方としては、同ウエハWの表裏面を考慮せずに、ランダムに空いているユニットへ逐次ウエハWを搬送して洗浄処理を始めるような処理レシピに従って用いる方法が挙げられるが、ここで、上段に設けられたスクラブ洗浄ユニット(SCR)21c・21d The manner of using 1A~21d, without considering the front and back surfaces of the same the wafer W, but such a method is to use in accordance with the processing recipe as start cleaning by conveying a sequential wafer W to empty unit randomly wherein scrubbing unit provided in the upper (SCR) 21c · 21d
は、直上に設けられたフィルターファンユニット(FF , The filter fan unit provided in the above (FF
U)22から直接に清浄な空気を取り込むことができ、 Directly can capture clean air from U) 22,
内部のクリーン度を高く保つことが可能であるのに対し、下段に設けられたスクラブ洗浄ユニット(SCR) While it is possible to maintain a high internal cleanliness, scrub cleaning unit provided in the lower (SCR)
21a・21bについては、洗浄処理装置1の壁面を利用して配管を設ける等してフィルターファンユニット(FFU)22から内部に清浄な空気を引き込む必要があるため、通常、下段に設けられたスクラブ洗浄ユニット(SCR)21a・21bのクリーン度は上段に設けられたスクラブ洗浄ユニット(SCR)21c・21d Scrub For 21a · 21b, since after use the wall of the cleaning apparatus 1 and the like provided a pipe filter fan unit (FFU) 22 is required to draw clean air into, which normally is provided in the lower cleaning units (SCR) 21a · 21b cleanliness scrubbing unit provided in the upper (SCR) 21c · 21d
ほどは高くはならないと考えられる。 As it is believed that should not be high.

【0054】そこで、洗浄処理装置1においては、より清浄度の高い環境での処理が好ましいウエハWの表面の洗浄を上段に設けられたスクラブ洗浄ユニット(SC [0054] Therefore, in the cleaning apparatus 1, the processing of a higher cleanliness environment is preferred wafer W scrubbing unit provided with cleaning the upper surface of the (SC
R)21c・21dで行い、下段に設けられたスクラブ洗浄ユニット(SCR)21a・21bを用いてウエハWの裏面の洗浄を行うように、用途を区別して用いることが好ましい。 Performed in R) 21c · 21d, so as to clean the rear surface of the wafer W using a scrub cleaning units (SCR) 21a · 21b provided in the lower, it is preferable to use to distinguish the application. なお、下段のスクラブ洗浄ユニット(S Incidentally, the lower the scrub cleaning unit (S
CR)21a・21bの上部にフィルターユニットを設けて、フィルターファンユニット(FFU)22から配管を通じて供給された空気は、このフィルターユニットにより濾過されてスクラブ洗浄ユニット(SCR)21 And a filter unit provided in an upper portion of the CR) 21a · 21b, the filter fan unit (air supplied through a pipe from the FFU) 22 is filtered by the filter unit scrub cleaning units (SCR) 21
a・21b内に供給されるように構成すると、スクラブ洗浄ユニット(SCR)21a・21b内のクリーン度が高く保たれ、好ましい。 When configured to be supplied into the a · 21b, cleanliness in scrub cleaning units (SCR) 21a · 21b are kept high, which is preferable.

【0055】この場合、裏面洗浄用のスクラブ洗浄ユニット(SCR)21a・21bにおいては、ウエハWをスピンチャック71上に水平に保持した場合には表面が下面(ウエハWを水平に保持した場合に下側となっている面をいうものとする)となっているので、ウエハWの表面にスピンチャック71に保持された場合の痕跡が残らないように、スピンチャック71としては、機械的にウエハWの周縁部を保持する機構を有するものを用いることが好ましい。 [0055] In this case, in the scrubbing unit (SCR) 21a · 21b for the back surface cleaning, if the surface where the horizontally held lower surface (wafer W when held horizontally wafer W on the spin chuck 71 since a is assumed to refer to surfaces that is the lower side), so leaving no trace when held by the spin chuck 71 on the surface of the wafer W, the spin chuck 71 is mechanically wafer it is preferable to use those having a mechanism for holding the peripheral edge of the W.

【0056】一方、表面洗浄用のスクラブ洗浄ユニット(SCR)21c・21dにおいては、ウエハWをスピンチャック71上に略水平に保持した場合には裏面が下面となっているので、例えば、スピンチャック71として真空吸着によりウエハWを保持する機構を有するものを用いることができる。 Meanwhile, in the scrubbing unit (SCR) 21c · 21d for surface cleaning, since in the case of substantially horizontally holding the wafer W on the spin chuck 71 has the rear surface is a lower surface, for example, the spin chuck it can be used with a mechanism for holding the wafer W by vacuum suction as 71.

【0057】上述したように、スクラブ洗浄ユニット(SCR)21a〜21dを、ウエハWの裏面洗浄用と表面洗浄用とに分けて用いた場合には、スピンチャック71の構造は異なっても、その他の部品構成等は同じであることから、以下、裏面洗浄用のスクラブ洗浄ユニット(SCR)21aを例としてその構造について説明する。 [0057] As described above, the scrub cleaning units (SCR) 21a to 21d, when used separately in the washing backside cleaning the surface of the wafer W is also the structure of the spin chuck 71 is different, other the components constituting such because it is the same, is described below the structure examples scrub cleaning units (SCR) 21a for the back surface cleaning.

【0058】図8はスクラブ洗浄ユニット(SCR)2 [0058] FIG. 8 scrub cleaning unit (SCR) 2
1cの概略構造を示す平面図、図9はその断面図である。 Plan view showing a schematic structure of 1c, FIG. 9 is a sectional view thereof. スクラブ洗浄ユニット(SCR)21aの各部材はシンク68内に配設されており、シンク68の主ウエハ搬送機構(PRA)15との境界部分には開閉窓69が配設されており、開閉窓69を通して主ウエハ搬送アーム55〜57が進退出する。 Scrubbing the members of the cleaning units (SCR) 21a is disposed in the sink 68, the boundary portion between the main wafer transfer mechanism (PRA) 15 of the sink 68 are open windows 69 are provided, open windows the main wafer transfer arm 55-57 is advanced to exit through 69. このため、ウエハWを保持するスピンチャック71は、主ウエハ搬送機構(PR Accordingly, the spin chuck 71 for holding a wafer W, the main wafer transfer mechanism (PR
A)15に近い位置に配設されている。 Is disposed at a position closer to A) 15.

【0059】スピンチャック71は、主に、チャックプレート71aとチャックプレート71aを支持する支持柱71b、支持柱71bを回転させる回転駆動機構71 [0059] The spin chuck 71 is mainly supporting column 71b supporting the chuck plate 71a and the chuck plate 71a, the rotational drive mechanism for rotating the support column 71b 71
cから構成されている。 And a c. チャックプレート71aの表面には、例えば、図示しない支持ピンが複数個ほど適所に配設されており、このウエハWはこの支持ピンの頂点に接して載置される。 On the surface of the chuck plate 71a, for example, the support pins (not shown) is disposed in place as a plurality, the wafer W is placed in contact with the apex of the support pin.

【0060】また、チャックプレート71aの周縁の3 [0060] In addition, 3 of the periphery of the chuck plate 71a
箇所には、ウエハWの脱着機構71dが配設されている。 The location, desorption mechanism 71d of the wafer W is disposed. ここで、図9の左側には脱着機構71dがウエハW Here, on the left side of FIG. 9 desorption mechanism 71d is wafer W
を保持した状態が示されており、図9の右側には脱着機構71dがウエハWを保持していない状態が示されている。 It is shown retained condition and is shown a state where the desorption mechanism 71d does not hold the wafer W is on the right side of FIG. 昇降機構72により昇降自在な1枚の連結テーブル72a上には脱着機構71dの配設位置に従って3箇所に当接治具72bが配設されており、昇降機構72を上昇させると3箇所に配設された当接治具72bは、同時に脱着機構71dの内周端をそれぞれチャックプレート71aの裏面に押し付け、これにより、脱着機構71d Lifting mechanism 72 is in the vertically movable single connection table 72a abuts against the jig 72b in three positions arranged in accordance with the arrangement positions of the desorption mechanism 71d, the distribution in three places when raising the elevating mechanism 72 abutment jig 72b that is set, the pressing inner peripheral end of the desorption mechanism 71d to the back surface of each chuck plate 71a at the same time, thereby, the desorption mechanism 71d
の外周端が外側下方へ傾いてウエハWの保持状態が解除されるようになっている。 The outer peripheral edge is adapted to the holding state of the wafer W is inclined outwardly downward is released. 反対に昇降機構72を降下させ、当接治具72bが脱着機構71dから離隔すると、 Opposed lowers the lifting mechanism 72, the abutment jig 72b is separated from the desorption mechanism 71d,
脱着機構71dの外周端は内側上方に傾いて、自然にウエハWが脱着機構71dに保持される。 Outer peripheral end of the desorption mechanism 71d is inclined inwardly upwardly, naturally wafer W is held by the desorption mechanism 71d.

【0061】チャックプレート71aの周囲を囲繞するように配設されたカップ73は、昇降機構74により昇降自在となっている。 [0061] cups 73 that are disposed so as to surround the periphery of the chuck plate 71a has a vertically movable by an elevating mechanism 74. 図9では下段位置および上段位置が同時に示されており、ウエハWの搬入出時にはカップ73は下段位置に保持され、洗浄処理中は、上段位置に保持されてウエハWの外周から外部へ飛散する洗浄液をカップ73の内周下方へ導かれる。 Figure and 9, is shown the lower position and the upper position at the same time, the cup 73 at the time of loading and unloading of the wafer W is held in the lower position, during the cleaning process, scattered held in the upper position to the outside from the outer periphery of the wafer W It directed a cleaning solution to the inner peripheral lower cup 73. なお、カップ73には上下2箇所にテーパー部73aが形成されており、洗浄液が外部へ飛散し難い構造となっている。 Note that the cup 73 is formed with a tapered portion 73a at the upper portion and the lower portion, the cleaning liquid is a hard structure scattered to the outside. また、カップ73の内周側底部にはドレイン75が形成されており、カップ73内の排気および洗浄液の排出が行われるようになっている。 Further, the inner peripheral side the bottom of the cup 73 are a drain 75 is formed, evacuation and discharge of the cleaning liquid in the cup 73 is to be carried out.

【0062】スクラブ洗浄ユニット(SCR)21aには、ウエハWの上面に当接してスクラブ洗浄を行う2本のブラシ76a・76bが配設されている。 [0062] The scrub cleaning units (SCR) 21a includes two brushes 76a · 76 b for performing contact with scrubbing the top surface of the wafer W is disposed. ブラシ76 Brush 76
a・76bはそれぞれブラシ保持アーム77a・77b Each is a · 76b brush holding arm 77a · 77b
の先端に保持されており、ブラシ保持アーム77a・7 Of being retained at the tip, brush holding arms 77a · 7
7bの先端に配設された図示しない回転駆動機構により、Z方向に平行な回転軸78a・78b回りに回転自在に構成されている。 The rotary drive mechanism (not shown) disposed at the distal end of 7b, and is configured to be rotatable parallel to the rotation axis 78a · 78b around the Z-direction. 図8では、2本のブラシ保持アーム77a・77bがカップ73外の待避位置にある状態が示されており、ブラシ76a・76bは待避位置において、ブラシバス67上に位置し、ブラシバス67にブラシ76a・76bから垂れ落ちる洗浄液が捕集される。 In Figure 8, the two brush holding arms 77a · 77b is shows a state at the retracted position outside the cup 73, the brush 76a · 76 b in the retracted position, located on the brush bus 67, the brush bus 67 the cleaning liquid is collected dripping from the brush 76a · 76b.

【0063】なお、ブラシ保持アーム77a・77bの先端には、ブラシ76a・76bに所定の洗浄液を供給する洗浄液供給ノズル(図示せず)が設けられており、 [0063] Note that the tip of the brush holding arms 77a · 77b, the cleaning liquid supply nozzle (not shown) for supplying a predetermined cleaning liquid to the brush 76a · 76 b is provided,
ブラシ76a・76bを用いたスクラブ洗浄中にはブラシ76a・76bに所定量の洗浄液が供給されるようになっている。 During scrub cleaning using a brush 76a · 76 b so that the predetermined amount of cleaning liquid is supplied to the brush 76a · 76 b.

【0064】ブラシ保持アーム77aの基端部は駆動機構79aと連結され、駆動機構79aによりガイド81 [0064] proximal end portion of the brush holding arm 77a is connected to a drive mechanism 79a, the driving mechanism 79a guide 81
aに沿ってX方向に平行にスライド自在となっており、 And freely slide parallel to the X direction along the a,
ブラシ保持アーム77bの基端部は駆動機構79bと連結され、駆動機構79bによりガイド81bに沿ってX Proximal end of the brush holding arm 77b is connected to a drive mechanism 79b, X along the drive mechanism 79b by the guide 81b
方向に平行にスライド自在となっている。 It is freely slide parallel to direction. このように、 in this way,
スクラブ洗浄ユニット(SCR)21aでは、2本のブラシ保持アーム77a・77bは独立して駆動することが可能となっている。 In scrub cleaning units (SCR) 21a, 2 pieces of brush holding arms 77a · 77b is made it can be driven independently. また、これらの駆動機構79a・ In addition, these drive mechanism 79a ·
79bはブラシ保持アーム77a・77bをZ方向に上下させる昇降機構をも兼ね備え、この昇降機構によりブラシ76a・76bの高さ調節を行うことができるようになっている。 79b also combines lifting mechanism for lowering the brush holding arms 77a · 77b in the Z direction, so that it is possible to adjust the height of the brush 76a · 76 b by the lifting mechanism. なお、ブラシ76a・76bが配設されているブラシ保持アーム77a・77bの先端部分にブラシ76a・76bをZ方向に昇降させる機構を設けることも可能である。 It is also possible to provide a mechanism for raising and lowering the brush 76a · 76 b in the Z direction to the tip portion of the brush holding arms 77a · 77b of the brush 76a · 76 b is arranged.

【0065】こうしてスクラブ洗浄ユニット(SCR) [0065] Thus scrub cleaning unit (SCR)
21aにおいては、例えば、スピンチャック71を回転させた状態で、カップ73の外側近傍に配設されたリンスノズル86a・86bからウエハWの表面の所定位置に洗浄液を供給してウエハW上に均一な液膜を形成しつつ、2本のブラシ保持アーム77a・77bを同時に駆動してブラシ76a・76bをウエハWの異なる位置に当接させながらX方向にスキャンさせて洗浄処理を行うことができ、この場合には、1枚のウエハWの洗浄処理時間を短縮することが可能となる。 In 21a, for example, while rotating the spin chuck 71, uniformly on the wafer W by supplying a cleaning liquid from a disposed a rinse nozzle 86a · 86b near the outside of the cup 73 at a predetermined position of the surface of the wafer W such while forming a liquid film, the two brush holding arms 77a · 77b simultaneously driven to scan in the X direction while abutting the brush 76a · 76 b in different positions the wafer W cleaning process can be performed by in this case, it is possible to shorten the cleaning time for one wafer W.

【0066】また、例えば、ブラシ76a・76bのウエハWと当接する部分の材質を異なるものとして、一方を粗洗浄用、他方を仕上げ用として用いて、より精密な洗浄を行うこともできる。 [0066] Also, for example, as the material of the wafer W and the abutting portion of the brush 76a · 76 b different, one for a rough cleaning, using for the finishing and the other, it is also possible to perform more precise cleaning. さらに、一方のブラシを他方のブラシが故障等やブラシの摩耗等により使用に不適となった場合に対処するための予備ブラシとして用いることも可能である。 Furthermore, it is also possible to use as a preliminary brush to address when it becomes unsuitable for use by one of the brush other brush failure or the like or brush wear of.

【0067】なお、図8に示すように、シンク68は壁部98によって、カップ73が配設された洗浄処理室8 [0067] Incidentally, as shown in FIG. 8, by the sink 68 the wall 98, the cleaning chamber cup 73 is disposed 8
2aと、ブラシ保持アーム77a・77bの駆動機構7 And 2a, the driving mechanism 7 of the brush holding arms 77a · 77b
9a・79bが配設された駆動機構配設室82bとに仕切られており、ブラシ保持アーム77a・77bは、この壁部98に設けられた図示しない窓部を通してその先端側が洗浄処理室82aに位置するように配設されている。 9a · 79b are partitioned into a drive mechanism coordinating 設室 82b disposed, brush holding arms 77a · 77b has at its distal end through a window portion (not shown) provided in the wall portion 98 is cleaning chamber 82a It is arranged so as to be located. この窓部は、ブラシ保持アーム77a・77bのZ The window portion, Z brush holding arms 77a · 77b
方向での昇降とX方向でのスキャンに支障がないようにZ方向に所定幅を有し、X方向に延在して設けられている。 It has a predetermined width in the Z direction so as not to interfere in the scan in elevation and X direction in the direction, and extend in the X direction.

【0068】このようにシンク68内を洗浄処理室82 [0068] cleaning chamber thus sink 68 82
aと駆動機構配設室82bとに分割することにより、駆動機構79a・79bで発生することが予想されるパーティクル等のスクラブ洗浄ユニット(SCR)21a内での拡散を防止して、ウエハWに付着することを回避することができる。 By divided into a a drive mechanism coordinating 設室 82b, to prevent the diffusion of the driving mechanism 79a · particles and the like scrubbing units occur in 79b is expected (SCR) in 21a, the wafer W it can be avoided from adhering. また、カップ73外へ飛散する洗浄液があった場合に、このような洗浄液が駆動機構79a・ Further, when there is washing liquid splashing into the outer cup 73, such cleaning liquid driving mechanism 79a ·
79bに付着して、駆動機構79a・79bに動作障害を生じさせるといった問題が回避される。 Attached to 79b, a problem causing operation failure to the drive mechanism 79a · 79b is avoided.

【0069】スクラブ洗浄ユニット(SCR)21aには、ブラシ76a・76bを用いたスクラブ洗浄の他に、高速ジェット洗浄水または超音波を印加した洗浄水による洗浄処理を行うための洗浄液吐出ノズル83が配設されている。 [0069] The scrub cleaning units (SCR) 21a, in addition to scrub cleaning using a brush 76a · 76 b, the cleaning liquid discharge nozzle 83 for performing a cleaning process by the cleaning water was applied to high-speed jet cleaning water or ultrasound It is disposed. この洗浄液吐出ノズル83は、ガイド8 The cleaning liquid discharge nozzle 83, the guide 8
1aに沿って駆動機構79cによりX方向にスキャン可能であり、かつ、Z方向に昇降可能であるノズル保持アーム84の先端に取り付けられている。 Along 1a is scannable in the X direction by the driving mechanism 79c, and is attached to the tip of the nozzle holding arm 84 is movable up and down in the Z direction. また、洗浄液吐出ノズル83は高さ/方向調節機構85により、Z方向高さおよびリンス液の吐出角度を変えることが可能となっている。 Further, the cleaning liquid discharge nozzle 83 by the height / direction adjusting mechanism 85, it is possible to vary the discharge angle of the Z-direction height and rinsing liquid. このように、スクラブ洗浄ユニット(SC Thus, scrubbing unit (SC
R)21aには、異なる洗浄手段が配設されているので、ウエハWの種類に応じていずれか一方のみを用いた洗浄処理を行ってもよく、また、両方の洗浄手段を前後して用いる洗浄処理を行うことも可能である。 The R) 21a, since different cleaning means is disposed, may be washed processing using only either one, depending on the type of the wafer W, also using both cleaning means back and forth it is also possible to carry out the cleaning process.

【0070】なお、駆動機構79cは駆動機構配設室8 [0070] In addition, the drive mechanism 79c is driven mechanism distribution 設室 8
2bに配設され、ノズル保持アーム84は、ブラシ保持アーム77a・77bと同様に壁部98に設けられた図示しない前記窓部を通してその先端側が洗浄処理室82 Disposed 2b, the nozzle holding arm 84, the distal end side of the cleaning chamber through said window portion (not shown) provided in the wall portion 98 similarly to the brush holding arms 77a · 77b 82
aに位置するように設けられている。 It is provided so as to be located in a. こうして、駆動機構79cで発生するパーティクルが洗浄処理室82aに飛散することが防止され、一方、カップ73から洗浄液が駆動機構配設室82bに飛散して駆動機構79cに付着し、駆動機構79cの動作不良を生じさせるといった問題が回避される。 Thus, it is possible to prevent the particles generated by the driving mechanism 79c is scattered cleaning chamber 82a, whereas, from the cup 73 washings are scattered to the drive mechanism coordinating 設室 82b attached to the driving mechanism 79c, the driving mechanism 79c of problems such as causing a malfunction can be avoided.

【0071】次に、上述した洗浄処理装置1におけるウエハWの洗浄処理工程について、洗浄処理の順序としてウエハWの表面の洗浄を行った後に裏面の洗浄を行うこととする処理レシピに従った場合について説明する。 Next, if the cleaning process of the wafers W in the cleaning apparatus 1 described above, according to the process recipe to be performed back surface cleaning after the cleaning of the surface of the wafer W as the order of the cleaning It will be described. ここで、前提として、2台配設されたウエハ受渡ユニット(TRS)14aのうち、下段をウエハ搬送部5から洗浄処理部3へのウエハWの搬送用として用い、上段を洗浄処理部3からウエハ搬送部5への搬送用として用いることとする。 Here, as a premise, of 2 Taihai set wafers transfer unit (TRS) 14a, using the lower for the transfer of the wafer W from the wafer transfer unit 5 to the cleaning unit 3, the upper from the cleaning unit 3 It will be used for the transport to the wafer transport portion 5.

【0072】また、2台配設されたウエハ反転ユニット(RVS)14bのうち、下段をウエハWの表面が上面である状態から裏面が上面となる状態にウエハWを反転させることに用い、上段をウエハWの裏面が上面である状態から表面が上面となる状態にウエハWを反転させることに用いることとする。 [0072] Also, 2 Taihai set is out of the wafer reversal unit (RVS) 14b was, used to the back surface of the lower from the state the surface of the wafer W is a top inverts the wafer W in a state where the upper surface, the upper the back surface of the wafer W surface from the state is a top will be used to invert the wafer W in a state where the top surface.

【0073】さらに、4台配設されたスクラブ洗浄ユニット(SCR)21a〜21dのうち、下段に配設されたスクラブ洗浄ユニット(SCR)21a・21bをウエハWの裏面洗浄用として用い、上段に配設されたスクラブ洗浄ユニット(SCR)21c・21dをウエハW [0073] Further, 4 Taihai set by scrub cleaning units (SCR) of 21a to 21d, using the scrub cleaning units (SCR) 21a · 21b arranged in the lower part for the back surface cleaning of the wafer W, the upper disposed scrub cleaning units (SCR) 21c · 21d of the wafer W
の表面洗浄用として用いることとする。 It will be used for the surface cleaning. 主ウエハ搬送機構(PRA)15の主ウエハ搬送アーム55〜57は、 The main wafer transfer arm 55-57 of the main wafer transfer mechanism (PRA) 15 is
機械制御ユニット(MB)19のコントローラに予めセット、記憶された処理レシピに従って動作するように制御され、上述のように処理内容が割り付けされた各ユニット間におけるウエハWの搬送を行う。 Preset in the controller of the machine control unit (MB) 19, is controlled to operate according to a stored process recipe, processing contents as described above to transfer wafers W between the respective units that have been allocated.

【0074】まず、所定枚数のウエハWが収容されたキャリアCを、ウエハWの搬入出口がウエハ搬送部5側となるようにして、載置台11上の所定位置に載置する。 [0074] First, the carrier C the wafer W is housed in the predetermined number, the transfer port of the wafer W is set to be the wafer transport portion 5 side, it is placed at a predetermined position on the mounting table 11.
窓部開閉機構12により、窓部92を開口するとともに搬入出口に蓋体が取り付けられている場合には蓋体を移動させてキャリアCの内部とウエハ搬送部5とを連通させ、さらにセンサを用いてキャリアC内のウエハWの収容状態を確認する。 The window opening and closing mechanism 12, thereby communicating the inside and the wafer transport portion 5 of the carrier C by moving the lid body when the lid is attached to the transfer port while opening the window portion 92, a further sensor to check the accommodation state of the wafer W in the carrier C with. ウエハWの収容状態に異常があった場合には処理を中断し、例えば、別のキャリアCの処理作業に移行する。 If there is an abnormality in the accommodating state of the wafer W, processing is interrupted and, for example, the process proceeds to work with another carrier C.

【0075】ウエハWの収容状態に異常がない場合には、キャリアC内の所定高さ位置にウエハ搬送機構13 [0075] If there is no abnormality in the accommodating state of the wafer W is a wafer transport mechanism 13 at a predetermined height position of the carrier C
のウエハ保持アーム13aを挿入して、1枚のウエハW Insert the wafer holding arm 13a, 1 wafer W
を取り出す。 The take out. こうしてウエハ保持アーム13aに保持されたウエハWは下段のウエハ受渡ユニット(TRS)1 Thus the wafer W held by the wafer holding arm 13a is lower wafer transfer unit (TRS) 1
4aに搬送され、ウエハ受渡ユニット(TRS)14a It is conveyed to 4a, the wafer transfer unit (TRS) 14a
内の所定位置に載置される。 It is placed at a predetermined position on the inner. このとき、ウエハWは表面が上面となった状態にある。 At this time, the wafer W is in a state where the surface becomes the top surface. その後、ウエハ搬送機構1 Then, the wafer transport mechanism 1
3は別のウエハWの取り出し等の作業を引き続き行う。 3 will continue to do the work of the take-out or the like of another wafer W.

【0076】主ウエハ搬送機構(PRA)15の主ウエハ搬送アーム55〜57のうちの1つ、例えば、主ウエハ搬送アーム55をウエハWが載置された下段のウエハ受渡ユニット(TRS)14aに挿入してウエハWを取り出す。 [0076] One of the main wafer transfer arm 55-57 of the main wafer transfer mechanism (PRA) 15, for example, the main wafer transfer arm 55 to the wafer transfer unit (TRS) 14a of the lower the wafer W is placed inserted to take out the wafer W. ウエハWは表面が上面となっている状態で主ウエハ搬送アーム55に保持されているので、処理レシピに従ってウエハWを上段のスクラブ処理ユニット(SC Since the wafer W surface is held by the main wafer transfer arm 55 in a state in which a top surface, processing the wafer W upper scrubbing unit according recipe (SC
R)21c・21dのいずれか一方に搬送する。 Carrying either one of R) 21c · 21d.

【0077】例えば、スクラブ洗浄ユニット(SCR) [0077] For example, scrub cleaning unit (SCR)
21cを用いるとすると、カップ73が下段位置に保持された状態で開閉窓69を開け、主ウエハ搬送アーム5 When used 21c, opening the open window 69 in a state where the cup 73 is held in the lower position, the main wafer transfer arm 5
5をスピンチャック71の位置まで挿入してスピンチャック71上にウエハWを載置し、固定する。 5 inserted up to the position of the spin chuck 71 and the wafer W placed on the spin chuck 71 and fixed. その後に主ウエハ搬送アーム55をスクラブ洗浄ユニット(SC Thereafter scrubbing unit of the main wafer transfer arm 55 (SC
R)21c内から退出させて開閉窓69を閉じる。 It is retracted from R) in 21c to close the open windows 69.

【0078】なお、スクラブ洗浄ユニット(SCR)2 [0078] It should be noted, scrub cleaning unit (SCR) 2
1cでは、スピンチャック71として真空吸着によりウエハWが保持する機構を有するものが好適に用いられるが、このときウエハWの下面のスピンチャック71との接触部分に、真空吸着による吸着痕が残る。 In 1c, but it is preferably used with a mechanism of the wafer W is held by vacuum suction as a spin chuck 71, the lower surface contacting portion of the spin chuck 71 at this time the wafer W, the suction marks by vacuum suction remains. しかし、このような吸着痕は後にスクラブ洗浄ユニット(SCR) However, scrubbing unit after such suction marks (SCR)
21a・21bを用いた裏面洗浄により除去される。 Is removed by the back surface cleaning using 21a · 21b.

【0079】スクラブ洗浄ユニット(SCR)21cにおいて、ブラシ76a・76bの両方を用いてスクラブ洗浄を行うとすると、先ずブラシ保持アーム77a・7 [0079] In the scrubbing unit (SCR) 21c, when to perform the scrub cleaning using both brush 76a · 76 b, first brush holding arms 77a · 7
7bの両方をブラシ76a・76bがウエハW上に位置するようにスライド移動させ、また、カップ73を所定位置まで上昇させて保持する。 Both 7b is slid to the brush 76a · 76 b is located on the wafer W, also it holds to raise the cup 73 to a predetermined position. 続いてスピンチャック7 Followed by the spin chuck 7
1を回転させてウエハWが面内回転している状態とし、 1 is rotated to a state in which the wafer W is rotated in-plane,
洗浄液をリンスノズル86a・86bからウエハWに供給してウエハW上に液膜を形成した後に、引き続きリンスノズル86a・86bからウエハWに洗浄液を供給しつつ、ブラシ76a・76bを回転させながらウエハW After forming the liquid film on the wafer W by supplying a cleaning liquid from the rinse nozzle 86a · 86b in the wafer W, while continuing while supplying a cleaning liquid from the rinse nozzle 86a · 86b in the wafer W, by rotating the brush 76a · 76 b wafer W
に当接させ、所定速度でブラシ保持アーム77a・77 Is brought into contact with the brush holding arms 77a · 77 at a predetermined speed
bをスキャンさせる。 To scan a b. こうしてスクラブ洗浄が行われる。 Thus, scrub cleaning is performed.

【0080】なお、このようなスクラブ洗浄においては、ウエハWの中心部では回転の線速度が小さく、周縁部で線速度が大きくなっているので、ブラシ保持アーム77a・77bをX方向にスキャンさせる際には、例えば、ウエハWの中心部でスキャン速度を速くし、一方、 [0080] Incidentally, in such scrubbing, small linear velocity of rotation is at the center of the wafer W, since the linear velocity at the peripheral portion is large, scanning the brush holding arms 77a · 77b in the X direction the time, for example, to increase the scan speed at the center portion of the wafer W, whereas,
ウエハWの周縁部でスキャン速度を遅くする等して、ブラシ76a・76bがウエハWの任意の単位面積に接する時間をウエハW全体で同等とすることで、ウエハWの全面にわたって均一な洗浄処理を行うことができる。 And the like to slow down the scanning speed at the periphery of the wafer W, by brush 76a · 76 b is equal to the time in contact with any unit area of ​​the wafer W across the wafer W, uniform cleaning across the entire surface of the wafer W It can be performed.

【0081】ブラシ76a・76bを用いたスクラブ洗浄の終了後には、ブラシ76a・76bがブラシバス6 [0081] After the end of scrub cleaning using a brush 76a · 76b, brush brush 76a · 76b bus 6
7上に位置するようにカップ73から待避させ、代わりに、ノズル保持アーム84をカップ内に移動させて、回転するウエハWの上面に向かって洗浄液吐出ノズル83 7 is retracted from the cup 73 so as to be located on, instead, a nozzle holding arm 84 is moved in the cup, the cleaning liquid discharge nozzle 83 toward the upper surface of the rotating wafer W
から高速ジェット洗浄水または超音波を印加した洗浄水を吐出させながら、ノズル保持アーム84をX方向にスキャンする洗浄処理を行う。 While discharging the wash water was applied to high-speed jet cleaning water or ultrasonic waves from, it performs a cleaning process to scan the nozzle holding arm 84 in the X direction. 但し、必ずしも、ブラシ7 However, necessarily, brush 7
6a・76bを用いたスクラブ洗浄と洗浄液吐出ノズル83を用いた洗浄の両方を行う必要はない。 It is not necessary to perform both the washing with scrubbing and cleaning liquid discharge nozzle 83 with 6a · 76 b.

【0082】こうして、洗浄処理が終了した後には、ノズル保持アーム84をカップ73外に待避させ、ウエハWを所定の回転数で回転させることにより、ウエハWに付着した洗浄液を振り切るスピン乾燥を行う。 [0082] Thus, after the cleaning process is completed, is retracted the nozzle holding arm 84 to the outer cup 73, by rotating the wafer W at a predetermined rotational speed, it performs the spin drying shaken off the cleaning liquid adhering to the wafer W . なお、スピン乾燥の前に、リンスノズル86a・86bから所定のリンス液を回転するウエハWの表面に供給して、ウエハWのリンス処理を行うことが好ましい。 Note that, before the spin drying is supplied to the surface of the wafer W rotating the predetermined rinse liquid from the rinse nozzle 86a · 86b, it is preferable to carry out the rinsing process of the wafer W.

【0083】スピン乾燥後にはカップ73を降下させ、 [0083] after spin drying lowering the cup 73,
また、スピンチャック71の真空吸着機構を解除する。 Further, releasing the vacuum suction mechanism of the spin chuck 71.
そして開閉窓69を開いて、例えば、主ウエハ搬送アーム55を挿入し、ウエハWを主ウエハ搬送アーム55に受け渡す。 Then open the opening window 69, for example, by inserting the main wafer transfer arm 55, the wafer W delivered to the main wafer transfer arm 55. こうして表面洗浄用のスクラブ洗浄ユニット(SCR)21cから搬出されたウエハWは、例えば、 Wafer W unloaded from thus scrubbing unit for surface cleaning (SCR) 21c is, for example,
3台のうちのいずれかのホットプレートユニット(H One of the hot plate unit of the three units (H
P)16a内に搬送されて乾燥され、必要に応じて主ウエハ搬送アーム55により冷却ユニット(COL)16 Dried is conveyed into the P) 16a, cooled by the main wafer transfer arm 55 as required unit (COL) 16
bに搬送されて冷却され、再び主ウエハ搬送アーム55 b is conveyed is cooled again main wafer transfer arm 55
に戻される。 It is returned to.

【0084】次に、ウエハWの裏面の洗浄を行うためには、ウエハWを裏面が上面となるように反転させる必要があるので、ウエハWを保持したウエハ搬送アーム55 [0084] Next, in order to clean the rear surface of the wafer W, since the wafer W back surface needs to be inverted such that the upper surface, the wafer transfer arm 55 holding the wafer W
を下段のウエハ反転ユニット(RVS)14bに搬送し、ウエハWを支持台31に受け渡す。 Was conveyed to the lower wafer reversal unit (RVS) 14b, it delivers the wafer W to the support table 31. ウエハWが載置された支持台31を昇降機構27を駆動させてウエハ把持アーム36a・36bが開脚された状態で待機している位置まで上昇させた後、ウエハ把持アーム36a・3 After the wafer W to drive the lifting mechanism 27 the supporting table 31 which is placed on the wafer holding arms 36a · 36b is raised to the position waiting in a state of being open leg, the wafer holding arms 36a · 3
6bを閉脚する。 6b to be 閉脚. ウエハWがウエハ把持アーム36a・ Wafer W is the wafer holding arms 36a ·
36bに把持されたことをセンサ48により確認し、その後に支持台31をウエハWの反転動作に支障を生じない位置まで降下させ、ウエハ把持アーム36a・36b That it has been grasped 36b was confirmed by the sensor 48 causes then the support table 31 is lowered to a position not causing trouble to the inverting operation of the wafer W, the wafer holding arms 36a · 36b
を回転駆動機構30により180°反転させる。 180 ° to invert the rotation driving mechanism 30. こうしてウエハWの裏面が上面となった状態で再び支持台31 Thus the support base 31 is again in a state where the rear surface becomes the top surface of the wafer W
をウエハWの受け渡しが可能な位置まで上昇させ、ウエハ把持アーム36a・36bを開脚すると、ウエハWは支持台31上に再び載置される。 The delivery of the wafer W is raised to the possible positions, when the open leg of the wafer holding arms 36a · 36b, the wafer W is placed again on the support table 31.

【0085】支持台31を降下させて、ウエハ反転ユニット(RVS)14b内に、例えば、主ウエハ搬送アーム55を挿入し、主ウエハ搬送アーム55にウエハWを受け渡す。 [0085] The support table 31 is lowered, the wafer reversal unit (RVS) in 14b, for example, by inserting the main wafer transfer arm 55 transfers the wafer W to the main wafer transfer arm 55. 主ウエハ搬送アーム55は、裏面が上面となったウエハWをスクラブ洗浄ユニット(SCR)21a The main wafer transfer arm 55, scrub cleaning units wafer W back surface becomes the upper surface (SCR) 21a
・21bのいずれか一方へ搬送する。 · 21b is conveyed either to one of the. スクラブ洗浄ユニット(SCR)21a・21bでは、スピンチャック7 In scrub cleaning units (SCR) 21a · 21b, the spin chuck 7
1として前述した脱着機構71dを用いてウエハWの保持/解除が行われる他は、前述した表面洗浄用のスクラブ洗浄ユニット(SCR)21cを用いた場合と同様の方法を用いて洗浄処理が行われる。 Wafer addition to holding / releasing of W is performed, the cleaning process lines using the same method as in the case of using the scrub washing units (SCR) 21c for surface cleaning described above with reference to desorption mechanism 71d, are employed as the 1 divide.

【0086】このようにして表裏両面の洗浄処理が終了し、乾燥処理されたウエハWは裏面が上面となっている状態にあるため、キャリアCへ戻すためにウエハWの表面が上面となるように反転処理を行う必要がある。 [0086] In this manner the cleaning process of both sides is completed, the dried processed wafer W is because in a state where the rear surface is in the upper surface, so that the surface of the wafer W in order to return to the carrier C becomes the upper surface it is necessary to carry out the inversion processing to. そこで、次にウエハWは、例えば、主ウエハ搬送アーム55 Therefore, the next wafer W, for example, the main wafer transfer arm 55
を用いて上段のウエハ反転ユニット(RVS)14bに搬送される。 It is transported to the upper wafer reversal unit (RVS) 14b using. 上段のウエハ反転ユニット(RVS)14 Upper wafer reversal unit (RVS) 14
bにおいては、前述した下段のウエハ反転ユニット(R In b, in the lower part of the wafer inverting unit described above (R
VS)14bにおける反転動作と同様の動作によってウエハWの上下を反転させる。 The same operation as inverted operation in VS) 14b to reverse the top and bottom of the wafer W. こうして、ウエハWはその表面が上面となった状態で、例えば、主ウエハ搬送アーム55に戻される。 Thus, the wafer W is in a state where its surface becomes the upper surface, for example, it returned to the main wafer transfer arm 55.

【0087】表面が上面となって主ウエハ搬送アーム5 [0087] surface becomes the top main wafer transfer arm 5
5に保持されたウエハWは、上段のウエハ受渡ユニット(TRS)14aへ搬送され、さらにこのウエハ受渡ユニット(TRS)14a内からウエハ保持アーム13a The wafer W held by the 5 is conveyed to the upper wafer transfer unit (TRS) 14a, further wafer holding arm 13a from the wafer transfer unit (TRS) in 14a
によってウエハ搬送部5内へ搬送された後、キャリアC After being transported to the wafer transport portion 5 by the carrier C
内の所定位置に収容される。 It is accommodated in a predetermined position on the inner. このような1枚のウエハW Such a single wafer W
の処理作業をキャリアC内に収容された全てのウエハW All of the wafer W to the processing operation is accommodated in the carrier C
について終了した後は、ウエハWが収容されたキャリアCは次工程へと送られる。 After completed for the carrier C the wafer W is accommodated is sent to the next step.

【0088】なお、上述した処理工程では、洗浄処理部3内における1枚のウエハWの搬送工程において、常に同じ主ウエハ搬送アーム55を用いて説明したが、ウエハWの搬送工程には、適宜、主ウエハ搬送アーム55〜 [0088] In the processing step described above, in the process of transporting a single wafer W in the cleaning processing unit 3, always has been described using the same main wafer transfer arm 55, the transport process of the wafer W, as appropriate , the main wafer transfer arm 55
57のうち使用していないものを選択して使用することが可能である。 Select that is not used among the 57 can be used.

【0089】以上、本発明の洗浄処理装置について説明してきたが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではない。 [0089] Having thus described cleaning apparatus of the present invention, the present invention is not limited to the embodiments described above. 例えば、載置台11に配設可能なキャリアCは4個以上であってもよく、逆に2個以下であってもよい。 For example, it provided acceptable carriers C to the mounting table 11 may be four or more, may be two or less reversed. ウエハ搬送機構13は1台のみ配設されているが、2台以上を配設して用いてもよい。 Wafer transfer mechanism 13 is disposed only one, or may be used by arranging the two or more. また、基板として半導体ウエハに限定されるものではなく、例えば、ガラス基板、CD基板等にも用いることができる。 Further, the present invention is not limited to the semiconductor wafer as a substrate, for example, it may be a glass substrate, in CD substrate.

【0090】 [0090]

【発明の効果】上述の通り、本発明の洗浄処理装置によれば、スクラブ洗浄ユニットを多段に配設することで、 Effect of the Invention as described above, according to the cleaning apparatus of the present invention, by disposing the scrubbing unit in multiple stages,
処理すべき基板が大型化した場合にも、フットプリントの増大を最小限に抑えることが可能となる。 If the substrate to be treated is enlarged, it becomes possible to minimize the increase in footprint. これによって既存のクリーンルームへの配設も容易となり、また、 This is facilitated also arranged to existing clean room, also,
クリーンルームの改装、増築を行う必要がある場合にも、洗浄処理装置の配設スペースが小さいために、その設備費用が低減される。 Renovation of the clean room, even when it is necessary to perform additional construction for arrangement space of the cleaning device is small, the equipment costs can be reduced. また、スクラブ洗浄ユニットを表面洗浄用と裏面洗浄用とに分けて用いることによって、基板の品質をより高いものとすることが可能となる。 Further, by using separately scrubbing unit and for the back surface cleaning surface cleaning, it is possible to made higher quality substrate. さらに、複数のスクラブ洗浄ユニットに加えて、受渡ユニットや反転ユニット、加熱/冷却ユニット等の他の処理を行うユニットについても同種のユニットを複数台配設することで、スループットを短縮させることが容易である。 Furthermore, in addition to a plurality of scrubbing unit, transfer unit and the reversing unit, by a plurality disposed units of the same type also unit for other processing such as heating / cooling unit, easy to shorten the throughput it is. さらにまた、これら複数のユニットを処理工程に従って使い分けることによって、基板へのパーティクルの付着等を低減して、基板の品質を高く保つことが可能となる等、本発明は種々の効果を奏する。 Furthermore, by selectively using the plurality of units in accordance with the processing step, to reduce the adhesion of particles to the substrate, or the like becomes possible to maintain a high quality of the substrate, the present invention exhibits various effects.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の洗浄処理装置の一実施形態を示す平面図。 Plan view showing an embodiment of a cleaning apparatus of the present invention; FIG.

【図2】図1記載の洗浄処理装置の側面図。 Figure 2 is a side view of the cleaning apparatus of FIG. 1 described.

【図3】受渡/反転部、主ウエハ搬送機構および加熱/ [Figure 3] delivery / reversing unit, the main wafer transfer mechanism and the heating /
冷却ユニットの配設形態を示す断面図。 Cross-sectional view showing the arranged form of the cooling unit.

【図4】図4におけるフィルターファンユニット(FF Filter fan unit in FIG. 4] FIG. 4 (FF
U)からのダウンフローの流れを示した説明図。 Diagram illustrating a flow of the down flow from U).

【図5】ウエハ反転ユニット(RVS)の概略構造を示す平面図。 5 is a plan view showing a schematic structure of a wafer reversal unit (RVS).

【図6】ウエハ反転ユニット(RVS)の概略構造を示す側面図。 Figure 6 is a side view showing a schematic structure of a wafer reversal unit (RVS).

【図7】ウエハ把持アームのX方向開閉機構を示す説明図。 Figure 7 is an explanatory view showing the X-direction opening and closing mechanism of the wafer gripper arms.

【図8】スクラブ洗浄ユニット(SCR)の概略構造を示す平面図。 Figure 8 is a plan view showing a schematic structure of a scrub washing units (SCR).

【図9】スクラブ洗浄ユニット(SCR)の概略構造を示す断面図。 Figure 9 is a sectional view showing a schematic structure of a scrub washing units (SCR).

【符号の説明】 1;洗浄処理装置 2;搬入出部 3;洗浄処理部 4;イン・アウトポート 5;ウエハ搬送部 13;ウエハ搬送機構 14;受渡/反転部 14a;ウエハ受渡ユニット 14b;ウエハ反転ユニット 15;主ウエハ搬送機構(PRA) 16;加熱/冷却部 21a〜21d;スクラブ洗浄ユニット 22;フィルターファンユニット 26;ウエハ中継部 27;昇降機構 28;ウエハ反転機構 55〜57;主ウエハ搬送アーム 67a・67b;ブラシ 71;スピンチャック 73;カップ W;半導体ウエハ(基板) C;キャリア(基板収容容器) [EXPLANATION OF SYMBOLS] 1; cleaning apparatus 2; transfer portion 3; cleaning unit 4; in-out port 5; the wafer transfer unit 13; wafer transfer mechanism 14; transfer / inversion section 14a; wafer transfer unit 14b; wafer reversing unit 15; the main wafer transfer mechanism (PRA) 16; heating / cooling unit 21a to 21d; scrubbing unit 22; the filter fan unit 26; wafer relay unit 27; lifting mechanism 28; wafer inverting mechanism 55-57; main wafer transfer arm 67a · 67b; brush 71; spin chuck 73; Cup W; semiconductor wafer (substrate) C; carrier (substrate container)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl. 7識別記号 FI テーマコート゛(参考) B08B 3/12 B08B 3/12 C 7/04 7/04 A H01L 21/68 H01L 21/68 A Fターム(参考) 3B116 AA03 AB23 AB27 AB34 AB47 BA02 BA13 BA33 BB22 BB44 CC01 CC03 3B201 AA03 AB24 AB27 AB34 AB47 BA02 BA13 BA33 BB22 BB44 BB92 CB25 CC01 CC13 5F031 CA02 CA05 FA01 FA02 FA11 FA12 FA15 FA21 HA13 HA25 MA02 MA06 MA23 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (51) Int.Cl. 7 identification mark FI theme Court Bu (reference) B08B 3/12 B08B 3/12 C 7/04 7/04 a H01L 21/68 H01L 21/68 a F -term (reference) 3B116 AA03 AB23 AB27 AB34 AB47 BA02 BA13 BA33 BB22 BB44 CC01 CC03 3B201 AA03 AB24 AB27 AB34 AB47 BA02 BA13 BA33 BB22 BB44 BB92 CB25 CC01 CC13 5F031 CA02 CA05 FA01 FA02 FA11 FA12 FA15 FA21 HA13 HA25 MA02 MA06 MA23

Claims (13)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 基板に所定の洗浄処理を施す洗浄処理装置であって、 多段に積み重ねられて配設された複数のスクラブ洗浄ユニットと、 前記複数のスクラブ洗浄ユニットの全てにアクセス可能な基板搬送機構と、 を具備することを特徴とする洗浄処理装置。 1. A cleaning apparatus for performing a predetermined cleaning process on the substrate, a plurality of scrubbing units arranged stacked in multiple stages, all accessible substrate transfer of said plurality of scrubbing unit cleaning apparatus, characterized by comprising: a mechanism.
  2. 【請求項2】 基板に所定の洗浄処理を施す洗浄処理装置であって、 多段に積み重ねられて配設された複数のスクラブ洗浄ユニットを有する洗浄処理部と、 前記洗浄処理部に対して基板を搬入出する基板搬入出部と、 前記複数のスクラブ洗浄ユニットの全てにアクセス可能な基板搬送機構と、 を具備することを特徴とする洗浄処理装置。 2. A cleaning apparatus for performing a predetermined cleaning process on the substrate, and a cleaning section having a plurality of scrubbing units arranged stacked in multiple stages, the substrate to the cleaning section a substrate transfer unit for loading and unloading, cleaning apparatus, characterized by comprising: a substrate transfer mechanism accessible to all of the plurality of scrubbing unit.
  3. 【請求項3】 基板に所定の洗浄処理を施す洗浄処理装置であって、 前記基板に所定の処理を施す複数の処理ユニットを有する洗浄処理部と、 前記洗浄処理部に対して基板を搬入出する基板搬入出部と、 を具備し、 前記洗浄処理部は、 少なくとも上下2段に配設された複数のスクラブ洗浄ユニットと、 前記基板の表裏を反転させる基板反転ユニットと、 前記基板搬入出部との間で基板の受け渡しを行うために前記基板を一時的に載置する基板受渡ユニットと、 前記各ユニットの全てにアクセス可能であり、前記各ユニットとの間で基板の受け渡しを行う基板搬送機構と、 を有することを特徴とする洗浄処理装置。 3. A cleaning apparatus for performing a predetermined cleaning process on the substrate, and a cleaning section having a plurality of processing units for performing a predetermined process on the substrate, transfer substrates into and out relative to the cleaning unit comprising a substrate transfer unit for the said cleaning section includes a substrate reversing unit for reversing a plurality of scrubbing unit disposed in at least two upper and lower stages, the front and back of the substrate, the substrate transfer portion a substrate transfer unit for temporarily placing the substrate in order to perform the transfer of substrates to and from the accessible to all the units, a substrate transport for transferring the substrate between the respective unit cleaning apparatus, characterized in that it comprises a mechanism.
  4. 【請求項4】 2台以上の前記基板受渡ユニットが積み重ねられて配設されていることを特徴とする請求項3に記載の洗浄処理装置。 4. A cleaning apparatus according to claim 3, characterized in that two or more of the substrate transfer unit are disposed stacked.
  5. 【請求項5】 2台以上の前記基板反転ユニットが積み重ねられて配設されていることを特徴とする請求項3または請求項4に記載の洗浄処理装置。 5. A cleaning apparatus according to claim 3 or claim 4, characterized in that two or more of the substrate reversing unit is arranged stacked.
  6. 【請求項6】 積み重ねられて配設された2台以上の前記基板受渡ユニット上に2台以上の前記基板反転ユニットが積み重ねられて配設されていることを特徴とする請求項3から請求項5のいずれか1項に記載の洗浄処理装置。 Claim Claims 3 to 6. A stacked with disposed the two or more of the substrate transfer unit two or more of the substrate reversing unit on is characterized in that it is provided with arranged stacked cleaning apparatus according to any one of 5.
  7. 【請求項7】 前記基板反転ユニットは、 前記基板搬送機構との間で基板の受け渡しを行う基板中継部と、 前記基板中継部を昇降させる昇降機構と、 前記基板中継部に保持された基板を把持して受け取り、 Wherein said substrate reversing unit includes a substrate relay unit for transferring the substrate between the substrate transfer mechanism, a lifting mechanism for raising and lowering the substrate relay unit, the substrate held by the substrate relay unit receiving grip to,
    回転により把持した基板を反転させ、前記基板中継部に基板を渡す基板反転機構と、 を具備することを特徴とする請求項3から請求項6のいずれか1項に記載の洗浄処理装置。 The substrate gripped by the rotation is reversed, cleaning apparatus according to the substrate reversing mechanism to pass the substrate to the substrate relay unit from claim 3, characterized by including the any one of claims 6.
  8. 【請求項8】 清浄な空気をダウンフローするフィルターファンユニットが前記洗浄処理部の上部に配設され、 8. A filter fan unit for downflow clean air is disposed above the cleaning section,
    かつ、前記基板受渡ユニットと前記基板反転ユニットが前記基板搬入出部に接して配設されており、 前記清浄な空気のダウンフローの一部が、前記基板搬送機構の配設スペースから前記基板受渡ユニットを通して前記基板搬入出部へ流れ出す構造となっていることを特徴とする請求項3から請求項7のいずれか1項に記載の洗浄処理装置。 And said and substrate transfer unit and the substrate reversing unit is disposed in contact with the substrate transfer portion, a part of the downflow of the clean air, the substrate transfer from installation space of the substrate transfer mechanism cleaning apparatus according to claims 3 to any one of claims 7, characterized in that has a structure which flows into the substrate transfer portion through the unit.
  9. 【請求項9】 前記スクラブ洗浄ユニットは上段および下段に2台ずつ重ねられて配設されていることを特徴とする請求項3から請求項8のいずれか1項に記載の洗浄処理装置。 9. The cleaning apparatus according to any one of claims 8 wherein the scrubbing unit from claim 3, characterized in that it is arranged superposed by two in upper and lower.
  10. 【請求項10】 前記上段に配設されたスクラブ洗浄ユニットは前記基板の表面洗浄に用いられ、前記下段に配設されたスクラブ洗浄ユニットは前記基板の裏面洗浄に用いられることを特徴とする請求項3から請求項9のいずれか1項に記載の洗浄処理装置。 10. A scrubbing unit arranged in the upper row is used for surface cleaning of the substrate, scrubbing unit arranged in the lower part claims characterized in that it is used in the back surface cleaning of the substrate cleaning apparatus according to any one of claims 9 to claim 3.
  11. 【請求項11】 前記基板の表面洗浄用のスクラブ洗浄ユニットにおいては前記基板を保持するチャックに真空吸着機構が用いられており、前記基板の裏面洗浄用のスクラブ洗浄ユニットにおいては前記基板を保持するチャックに機械的保持機構が用いられていることを特徴とする請求項10に記載の洗浄処理装置。 11. The scrubbing unit for surface cleaning of the substrate is vacuum suction mechanism is used for a chuck for holding the substrate, the scrubbing unit for the back surface cleaning of the substrate to hold the substrate cleaning apparatus according to claim 10, characterized in that it is used a mechanical holding mechanism on the chuck.
  12. 【請求項12】 清浄な空気をダウンフローするフィルターファンユニットが前記洗浄処理部の上部に配設されており、前記清浄な空気の一部が配管を通して前記フィルターファンユニットから直接に前記下段に配設されたスクラブ処理ユニットに前記下段のスクラバ洗浄ユニットの上部に設けられたフィルタユニットを介して送風されることを特徴とする請求項8から請求項11のいずれか1項に記載の洗浄処理装置。 12. The filter fan unit for downflow clean air is disposed above the cleaning section, distribution in the lower part directly from the filter fan unit portion of the clean air through the pipe cleaning apparatus according to claims 8, characterized in that air is blown through the filter unit provided in settings has been scrubbed units on top of the lower scrubber cleaning units to any one of claims 11 .
  13. 【請求項13】 前記洗浄処理部に加熱/冷却ユニットが配設されていることを特徴とする請求項1から請求項12のいずれか1項に記載の洗浄処理装置。 13. The cleaning apparatus according to any one of claims 1 to 12, wherein the cleaning section to the heating / cooling unit is disposed.
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