JP6745737B2 - ショットキーバリアダイオードの製造方法 - Google Patents
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図1は、本発明の前提技術に係るSiC−SBDチップ100の平面図であり、図2は図1のA−A断面図である。
図3は、実施の形態1に係るショットキーバリアダイオードである、SiC−SBDチップ101の平面図であり、図4は図3のB−B断面図である。図3に示すように、SiC−SBDチップ101では、ショットキー電極3とアノード電極4が一対で9つのセグメント41〜49に分割されている。各セグメント41〜49は、ショットキー電極3とアノード電極4からなり、離間して配置される。
図9は、実施の形態2に係るSiC−SBD102の平面図であり、図10は図9のC−C断面図である。SiC−SBD102において、SiC−SBD101の構成に加えて、トレンチ7内およびトレンチ7の上部の各セグメント41〜49間に絶縁膜である絶縁保護膜9を備えたものであり、それ以外の構成はSiC−SBD101と同様である。
図11は、実施の形態3に係るSiC−SBDチップ103の上面図であり、図12は図11のD−D断面図である。SiC−SBDチップ103は、実施の形態1のSiC−SBDチップ101におけるトレンチ7に代えて、各セグメント41〜49間の下方のドリフト層2に、第2導電型の不純物領域であるP層10が埋め込み形成されている。それ以外のSiC−SBDチップ103の構成はSiC−SBDチップ101と同様である。
実施の形態4に係るSiC−SBD104の平面図は図3と同様である。図13は、図3のB−B断面図に相当するSiC−SBD104の断面図である。SiC−SBD104は、実施の形態3に係るSiC−SBD103の第2導電型の不純物領域であるP層10にトレンチ7が形成された構成であり、これ以外の構成はSiC−SBD103と同様である。言い換えれば、SiC−SBD104は、実施の形態1に係るSiC−SBD101のトレンチ7の内壁面にP層が形成された構成である。なお、図13では、トレンチ7の内壁面に形成されたP層をP層11とする。
本実施の形態は、上述した実施の形態1〜4に係るSiC−SBDチップ101〜104を電力変換装置に適用したものである。本発明は特定の電力変換装置に限定されるものではないが、以下、実施の形態5として、三相のインバータに本発明を適用した場合について説明する。
Claims (1)
- ショットキーバリアダイオードの製造方法であって、
前記ショットキーバリアダイオードは、
第1導電型の炭化珪素基板と、
前記炭化珪素基板の上面に形成された第1導電型のドリフト層と、
前記炭化珪素基板の下面に形成されたカソード電極と、
前記ドリフト層とショットキー接合するショットキー電極と、
前記ショットキー電極と電気的に接触するアノード電極と、
を備え、
前記ショットキー電極および前記アノード電極は、一対となって、一つの前記カソード電極に対し複数のセグメントに分割され、
各前記セグメントは電気的に分離され、
各前記セグメントには前記ショットキー電極および前記アノード電極がそれぞれ一つずつ配置され、
各前記セグメント間の下方の前記ドリフト層にトレンチが形成され、
前記ドリフト層の上面に前記ショットキー電極を形成する工程と、
前記ショットキー電極の上面に前記アノード電極を形成する工程と、
前記ショットキー電極および前記アノード電極の予め定められた部分を除去することにより、前記ショットキー電極および前記アノード電極を複数の前記セグメントに分割する工程と、
各前記セグメント間から前記ドリフト層の上面にレーザーを照射して、前記ドリフト層に前記トレンチを形成する工程と、を備える、
ショットキーバリアダイオードの製造方法。
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